JPH10200113A5 - - Google Patents
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- JPH10200113A5 JPH10200113A5 JP1996358954A JP35895496A JPH10200113A5 JP H10200113 A5 JPH10200113 A5 JP H10200113A5 JP 1996358954 A JP1996358954 A JP 1996358954A JP 35895496 A JP35895496 A JP 35895496A JP H10200113 A5 JPH10200113 A5 JP H10200113A5
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【発明の名称】半導体回路の作製方法
Claims (7)
- 絶縁表面を有する基板上に非晶質珪素膜を成膜し、
前記非晶質珪素膜の上に、長手形状を有する珪素の結晶化を助長する金属元素の添加領域を形成し、
加熱処理により、前記金属元素の添加領域から基板に平行な方向に結晶成長を行わせて結晶性珪素膜を形成し、
前記結晶性珪素膜をパターニングして活性層を形成し、
前記金属元素の添加領域は、前記活性層の端部よりも長手方向に延在して形成されていることを特徴とする半導体回路の作製方法。 - 請求項１において、
前記活性層は、前記半導体回路を構成する薄膜トランジスタの活性層であることを特徴とする半導体回路の作製方法。 - 請求項１又は請求項２において、
前記金属元素の添加領域の前記活性層の端部より長く延在した距離は、結晶成長距離の５０％以上であることを特徴とする半導体回路の作製方法。 - 請求項１乃至請求項３のいずれか１項において、
金属元素として、Fe、Co、Ni、Ru、Rh、Pd、Os、Ir、Pt、Cu、Auから選ばれた一種または複数種類のものが用いられることを特徴とする半導体回路の作製方法。 - 請求項１乃至請求項４のいずれか１項において、
前記金属元素の添加領域の長手方向は、前記活性層におけるキャリアの移動方向に一致することを特徴とする半導体回路の作製方法。 - 請求項１乃至請求項５のいずれか１項において、
前記金属元素の添加領域から金属元素が１次元的に拡散する領域内に、前記活性層を配置していることを特徴とする半導体回路の作製方法。 - 請求項２乃至請求項６のいずれか１項において、
前記薄膜トランジスタの前記活性層のキャリアの移動方向と、結晶構造の連続性の方向が概略一致していることを特徴とする半導体回路の作製方法。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP35895496A JP3734582B2 (ja) | 1996-12-30 | 1996-12-30 | アナログスイッチ回路の作製方法 |
| US08/998,964 US6011275A (en) | 1996-12-30 | 1997-12-29 | Semiconductor device and method of manufacturing the same |
| US09/455,991 US7026193B1 (en) | 1996-12-30 | 1999-12-06 | Method of manufacturing a semiconductor device having TFTs with uniform characteristics |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP35895496A JP3734582B2 (ja) | 1996-12-30 | 1996-12-30 | アナログスイッチ回路の作製方法 |
Publications (3)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10200113A JPH10200113A (ja) | 1998-07-31 |
| JPH10200113A5 true JPH10200113A5 (ja) | 2004-12-09 |
| JP3734582B2 JP3734582B2 (ja) | 2006-01-11 |
Family
ID=18461975
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP35895496A Expired - Fee Related JP3734582B2 (ja) | 1996-12-30 | 1996-12-30 | アナログスイッチ回路の作製方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3734582B2 (ja) |
-
1996
- 1996-12-30 JP JP35895496A patent/JP3734582B2/ja not_active Expired - Fee Related
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