JPH10204031A - 含フッ素アルキルカルボン酸モノエステルとそれを有する磁気記録媒体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 低湿度環境から高湿度環境において潤滑性が
低下しない物質の提供を目的とする。 【解決手段】 下記の化学式で示される含フッ素アルキ
ルカルボン酸モノエステルで、カルボン酸の1705cm~¹の
吸収ピークがある。 ここでＲ₁は脂肪族アルキル基または脂肪族アルケニル
基を示し、Ｒ₂はフロロアルキル基を示し、Ｒ₃は-Ｏ-ま
たは-Ｓ-を示し、Ｒ₄は-Ｓ-または-ＳＣ₂Ｈ₄Ｓ-を示
し、ｍは１から６の整数であり、ｎは１から30の整数で
あり、ａは０または１であり、ｂは０または１である。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は高精度な潤滑性が要
求される精密機械，精密部品の潤滑剤，界面活性剤，離
型剤，防錆剤などに有用な新規な含フッ素化合物と、そ
れを有する磁気記録媒体に関する。

【０００２】

【従来の技術】機械装置、部品の小型化、高精度化に伴
いそれらの摺動部における潤滑形態も流体潤滑から境界
潤滑へと移行してきている。とりわけ、ＶＴＲ，磁気デ
ィスクなどの電子機器，電子部品においては、記録密度
の向上を目的とした強磁性金属薄膜の採用により、磁気
テープや磁気ディスクなどの磁気記録媒体と磁気ヘッド
との摺動には高精度の潤滑が必要となってきた。例え
ば、蒸着テープやハードディスクでは耐久性と信頼性を
確保しながら磁気記録媒体と磁気ヘッドとのスペーシン
グロスを極力小さくして高出力化を図るために、磁性層
表面の潤滑剤層はわずか数10Åの厚さとなるように形成
される。したがって、この潤滑剤層を形成する材料とし
て、潤滑性の優れた有機化合物の開発が重要な課題とな
っている。

【０００３】金属薄膜型磁気記録媒体用の潤滑剤として
は、(化３)で示される長鎖カルボン酸フルオロアルキル
エステル(例えば特開昭62−46431号公報)や(化４)で示
されるフルオロアルキルカルボン酸モノエステルがある
(例えば特開昭61−107529号公報)。

【０００４】

【化３】

【０００５】

【化４】

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】しかし、上記の(化３)
で示される長鎖カルボン酸フルオロアルキルエステルの
潤滑剤は高湿度の環境下で潤滑性が低下し、(化４)で示
されるフルオロアルキルカルボン酸モノエステルの潤滑
剤は低湿度の環境下で潤滑性が低下するという問題があ
った。

【０００７】本発明は上記の従来の問題を解決するもの
で、走行性、耐久性および耐候性に優れるとともに、幅
広い温度環境下においても実用に供して信頼性が維持で
きる磁気記録媒体の提供を目的とする。

【０００８】

【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めに本発明の磁気記録媒体は、非磁性支持体の上に強磁
性金属薄膜を設け、その強磁性金属薄膜の上に保護膜を
介して、本発明の含フッ素アルキルカルボン酸モノエス
テルを含有する潤滑剤層を設けたことを特徴とするもの
である。

【０００９】本発明で用いる含フッ素アルキルカルボン
酸モノエステルとしては、一般式(化５)で示され、同一
分子内に１個のフロロアルキレンオキサイド鎖を有する
フロロアルキル末端基は、金属薄膜の表面または保護膜
の表面や磁気ヘッドの表面に露出してその表面の低エネ
ルギー化に寄与し、非粘着面を形成する。

【００１０】さらに、この含フッ素アルキルカルボン酸
モノエステル分子中のフロロアルキレンオキサイド鎖は
そのエーテル結合基の存在により、剛直な含フッ素炭化
水素末端鎖を柔軟にする作用があるため良好な潤滑性を
示し、非粘着性と潤滑性を両立する。また、脂肪族炭化
水素末端基は柔軟な炭素−炭素結合鎖であるために良好
な潤滑性を示す。

【００１１】また、カルボキシル基は金属薄膜の表面ま
たは保護膜の表面と磁気ヘッドの表面に強く付着する。
そして、これらの各末端基の相乗効果により、本発明の
含フッ素アルキルカルボン酸モノエステルを１種類以上
含有する潤滑剤層を設けた磁気記録媒体は、低湿度環境
から高湿度環境において潤滑性が低下しないという優れ
た効果が得られる。

【００１２】

【化５】

【００１３】ここでＲ₁は脂肪族アルキル基または脂肪
族アルケニル基を示し、Ｒ₂はフロロアルキル基を示
し、Ｒ₃は-Ｏ-または-Ｓ-を示し、Ｒ₄は-Ｓ-または-Ｓ
Ｃ₂Ｈ₄Ｓ-を示し、ｍは１から６の整数であり、ｎは１
から30の整数であり、ａは０または１であり、ｂは０ま
たは１である。

【００１４】

【発明の実施の形態】本発明で用いる含フッ素アルキル
カルボン酸モノエステルとしては、前記一般式(化５)で
示され、同一分子内に１個のフロロアルキレンオキサイ
ド鎖を有するフロロアルキル末端基と、１個の脂肪族炭
化水素末端基、すなわち脂肪族アルキル末端基または脂
肪族アルケニル末端基と、カルボキシル基を有する構造
である。 ここで、前記(化５)におけるＲ₁としては炭
素数が６〜30、好ましくは10〜24が適しており、炭素数
が６未満または30を超えると潤滑性が低下する。Ｒ₂と
しては炭素数が１〜30、好ましくは１〜８のフロロアル
キル基、ｍは１から６の整数であり、ｎは１から30の整
数であり、好ましくは１〜８が適しており、ｍ，ｎがこ
れらの範囲外であると潤滑性および保存信頼性が低下す
る。Ｒ₃としては-Ｏ-または-Ｓ-であり、Ｒ₄としては-
Ｓ-または-ＳＣ₂Ｈ₄Ｓ-であり、ａは０または１であ
り、ｂは０または１である。

【００１５】この含フッ素アルキルカルボン酸モノエス
テルは、出発原料としてフロロアルキレンオキサイド基
付フロロアルキルアルコールまたはフロロアルキレンオ
キサイド基付フロロアルキルチオールを用い一般式(化
６)で示され、Ｒ₂としては炭素数が１〜30、好ましくは
１〜８のフロロアルキル基、ｍは１から６の整数であ
り、ｎは１から30の整数であり、好ましくは１〜８が適
しており、Ｒ₃としては-Ｏ-または-Ｓ-である。

【００１６】

【化６】

【００１７】ここでＲ₂はフロロアルキル基を示し、Ｒ₃
は-Ｏ-または-Ｓ-を示し、ｍは１から６の整数であり、
ｎは１から30の整数である。

【００１８】この潤滑剤層は一般式が(化５)で示される
含フッ素アルキルカルボン酸モノエステルもしくは含フ
ッ素アルキルカルボン酸モノエステルと他の潤滑剤，防
錆剤，極圧剤などを添加して薄層上に存在させる。その
混合割合は混合物全量に対して40モル％以上、好ましく
は60モル％以上が適しており、含フッ素アルキルカルボ
ン酸モノエステルが40モル％未満であると本発明の効果
が得られ難い。その存在量は表面１ｍ²当たり0.05〜100
mg、好ましくは0.1〜50mgの範囲が適している。また前
記他の潤滑剤，防錆剤としては含フッ素化合物が好まし
く、液体系の含フッ素化合物がさらに好ましい。その添
加量としては０〜60％、好ましくは０〜40％の範囲が適
しており、含フッ素アルキルカルボン酸モノエステルが
40％未満であると本発明の効果が得られ難い。

【００１９】保護膜としてはスパッタリング，プラズマ
ＣＶＤなどの方法で得られるアモルファス状，グラファ
イト状，ダイヤモンド状あるいはそれらの混合状態，積
層状態のカーボン薄膜が適用でき、その厚さとしては、
50〜500Åが好ましい。

【００２０】本発明で用いる含フッ素アルキルカルボン
酸モノエステルの製造方法としては、アルキル無水コハ
ク酸またはアルケニル無水コハク酸またはアルキルチオ
無水コハク酸またはアルケニルチオ無水コハク酸とフロ
ロアルキレンオキサイド基付フロロアルキルアルコール
またはフロロアルキレンオキサド基付フロロアルキルチ
オールとを混合加熱撹拌する。加熱温度としては60〜10
0℃、好ましくは80〜90℃である。この範囲より低くな
ると未反応物が残る傾向にあり、一方高くなると副生成
物ができる傾向がある。

【００２１】使用できるアルキル無水コハク酸またはア
ルケニル無水コハク酸またはアルキルチオ無水コハク酸
またはアルケニルチオ無水コハク酸としては、ドデシル
無水コハク酸，トリデシル無水コハク酸，テトラデシル
無水コハク酸，ペンタデシル無水コハク酸，ヘキサデシ
ル無水コハク酸，ヘプタデシル無水コハク酸，オクタデ
シル無水コハク酸，ノナデシル無水コハク酸，イコシル
無水コハク酸，ヘンイコシル無水コハク酸，ドコシル無
水コハク酸，ドデセニル無水コハク酸，トリデセニル無
水コハク酸，テトラデセニル無水コハク酸，ペンタデセ
ニル無水コハク酸，ヘキサデセニル無水コハク酸，ヘプ
タデセニル無水コハク酸，オクタデセニル無水コハク
酸，ノナデセニル無水コハク酸，イコセニル無水コハク
酸，ヘンイコセニル無水コハク酸，ドコセニル無水コハ
ク酸，ドデシルチオ無水コハク酸，トリデシルチオ無水
コハク酸，テトラデシルチオ無水コハク酸，ペンタデシ
ルチオ無水コハク酸，ヘキサデシルチオ無水コハク酸，
ヘプタデシルチオ無水コハク酸，オタクデシルチオ無水
コハク酸，ノナデシル無水コハク酸，イコシルチオ無水
コハク酸，ヘンイコシルチオ無水コハク酸，ドコシルチ
オ無水コハク酸，ドデセニルチオ無水コハク酸，トリデ
セニルチオ無水コハク酸，テトラデセニル無水コハク
酸，ペンタデセニルチオ無水コハク酸，ヘキサデセニル
チオ無水コハク酸，ヘプタデセニルチオ無水コハク酸，
オクタデセニルチオ無水コハク酸，ノナデセニルチオ無
水コハク酸，イコセニルチオ無水コハク酸，ヘンイコセ
ニルチオ無水コハク酸，ドコセニルチオ無水コハク酸が
ある。

【００２２】フロロアルキレンオキサイド基付フロロア
ルキルアルコールまたはフロロアルキレンオキサイド基
付フロロアルキルチオールとしては、パーフルオロ-
３，７，11-トリオキサヘキサデシルメタノール、パー
フルオロ-２，５，８，11，14，17，20-ヘプタオキサヘ
プタコシルメタノール、パーフルオロ-４，９，14-トリ
オキサテトラシルメタノール、パーフルオロ-３，７，1
1-トリオキサヘキサデシルメチルチオール、パーフルオ
ロ-２，５，８，11，14，17，20-ヘプタオキサヘプタコ
シルメチルチオール、パーフルオロ-４，９，14-トリオ
キサテトラシルメチルチオールがある。アルキル無水コ
ハク酸またはアルケニル無水コハク酸、アルキルチオ無
水コハク酸またはアルケニルチオ無水コハク酸とフロロ
アルキレンオキサイド基付フロロアルキルアルコールま
たはフロロアルキレンオキサイド基付フロロアルキルチ
オールとの反応は溶媒の存在下で加熱撹拌すると都合良
く進行する。溶媒としては、ノルマルオクタン，ノルマ
ルヘプタンがある。

【００２３】アルキル無水コハク酸またはアルケニル無
水コハク酸またはアルキルチオ無水コハク酸またはアル
ケニルチオ無水コハク酸とフロロアルキレンオキサイド
基付フロロアルキルアルコールまたはフロロアルキレン
オキサイド基付フロロアルキルチオールとのモル比は、
等モルである。

【００２４】得られた混合物から目的化合物を単離する
には、まず減圧蒸留により溶媒を除去し、残留物を有機
溶媒で抽出し、化合物含フッ素アルキルカルボン酸モノ
エステルを得る。この化合物は、赤外分光分析(ＩＲ)、
ゲルパーミエーションクロマトグラフィ(ＧＰＣ)および
有機質量分析(ＦＤ−ＭＳ)により同定することができ
る。

【００２５】

【実施例】以下、本発明の各実施例について具体的に説
明する。

【００２６】（実施例１）本実施例１の物質の化学式は
(化７)で示されるものである。

【００２７】

【化７】

【００２８】(化７)の物質を(化５)の一般式と比較しな
がら説明すると、Ｒ₁が炭素数16のヘキサデシル基で、
Ｒ₂がフッ素と結合した炭素数を５個有するフロロアル
キル基で、ｍが３で、ｎが２で、Ｒ₃が-Ｏ-で、ａが１
で、ｂが０のものである。

【００２９】次に、(化７)で示される物質の製造方法を
説明する。

【００３０】出発原料は(化８)で示されるヘキサデシル
無水コハク酸32.5g(0.10モル)と(化９)で示されるフロ
ロアルキレンオキイサイド基付フロロアルキルアルコー
ル74.8g(0.10モル)である。

【００３１】

【化８】

【００３２】

【化９】

【００３３】上記の原料とノルマルヘプタン500mlとを
撹拌翼を備えた１リットルのフラスコに採取し、80℃、
24時間反応を行った。反応終了後、ノルマルヘプタンを
留去し、反応混合物をベンゼンに溶解し、−10℃に冷却
して未反応のヘキサデシル無水コハク酸を除去した。さ
らに、反応混合物をメタノール溶液として同様の処理に
より、未反応のフロロアルキレンオキサイド基付フロロ
アルキルアルコールを除去して白色半固体107gを得た。
この白色半固体は赤外分光分析(ＩＲ)、ゲルパーミエー
ションクロマトグラフィ(ＧＰＣ)および有機質量分析
(ＦＤ−ＭＳ)により、出発原料及び副生成物を含まない
(化７)の式で表される物質であることが判明した。この
化合物の赤外分光分析(スペクトル)の結果を図１に示
し、横軸に波長(cm~¹)、縦軸に透過率(％)を夫々とって
ある。

【００３４】ＩＲ ；酸無水物の1,775cm~¹の吸収ピー
ク及びアルコールの3,330cm~¹の吸収ピーク消滅、カル
ボン酸の1,705cm~¹、エステルの1,760cm~¹との吸収ピー
ク出現。 ＧＰＣ；フロロアルキレンオキサイド基付フロロアルキ
ルアルコール、ヘキサデシル無水コハク酸検出されず。 ＦＤ−ＭＳ；ｍ／ｅ 1,072に主ピーク有り。

【００３５】なお、本実施例１においては一般式(化５)
のＲ₁が炭素数16のヘキサデシル基で、Ｒ₂が炭素数５の
フロロアルキル基で、ｍが３で、ｎが２で、ａが１でｂ
が０の場合の製造方法について説明したが、これと構造
の異なる場合についても出発原料を代えて例えば(化10)
または(化11)を用いることにより同様に(化12)または
(化13)を製造できる。

【００３６】また、脂肪族アルキル無水コハク酸として
ヘキサデシル無水コハク酸を用いたが、出発原料を代え
て脂肪族アルケニル無水コハク酸として、例えば(化14)
または(化15)を脂肪族アルキルチオ無水コハク酸とし
て、例えば(化16)を脂肪族アルケニルチオ無水コハク酸
として、例えば(化17)を用いることにより同様に(化18)
または(化19)または(化20)または(化21)を製造できる。

【００３７】

【化１０】

【００３８】

【化１１】

【００３９】

【化１２】

【００４０】

【化１３】

【００４１】

【化１４】

【００４２】

【化１５】

【００４３】

【化１６】

【００４４】

【化１７】

【００４５】

【化１８】

【００４６】

【化１９】

【００４７】

【化２０】

【００４８】

【化２１】

【００４９】（実施例２）次に、本発明の磁気記録媒体
の実施例について具体的に説明するが、本発明はこれら
実施例に限定されるものではない。

【００５０】本実施例２の磁気記録媒体の非磁性支持体
は、ポリエステルフィルム内に添加されたシリカ微粒子
による勾配のゆるやかな粒状突起(平均高さ70Å、直径
１μm)が表面100μm²当たり数個存在し、しかも重合触
媒残さに起因する微粒子による比較的大きな突起を極力
低減させたポリエステルフィルムの表面に、直径150Å
のシリカコロイド粒子を核とし、紫外線硬化エポキシ樹
脂を結合剤とする急峻な山状突起を１mm²当り１×10⁷個
となるように形成させたものを用いた。そして、その非
磁性支持体の上に連続真空斜め蒸着法によりＣo−Ｎiの
強磁性膜(Ｎi含有量20％、膜厚1000Å)を微量の酸素の
存在下で設けた。強磁性膜中の酸素含有量は原子分率で
５％であった。

【００５１】次に、上記の強磁性膜の上にプラズマＣＶ
Ｄ法によって厚さ50Åのダイヤモンドライクカーボンの
保護膜を形成させた後、この保護膜上に(化７)の式で示
される含フッ素アルキルカルボン酸モノエステルを１ｍ
²当り10mgの存在量になるように塗布して潤滑剤層を形
成させた後、所定幅に裁断して磁気テープを作製した。
その磁気テープを５℃、10％ＲＨと40℃、80％ＲＨの
環境下で市販のビデオデッキにかけてスチル再生時の出
力特性を測定し、ＲＦ出力が初期値に対し３ｄＢ低下す
るかまたは出力変動の発生し始めるまでのスチル耐久時
間を求めた。

【００５２】（実施例３）実施例２の磁気テープにおい
て、（化７)に代えて(化12)を用いた磁気テープを作製
して同様の試験を行った。

【００５３】（実施例４）実施例２の磁気テープにおい
て、(化７)に代えて(化７)と従来公知の潤滑剤Ｃ₁₇Ｈ₃₃
ＣＯＯＣ₂Ｈ₄Ｃ₈Ｆ₁₇を重量比で１：１の混合物を用い
た磁気テープを作製して同様の試験を行った。

【００５４】（実施例５）実施例２の磁気テープにおい
て、(化７)に代えて(化７)と防錆剤(Ｃ₁₈Ｈ₃₅Ｏ)₃Ｐを
重量比で２：１の混合物を用いた磁気テープを作製して
同様の試験を行った。

【００５５】以上の実施例２〜５の試験結果を(表１)に
示す。表中の従来例１，２の潤滑剤はそれぞれ(化３)，
(化４)に示すものである。

【００５６】

【表１】

【００５７】(表１)より、本発明の含フッ素アルキルカ
ルボン酸モノエステルを含有する潤滑剤層を設けた磁気
テープ試料はすべて、低湿度中および高湿度中における
潤滑性が優れていることが明らかである。一方、従来の
潤滑剤のみからなる潤滑剤層を設けた磁気テープは低湿
度中または高湿度中において潤滑性が低下することが明
らかである。

【００５８】なお、実施例では(化７)，(化12)，(化７)
と従来公知の潤滑剤および(化７)と防錆剤との混合物に
ついて説明したが、(化13)，(化18)，(化19)，(化20)，
(化21)，(化22)，(化23)の物質、これらの物質と従来公
知の潤滑剤、防錆剤との混合物についても同様の効果が
得られる。

【００５９】

【化２２】

【００６０】

【化２３】

【００６１】なお、実施の形態では防錆剤としてホスフ
ァイトについて説明したがハイドロゼンホスファイト，
トリチオホスファイト，ホスフェート，チオホスフェー
ト，ジチオホスフェート，テトラチオホスフェート，ホ
スホネート，ホスホリックアミドについても同様の効果
が得られる。

【００６２】(実施例６)次に、本発明の他の磁気記録媒
体の実施例について具体的に説明する。

【００６３】本実施例の磁気記録媒体の非磁性支持体
は、直径95mm、厚さ1.2mmのＡl合金板の表面に厚さ25μ
mの非磁性Ｎi−Ｐ合金メッキを施し、テクスチャ加工に
より平均粗さ50Å、最大高さ300Åの突起を形成したも
のを用いた。非磁性Ｎi−Ｐ合金メッキの上にスパッタ
リング法によって厚さ1300ÅのＣｒ下地と厚さ600Åの
Ｃo−Ｎiの強磁性膜を形成し、さらにその強磁性膜の上
にスパッタリング法によって厚さ200Åのグラファイト
の保護膜を形成させたものを試料Ａとする。グラファイ
ト保護膜の代わりにプラズマＣＶＤ法によって厚さ50Å
のダイヤモンドライクカーボンの保護膜を形成させたも
のを試料Ｂとする。次に、これらの試料の保護膜の上に
(化７)の式で示される含フッ素アルキルカルボン酸モノ
エステルを１ｍ²当り10mgの存在量となるように塗布し
て潤滑剤層を設けて磁気ディスクを作製した。

【００６４】その磁気ディスクに５℃、10％ＲＨと40
℃、80％ＲＨの環境下でＣＳＳ(コンタクト・スタート
・ストップ)試験を実施し、摩擦係数が1.0を超えた時点
のＣＳＳ回数またはヘッドクラッシュ発生時のＣＳＳ回
数で耐久性の判定を行った。

【００６５】（実施例７）実施例６の磁気ディスクにお
いて、(化７)に代えて(化12)を用いた磁気ディスクを作
製して同様の試験を行った。

【００６６】（実施例８）実施例６の磁気ディスクにお
いて、(化７)に代えて実施例４と同じ潤滑剤を用いた磁
気ディスクを作製して同様の試験を行った。

【００６７】（実施例９）実施例６の磁気ディスクにお
いて、(化７)に代えて実施例５と同じ防錆剤を用いた磁
気ディスクを作製して同様の試験を行った。

【００６８】以上の実施例６〜９の試験結果を(表２)に
示す。表中の従来例３，４の潤滑剤はそれぞれ(化３)，
(化４)に示すものである。

【００６９】

【表２】

【００７０】(表２)より、本発明の含フッ素アルキルカ
ルボン酸モノエステルを１種類以上含有する潤滑剤層を
設けた磁気ディスクはすべて低湿度中および高湿度中に
おけるＣＳＳの耐久性に優れていることが明らかであ
る。一方、従来の潤滑剤のみからなる潤滑剤層を設けた
磁気ディスクは低湿度中または高湿度中でＣＳＳの耐久
性が劣ることが明らかである。

【００７１】なお、実施例では(化７)，(化12)，(化７)
と従来公知の潤滑剤および(化７)と防錆剤との混合物に
ついて説明したが、(化13)，(化18)，(化19)，(化20)，
(化21)，(化23)の物質、これらの物質と従来公知の潤滑
剤，防錆剤との混合物についても同様の効果が得られ
る。

【００７２】なお、実施例では防錆剤としてホスファイ
トについて説明したがハイドロゼンホスファイト，トリ
チオホスファイト，ホスフェート，チオホスフェート，
ジチオホスフェート，トリチオホスフェート，テトラチ
オホスフェート，ホスホネート，ホスホリックアミドに
ついても同様の効果が得られる。

【００７３】

【発明の効果】以上の説明したように、本発明の磁気記
録媒体は、非磁性支持体の上に強磁性金属薄膜を設け、
その強磁性金属薄膜の上に保護膜を介して、本発明の含
フッ素アルキルカルボン酸モノエステルを１種類以上含
有する潤滑剤層を設けたものである。

【００７４】この含フッ素アルキルカルボン酸モノエス
テルは同一分子内に１個のフロロアルキレンオキサイド
鎖を有するフロロアルキル末端基と、１個の脂肪族炭化
水素末端基、すなわち脂肪族アルキル末端基または脂肪
族アルケニル末端基と、カルボキシル基を有する構造で
ある。

【００７５】このフロロアルキル末端基は金属薄膜の表
面または保護膜の表面や磁気ヘッドの表面に露出してそ
の表面の低エネルギー化に寄与し、非粘着面を形成す
る。さらに、この含フッ素アルキルカルボン酸モノエス
テル分子中のフロロアルキレンオキサイド鎖はそのエー
テル結合基の存在により、剛直な含フッ素炭化水素末端
鎖を柔軟にする作用があるため良好な潤滑性を示し、非
粘着性と潤滑性を両立する。

【００７６】また、脂肪族炭化水素末端基は柔軟な炭素
−炭素結合鎖であるために良好な潤滑性を示す。また、
カルボキシル基は金属薄膜の表面または保護膜の表面の
磁気ヘッドの表面に強く付着する。そして、これらの各
末端基の相乗効果により、本発明の含フッ素アルキルカ
ルボン酸モノエステルを１種類以上含有する潤滑剤層を
設けた磁気記録媒体は、低湿度環境から高湿度環境にお
いて潤滑性が低下しないという優れた効果が得られる。

【図面の簡単な説明】

【図１】実施例１で示される含フッ素アルキルカルボン
酸モノエステルの赤外分光分析の結果を示す図である。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 村居 幹夫 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 (72)発明者 相内 幸子 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内

Claims (4)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 一般式が(化１)で示されることを特徴と
   する含フッ素アルキルカルボン酸モノエステル。 【化１】 ここでＲ₁は脂肪族アルキル基または脂肪族アルケニル
   基を示し、Ｒ₂はフロロアルキル基を示し、Ｒ₃は-Ｏ-ま
   たは-Ｓ-を示し、Ｒ₄は-Ｓ-または-ＳＣ₂Ｈ₄Ｓ-を示
   し、ｍは１から６の整数であり、ｎは１から30の整数で
   あり、ａは０または１であり、ｂは０または１である。
2. 【請求項２】 一般式が(化２)で示されるフロロアルキ
   レンオキサイド基付フロロアルキルアルコールまたはフ
   ロロアルキレンオキサイド基付フロロアルキルチオール
   を出発原料として用いることを特徴とする請求項１記載
   の含フッ素アルキルカルボン酸モノエステル。 【化２】 ここでＲ₂はフロロアルキル基を示し、Ｒ₃は-Ｏ-または
   -Ｓ-を示し、ｍは１から６の整数であり、ｎは１から30
   の整数である。
3. 【請求項３】 非磁性支持体の上に強磁性金属膜を設
   け、その強磁性金属膜の上に保護膜を介して請求項１記
   載の含フッ素アルキルカルボン酸モノエステルを１種類
   以上含有する潤滑剤層を設けたことを特徴とする磁気記
   録媒体。
4. 【請求項４】 保護膜がダイヤモンドライクカーボンで
   あることを特徴とする請求項３記載の磁気記録媒体。