JPH10186130A - 光干渉フィルターの製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】耐熱性の低い透明基板を用い、イオンアシスト
蒸着法により光干渉フィルターを製造しても、光学特
性、密着性に優れ、かつ、経時変化の小さい耐久性に優
れた光干渉フィルターを得ることのできる光干渉フィル
ターの製造方法を提供することを目的とする。 【解決手段】ＴｉＯ₂ およびＳｉＯ₂ を蒸着材料とし、
イオンアシスト蒸着法を用い光干渉フィルターを製造す
る方法において、ＴｉＯ₂ の蒸着成膜の際、基板に蒸着
するＴｉＯ₂ 粒子数に対する、イオンアシストガス中の
イオン数の割合を６〜８％とすることで、基板の温度を
130℃以下としたことを特徴とする光干渉フィルターの
製造方法。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、ＴｉＯ₂ （二酸化
チタン）およびＳｉＯ₂ （二酸化ケイ素）の透明薄膜
を、透明基板上に交互に所定回数、蒸着成膜する光干渉
フィルターの製造方法に係わり、特に、イオンアシスト
蒸着法を用い、ＴｉＯ₂ の蒸着成膜を行う光干渉フィル
ターの製造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来、液晶表示装置または、固体撮像素
子装置等に用いる光学フィルター（例えばカラーフィル
ター等）として、ガラス等の透明基板上に高屈折率の材
料（例えば、ＴｉＯ₂ 、ＺｒＯ₂ 、ＺｎＳ等）よりなる
透明薄膜および、低屈折率の材料（例えば、ＳｉＯ₂ 、
ＭｇＦ₂ 等）よりなる透明薄膜を交互に複数積層した、
いわゆる光干渉フィルターが知られている。光干渉フィ
ルターは、屈折率の異なる透明薄膜を交互に積層し、透
明薄膜による光の干渉を利用することで、所望する波長
域の光を反射もしくは透過させるものである。光干渉フ
ィルターを、透過型の光学フィルターとして用いる場
合、光吸収率が低く、高い光透過率を有するものであ
る。そのため、光干渉フィルターを液晶表示装置また
は、固体撮像素子装置等に用いた場合、コントラスト等
の良好な画像表示が得られるものである。

【０００３】光干渉フィルターの、各光波長における光
透過率は、交互に積層する各透明薄膜の光学的膜厚（薄
膜の屈折率と薄膜の膜厚との積）で決まるものであり、
所望する波長域の光が透過するよう、適宜、積層する透
明薄膜の屈折率、膜厚、および積層数を設定するもので
ある。なお、一般的に光学的膜厚は、透過光の波長
（λ）の１／４となるよう設定するものである。

【０００４】光干渉フィルターを製造するにあたり、透
明基板上に形成する透明薄膜の膜厚が薄いため、真空蒸
着法やスパッタ蒸着法等のいわゆる物理的蒸着法（ＰＶ
Ｄ法）を用いることが一般的となっている。また、高屈
折率の材料としてＴｉＯ₂ （二酸化チタン）が、また、
低屈折率の材料としてＳｉＯ₂ （二酸化ケイ素）が通常
用いられるものである。

【０００５】さらに、物理的蒸着法（ＰＶＤ法）の変形
として、イオン化したガスを供給しつつ透明基板上に蒸
着を行う、いわゆるイオンアシスト蒸着法が知られてい
る。イオンアシスト蒸着法を用い、イオン化したガスの
雰囲気のもとで、蒸気化された蒸着材料を基板上に凝集
蒸着させると、蒸着された材料の結晶化がイオンにより
促進され、密着性、耐湿性などの膜特性が向上するもの
である。また、蒸着された材料の屈折率が上がるため、
特に高屈折率材料の蒸着の際にイオンアシスト蒸着法を
用いることが有効といえる。なお、必要により、材料の
蒸着を終えた後、基板を所定の時間加熱することで、蒸
着された材料の結晶化を促進し、材料の膜特性を向上さ
せる方法（いわゆる、アニーリング処理）を行う場合も
ある。

【０００６】図１は、イオン銃７を備えたイオンアシス
ト蒸着装置１の構造例を、模式的に示す図である。蒸着
装置１内に置かれたペレット状または粒状等のＴｉＯ₂
およびＳｉＯ₂ は、各々、電子ビーム照射装置により電
子ビーム６を照射され、加熱蒸気化される。また、シャ
ッター５は、適宜相互に開閉可能となっており、ＴｉＯ
₂ の透明基板２への蒸着時には、シャッター5aを開、シ
ャッター5bを閉とするものである。逆に、ＳｉＯ₂ の透
明基板２への蒸着時には、シャッター5aを閉、シャッタ
ー5bを開とするものである。これにより、ＴｉＯ₂ およ
びＳｉＯ₂ の薄膜が、透明基板２上に交互に積層蒸着さ
れるものである。なお、図１では、傘状のレンズドーム
に載置された透明基板２を一枚としているが、実際は複
数の透明基板２をレンズドームに載置しているものであ
る。

【０００７】次いで、酸素（Ｏ₂ ）およびアルゴン（Ａ
ｒ）よりなる混合ガスが、イオン銃７（例えば、カウフ
マン型イオン銃）によりイオン化されて蒸着装置１内に
供給される。また、酸化雰囲気にて酸化物の蒸着を行え
ば、透明基板２への蒸着が促進されるため、別途、Ｔｉ
Ｏ₂ の蒸着成膜時には、ガス導入口より酸素ガス
（Ｏ ₂ ）を蒸着装置１内に供給するものである。なお、
排気口より逐次蒸着装置１内の排気を行っているもので
ある。

【０００８】

【発明が解決しようとする課題】従来、上述した例に示
したような蒸着装置を用い、光干渉フィルターを製造す
る場合、蒸着装置１内に置かれた透明基板２には加熱を
行っていたものである。特に、高屈折率材料であるＴｉ
Ｏ₂ の蒸着時には、透明基板２の温度を例えば200〜 30
0℃程度の高温としていたものである。すなわち、透明
基板２の温度が低温であると、ＴｉＯ₂ が基板２上に蒸
着する際に、蒸着したＴｉＯ₂ が非晶質（アモルファ
ス）状態となり、所望する高屈折率が得られず、また、
光吸収膜となる。基板温度が高温度であった場合、蒸着
したＴｉＯ₂ の結晶化が進み、所望する高屈折率が得ら
れるという理由によるものである。ＴｉＯ₂ が低屈折率
であった場合、所望する分光特性が得られず、光吸収膜
であった場合、光透過率が低下するといえる。

【０００９】ちなみに、図６は、蒸気化したＴｉＯ₂ が
蒸着する際の基板温度（℃）と、蒸着したＴｉＯ₂ の波
長 600nmにおける屈折率（ｎ）の関係を示したものであ
る。図６に示すように、基板温度が例えば 130℃より低
い温度であると、ＴｉＯ₂がアモルファス状態となり屈
折率が低く、 200〜 300℃と高い温度であると結晶状態
となり、屈折率が高くなるといえる。

【００１０】また、上述したイオンアシスト蒸着法を用
いることで、低い基板温度にて、所望する屈折率のＴｉ
Ｏ₂ 薄膜を得ることは可能といえる。しかしその場合に
は、基板２へのＴｉＯ₂ 薄膜の密着性が低下しているも
のである。さらに、蒸着されたＴｉＯ₂ 薄膜の耐湿性が
悪くなり、経時的にＴｉＯ₂ 薄膜が周囲の湿気を吸い、
屈折率および膜厚が変化し、結果として光干渉フィルタ
ーの光透過率や分光特性等の光学特性が経時的に変化す
るという問題が生じるものである。なお、低屈折材料で
あるＳｉＯ₂ の薄膜は、基板２への蒸着時における基板
温度依存性が低く、たとえ低い基板温度であっても、Ｓ
ｉＯ₂ 薄膜の経時変化の割合は、実用上無視できる程度
に小さいといえる。

【００１１】上記の理由等により、ＴｉＯ₂ の蒸着時に
は、透明基板２の温度を 200〜 300℃程度の高温にして
いたものであり、このため、透明基板２にはガラス等の
耐熱性を有する材質を用いざるをえないといえる。

【００１２】近年、光干渉フィルターが組み込まれる、
液晶表示装置または固体撮像素子装置等の軽量化の要求
があり、透明基板２の軽量化が必要といる。それには、
透明基板２の材質として、例えばＰＥＴ（ポリエチレン
テレフタレート）等の軽量なプラスチック材が適してい
るといえる。

【００１３】しかし、透明基板２の材質として例えばプ
ラスチック材を用いた場合、プラスチック材は耐熱性が
悪く、蒸着法を用いＴｉＯ₂ を蒸着する際、基板への加
熱により基板２が変形してしまうといえる。

【００１４】また、耐熱性を有しない基板の変形を防ぐ
ため、基板２への加熱温度を低くすると、上述したよう
に、光干渉フィルターとしての光特性が悪く、また、密
着性、耐湿性等の耐久性が低いものとならざるをえなか
った。

【００１５】本発明は、以上の事情に鑑みなされたもの
であり、耐熱性の低い透明基板を用い、イオンアシスト
蒸着法により光干渉フィルターを製造しても、光学特
性、密着性に優れ、かつ、経時変化の小さい耐久性に優
れた光干渉フィルターを得ることのできる光干渉フィル
ターの製造方法を提供することを目的とする。

【００１６】

【課題を解決するための手段】上記の課題を達成すべ
く、本発明者らは鋭意検討を行ったものであり、その結
果、透明基板へＴｉＯ₂ を蒸着する際の、イオン化雰囲
気に着目したものである。

【００１７】前述した（従来の技術）の項で記したよう
に、ＴｉＯ₂ の蒸着の際に、イオン化したガス（以下、
イオン化ガスと記す）の雰囲気のもとで、蒸着材料を基
板２上に凝集蒸着させると、蒸着した材料の結晶化がイ
オンにより促進されるものである。このため、本発明者
らは、透明基板２に蒸着するＴｉＯ₂ 粒子数と、イオン
化ガス中のイオン数、すなわち、透明基板２に到達する
イオン化ガス中のイオン数との好適な割合を見いだせ
ば、ＴｉＯ₂ の蒸着時の結晶化がより進み、蒸着時の基
板温度が低温であっても、密着性、耐久性、光学特性等
の膜特性に優れたＴｉＯ₂ 薄膜が得られると考え、本発
明にいたったものである。

【００１８】ここで、本発明者らは、透明基板２に蒸着
するＴｉＯ₂ 粒子数と、透明基板２に到達するイオン化
ガス中のイオン数との割合として、以下の（数１）の式
に示す、イオン比率（％）を設定したものである。

【００１９】

【数１】

【００２０】上記（数１）中の（蒸着粒子数）とは、透
明基板上に蒸着したＴｉＯ₂ 粒子の数を示し、以下の
（数２）の式で算出される。なお、（数２）中の（蒸着
速度）とは、基板に蒸着したＴｉＯ₂ 薄膜の１秒間当た
りの膜厚の増加率（Å／秒）を示すものである。また、
（数２）中の（蒸着粒子の密度）は、透明基板に蒸着し
たＴｉＯ₂ 薄膜の密度（ｇ／cm³ ）を、さらに、（蒸着
粒子の分子量）は、透明基板に蒸着したＴｉＯ₂ の分子
量を示すものであり、これは、各々3.84ｇ／cm³、 79.8
8と一定となる数値である。

【００２１】

【数２】

【００２２】（数２）の式より、蒸着したＴｉＯ₂ 薄膜
の１秒間当たりの膜厚の増加率（Å／秒）を実測すれ
ば、透明基板に蒸着したＴｉＯ₂ 粒子の数が分かるとい
える。

【００２３】次いで、（数１）中の（イオン数）は、透
明基板に到達するイオンの数を示すものであり、以下の
（数３）の式で算出される。

【００２４】

【数３】

【００２５】上記（数３）中の、（イオン電流密度）と
は、単位面積（ cm²）当たりに流れるイオン電流（μ
Ａ）を示すものである。

【００２６】すなわち、（イオン比率）は、イオンアシ
スト蒸着時の（蒸着速度）と（イオン電流密度）とを、
制御することで、変更することが可能といえる。

【００２７】本発明者らは、透明基板に蒸着するＴｉＯ
₂ 粒子数に対する、透明基板に到達するイオン化ガス中
のイオン数の割合、すなわち、イオン比率を変え、実際
に基板にＴｉＯ₂ の蒸着を行ったものである。また、イ
オン化ガスの酸素とアルゴンの割合、酸素とアルゴンの
イオン化に用いるイオン銃の出力、別途供給する酸素ガ
スのガス分圧、さらに、ＴｉＯ₂ の透明基板への蒸着速
度においても、種々の値にて、実際に基板にＴｉＯ₂ の
蒸着を行ったものである。その結果、経験的、および以
下に記す実施例等より本発明にいたったものである。

【００２８】すなわち、本発明に於いて上記課題を達成
するために、まず請求項１においては、電子ビーム加熱
方式により加熱蒸気化したＴｉＯ₂ およびＳｉＯ₂ を透
明基板上に交互に所定の回数、蒸着成膜し、少なくとも
ＴｉＯ₂ の蒸着成膜は、酸素とアルゴンよりなるイオン
化ガスと、前記イオン化ガスとは別途供給される酸素ガ
スとの雰囲気下にて、加熱した透明基板に行う、イオン
アシスト蒸着法を用いた光干渉フィルターの製造方法に
おいて、ＴｉＯ₂ の蒸着成膜の際、透明基板に蒸着する
ＴｉＯ₂ 粒子数に対する、イオン化ガス中のイオン数の
割合を６〜８％とすることで、透明基板の温度を 130℃
以下としたことを特徴とする光干渉フィルターの製造方
法としたものである。

【００２９】また、請求項２においては、前記イオン化
ガス中の酸素とアルゴンの割合を１対９としたことを特
徴とする請求項１に記載の光干渉フィルターの製造方法
としたものであり、さらにまた、請求項３においては、
酸素とアルゴンのイオン化に用いるイオン銃の出力を 5
00±50ｅＶ、別途供給する酸素ガスのガス分圧を３×10
^-2Ｐａとし、さらに、ＴｉＯ₂ の透明基板への蒸着速度
を 2.0Å／秒以上 2.5Å／秒以下としたことを特徴とす
る請求項１または２に記載の光干渉フィルターの製造方
法としたものである。

【００３０】

【発明の実施の形態】本発明の光干渉フィルターの製造
方法の実施形態を、以下に記す（実施例）をもとに記
し、さらに説明を続ける。

【００３１】（実施例１）前述した図１に示すイオンア
シスト蒸着装置１を用い、図７に示すようにＴｉＯ₂ 薄
膜３およびＳｉＯ₂ 薄膜４を交互に、 0.5mm厚のＰＥＴ
基板２上に９層積層したシアン９層の光干渉フィルター
８の製造を行った。すなわち、高屈折率材料としてペレ
ット型のＴｉＯ₂ を、また低屈折率材料として粒状のＳ
ｉＯ₂ を用い、電子ビーム照射により各材料を加熱蒸気
化し、基板２上に交互に透明薄膜を蒸着したものであ
る。なお、この光干渉フィルター８は、各層の光学的膜
厚を透過光波長（λ）の１／４になるようにした、いわ
ゆるλ／４交互多層膜としたものである。

【００３２】また、ＴｉＯ₂ およびＳｉＯ₂ の蒸着時に
は、イオンアシスト蒸着を行ったものである。酸素とア
ルゴンの割合を１対９としたイオン化ガスを用い、カウ
フマン型イオン銃７（型式名「ＫＩＳ−８０Ｄ」）によ
り酸素とアルゴンのイオン化を行った。さらに、ＴｉＯ
₂ の蒸着時には、イオン化ガスとは別途に、ガス導入口
より酸素ガスを蒸着装置１内に供給したものである。

【００３３】以下の（表１）に、この時の製造条件を記
す。

【００３４】

【表１】

【００３５】なお、（表１）中の（バックフィルガス）
とは、ＴｉＯ₂ の蒸着時にガス導入口より供給する酸素
ガスの分圧を示しており、酸素ガスのガス流量を90SCCM
としている。また、この時の（イオン電流密度）は、実
測の結果、 8μＡ／cm² であった。

【００３６】上述した（表１）の条件において、前述し
た（数１）より求まる（イオン比率）は、７．５％であ
った。これにより、ＴｉＯ₂ 薄膜は、屈折率（ｎ）＝2.
3052、膜厚（ｄ）＝ 84.42Å、光学的膜厚（ｎ×ｄ）＝
194.60となった。また、得られた光干渉フィルターの分
光特性、すなわち分光透過率を図５に示すものであり、
実用上すぐれた分光特性といえる。

【００３７】次いで、（実施例１）で得られた光干渉フ
ィルター８の耐湿性を調べるため、湿度98％、温度60℃
の雰囲気中に光干渉フィルター８を放置後、50％の透過
率となる光波長の変化を測定する耐湿試験を行った。そ
の結果、製造直後における光波長は 560.5nmであり、上
記雰囲気中に15日間放置後の光波長は 565.0nm、また、
上記雰囲気中に30日間放置後の光波長は 564.5nmという
結果を得たものである。この経時変化は実用上問題のな
い程度のものといえる。

【００３８】（実施例２）ＴｉＯ₂ の（蒸着速度）を
２．５Å／秒とした以外は上述した（実施例１）と同一
の条件にて、基板温度23℃、 0.5mm厚のＰＥＴ基板上
に、光学的膜厚が透過光波長（λ）の１／４になるよう
にＴｉＯ₂ 薄膜を蒸着した。すなわち、（実施例２）に
おいては、（イオン比率）を、６．９％としたものであ
る。その結果、屈折率（ｎ）＝2.3167、膜厚（ｄ）＝ 8
6.06Å、光学的膜厚（ｎ×ｄ）＝199.37のＴｉＯ₂ 薄膜
を得た。

【００３９】（比較例１）ＴｉＯ₂ の（蒸着速度）を
０．９Å／秒とした以外は上述した（実施例１）と同一
の条件にて、基板温度23℃、 0.5mm厚のＰＥＴ基板上
に、光学的膜厚が透過光波長λの１／４になるようにＴ
ｉＯ₂ 薄膜を蒸着した。すなわち、（比較例１）におい
ては、（イオン比率）を、１９．２％としたものであ
る。その結果、屈折率（ｎ）＝2.2528、膜厚（ｄ）＝ 6
3.11Å、光学的膜厚（ｎ×ｄ）＝142.17の、ＴｉＯ₂ 薄
膜を得た。

【００４０】（比較例２）ＴｉＯ₂ の（蒸着速度）を
１．５Å／秒とした以外は上述した（実施例１）と同一
の条件にて、基板温度23℃、 0.5mm厚のＰＥＴ基板上
に、膜厚が透過光波長λの１／４になるようにＴｉＯ₂
薄膜を蒸着した。すなわち、（比較例２）においては、
（イオン比率）を、１１．５％としたものである。その
結果、屈折率（ｎ）＝2.2650、膜厚（ｄ）＝ 90.08Å、
光学的膜厚（ｎ×ｄ）＝204.03の、ＴｉＯ₂ 薄膜を得
た。

【００４１】（比較例３）ＴｉＯ₂ の（蒸着速度）を
１．８Å／秒とした以外は上述した（実施例１）と同一
の条件にて、基板温度23℃、 0.5mm厚のＰＥＴ基板上
に、膜厚が透過光波長λの１／４になるようにＴｉＯ₂
薄膜を蒸着した。すなわち、（比較例３）においては、
（イオン比率）を、９．６％としたものである。その結
果、屈折率（ｎ）＝2.2770、膜厚（ｄ）＝ 87.18Å、光
学的膜厚（ｎ×ｄ）＝198.50の、ＴｉＯ ₂ 薄膜を得た。

【００４２】（比較例４）ＴｉＯ₂ の（蒸着速度）を
２．０Å／秒とした以外は上述した（実施例１）と同一
の条件にて、基板温度23℃、 0.5mm厚のＰＥＴ基板上
に、膜厚が透過光波長λの１／４になるようにＴｉＯ₂
薄膜を蒸着した。すなわち、（比較例４）においては、
（イオン比率）を、８．８％としたものである。その結
果、屈折率（ｎ）＝2.2914、膜厚（ｄ）＝ 85.13Å、光
学的膜厚（ｎ×ｄ）＝195.07の、ＴｉＯ ₂ 薄膜を得た。

【００４３】上記（実施例１）、（実施例２）および、
（比較例１）〜（比較例４）により得られたＴｉＯ₂ 薄
膜、すなわち（イオン比率）を変えて得たＴｉＯ₂ 薄膜
の屈折率の変化を示すグラフ図が図２である。なお、図
２中、横軸はＴｉＯ₂ 薄膜を蒸着時の（イオン比率）
を、また、縦軸はＴｉＯ₂ 薄膜の屈折率（ｎ）を示して
いる。

【００４４】図２に示されるように、酸素とアルゴンを
イオン化させるための電子銃７の出力（以下、イオンア
シスト出力と記す）を５００ｅＶとし、（イオン比率）
が６〜８％であった場合、ＴｉＯ₂ 薄膜の屈折率（ｎ）
は 2.3以上が得られ、光干渉フィルターを得るにあたり
好ましい高屈折率が得られるといえる。

【００４５】なお参考のために、イオンアシスト出力を
３００ｅＶ、および７５０ｅＶとし、イオン比率を変え
て得られたＴｉＯ₂ 薄膜の、イオン比率と屈折率の関係
を示すグラフを図２中に合わせて記している。図２で分
かるように、イオンアシスト出力７５０ｅＶでは、屈折
率が 2.3未満と低く、好ましい高屈折率が得られていな
い。なお、屈折率が低い場合、所望する分光特性を得る
ためには透明薄膜の積層数を増やさねばならず、コス
ト、製造時間が余分に掛かるため、望ましいとはいえな
い。

【００４６】また、イオンアシスト出力３００ｅＶで
は、イオン比率を高めた場合に高屈折率が得られている
が、イオンアシスト出力３００ｅＶだと、蒸着速度の許
容範囲が小さく、蒸着速度の制御が困難といえ、光干渉
フィルターの製造上好ましい出力値とはいえない。

【００４７】次いで、ＴｉＯ₂ 薄膜の耐湿性試験とし
て、（実施例１）、（実施例２）および、（比較例１）
〜（比較例４）で得られたＴｉＯ₂ 薄膜を、湿度98％、
温度60℃の雰囲気中に30日間放置した。しかる後、各Ｔ
ｉＯ₂ 薄膜の屈折率（ｎ’）、膜厚（ｄ’）を測定し、
光学的膜厚（ｎ’×ｄ’）を得た。

【００４８】耐湿性試験の前後における光学的膜厚の変
化量（％）を図３に記す。なお、図３中、横軸はＴｉＯ
₂ を蒸着時の（イオン比率）を、また、縦軸は、光学的
膜厚の変化量（％）を示しておいる。なお、光学的膜厚
の変化量（％）とは、以下の（数４）の式で求めたもの
である。

【００４９】

【数４】

【００５０】また、上述した耐湿性試験の前後における
屈折率、膜厚、および光学的膜厚の変化量と蒸着速度と
の関係を示した図が図４であり、横軸を蒸着速度（Å／
秒）、縦軸を変化量（％）としている。なお、屈折率と
膜厚の変化量は、上述した（数４）と同様に、以下の
（数５）および（数６）にて求めたものである。

【００５１】

【数５】

【００５２】

【数６】

【００５３】図３、および図４に示すように、（イオン
比率）が６〜８％、（蒸着速度）が2.0Å／秒〜 2.5Å
／秒であった場合、光学的膜厚の変化量は、± 0.8％内
に納まっており、実用上この程度の変化量は問題のない
範囲といえる。

【００５４】なお参考のために、イオンアシスト出力を
３００ｅＶ、および７５０ｅＶとし、イオン比率を変え
て得られたＴｉＯ₂ 薄膜に、同様の耐湿性試験を行った
後の光学的膜厚の変化量を図３中に合わせて記してい
る。図３で分かるように、イオンアシスト出力７５０ｅ
Ｖでは、変化量が小さく比較的安定しているといえる
が、前述した図２で記したように、イオンアシスト出力
７５０ｅＶは屈折率が低くくなり、望ましいイオンアシ
スト出力とはいえない。

【００５５】また、イオンアシスト出力３００ｅＶで
は、光学的膜厚の変化量が± 0.8％内に納まる範囲があ
るが、上述したように、イオンアシスト出力３００ｅＶ
だと、蒸着速度の制御が困難といえ、好ましい出力値と
はいえない。

【００５６】なお、本発明の実施の形態は、上述した説
明および図面に限定されるものではなく、本発明の趣旨
に基づき、種々の変形が可能なことはいうまでもない。

【００５７】例えば、上述した実施例では、基板２をＰ
ＥＴ基板としているが、他の耐熱性に劣る素材であって
も、また従来通りガラス基板であってもよいといえる。
さらに、基板に耐熱性があれば、蒸着後にアニール処理
を行っても構わない。

【００５８】

【発明の効果】本発明の光干渉フィルターの製造方法に
よれば、基板を高温度とすることなく、蒸着材料の基板
への蒸着成膜が可能となるものである。しかも、得られ
た光干渉フィルターは、光特性に優れ、また、密着性、
耐湿性等の耐久性の良好なものが得られる。

【００５９】これにより、基板素材の選択範囲が広ま
り、例えばプラスチック材等の耐熱性の無いものであっ
ても光干渉フィルターとすることが出来といえる。

【００６０】すなわち、例えばプラスチック材を基板素
材とすれば、軽量かつ、加工性に優れた光干渉フィルタ
ーを得ることが出来といえ、本発明は実用上優れている
といえる。

【００６１】

【図面の簡単な説明】

【図１】イオンアシスト蒸着装置の一例を示す説明図。

【図２】イオン比率を変化させた場合における、ＴｉＯ
₂ 薄膜の屈折率の変化例を示すグラフ図。

【図３】イオン比率を変化させて得たＴｉＯ₂ 薄膜の、
耐湿性試験前後の光学的膜厚の変化例を示すグラフ図。

【図４】蒸着速度を変化させた場合における、耐湿性試
験前後のＴｉＯ₂ 薄膜の屈折率、膜厚および光学的膜厚
の変化例を示すグラフ図。

【図５】本発明で得られた光干渉フィルターの分光特性
の一例を示すグラフ図。

【図６】ＴｉＯ₂ が蒸着する際の基板温度と、蒸着した
ＴｉＯ₂ の屈折率との関係の一例を示すグラフ図。

【図７】本発明で得られた光干渉フィルターの一例を示
す説明図。

【符号の説明】

１ 蒸着装置 ２ 基板 ３ ＴｉＯ₂ 薄膜 ４ ＳｉＯ₂ 薄膜 ５ シャッター ６ 電子ビーム ７ イオン銃 ８ 光干渉フィルター

Claims (3)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】電子ビーム加熱方式により加熱蒸気化した
   ＴｉＯ₂ およびＳｉＯ₂ を透明基板上に交互に所定の回
   数、蒸着成膜し、少なくともＴｉＯ₂ の蒸着成膜は、酸
   素とアルゴンよりなるイオン化ガスと、前記イオン化ガ
   スとは別途供給される酸素ガスとの雰囲気下にて、加熱
   した透明基板に行う、イオンアシスト蒸着法を用いた光
   干渉フィルターの製造方法において、ＴｉＯ₂ の蒸着成
   膜の際、透明基板に蒸着するＴｉＯ₂ 粒子数に対する、
   イオン化ガス中のイオン数の割合を６〜８％とすること
   で、透明基板の温度を 130℃以下としたことを特徴とす
   る光干渉フィルターの製造方法。
2. 【請求項２】前記イオン化ガス中の酸素とアルゴンの割
   合を１対９としたことを特徴とする請求項１に記載の光
   干渉フィルターの製造方法。
3. 【請求項３】酸素とアルゴンのイオン化に用いるイオン
   銃の出力を 500±50ｅＶ、別途供給する酸素ガスのガス
   分圧を３×10^-2Ｐａとし、さらに、ＴｉＯ₂ の透明基板
   への蒸着速度を 2.0Å／秒以上 2.5Å／秒以下としたこ
   とを特徴とする請求項１または２に記載の光干渉フィル
   ターの製造方法。