JPH10197854A5 - - Google Patents

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JPH10197854A5
JPH10197854A5 JP1996358958A JP35895896A JPH10197854A5 JP H10197854 A5 JPH10197854 A5 JP H10197854A5 JP 1996358958 A JP1996358958 A JP 1996358958A JP 35895896 A JP35895896 A JP 35895896A JP H10197854 A5 JPH10197854 A5 JP H10197854A5
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Description

【発明の名称】表示装置
【００３１】
マスク８０３を形成したら、重量換算で１０ｐｐｍのニッケルを含んだニッケル酢酸塩溶液をスピンコート法で塗布する。こうして、８０４で示されるようにニッケル元素が表面に接して保持された状態を得る。（図３（Ａ））
【００３６】
この加熱処理による結晶化の後においては、膜中に高い密度で欠陥が含まれており、後に詳述するような結晶構造の特異性も顕著なものではない。（図３（Ａ））
【００４３】
こうして厚さ４００Åの珪素膜を得たら、次にパターニングを施すことにより、薄膜トランジスタの活性層を形成する。図３には、８０６と８０７で示される活性層が示されている。
【００４５】
図３（Ｂ）において、８０６はＰチャネル型の薄膜トランジスタの活性層であって、８０７はＮチャネル型の薄膜トランジスタの活性層である。
【００４９】
次に露呈したゲイト絶縁膜を除去する。図３（Ｂ）には、残存したゲイト絶縁膜８１４と８１５とが示されている。
【００５２】
こうして図３（Ｂ）に示す状態を得る。次に多孔質状の陽極酸化膜８１０、８１１を除去する。

Claims (6)

  1. 一対の基板において、一方の基板上には薄膜トランジスタで構成された回路が配置されており、
    他方の基板と前記他方の基板上に形成された電極との間には酸素を含有する窒化アルミニウム膜が形成され、
    前記一対の基板間の間隔は封止材によって保持されていることを特徴とする表示装置。
  2. 一対の基板において、一方の基板上には薄膜トランジスタで構成された回路が配置されており、
    他方の基板と前記他方の基板上に形成された電極との間には酸素を含有する窒化アルミニウム膜が形成され、
    前記一対の基板間の間隔は封止材によって保持され、
    前記窒化アルミニウム膜に吸収された熱を放出させるように、前記他方の基板には、冷却手段または放熱手段が配置されていることを特徴とする表示装置。
  3. 請求項２において、前記窒化アルミニウム膜に吸収された熱は、前記薄膜トランジスタで構成された回路で発生した熱であることを特徴とする表示装置。
  4. 請求項２または請求項３において、前記窒化アルミニウム膜は前記封止材の外側まで延在して形成され、前記窒化アルミニウム膜の封止材の外側まで延在した領域には前記冷却手段または前記放熱手段が配置されていることを特徴とする表示装置。
  5. 請求項１乃至請求項４のいずれか一において、前記窒化アルミニウム膜はＡｌＮＯｘ（０＜Ｘ＜１）で示される組成であることを特徴とする表示装置。
  6. 請求項１乃至請求項５のいずれか一において、前記一方の基板上には周辺駆動回路とアクティブマトリクス回路が形成されていることを特徴とする表示装置。
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