JPH10188258A - 磁気記録媒体、及び磁気記録方法 - Google Patents
磁気記録媒体、及び磁気記録方法Info
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- JPH10188258A JPH10188258A JP34490196A JP34490196A JPH10188258A JP H10188258 A JPH10188258 A JP H10188258A JP 34490196 A JP34490196 A JP 34490196A JP 34490196 A JP34490196 A JP 34490196A JP H10188258 A JPH10188258 A JP H10188258A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 Ｓ／Ｎに優れた磁気記録媒体を提供すること
である。 【解決手段】 支持体と磁性膜とを有する磁気記録媒体
において、前記磁性膜は、その保磁力ＨｃがＸ（Ｏｅ）
で、かつ、その厚さＬがＹ（Å）であり、前記保磁力Ｈ
ｃと厚さＬとがＸ≦Ｙ≦１．２Ｘの条件を満たす磁気記
録媒体。
である。 【解決手段】 支持体と磁性膜とを有する磁気記録媒体
において、前記磁性膜は、その保磁力ＨｃがＸ（Ｏｅ）
で、かつ、その厚さＬがＹ（Å）であり、前記保磁力Ｈ
ｃと厚さＬとがＸ≦Ｙ≦１．２Ｘの条件を満たす磁気記
録媒体。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明はＳ／Ｎに優れた磁気
記録媒体に関する。
記録媒体に関する。
【０００２】
【従来の技術】磁気テープ等の磁気記録媒体において
は、高密度記録化の要請から、支持体上に設けられる磁
性層として、バインダ樹脂を用いた塗布型のものではな
く、バインダ樹脂を用いない金属薄膜型のものが提案さ
れている。すなわち、真空蒸着等の手段により磁性層を
形成した磁気記録媒体が提案されている。そして、この
種の磁気記録媒体は磁性体の充填密度が高く、高密度記
録に適したものである。
は、高密度記録化の要請から、支持体上に設けられる磁
性層として、バインダ樹脂を用いた塗布型のものではな
く、バインダ樹脂を用いない金属薄膜型のものが提案さ
れている。すなわち、真空蒸着等の手段により磁性層を
形成した磁気記録媒体が提案されている。そして、この
種の磁気記録媒体は磁性体の充填密度が高く、高密度記
録に適したものである。
【０００３】この金属薄膜型の磁気記録媒体として、従
来より、多数の提案がある。例えば、特開昭５７−２７
４２７号公報、特開平６−１２６４９号公報、特開平６
−１３９５４１号公報などがある。
来より、多数の提案がある。例えば、特開昭５７−２７
４２７号公報、特開平６−１２６４９号公報、特開平６
−１３９５４１号公報などがある。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかし、これまでに提
案されて来たものでも十分ではなく、より一層の高密度
記録が求められている。従って、本発明が解決しようと
する課題は、Ｓ／Ｎに優れた磁気記録媒体を提供するこ
とである。
案されて来たものでも十分ではなく、より一層の高密度
記録が求められている。従って、本発明が解決しようと
する課題は、Ｓ／Ｎに優れた磁気記録媒体を提供するこ
とである。
【０００５】
【課題を解決するための手段】前記の課題を解決する
為、本発明者による研究が鋭意押し進められて行った結
果、磁性膜の厚さが厚くなると厚み損失は増大するもの
の、保磁力を高くしておくと、自己減磁は抑制され、厚
み損失が減る結果になることが判り、そして磁性膜の保
磁力と厚さとが特定の関係に有る場合、Ｓ／Ｎが高いこ
とを見出すに至った。
為、本発明者による研究が鋭意押し進められて行った結
果、磁性膜の厚さが厚くなると厚み損失は増大するもの
の、保磁力を高くしておくと、自己減磁は抑制され、厚
み損失が減る結果になることが判り、そして磁性膜の保
磁力と厚さとが特定の関係に有る場合、Ｓ／Ｎが高いこ
とを見出すに至った。
【０００６】この知見に基づいて本発明が達成されたも
のであり、前記の課題は、支持体と磁性膜とを有する磁
気記録媒体において、前記磁性膜は、その保磁力Ｈｃが
Ｘ（Ｏｅ）で、かつ、その厚さＬがＹ（Å）であり、前
記保磁力Ｈｃと厚さＬとがＸ≦Ｙ≦１．２Ｘの条件を満
たすことを特徴とする磁気記録媒体によって解決され
る。
のであり、前記の課題は、支持体と磁性膜とを有する磁
気記録媒体において、前記磁性膜は、その保磁力Ｈｃが
Ｘ（Ｏｅ）で、かつ、その厚さＬがＹ（Å）であり、前
記保磁力Ｈｃと厚さＬとがＸ≦Ｙ≦１．２Ｘの条件を満
たすことを特徴とする磁気記録媒体によって解決され
る。
【０００７】特に、支持体と磁性膜とを有し、最短記録
波長λが０．２〜０．５μｍの信号が用いられて記録が
行われる磁気記録媒体において、前記磁性膜は、その保
磁力ＨｃがＸ（Ｏｅ）で、かつ、その厚さＬがＹ（Å）
であり、前記保磁力Ｈｃと厚さＬとがＸ≦Ｙ≦１．２Ｘ
の条件を満たすことを特徴とする磁気記録媒体によって
解決される。
波長λが０．２〜０．５μｍの信号が用いられて記録が
行われる磁気記録媒体において、前記磁性膜は、その保
磁力ＨｃがＸ（Ｏｅ）で、かつ、その厚さＬがＹ（Å）
であり、前記保磁力Ｈｃと厚さＬとがＸ≦Ｙ≦１．２Ｘ
の条件を満たすことを特徴とする磁気記録媒体によって
解決される。
【０００８】又、前記の磁気記録媒体に対して、最短記
録波長λが０．２〜０．５μｍの信号を用いて記録する
ことを特徴とする磁気記録方法によって解決される。
尚、上記のＸは１０００〜２０００であるのが好まし
い。又、Ｙは１０００〜２４００であるのが好ましい。
すなわち、上記の条件を満たすように設計された磁性膜
を有する磁気記録媒体は、Ｓ／Ｎが高かった。
録波長λが０．２〜０．５μｍの信号を用いて記録する
ことを特徴とする磁気記録方法によって解決される。
尚、上記のＸは１０００〜２０００であるのが好まし
い。又、Ｙは１０００〜２４００であるのが好ましい。
すなわち、上記の条件を満たすように設計された磁性膜
を有する磁気記録媒体は、Ｓ／Ｎが高かった。
【０００９】
【発明の実施の形態】本発明の磁気記録媒体は、支持体
と磁性膜とを有する磁気記録媒体において、前記磁性膜
は、その保磁力ＨｃがＸ（Ｏｅ）で、かつ、その厚さＬ
がＹ（Å）であり、前記保磁力Ｈｃと厚さＬとがＸ≦Ｙ
≦１．２Ｘの条件を満たすものである。特に、支持体と
磁性膜とを有し、最短記録波長λが０．２〜０．５μｍ
の信号が用いられて記録が行われる磁気記録媒体におい
て、前記磁性膜は、その保磁力ＨｃがＸ（Ｏｅ）で、か
つ、その厚さＬがＹ（Å）であり、前記保磁力Ｈｃと厚
さＬとがＸ≦Ｙ≦１．２Ｘの条件を満たすものである。
と磁性膜とを有する磁気記録媒体において、前記磁性膜
は、その保磁力ＨｃがＸ（Ｏｅ）で、かつ、その厚さＬ
がＹ（Å）であり、前記保磁力Ｈｃと厚さＬとがＸ≦Ｙ
≦１．２Ｘの条件を満たすものである。特に、支持体と
磁性膜とを有し、最短記録波長λが０．２〜０．５μｍ
の信号が用いられて記録が行われる磁気記録媒体におい
て、前記磁性膜は、その保磁力ＨｃがＸ（Ｏｅ）で、か
つ、その厚さＬがＹ（Å）であり、前記保磁力Ｈｃと厚
さＬとがＸ≦Ｙ≦１．２Ｘの条件を満たすものである。
【００１０】本発明の磁気記録方法は、前記の磁気記録
媒体に対して、最短記録波長λが０．２〜０．５μｍの
信号を用いて記録するものである。Ｘは１０００〜２０
００、特に１２００〜１８００である。Ｙは１０００〜
２４００、特に１２００〜２１００である。以下、更に
詳しく説明する。
媒体に対して、最短記録波長λが０．２〜０．５μｍの
信号を用いて記録するものである。Ｘは１０００〜２０
００、特に１２００〜１８００である。Ｙは１０００〜
２４００、特に１２００〜２１００である。以下、更に
詳しく説明する。
【００１１】図１は、本発明になる磁気記録媒体の概略
断面図である。図１中、１は支持体である。この支持体
１は、磁性を有するものでも、非磁性のものでも良い。
一般的には非磁性のものである。例えば、ポリエチレン
テレフタレート（ＰＥＴ）等のポリエステル、ポリアミ
ド、ポリイミド、ポリスルフォン、ポリカーボネート、
ポリプロピレン等のオレフィン系の樹脂、セルロース系
の樹脂、塩化ビニル系の樹脂といったフレキシブルな高
分子材料が用いられる。上記支持体には、予め、コロナ
放電処理、熱処理、イオンボンバード処理などを必要に
応じて行っている。支持体の厚さは１〜３００μｍであ
る。
断面図である。図１中、１は支持体である。この支持体
１は、磁性を有するものでも、非磁性のものでも良い。
一般的には非磁性のものである。例えば、ポリエチレン
テレフタレート（ＰＥＴ）等のポリエステル、ポリアミ
ド、ポリイミド、ポリスルフォン、ポリカーボネート、
ポリプロピレン等のオレフィン系の樹脂、セルロース系
の樹脂、塩化ビニル系の樹脂といったフレキシブルな高
分子材料が用いられる。上記支持体には、予め、コロナ
放電処理、熱処理、イオンボンバード処理などを必要に
応じて行っている。支持体の厚さは１〜３００μｍであ
る。
【００１２】この非磁性の支持体１上に厚さＬがＹ
（Å）の磁性膜２が設けられる。磁性膜２は一つであっ
ても良いが、二つ、あるいは三つ以上が積層されたもの
であっても良い。例えば、図２に示す斜め蒸着装置を用
いて磁性膜２が設けられる。図２中、１は支持体、１０
は冷却キャンロール、１１はルツボ、１２はルツボ１１
に充填された磁性金属、１３は遮蔽板、１４は酸素ガス
供給ノズル、１５は電子銃である。そして、真空槽１６
内を、例えば１０-4〜１０-6Ｔｏｒｒ程度に排気し、磁
性金属１２に電子銃１５からの電子ビームを照射して蒸
発させ、金属磁性粒子を堆積（斜め蒸着）させることに
より金属薄膜型の磁性膜２が設けられる。厚さＹ（Å）
に設定された磁性膜２の保磁力ＨｃはＸ（Ｏｅ）であ
る。ここで、ＸとＹとは、１．０≦Ｙ／Ｘ≦１．２の条
件を満たすように設計される。特に、１．０５≦Ｙ／Ｘ
≦１．１５の条件を満たすように設計される。かつ、Ｘ
は１０００〜２０００、特に１２００〜１８００、Ｙは
１０００〜２４００、特に１２００〜２１００であるよ
うに設計される。又、飽和磁束密度Ｂｓは５０００〜９
０００Ｇ、特に５４００〜７０００Ｇであるように設計
される。磁性金属１２の材料としては、例えばＦｅ，Ｃ
ｏ，Ｎｉ等の金属の他に、Ｃｏ−Ｎｉ合金、Ｃｏ−Ｐｔ
合金、Ｃｏ−Ｎｉ−Ｐｔ合金、Ｆｅ−Ｃｏ合金、Ｆｅ−
Ｎｉ合金、Ｆｅ−Ｃｏ−Ｎｉ合金、Ｆｅ−Ｃｏ−Ｂ合
金、Ｃｏ−Ｎｉ−Ｆｅ−Ｂ合金、Ｃｏ−Ｃｒ合金、ある
いはこれらに異種の金属を含有させた合金が用いられ
る。尚、金属薄膜型の磁性膜としては、前記材料の窒化
物（例えば、Ｆｅ−Ｎ，Ｆｅ−Ｎ−Ｏ）や炭化物（例え
ば、Ｆｅ−Ｃ，Ｆｅ−Ｃ−Ｏ）等も挙げられる。
（Å）の磁性膜２が設けられる。磁性膜２は一つであっ
ても良いが、二つ、あるいは三つ以上が積層されたもの
であっても良い。例えば、図２に示す斜め蒸着装置を用
いて磁性膜２が設けられる。図２中、１は支持体、１０
は冷却キャンロール、１１はルツボ、１２はルツボ１１
に充填された磁性金属、１３は遮蔽板、１４は酸素ガス
供給ノズル、１５は電子銃である。そして、真空槽１６
内を、例えば１０-4〜１０-6Ｔｏｒｒ程度に排気し、磁
性金属１２に電子銃１５からの電子ビームを照射して蒸
発させ、金属磁性粒子を堆積（斜め蒸着）させることに
より金属薄膜型の磁性膜２が設けられる。厚さＹ（Å）
に設定された磁性膜２の保磁力ＨｃはＸ（Ｏｅ）であ
る。ここで、ＸとＹとは、１．０≦Ｙ／Ｘ≦１．２の条
件を満たすように設計される。特に、１．０５≦Ｙ／Ｘ
≦１．１５の条件を満たすように設計される。かつ、Ｘ
は１０００〜２０００、特に１２００〜１８００、Ｙは
１０００〜２４００、特に１２００〜２１００であるよ
うに設計される。又、飽和磁束密度Ｂｓは５０００〜９
０００Ｇ、特に５４００〜７０００Ｇであるように設計
される。磁性金属１２の材料としては、例えばＦｅ，Ｃ
ｏ，Ｎｉ等の金属の他に、Ｃｏ−Ｎｉ合金、Ｃｏ−Ｐｔ
合金、Ｃｏ−Ｎｉ−Ｐｔ合金、Ｆｅ−Ｃｏ合金、Ｆｅ−
Ｎｉ合金、Ｆｅ−Ｃｏ−Ｎｉ合金、Ｆｅ−Ｃｏ−Ｂ合
金、Ｃｏ−Ｎｉ−Ｆｅ−Ｂ合金、Ｃｏ−Ｃｒ合金、ある
いはこれらに異種の金属を含有させた合金が用いられ
る。尚、金属薄膜型の磁性膜としては、前記材料の窒化
物（例えば、Ｆｅ−Ｎ，Ｆｅ−Ｎ−Ｏ）や炭化物（例え
ば、Ｆｅ−Ｃ，Ｆｅ−Ｃ−Ｏ）等も挙げられる。
【００１３】この金属磁性膜２上に１０〜５００Å、特
に３０〜２００Å程度の酸化物、窒化物、あるいは炭化
物などからなる保護膜３が設けられる。例えば、ガラス
状カーボンやダイヤモンドライクカーボン等のカーボ
ン、炭化ホウ素、窒化珪素などが具体例として挙げられ
る。特に、好ましいのはダイヤモンドライクカーボンで
ある。例えば、ＥＣＲマイクロ波プラズマＣＶＤ装置を
用いてダイヤモンドライクカーボンからなる保護膜３を
形成できる。
に３０〜２００Å程度の酸化物、窒化物、あるいは炭化
物などからなる保護膜３が設けられる。例えば、ガラス
状カーボンやダイヤモンドライクカーボン等のカーボ
ン、炭化ホウ素、窒化珪素などが具体例として挙げられ
る。特に、好ましいのはダイヤモンドライクカーボンで
ある。例えば、ＥＣＲマイクロ波プラズマＣＶＤ装置を
用いてダイヤモンドライクカーボンからなる保護膜３を
形成できる。
【００１４】そして、必要に応じて、潤滑剤の膜４が浸
漬あるいは超音波噴霧などの手段により５〜７０Å程度
の厚さ設けられる。潤滑剤としては各種のものを用いる
ことが出来る。好ましい例として、例えば-(C(R)F-CF2-
O)p - （但し、ＲはＦ，ＣＦ 3 ，ＣＨ3 などの基）、特
にHOOC-CF2(O-C2F4)p (OCF2) q -OCF2-COOH ，F-(CF2CF
2CF2O)n -CF2CF2COOH 等のカルボキシル基変性パーフロ
オロポリエーテル、HOCH2-CF2(O-C2F4) p (OCF2) q -OC
F2-CH2OH，HO-(C2H4-O) m -CH2-(O-C2F4) p (OCF2) q -
OCH2-(OCH2CH2)n -OH ，F-(CF2CF2CF2O)n -CF2CF2CH2OH
等のアルコール変性パーフロオロポリエーテル等のフッ
素系の潤滑剤が用いられる。具体的には、アウジモント
社のＦＯＭＢＬＩＮＺ ＤＩＡＣやＦＯＭＢＬＩＮ Ｚ
ＤＯＬ、ダイキン工業社のデムナムＳＡ等がある。
漬あるいは超音波噴霧などの手段により５〜７０Å程度
の厚さ設けられる。潤滑剤としては各種のものを用いる
ことが出来る。好ましい例として、例えば-(C(R)F-CF2-
O)p - （但し、ＲはＦ，ＣＦ 3 ，ＣＨ3 などの基）、特
にHOOC-CF2(O-C2F4)p (OCF2) q -OCF2-COOH ，F-(CF2CF
2CF2O)n -CF2CF2COOH 等のカルボキシル基変性パーフロ
オロポリエーテル、HOCH2-CF2(O-C2F4) p (OCF2) q -OC
F2-CH2OH，HO-(C2H4-O) m -CH2-(O-C2F4) p (OCF2) q -
OCH2-(OCH2CH2)n -OH ，F-(CF2CF2CF2O)n -CF2CF2CH2OH
等のアルコール変性パーフロオロポリエーテル等のフッ
素系の潤滑剤が用いられる。具体的には、アウジモント
社のＦＯＭＢＬＩＮＺ ＤＩＡＣやＦＯＭＢＬＩＮ Ｚ
ＤＯＬ、ダイキン工業社のデムナムＳＡ等がある。
【００１５】又、必要に応じて、バックコート膜５が設
けられる。バックコート膜５は、カーボンブラック及び
バインダ樹脂を含む塗料を塗布することによって形成さ
れる。又、Ａｌ−Ｃｕ合金等の金属やＳｉ，Ｇｅ，Ａ
ｓ，Ｓｃ，Ｓｂ等の半金属を蒸着させて形成することも
出来る。尚、金属や半金属を酸化、炭化あるいは窒化し
て、酸化膜、炭化膜あるいは窒化膜とすることも出来
る。
けられる。バックコート膜５は、カーボンブラック及び
バインダ樹脂を含む塗料を塗布することによって形成さ
れる。又、Ａｌ−Ｃｕ合金等の金属やＳｉ，Ｇｅ，Ａ
ｓ，Ｓｃ，Ｓｂ等の半金属を蒸着させて形成することも
出来る。尚、金属や半金属を酸化、炭化あるいは窒化し
て、酸化膜、炭化膜あるいは窒化膜とすることも出来
る。
【００１６】
【実施例１】図２に示す斜め蒸着装置を用い、９．４μ
ｍ厚のＰＥＴフィルム１上にＣｏ金属磁性膜２を設け
た。すなわち、厚さＬがＹ（Å）のＣｏ金属磁性膜を設
けた。尚、このＣｏ金属磁性膜を成膜する時の条件は下
記の通りである。 ＰＥＴフィルム１の走行速度；１．５ｍ／ｍｉｎ 電子銃１５の出力；２０ｋｗ 斜め蒸着時における最小入射角；６０° ノズル１４からの酸素ガス供給量；３０ｓｃｃｍ 得られたＣｏ金属磁性膜の厚さＬは１２５０Åであっ
た。又、保磁力Ｈｃは１２５０Ｏｅ、飽和磁束密度Ｂｓ
は６４００Ｇであった。尚、厚さＬの値Ｙはランクテー
ラーホブソン社のタリステップによるものであり、磁気
特性の値は振動試料型磁力計（ＶＳＭ）によるものであ
る。
ｍ厚のＰＥＴフィルム１上にＣｏ金属磁性膜２を設け
た。すなわち、厚さＬがＹ（Å）のＣｏ金属磁性膜を設
けた。尚、このＣｏ金属磁性膜を成膜する時の条件は下
記の通りである。 ＰＥＴフィルム１の走行速度；１．５ｍ／ｍｉｎ 電子銃１５の出力；２０ｋｗ 斜め蒸着時における最小入射角；６０° ノズル１４からの酸素ガス供給量；３０ｓｃｃｍ 得られたＣｏ金属磁性膜の厚さＬは１２５０Åであっ
た。又、保磁力Ｈｃは１２５０Ｏｅ、飽和磁束密度Ｂｓ
は６４００Ｇであった。尚、厚さＬの値Ｙはランクテー
ラーホブソン社のタリステップによるものであり、磁気
特性の値は振動試料型磁力計（ＶＳＭ）によるものであ
る。
【００１７】この後、Ｃｏ金属磁性膜２の上に、ＥＣＲ
−ＣＶＤ装置を用いて１００Å厚のダイヤモンドライク
カーボン膜（保護膜）３が設けられ、更にその上にパー
フルオロポリエーテル系の潤滑剤の膜４が１５Åの厚さ
設けられた。又、反対側の面にカーボンブラックとバイ
ンダ樹脂とを含む塗料が乾燥後の厚さが０．５μｍとな
るよう塗布され、バックコート膜５が設けられた。
−ＣＶＤ装置を用いて１００Å厚のダイヤモンドライク
カーボン膜（保護膜）３が設けられ、更にその上にパー
フルオロポリエーテル系の潤滑剤の膜４が１５Åの厚さ
設けられた。又、反対側の面にカーボンブラックとバイ
ンダ樹脂とを含む塗料が乾燥後の厚さが０．５μｍとな
るよう塗布され、バックコート膜５が設けられた。
【００１８】この後、所定の工程を経て磁気テープが作
製された。
製された。
【００１９】
【実施例２】実施例１に準じて行い磁気テープを得た。
尚、Ｃｏ金属磁性膜を成膜する時の条件は下記の通りで
あり、そして得られたＣｏ金属磁性膜の厚さ及び磁気特
性は下記の通りである。 ＰＥＴフィルム１の走行速度；１．１ｍ／ｍｉｎ 電子銃１５の出力；２５ｋｗ 斜め蒸着時における最小入射角；６２° ノズル１４からの酸素ガス供給量；２５ｓｃｃｍ Ｃｏ金属磁性膜の厚さＬ；１５００Å 保磁力Ｈｃ；１２６０Ｏｅ 飽和磁束密度Ｂｓ；６０００Ｇ
尚、Ｃｏ金属磁性膜を成膜する時の条件は下記の通りで
あり、そして得られたＣｏ金属磁性膜の厚さ及び磁気特
性は下記の通りである。 ＰＥＴフィルム１の走行速度；１．１ｍ／ｍｉｎ 電子銃１５の出力；２５ｋｗ 斜め蒸着時における最小入射角；６２° ノズル１４からの酸素ガス供給量；２５ｓｃｃｍ Ｃｏ金属磁性膜の厚さＬ；１５００Å 保磁力Ｈｃ；１２６０Ｏｅ 飽和磁束密度Ｂｓ；６０００Ｇ
【００２０】
【実施例３】実施例１に準じて行い磁気テープを得た。
尚、Ｃｏ金属磁性膜を成膜する時の条件は下記の通りで
あり、そして得られたＣｏ金属磁性膜の厚さ及び磁気特
性は下記の通りである。 ＰＥＴフィルム１の走行速度；１．３ｍ／ｍｉｎ 電子銃１５の出力；２２ｋｗ 斜め蒸着時における最小入射角；５８° ノズル１４からの酸素ガス供給量；２８ｓｃｃｍ Ｃｏ金属磁性膜の厚さＬ；１４３０Å 保磁力Ｈｃ；１３００Ｏｅ 飽和磁束密度Ｂｓ；６２００Ｇ
尚、Ｃｏ金属磁性膜を成膜する時の条件は下記の通りで
あり、そして得られたＣｏ金属磁性膜の厚さ及び磁気特
性は下記の通りである。 ＰＥＴフィルム１の走行速度；１．３ｍ／ｍｉｎ 電子銃１５の出力；２２ｋｗ 斜め蒸着時における最小入射角；５８° ノズル１４からの酸素ガス供給量；２８ｓｃｃｍ Ｃｏ金属磁性膜の厚さＬ；１４３０Å 保磁力Ｈｃ；１３００Ｏｅ 飽和磁束密度Ｂｓ；６２００Ｇ
【００２１】
【比較例１】実施例１に準じて行い磁気テープを得た。
尚、Ｃｏ金属磁性膜を成膜する時の条件は下記の通りで
あり、そして得られたＣｏ金属磁性膜の厚さ及び磁気特
性は下記の通りである。 ＰＥＴフィルム１の走行速度；１．６ｍ／ｍｉｎ 電子銃１５の出力；１５ｋｗ 斜め蒸着時における最小入射角；５７° ノズル１４からの酸素ガス供給量；３３ｓｃｃｍ Ｃｏ金属磁性膜の厚さＬ；９００Å 保磁力Ｈｃ；１３００Ｏｅ 飽和磁束密度Ｂｓ；６０００Ｇ
尚、Ｃｏ金属磁性膜を成膜する時の条件は下記の通りで
あり、そして得られたＣｏ金属磁性膜の厚さ及び磁気特
性は下記の通りである。 ＰＥＴフィルム１の走行速度；１．６ｍ／ｍｉｎ 電子銃１５の出力；１５ｋｗ 斜め蒸着時における最小入射角；５７° ノズル１４からの酸素ガス供給量；３３ｓｃｃｍ Ｃｏ金属磁性膜の厚さＬ；９００Å 保磁力Ｈｃ；１３００Ｏｅ 飽和磁束密度Ｂｓ；６０００Ｇ
【００２２】
【比較例２】実施例１に準じて行い磁気テープを得た。
尚、Ｃｏ金属磁性膜を成膜する時の条件は下記の通りで
あり、そして得られたＣｏ金属磁性膜の厚さ及び磁気特
性は下記の通りである。 ＰＥＴフィルム１の走行速度；１．５ｍ／ｍｉｎ 電子銃１５の出力；２５ｋｗ 斜め蒸着時における最小入射角；５２° ノズル１４からの酸素ガス供給量；２５ｓｃｃｍ Ｃｏ金属磁性膜の厚さＬ；１８５０Å 保磁力Ｈｃ；１３２０Ｏｅ 飽和磁束密度Ｂｓ；５８００Ｇ
尚、Ｃｏ金属磁性膜を成膜する時の条件は下記の通りで
あり、そして得られたＣｏ金属磁性膜の厚さ及び磁気特
性は下記の通りである。 ＰＥＴフィルム１の走行速度；１．５ｍ／ｍｉｎ 電子銃１５の出力；２５ｋｗ 斜め蒸着時における最小入射角；５２° ノズル１４からの酸素ガス供給量；２５ｓｃｃｍ Ｃｏ金属磁性膜の厚さＬ；１８５０Å 保磁力Ｈｃ；１３２０Ｏｅ 飽和磁束密度Ｂｓ；５８００Ｇ
【００２３】
【特性】上記各例の磁気テープについて、市販のＨｉ８
ＶＴＲを改造したデッキにノイズメータを接続して電磁
変換特性（Ｙ−Ｓ／Ｎ，Ｃ−Ｓ／Ｎ）を調べたので、そ
の結果を表−１に示す。 表−１ 磁性膜の厚さ／保磁力の大きさ Ｙ−Ｓ／Ｎ(dB) Ｃ−Ｓ／Ｎ(dB) （Ｙ／Ｘ） ＡＭ ＰＭ 実施例１ １．０ +1.4 +1.1 +1.0 実施例２ １．２ +2.1 +0.5 +0.5 実施例３ １．１ +1.6 +0.8 +0.8 比較例１ ０．７ ０ ０ ０ 比較例２ １．４ -1.1 +0.5 +0.4 ＊比較例１を基準（０ｄＢ）にして表示 又、市販のＨｉ８ＶＴＲを改造したデッキを用い、０．
２０μｍ，０．３５μｍ，０．５０μｍのｓｉｎ波を入
力し、再生出力をスペクトルアナライザーにより測定し
たので、その結果を表−２に示す。
ＶＴＲを改造したデッキにノイズメータを接続して電磁
変換特性（Ｙ−Ｓ／Ｎ，Ｃ−Ｓ／Ｎ）を調べたので、そ
の結果を表−１に示す。 表−１ 磁性膜の厚さ／保磁力の大きさ Ｙ−Ｓ／Ｎ(dB) Ｃ−Ｓ／Ｎ(dB) （Ｙ／Ｘ） ＡＭ ＰＭ 実施例１ １．０ +1.4 +1.1 +1.0 実施例２ １．２ +2.1 +0.5 +0.5 実施例３ １．１ +1.6 +0.8 +0.8 比較例１ ０．７ ０ ０ ０ 比較例２ １．４ -1.1 +0.5 +0.4 ＊比較例１を基準（０ｄＢ）にして表示 又、市販のＨｉ８ＶＴＲを改造したデッキを用い、０．
２０μｍ，０．３５μｍ，０．５０μｍのｓｉｎ波を入
力し、再生出力をスペクトルアナライザーにより測定し
たので、その結果を表−２に示す。
【００２４】 表−２ 再生出力（ｄＢ） ０．２０μｍ ０．３５μｍ ０．５０μｍ 実施例１ ＋１．７ ＋１．６ ＋１．４ 実施例２ ＋０．８ ＋１．７ ＋２．４ 実施例３ ＋１．２ ＋１．５ ＋１．８ 比較例１ ０ ０ ０ 比較例２ −１．５ −０．３ ＋１．１ ＊比較例１を基準（０ｄＢ）にして表示 これによれば、本発明の条件を満たす場合、すなわち
１．０≦磁性膜の厚さ（Å）／保磁力（Ｏｅ）≦１．２
のように設計された磁気記録媒体は、磁性膜の厚さと磁
気特性との間でのバランスが巧妙に保たれているので、
自己減磁が抑制されると共に、大きな再生出力が得ら
れ、電磁変換特性に優れていることが判る。
１．０≦磁性膜の厚さ（Å）／保磁力（Ｏｅ）≦１．２
のように設計された磁気記録媒体は、磁性膜の厚さと磁
気特性との間でのバランスが巧妙に保たれているので、
自己減磁が抑制されると共に、大きな再生出力が得ら
れ、電磁変換特性に優れていることが判る。
【００２５】
【発明の効果】磁性膜の厚さと磁気特性との間でのバラ
ンスが巧妙に保たれているので、自己減磁が抑制される
と共に、大きな再生出力が得られ、電磁変換特性に優れ
ている。
ンスが巧妙に保たれているので、自己減磁が抑制される
と共に、大きな再生出力が得られ、電磁変換特性に優れ
ている。
【図１】磁気記録媒体の概略断面図
【図２】斜め蒸着装置の概略図
１ 支持体 ２ 磁性膜 ３ 保護膜 ４ 潤滑剤の膜 ５ バックコート膜
Claims (6)
- 【請求項１】 支持体と磁性膜とを有する磁気記録媒体
において、 前記磁性膜は、その保磁力ＨｃがＸ（Ｏｅ）で、かつ、
その厚さＬがＹ（Å）であり、 前記保磁力Ｈｃと厚さＬとがＸ≦Ｙ≦１．２Ｘの条件を
満たすことを特徴とする磁気記録媒体。 - 【請求項２】 支持体と磁性膜とを有し、最短記録波長
λが０．２〜０．５μｍの信号が用いられて記録が行わ
れる磁気記録媒体において、 前記磁性膜は、その保磁力ＨｃがＸ（Ｏｅ）で、かつ、
その厚さＬがＹ（Å）であり、 前記保磁力Ｈｃと厚さＬとがＸ≦Ｙ≦１．２Ｘの条件を
満たすことを特徴とする磁気記録媒体。 - 【請求項３】 Ｘが１０００〜２０００であることを特
徴とする請求項１又は請求項２の磁気記録媒体。 - 【請求項４】 Ｙが１０００〜２４００であることを特
徴とする請求項１又は請求項２の磁気記録媒体。 - 【請求項５】 磁性膜が金属薄膜型のものであることを
特徴とする請求項１又は請求項２の磁気記録媒体。 - 【請求項６】 請求項１〜請求項５いずれかの磁気記録
媒体に対して、最短記録波長λが０．２〜０．５μｍの
信号を用いて記録することを特徴とする磁気記録方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP34490196A JPH10188258A (ja) | 1996-12-25 | 1996-12-25 | 磁気記録媒体、及び磁気記録方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP34490196A JPH10188258A (ja) | 1996-12-25 | 1996-12-25 | 磁気記録媒体、及び磁気記録方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10188258A true JPH10188258A (ja) | 1998-07-21 |
Family
ID=18372873
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP34490196A Pending JPH10188258A (ja) | 1996-12-25 | 1996-12-25 | 磁気記録媒体、及び磁気記録方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10188258A (ja) |
-
1996
- 1996-12-25 JP JP34490196A patent/JPH10188258A/ja active Pending
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