JPH10189247A - 有機電界発光素子 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【解決手段】 一対の電極間に、ベンゾフルオランテン
誘導体を少なくとも１種含有する層を少なくとも一層挟
持してなる有機電界発光素子。 【効果】 発光輝度が優れた有機電界発光素子を提供す
る。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、有機電界発光素子
に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来、無機電界発光素子は、例えば、バ
ックライトなどのパネル型光源として使用されてきた
が、該発光素子を駆動させるには、交流の高電圧が必要
である。最近になり、発光材料に有機材料を用いた有機
電界発光素子（有機エレクトロルミネッセンス素子：有
機ＥＬ素子）が開発された〔Appl. Phys. Lett., 51 、
913 (1987)〕。有機電界発光素子は、蛍光性有機化合物
を含む薄膜を、陽極と陰極間に挟持された構造を有し、
該薄膜に電子および正孔（ホール）を注入して、再結合
させることにより励起子（エキシトン）を生成させ、こ
の励起子が失活する際に放出される光を利用して発光す
る素子である。有機電界発光素子は、数Ｖ〜数十Ｖ程度
の直流の低電圧で、発光が可能であり、また蛍光性有機
化合物の種類を選択することにより、種々の色（例え
ば、赤色、青色、緑色）の発光が可能である。このよう
な特徴を有する有機電界発光素子は、種々の発光素子、
表示素子等への応用が期待されている。しかしながら、
一般に、発光輝度が低く、実用上充分ではない。

【０００３】発光輝度を向上させる方法として、発光層
として、例えば、トリス（８−キノリノラート）アルミ
ニウムをホスト化合物、クマリン誘導体、ピラン誘導体
をゲスト化合物（ドーパント）として用いた有機電界発
光素子が提案されている〔J.Appl. Phys., 65 、3610
(1989) 〕。また、発光層として、例えば、ビス（２−
メチル−８−キノリノラート）（４−フェニルフェノラ
ート）アルミニウムをホスト化合物、アクリドン誘導体
（例えば、Ｎ−メチル−２−メトキシアクリドン）をゲ
スト化合物として用いた有機電界発光素子が提案されて
いる（特開平８−６７８７３号公報）。しかしながら、
これらの発光素子も充分な発光輝度を有しているとは言
い難い。現在では、一層高輝度に発光する有機電界発光
素子が望まれている。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】本発明の課題は、発光
効率に優れ、高輝度に発光する有機電界発光素子を提供
することである。

【０００５】

【課題を解決するための手段】本発明者等は、有機電界
発光素子に関して鋭意検討した結果、本発明を完成する
に至った。すなわち、本発明は、 一対の電極間に、ベンゾフルオランテン誘導体を少な
くとも１種含有する層を少なくとも一層挟持してなる有
機電界発光素子、 ベンゾフルオランテン誘導体を含有する層が、発光層
である記載の有機電界発光素子、 ベンゾフルオランテン誘導体を含有する層に、さら
に、発光性有機金属錯体を含有する前記または記載
の有機電界発光素子、 一対の電極間に、さらに、正孔注入輸送層を有する前
記〜のいずれかに記載の有機電界発光素子、 一対の電極間に、さらに、電子注入輸送層を有する前
記〜のいずれかに記載の有機電界発光素子、 ベンゾフルオランテン誘導体がベンゾ[k] フルオラン
テン誘導体またはベンゾ[b] フルオランテン誘導体であ
る前記〜のいずれかに記載の有機電界発光素子、 ベンゾフルオランテン誘導体が一般式（１）（化３）
または一般式（２）（化４）で表される化合物である前
記〜のいずれかに記載の有機電界発光素子、に関す
るものである。

【０００６】

【化３】 （式中、Ｘ₁ 〜Ｘ₁₂は水素原子、ハロゲン原子、直鎖、
分岐または環状のアルキル基、直鎖、分岐または環状の
アルコキシ基、あるいは置換または未置換のアリール基
を表す）

【０００７】

【化４】 （式中、Ｘ₂₁〜Ｘ₃₂は水素原子、ハロゲン原子、直鎖、
分岐または環状のアルキル基、直鎖、分岐または環状の
アルコキシ基、あるいは置換または未置換のアリール基
を表す）

【０００８】

【発明の実施の形態】以下、本発明に関して詳細に説明
する。本発明の有機電界発光素子は、一対の電極間に、
ベンゾフルオランテン誘導体を少なくとも１種含有する
層を少なくとも一層挟持してなるものである。

【０００９】本発明に係るベンゾフルオランテン誘導体
は、フルオランテン骨格にさらにベンゼン環が１ケ縮環
した化合物であり、好ましくは、ベンゾ[k] フルオラン
テン誘導体、ベンゾ[b] フルオランテン誘導体（”ベン
ズ[e] アセフェナントリレン誘導体”）、ベンゾ[j] フ
ルオランテン誘導体、ベンゾ[a] フルオランテン誘導体
（”ベンズ[a] アセアントリレン誘導体”）、またはベ
ンゾ[ghi] フルオランテンであり、より好ましくは、ベ
ンゾ[k] フルオランテン誘導体、またはベンゾ[b] フル
オランテン誘導体である。ベンゾフルオランテン誘導体
としては、特に好ましくは、一般式（１）（化５）で表
されるベンゾ[k] フルオランテン誘導体、または一般式
（２）（化６）で表されるベンゾ[b] フルオランテン誘
導体である。

【００１０】

【化５】 （式中、Ｘ₁ 〜Ｘ₁₂は水素原子、ハロゲン原子、直鎖、
分岐または環状のアルキル基、直鎖、分岐または環状の
アルコキシ基、あるいは置換または未置換のアリール基
を表す）

【００１１】

【化６】 （式中、Ｘ₂₁〜Ｘ₃₂は水素原子、ハロゲン原子、直鎖、
分岐または環状のアルキル基、直鎖、分岐または環状の
アルコキシ基、あるいは置換または未置換のアリール基
を表す）

【００１２】一般式（１）および一般式（２）で表され
る化合物において、Ｘ₁ 〜Ｘ₁₂およびＸ₂₁〜Ｘ₃₂は水素
原子、ハロゲン原子、直鎖、分岐または環状のアルキル
基、直鎖、分岐または環状のアルコキシ基、あるいは置
換または未置換のアリール基を表す。尚、アリール基と
は、例えば、フェニル基、ナフチル基などの炭素環式芳
香族基、例えば、フリル基、チエニル基、ピリジル基な
どの複素環式芳香族基を表す。

【００１３】Ｘ₁ 〜Ｘ₁₂およびＸ₂₁〜Ｘ₃₂は、好ましく
は、水素原子、ハロゲン原子（例えば、フッ素原子、塩
素原子、臭素原子）、炭素数１〜１６の直鎖、分岐また
は環状のアルキル基（例えば、メチル基、エチル基、ｎ
−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、イソブ
チル基、sec −ブチル基、tert−ブチル基、ｎ−ペンチ
ル基、イソペンチル基、ネオペンチル基、tert−ペンチ
ル基、シクロペンチル基、ｎ−ヘキシル基、３，３−ジ
メチルブチル基、シクロヘキシル基、ｎ−ヘプチル基、
シクロヘキシルメチル基、ｎ−オクチル基、tert−オク
チル基、２−エチルヘキシル基、ｎ−ノニル基、ｎ−デ
シル基、ｎ−ドデシル基、ｎ−テトラデシル基、ｎ−ヘ
キサデシル基など）、炭素数１〜１６の直鎖、分岐また
は環状のアルコキシ基（例えば、メトキシ基、エトキシ
基、ｎ−プロポキシ基、イソプロポキシ基、ｎ−ブトキ
シ基、イソブトキシ基、sec −ブトキシ基、ｎ−ペンチ
ルオキシ基、ネオペンチルオキシ基、シクロペンチルオ
キシ基、ｎ−ヘキシルオキシ基、３，３−ジメチルブチ
ルオキシ基、シクロヘキシルオキシ基、ｎ−ヘプチルオ
キシ基、ｎ−オクチルオキシ基、２−エチルヘキシルオ
キシ基、ｎ−ノニルオキシ基、ｎ−デシルオキシ基、ｎ
−ドデシルオキシ基、ｎ−テトラデシルオキシ基、ｎ−
ヘキサデシルオキシ基など）、

【００１４】あるいは炭素数４〜１６の置換または未置
換のアリール基（例えば、フェニル基、２−メチルフェ
ニル基、３−メチルフェニル基、４−メチルフェニル
基、４−エチルフェニル基、４−ｎ−プロピルフェニル
基、４−イソプロピルフェニル基、４−ｎ−ブチルフェ
ニル基、４−tert−ブチルフェニル基、４−イソペンチ
ルフェニル基、４−tert−ペンチルフェニル基、４−ｎ
−ヘキシルフェニル基、４−シクロヘキシルフェニル
基、４−ｎ−オクチルフェニル基、４−ｎ−デシルフェ
ニル基、２，３−ジメチルフェニル基、２，４−ジメチ
ルフェニル基、２，５−ジメチルフェニル基、３，４−
ジメチルフェニル基、５−インダニル基、１，２，３，
４−テトラヒドロ−５−ナフチル基、１，２，３，４−
テトラヒドロ−６−ナフチル基、２−メトキシフェニル
基、３−メトキシフェニル基、４−メトキシフェニル
基、３−エトキシフェニル基、４−エトキシフェニル
基、４−ｎ−プロポキシフェニル基、４−イソプロポキ
シフェニル基、４−ｎ−ブトキシフェニル基、４−ｎ−
ペンチルオキシフェニル基、４−ｎ−ヘキシルオキシフ
ェニル基、４−シクロヘキシルオキシフェニル基、４−
ｎ−ヘプチルオキシフェニル基、４−ｎ−オクチルオキ
シフェニル基、４−ｎ−デシルオキシフェニル基、２，
３−ジメトキシフェニル基、２，５−ジメトキシフェニ
ル基、３，４−ジメトキシフェニル基、２−メトキシ−
５−メチルフェニル基、３−メチル−４−メトキシフェ
ニル基、２−フルオロフェニル基、３−フルオロフェニ
ル基、４−フルオロフェニル基、２−クロロフェニル
基、３−クロロフェニル基、４−クロロフェニル基、４
−ブロモフェニル基、４−トリフルオロメチルフェニル
基、３，４−ジクロロフェニル基、２−メチル−４−ク
ロロフェニル基、２−クロロ−４−メチルフェニル基、
３−クロロ−４−メチルフェニル基、２−クロロ−４−
メトキシフェニル基、４−フェニルフェニル基、３−フ
ェニルフェニル基、４−（４’−メチルフェニル）フェ
ニル基、４−（４’−メトキシフェニル）フェニル基、
１−ナフチル基、２−ナフチル基、４−エトキシ−１−
ナフチル基、６−メトキシ−２−ナフチル基、７−エト
キシ−２−ナフチル基、２−フリル基、２−チエニル
基、３−チエニル基、２−ピリジル基、３−ピリジル
基、４−ピリジル基など）であり、より好ましくは、水
素原子、フッ素原子、塩素原子、炭素数１〜１０のアル
キル基、炭素数１〜１０のアルコキシ基または炭素数６
〜１２のアリール基であり、さらに好ましくは、水素原
子、フッ素原子、塩素原子、炭素数１〜６のアルキル
基、炭素数１〜６のアルコキシ基または炭素数６〜１０
の炭素環式芳香族基である。

【００１５】本発明に係るベンゾフルオランテン誘導体
の具体例としては、例えば、以下の化合物を挙げること
ができるが、本発明はこれらに限定されるものではな
い。尚、ベンゾ[b] フルオランテン誘導体は、ベンズ
[e] アセフェナントリレン誘導体として、またベンゾ
[a] フルオランテン誘導体は、ベンズ[a] アセアントリ
レン誘導体として命名した。 ・例示化合物 番号 １． ベンゾ[k] フルオランテン ２． １−クロロベンゾ[k] フルオランテン ３． ２−クロロベンゾ[k] フルオランテン ４． ３−フルオロベンゾ[k] フルオランテン ５． ３−クロロベンゾ[k] フルオランテン ６． ８−フルオロベンゾ[k] フルオランテン ７． ９−フルオロベンゾ[k] フルオランテン ８． １，４−ジクロロベンゾ[k] フルオランテン ９． １−エチルベンゾ[k] フルオランテン １０． １−ｎ−ブチルベンゾ[k] フルオランテン １１． ２−メチルベンゾ[k] フルオランテン １２． ３−メチルベンゾ[k] フルオランテン １３． ２−tert−ブチルベンゾ[k] フルオランテン １４． ３−ｎ−ヘキシルベンゾ[k] フルオランテン １５． ８−メチルベンゾ[k] フルオランテン １６． ９−メチルベンゾ[k] フルオランテン １７． ３，５−ジメチルベンゾ[k] フルオランテン １８． ７，１２−ジメチルベンゾ[k] フルオランテン １９． ７，１２−ジエチルベンゾ[k] フルオランテン ２０． ７，１２−ジ−ｎ−プロピルベンゾ[k] フルオランテン ２１． ７，１２−ジイプロピルベンゾ[k] フルオランテン ２２． ７，１２−ジ−ｎ−ブチルベンゾ[k] フルオランテン ２３． ７，１２−ジ−ｎ−ペンチルベンゾ[k] フルオランテン ２４． ７，１２−ジ−ｎ−ヘキシルベンゾ[k] フルオランテン ２５． ７，１２−ジメチル−９−クロロベンゾ[k] フルオランテン ２６． ７，１２−ジイソプロピル−８−メチルベンゾ[k] フルオランテン ２７． ７，１２−ジ−ｎ−ブチル−８−メチルベンゾ[k] フルオランテン ２８． ７，１２−ジ−ｎ−ブチル−９−メチルベンゾ[k] フルオランテン ２９． ７，１２−ジ−ｎ−ペンチル−９−メチルベンゾ[k] フルオランテン

【００１６】 ３０． １−エトキシベンゾ[k] フルオランテン ３１． ２−メトキシベンゾ[k] フルオランテン ３２． ３−メトキシベンゾ[k] フルオランテン ３３． ３−イソプロポキシベンゾ[k] フルオランテン ３４． ３−ｎ−ブトキシベンゾ[k] フルオランテン ３５． ７−メトキシベンゾ[k] フルオランテン ３６． ７−エトキシベンゾ[k] フルオランテン ３７． ９−エトキシベンゾ[k] フルオランテン ３８． ７，１２−ジメトキシベンゾ[k] フルオランテン ３９． ７−フェニルベンゾ[k] フルオランテン ４０． ７−フェニル−１２−クロロベンゾ[k] フルオランテン ４１． ７−（４’−メチルフェニル）−９−メチルベンゾ[k] フルオランテ ン ４２． ７−（２’−メチルフェニル）−１１−メチルベンゾ[k] フルオラン テン ４３． ７−フェニル−１２−メチルベンゾ[k] フルオランテン ４４． ７−フェニル−１２−イソプロピルベンゾ[k] フルオランテン ４５． ７−（４’−メトキシフェニル）−９−メトキシベンゾ[k] フルオラ ンテン ４６． ７−（２’，４’−ジメチルフェニル）−９，１１−ジメチルベンゾ [k] フルオランテン ４７． ７，１２−ジフェニルベンゾ[k] フルオランテン ４８． ７，１２−ジ（４’−メチルフェニル）ベンゾ[k] フルオランテン ４９． ７，１２−ジ（４’−エチルフェニル）ベンゾ[k] フルオランテン ５０． ７，１２−ジ（４’−tert−ブチルフェニル）ベンゾ[k] フルオラン テン ５１． ７，１２−ジ（３’，４’−ジメチルフェニル）ベンゾ[k] フルオラ ン ５２． ７，１２−ジ（３’−エトキシフェニル）ベンゾ[k] フルオランテン ５３． ７，１２−ジ（４’−メトキシフェニル）ベンゾ[k] フルオランテン ５４． ７，１２−ジ（３’−フルオロフェニル）ベンゾ[k] フルオランテン ５５． ７，１２−ジ（４’−クロロフェニル）ベンゾ[k] フルオランテン ５６． ７，１２−ジ（２’−ナフチル）ベンゾ[k] フルオランテン ５７． ７，１２−ジ（２’−チエニル）ベンゾ[k] フルオランテン ５８． ７，１２−ジフェニル−９−クロロベンゾ[k] フルオランテン ５９． ７，１２−ジフェニル−８−メチルベンゾ[k] フルオランテン ６０． ７，１２−ジフェニル−９−エチルベンゾ[k] フルオランテン ６１． ７，１２−ジフェニル−９−メトキシベンゾ[k] フルオランテン ６２． ７，１２−ジフェニル−９−ｎ−ペンチルオキシベンゾ[k] フルオラ ンテン ６３． ８，１１−ジ（４’−メチルフェニル）ベンゾ[k] フルオランテン

【００１７】 ６４． ベンズ[e] アセフェナントリレン ６５． １−クロロベンズ[e] アセフェナントリレン ６６． ４−フルオロベンズ[e] アセフェナントリレン ６７． ７−フルオロベンズ[e] アセフェナントリレン ６８． １１−フルオロベンズ[e] アセフェナントリレン ６９． １，９−ジフルオロベンズ[e] アセフェナントリレン ７０． １−メチルベンズ[e] アセフェナントリレン ７１． ３−メチルベンズ[e] アセフェナントリレン ７２． ７−メチルベンズ[e] アセフェナントリレン ７３． ９−メチルベンズ[e] アセフェナントリレン ７４． １２−メチルベンズ[e] アセフェナントリレン ７５． １，３−ジメチルベンズ[e] アセフェナントリレン ７６． ５，６−ジメチルベンズ[e] アセフェナントリレン ７７． ２−メトキシベンズ[e] アセフェナントリレン ７８． ５−メトキシベンズ[e] アセフェナントリレン ７９． ６−メトキシベンズ[e] アセフェナントリレン ８０． １０−メトキシベンズ[e] アセフェナントリレン ８１． ９，１０−ジメトキシベンズ[e] アセフェナントリレン ８２． ９，１２−ジメトキシベンズ[e] アセフェナントリレン ８３． ５，９，１０−トリメトキシベンズ[e] アセフェナントリレン ８４． ８−フェニルベンズ[e] アセフェナントリレン

【００１８】 ８５． ベンゾ[j] フルオランテン ８６． ４−フルオロベンゾ[j] フルオランテン ８７． １０−フルオロベンゾ[j] フルオランテン ８８． ８−メチルベンゾ[j] フルオランテン ８９． ６，１１−ジメチルベンゾ[j] フルオランテン ９０． ４，６，９，１１−テトラメチルベンゾ[j] フルオランテン ９１． ４−メトキシベンゾ[j] フルオランテン ９２． ６−メトキシベンゾ[j] フルオランテン ９３． １０−メトキシベンゾ[j] フルオランテン ９４． １１−メトキシベンゾ[j] フルオランテン ９５． ５，１０−ジメトキシベンゾ[j] フルオランテン ９６． ６，１１−ジメトキシベンゾ[j] フルオランテン ９７． ７，８−ジメトキシベンゾ[j] フルオランテン

【００１９】 ９８． ベンズ[a] アセアントリレン ９９． ８−クロロベンズ[a] アセアントリレン １００． ３−メチルベンズ[a] アセアントリレン １０１． １２−メチルベンズ[a] アセアントリレン １０２． ５−メトキシベンズ[a] アセアントリレン １０３． ８−フェニルベンズ[a] アセアントリレン １０４． ７−クロロ−８−フェニルベンズ[a] アセアントリレン １０５． １，４−ジ（４’−メチルフェニル）ベンズ[a] アセアントリレン １０６． １，４−ジ（３’，４’−ジメチルフェニル）ベンズ[a] アセアント リレン １０７． ７，８−ジフェニルベンズ[a] アセアントリレン １０８． １，４−ジ（４’−メチルフェニル）−２，３−ジフェニルベンズ[a ] アセアントリレン １０９． ベンゾ[ghi] フルオランテン １１０． ５，６−ジメチルベンゾ[ghi] フルオランテン

【００２０】本発明に係るベンゾフルオランテン誘導体
は、例えば、J. Amer. Chem. Soc.,73 、436 (1951)、
J. Chem. Soc., 1555 (1952)、Indian J. Chem. Sect.
B, 15B、32 (1977) 、Indian J. Chem. Sect. B, 21B、
91 (1982) 、Curr. Sci., 54、455 (1985)、Tetrahedro
n Lett., 33 、1675 (1992) 、J. Org. Chem., 50 、19
48 (1985) 、J. Org. Chem., 58 、1415 (1993) に記載
の方法に従って製造することができる。すなわち、ベン
ゾ[k] フルオランテン誘導体は、例えば、アセサイクロ
ン誘導体〔例えば、Chem. Rev., 65、261 (1965)に製造
方法が記載されている〕とベンザイン誘導体を反応後、
脱一酸化炭素化することにより製造することができる。
また、例えば、イソベンゾフラン誘導体とアセナフチレ
ン誘導体を反応後、脱水することにより製造することが
できる。また、ベンゾ[a] フルオランテン誘導体は、例
えば、９−（２’−ヒドロキシフェニル）アントラセン
のトリフレート誘導体を、ビス（トリフェニルフォスフ
ィン）パラジウムの存在下で、環化することにより製造
することができる。また、ベンゾ[b] フルオランテン誘
導体は、例えば、９−（２’−ヒドロキシフェニル）フ
ェナントレンのトリフレート誘導体を、ビス（トリフェ
ニルフォスフィン）パラジウムの存在下で、環化するこ
とにより製造することができる。また、ベンゾ[j] フル
オランテン誘導体は、例えば、８−ヒドロキシ−１−
（２’−ナフチル）ナフタレンのトリフレート誘導体
を、ビス（トリフェニルフォスフィン）パラジウムの存
在下で、環化することにより製造することができる。

【００２１】有機電界発光素子は、通常、一対の電極間
に、少なくとも１種の発光成分を含有する発光層を少な
くとも一層挟持してなるものである。発光層に使用する
化合物の正孔注入および正孔輸送、電子注入および電子
輸送の各機能レベルを考慮し、所望に応じて、正孔注入
輸送成分を含有する正孔注入輸送層または／および電子
注入輸送成分を含有する電子注入輸送層を設けることも
できる。例えば、発光層に使用する化合物の正孔注入機
能、正孔輸送機能または／および電子注入機能、電子輸
送機能が良好な場合には、発光層が正孔注入輸送層また
は／および電子注入輸送層を兼ねた型の素子の構成とす
ることができる。勿論、場合によっては、正孔注入輸送
層および電子注入輸送層の両方の層を設けない型の素子
（一層型の素子）の構成とすることもできる。また、正
孔注入輸送層、電子注入輸送層および発光層のそれぞれ
の層は、一層構造であっても多層構造であってもよく、
正孔注入輸送層および電子注入輸送層は、それぞれの層
において、注入機能を有する層と輸送機能を有する層を
別々に設けて構成することもできる。

【００２２】本発明の有機電界発光素子において、ベン
ゾフルオランテン誘導体は、正孔注入輸送成分、発光成
分または電子注入輸送成分に用いることが好ましく、正
孔注入輸送成分または発光成分に用いることがより好ま
しく、発光成分に用いることが特に好ましい。本発明の
有機電界発光素子においては、ベンゾフルオランテン誘
導体は、単独で使用してもよく、あるいは複数併用して
もよい。

【００２３】本発明の有機電界発光素子の構成として
は、特に限定するものではなく、例えば、（Ａ）陽極／
正孔注入輸送層／発光層／電子注入輸送層／陰極型素子
（図１）、（Ｂ）陽極／正孔注入輸送層／発光層／陰極
型素子（図２）、（Ｃ）陽極／発光層／電子注入輸送層
／陰極型素子（図３）、（Ｄ）陽極／発光層／陰極型素
子（図４）などを挙げることができる。さらには、発光
層を電子注入輸送層で挟み込んだ型の素子である（Ｅ）
陽極／正孔注入輸送層／電子注入輸送層／発光層／電子
注入輸送層／陰極型素子（図５）とすることもできる。
（Ｄ）型の素子構成としては、発光成分のみを一層形態
で一対の電極間に挟持させた型の素子を包含するもので
あるが、より好ましくは、例えば、（Ｆ）正孔注入輸送
成分、発光成分および電子注入輸送成分を混合させた一
層形態で一対の電極間に挟持させた型の素子（図６）、
（Ｇ）正孔注入輸送成分および発光成分を混合させた一
層形態で一対の電極間に挟持させた型の素子（図７）、
または（Ｈ）発光成分および電子注入輸送成分を混合さ
せた一層形態で一対の電極間に挟持させた型の素子（図
８）の形態である。

【００２４】本発明の有機電界発光素子は、これらの素
子構成に限るものではなく、それぞれの型の素子におい
て、正孔注入輸送層、発光層、電子注入輸送層を複数層
設けたりすることができる。また、それぞれの型の素子
において、正孔注入輸送層と発光層との間に、正孔注入
輸送成分と発光成分の混合層または／および発光層と電
子注入輸送層との間に、発光成分と電子注入輸送成分の
混合層を設けることもできる。より好ましい有機電界発
光素子の構成は、（Ａ）型素子、（Ｂ）型素子、（Ｃ）
型素子、（Ｅ）型素子、（Ｆ）型素子、（Ｇ）型素子ま
たは（Ｈ）型素子であり、さらに好ましくは、（Ａ）型
素子、（Ｃ）型素子、（Ｆ）型素子または（Ｈ）型素子
である。

【００２５】本発明の有機電界発光素子としては、例え
ば、（図１）に示す（Ａ）陽極／正孔注入輸送層／発光
層／電子注入輸送層／陰極型素子について説明する。
（図１）において、１は基板、２は陽極、３は正孔注入
輸送層、４は発光層、５は電子注入輸送層、６は陰極、
７は電源を示す。

【００２６】本発明の有機電界発光素子は、基板１に支
持されていることが好ましく、基板としては、特に限定
するものではないが、透明ないし半透明であることが好
ましく、例えば、ガラス板、透明プラスチックシート
（例えば、ポリエステル、ポリカーボネート、ポリスル
フォン、ポリメチルメタクリレート、ポリプロピレン、
ポリエチレンなどのシート）、半透明プラスチックシー
ト、石英、透明セラミックスあるいはこれらを組み合わ
せた複合シートからなるものを挙げることができる。さ
らに、基板に、例えば、カラーフィルター膜、色変換
膜、誘電体反射膜を組み合わせて、発光色をコントロー
ルすることもできる。

【００２７】陽極２としては、比較的仕事関数の大きい
金属、合金または電気電導性化合物を電極物質として使
用することが好ましい。陽極に使用する電極物質として
は、例えば、金、白金、銀、銅、コバルト、ニッケル、
パラジウム、バナジウム、タングステン、酸化錫、酸化
亜鉛、ＩＴＯ（インジウム・ティン・オキサイド）、ポ
リチオフェン、ポリピロールなどを挙げることができ
る。これらの電極物質は、単独で使用してもよく、ある
いは複数併用してもよい。陽極は、これらの電極物質
を、例えば、蒸着法、スパッタリング法等の方法によ
り、基板の上に形成することができる。また、陽極は一
層構造であってもよく、あるいは多層構造であってもよ
い。陽極のシート電気抵抗は、好ましくは、数百Ω／□
以下、より好ましくは、５〜５０Ω／□程度に設定す
る。陽極の厚みは、使用する電極物質の材料にもよる
が、一般に、５〜１０００ｎｍ程度、より好ましくは、
１０〜５００ｎｍ程度に設定する。

【００２８】正孔注入輸送層３は、陽極からの正孔（ホ
ール）の注入を容易にする機能、および注入された正孔
を輸送する機能を有する化合物を含有する層である。正
孔注入輸送層は、ベンゾフルオランテン誘導体および／
または他の正孔注入輸送機能を有する化合物（例えば、
フタロシアニン誘導体、トリアリールメタン誘導体、ト
リアリールアミン誘導体、オキサゾール誘導体、ヒドラ
ゾン誘導体、スチルベン誘導体、ピラゾリン誘導体、ポ
リシラン誘導体、ポリフェニレンビニレンおよびその誘
導体、ポリチオフェンおよびその誘導体、ポリ−Ｎ−ビ
ニルカルバゾール誘導体など）を少なくとも１種用いて
形成することができる。尚、正孔注入輸送機能を有する
化合物は、単独で使用してもよく、あるいは複数併用し
てもよい。

【００２９】本発明において用いる他の正孔注入輸送機
能を有する化合物としては、トリアリールアミン誘導体
（例えば、４，４’−ビス〔Ｎ−フェニル−Ｎ−（４”
−メチルフェニル）アミノ〕ビフェニル、４，４’−ビ
ス〔Ｎ−フェニル−Ｎ−（３”−メチルフェニル）アミ
ノ〕ビフェニル、４，４’−ビス〔Ｎ−フェニル−Ｎ−
（３”−メトキシフェニル）アミノ〕ビフェニル、４，
４’−ビス〔Ｎ−フェニル−Ｎ−（１”−ナフチル）ア
ミノ〕ビフェニル、３，３’−ジメチル−４，４’−ビ
ス〔Ｎ−フェニル−Ｎ−（３”−メチルフェニル）アミ
ノ〕ビフェニル、１，１−ビス〔４’−[ Ｎ，Ｎ−ジ
（４”−メチルフェニル）アミノ] フェニル〕シクロヘ
キサン、９，１０−ビス〔Ｎ−（４’−メチルフェニ
ル）−Ｎ−（４”−ｎ−ブチルフェニル）アミノ〕フェ
ナントレン、３，８−ビス（Ｎ，Ｎ−ジフェニルアミ
ノ）−６−フェニルフェナントリジン、４−メチル−
Ｎ，Ｎ−ビス〔４”，４"'−ビス[ Ｎ’，Ｎ’−ジ（４
−メチルフェニル）アミノ] ビフェニル−４−イル〕ア
ニリン、Ｎ，Ｎ’−ビス〔４−（ジフェニルアミノ）フ
ェニル〕−Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−１，３−ジアミノベ
ンゼン、Ｎ，Ｎ’−ビス〔４−（ジフェニルアミノ）フ
ェニル〕−Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−１，４−ジアミノベ
ンゼン、５，５”−ビス〔４−（ビス[ ４−メチルフェ
ニル] アミノ）フェニル〕−２，２’：５’，２”−タ
ーチオフェン、１，３，５−トリス（ジフェニルアミ
ノ）ベンゼン、４，４’，４”−トリス（Ｎ−カルバゾ
リル）トリフェニルアミン、４，４’，４”−トリス
〔Ｎ−（３"'−メチルフェニル）−Ｎ−フェニルアミ
ノ〕トリフェニルアミン、１，３，５−トリス〔Ｎ−
（４’−ジフェニルアミノフェニル）フェニルアミノ〕
ベンゼンなど）、ポリチオフェンおよびその誘導体、ポ
リ−Ｎ−ビニルカルバゾール誘導体がより好ましい。ベ
ンゾフルオランテン誘導体と他の正孔注入輸送機能を有
する化合物を併用する場合、正孔注入輸送層中に占める
本発明に係る化合物Ａの割合は、好ましくは、０．１〜
４０重量％程度に調製する。

【００３０】発光層４は、正孔および電子の注入機能、
それらの輸送機能、正孔と電子の再結合により励起子を
生成させる機能を有する化合物を含有する層である。発
光層は、ベンゾフルオランテン誘導体および／または他
の発光機能を有する蛍光性化合物（例えば、アクリドン
誘導体、キナクリドン誘導体、多環芳香族化合物〔例え
ば、ルブレン、アントラセン、テトラセン、ピレン、ペ
リレン、クリセン、デカシクレン、コロネン、テトラフ
ェニルシクロペンタジエン、ペンタフェニルシクロペン
タジエン、９，１０−ジフェニルアントラセン、９，１
０−ビス（フェニルエチニル）アントラセン、１，４−
ビス（９’−エチニルアントラセニル）ベンゼン、４，
４’−ビス（９”−エチニルアントラセニル）ビフェニ
ル〕、トリアリールアミン誘導体〔例えば、正孔注入輸
送機能を有する化合物として前述した化合物を挙げるこ
とができる〕、有機金属錯体〔例えば、トリス（８−キ
ノリノラート）アルミニウム、ビス（１０−ベンゾ[h]
キノリノラート）ベリリウム、２−（２’−ヒドロキシ
フェニル）ベンゾオキサゾールの亜鉛塩、２−（２’−
ヒドロキシフェニル）ベンゾチアゾールの亜鉛塩、４−
ヒドロキシアクリジンの亜鉛塩、３−ヒドロキシフラボ
ンの亜鉛塩、５−ヒドロキシフラボンのベリリウム塩、
５−ヒドロキシフラボンのアルミニウム塩〕、スチルベ
ン誘導体〔例えば、１，１，４，４−テトラフェニル−
１，３−ブタジエン、４，４’−ビス（２，２−ジフェ
ニルビニル）ビフェニル〕、クマリン誘導体〔例えば、
クマリン１、クマリン６、クマリン７、クマリン３０、
クマリン１０６、クマリン１３８、クマリン１５１、ク
マリン１５２、クマリン１５３、クマリン３０７、クマ
リン３１１、クマリン３１４、クマリン３３４、クマリ
ン３３８、クマリン３４３、クマリン５００〕、ピラン
誘導体〔例えば、ＤＣＭ１、ＤＣＭ２〕、オキサゾン誘
導体〔例えば、ナイルレッド〕、ベンゾチアゾール誘導
体、ベンゾオキサゾール誘導体、ベンゾイミダゾール誘
導体、ピラジン誘導体、ケイ皮酸エステル誘導体、ポリ
−Ｎ−ビニルカルバゾールおよびその誘導体、ポリチオ
フェンおよびその誘導体、ポリフェニレンおよびその誘
導体、ポリフルオレンおよびその誘導体、ポリフェニレ
ンビニレンおよびその誘導体、ポリビフェニレンビニレ
ンおよびその誘導体、ポリターフェニレンビニレンおよ
びその誘導体、ポリナフチレンビニレンおよびその誘導
体、ポリチエニレンビニレンおよびその誘導体など）を
少なくとも１種用いて形成することができる。本発明の
有機電界発光素子においては、発光層にベンゾフルオラ
ンテン誘導体を含有していることが好ましい。ベンゾフ
ルオランテン誘導体と他の発光機能を有する化合物を併
用する場合、発光層中に占めるベンゾフルオランテン誘
導体の割合は、好ましくは、０．００１〜９９．９９９
重量％程度、より好ましくは、０．０１〜９９．９９重
量％程度、さらに好ましくは、０．１〜９９．９重量％
程度に調製する。

【００３１】本発明において用いる他の発光機能を有す
る化合物としては、発光性有機金属錯体がより好まし
い。例えば、J. Appl. Phys., 65、3610 (1989) 、特開
平５−２１４３３２号公報に記載のように、発光層をホ
スト化合物とゲスト化合物（ドーパント）とより構成す
ることもできる。ベンゾフルオランテン誘導体を、ホス
ト化合物として用いて発光層を形成することができ、さ
らには、ゲスト化合物として用いて発光層を形成するこ
ともできる。ベンゾフルオランテン誘導体を、ゲスト化
合物として用いて発光層を形成する場合、ホスト化合物
としては、発光性有機金属錯体が好ましい。この場合、
発光性有機金属錯体に対して、ベンゾフルオランテン誘
導体を、好ましくは、０．００１〜４０重量％程度、よ
り好ましくは、０．０１〜３０重量％程度、特に好まし
くは、０．１〜１０重量％程度使用する。

【００３２】ベンゾフルオランテン誘導体と併用する発
光性有機金属錯体としては、特に限定するものではない
が、発光性有機アルミニウム錯体が好ましく、置換また
は未置換の８−キノリノラート配位子を有する発光性有
機アルミニウム錯体がより好ましい。好ましい発光性有
機金属錯体としては、例えば、一般式（ａ）〜一般式
（ｃ）で表される発光性有機アルミニウム錯体を挙げる
ことができる。 （Ｑ）₃ −Ａｌ （ａ） （式中、Ｑは置換または未置換の８−キノリノラート配
位子を表す） （Ｑ）₂ −Ａｌ−Ｏ−Ｌ （ｂ） （式中、Ｑは置換８−キノリノラート配位子を表し、Ｏ
−Ｌはフェノラート配位子であり、Ｌはフェニル部分を
含む炭素数６〜２４の炭化水素基を表す） （Ｑ）₂ −Ａｌ−Ｏ−Ａｌ−（Ｑ）₂ （ｃ） （式中、Ｑは置換８−キノリノラート配位子を表す）

【００３３】発光性有機金属錯体の具体例としては、例
えば、トリス（８−キノリノラート）アルミニウム、ト
リス（４−メチル−８−キノリノラート）アルミニウ
ム、トリス（５−メチル−８−キノリノラート）アルミ
ニウム、トリス（３，４−ジメチル−８−キノリノラー
ト）アルミニウム、トリス（４，５−ジメチル−８−キ
ノリノラート）アルミニウム、トリス（４，６−ジメチ
ル−８−キノリノラート）アルミニウム、ビス（２−メ
チル−８−キノリノラート）（フェノラート）アルミニ
ウム、ビス（２−メチル−８−キノリノラート）（２−
メチルフェノラート）アルミニウム、ビス（２−メチル
−８−キノリノラート）（３−メチルフェノラート）ア
ルミニウム、ビス（２−メチル−８−キノリノラート）
（４−メチルフェノラート）アルミニウム、ビス（２−
メチル−８−キノリノラート）（２−フェニルフェノラ
ート）アルミニウム、ビス（２−メチル−８−キノリノ
ラート）（３−フェニルフェノラート）アルミニウム、

【００３４】ビス（２−メチル−８−キノリノラート）
（４−フェニルフェノラート）アルミニウム、ビス（２
−メチル−８−キノリノラート）（２，３−ジメチルフ
ェノラート）アルミニウム、ビス（２−メチル−８−キ
ノリノラート）（２，６−ジメチルフェノラート）アル
ミニウム、ビス（２−メチル−８−キノリノラート）
（３，４−ジメチルフェノラート）アルミニウム、ビス
（２−メチル−８−キノリノラート）（３，５−ジメチ
ルフェノラート）アルミニウム、ビス（２−メチル−８
−キノリノラート）（３，５−ジ−tert−ブチルフェノ
ラート）アルミニウム、ビス（２−メチル−８−キノリ
ノラート）（２，６−ジフェニルフェノラート）アルミ
ニウム、ビス（２−メチル−８−キノリノラート）
（２，４，６−トリフェニルフェノラート）アルミニウ
ム、ビス（２−メチル−８−キノリノラート）（２，
４，６−トリメチルフェノラート）アルミニウム、ビス
（２−メチル−８−キノリノラート）（２，４，５，６
−テトラメチルフェノラート）アルミニウム、ビス（２
−メチル−８−キノリノラート）（１−ナフトラート）
アルミニウム、ビス（２−メチル−８−キノリノラー
ト）（２−ナフトラート）アルミニウム、ビス（２，４
−ジメチル−８−キノリノラート）（２−フェニルフェ
ノラート）アルミニウム、ビス（２，４−ジメチル−８
−キノリノラート）（３−フェニルフェノラート）アル
ミニウム、ビス（２，４−ジメチル−８−キノリノラー
ト）（４−フェニルフェノラート）アルミニウム、ビス
（２，４−ジメチル−８−キノリノラート）（３，５−
ジメチルフェノラート）アルミニウム、ビス（２，４−
ジメチル−８−キノリノラート）（３，５−ジ−tert−
ブチルフェノラート）アルミニウム、

【００３５】ビス（２−メチル−８−キノリノラート）
アルミニウム−μ−オキソ−ビス（２−メチル−８−キ
ノリノラート）アルミニウム、ビス（２，４−ジメチル
−８−キノリノラート）アルミニウム−μ−オキソ−ビ
ス（２，４−ジメチル−８−キノリノラート）アルミニ
ウム、ビス（２−メチル−４−エチル−８−キノリノラ
ート）アルミニウム−μ−オキソ−ビス（２−メチル−
４−エチル−８−キノリノラート）アルミニウム、ビス
（２−メチル−４−メトキシ−８−キノリノラート）ア
ルミニウム−μ−オキソ−ビス（２−メチル−４−メト
キシ−８−キノリノラート）アルミニウム、ビス（２−
メチル−５−シアノ−８−キノリノラート）アルミニウ
ム−μ−オキソ−ビス（２−メチル−５−シアノ−８−
キノリノラート）アルミニウム、ビス（２−メチル−５
−トリフルオロメチル−８−キノリノラート）アルミニ
ウム−μ−オキソ−ビス（２−メチル−５−トリフルオ
ロメチル−８−キノリノラート）アルミニウムなどを挙
げることができる。勿論、発光性有機金属錯体は、単独
で使用してもよく、あるいは複数併用してもよい。

【００３６】電子注入輸送層５は、陰極からの電子の注
入を容易にする機能、そして注入された電子を輸送する
機能を有する化合物を含有する層である。電子注入輸送
層は、ベンゾフルオランテン誘導体および／または他の
電子注入輸送機能を有する化合物（例えば、有機金属錯
体〔例えば、トリス（８−キノリノラート）アルミニウ
ム、ビス（１０−ベンゾ[h] キノリノラート）ベリリウ
ム〕、オキサジアゾール誘導体、トリアゾール誘導体、
トリアジン誘導体、ペリレン誘導体、キノリン誘導体、
キノキサリン誘導体、ジフェニルキノン誘導体、ニトロ
置換フルオレノン誘導体、チオピランジオキサイド誘導
体など）を少なくとも１種用いて形成することができ
る。ベンゾフルオランテン誘導体と他の電子注入輸送機
能を有する化合物を併用する場合、電子注入輸送層中に
占めるベンゾフルオランテン誘導体の割合は、好ましく
は、０．１〜４０重量％程度に調製する。本発明におい
ては、ベンゾフルオランテン誘導体と有機金属錯体〔例
えば、前記一般式（ａ）〜一般式（ｃ）で表される化合
物〕を併用して、電子注入輸送層を形成することは好ま
しい。

【００３７】陰極６としては、比較的仕事関数の小さい
金属、合金または電気電導性化合物を電極物質として使
用することが好ましい。陰極に使用する電極物質として
は、例えば、リチウム、リチウム−インジウム合金、ナ
トリウム、ナトリウム−カリウム合金、カルシウム、マ
グネシウム、マグネシウム−銀合金、マグネシウム−イ
ンジウム合金、インジウム、ルテニウム、チタニウム、
マンガン、イットリウム、アルミニウム、アルミニウム
−リチウム合金、アルミニウム−カルシウム合金、アル
ミニウム−マグネシウム合金、グラファイト薄膜等を挙
げることができる。これらの電極物質は、単独で使用し
てもよく、あるいは複数併用してもよい。

【００３８】陰極は、これらの電極物質を、例えば、蒸
着法、スパッタリング法、イオン化蒸着法、イオンプレ
ーティング法、クラスターイオンビーム法等の方法によ
り、電子注入輸送層の上に形成することができる。ま
た、陰極は一層構造であってもよく、あるいは多層構造
であってもよい。尚、陰極のシート電気抵抗は、数百Ω
／□以下に設定するのが好ましい。陰極の厚みは、使用
する電極物質の材料にもよるが、一般に、５〜１０００
ｎｍ程度、より好ましくは、１０〜５００ｎｍ程度に設
定する。尚、有機電界発光素子の発光を効率よく取り出
すために、陽極または陰極の少なくとも一方の電極が、
透明ないし半透明であることが好ましく、一般に、発光
光の透過率が７０％以上となるように陽極の材料、厚み
を設定することがより好ましい。

【００３９】また、本発明の有機電界発光素子において
は、その少なくとも一層中に、一重項酸素クエンチャー
が含有されていてもよい。一重項酸素クエンチャーとし
ては、特に限定するものではなく、例えば、ルブレン、
ニッケル錯体、ジフェニルイソベンゾフランなどが挙げ
られ、特に好ましくは、ルブレンである。一重項酸素ク
エンチャーが含有されている層としては、特に限定する
ものではないが、好ましくは、発光層または正孔注入輸
送層であり、より好ましくは、正孔注入輸送層である。
尚、例えば、正孔注入輸送層に一重項酸素クエンチャー
を含有させる場合、正孔注入輸送層中に均一に含有させ
てもよく、正孔注入輸送層と隣接する層（例えば、発光
層、発光機能を有する電子注入輸送層）の近傍に含有さ
せてもよい。一重項酸素クエンチャーの含有量として
は、含有される層（例えば、正孔注入輸送層）を構成す
る全体量の０．０１〜５０重量％、好ましくは、０．０
５〜３０重量％、より好ましくは、０．１〜２０重量％
である。

【００４０】正孔注入輸送層、発光層、電子注入輸送層
の形成方法に関しては、特に限定するものではなく、例
えば、真空蒸着法、イオン化蒸着法、溶液塗布法（例え
ば、スピンコート法、キャスト法、ディップコート法、
バーコート法、ロールコート法、ラングミュア・ブロゼ
ット法など）により薄膜を形成することにより作製する
ことができる。真空蒸着法により、各層を形成する場
合、真空蒸着の条件は、特に限定するものではないが、
１０^-5Torr程度以下の真空下で、５０〜４００℃程度の
ボート温度（蒸着源温度）、−５０〜３００℃程度の基
板温度で、０．００５〜５０ｎｍ／sec 程度の蒸着速度
で実施することが好ましい。この場合、正孔注入輸送
層、発光層、電子注入輸送層等の各層は、真空下で、連
続して形成することにより、諸特性に一層優れた有機電
界発光素子を製造することができる。真空蒸着法によ
り、正孔注入輸送層、発光層、電子注入輸送層等の各層
を、複数の化合物を用いて形成する場合、化合物を入れ
た各ボートを個別に温度制御して、共蒸着することが好
ましい。

【００４１】溶液塗布法により、各層を形成する場合、
各層を形成する成分あるいはその成分とバインダー樹脂
等を、溶媒に溶解、または分散させて塗布液とする。正
孔注入輸送層、発光層、電子注入輸送層の各層に使用し
うるバインダー樹脂としては、例えば、ポリ−Ｎ−ビニ
ルカルバゾール、ポリアリレート、ポリスチレン、ポリ
エステル、ポリシロキサン、ポリメチルアクリレート、
ポリメチルメタクリレート、ポリエーテル、ポリカーボ
ネート、ポリアミド、ポリイミド、ポリアミドイミド、
ポリパラキシレン、ポリエチレン、ポリフェニレンオキ
サイド、ポリエーテルスルフォン、ポリアニリンおよび
その誘導体、ポリチオフェンおよびその誘導体、ポリフ
ェニレンビニレンおよびその誘導体、ポリフルオレンお
よびその誘導体、ポリチエニレンビニレンおよびその誘
導体等の高分子化合物が挙げられる。バインダー樹脂
は、単独で使用してもよく、あるいは複数併用してもよ
い。

【００４２】溶液塗布法により、各層を形成する場合、
各層を形成する成分あるいはその成分とバインダー樹脂
等を、適当な有機溶媒（例えば、ヘキサン、オクタン、
デカン、トルエン、キシレン、エチルベンゼン、１−メ
チルナフタレン等の炭化水素系溶媒、例えば、アセト
ン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、シ
クロヘキサノン等のケトン系溶媒、例えば、ジクロロメ
タン、クロロホルム、テトラクロロメタン、ジクロロエ
タン、トリクロロエタン、テトラクロロエタン、クロロ
ベンゼン、ジクロロベンゼン、クロロトルエン等のハロ
ゲン化炭化水素系溶媒、例えば、酢酸エチル、酢酸ブチ
ル、酢酸アミル等のエステル系溶媒、例えば、メタノー
ル、プロパノール、ブタノール、ペンタノール、ヘキサ
ノール、シクロヘキサノール、メチルセロソルブ、エチ
ルセロソルブ、エチレングリコール等のアルコール系溶
媒、例えば、ジブチルエーテル、テトラヒドロフラン、
ジオキサン、アニソール等のエーテル系溶媒、例えば、
Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセ
トアミド、１−メチル−２−ピロリドン、１，３−ジメ
チル−２−イミダゾリジノン、ジメチルスルフォキサイ
ド等の極性溶媒）および／または水に溶解、または分散
させて塗布液とし、各種の塗布法により、薄膜を形成す
ることができる。

【００４３】尚、分散する方法としては、特に限定する
ものではないが、例えば、ボールミル、サンドミル、ペ
イントシェーカー、アトライター、ホモジナイザー等を
用いて微粒子状に分散することができる。塗布液の濃度
に関しては、特に限定するものではなく、実施する塗布
法により、所望の厚みを作製するに適した濃度範囲に設
定することができ、一般には、０．１〜５０重量％程
度、好ましくは、１〜３０重量％程度の溶液濃度であ
る。尚、バインダー樹脂を使用する場合、その使用量に
関しては、特に限定するものではないが、一般には、各
層を形成する成分に対して（一層型の素子を形成する場
合には、各成分の総量に対して）、５〜９９．９重量％
程度、好ましくは、１０〜９９重量％程度、より好まし
くは、１５〜９０重量％程度に設定する。

【００４４】正孔注入輸送層、発光層、電子注入輸送層
の膜厚に関しては、特に限定するものではないが、一般
に、５ｎｍ〜５μｍ程度に設定することが好ましい。
尚、作製した素子に対し、酸素や水分等との接触を防止
する目的で、保護層（封止層）を設けたり、また素子
を、例えば、パラフィン、流動パラフィン、シリコンオ
イル、フルオロカーボン油、ゼオライト含有フルオロカ
ーボン油などの不活性物質中に封入して保護することが
できる。保護層に使用する材料としては、例えば、有機
高分子材料（例えば、フッ素化樹脂、エポキシ樹脂、シ
リコーン樹脂、エポキシシリコーン樹脂、ポリスチレ
ン、ポリエステル、ポリカーボネート、ポリアミド、ポ
リイミド、ポリアミドイミド、ポリパラキシレン、ポリ
エチレン、ポリフェニレンオキサイド）、無機材料（例
えば、ダイヤモンド薄膜、アモルファスシリカ、電気絶
縁性ガラス、金属酸化物、金属窒化物、金属炭素化物、
金属硫化物）、さらには光硬化性樹脂などを挙げること
ができ、保護層に使用する材料は、単独で使用してもよ
く、あるいは複数併用してもよい。保護層は、一層構造
であってもよく、また多層構造であってもよい。

【００４５】また、電極に保護膜として、例えば、金属
酸化膜（例えば、酸化アルミニウム膜）、金属フッ化膜
を設けることもできる。また、例えば、陽極の表面に、
例えば、有機リン化合物、ポリシラン、芳香族アミン誘
導体、フタロシアニン誘導体から成る界面層（中間層）
を設けることもできる。さらに、電極、例えば、陽極は
その表面を、例えば、酸、アンモニア／過酸化水素、あ
るいはプラズマで処理して使用することもできる。

【００４６】本発明の有機電界発光素子は、一般に、直
流駆動型の素子として使用されるが、パルス駆動型また
は交流駆動型の素子としても使用することができる。
尚、印加電圧は、一般に、２〜３０Ｖ程度である。本発
明の有機電界発光素子は、例えば、パネル型光源、各種
の発光素子、各種の表示素子、各種の標識、各種のセン
サーなどに使用することができる。

【００４７】

【実施例】以下、実施例により本発明をさらに詳細に説
明するが、勿論、本発明はこれらに限定されるものでは
ない。 実施例１ 厚さ２００ｎｍのＩＴＯ透明電極（陽極）を有するガラ
ス基板を、中性洗剤、アセトン、エタノールを用いて超
音波洗浄した。その基板を窒素ガスを用いて乾燥し、さ
らにＵＶ／オゾン洗浄した後、蒸着装置の基板ホルダー
に固定した後、蒸着槽を３×１０^-6Torrに減圧した。ま
ず、ＩＴＯ透明電極上に、４，４’−ビス〔Ｎ−フェニ
ル−Ｎ−（３”−メチルフェニル）アミノ〕ビフェニル
を、蒸着速度０．２ｎｍ／sec で７５ｎｍの厚さに蒸着
し、正孔注入輸送層とした。次いで、その上に、ビス
（２−メチル−８−キノリノラート）（４−フェニルフ
ェノラート）アルミニウムとベンゾ[k] フルオランテン
（例示化合物番号１の化合物）を、異なる蒸着源から、
蒸着速度０．２ｎｍ／sec で５０ｎｍの厚さに共蒸着
（重量比１００：０．５）し、発光層とした。次に、ト
リス（８−キノリノラート）アルミニウムを、蒸着速度
０．２ｎｍ／sec で５０ｎｍの厚さに蒸着し、電子注入
輸送層とした。さらにその上に、マグネシウムと銀を、
蒸着速度０．２ｎｍ／sec で２００ｎｍの厚さに共蒸着
（重量比１０：１）して陰極とし、有機電界発光素子を
作製した。尚、蒸着は、蒸着槽の減圧状態を保ったまま
実施した。作製した有機電界発光素子に、乾燥雰囲気
下、１２Ｖの直流電圧を印加したところ、５５ｍＡ／cm
² の電流が流れた。輝度２２５０ｃｄ／ｍ² の青色の発
光が確認された。

【００４８】実施例２〜２３ 実施例１において、発光層の形成に際して、例示化合物
番号１の化合物を使用する代わりに、例示化合物番号３
の化合物（実施例２）、例示化合物番号１２の化合物
（実施例３）、例示化合物番号１８の化合物（実施例
４）、例示化合物番号２３の化合物（実施例５）、例示
化合物番号２７の化合物（実施例６）、例示化合物番号
３１の化合物（実施例７）、例示化合物番号４１の化合
物（実施例８）、例示化合物番号４３の化合物（実施例
９）、例示化合物番号４６の化合物（実施例１０）、例
示化合物番号４７の化合物（実施例１１）、例示化合物
番号４８の化合物（実施例１２）、例示化合物番号５２
の化合物（実施例１３）、例示化合物番号５４の化合物
（実施例１４）、例示化合物番号５９の化合物（実施例
１５）、例示化合物番号６３の化合物（実施例１６）、
例示化合物番号６４の化合物（実施例１７）、例示化合
物番号６７の化合物（実施例１８）、例示化合物番号７
１の化合物（実施例１９）、例示化合物番号７５の化合
物（実施例２０）、例示化合物番号７８の化合物（実施
例２１）、例示化合物番号８１の化合物（実施例２
２）、例示化合物番号８４の化合物（実施例２３）を使
用した以外は、実施例１に記載の方法により有機電界発
光素子を作製した。それぞれの素子に、乾燥雰囲気下、
１２Ｖの直流電圧を印加したところ、青色の発光が確認
された。さらにその特性を調べ、結果を第１表（表１、
２）に示した。

【００４９】比較例１ 実施例１において、発光層の形成に際して、例示化合物
番号１の化合物を使用せずに、ビス（２−メチル−８−
キノリノラート）（４−フェニルフェノラート）アルミ
ニウムだけを用いて、５０ｎｍの厚さに蒸着し、発光層
とした以外は、実施例１に記載の方法により有機電界発
光素子を作製した。この素子に、乾燥雰囲気下、１２Ｖ
の直流電圧を印加したところ、青色の発光が確認され
た。さらにその特性を調べ、結果を第１表（表２）に示
した。

【００５０】比較例２ 実施例１において、発光層の形成に際して、例示化合物
番号１の化合物を使用する代わりに、Ｎ−メチル−２−
メトキシアクリドンを使用した以外は、実施例１に記載
の方法により有機電界発光素子を作製した。この素子
に、乾燥雰囲気下、１２Ｖの直流電圧を印加したとこ
ろ、青色の発光が確認された。さらにその特性を調べ、
結果を第１表（表２）に示した。

【００５１】

【表１】

【００５２】

【表２】

【００５３】実施例２４ 厚さ２００ｎｍのＩＴＯ透明電極（陽極）を有するガラ
ス基板を、中性洗剤、アセトン、エタノールを用いて超
音波洗浄した。その基板を窒素ガスを用いて乾燥し、さ
らにＵＶ／オゾン洗浄した後、蒸着装置の基板ホルダー
に固定した後、蒸着槽を３×１０^-6Torrに減圧した。ま
ず、ＩＴＯ透明電極上に、４，４’−ビス〔Ｎ−フェニ
ル−Ｎ−（３”−メチルフェニル）アミノ〕ビフェニル
を、蒸着速度０．２ｎｍ／sec で７５ｎｍの厚さに蒸着
し、正孔注入輸送層とした。次いで、その上に、ビス
（２−メチル−８−キノリノラート）（２−フェニルフ
ェノラート）アルミニウムと例示化合物番号５の化合物
を、異なる蒸着源から、蒸着速度０．２ｎｍ／sec で５
０ｎｍの厚さに共蒸着（重量比１００：１．０）し、発
光層とした。次に、トリス（８−キノリノラート）アル
ミニウムを、蒸着速度０．２ｎｍ／sec で５０ｎｍの厚
さに蒸着し、電子注入輸送層とした。さらにその上に、
マグネシウムと銀を、蒸着速度０．２ｎｍ／sec で２０
０ｎｍの厚さに共蒸着（重量比１０：１）して陰極と
し、有機電界発光素子を作製した。尚、蒸着は、蒸着槽
の減圧状態を保ったまま実施した。作製した有機電界発
光素子に、乾燥雰囲気下、１２Ｖの直流電圧を印加した
ところ、５８ｍＡ／cm² の電流が流れた。輝度２２７０
ｃｄ／ｍ² の青色の発光が確認された。

【００５４】実施例２５ 厚さ２００ｎｍのＩＴＯ透明電極（陽極）を有するガラ
ス基板を、中性洗剤、アセトン、エタノールを用いて超
音波洗浄した。その基板を窒素ガスを用いて乾燥し、さ
らにＵＶ／オゾン洗浄した後、蒸着装置の基板ホルダー
に固定した後、蒸着槽を３×１０^-6Torrに減圧した。ま
ず、ＩＴＯ透明電極上に、４，４’−ビス〔Ｎ−フェニ
ル−Ｎ−（３”−メチルフェニル）アミノ〕ビフェニル
を、蒸着速度０．２ｎｍ／sec で７５ｎｍの厚さに蒸着
し、正孔注入輸送層とした。次いで、その上に、ビス
（２−メチル−８−キノリノラート）アルミニウム−μ
−オキソ−ビス（２−メチル−８−キノリノラート）ア
ルミニウムと例示化合物番号２１の化合物を、異なる蒸
着源から、蒸着速度０．２ｎｍ／sec で５０ｎｍの厚さ
に共蒸着（重量比１００：２．０）し、発光層とした。
次に、トリス（８−キノリノラート）アルミニウムを、
蒸着速度０．２ｎｍ／sec で５０ｎｍの厚さに蒸着し、
電子注入輸送層とした。さらにその上に、マグネシウム
と銀を、蒸着速度０．２ｎｍ／sec で２００ｎｍの厚さ
に共蒸着（重量比１０：１）して陰極とし、有機電界発
光素子を作製した。尚、蒸着は、蒸着槽の減圧状態を保
ったまま実施した。作製した有機電界発光素子に、乾燥
雰囲気下、１２Ｖの直流電圧を印加したところ、５７ｍ
Ａ／cm² の電流が流れた。輝度２３２０ｃｄ／ｍ² の青
色の発光が確認された。

【００５５】実施例２６ 厚さ２００ｎｍのＩＴＯ透明電極（陽極）を有するガラ
ス基板を、中性洗剤、アセトン、エタノールを用いて超
音波洗浄した。その基板を窒素ガスを用いて乾燥し、さ
らにＵＶ／オゾン洗浄した後、蒸着装置の基板ホルダー
に固定した後、蒸着槽を３×１０^-6Torrに減圧した。ま
ず、ＩＴＯ透明電極上に、４，４’−ビス〔Ｎ−フェニ
ル−Ｎ−（３”−メチルフェニル）アミノ〕ビフェニル
を、蒸着速度０．２ｎｍ／sec で７５ｎｍの厚さに蒸着
し、正孔注入輸送層とした。次いで、その上に、ビス
（２，４−ジメチル−８−キノリノラート）アルミニウ
ム−μ−オキソ−ビス（２，４−ジメチル−８−キノリ
ノラート）アルミニウムと例示化合物番号３４の化合物
を、異なる蒸着源から、蒸着速度０．２ｎｍ／sec で５
０ｎｍの厚さに共蒸着（重量比１００：４．０）し、発
光層とした。次に、トリス（８−キノリノラート）アル
ミニウムを、蒸着速度０．２ｎｍ／sec で５０ｎｍの厚
さに蒸着し、電子注入輸送層とした。さらにその上に、
マグネシウムと銀を、蒸着速度０．２ｎｍ／sec で２０
０ｎｍの厚さに共蒸着（重量比１０：１）して陰極と
し、有機電界発光素子を作製した。尚、蒸着は、蒸着槽
の減圧状態を保ったまま実施した。作製した有機電界発
光素子に、乾燥雰囲気下、１２Ｖの直流電圧を印加した
ところ、６０ｍＡ／cm² の電流が流れた。輝度２１３０
ｃｄ／ｍ² の青色の発光が確認された。

【００５６】実施例２７ 厚さ２００ｎｍのＩＴＯ透明電極（陽極）を有するガラ
ス基板を、中性洗剤、アセトン、エタノールを用いて超
音波洗浄した。その基板を窒素ガスを用いて乾燥し、さ
らにＵＶ／オゾン洗浄した後、蒸着装置の基板ホルダー
に固定した後、蒸着槽を３×１０^-6Torrに減圧した。ま
ず、ＩＴＯ透明電極上に、４，４’−ビス〔Ｎ−フェニ
ル−Ｎ−（３”−メチルフェニル）アミノ〕ビフェニル
を、蒸着速度０．２ｎｍ／sec で７５ｎｍの厚さに蒸着
し、正孔注入輸送層とした。次いで、その上に、ビス
（２−メチル−８−キノリノラート）（４−フェニルフ
ェノラート）アルミニウムと例示化合物番号５１の化合
物を、異なる蒸着源から、蒸着速度０．２ｎｍ／sec で
５０ｎｍの厚さに共蒸着（重量比１００：１．０）し、
発光層とした。次に、トリス（８−キノリノラート）ア
ルミニウムを、蒸着速度０．２ｎｍ／sec で５０ｎｍの
厚さに蒸着し、電子注入輸送層とした。さらにその上
に、マグネシウムと銀を、蒸着速度０．２ｎｍ／sec で
２００ｎｍの厚さに共蒸着（重量比１０：１）して陰極
とし、有機電界発光素子を作製した。尚、蒸着は、蒸着
槽の減圧状態を保ったまま実施した。作製した有機電界
発光素子に、乾燥雰囲気下、１２Ｖの直流電圧を印加し
たところ、５８ｍＡ／cm² の電流が流れた。輝度１９７
０ｃｄ／ｍ² の青色の発光が確認された。

【００５７】実施例２８ 厚さ２００ｎｍのＩＴＯ透明電極（陽極）を有するガラ
ス基板を、中性洗剤、アセトン、エタノールを用いて超
音波洗浄した。その基板を窒素ガスを用いて乾燥し、さ
らにＵＶ／オゾン洗浄した後、蒸着装置の基板ホルダー
に固定した後、蒸着槽を３×１０^-6Torrに減圧した。ま
ず、ＩＴＯ透明電極上に、４，４’−ビス〔Ｎ−フェニ
ル−Ｎ−（３”−メチルフェニル）アミノ〕ビフェニル
を、蒸着速度０．２ｎｍ／sec で７５ｎｍの厚さに蒸着
し、正孔注入輸送層とした。次いで、その上に、例示化
合物番号５６の化合物を、蒸着速度０．２ｎｍ／secで
５０ｎｍの厚さに蒸着し、発光層とした。次いで、その
上に、１，３−ビス〔５’−（ｐ−tert−ブチルフェニ
ル）−１，３，４−オキサジアゾール−２’−イル〕ベ
ンゼンを、蒸着速度０．２ｎｍ／sec で５０ｎｍの厚さ
に蒸着し、電子注入輸送層とした。さらにその上に、マ
グネシウムと銀を、蒸着速度０．２ｎｍ／sec で２００
ｎｍの厚さに共蒸着（重量比１０：１）して陰極とし、
有機電界発光素子を作製した。尚、蒸着は、蒸着槽の減
圧状態を保ったまま実施した。作製した有機電界発光素
子に、乾燥雰囲気下、１４Ｖの直流電圧を印加したとこ
ろ、４８ｍＡ／cm² の電流が流れた。輝度１７４０ｃｄ
／ｍ² の青色の発光が確認された。

【００５８】実施例２９ 厚さ２００ｎｍのＩＴＯ透明電極（陽極）を有するガラ
ス基板を、中性洗剤、アセトン、エタノールを用いて超
音波洗浄した。その基板を窒素ガスを用いて乾燥し、さ
らにＵＶ／オゾン洗浄した後、蒸着装置の基板ホルダー
に固定した後、蒸着槽を３×１０^-6Torrに減圧した。ま
ず、ＩＴＯ透明電極上に、例示化合物番号４９の化合物
を、蒸着速度０．２ｎｍ／sec で５５ｎｍの厚さに蒸着
し、発光層とした。次いで、その上に、１，３−ビス
〔５’−（ｐ−tert−ブチルフェニル）−１，３，４−
オキサジアゾール−２’−イル〕ベンゼンを、蒸着速度
０．２ｎｍ／sec で７５ｎｍの厚さに蒸着し、電子注入
輸送層とした。さらにその上に、マグネシウムと銀を、
蒸着速度０．２ｎｍ／sec で２００ｎｍの厚さに共蒸着
（重量比１０：１）して陰極とし、有機電界発光素子を
作製した。尚、蒸着は、蒸着槽の減圧状態を保ったまま
実施した。作製した有機電界発光素子に、乾燥雰囲気
下、１５Ｖの直流電圧を印加したところ、６８ｍＡ／cm
² の電流が流れた。輝度１１５０ｃｄ／ｍ² の青色の発
光が確認された。

【００５９】実施例３０ 厚さ２００ｎｍのＩＴＯ透明電極（陽極）を有するガラ
ス基板を、中性洗剤、アセトン、エタノールを用いて超
音波洗浄した。その基板を窒素ガスを用いて乾燥し、さ
らにＵＶ／オゾン洗浄した。次に、ＩＴＯ透明電極上
に、ポリ−Ｎ−ビニルカルバゾール（重量平均分子量１
５００００）、例示化合物番号５３の化合物、クマリン
６〔”３−（２’−ベンゾチアゾリル）−７−ジエチル
アミノクマリン”（緑色の発光成分）〕、およびＤＣＭ
１〔”４−（ジシアノメチレン）−２−メチル−６−
（４’−ジメチルアミノスチリル）−４Ｈ−ピラン”
（オレンジ色の発光成分）〕を、それぞれ重量比１０
０：５：３：２の割合で含有する３重量％ジクロロエタ
ン溶液を用いて、ディップコート法により、４００ｎｍ
の発光層を形成した。次に、この発光層を有するガラス
基板を、蒸着装置の基板ホルダーに固定した後、蒸着槽
を３×１０^-6Torrに減圧した。さらに、発光層の上に、
３−（４’−tert−ブチルフェニル）−４−フェニル−
−５−（４”−ビフェニル）−１，２，４−トリアゾー
ルを、蒸着速度０．２ｎｍ／sec で２０ｎｍの厚さに蒸
着した後、さらにその上に、トリス（８−キノリノラー
ト）アルミニウムを、蒸着速度０．２ｎｍ／sec で３０
ｎｍの厚さに蒸着し電子注入輸送層とした。さらにその
上に、マグネシウムと銀を、蒸着速度０．２ｎｍ／sec
で２００ｎｍの厚さに共蒸着（重量比１０：１）して陰
極とし、有機電界発光素子を作製した。作製した有機電
界発光素子に、乾燥雰囲気下、１２Ｖの直流電圧を印加
したところ、７４ｍＡ／cm² の電流が流れた。輝度１０
２０ｃｄ／ｍ² の白色の発光が確認された。

【００６０】実施例３１ 厚さ２００ｎｍのＩＴＯ透明電極（陽極）を有するガラ
ス基板を、中性洗剤、アセトン、エタノールを用いて超
音波洗浄した。その基板を窒素ガスを用いて乾燥し、さ
らにＵＶ／オゾン洗浄した。次に、ＩＴＯ透明電極上
に、ポリ−Ｎ−ビニルカルバゾール（重量平均分子量１
５００００）、１，３−ビス〔５’−（ｐ−tert−ブチ
ルフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール−２’−
イル〕ベンゼンおよび例示化合物番号６４の化合物を、
それぞれ重量比１００：３０：３の割合で含有する３重
量％ジクロロエタン溶液を用いて、ディップコート法に
より、３００ｎｍの発光層を形成した。次に、この発光
層を有するガラス基板を、蒸着装置の基板ホルダーに固
定した後、蒸着槽を３×１０^-6Torrに減圧した。さら
に、発光層の上に、マグネシウムと銀を、蒸着速度０．
２ｎｍ／sec で２００ｎｍの厚さに共蒸着（重量比１
０：１）して陰極とし、有機電界発光素子を作製した。
作製した有機電界発光素子に、乾燥雰囲気下、１５Ｖの
直流電圧を印加したところ、７６ｍＡ／cm² の電流が流
れた。輝度１１２０ｃｄ／ｍ² の青色の発光が確認され
た。

【００６１】比較例３ 実施例３１において、発光層の形成に際して、例示化合
物番号６４の化合物の代わりに、１，１，４，４−テト
ラフェニル−１，３−ブタジエンを使用した以外は、実
施例３１に記載の方法により有機電界発光素子を作製し
た。作製した有機電界素子に、乾燥雰囲気下、１５Ｖの
直流電圧を印加したところ、８６ｍＡ／cm² の電流が流
れた。輝度６８０ｃｄ／ｍ² の青色の発光が確認され
た。

【００６２】実施例３２ 厚さ２００ｎｍのＩＴＯ透明電極（陽極）を有するガラ
ス基板を、中性洗剤、アセトン、エタノールを用いて超
音波洗浄した。その基板を窒素ガスを用いて乾燥し、さ
らにＵＶ／オゾン洗浄した。次に、ＩＴＯ透明電極上
に、ポリカーボネート（重量平均分子量５００００）、
４，４’−ビス〔Ｎ−フェニル−Ｎ−（３”−メチルフ
ェニル）アミノ〕ビフェニル、ビス（２−メチル−８−
キノリノラート）アルミニウム−μ−オキソ−ビス（２
−メチル−８−キノリノラート）アルミニウムおよび例
示化合物番号５０の化合物を、それぞれ重量比１００：
４０：６０：１の割合で含有する３重量％ジクロロエタ
ン溶液を用いて、ディップコート法により、３００ｎｍ
の発光層を形成した。次に、この発光層を有するガラス
基板を、蒸着装置の基板ホルダーに固定した後、蒸着槽
を３×１０^-6Torrに減圧した。さらに、発光層の上に、
マグネシウムと銀を、蒸着速度０．２ｎｍ／sec で２０
０ｎｍの厚さに共蒸着（重量比１０：１）して陰極と
し、有機電界発光素子を作製した。作製した有機電界発
光素子に、乾燥雰囲気下、１５Ｖの直流電圧を印加した
ところ、６６ｍＡ／cm² の電流が流れた。輝度７５０ｃ
ｄ／ｍ² の青色の発光が確認された。

【００６３】

【発明の効果】本発明により、発光輝度が優れた有機電
界発光素子を提供することが可能になった。

【図面の簡単な説明】

【図１】有機電界発光素子の一例の概略構造図である。

【図２】有機電界発光素子の一例の概略構造図である。

【図３】有機電界発光素子の一例の概略構造図である。

【図４】有機電界発光素子の一例の概略構造図である。

【図５】有機電界発光素子の一例の概略構造図である。

【図６】有機電界発光素子の一例の概略構造図である。

【図７】有機電界発光素子の一例の概略構造図である。

【図８】有機電界発光素子の一例の概略構造図である。

【符号の説明】 １ 基板 ２ 陽極 ３ 正孔注入輸送層 ３ａ 正孔注入輸送成分 ４ 発光層 ４ａ 発光成分 ５ 電子注入輸送層 ５” 電子注入輸送層 ５ａ 電子注入輸送成分 ６ 陰極 ７ 電源

Claims (7)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 一対の電極間に、ベンゾフルオランテン
   誘導体を少なくとも１種含有する層を少なくとも一層挟
   持してなる有機電界発光素子。
2. 【請求項２】 ベンゾフルオランテン誘導体を含有する
   層が、発光層である請求項１記載の有機電界発光素子。
3. 【請求項３】 ベンゾフルオランテン誘導体を含有する
   層に、さらに、発光性有機金属錯体を含有する請求項１
   または２記載の有機電界発光素子。
4. 【請求項４】 一対の電極間に、さらに、正孔注入輸送
   層を有する請求項１〜３のいずれかに記載の有機電界発
   光素子。
5. 【請求項５】 一対の電極間に、さらに、電子注入輸送
   層を有する請求項１〜４のいずれかに記載の有機電界発
   光素子。
6. 【請求項６】 ベンゾフルオランテン誘導体がベンゾ
   [k] フルオランテン誘導体またはベンゾ[b] フルオラン
   テン誘導体である請求項１〜５のいずれかに記載の有機
   電界発光素子。
7. 【請求項７】 ベンゾフルオランテン誘導体が一般式
   （１）（化１）または一般式（２）（化２）で表される
   化合物である請求項１〜６のいずれかに記載の有機電界
   発光素子。 【化１】 （式中、Ｘ₁ 〜Ｘ₁₂は水素原子、ハロゲン原子、直鎖、
   分岐または環状のアルキル基、直鎖、分岐または環状の
   アルコキシ基、あるいは置換または未置換のアリール基
   を表す） 【化２】 （式中、Ｘ₂₁〜Ｘ₃₂は水素原子、ハロゲン原子、直鎖、
   分岐または環状のアルキル基、直鎖、分岐または環状の
   アルコキシ基、あるいは置換または未置換のアリール基
   を表す）