JPH10198940A - 磁気記録媒体、及び磁気記録方法 - Google Patents
磁気記録媒体、及び磁気記録方法Info
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- JPH10198940A JPH10198940A JP34948096A JP34948096A JPH10198940A JP H10198940 A JPH10198940 A JP H10198940A JP 34948096 A JP34948096 A JP 34948096A JP 34948096 A JP34948096 A JP 34948096A JP H10198940 A JPH10198940 A JP H10198940A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 磁気ヘッドの走行方向の正逆による出力差が
小さく、かつ、再生出力が大きい磁気記録媒体を提供す
ることである。 【解決手段】 支持体と磁性膜とを有する磁気記録媒体
において、前記磁性膜は複数の斜め蒸着磁性膜が積層さ
れたものであり、前記斜め蒸着磁性膜のうち上層の斜め
蒸着磁性膜を構成する磁気コラムによって規定される上
層ベクトルＡの前記磁性膜面に対してなす角度θa が０
°＜θa＜９０°（又は９０°＜θa ＜１８０°）であ
り、かつ、前記上層ベクトルＡと前記上層の斜め蒸着磁
性膜に隣接した下層の斜め蒸着磁性膜を構成する磁気コ
ラムによって規定される下層ベクトルＢとの合成ベクト
ルＧの前記磁性膜面に対してなす角度θg が９０°＜θ
g ＜１８０°（又は０°＜θg ＜９０°）であるよう構
成されてなる磁気記録媒体。
小さく、かつ、再生出力が大きい磁気記録媒体を提供す
ることである。 【解決手段】 支持体と磁性膜とを有する磁気記録媒体
において、前記磁性膜は複数の斜め蒸着磁性膜が積層さ
れたものであり、前記斜め蒸着磁性膜のうち上層の斜め
蒸着磁性膜を構成する磁気コラムによって規定される上
層ベクトルＡの前記磁性膜面に対してなす角度θa が０
°＜θa＜９０°（又は９０°＜θa ＜１８０°）であ
り、かつ、前記上層ベクトルＡと前記上層の斜め蒸着磁
性膜に隣接した下層の斜め蒸着磁性膜を構成する磁気コ
ラムによって規定される下層ベクトルＢとの合成ベクト
ルＧの前記磁性膜面に対してなす角度θg が９０°＜θ
g ＜１８０°（又は０°＜θg ＜９０°）であるよう構
成されてなる磁気記録媒体。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は磁気記録媒体に関す
る。
る。
【０００２】
【従来の技術】磁気テープ等の磁気記録媒体において
は、高密度記録化の要請から、支持体上に設けられる磁
性膜として、バインダ樹脂を用いた塗布型のものではな
く、バインダ樹脂を用いない金属薄膜型のものが提案さ
れている。すなわち、真空蒸着等の手段により磁性膜を
形成した磁気記録媒体が提案されている。そして、この
種の磁気記録媒体は磁性体の充填密度が高く、高密度記
録に適したものである。
は、高密度記録化の要請から、支持体上に設けられる磁
性膜として、バインダ樹脂を用いた塗布型のものではな
く、バインダ樹脂を用いない金属薄膜型のものが提案さ
れている。すなわち、真空蒸着等の手段により磁性膜を
形成した磁気記録媒体が提案されている。そして、この
種の磁気記録媒体は磁性体の充填密度が高く、高密度記
録に適したものである。
【０００３】ところで、斜め蒸着手段で形成された磁性
膜（斜め蒸着磁性膜と略す）が二層以上の複数層からな
る積層タイプのものが提案されている。中には、斜め蒸
着磁性膜を構成する磁気コラムの向きが上層と下層とで
順方向ではない（逆方向）ものが提案（特開平４−３７
２７１０号公報）されている。そして、上層の斜め蒸着
磁性膜の磁気コラムの向きと下層の斜め蒸着磁性膜の磁
気コラムの向きとを順方向とするのではなく、上層の斜
め蒸着磁性膜の磁気コラムの向きと下層の斜め蒸着磁性
膜の磁気コラムの向きとを逆方向とした場合、磁性膜の
磁気コラムの向きに対して磁気ヘッドの走行方向が順方
向であるか否かの違いによる出力差は小さいと謳われて
いる。
膜（斜め蒸着磁性膜と略す）が二層以上の複数層からな
る積層タイプのものが提案されている。中には、斜め蒸
着磁性膜を構成する磁気コラムの向きが上層と下層とで
順方向ではない（逆方向）ものが提案（特開平４−３７
２７１０号公報）されている。そして、上層の斜め蒸着
磁性膜の磁気コラムの向きと下層の斜め蒸着磁性膜の磁
気コラムの向きとを順方向とするのではなく、上層の斜
め蒸着磁性膜の磁気コラムの向きと下層の斜め蒸着磁性
膜の磁気コラムの向きとを逆方向とした場合、磁性膜の
磁気コラムの向きに対して磁気ヘッドの走行方向が順方
向であるか否かの違いによる出力差は小さいと謳われて
いる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかし、上層の斜め蒸
着磁性膜の磁気コラムの向きと下層の斜め蒸着磁性膜の
磁気コラムの向きとを単に逆方向としたのみでは、出力
差の減少が充分ではなかった。従って、本発明が解決し
ようとする課題は、磁気ヘッドの走行方向の正逆による
出力差が小さく、かつ、再生出力が大きい磁気記録媒体
を提供することである。
着磁性膜の磁気コラムの向きと下層の斜め蒸着磁性膜の
磁気コラムの向きとを単に逆方向としたのみでは、出力
差の減少が充分ではなかった。従って、本発明が解決し
ようとする課題は、磁気ヘッドの走行方向の正逆による
出力差が小さく、かつ、再生出力が大きい磁気記録媒体
を提供することである。
【０００５】
【課題を解決するための手段】前記の課題は、支持体と
磁性膜とを有する磁気記録媒体において、前記磁性膜は
複数の斜め蒸着磁性膜が積層されたものであり、前記斜
め蒸着磁性膜のうち上層の斜め蒸着磁性膜を構成する磁
気コラムによって規定される上層ベクトルＡの前記磁性
膜面に対してなす角度θa が０°＜θa＜９０°（又は
９０°＜θa ＜１８０°）であり、かつ、前記上層ベク
トルＡと前記上層の斜め蒸着磁性膜に隣接した下層の斜
め蒸着磁性膜を構成する磁気コラムによって規定される
下層ベクトルＢとの合成ベクトルＧの前記磁性膜面に対
してなす角度θg が９０°＜θg ＜１８０°（又は０°
＜θg ＜９０°）であるよう構成されてなることを特徴
とする磁気記録媒体によって解決される。
磁性膜とを有する磁気記録媒体において、前記磁性膜は
複数の斜め蒸着磁性膜が積層されたものであり、前記斜
め蒸着磁性膜のうち上層の斜め蒸着磁性膜を構成する磁
気コラムによって規定される上層ベクトルＡの前記磁性
膜面に対してなす角度θa が０°＜θa＜９０°（又は
９０°＜θa ＜１８０°）であり、かつ、前記上層ベク
トルＡと前記上層の斜め蒸着磁性膜に隣接した下層の斜
め蒸着磁性膜を構成する磁気コラムによって規定される
下層ベクトルＢとの合成ベクトルＧの前記磁性膜面に対
してなす角度θg が９０°＜θg ＜１８０°（又は０°
＜θg ＜９０°）であるよう構成されてなることを特徴
とする磁気記録媒体によって解決される。
【０００６】特に、支持体と磁性膜とを有する磁気記録
媒体において、前記磁性膜は複数の斜め蒸着磁性膜が積
層されたものであり、前記斜め蒸着磁性膜のうち上層の
斜め蒸着磁性膜を構成する磁気コラムによって規定され
る上層ベクトルＡの前記磁性膜面に対してなす角度θa
が０°＜θa＜９０°（又は９０°＜θa ＜１８０°）
であり、かつ、前記上層の斜め蒸着磁性膜に隣接した下
層の斜め蒸着磁性膜を構成する磁気コラムによって規定
される下層ベクトルＢの前記磁性膜面に対してなす角度
θb が９０°＜θb ＜１８０°（又は０°＜θb ＜９０
°）であると共に、前記ベクトルＡとベクトルＢとの合
成ベクトルＧの前記磁性膜面に対してなす角度θg が９
０°＜θg ＜１８０°（又は０°＜θg ＜９０°）であ
るよう構成されてなることを特徴とする磁気記録媒体に
よって解決される。
媒体において、前記磁性膜は複数の斜め蒸着磁性膜が積
層されたものであり、前記斜め蒸着磁性膜のうち上層の
斜め蒸着磁性膜を構成する磁気コラムによって規定され
る上層ベクトルＡの前記磁性膜面に対してなす角度θa
が０°＜θa＜９０°（又は９０°＜θa ＜１８０°）
であり、かつ、前記上層の斜め蒸着磁性膜に隣接した下
層の斜め蒸着磁性膜を構成する磁気コラムによって規定
される下層ベクトルＢの前記磁性膜面に対してなす角度
θb が９０°＜θb ＜１８０°（又は０°＜θb ＜９０
°）であると共に、前記ベクトルＡとベクトルＢとの合
成ベクトルＧの前記磁性膜面に対してなす角度θg が９
０°＜θg ＜１８０°（又は０°＜θg ＜９０°）であ
るよう構成されてなることを特徴とする磁気記録媒体に
よって解決される。
【０００７】尚、磁性膜が二層の場合のみならず、三層
以上の場合がある。このような場合には、上層ベクトル
Ａは斜め蒸着磁性膜のうち最上層の斜め蒸着磁性膜を構
成する磁気コラムによって規定されるものであり、下層
ベクトルＢは最上層の斜め蒸着磁性膜より下側にある斜
め蒸着磁性膜を構成する磁気コラムによって規定される
ベクトル全てが合成されたベクトルである。
以上の場合がある。このような場合には、上層ベクトル
Ａは斜め蒸着磁性膜のうち最上層の斜め蒸着磁性膜を構
成する磁気コラムによって規定されるものであり、下層
ベクトルＢは最上層の斜め蒸着磁性膜より下側にある斜
め蒸着磁性膜を構成する磁気コラムによって規定される
ベクトル全てが合成されたベクトルである。
【０００８】又、上記の磁気記録媒体において、合成ベ
クトルＧの磁性膜面に垂直な仮想線に対してなす角度θ
h が下記の式〔Ｉ〕を満たすよう構成されてなるものが
好ましい。 式〔Ｉ〕 ０．８≦４０λ／θh ≦２．０ 但し、λは、磁気記録媒体の記録に用いられる信号の最
短記録波長で、単位はμｍ。
クトルＧの磁性膜面に垂直な仮想線に対してなす角度θ
h が下記の式〔Ｉ〕を満たすよう構成されてなるものが
好ましい。 式〔Ｉ〕 ０．８≦４０λ／θh ≦２．０ 但し、λは、磁気記録媒体の記録に用いられる信号の最
短記録波長で、単位はμｍ。
【０００９】θh の単位は°。又、前記の課題は、上記
の磁気記録媒体に対して、最短記録波長λが下記の式
〔Ｉ〕を満たす信号を用いて記録することを特徴とする
磁気記録方法によって解決される。 式〔Ｉ〕 ０．８≦４０λ／θh ≦２．０ 但し、θh は、合成ベクトルＧの磁性膜面に垂直な仮想
線に対してなす角度で、単位は°。
の磁気記録媒体に対して、最短記録波長λが下記の式
〔Ｉ〕を満たす信号を用いて記録することを特徴とする
磁気記録方法によって解決される。 式〔Ｉ〕 ０．８≦４０λ／θh ≦２．０ 但し、θh は、合成ベクトルＧの磁性膜面に垂直な仮想
線に対してなす角度で、単位は°。
【００１０】λの単位はμｍ。すなわち、上記のように
構成させていると、上層の斜め蒸着磁性膜と下層の斜め
蒸着磁性膜との間でバランスがとれたものとなり、磁気
ヘッドの走行方向によらず、大きな再生出力が得られ
る。
構成させていると、上層の斜め蒸着磁性膜と下層の斜め
蒸着磁性膜との間でバランスがとれたものとなり、磁気
ヘッドの走行方向によらず、大きな再生出力が得られ
る。
【００１１】
【発明の実施の形態】先ず、本発明の実施の形態を説明
する前に、上層の斜め蒸着磁性膜を構成する磁気コラム
によって規定される上層ベクトルＡ、上層ベクトルＡの
磁性膜面に対してなす角度θa 、下層の斜め蒸着磁性膜
を構成する磁気コラムによって規定される下層ベクトル
Ｂ、下層ベクトルＢの磁性膜面に対してなす角度θb 、
前記ベクトルＡとベクトルＢとの合成ベクトルＧ、合成
ベクトルＧの磁性膜面に対してなす角度θg 、合成ベク
トルＧの磁性膜面に垂直な仮想線に対してなす角度θh
を、図１を基に説明する。
する前に、上層の斜め蒸着磁性膜を構成する磁気コラム
によって規定される上層ベクトルＡ、上層ベクトルＡの
磁性膜面に対してなす角度θa 、下層の斜め蒸着磁性膜
を構成する磁気コラムによって規定される下層ベクトル
Ｂ、下層ベクトルＢの磁性膜面に対してなす角度θb 、
前記ベクトルＡとベクトルＢとの合成ベクトルＧ、合成
ベクトルＧの磁性膜面に対してなす角度θg 、合成ベク
トルＧの磁性膜面に垂直な仮想線に対してなす角度θh
を、図１を基に説明する。
【００１２】図１中、１は支持体、２ｂは支持体１上に
設けられた下層の斜め蒸着磁性膜、２ａは下層の斜め蒸
着磁性膜２ｂ上に設けられた上層の斜め蒸着磁性膜であ
る。これらの磁性膜２ａ，２ｂは斜め蒸着手段で形成さ
れたものであるから、各磁性膜における柱状結晶粒子の
成長方向を示す磁気コラムは図１に示される通りであ
る。尚、図１に示す磁気コラムは、斜め蒸着磁性膜を設
けた支持体１（磁気記録媒体）に対して成膜長手方向に
切断し、その断面の写真をとることによって求められ
る。この磁気コラムの弧状ラインの下端部と上端部とを
結ぶことによって規定される矢印で示すベクトルＡある
いはベクトルＢが、本明細書で言う上層ベクトルＡある
いは下層ベクトルＢである。角度θa は、上層ベクトル
Ａと磁性膜２ａとによって規定される角度（図１に示
す）であり、角度θb は、下層ベクトルＢと磁性膜２ｂ
とによって規定される角度（図１に示す）である。合成
ベクトルＧは、上層ベクトルＡと下層ベクトルＢとを合
成することによって得られるベクトルである。角度θg
は、合成ベクトルＧと磁性膜２ａとによって規定される
角度（図１に示す）である。角度θh は、合成ベクトル
Ｇと磁性膜２ａ面に垂直な仮想線とによって規定される
角度（図１に示す）であり、絶対値を示すものである。
尚、前記の物性値は、磁気コラム１００個について求
め、それを平均したものである。
設けられた下層の斜め蒸着磁性膜、２ａは下層の斜め蒸
着磁性膜２ｂ上に設けられた上層の斜め蒸着磁性膜であ
る。これらの磁性膜２ａ，２ｂは斜め蒸着手段で形成さ
れたものであるから、各磁性膜における柱状結晶粒子の
成長方向を示す磁気コラムは図１に示される通りであ
る。尚、図１に示す磁気コラムは、斜め蒸着磁性膜を設
けた支持体１（磁気記録媒体）に対して成膜長手方向に
切断し、その断面の写真をとることによって求められ
る。この磁気コラムの弧状ラインの下端部と上端部とを
結ぶことによって規定される矢印で示すベクトルＡある
いはベクトルＢが、本明細書で言う上層ベクトルＡある
いは下層ベクトルＢである。角度θa は、上層ベクトル
Ａと磁性膜２ａとによって規定される角度（図１に示
す）であり、角度θb は、下層ベクトルＢと磁性膜２ｂ
とによって規定される角度（図１に示す）である。合成
ベクトルＧは、上層ベクトルＡと下層ベクトルＢとを合
成することによって得られるベクトルである。角度θg
は、合成ベクトルＧと磁性膜２ａとによって規定される
角度（図１に示す）である。角度θh は、合成ベクトル
Ｇと磁性膜２ａ面に垂直な仮想線とによって規定される
角度（図１に示す）であり、絶対値を示すものである。
尚、前記の物性値は、磁気コラム１００個について求
め、それを平均したものである。
【００１３】そして、本発明の磁気記録媒体は、支持体
と磁性膜とを有する磁気記録媒体において、前記磁性膜
は複数の斜め蒸着磁性膜が積層されたものであり、前記
斜め蒸着磁性膜のうち上層の斜め蒸着磁性膜を構成する
磁気コラムによって規定される上層ベクトルＡの前記磁
性膜面に対してなす角度θa が０°＜θa ＜９０°（又
は９０°＜θa ＜１８０°）であり、かつ、前記上層ベ
クトルＡと前記上層の斜め蒸着磁性膜に隣接した下層の
斜め蒸着磁性膜を構成する磁気コラムによって規定され
る下層ベクトルＢとの合成ベクトルＧの前記磁性膜面に
対してなす角度θg が９０°＜θg ＜１８０°（又は０
°＜θg ＜９０°）であるよう構成されたものである。
特に、支持体と磁性膜とを有する磁気記録媒体におい
て、前記磁性膜は複数の斜め蒸着磁性膜が積層されたも
のであり、前記斜め蒸着磁性膜のうち上層の斜め蒸着磁
性膜を構成する磁気コラムによって規定される上層ベク
トルＡの前記磁性膜面に対してなす角度θa が０°＜θ
a ＜９０°（又は９０°＜θa ＜１８０°）であり、か
つ、前記上層の斜め蒸着磁性膜に隣接した下層の斜め蒸
着磁性膜を構成する磁気コラムによって規定される下層
ベクトルＢの前記磁性膜面に対してなす角度θb が９０
°＜θb ＜１８０°（又は０°＜θb ＜９０°）である
と共に、前記ベクトルＡとベクトルＢとの合成ベクトル
Ｇの前記磁性膜面に対してなす角度θg が９０°＜θg
＜１８０°（又は０°＜θg ＜９０°）であるよう構成
されたものである。尚、磁性膜は二層の場合でも、三層
以上の場合でも良い。三層以上の場合には、上層ベクト
ルＡは斜め蒸着磁性膜のうち最上層の斜め蒸着磁性膜を
構成する磁気コラムによって規定されるものであり、下
層ベクトルＢは最上層の斜め蒸着磁性膜より下側にある
斜め蒸着磁性膜を構成する磁気コラムによって規定され
るベクトル全てが合成されたベクトルである。又、合成
ベクトルＧの磁性膜面に垂直な仮想線に対してなす角度
θh が、特に、下記の式〔Ｉ〕を満たすよう構成されて
いる。
と磁性膜とを有する磁気記録媒体において、前記磁性膜
は複数の斜め蒸着磁性膜が積層されたものであり、前記
斜め蒸着磁性膜のうち上層の斜め蒸着磁性膜を構成する
磁気コラムによって規定される上層ベクトルＡの前記磁
性膜面に対してなす角度θa が０°＜θa ＜９０°（又
は９０°＜θa ＜１８０°）であり、かつ、前記上層ベ
クトルＡと前記上層の斜め蒸着磁性膜に隣接した下層の
斜め蒸着磁性膜を構成する磁気コラムによって規定され
る下層ベクトルＢとの合成ベクトルＧの前記磁性膜面に
対してなす角度θg が９０°＜θg ＜１８０°（又は０
°＜θg ＜９０°）であるよう構成されたものである。
特に、支持体と磁性膜とを有する磁気記録媒体におい
て、前記磁性膜は複数の斜め蒸着磁性膜が積層されたも
のであり、前記斜め蒸着磁性膜のうち上層の斜め蒸着磁
性膜を構成する磁気コラムによって規定される上層ベク
トルＡの前記磁性膜面に対してなす角度θa が０°＜θ
a ＜９０°（又は９０°＜θa ＜１８０°）であり、か
つ、前記上層の斜め蒸着磁性膜に隣接した下層の斜め蒸
着磁性膜を構成する磁気コラムによって規定される下層
ベクトルＢの前記磁性膜面に対してなす角度θb が９０
°＜θb ＜１８０°（又は０°＜θb ＜９０°）である
と共に、前記ベクトルＡとベクトルＢとの合成ベクトル
Ｇの前記磁性膜面に対してなす角度θg が９０°＜θg
＜１８０°（又は０°＜θg ＜９０°）であるよう構成
されたものである。尚、磁性膜は二層の場合でも、三層
以上の場合でも良い。三層以上の場合には、上層ベクト
ルＡは斜め蒸着磁性膜のうち最上層の斜め蒸着磁性膜を
構成する磁気コラムによって規定されるものであり、下
層ベクトルＢは最上層の斜め蒸着磁性膜より下側にある
斜め蒸着磁性膜を構成する磁気コラムによって規定され
るベクトル全てが合成されたベクトルである。又、合成
ベクトルＧの磁性膜面に垂直な仮想線に対してなす角度
θh が、特に、下記の式〔Ｉ〕を満たすよう構成されて
いる。
【００１４】式〔Ｉ〕 ０．８≦４０λ／θh ≦２．０ 但し、λは、磁気記録媒体の記録に用いられる信号の最
短記録波長で、単位はμｍ。θh の単位は°。
短記録波長で、単位はμｍ。θh の単位は°。
【００１５】又、本発明の磁気記録方法は、上記の磁気
記録媒体に対して、最短記録波長λが下記の式〔Ｉ〕を
満たす信号を用いて記録するものである。式〔Ｉ〕 ０．８≦４０λ／θh ≦２．０ 但し、θh は、合成ベクトルＧの磁性膜面に垂直な仮想
線に対してなす角度で、単位は°。
記録媒体に対して、最短記録波長λが下記の式〔Ｉ〕を
満たす信号を用いて記録するものである。式〔Ｉ〕 ０．８≦４０λ／θh ≦２．０ 但し、θh は、合成ベクトルＧの磁性膜面に垂直な仮想
線に対してなす角度で、単位は°。
【００１６】λの単位はμｍ。以下、更に詳しく説明す
る。磁気記録媒体の支持体１は、磁性を有するもので
も、非磁性のものでも良い。一般的には非磁性のもので
ある。例えば、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）
等のポリエステル、ポリアミド、ポリイミド、ポリスル
フォン、ポリカーボネート、ポリプロピレン等のオレフ
ィン系の樹脂、セルロース系の樹脂、塩化ビニル系の樹
脂といったフレキシブルな高分子材料が用いられる。上
記支持体には、予め、コロナ放電処理、熱処理、イオン
ボンバード処理などを必要に応じて行っている。支持体
の厚さは１〜３００μｍである。
る。磁気記録媒体の支持体１は、磁性を有するもので
も、非磁性のものでも良い。一般的には非磁性のもので
ある。例えば、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）
等のポリエステル、ポリアミド、ポリイミド、ポリスル
フォン、ポリカーボネート、ポリプロピレン等のオレフ
ィン系の樹脂、セルロース系の樹脂、塩化ビニル系の樹
脂といったフレキシブルな高分子材料が用いられる。上
記支持体には、予め、コロナ放電処理、熱処理、イオン
ボンバード処理などを必要に応じて行っている。支持体
の厚さは１〜３００μｍである。
【００１７】この非磁性の支持体１上に磁性膜２ｂが設
けられる。更に、磁性膜２ｂ上に磁性膜２ａが設けられ
る。以下においては、磁性膜は二層積層タイプのもので
説明するが、三層以上が積層されたものであっても良
い。磁性膜２ｂ，２ａは、例えば図２に示す斜め蒸着装
置を用いて設けられる。従って、磁性膜２ｂ，２ａは斜
め蒸着磁性膜である。図２中、１は支持体、１０は冷却
キャンロール、１１はルツボ、１２はルツボ１１に充填
された磁性金属、１３は遮蔽板、１４は酸素ガス供給ノ
ズル、１５は電子銃である。そして、真空槽１６内を、
例えば１０-4〜１０-6Ｔｏｒｒ程度に排気し、磁性金属
１２に電子銃１５からの電子ビームを照射して蒸発さ
せ、金属磁性粒子を堆積（斜め蒸着）させることにより
斜め蒸着磁性膜２ｂ，２ａが設けられる。
けられる。更に、磁性膜２ｂ上に磁性膜２ａが設けられ
る。以下においては、磁性膜は二層積層タイプのもので
説明するが、三層以上が積層されたものであっても良
い。磁性膜２ｂ，２ａは、例えば図２に示す斜め蒸着装
置を用いて設けられる。従って、磁性膜２ｂ，２ａは斜
め蒸着磁性膜である。図２中、１は支持体、１０は冷却
キャンロール、１１はルツボ、１２はルツボ１１に充填
された磁性金属、１３は遮蔽板、１４は酸素ガス供給ノ
ズル、１５は電子銃である。そして、真空槽１６内を、
例えば１０-4〜１０-6Ｔｏｒｒ程度に排気し、磁性金属
１２に電子銃１５からの電子ビームを照射して蒸発さ
せ、金属磁性粒子を堆積（斜め蒸着）させることにより
斜め蒸着磁性膜２ｂ，２ａが設けられる。
【００１８】斜め蒸着磁性膜２ｂ，２ａは、上記条件を
満たすように成膜される。特に、磁性膜２ｂの厚さは５
００〜２０００Å（特に、６００〜１５００Å）、磁性
膜２ａの厚さは５００〜２０００Å（特に、６００〜１
５００Å）であるように成膜される。又、磁性膜２ｂの
磁気コラムによって規定される角度θb が９０°（９０
°は含まず）〜１７０°（特に、１１０〜１６０°）、
磁性膜２ａの磁気コラムによって規定される角度θa が
１５〜９０°（９０°は含まず）（特に、２０〜７０
°）であるように成膜される。かつ、磁性膜２ｂの磁気
コラムと磁性膜２ａの磁気コラムを合成したものによっ
て規定される角度θg が９０°（９０°は含まず）〜１
４０°（特に、９５〜１３０°）であるように成膜され
る。上記特徴を示す磁性膜の形成は、実験を繰り返すこ
とによって成膜条件を見出すことが出来る。
満たすように成膜される。特に、磁性膜２ｂの厚さは５
００〜２０００Å（特に、６００〜１５００Å）、磁性
膜２ａの厚さは５００〜２０００Å（特に、６００〜１
５００Å）であるように成膜される。又、磁性膜２ｂの
磁気コラムによって規定される角度θb が９０°（９０
°は含まず）〜１７０°（特に、１１０〜１６０°）、
磁性膜２ａの磁気コラムによって規定される角度θa が
１５〜９０°（９０°は含まず）（特に、２０〜７０
°）であるように成膜される。かつ、磁性膜２ｂの磁気
コラムと磁性膜２ａの磁気コラムを合成したものによっ
て規定される角度θg が９０°（９０°は含まず）〜１
４０°（特に、９５〜１３０°）であるように成膜され
る。上記特徴を示す磁性膜の形成は、実験を繰り返すこ
とによって成膜条件を見出すことが出来る。
【００１９】斜め蒸着磁性膜２ｂ，２ａによる保磁力Ｈ
ｃは１０００〜２０００Ｏｅ、飽和磁束密度Ｂｓは４０
００〜８０００Ｇである。斜め蒸着磁性膜２ｂ，２ａを
構成する磁性金属１２の材料としては、例えばＦｅ，Ｃ
ｏ，Ｎｉ等の金属の他に、Ｃｏ−Ｎｉ合金、Ｃｏ−Ｐｔ
合金、Ｃｏ−Ｎｉ−Ｐｔ合金、Ｆｅ−Ｃｏ合金、Ｆｅ−
Ｎｉ合金、Ｆｅ−Ｃｏ−Ｎｉ合金、Ｆｅ−Ｃｏ−Ｂ合
金、Ｃｏ−Ｎｉ−Ｆｅ−Ｂ合金、Ｃｏ−Ｃｒ合金、ある
いはこれらに異種の金属を含有させた合金が用いられ
る。尚、磁性膜としては、前記材料の窒化物（例えば、
Ｆｅ−Ｎ，Ｆｅ−Ｎ−Ｏ）や炭化物（例えば、Ｆｅ−
Ｃ，Ｆｅ−Ｃ−Ｏ）等も挙げられる。
ｃは１０００〜２０００Ｏｅ、飽和磁束密度Ｂｓは４０
００〜８０００Ｇである。斜め蒸着磁性膜２ｂ，２ａを
構成する磁性金属１２の材料としては、例えばＦｅ，Ｃ
ｏ，Ｎｉ等の金属の他に、Ｃｏ−Ｎｉ合金、Ｃｏ−Ｐｔ
合金、Ｃｏ−Ｎｉ−Ｐｔ合金、Ｆｅ−Ｃｏ合金、Ｆｅ−
Ｎｉ合金、Ｆｅ−Ｃｏ−Ｎｉ合金、Ｆｅ−Ｃｏ−Ｂ合
金、Ｃｏ−Ｎｉ−Ｆｅ−Ｂ合金、Ｃｏ−Ｃｒ合金、ある
いはこれらに異種の金属を含有させた合金が用いられ
る。尚、磁性膜としては、前記材料の窒化物（例えば、
Ｆｅ−Ｎ，Ｆｅ−Ｎ−Ｏ）や炭化物（例えば、Ｆｅ−
Ｃ，Ｆｅ−Ｃ−Ｏ）等も挙げられる。
【００２０】上記磁性膜上に１０〜５００Å、特に３０
〜２００Å程度の酸化物、窒化物、あるいは炭化物など
からなる保護膜３が設けられる。例えば、ガラス状カー
ボンやダイヤモンドライクカーボン等のカーボン、炭化
ホウ素、窒化珪素などが具体例として挙げられる。特
に、好ましいのはダイヤモンドライクカーボンである。
例えば、ＥＣＲマイクロ波プラズマＣＶＤ装置を用いて
ダイヤモンドライクカーボンからなる保護膜３を形成で
きる。
〜２００Å程度の酸化物、窒化物、あるいは炭化物など
からなる保護膜３が設けられる。例えば、ガラス状カー
ボンやダイヤモンドライクカーボン等のカーボン、炭化
ホウ素、窒化珪素などが具体例として挙げられる。特
に、好ましいのはダイヤモンドライクカーボンである。
例えば、ＥＣＲマイクロ波プラズマＣＶＤ装置を用いて
ダイヤモンドライクカーボンからなる保護膜３を形成で
きる。
【００２１】そして、必要に応じて、潤滑剤の膜４が浸
漬あるいは超音波噴霧などの手段により５〜７０Å程度
の厚さ設けられる。潤滑剤としては各種のものを用いる
ことが出来る。好ましい例として、例えば-(C(R)F-CF2-
O)p - （但し、ＲはＦ，ＣＦ 3 ，ＣＨ3 などの基）、特
にHOOC-CF2(O-C2F4)p (OCF2) q -OCF2-COOH ，F-(CF2CF
2CF2O)n -CF2CF2COOH 等のカルボキシル基変性パーフロ
オロポリエーテル、HOCH2-CF2(O-C2F4) p (OCF2) q -OC
F2-CH2OH，HO-(C2H4-O) m -CH2-(O-C2F4) p (OCF2) q -
OCH2-(OCH2CH2)n -OH ，F-(CF2CF2CF2O)n -CF2CF2CH2OH
等のアルコール変性パーフロオロポリエーテル等のフッ
素系の潤滑剤が用いられる。具体的には、アウジモント
社のＦＯＭＢＬＩＮＺ ＤＩＡＣやＦＯＭＢＬＩＮ Ｚ
ＤＯＬ、ダイキン工業社のデムナムＳＡ等がある。
漬あるいは超音波噴霧などの手段により５〜７０Å程度
の厚さ設けられる。潤滑剤としては各種のものを用いる
ことが出来る。好ましい例として、例えば-(C(R)F-CF2-
O)p - （但し、ＲはＦ，ＣＦ 3 ，ＣＨ3 などの基）、特
にHOOC-CF2(O-C2F4)p (OCF2) q -OCF2-COOH ，F-(CF2CF
2CF2O)n -CF2CF2COOH 等のカルボキシル基変性パーフロ
オロポリエーテル、HOCH2-CF2(O-C2F4) p (OCF2) q -OC
F2-CH2OH，HO-(C2H4-O) m -CH2-(O-C2F4) p (OCF2) q -
OCH2-(OCH2CH2)n -OH ，F-(CF2CF2CF2O)n -CF2CF2CH2OH
等のアルコール変性パーフロオロポリエーテル等のフッ
素系の潤滑剤が用いられる。具体的には、アウジモント
社のＦＯＭＢＬＩＮＺ ＤＩＡＣやＦＯＭＢＬＩＮ Ｚ
ＤＯＬ、ダイキン工業社のデムナムＳＡ等がある。
【００２２】又、必要に応じて、バックコート膜５が設
けられる。バックコート膜５は、カーボンブラック及び
バインダ樹脂を含む塗料を塗布することによって形成さ
れる。又、Ａｌ−Ｃｕ合金等の金属やＳｉ，Ｇｅ，Ａ
ｓ，Ｓｃ，Ｓｂ等の半金属を蒸着させて形成することも
出来る。尚、金属や半金属を酸化、炭化あるいは窒化し
て、酸化膜、炭化膜あるいは窒化膜とすることも出来
る。
けられる。バックコート膜５は、カーボンブラック及び
バインダ樹脂を含む塗料を塗布することによって形成さ
れる。又、Ａｌ−Ｃｕ合金等の金属やＳｉ，Ｇｅ，Ａ
ｓ，Ｓｃ，Ｓｂ等の半金属を蒸着させて形成することも
出来る。尚、金属や半金属を酸化、炭化あるいは窒化し
て、酸化膜、炭化膜あるいは窒化膜とすることも出来
る。
【００２３】
【実施例１】図２に示す斜め蒸着装置を用い、６μｍ厚
のＰＥＴフィルム１上にＣｏ金属斜め蒸着磁性膜２ｂを
設けた。尚、この下層の斜め蒸着磁性膜２ｂを成膜する
時の条件は下記の通りである。 ＰＥＴフィルム１の走行速度；０．６ｍ／ｍｉｎ 電子銃１５の出力；２０ｋＷ 斜め蒸着時における最小入射角；６５° ノズル１４からの酸素ガス供給量；３０ｓｃｃｍ 得られた斜め蒸着磁性膜２ｂの厚さは、ランクテーラー
ホブソン社のタリステップによれば、１２００Åであっ
た。又、この斜め蒸着磁性膜２ｂの断面写真によれば、
θb は１３３°であった。
のＰＥＴフィルム１上にＣｏ金属斜め蒸着磁性膜２ｂを
設けた。尚、この下層の斜め蒸着磁性膜２ｂを成膜する
時の条件は下記の通りである。 ＰＥＴフィルム１の走行速度；０．６ｍ／ｍｉｎ 電子銃１５の出力；２０ｋＷ 斜め蒸着時における最小入射角；６５° ノズル１４からの酸素ガス供給量；３０ｓｃｃｍ 得られた斜め蒸着磁性膜２ｂの厚さは、ランクテーラー
ホブソン社のタリステップによれば、１２００Åであっ
た。又、この斜め蒸着磁性膜２ｂの断面写真によれば、
θb は１３３°であった。
【００２４】この後、再度、斜め蒸着装置を用い、斜め
蒸着磁性膜２ｂ上にＣｏ金属斜め蒸着磁性膜２ａを設け
た。尚、この上層の斜め蒸着磁性膜２ａを成膜する時の
条件は下記の通りである。 ＰＥＴフィルム１の走行速度；２ｍ／ｍｉｎ 電子銃１５の出力；１５ｋＷ 斜め蒸着時における最小入射角；５２° ノズル１４からの酸素ガス供給量；２２ｓｃｃｍ 得られた斜め蒸着磁性膜２ａの厚さは、ランクテーラー
ホブソン社のタリステップによれば、８００Åであっ
た。又、この斜め蒸着磁性膜２ａの断面写真によれば、
θa は５７°であった。
蒸着磁性膜２ｂ上にＣｏ金属斜め蒸着磁性膜２ａを設け
た。尚、この上層の斜め蒸着磁性膜２ａを成膜する時の
条件は下記の通りである。 ＰＥＴフィルム１の走行速度；２ｍ／ｍｉｎ 電子銃１５の出力；１５ｋＷ 斜め蒸着時における最小入射角；５２° ノズル１４からの酸素ガス供給量；２２ｓｃｃｍ 得られた斜め蒸着磁性膜２ａの厚さは、ランクテーラー
ホブソン社のタリステップによれば、８００Åであっ
た。又、この斜め蒸着磁性膜２ａの断面写真によれば、
θa は５７°であった。
【００２５】そして、これら磁性膜２ｂ，２ａによる保
磁力Ｈｃは１５００Ｏｅ、飽和磁束密度Ｂｓは５８００
Ｇ、角型比Ｓｑは０．９２であった。この後、磁性膜２
ａの上に、ＥＣＲ−ＣＶＤ装置を用いて１００Å厚のダ
イヤモンドライクカーボン膜（保護膜）３が設けられ、
更にその上にパーフルオロポリエーテル系の潤滑剤の膜
４が１０Åの厚さ設けられた。又、反対側の面にカーボ
ンブラックとバインダ樹脂とを含む塗料が乾燥後の厚さ
が０．５μｍとなるよう塗布され、バックコート膜５が
設けられた。
磁力Ｈｃは１５００Ｏｅ、飽和磁束密度Ｂｓは５８００
Ｇ、角型比Ｓｑは０．９２であった。この後、磁性膜２
ａの上に、ＥＣＲ−ＣＶＤ装置を用いて１００Å厚のダ
イヤモンドライクカーボン膜（保護膜）３が設けられ、
更にその上にパーフルオロポリエーテル系の潤滑剤の膜
４が１０Åの厚さ設けられた。又、反対側の面にカーボ
ンブラックとバインダ樹脂とを含む塗料が乾燥後の厚さ
が０．５μｍとなるよう塗布され、バックコート膜５が
設けられた。
【００２６】この後、所定の工程を経て磁気テープが作
製された。
製された。
【００２７】
【実施例２】実施例１に準じて行い磁気テープを得た。
下層の斜め蒸着磁性膜２ｂを成膜する時の条件は下記の
通りである。 ＰＥＴフィルム１の走行速度；１．６ｍ／ｍｉｎ 電子銃１５の出力；２０ｋＷ 斜め蒸着時における最小入射角；５５° ノズル１４からの酸素ガス供給量；２５ｓｃｃｍ 得られた斜め蒸着磁性膜２ｂの厚さは、ランクテーラー
ホブソン社のタリステップによれば、１０００Åであっ
た。又、この斜め蒸着磁性膜２ｂの断面写真によれば、
θb は１３２°であった。
下層の斜め蒸着磁性膜２ｂを成膜する時の条件は下記の
通りである。 ＰＥＴフィルム１の走行速度；１．６ｍ／ｍｉｎ 電子銃１５の出力；２０ｋＷ 斜め蒸着時における最小入射角；５５° ノズル１４からの酸素ガス供給量；２５ｓｃｃｍ 得られた斜め蒸着磁性膜２ｂの厚さは、ランクテーラー
ホブソン社のタリステップによれば、１０００Åであっ
た。又、この斜め蒸着磁性膜２ｂの断面写真によれば、
θb は１３２°であった。
【００２８】上層の斜め蒸着磁性膜２ａを成膜する時の
条件は下記の通りである。 ＰＥＴフィルム１の走行速度；２．４ｍ／ｍｉｎ 電子銃１５の出力；１５ｋＷ 斜め蒸着時における最小入射角；４５° ノズル１４からの酸素ガス供給量；２０ｓｃｃｍ 得られた斜め蒸着磁性膜２ａの厚さは、ランクテーラー
ホブソン社のタリステップによれば、９００Åであっ
た。又、この斜め蒸着磁性膜２ａの断面写真によれば、
θa は６０°であった。
条件は下記の通りである。 ＰＥＴフィルム１の走行速度；２．４ｍ／ｍｉｎ 電子銃１５の出力；１５ｋＷ 斜め蒸着時における最小入射角；４５° ノズル１４からの酸素ガス供給量；２０ｓｃｃｍ 得られた斜め蒸着磁性膜２ａの厚さは、ランクテーラー
ホブソン社のタリステップによれば、９００Åであっ
た。又、この斜め蒸着磁性膜２ａの断面写真によれば、
θa は６０°であった。
【００２９】そして、これら磁性膜２ｂ，２ａによる保
磁力Ｈｃは１３５０Ｏｅ、飽和磁束密度Ｂｓは５４００
Ｇ、角型比Ｓｑは０．８８であった。
磁力Ｈｃは１３５０Ｏｅ、飽和磁束密度Ｂｓは５４００
Ｇ、角型比Ｓｑは０．８８であった。
【００３０】
【実施例３】実施例１に準じて行い磁気テープを得た。
下層の斜め蒸着磁性膜２ｂを成膜する時の条件は下記の
通りである。 ＰＥＴフィルム１の走行速度；０．７ｍ／ｍｉｎ 電子銃１５の出力；２０ｋＷ 斜め蒸着時における最小入射角；６０° ノズル１４からの酸素ガス供給量；３０ｓｃｃｍ 得られた斜め蒸着磁性膜２ｂの厚さは、ランクテーラー
ホブソン社のタリステップによれば、１５００Åであっ
た。又、この斜め蒸着磁性膜２ｂの断面写真によれば、
θb は１３０°であった。
下層の斜め蒸着磁性膜２ｂを成膜する時の条件は下記の
通りである。 ＰＥＴフィルム１の走行速度；０．７ｍ／ｍｉｎ 電子銃１５の出力；２０ｋＷ 斜め蒸着時における最小入射角；６０° ノズル１４からの酸素ガス供給量；３０ｓｃｃｍ 得られた斜め蒸着磁性膜２ｂの厚さは、ランクテーラー
ホブソン社のタリステップによれば、１５００Åであっ
た。又、この斜め蒸着磁性膜２ｂの断面写真によれば、
θb は１３０°であった。
【００３１】上層の斜め蒸着磁性膜２ａを成膜する時の
条件は下記の通りである。 ＰＥＴフィルム１の走行速度；２．２ｍ／ｍｉｎ 電子銃１５の出力；１５ｋＷ 斜め蒸着時における最小入射角；４５° ノズル１４からの酸素ガス供給量；２２ｓｃｃｍ 得られた斜め蒸着磁性膜２ａの厚さは、ランクテーラー
ホブソン社のタリステップによれば、１０００Åであっ
た。又、この斜め蒸着磁性膜２ａの断面写真によれば、
θa は６０°であった。
条件は下記の通りである。 ＰＥＴフィルム１の走行速度；２．２ｍ／ｍｉｎ 電子銃１５の出力；１５ｋＷ 斜め蒸着時における最小入射角；４５° ノズル１４からの酸素ガス供給量；２２ｓｃｃｍ 得られた斜め蒸着磁性膜２ａの厚さは、ランクテーラー
ホブソン社のタリステップによれば、１０００Åであっ
た。又、この斜め蒸着磁性膜２ａの断面写真によれば、
θa は６０°であった。
【００３２】そして、これら磁性膜２ｂ，２ａによる保
磁力Ｈｃは１４００Ｏｅ、飽和磁束密度Ｂｓは５６００
Ｇ、角型比Ｓｑは０．９であった。
磁力Ｈｃは１４００Ｏｅ、飽和磁束密度Ｂｓは５６００
Ｇ、角型比Ｓｑは０．９であった。
【００３３】
【比較例１】実施例１において、斜め蒸着磁性膜２ａを
設けなかった以外は実施例１に準じて行い磁気テープを
得た。
設けなかった以外は実施例１に準じて行い磁気テープを
得た。
【００３４】
【比較例２】実施例１における下層の斜め蒸着磁性膜２
ｂを成膜する時の条件でもって上層の斜め蒸着磁性膜２
ａと下層の斜め蒸着磁性膜２ｂを成膜した以外は実施例
１に準じて行い磁気テープを得た。そして、これら磁性
膜２ｂ，２ａによる保磁力Ｈｃは１６５０Ｏｅ、飽和磁
束密度Ｂｓは５５００Ｇ、角型比Ｓｑは０．９４であっ
た。
ｂを成膜する時の条件でもって上層の斜め蒸着磁性膜２
ａと下層の斜め蒸着磁性膜２ｂを成膜した以外は実施例
１に準じて行い磁気テープを得た。そして、これら磁性
膜２ｂ，２ａによる保磁力Ｈｃは１６５０Ｏｅ、飽和磁
束密度Ｂｓは５５００Ｇ、角型比Ｓｑは０．９４であっ
た。
【００３５】
【比較例３】実施例１に準じて行い磁気テープを得た。
下層の斜め蒸着磁性膜２ｂを成膜する時の条件は下記の
通りである。 ＰＥＴフィルム１の走行速度；１．２ｍ／ｍｉｎ 電子銃１５の出力；２０ｋＷ 斜め蒸着時における最小入射角；６５° ノズル１４からの酸素ガス供給量；４０ｓｃｃｍ 得られた斜め蒸着磁性膜２ｂの厚さは、ランクテーラー
ホブソン社のタリステップによれば、６００Åであっ
た。又、この斜め蒸着磁性膜２ｂの断面写真によれば、
θb は１３３°であった。
下層の斜め蒸着磁性膜２ｂを成膜する時の条件は下記の
通りである。 ＰＥＴフィルム１の走行速度；１．２ｍ／ｍｉｎ 電子銃１５の出力；２０ｋＷ 斜め蒸着時における最小入射角；６５° ノズル１４からの酸素ガス供給量；４０ｓｃｃｍ 得られた斜め蒸着磁性膜２ｂの厚さは、ランクテーラー
ホブソン社のタリステップによれば、６００Åであっ
た。又、この斜め蒸着磁性膜２ｂの断面写真によれば、
θb は１３３°であった。
【００３６】上層の斜め蒸着磁性膜２ａを成膜する時の
条件は下記の通りである。 ＰＥＴフィルム１の走行速度；０．６ｍ／ｍｉｎ 電子銃１５の出力；２０ｋＷ 斜め蒸着時における最小入射角；６５° ノズル１４からの酸素ガス供給量；３０ｓｃｃｍ 得られた斜め蒸着磁性膜２ａの厚さは、ランクテーラー
ホブソン社のタリステップによれば、１２００Åであっ
た。又、この斜め蒸着磁性膜２ａの断面写真によれば、
θa は４７°であった。
条件は下記の通りである。 ＰＥＴフィルム１の走行速度；０．６ｍ／ｍｉｎ 電子銃１５の出力；２０ｋＷ 斜め蒸着時における最小入射角；６５° ノズル１４からの酸素ガス供給量；３０ｓｃｃｍ 得られた斜め蒸着磁性膜２ａの厚さは、ランクテーラー
ホブソン社のタリステップによれば、１２００Åであっ
た。又、この斜め蒸着磁性膜２ａの断面写真によれば、
θa は４７°であった。
【００３７】そして、これら磁性膜２ｂ，２ａによる保
磁力Ｈｃは１６００Ｏｅ、飽和磁束密度Ｂｓは５７００
Ｇ、角型比Ｓｑは０．９３であった。
磁力Ｈｃは１６００Ｏｅ、飽和磁束密度Ｂｓは５７００
Ｇ、角型比Ｓｑは０．９３であった。
【００３８】
【特性】上記各例で得た磁気テープのθa ，θb ，θg
，θh 及び磁性膜の厚さを、下記の表−１に示す。
尚、θa ，θb は断面写真から求めた値の平均値である
が、θg ，θh については、断面写真を基にして合成ベ
クトルＧを求め、これより得たものである。
，θh 及び磁性膜の厚さを、下記の表−１に示す。
尚、θa ，θb は断面写真から求めた値の平均値である
が、θg ，θh については、断面写真を基にして合成ベ
クトルＧを求め、これより得たものである。
【００３９】 表−１ 磁性膜の厚さ（Å） θb θa θg θh 下層 上層 ( °） ( °） ( °） ( °） 実施例１ 1200 800 １３３ ５７ １０５ １５ 実施例２ 1000 900 １３２ ６０ ９５ ５ 実施例３ 1500 1000 １３０ ６０ １００ １０ 比較例１ 1200 − − ４７ − − 比較例２ 1200 1200 １３３ ４７ ９０ ０ 比較例３ 600 1200 １３３ ４７ ７５ −１５ そして、波長λ（μｍ）の信号を記録した上記各例の磁
気テープについて、その再生出力を調べたので、その結
果を表−２に示す。
気テープについて、その再生出力を調べたので、その結
果を表−２に示す。
【００４０】 表−２（再生出力（ｄＢ）） 順方向 逆方向 λ＝０．３ λ＝０．５ λ＝０．３ λ＝０．５ 実施例１ ＋２．１ ＋１．８ ＋１．５ ＋０．３ ( ０．８） （１．３) 実施例２ ＋１．０ ＋０．８ −１．０ −１．４ ( ２．４） （４) 実施例３ ＋２．０ ＋１．４ ＋１．０ ＋０．６ ( １．２） （２) 比較例１ ０ ０ −８．４ −６．５ 比較例２ ＋１．５ ＋１．４ −５．３ −４．２ 比較例３ ＋１．８ ＋１．７ −６．１ −５．２ （３） （５) ＊順方向の再生出力は磁気ヘッドが接する磁性膜の磁気
コラムの方向と磁気ヘッドの走行方向とが順方向である
場合を示し、逆方向の再生出力は磁気ヘッドが接する磁
性膜の磁気コラムの方向と磁気ヘッドの走行方向とが逆
方向である場合を示す。
コラムの方向と磁気ヘッドの走行方向とが順方向である
場合を示し、逆方向の再生出力は磁気ヘッドが接する磁
性膜の磁気コラムの方向と磁気ヘッドの走行方向とが逆
方向である場合を示す。
【００４１】＊括弧内の値は４０λ／θh である。 ＊比較例１の順方向の出力を基準（０ｄＢ） これによれば、本発明の条件を満たす場合、磁気ヘッド
の走行方向の如何を問わず、高い再生出力が得られてい
ることが判る。かつ、磁気ヘッドの走行方向の違いによ
る出力差は小さいことが判る。
の走行方向の如何を問わず、高い再生出力が得られてい
ることが判る。かつ、磁気ヘッドの走行方向の違いによ
る出力差は小さいことが判る。
【００４２】
【発明の効果】磁気ヘッドの走行方向の正逆による出力
差は小さく、かつ、再生出力が大きい。
差は小さく、かつ、再生出力が大きい。
【図１】磁気記録媒体の概略断面図
【図２】斜め蒸着装置の概略図
【符号の説明】 １ 支持体 ２ 磁性膜 ３ 保護膜 ４ 潤滑剤の膜 ５ バックコート膜
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 宮村 猛史 栃木県芳賀郡市貝町大字赤羽2606 花王株 式会社研究所内
Claims (5)
- 【請求項１】 支持体と磁性膜とを有する磁気記録媒体
において、 前記磁性膜は複数の斜め蒸着磁性膜が積層されたもので
あり、 前記斜め蒸着磁性膜のうち上層の斜め蒸着磁性膜を構成
する磁気コラムによって規定される上層ベクトルＡの前
記磁性膜面に対してなす角度θa が０°＜θa＜９０°
（又は９０°＜θa ＜１８０°）であり、かつ、前記上
層ベクトルＡと前記上層の斜め蒸着磁性膜に隣接した下
層の斜め蒸着磁性膜を構成する磁気コラムによって規定
される下層ベクトルＢとの合成ベクトルＧの前記磁性膜
面に対してなす角度θg が９０°＜θg ＜１８０°（又
は０°＜θg ＜９０°）であるよう構成されてなること
を特徴とする磁気記録媒体。 - 【請求項２】 支持体と磁性膜とを有する磁気記録媒体
において、 前記磁性膜は複数の斜め蒸着磁性膜が積層されたもので
あり、 前記斜め蒸着磁性膜のうち上層の斜め蒸着磁性膜を構成
する磁気コラムによって規定される上層ベクトルＡの前
記磁性膜面に対してなす角度θa が０°＜θa＜９０°
（又は９０°＜θa ＜１８０°）であり、かつ、前記上
層の斜め蒸着磁性膜に隣接した下層の斜め蒸着磁性膜を
構成する磁気コラムによって規定される下層ベクトルＢ
の前記磁性膜面に対してなす角度θb が９０°＜θb ＜
１８０°（又は０°＜θb ＜９０°）であると共に、前
記ベクトルＡとベクトルＢとの合成ベクトルＧの前記磁
性膜面に対してなす角度θg が９０°＜θg ＜１８０°
（又は０°＜θg ＜９０°）であるよう構成されてなる
ことを特徴とする磁気記録媒体。 - 【請求項３】 上層ベクトルＡは斜め蒸着磁性膜のうち
最上層の斜め蒸着磁性膜を構成する磁気コラムによって
規定されるものであり、下層ベクトルＢは最上層の斜め
蒸着磁性膜より下側にある斜め蒸着磁性膜を構成する磁
気コラムによって規定されるベクトル全てが合成された
ベクトルであることを特徴とする請求項１又は請求項２
の磁気記録媒体。 - 【請求項４】 合成ベクトルＧの磁性膜面に垂直な仮想
線に対してなす角度θh が下記の式〔Ｉ〕を満たすよう
構成されてなることを特徴とする請求項１〜請求項３い
ずれかの磁気記録媒体。 式〔Ｉ〕 ０．８≦４０λ／θh ≦２．０ 但し、λは、磁気記録媒体の記録に用いられる信号の最
短記録波長で、単位はμｍ。θh の単位は°。 - 【請求項５】 請求項１〜請求項４いずれかの磁気記録
媒体に対して、最短記録波長λが下記の式〔Ｉ〕を満た
す信号を用いて記録することを特徴とする磁気記録方
法。 式〔Ｉ〕 ０．８≦４０λ／θh ≦２．０ 但し、θh は、合成ベクトルＧの磁性膜面に垂直な仮想
線に対してなす角度で、単位は°。λの単位はμｍ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP34948096A JPH10198940A (ja) | 1996-12-27 | 1996-12-27 | 磁気記録媒体、及び磁気記録方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP34948096A JPH10198940A (ja) | 1996-12-27 | 1996-12-27 | 磁気記録媒体、及び磁気記録方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10198940A true JPH10198940A (ja) | 1998-07-31 |
Family
ID=18404036
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP34948096A Pending JPH10198940A (ja) | 1996-12-27 | 1996-12-27 | 磁気記録媒体、及び磁気記録方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10198940A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7297421B2 (en) | 2003-08-29 | 2007-11-20 | Sony Corporation | Evaporation type magnetic recording medium and magnetic recording and reproducing device |
-
1996
- 1996-12-27 JP JP34948096A patent/JPH10198940A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7297421B2 (en) | 2003-08-29 | 2007-11-20 | Sony Corporation | Evaporation type magnetic recording medium and magnetic recording and reproducing device |
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