JPH10193152A - レーザ加工装置 - Google Patents
レーザ加工装置Info
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- JPH10193152A JPH10193152A JP9001420A JP142097A JPH10193152A JP H10193152 A JPH10193152 A JP H10193152A JP 9001420 A JP9001420 A JP 9001420A JP 142097 A JP142097 A JP 142097A JP H10193152 A JPH10193152 A JP H10193152A
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- signal
- light
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Abstract
(57)【要約】
【課題】加工位置のバラツキや、レーザ加工に伴って被
加工物表面や側面に付着する溶融飛散物に基づいて、誤
ったレーザ加工が施されることを防止できるようにす
る。 【解決手段】XYテーブル21に取り付けたエンコーダ
21aからの移動量信号Mのパルス数に応じたタイミン
グでレーザ光の発振を制御する。また、検出用光源12
2からの検出光を利用して被加工物の有無を検出し、対
応する検出信号P1を発生させる。そして、比較・タイ
ミング回路242で、移動量信号Mの所定のパルス数に
対応する時間に誤差を加味した範囲内に、上記P1の立
ち上がり間隔が収まっているかを判断し、その結果に応
じて次のダムバーのレーザ切断用トリガ発生の基になる
移動量信号Mのカウント開始タイミングを制御する。
加工物表面や側面に付着する溶融飛散物に基づいて、誤
ったレーザ加工が施されることを防止できるようにす
る。 【解決手段】XYテーブル21に取り付けたエンコーダ
21aからの移動量信号Mのパルス数に応じたタイミン
グでレーザ光の発振を制御する。また、検出用光源12
2からの検出光を利用して被加工物の有無を検出し、対
応する検出信号P1を発生させる。そして、比較・タイ
ミング回路242で、移動量信号Mの所定のパルス数に
対応する時間に誤差を加味した範囲内に、上記P1の立
ち上がり間隔が収まっているかを判断し、その結果に応
じて次のダムバーのレーザ切断用トリガ発生の基になる
移動量信号Mのカウント開始タイミングを制御する。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、所望の加工位置を
高速で加工することができるレーザ加工装置に係わり、
特に、半導体装置のダムバーの切断除去等に好適なレー
ザ加工装置に関する。
高速で加工することができるレーザ加工装置に係わり、
特に、半導体装置のダムバーの切断除去等に好適なレー
ザ加工装置に関する。
【0002】
【従来の技術】パルス状のレーザ光を利用した加工とし
ては、切断、穴あけ、溶接等の加工方法が機械、電子、
半導体装置などの多方面の分野の製造過程で利用されて
いる。そのうち、半導体装置のダムバーの切断除去等に
好適なレーザ加工装置またはレーザ加工方法に関する従
来技術として、特開平5−277765号公報及び特開
平6−142968号公報に記載のものがある。
ては、切断、穴あけ、溶接等の加工方法が機械、電子、
半導体装置などの多方面の分野の製造過程で利用されて
いる。そのうち、半導体装置のダムバーの切断除去等に
好適なレーザ加工装置またはレーザ加工方法に関する従
来技術として、特開平5−277765号公報及び特開
平6−142968号公報に記載のものがある。
【0003】特開平5−277765号公報に記載の従
来技術(以下、第1の従来技術という)では、加工テー
ブルの移動量を計測し、この加工テーブルの移動量とパ
ルス状のレーザ光の発振とを、レーザ光発振に要する時
間を考慮して同期させ、それにより目標とする加工位置
(この場合は半導体装置のダムバー)にレーザ光を照射
して加工を行なう。ここでは、除去すべきダムバー位置
を予めメインコントローラなどにプログラムとして登録
しておく。
来技術(以下、第1の従来技術という)では、加工テー
ブルの移動量を計測し、この加工テーブルの移動量とパ
ルス状のレーザ光の発振とを、レーザ光発振に要する時
間を考慮して同期させ、それにより目標とする加工位置
(この場合は半導体装置のダムバー)にレーザ光を照射
して加工を行なう。ここでは、除去すべきダムバー位置
を予めメインコントローラなどにプログラムとして登録
しておく。
【0004】また、特開平6−142968号公報に記
載の従来技術(以下、第2の従来技術という)は、加工
光学系の光軸とほぼ同軸上に配置した検出光学系(光検
出手段)において被加工物における材料の有無、即ちダ
ムバー近傍のリードの配列状態を光の明暗の切り替わり
をもとに光学的に検出し、その検出信号を矩形化し、さ
らにその矩形化した信号に一定の遅延時間を与え、遅延
時間を与えた信号に基づいてパルスレーザ光の発振を制
御するものである。つまり、この方式で半導体装置のダ
ムバーの切断を行う場合には、リードの配列状態を直接
視覚的に検出し、そのデータを利用してパルスレーザ光
の照射を即座に行う。これによって、レーザ光の光軸
(以下、レーザ光軸という)を被加工物に対して移動さ
せるだけで、順次ダムバーが切断され、確実かつ高速に
加工が行える。
載の従来技術(以下、第2の従来技術という)は、加工
光学系の光軸とほぼ同軸上に配置した検出光学系(光検
出手段)において被加工物における材料の有無、即ちダ
ムバー近傍のリードの配列状態を光の明暗の切り替わり
をもとに光学的に検出し、その検出信号を矩形化し、さ
らにその矩形化した信号に一定の遅延時間を与え、遅延
時間を与えた信号に基づいてパルスレーザ光の発振を制
御するものである。つまり、この方式で半導体装置のダ
ムバーの切断を行う場合には、リードの配列状態を直接
視覚的に検出し、そのデータを利用してパルスレーザ光
の照射を即座に行う。これによって、レーザ光の光軸
(以下、レーザ光軸という)を被加工物に対して移動さ
せるだけで、順次ダムバーが切断され、確実かつ高速に
加工が行える。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】第1の従来技術によれ
ば、レーザ光発振に要する時間を考慮して、加工テーブ
ルの移動量とパルス状のレーザ光の発振とを同期させる
ため、目標とする加工位置に高速かつ確実にレーザ光を
照射することができる。半導体装置においては、一般的
にピン(リード部)は等ピッチであるが、リードフレー
ムの製造誤差、樹脂でモールドする時の温度履歴による
歪み、ハンドリングによる外力その他の原因によって変
形することが多く、ダムバーの切断除去時には必ずしも
等ピッチになっていない場合がよくある。実際には隣接
するリードのピッチのばらつきは数μm程度であるが、
パッケージの各辺にはリードが数十本程度配列されてい
るためにトータルでのリードの位置ずれ量は数百μmに
もなってくる。第1の従来技術では、除去すべきダムバ
ー位置を予め登録しておくことになっているが、このよ
うな方式では上記のようなリードが等ピッチになってい
ないことには対応できず、さらに製造誤差や変形等が累
積して誤差が増大するような最悪の場合には、残してお
くべきリードフレームの一部分にダメージを与える可能
性さえある。
ば、レーザ光発振に要する時間を考慮して、加工テーブ
ルの移動量とパルス状のレーザ光の発振とを同期させる
ため、目標とする加工位置に高速かつ確実にレーザ光を
照射することができる。半導体装置においては、一般的
にピン(リード部)は等ピッチであるが、リードフレー
ムの製造誤差、樹脂でモールドする時の温度履歴による
歪み、ハンドリングによる外力その他の原因によって変
形することが多く、ダムバーの切断除去時には必ずしも
等ピッチになっていない場合がよくある。実際には隣接
するリードのピッチのばらつきは数μm程度であるが、
パッケージの各辺にはリードが数十本程度配列されてい
るためにトータルでのリードの位置ずれ量は数百μmに
もなってくる。第1の従来技術では、除去すべきダムバ
ー位置を予め登録しておくことになっているが、このよ
うな方式では上記のようなリードが等ピッチになってい
ないことには対応できず、さらに製造誤差や変形等が累
積して誤差が増大するような最悪の場合には、残してお
くべきリードフレームの一部分にダメージを与える可能
性さえある。
【0006】これに対し第2の従来技術によれば、加工
位置が等間隔であるのみならず等間隔でない場合にも所
望の加工位置を高速で加工することが出来るため、前述
のようにピンが等ピッチでなく不規則な配列になってい
る場合にもある程度対応できる。しかしながら、レーザ
加工時にはリード表面及びその側面にレーザ加工出生じ
る溶融飛散物(スパッタ)が付着するため、第2の従来
技術をダムバーの除去に応用する場合、リード部表面に
付着した溶融飛散物によって検出光の反射光が散乱さ
れ、リード部からの反射光量が減少し、あたかも検出位
置がリード部のエッジを通過した(リード部の存在しな
いスリット部に突入した)と誤認してしまい、その誤認
した検出光を基に加工用のパルスレーザ光を誤照射して
しまう可能性がある。つまり、溶融付着物に起因して変
化した検出信号のレベルが、矩形波信号発生(二値化)
のためのしきい値レベルよりも大きい場合には問題ない
が、しきい値レベルよりも小さくなる場合には、出力さ
れる矩形波信号はリード部のエッジ部だけでなくリード
部表面および側面に付着した溶融飛散物にも同期して発
生してしまう(誤検出してしまう)ため、この誤検出し
た矩形波信号によってもパルスレーザ光が発振(誤発
振)されてしまう。この誤発振によって所定のレーザ加
工位置以外の誤った位置にも誤照射が行われてレーザ加
工が施されてしまうという不具合が生じる。さらに、リ
ード部側面に付着した溶融飛散物によって検出光が反射
され、リード部でない位置を基準としてレーザ光を誤照
射してしまうという可能性もある。
位置が等間隔であるのみならず等間隔でない場合にも所
望の加工位置を高速で加工することが出来るため、前述
のようにピンが等ピッチでなく不規則な配列になってい
る場合にもある程度対応できる。しかしながら、レーザ
加工時にはリード表面及びその側面にレーザ加工出生じ
る溶融飛散物(スパッタ)が付着するため、第2の従来
技術をダムバーの除去に応用する場合、リード部表面に
付着した溶融飛散物によって検出光の反射光が散乱さ
れ、リード部からの反射光量が減少し、あたかも検出位
置がリード部のエッジを通過した(リード部の存在しな
いスリット部に突入した)と誤認してしまい、その誤認
した検出光を基に加工用のパルスレーザ光を誤照射して
しまう可能性がある。つまり、溶融付着物に起因して変
化した検出信号のレベルが、矩形波信号発生(二値化)
のためのしきい値レベルよりも大きい場合には問題ない
が、しきい値レベルよりも小さくなる場合には、出力さ
れる矩形波信号はリード部のエッジ部だけでなくリード
部表面および側面に付着した溶融飛散物にも同期して発
生してしまう(誤検出してしまう)ため、この誤検出し
た矩形波信号によってもパルスレーザ光が発振(誤発
振)されてしまう。この誤発振によって所定のレーザ加
工位置以外の誤った位置にも誤照射が行われてレーザ加
工が施されてしまうという不具合が生じる。さらに、リ
ード部側面に付着した溶融飛散物によって検出光が反射
され、リード部でない位置を基準としてレーザ光を誤照
射してしまうという可能性もある。
【0007】本発明の目的は、加工位置が等間隔である
場合のみならず等間隔でない場合にも被加工物が存在す
る所望の加工位置を高速で加工することが出来ると共
に、加工すべき位置(例えばリードピッチ)のバラツキ
や、レーザ加工に伴って被加工物表面や側面に付着する
溶融飛散物に基づいて、誤ったレーザ加工が施されるこ
とを防止できるレーザ加工装置を提供することである。
場合のみならず等間隔でない場合にも被加工物が存在す
る所望の加工位置を高速で加工することが出来ると共
に、加工すべき位置(例えばリードピッチ)のバラツキ
や、レーザ加工に伴って被加工物表面や側面に付着する
溶融飛散物に基づいて、誤ったレーザ加工が施されるこ
とを防止できるレーザ加工装置を提供することである。
【0008】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明によれば、パルス状のレーザ光を発振するレ
ーザ発振器と、上記レーザ光を被加工物の加工位置まで
誘導する加工光学系と、前記被加工物を移動させる搬送
手段と、その搬送手段の移動量を検出してその移動量に
応じた移動信号を発生する移動量検出手段と、その移動
信号を計数しその計数値に応じてトリガ信号を発生する
トリガ信号発生手段と、前記トリガ信号に基づいたタイ
ミングで前記被加工物の所定の加工位置にレーザ光が照
射されるよう上記レーザ光の発振を制御する制御手段と
を備え、前記レーザ光によって被加工物を加工するレー
ザ加工装置において、検出光を前記加工位置近傍に照射
する検出光発生手段と、上記検出光の反射光を基に前記
被加工物の有無を検出して対応する検出信号を発生する
検出手段と、予め設定した誤差幅を前記トリガ信号の波
形周期に加算した範囲内に上記検出信号の波形周期が収
まっているかどうかを比較する波形周期比較手段と、そ
の波形周期比較手段での比較結果に応じて前記移動信号
の計数開始タイミングを制御するトリガ信号タイミング
制御手段とを有することを特徴とするレーザ加工装置が
提供される。
に、本発明によれば、パルス状のレーザ光を発振するレ
ーザ発振器と、上記レーザ光を被加工物の加工位置まで
誘導する加工光学系と、前記被加工物を移動させる搬送
手段と、その搬送手段の移動量を検出してその移動量に
応じた移動信号を発生する移動量検出手段と、その移動
信号を計数しその計数値に応じてトリガ信号を発生する
トリガ信号発生手段と、前記トリガ信号に基づいたタイ
ミングで前記被加工物の所定の加工位置にレーザ光が照
射されるよう上記レーザ光の発振を制御する制御手段と
を備え、前記レーザ光によって被加工物を加工するレー
ザ加工装置において、検出光を前記加工位置近傍に照射
する検出光発生手段と、上記検出光の反射光を基に前記
被加工物の有無を検出して対応する検出信号を発生する
検出手段と、予め設定した誤差幅を前記トリガ信号の波
形周期に加算した範囲内に上記検出信号の波形周期が収
まっているかどうかを比較する波形周期比較手段と、そ
の波形周期比較手段での比較結果に応じて前記移動信号
の計数開始タイミングを制御するトリガ信号タイミング
制御手段とを有することを特徴とするレーザ加工装置が
提供される。
【0009】上記のように構成した本発明では、基本的
には、前記移動量検出手段で発生させた移動信号を計数
し、その計数値に応じてトリガ信号発生手段よりトリガ
信号を発生させ、制御手段において上記トリガ信号に基
づいたタイミングでレーザ光の発振を制御し、被加工物
の所定の加工位置にレーザ光が照射されるようにする。
例えば半導体装置のダムバーを切断する場合には、リー
ドピッチと搬送手段の送り速度により決まる周期と、ト
リガ信号の周期とは同一になるように設定しておくこと
になる。しかし実際には、リードピッチには前述のよう
にバラツキが生じ、或いは溶融飛散物が付着するため、
本発明ではそれに起因して変動するトリガ信号の周期
を、以下のようにして変更できるようにする。
には、前記移動量検出手段で発生させた移動信号を計数
し、その計数値に応じてトリガ信号発生手段よりトリガ
信号を発生させ、制御手段において上記トリガ信号に基
づいたタイミングでレーザ光の発振を制御し、被加工物
の所定の加工位置にレーザ光が照射されるようにする。
例えば半導体装置のダムバーを切断する場合には、リー
ドピッチと搬送手段の送り速度により決まる周期と、ト
リガ信号の周期とは同一になるように設定しておくこと
になる。しかし実際には、リードピッチには前述のよう
にバラツキが生じ、或いは溶融飛散物が付着するため、
本発明ではそれに起因して変動するトリガ信号の周期
を、以下のようにして変更できるようにする。
【0010】まず、検出光発生手段より検出光を加工位
置近傍に照射し、検出手段において上記検出光の反射光
を基に加工位置近傍における被加工物の有無を検出して
対応する検出信号を発生させる。そして、波形周期比較
手段で、予め設定した誤差幅を上記トリガ信号の波形周
期に加算した範囲内に、上記検出信号の波形周期が収ま
っているかどうかを比較し、その比較結果に応じ、トリ
ガ信号タイミング制御手段において前記移動信号の計数
開始タイミングを制御する。つまり、上記の範囲内に検
出信号の波形周期が収まっていれば、リード表面や側面
に溶融飛散物等の付着は無いと判断させ、上記検出信号
の周期に応じて移動信号の計数開始タイミングを補正
し、従ってトリガ信号の発振タイミングを補正し、その
トリガ信号に基づいたタイミングで被加工物の所定の加
工位置にレーザ光を照射させる。
置近傍に照射し、検出手段において上記検出光の反射光
を基に加工位置近傍における被加工物の有無を検出して
対応する検出信号を発生させる。そして、波形周期比較
手段で、予め設定した誤差幅を上記トリガ信号の波形周
期に加算した範囲内に、上記検出信号の波形周期が収ま
っているかどうかを比較し、その比較結果に応じ、トリ
ガ信号タイミング制御手段において前記移動信号の計数
開始タイミングを制御する。つまり、上記の範囲内に検
出信号の波形周期が収まっていれば、リード表面や側面
に溶融飛散物等の付着は無いと判断させ、上記検出信号
の周期に応じて移動信号の計数開始タイミングを補正
し、従ってトリガ信号の発振タイミングを補正し、その
トリガ信号に基づいたタイミングで被加工物の所定の加
工位置にレーザ光を照射させる。
【0011】このように、搬送手段の移動量に基づく毎
回のトリガ信号の発振タイミングを、検出信号を基準に
して補正することにより、リードピッチ等の加工すべき
位置にバラツキがあったとしても適正な位置にレーザ光
を照射することができ、しかもそのバラツキ誤差を累積
させることも回避される。
回のトリガ信号の発振タイミングを、検出信号を基準に
して補正することにより、リードピッチ等の加工すべき
位置にバラツキがあったとしても適正な位置にレーザ光
を照射することができ、しかもそのバラツキ誤差を累積
させることも回避される。
【0012】また波形周期比較手段において、予め設定
した誤差幅を前述のトリガ信号の波形周期に加算した範
囲内に、上記検出信号の波形周期が収まっていない場合
には、リード表面や側面に溶融飛散物等の付着物が存在
すると判断させる。この場合には検出信号自体が不正で
あるため、検出信号を基準にした補正は行わず、搬送手
段の移動量に基づく前述のトリガ信号に基づいたタイミ
ングで被加工物の所定の加工位置にレーザ光を照射させ
る。これにより、リード等の被加工物表面や側面に溶融
飛散物等が付着していた場合には、その溶融飛散物に起
因する誤った検出信号に従ってトリガ信号の発振タイミ
ングが制御されるという不具合が防止され、レーザ光が
誤照射されることが防止される。
した誤差幅を前述のトリガ信号の波形周期に加算した範
囲内に、上記検出信号の波形周期が収まっていない場合
には、リード表面や側面に溶融飛散物等の付着物が存在
すると判断させる。この場合には検出信号自体が不正で
あるため、検出信号を基準にした補正は行わず、搬送手
段の移動量に基づく前述のトリガ信号に基づいたタイミ
ングで被加工物の所定の加工位置にレーザ光を照射させ
る。これにより、リード等の被加工物表面や側面に溶融
飛散物等が付着していた場合には、その溶融飛散物に起
因する誤った検出信号に従ってトリガ信号の発振タイミ
ングが制御されるという不具合が防止され、レーザ光が
誤照射されることが防止される。
【0013】従って本発明によれば、加工位置が等間隔
である場合のみならず等間隔でない場合にも被加工物が
存在する所望の加工位置を高速で加工することが可能で
あるだけでなく、加工すべき位置のバラツキに基づいて
誤ったレーザ加工が施されること、例えばリードピッチ
のバラツキが累積されて残すべきリードまで切断してし
まうことや、レーザ加工に伴って被加工物表面や側面に
付着する溶融飛散物に基づいて誤ったレーザ加工が施さ
れること、例えば残すべきリード部にレーザ光が照射さ
れてしまうことなどを防止できる。
である場合のみならず等間隔でない場合にも被加工物が
存在する所望の加工位置を高速で加工することが可能で
あるだけでなく、加工すべき位置のバラツキに基づいて
誤ったレーザ加工が施されること、例えばリードピッチ
のバラツキが累積されて残すべきリードまで切断してし
まうことや、レーザ加工に伴って被加工物表面や側面に
付着する溶融飛散物に基づいて誤ったレーザ加工が施さ
れること、例えば残すべきリード部にレーザ光が照射さ
れてしまうことなどを防止できる。
【0014】
【発明の実施の形態】本発明の一実施形態について、図
1から図8を参照しながら説明する。但し、以下では、
主に等間隔にピンを有するICパッケージのダムバー除
去について説明する。
1から図8を参照しながら説明する。但し、以下では、
主に等間隔にピンを有するICパッケージのダムバー除
去について説明する。
【0015】図1に示すように、本実施形態のレーザ加
工装置には、レーザヘッド11と加工ヘッド12とレー
ザ電源13とから構成されるレーザ発振器10、ワーク
(ICパッケージ)1を搭載し水平面内(XY平面内)
に移動させる搬送手段としてのXYテーブル21、レー
ザヘッド11及び加工ヘッド12を上下方向(Z軸方
向)に移動させるZテーブル22、メインコントローラ
23とトリガユニット24を有するコントロールユニッ
ト25が備えられている。メインコントローラ23は、
XYテーブル21の水平面内の移動動作とZテーブル2
2の上下方向の移動動作とレーザ発振器10の発振動作
とを自動または手動で制御する。
工装置には、レーザヘッド11と加工ヘッド12とレー
ザ電源13とから構成されるレーザ発振器10、ワーク
(ICパッケージ)1を搭載し水平面内(XY平面内)
に移動させる搬送手段としてのXYテーブル21、レー
ザヘッド11及び加工ヘッド12を上下方向(Z軸方
向)に移動させるZテーブル22、メインコントローラ
23とトリガユニット24を有するコントロールユニッ
ト25が備えられている。メインコントローラ23は、
XYテーブル21の水平面内の移動動作とZテーブル2
2の上下方向の移動動作とレーザ発振器10の発振動作
とを自動または手動で制御する。
【0016】レーザ電源13は、安定化電源130、コ
ンデンサ部131、スイッチ部132、及びレーザコン
トローラ26から構成される。このレーザ電源13には
交流電源133より交流電流が供給され、この交流電流
が安定化電源130においてレーザコントローラ26か
ら指令された電圧値に従って直流に変えられ、コンデン
サ部131に供給される。コンデンサ部131に上記電
圧値で供給された電荷はスイッチ部132に供給され、
レーザコントローラ26から入力されるパルスレーザ光
のパルス幅及びパルス周波数を指令するトリガ信号に従
ってスイッチ部132が動作し、上記電荷がレーザヘッ
ド11に備えられたレーザ励起用のフラッシュランプ1
11に供給される。このパルス状の電荷によりフラッシ
ュランプ111が発光し、これにより発振媒体が励起さ
れてパルスレーザ光がパルス状に発振する。
ンデンサ部131、スイッチ部132、及びレーザコン
トローラ26から構成される。このレーザ電源13には
交流電源133より交流電流が供給され、この交流電流
が安定化電源130においてレーザコントローラ26か
ら指令された電圧値に従って直流に変えられ、コンデン
サ部131に供給される。コンデンサ部131に上記電
圧値で供給された電荷はスイッチ部132に供給され、
レーザコントローラ26から入力されるパルスレーザ光
のパルス幅及びパルス周波数を指令するトリガ信号に従
ってスイッチ部132が動作し、上記電荷がレーザヘッ
ド11に備えられたレーザ励起用のフラッシュランプ1
11に供給される。このパルス状の電荷によりフラッシ
ュランプ111が発光し、これにより発振媒体が励起さ
れてパルスレーザ光がパルス状に発振する。
【0017】また、図1に示すレーザヘッド11にはビ
ームシャッター112が内臓されている。このビームシ
ャッター112は、開閉することによってレーザ発振器
10より放出されるパルスレーザ光をON/OFFし、
ワーク1へのパルスレーザ光の照射を制御する。即ちワ
ーク1を加工する場合には上記ビームシャッター112
を開き、加工しない場合には上記ビームシャッター11
2を閉じる。このビームシャッター112の動作時間は
100〜300msec程度である。また、ビームシャ
ッタ112のON/OFFの制御は、レーザコントロー
ラ26から行うが、メインコントローラ23からレーザ
コントローラ26を介して行うことも可能である。
ームシャッター112が内臓されている。このビームシ
ャッター112は、開閉することによってレーザ発振器
10より放出されるパルスレーザ光をON/OFFし、
ワーク1へのパルスレーザ光の照射を制御する。即ちワ
ーク1を加工する場合には上記ビームシャッター112
を開き、加工しない場合には上記ビームシャッター11
2を閉じる。このビームシャッター112の動作時間は
100〜300msec程度である。また、ビームシャ
ッタ112のON/OFFの制御は、レーザコントロー
ラ26から行うが、メインコントローラ23からレーザ
コントローラ26を介して行うことも可能である。
【0018】加工ヘッド12には後述する検出光発生装
置126(図4参照)と検出手段としてのフォトセンサ
125が備えられ、フォトセンサ125からの検出信号
はトリガユニット24に入力され、トリガユニット24
はメインコントローラ23からの指令により、レーザ電
源13内のレーザコントローラ26(後述する)にトリ
ガ信号Pを出力する。一方、XYテーブル21には移動
量検出手段としてのロータリエンコーダ(以下、単にエ
ンコーダという)21aが取り付けられており、このエ
ンコーダ21aからXYテーブル21の移動量に応じた
移動量信号(パルス信号)Mがトリガユニット24の比
較・タイミング回路242(図2参照)に入力される。
但し、移動量信号MはXYテーブル21の移動量に応じ
た信号であり、その移動速度の影響は受けない。
置126(図4参照)と検出手段としてのフォトセンサ
125が備えられ、フォトセンサ125からの検出信号
はトリガユニット24に入力され、トリガユニット24
はメインコントローラ23からの指令により、レーザ電
源13内のレーザコントローラ26(後述する)にトリ
ガ信号Pを出力する。一方、XYテーブル21には移動
量検出手段としてのロータリエンコーダ(以下、単にエ
ンコーダという)21aが取り付けられており、このエ
ンコーダ21aからXYテーブル21の移動量に応じた
移動量信号(パルス信号)Mがトリガユニット24の比
較・タイミング回路242(図2参照)に入力される。
但し、移動量信号MはXYテーブル21の移動量に応じ
た信号であり、その移動速度の影響は受けない。
【0019】また、図2に示すように、トリガユニット
24には、オぺアンプで構成された二値化手段としての
コンパレータ241、波形周期比較手段としての比較・
タイミング制御回路242、ディレイ回路243が備え
られている。
24には、オぺアンプで構成された二値化手段としての
コンパレータ241、波形周期比較手段としての比較・
タイミング制御回路242、ディレイ回路243が備え
られている。
【0020】さらに、図3に示すように、レーザコント
ローラ26には、入出力部260、中央演算部261、
トリガ回路262が備えられている。トリガ回路262
は、トリガユニット24からのトリガ信号Pの立ち上が
りに同期してメインコントローラ23から中央演算部2
61に指示されたパルス幅のトリガ信号Tを生成し、こ
のトリガ信号Tがスイッチ部132に入力される。ま
た、コンデンサ部131に供給される電荷の電圧値は、
入出力部260より中央演算部261に入力され、中央
演算部261から安定化電源130に指示される。これ
以後は、前述したような過程に従ってレーザ光が発振す
る。
ローラ26には、入出力部260、中央演算部261、
トリガ回路262が備えられている。トリガ回路262
は、トリガユニット24からのトリガ信号Pの立ち上が
りに同期してメインコントローラ23から中央演算部2
61に指示されたパルス幅のトリガ信号Tを生成し、こ
のトリガ信号Tがスイッチ部132に入力される。ま
た、コンデンサ部131に供給される電荷の電圧値は、
入出力部260より中央演算部261に入力され、中央
演算部261から安定化電源130に指示される。これ
以後は、前述したような過程に従ってレーザ光が発振す
る。
【0021】さらに、図4に示すように、加工ヘッド1
2内部には、パルスレーザ光の波長に対し高い反射率特
性を持つベンディングミラー120、及びパルスレーザ
光を集光させる集光レンズ121が備えられており、こ
れらは従来のレーザ加工装置の構成と同様である。本実
施形態では上記構成に加え、検出用光源122、ダイク
ロイックミラー123、結像用レンズ124、ターゲッ
ト125a及びフォトセンサ125が付加される。この
うち、フォトセンサ125はターゲット125aに開け
られた開口部に取り付けられている。また上記のうち、
検出用光源122、ダイクロイックミラー123及び結
像用レンズ124が検出光発生装置126を構成する。
2内部には、パルスレーザ光の波長に対し高い反射率特
性を持つベンディングミラー120、及びパルスレーザ
光を集光させる集光レンズ121が備えられており、こ
れらは従来のレーザ加工装置の構成と同様である。本実
施形態では上記構成に加え、検出用光源122、ダイク
ロイックミラー123、結像用レンズ124、ターゲッ
ト125a及びフォトセンサ125が付加される。この
うち、フォトセンサ125はターゲット125aに開け
られた開口部に取り付けられている。また上記のうち、
検出用光源122、ダイクロイックミラー123及び結
像用レンズ124が検出光発生装置126を構成する。
【0022】上記加工ヘッド12の基本的な機能を以下
に説明する。まず、レーザヘッド11から出力されたパ
ルス状のレーザ光のビームは、ベンディングミラー12
0で方向が変えられ、集光レンズ121で集光されてワ
ーク1上に照射される。また、検出用光源122で発光
した光は、ダイクロイックミラー123で方向が変えら
れ、ベンディングミラー120を透過し、集光レンズ1
21で集光されてワーク1上のレーザ加工部近傍の検出
光となる。ワーク1表面で反射した反射光は、ベンディ
ングミラー120及びダイクロイックミラー123を透
過して、結像用レンズ124で集光され、ターゲット1
25aに当たる。ターゲット125aに当たった反射光
のうちの一部が開口部からフォトセンサー125に入力
される。
に説明する。まず、レーザヘッド11から出力されたパ
ルス状のレーザ光のビームは、ベンディングミラー12
0で方向が変えられ、集光レンズ121で集光されてワ
ーク1上に照射される。また、検出用光源122で発光
した光は、ダイクロイックミラー123で方向が変えら
れ、ベンディングミラー120を透過し、集光レンズ1
21で集光されてワーク1上のレーザ加工部近傍の検出
光となる。ワーク1表面で反射した反射光は、ベンディ
ングミラー120及びダイクロイックミラー123を透
過して、結像用レンズ124で集光され、ターゲット1
25aに当たる。ターゲット125aに当たった反射光
のうちの一部が開口部からフォトセンサー125に入力
される。
【0023】この時、集光レンズ121と結像用レンズ
124との組合わせにより、ワーク1表面上の像がフォ
トセンサー125の位置で結像するようにしておくと、
ワーク1上の像が結像用レンズ124で絞られターゲッ
ト125aの位置で、例えば図5に示すように結像され
る。
124との組合わせにより、ワーク1表面上の像がフォ
トセンサー125の位置で結像するようにしておくと、
ワーク1上の像が結像用レンズ124で絞られターゲッ
ト125aの位置で、例えば図5に示すように結像され
る。
【0024】図5においては、相隣り合うリードを結合
するダムバー2およびその近傍が結像しており、リード
が存在しない部分(以下、スリット部という)3,4の
うち樹脂モールド6側のスリット部4のみがICパッケ
ージのモールド時にレジンで満たされている。但し、画
像の中心線上にダムバー2の中心線があり、X軸および
Y軸を図のように定め、検出および加工はX軸方向に走
査しながら行うものとする。また、この画像の一部の光
がフォトセンサ125で検出されるが、図中斜線部で示
す位置に開口部125bがあり、この開口部125bに
フォトセンサ125が設置されている。開口部125b
の位置は、画像の中心線に対し樹脂モールド6とは反対
側に少しずらせた位置で、かつ画像の中心に対しX軸の
正の方向に距離Lだけずらせた位置とする。
するダムバー2およびその近傍が結像しており、リード
が存在しない部分(以下、スリット部という)3,4の
うち樹脂モールド6側のスリット部4のみがICパッケ
ージのモールド時にレジンで満たされている。但し、画
像の中心線上にダムバー2の中心線があり、X軸および
Y軸を図のように定め、検出および加工はX軸方向に走
査しながら行うものとする。また、この画像の一部の光
がフォトセンサ125で検出されるが、図中斜線部で示
す位置に開口部125bがあり、この開口部125bに
フォトセンサ125が設置されている。開口部125b
の位置は、画像の中心線に対し樹脂モールド6とは反対
側に少しずらせた位置で、かつ画像の中心に対しX軸の
正の方向に距離Lだけずらせた位置とする。
【0025】上記のような状態で、X軸の正方向に開口
部125bを移動させる(即ちX軸の負方向にワーク1
を移動させる)ことにより、フォトセンサ125はリー
ド部5の有無、つまりリード5の存在する部分とスリッ
ト部3とを明暗によって検出することができる。
部125bを移動させる(即ちX軸の負方向にワーク1
を移動させる)ことにより、フォトセンサ125はリー
ド部5の有無、つまりリード5の存在する部分とスリッ
ト部3とを明暗によって検出することができる。
【0026】以上の構成を有するレーザ加工装置の動作
を説明する。まず、図6(a)のような形状のワーク1
(ダムバー2a,2b,2c,2d,…を含むICパッ
ケージのリードフレーム)をXYテーブル21によっ
て、例えばX軸の負方向に一定速度vで移動させると、
ターゲット125a上に結像しているワーク1からの反
射光による画像はX軸の正方向に移動する。ところが、
フォトセンサ125はターゲット125aの開口部12
5bに固定されているので、フォトセンサ125からの
出力である検出信号の変化は、図7に示すようにリード
部5で高い出力となり、スリット部3で低い出力とな
る。但し、ここでの検出信号は、光が強い場合に高い出
力、光が弱い場合に低い出力になるものとする。また、
ワーク1のリード部5及びスリット部3が等ピッチで並
んでいれば、XYテーブル21が一定速度で移動するこ
とにより検出信号は一定周期の波形として出力され、一
方ワーク1のリード部とスリット部が等ピッチに並んで
いない場合には、検出信号はピッチの変化に比例した時
間変化を持つ波形として検出される。
を説明する。まず、図6(a)のような形状のワーク1
(ダムバー2a,2b,2c,2d,…を含むICパッ
ケージのリードフレーム)をXYテーブル21によっ
て、例えばX軸の負方向に一定速度vで移動させると、
ターゲット125a上に結像しているワーク1からの反
射光による画像はX軸の正方向に移動する。ところが、
フォトセンサ125はターゲット125aの開口部12
5bに固定されているので、フォトセンサ125からの
出力である検出信号の変化は、図7に示すようにリード
部5で高い出力となり、スリット部3で低い出力とな
る。但し、ここでの検出信号は、光が強い場合に高い出
力、光が弱い場合に低い出力になるものとする。また、
ワーク1のリード部5及びスリット部3が等ピッチで並
んでいれば、XYテーブル21が一定速度で移動するこ
とにより検出信号は一定周期の波形として出力され、一
方ワーク1のリード部とスリット部が等ピッチに並んで
いない場合には、検出信号はピッチの変化に比例した時
間変化を持つ波形として検出される。
【0027】次に、上記のようにして検出された検出信
号の波形はトリガユニット24のコンパレータ241に
入力され、二値化される。即ち、フォトセンサ125か
らコンパレータ241に入力された検出信号が図7中破
線Sで示す所定のスレッシュホールドをもとに二値化さ
れて矩形波信号P1となり比較タイミング制御回路24
2に入力される。
号の波形はトリガユニット24のコンパレータ241に
入力され、二値化される。即ち、フォトセンサ125か
らコンパレータ241に入力された検出信号が図7中破
線Sで示す所定のスレッシュホールドをもとに二値化さ
れて矩形波信号P1となり比較タイミング制御回路24
2に入力される。
【0028】次に、比較タイミング制御回路242及び
その後の処理について、図6(a)のダムバー2a〜2
dの切断除去を中心に図8により説明する。まず、第1
のダムバー2aの切断については、コンパレータ241
からの出力P1の最初の波形立ち上がりR1のタイミン
グで信号P2を発生させ、ディレイ回路243でメイコ
ントローラ23から指令された遅れ時間tDを与え、ト
リガ信号Pとしてレーザコントローラ26に入力し、前
述したようなプロセスでパルス状のレーザ光を発振させ
る。つまり、R1から所定の遅れ時間tD後にパルス状
のレーザ光発振が行われ、最初のダムバー2aの切断が
行われることになる。また、コンパレータ241からの
出力P1の第2の立ち上がりR2までの時間CSP1を
比較・タイミング制御回路242内で測定開始する。さ
らに、コンパレータ241からの出力P1の最初の立ち
上がりR1直後におけるエンコーダ21aからの移動量
信号Mのパルスよりカウントを開始し、予め設定したリ
ードピッチ(設計値に基づく)の距離に相当するパルス
数TEPをカウントした時点で次の信号P2を発生さ
せ、ディレイ回路243で遅れ時間tDを与え、トリガ
信号Pとしてレーザコントローラ26に入力し、前述し
たようなプロセスでパルス状のレーザ光を発振させる。
これにより第2のダムバー2bの切断が行われる。ま
た、コンパレータ241からの出力P1の第3の立ち上
がりR3までの時間CSP2を比較・タイミング制御回
路242内で測定開始する。
その後の処理について、図6(a)のダムバー2a〜2
dの切断除去を中心に図8により説明する。まず、第1
のダムバー2aの切断については、コンパレータ241
からの出力P1の最初の波形立ち上がりR1のタイミン
グで信号P2を発生させ、ディレイ回路243でメイコ
ントローラ23から指令された遅れ時間tDを与え、ト
リガ信号Pとしてレーザコントローラ26に入力し、前
述したようなプロセスでパルス状のレーザ光を発振させ
る。つまり、R1から所定の遅れ時間tD後にパルス状
のレーザ光発振が行われ、最初のダムバー2aの切断が
行われることになる。また、コンパレータ241からの
出力P1の第2の立ち上がりR2までの時間CSP1を
比較・タイミング制御回路242内で測定開始する。さ
らに、コンパレータ241からの出力P1の最初の立ち
上がりR1直後におけるエンコーダ21aからの移動量
信号Mのパルスよりカウントを開始し、予め設定したリ
ードピッチ(設計値に基づく)の距離に相当するパルス
数TEPをカウントした時点で次の信号P2を発生さ
せ、ディレイ回路243で遅れ時間tDを与え、トリガ
信号Pとしてレーザコントローラ26に入力し、前述し
たようなプロセスでパルス状のレーザ光を発振させる。
これにより第2のダムバー2bの切断が行われる。ま
た、コンパレータ241からの出力P1の第3の立ち上
がりR3までの時間CSP2を比較・タイミング制御回
路242内で測定開始する。
【0029】ここで、予め設定したリードピッチ(設計
値に基づく)の距離をカウントするのに掛かった時間を
EPP1とし、その時間EPP1にリードピッチのずれ
に起因する時間誤差eを加・減算し、その範囲内(EP
P1±e)にCSP1が収まっているかどうかを比較・
タイミング制御回路242で判断する。その結果、上記
範囲内にCSP1が収まっていれば、リード部5の表面
や側面に溶融飛散物等の付着は無いと判断して、P1の
第2の立ち上がりR2直後より移動量信号Mのパルス数
カウントを開始する。
値に基づく)の距離をカウントするのに掛かった時間を
EPP1とし、その時間EPP1にリードピッチのずれ
に起因する時間誤差eを加・減算し、その範囲内(EP
P1±e)にCSP1が収まっているかどうかを比較・
タイミング制御回路242で判断する。その結果、上記
範囲内にCSP1が収まっていれば、リード部5の表面
や側面に溶融飛散物等の付着は無いと判断して、P1の
第2の立ち上がりR2直後より移動量信号Mのパルス数
カウントを開始する。
【0030】そして、移動量信号Mのパルス数が、予め
設定したリードピッチ(設計値に基づく)の距離に相当
するパルス数TEPをカウントした時点で次の信号P2
を発生させ、ディレイ回路243で遅れ時間tDを与
え、トリガ信号Pとしてレーザコントローラ26に入力
し、前述したようなプロセスでパルス状のレーザ光を発
振させる。これにより第3のダムバー2cの切断が行わ
れる。また、前述と同様にコンパレータ241からの出
力P1の第4の立ち上がりR4までの時間CSP3を比
較・タイミング制御回路242内で測定開始する。
設定したリードピッチ(設計値に基づく)の距離に相当
するパルス数TEPをカウントした時点で次の信号P2
を発生させ、ディレイ回路243で遅れ時間tDを与
え、トリガ信号Pとしてレーザコントローラ26に入力
し、前述したようなプロセスでパルス状のレーザ光を発
振させる。これにより第3のダムバー2cの切断が行わ
れる。また、前述と同様にコンパレータ241からの出
力P1の第4の立ち上がりR4までの時間CSP3を比
較・タイミング制御回路242内で測定開始する。
【0031】ところが、第3のダムバー2c近傍のリー
ド表面に図6(a)に示すような溶融飛散物100a
(図中斜線で示す)が付着していた場合には、図8に示
すように、コンパレータ241からの出力P1が変化
し、第3の立ち上がりR3がR3*になってしまい、C
SP2が設計値よりも長くなってしまうことになる。こ
れは、検出用光源122からワーク1に照射される光
は、比較的フラットな表面では多く反射するが、図6
(a)に示す溶融飛散物100aがリード部5に付着し
ている場所では乱反射したり集光レンズ121の口径か
ら外れた所に反射光が進んでしまい、フォトセンサ12
5に入る光量が減ってしまうためである。この場合、予
め設定したリードピッチ(設計値に基づく)の距離をカ
ウントするのに掛かった時間EPP2に前述の時間誤差
eを加味した範囲内(EPP2±e)に、CSP2が収
まらないことになる。このように上記範囲内にCSP2
が収まっていないと比較・タイミング制御回路242で
判断された場合には、P1の第3の立ち上がりR3は不
正であるためこのR3は用いず、第3のダムバー2c切
断のために用いた移動量信号Mのパルス数TEPのカウ
ントアップと同時に次の移動量信号Mのパルス数カウン
トを開始する。
ド表面に図6(a)に示すような溶融飛散物100a
(図中斜線で示す)が付着していた場合には、図8に示
すように、コンパレータ241からの出力P1が変化
し、第3の立ち上がりR3がR3*になってしまい、C
SP2が設計値よりも長くなってしまうことになる。こ
れは、検出用光源122からワーク1に照射される光
は、比較的フラットな表面では多く反射するが、図6
(a)に示す溶融飛散物100aがリード部5に付着し
ている場所では乱反射したり集光レンズ121の口径か
ら外れた所に反射光が進んでしまい、フォトセンサ12
5に入る光量が減ってしまうためである。この場合、予
め設定したリードピッチ(設計値に基づく)の距離をカ
ウントするのに掛かった時間EPP2に前述の時間誤差
eを加味した範囲内(EPP2±e)に、CSP2が収
まらないことになる。このように上記範囲内にCSP2
が収まっていないと比較・タイミング制御回路242で
判断された場合には、P1の第3の立ち上がりR3は不
正であるためこのR3は用いず、第3のダムバー2c切
断のために用いた移動量信号Mのパルス数TEPのカウ
ントアップと同時に次の移動量信号Mのパルス数カウン
トを開始する。
【0032】そして、上記移動量信号Mのパルス数が、
予め設定したリードピッチ(設計値に基づく)の距離に
相当するパルス数TEPをカウントした時点で次の信号
P2を発生させ、ディレイ回路243で遅れ時間tDを
与え、トリガ信号Pとしてレーザコントローラ26に入
力し、前述したようなプロセスでパルス状のレーザ光を
発振させる。これにより第4のダムバー2dの切断が行
われる。また、コンパレータ241からの出力P1の次
の立ち上がりR4までの時間CSP4を比較・タイミン
グ制御回路242内で測定開始する。
予め設定したリードピッチ(設計値に基づく)の距離に
相当するパルス数TEPをカウントした時点で次の信号
P2を発生させ、ディレイ回路243で遅れ時間tDを
与え、トリガ信号Pとしてレーザコントローラ26に入
力し、前述したようなプロセスでパルス状のレーザ光を
発振させる。これにより第4のダムバー2dの切断が行
われる。また、コンパレータ241からの出力P1の次
の立ち上がりR4までの時間CSP4を比較・タイミン
グ制御回路242内で測定開始する。
【0033】但し、上記第4のダムバー2d周辺に図6
(a)のように溶融飛散物が付着していない場合には、
図8に示すコンパレータ241からの出力P1(R4)
はR3*のように変化しない。そのために、第3の立ち
上がりR3*から第4の立ち上がりR4までのCSP3
が短くなってしまうことになる。この場合には、CSP
3ではなく、例えば次のような式 CSP3*=(CSP2+CSP3)/2 … (1) で算出されるCSP3*が、EPP3±eの範囲(予め
設定したリードピッチをカウントするのに掛かった時間
EPP3に時間誤差eを加味した範囲)に収まっている
かどうかを比較・タイミング制御回路242で判断す
る。この判断に基づいてこれまでと同様に移動量信号M
のパルス数カウントを開始する。以下、順次同様の手順
を経て5番目以降のダムバーを切断していく。なお、式
(1)で過去2つのP1の立ち上がり間隔を平均するこ
ととしているが、過去3個以上の平均をとるようにして
もよい。
(a)のように溶融飛散物が付着していない場合には、
図8に示すコンパレータ241からの出力P1(R4)
はR3*のように変化しない。そのために、第3の立ち
上がりR3*から第4の立ち上がりR4までのCSP3
が短くなってしまうことになる。この場合には、CSP
3ではなく、例えば次のような式 CSP3*=(CSP2+CSP3)/2 … (1) で算出されるCSP3*が、EPP3±eの範囲(予め
設定したリードピッチをカウントするのに掛かった時間
EPP3に時間誤差eを加味した範囲)に収まっている
かどうかを比較・タイミング制御回路242で判断す
る。この判断に基づいてこれまでと同様に移動量信号M
のパルス数カウントを開始する。以下、順次同様の手順
を経て5番目以降のダムバーを切断していく。なお、式
(1)で過去2つのP1の立ち上がり間隔を平均するこ
ととしているが、過去3個以上の平均をとるようにして
もよい。
【0034】以上のような本実施形態によれば、比較・
タイミング回路242において、予め設定したリードピ
ッチ(設計値に基づく)の距離をカウントするのに掛か
った時間に誤差を加味した範囲(EPP1±eなど)内
に、コンパレータ241からの出力P1の立ち上がり間
隔(CSP1,CSP2,…)が収まっているかどうか
を比較、判断し、その結果に応じて、ダムバー2a,2
b,…のレーザ切断のトリガとなる移動量信号Mのカウ
ント(パルス数TEP)開始タイミングを制御するの
で、リードピッチにバラツキがあったとしても適正な位
置にレーザ光を照射することができ、しかもそのバラツ
キ誤差を累積させることも回避され、さらに、リード部
5の表面や側面に溶融飛散物100a等が付着していた
場合にも、それに起因してレーザ光が誤照射されること
が防止される。
タイミング回路242において、予め設定したリードピ
ッチ(設計値に基づく)の距離をカウントするのに掛か
った時間に誤差を加味した範囲(EPP1±eなど)内
に、コンパレータ241からの出力P1の立ち上がり間
隔(CSP1,CSP2,…)が収まっているかどうか
を比較、判断し、その結果に応じて、ダムバー2a,2
b,…のレーザ切断のトリガとなる移動量信号Mのカウ
ント(パルス数TEP)開始タイミングを制御するの
で、リードピッチにバラツキがあったとしても適正な位
置にレーザ光を照射することができ、しかもそのバラツ
キ誤差を累積させることも回避され、さらに、リード部
5の表面や側面に溶融飛散物100a等が付着していた
場合にも、それに起因してレーザ光が誤照射されること
が防止される。
【0035】
【発明の効果】本発明によれば、波形周期比較手段にお
いて、予め設定した誤差幅をトリガ信号の波形周期に加
算した範囲内に、検出信号の波形周期が収まっているか
どうかを比較、判断し、その結果に応じて移動信号の計
数開始タイミングを制御するので、加工すべき位置(例
えばリードピッチ)にバラツキがあったとしても適正な
位置にレーザ光を照射することができ、しかもそのバラ
ツキ誤差を累積させることも回避され、さらに、被加工
物(例えばリード部)の表面や側面に溶融飛散物等が付
着していた場合にも、それに起因してレーザ光が誤照射
されることが防止される。
いて、予め設定した誤差幅をトリガ信号の波形周期に加
算した範囲内に、検出信号の波形周期が収まっているか
どうかを比較、判断し、その結果に応じて移動信号の計
数開始タイミングを制御するので、加工すべき位置(例
えばリードピッチ)にバラツキがあったとしても適正な
位置にレーザ光を照射することができ、しかもそのバラ
ツキ誤差を累積させることも回避され、さらに、被加工
物(例えばリード部)の表面や側面に溶融飛散物等が付
着していた場合にも、それに起因してレーザ光が誤照射
されることが防止される。
【0036】従って本発明によれば、加工位置が等間隔
である場合のみならず等間隔でない場合にも被加工物が
存在する所望の加工位置を高速で加工することが可能で
あるだけでなく、加工すべき位置のバラツキに基づいて
誤ったレーザ加工が施されること、例えばリードピッチ
のバラツキが累積されて残すべきリードまで切断してし
まうことや、レーザ加工に伴って被加工物表面や側面に
付着する溶融飛散物に基づいて誤ったレーザ加工が施さ
れること、例えば残すべきリード部にレーザ光が照射さ
れてしまうことなどを防止できる。
である場合のみならず等間隔でない場合にも被加工物が
存在する所望の加工位置を高速で加工することが可能で
あるだけでなく、加工すべき位置のバラツキに基づいて
誤ったレーザ加工が施されること、例えばリードピッチ
のバラツキが累積されて残すべきリードまで切断してし
まうことや、レーザ加工に伴って被加工物表面や側面に
付着する溶融飛散物に基づいて誤ったレーザ加工が施さ
れること、例えば残すべきリード部にレーザ光が照射さ
れてしまうことなどを防止できる。
【図1】本発明の一実施形態によるレーザ加工装置の概
略構成図である。
略構成図である。
【図2】図1のレーザ加工装置におけるトリガユニット
の構成を示す図である。
の構成を示す図である。
【図3】図1のレーザ加工装置におけるレーザコントロ
ーラの構成を示す図である。
ーラの構成を示す図である。
【図4】図1のレーザ加工装置における加工ヘッド内部
の構成の概略図である。
の構成の概略図である。
【図5】図4のターゲットの位置で結像した画像の一例
を表す図である。
を表す図である。
【図6】図4のフォトセンサからの検出信号を説明する
ための図であって、(a)はICパッケージのリードフ
レーム形状を示す図、(b)はフォトセンサからの出力
である検出信号を二値化した後の図である。
ための図であって、(a)はICパッケージのリードフ
レーム形状を示す図、(b)はフォトセンサからの出力
である検出信号を二値化した後の図である。
【図7】検出信号がコンパレータで二値化され、比較・
タイミング制御回路に出力される状況を示す図である。
タイミング制御回路に出力される状況を示す図である。
【図8】比較タイミング制御回路及びその後の処理につ
いて説明する図である。
いて説明する図である。
【符号の説明】 1 ワーク(ICパッケージ) 2 ダムバー 2a 第1のダムバー 2b 第2のダムバー 2c 第3のダムバー 2d 第4のダムバー 3,4 スリット部 5 リード部 6 樹脂モールド 10 レーザ発振器 11 レーザヘッド 12 加工ヘッド 13 レーザ電源 21 XYテーブル 21a (ロータリ)エンコーダ 22 Zテーブル 23 メインコントローラ 24 トリガユニット 25 コントロールユニット 26 レーザコントローラ 120 ベンディングミラー 121 集光レンズ 122 検出用光源 123 ダイクロイックミラー 124 結像用レンズ 125 フォトセンサ 125a ターゲット 125b 開口部 126 検出光発生装置 130 安定化電源 131 コンデンサ部 132 スイッチ部 133 交流電源 241 コンパレータ(二値化手段) 242 比較・タイミング制御回路 243 ディレイ回路
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 下村 義昭 茨城県土浦市神立町650番地 日立建機株 式会社土浦工場内 (72)発明者 桜井 茂行 茨城県土浦市神立町650番地 日立建機株 式会社土浦工場内 (72)発明者 西垣 剛 茨城県土浦市神立町650番地 日立建機株 式会社土浦工場内 (72)発明者 美野本 泰 茨城県土浦市神立町650番地 日立建機エ ンジニアリング株式会社内
Claims (1)
- 【請求項1】 パルス状のレーザ光を発振するレーザ発
振器と、前記レーザ光を被加工物の加工位置まで誘導す
る加工光学系と、前記被加工物を移動させる搬送手段
と、前記搬送手段の移動量を検出してその移動量に応じ
た移動信号を発生する移動量検出手段と、前記移動信号
を計数しその計数値に応じてトリガ信号を発生するトリ
ガ信号発生手段と、前記トリガ信号に基づいたタイミン
グで前記被加工物の所定の加工位置にレーザ光が照射さ
れるよう前記レーザ光の発振を抑制する制御手段とを備
え、前記レーザ光によって前記被加工物を加工するレー
ザ加工装置において、 検出光を前記加工位置近傍に照射する検出光発生手段
と、 前記検出光の反射光を基に前記被加工物の有無を検出し
て対応する検出信号を発生する検出手段と、 予め設定した誤差幅を前記トリガ信号の波形周期に加算
した範囲内に、前記検出信号の波形周期が収まっている
かどうかを比較する波形周期比較手段と、 前記波形周期比較手段での比較結果に応じて前記移動信
号の計数開始タイミングを制御するトリガ信号タイミン
グ制御手段とを有することを特徴とするレーザ加工装
置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9001420A JPH10193152A (ja) | 1997-01-08 | 1997-01-08 | レーザ加工装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9001420A JPH10193152A (ja) | 1997-01-08 | 1997-01-08 | レーザ加工装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10193152A true JPH10193152A (ja) | 1998-07-28 |
Family
ID=11500980
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9001420A Pending JPH10193152A (ja) | 1997-01-08 | 1997-01-08 | レーザ加工装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10193152A (ja) |
-
1997
- 1997-01-08 JP JP9001420A patent/JPH10193152A/ja active Pending
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