JPH10233365A5 - - Google Patents

Description

【００９１】
本実施例においてもオフセットゲイト領域は形成されているが、その寸法が小さいのでその存在による寄与が小さく、また図面が煩雑になるので図中には記載していない。

【００９４】
〔実施例２〕
本実施例は、非晶質珪素膜の表面の疎水性を選択的に制御することのより、結晶性の異なるＴＦＴを選択的に作製する例を示す。

【０１０６】
そして、それに対応して、得られる結晶性も異なるものとなる。こうして高い結晶性を有する領域６０６と、それに比較して結晶性が低い領域６０７とを得る。（図６（Ｃ））

Claims (9)

1. 絶縁表面を有する基板上に非晶質珪素膜を形成し、
   前記非晶質珪素膜の一部を除去し、
   前記非晶質珪素膜が除去された領域に、珪素の結晶化を助長する金属元素を導入し、
   前記非晶質珪素膜を加熱することにより、前記金属元素が導入された領域から、前記基板に対して平行な方向に結晶成長を行わせ、
   前記金属元素は、前記金属元素を含む溶液を前記非晶質珪素膜に塗布することにより導入され、
   前記金属元素は、前記非晶質珪素膜の表面における前記溶液に対する撥水性を利用して選択的に接して保持されることを特徴とする半導体装置の作製方法。
2. 絶縁表面を有する基板上に非晶質珪素膜を形成し、
   前記非晶質珪素膜の一部を除去し、
   前記非晶質珪素膜が除去された領域に、珪素の結晶化を助長する金属元素を導入し、
   前記非晶質珪素膜を加熱することにより、前記金属元素が導入された領域から、前記基板に対して平行な方向に結晶成長を行わせ、
   前記金属元素は、前記金属元素を含む溶液を前記非晶質珪素膜に塗布することにより導入され、
   前記金属元素は、前記非晶質珪素膜の表面における前記溶液に対する疎水性を利用して選択的に接して保持され、
   前記金属元素の導入量は、前記非晶質珪素膜が除去された領域の形状によって制御されることを特徴とする半導体装置の作製方法。
3. 請求項１又は請求項２において、
   前記結晶成長により得られた結晶性珪素膜をパターニングして活性層を形成し、
   前記活性層にゲイト絶縁膜及びゲイト電極を形成し、
   前記活性層に不純物を導入して、ソース領域、ドレイン領域及びチャネル形成領域を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
4. 請求項１乃至請求項のいずれか１項において、
   前記金属元素が導入された領域からの結晶成長が行われる際に、前記非晶質珪素膜の結晶成長が行われる領域の表面は露呈していることを特徴とする半導体装置の作製方法。
5. 絶縁表面を有する基板上に非晶質珪素膜を形成し、
   前記非晶質珪素膜の一部に選択的に酸化珪素膜を形成し、
   前記非晶質珪素膜及び酸化珪素膜に、珪素の結晶化を助長する金属元素を導入し、
   前記非晶質珪素膜を加熱することにより、前記非晶質珪素膜を結晶化し、
   前記酸化珪素膜が選択的に形成された領域の前記結晶性珪素膜をパターニングして、第１の活性層を形成し、
   前記酸化珪素膜が形成されなかった領域の前記結晶性珪素膜をパターニングして、第２の結成層を形成し、
   前記第１及び第２の活性層それぞれに、ゲイト絶縁膜及びゲイト電極を形成し、
   前記第１の活性層に不純物を導入してＰ型薄膜トランジスタを形成し、
   前記第２の活性層に不純物を導入してＮ型薄膜トランジスタを形成し、
   前記金属元素は、前記金属元素を含む溶液を前記非晶質珪素膜に塗布することにより導入され、
   前記酸化珪素膜が選択的に形成された領域において、前記金属元素は、前記酸化珪素膜が形成されなかった領域よりもより多く保持され、
   前記Ｐ型薄膜トランジスタの第１の活性層は、前記Ｎ型薄膜トランジスタの第２の活性 層よりも結晶性が高いことを特徴とする半導体装置の作製方法。
6. 請求項１乃至請求項５のいずれか１項において、
   前記基板と非晶質珪素膜の間には、酸化珪素膜が形成されていることを特徴とする半導体装置の作製方法。
7. 請求項１乃至請求項６のいずれか１項において、
   前記金属元素は、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｏｓ、Ｉｒ、Ｐｔ、Ｃｕ、Ａｕから選ばれた一種または複数種類の元素であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
8. 請求項１乃至請求項７のいずれか１項において、
   前記非晶質珪素膜の代わりに珪素化合物でなる非晶質膜を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
9. 請求項８において、
   前記珪素化合物は、Ｓｉ_xＧｅ_1-x（０＜ｘ＜１）で示される材料であることを特徴とする半導体装置の作製方法。