JPH10204625A - ＭｇＯ膜成膜方法及び成膜装置 - Google Patents
ＭｇＯ膜成膜方法及び成膜装置Info
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- JPH10204625A JPH10204625A JP9004333A JP433397A JPH10204625A JP H10204625 A JPH10204625 A JP H10204625A JP 9004333 A JP9004333 A JP 9004333A JP 433397 A JP433397 A JP 433397A JP H10204625 A JPH10204625 A JP H10204625A
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- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/24—Vacuum evaporation
- C23C14/32—Vacuum evaporation by explosion; by evaporation and subsequent ionisation of the vapours, e.g. ion-plating
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
- H01J37/32422—Arrangement for selecting ions or species in the plasma
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
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- C23C14/06—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
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- C23C14/081—Oxides of aluminium, magnesium or beryllium
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 良好なＭｇＯ膜を高速で成膜できるＭｇＯ膜
成膜方法を提供すること。 【解決手段】 アーク放電を用いたプラズマビーム発生
器１３を用い、ハース２０の中心軸に同心で前記ハース
の上部近傍を囲むように環状磁石を設けて補助陽極３０
とし、蒸着物質としてＭｇを用いると共に、真空容器１
１内に酸素ガスを含む混合ガスを導入することにより、
前記ハースから昇華したＭｇ粒子とプラズマビームによ
り発生した酸素プラズマとを反応させてＭｇＯ膜を基板
４０上に形成するようにした。
成膜方法を提供すること。 【解決手段】 アーク放電を用いたプラズマビーム発生
器１３を用い、ハース２０の中心軸に同心で前記ハース
の上部近傍を囲むように環状磁石を設けて補助陽極３０
とし、蒸着物質としてＭｇを用いると共に、真空容器１
１内に酸素ガスを含む混合ガスを導入することにより、
前記ハースから昇華したＭｇ粒子とプラズマビームによ
り発生した酸素プラズマとを反応させてＭｇＯ膜を基板
４０上に形成するようにした。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明はプラズマを利用した
成膜方法及び成膜装置に関し、特にＭｇＯ（酸化マグネ
シウム）膜を形成するための成膜方法及び成膜装置に関
する。
成膜方法及び成膜装置に関し、特にＭｇＯ（酸化マグネ
シウム）膜を形成するための成膜方法及び成膜装置に関
する。
【０００２】
【従来の技術】通常、プラズマディスプレイパネル（以
下、ＰＤＰと呼ぶ）では、放電セルの保護膜としてＭｇ
Ｏ膜が形成されている。このＭｇＯ膜の成膜には、一般
に、塗布法等の湿式方法と真空蒸着等の乾式方法が採用
されているが、乾式方法の方が膜質において優れている
ため、多用されている。
下、ＰＤＰと呼ぶ）では、放電セルの保護膜としてＭｇ
Ｏ膜が形成されている。このＭｇＯ膜の成膜には、一般
に、塗布法等の湿式方法と真空蒸着等の乾式方法が採用
されているが、乾式方法の方が膜質において優れている
ため、多用されている。
【０００３】乾式方法にも、電子銃を用いた真空蒸着法
とスパッタリング法とがあるが、真空蒸着法は、スパッ
タリング法に比べて高速で成膜できるために多く採用さ
れている。電子銃を用いた真空蒸着法における成膜速度
は、電子銃の出力にも依存するが、概ね２０〜４０Ａ
（オングストローム）／秒であり、これ以上のパワーで
はタブレット、すなわち蒸着物質が突沸する等のトラブ
ルが発生するので不適当であると考えられている。
とスパッタリング法とがあるが、真空蒸着法は、スパッ
タリング法に比べて高速で成膜できるために多く採用さ
れている。電子銃を用いた真空蒸着法における成膜速度
は、電子銃の出力にも依存するが、概ね２０〜４０Ａ
（オングストローム）／秒であり、これ以上のパワーで
はタブレット、すなわち蒸着物質が突沸する等のトラブ
ルが発生するので不適当であると考えられている。
【０００４】一方、ＲＦイオンプレーティング法では、
タブレットにＭｇＯを使用した場合、プラズマを発生さ
せるために運転圧力を約１０-3〜１０-4Ｔｏｒｒにする
必要がある。しかし、この運転圧力ではＭｇＯの蒸発を
阻害するため、成膜速度が減少する（１０-4Ｔｏｒｒよ
り高真空にすればするほど、蒸発しやすい）。また、タ
ブレットにＭｇを使用して反応性成膜を行う方法もある
が、この方法では膜質が不安定になったり、酸素雰囲気
により電子銃の寿命が短くなる等の問題がある。
タブレットにＭｇＯを使用した場合、プラズマを発生さ
せるために運転圧力を約１０-3〜１０-4Ｔｏｒｒにする
必要がある。しかし、この運転圧力ではＭｇＯの蒸発を
阻害するため、成膜速度が減少する（１０-4Ｔｏｒｒよ
り高真空にすればするほど、蒸発しやすい）。また、タ
ブレットにＭｇを使用して反応性成膜を行う方法もある
が、この方法では膜質が不安定になったり、酸素雰囲気
により電子銃の寿命が短くなる等の問題がある。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】ところで、ＰＤＰの製
作工程においては、ＭｇＯ膜の成膜工程が大きな時間を
占めているが、上記の方法では、成膜速度が十分でな
く、ＰＤＰの生産性向上の妨げとなっている。
作工程においては、ＭｇＯ膜の成膜工程が大きな時間を
占めているが、上記の方法では、成膜速度が十分でな
く、ＰＤＰの生産性向上の妨げとなっている。
【０００６】そこで、本発明の課題は、良好なＭｇＯ膜
を高速で成膜できるＭｇＯ膜成膜方法を提供することに
ある。
を高速で成膜できるＭｇＯ膜成膜方法を提供することに
ある。
【０００７】本発明はまた、上記の成膜方法に適した成
膜装置を提供することにある。
膜装置を提供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明によるＭｇＯ膜成
膜方法は、アーク放電を用いたプラズマビーム発生源か
らのプラズマビームを真空容器内に配置した陽極として
のハースの入射面に導き、該ハース上の蒸着物質をイオ
ン化し、該イオン化した蒸着物質を前記ハースと対向さ
せて配置された基板の表面に付着させて成膜を行なう成
膜方法において、前記ハースの中心軸に同心で前記ハー
スの上部近傍を囲むように環状磁石を設けて補助陽極と
し、前記蒸着物質としてＭｇを用いると共に、前記真空
容器内に酸素ガスを含む混合ガスを導入することによ
り、前記ハースから昇華したＭｇ粒子と前記プラズマビ
ームにより発生した酸素プラズマとを反応させてＭｇＯ
膜を前記基板上に形成するようにしたことを特徴とす
る。
膜方法は、アーク放電を用いたプラズマビーム発生源か
らのプラズマビームを真空容器内に配置した陽極として
のハースの入射面に導き、該ハース上の蒸着物質をイオ
ン化し、該イオン化した蒸着物質を前記ハースと対向さ
せて配置された基板の表面に付着させて成膜を行なう成
膜方法において、前記ハースの中心軸に同心で前記ハー
スの上部近傍を囲むように環状磁石を設けて補助陽極と
し、前記蒸着物質としてＭｇを用いると共に、前記真空
容器内に酸素ガスを含む混合ガスを導入することによ
り、前記ハースから昇華したＭｇ粒子と前記プラズマビ
ームにより発生した酸素プラズマとを反応させてＭｇＯ
膜を前記基板上に形成するようにしたことを特徴とす
る。
【０００９】また、本発明によるＭｇＯ膜成膜装置は、
アーク放電を用いたプラズマビーム発生源からのプラズ
マビームを真空容器内に配置した陽極としてのハースの
入射面に導き、該ハース上の蒸着物質をイオン化し、該
イオン化した蒸着物質を前記ハースと対向させて配置さ
れた基板の表面に付着させて成膜を行なう成膜装置にお
いて、前記ハースの周囲に、該ハースの中心軸に同心で
かつ該ハースの上部近傍を囲むような環状磁石を含む補
助陽極を配置し、前記蒸着物質としてＭｇを用いると共
に、前記真空容器内に酸素ガスを含む混合ガスを導入す
る手段を設けることにより、前記ハースから昇華したＭ
ｇ粒子と前記プラズマビームにより発生した酸素プラズ
マとを反応させてＭｇＯ膜を前記基板上に形成するよう
にしたことを特徴とする。
アーク放電を用いたプラズマビーム発生源からのプラズ
マビームを真空容器内に配置した陽極としてのハースの
入射面に導き、該ハース上の蒸着物質をイオン化し、該
イオン化した蒸着物質を前記ハースと対向させて配置さ
れた基板の表面に付着させて成膜を行なう成膜装置にお
いて、前記ハースの周囲に、該ハースの中心軸に同心で
かつ該ハースの上部近傍を囲むような環状磁石を含む補
助陽極を配置し、前記蒸着物質としてＭｇを用いると共
に、前記真空容器内に酸素ガスを含む混合ガスを導入す
る手段を設けることにより、前記ハースから昇華したＭ
ｇ粒子と前記プラズマビームにより発生した酸素プラズ
マとを反応させてＭｇＯ膜を前記基板上に形成するよう
にしたことを特徴とする。
【００１０】なお、上記の成膜方法及び成膜装置におい
て、前記真空容器内における成膜中の圧力は１．３×１
０-3〜０．５×１０-4Ｔｏｒｒとすることが好ましい。
て、前記真空容器内における成膜中の圧力は１．３×１
０-3〜０．５×１０-4Ｔｏｒｒとすることが好ましい。
【００１１】
【発明の実施の形態】図１、図２を参照して、本発明に
よるＭｇＯ成膜方法及び成膜装置の好ましい実施の形態
について説明する。本発明に使用するＭｇＯ成膜装置
は、基本的には本出願人が既に出願している特願平６−
１１８５００号の装置と同等のものである。本形態にお
けるＭｇＯ成膜装置は、真空容器１１の側壁にＡｒ（ア
ルゴン）＋Ｏ2 ガスのようなＯ2 ガスを含む混合ガスの
ガス導入口１１ａと排出口１１ｂとが設けられている。
真空容器１１の側壁に形成された装着口１１ｃには、プ
ラズマビーム発生器１３が設けられている。
よるＭｇＯ成膜方法及び成膜装置の好ましい実施の形態
について説明する。本発明に使用するＭｇＯ成膜装置
は、基本的には本出願人が既に出願している特願平６−
１１８５００号の装置と同等のものである。本形態にお
けるＭｇＯ成膜装置は、真空容器１１の側壁にＡｒ（ア
ルゴン）＋Ｏ2 ガスのようなＯ2 ガスを含む混合ガスの
ガス導入口１１ａと排出口１１ｂとが設けられている。
真空容器１１の側壁に形成された装着口１１ｃには、プ
ラズマビーム発生器１３が設けられている。
【００１２】プラズマビーム発生器１３は、アーク放電
を用いたものであれば良く、例えば圧力勾配型のプラズ
マ源あるいはＨＣＤプラズマ源が知られている。真空容
器１１の外側には、装着口１１ｃを囲むようにプラズマ
ビームガイド及び収束用のステアリングコイル１２が設
置されている。プラズマビーム発生器１３には、プラズ
マビーム収束用の第１中間電極１４、第２中間電極１５
が同心的に配置されている。第１中間電極１４には磁極
軸がプラズマビーム発生器１３の中心軸と平行になるよ
うに永久磁石１４−１が内蔵され、第２中間電極１５に
はコイル１５−１が内蔵されている。プラズマビーム発
生器１３の絶縁管（ガラス管）１６内には、ＬａＢ6 の
環状板１７を内蔵し、かつキャリアガスの導入可能なＭ
ｏ筒１８ａとＴａ（タンタル）パイプ１８ｂとが設けら
れている。
を用いたものであれば良く、例えば圧力勾配型のプラズ
マ源あるいはＨＣＤプラズマ源が知られている。真空容
器１１の外側には、装着口１１ｃを囲むようにプラズマ
ビームガイド及び収束用のステアリングコイル１２が設
置されている。プラズマビーム発生器１３には、プラズ
マビーム収束用の第１中間電極１４、第２中間電極１５
が同心的に配置されている。第１中間電極１４には磁極
軸がプラズマビーム発生器１３の中心軸と平行になるよ
うに永久磁石１４−１が内蔵され、第２中間電極１５に
はコイル１５−１が内蔵されている。プラズマビーム発
生器１３の絶縁管（ガラス管）１６内には、ＬａＢ6 の
環状板１７を内蔵し、かつキャリアガスの導入可能なＭ
ｏ筒１８ａとＴａ（タンタル）パイプ１８ｂとが設けら
れている。
【００１３】プラズマビーム発生器１３本体と第１中間
電極１４との間には抵抗器Ｒ１を介して主電源１９Ａが
接続されている。主電源１９Ａに並列に、スイッチＳ１
と補助放電用電源１９Ｂとの直列接続部が接続され、主
電源１９Ａと補助放電用電源１９Ｂの正極側の共通接続
点には、抵抗器Ｒ２を介して第２中間電極１５が接続さ
れ、更に、抵抗器Ｒ３を介して接地されると共に、真空
容器１１本体が接続されている。第２中間電極１５内の
コイル１５−１は、ステアリングコイル１２と共に励磁
用の第１の直流電源Ｅ１に接続されている。一方、真空
容器１１内には補助陽極３０を組合わせたハース２０が
配置され、その上部に対向配置させた被処理物体として
の基板４０には負バイアス用の直流電源Ｅ２が接続され
ている。
電極１４との間には抵抗器Ｒ１を介して主電源１９Ａが
接続されている。主電源１９Ａに並列に、スイッチＳ１
と補助放電用電源１９Ｂとの直列接続部が接続され、主
電源１９Ａと補助放電用電源１９Ｂの正極側の共通接続
点には、抵抗器Ｒ２を介して第２中間電極１５が接続さ
れ、更に、抵抗器Ｒ３を介して接地されると共に、真空
容器１１本体が接続されている。第２中間電極１５内の
コイル１５−１は、ステアリングコイル１２と共に励磁
用の第１の直流電源Ｅ１に接続されている。一方、真空
容器１１内には補助陽極３０を組合わせたハース２０が
配置され、その上部に対向配置させた被処理物体として
の基板４０には負バイアス用の直流電源Ｅ２が接続され
ている。
【００１４】なお、基板４０は図示しない搬送系によ
り、間欠的に真空容器１１内に搬送され、連続運転を可
能にしているが、この搬送系については良く知られてい
るので図示、説明は省略する。
り、間欠的に真空容器１１内に搬送され、連続運転を可
能にしているが、この搬送系については良く知られてい
るので図示、説明は省略する。
【００１５】補助陽極３０を組合わせたハース２０はビ
ーム修正型複合ハースとも呼ばれ、図２に拡大して示す
ように、水冷却系が組合わされる。ハース２０は、磁極
軸を上下方向にした永久磁石２１と上板２２及び下板２
３とを有する。上板２２は、その上部に蒸着物質収容の
ための凹部２２−１を、下部には永久磁石２１より十分
大きな収容空間をそれぞれ有する。蒸着物質としては、
Ｍｇタブレットが用いられる。下板２３は上板２２の下
面に固着されている。このようにして、ハース２０内に
水冷空間を形成し、下板２３には水導入口２３−１と水
導出口２３−２とを形成している。
ーム修正型複合ハースとも呼ばれ、図２に拡大して示す
ように、水冷却系が組合わされる。ハース２０は、磁極
軸を上下方向にした永久磁石２１と上板２２及び下板２
３とを有する。上板２２は、その上部に蒸着物質収容の
ための凹部２２−１を、下部には永久磁石２１より十分
大きな収容空間をそれぞれ有する。蒸着物質としては、
Ｍｇタブレットが用いられる。下板２３は上板２２の下
面に固着されている。このようにして、ハース２０内に
水冷空間を形成し、下板２３には水導入口２３−１と水
導出口２３−２とを形成している。
【００１６】補助陽極３０は、ハース２０の中心軸と同
心でハース２０の上部近傍を囲むように、かつ、磁極軸
を上下方向にした環状永久磁石３１と、ハース２０の外
周に、これを囲むように所定の隙間をおいて配置されて
環状永久磁石３１を永久磁石２１よりやや上方の位置で
保持している環状の磁石ケース３２とから成る。磁石ケ
ース３２は、環状永久磁石３１より十分大きな収容空間
を有する環状の上ケース３３とこの上ケース３３の下面
に固着された環状の下ケース３４とを有する。このよう
にして、磁石ケース３２内にも水冷空間を形成し、下ケ
ース３４にも水導入口３４−１と水導出口３４−２とを
形成している。
心でハース２０の上部近傍を囲むように、かつ、磁極軸
を上下方向にした環状永久磁石３１と、ハース２０の外
周に、これを囲むように所定の隙間をおいて配置されて
環状永久磁石３１を永久磁石２１よりやや上方の位置で
保持している環状の磁石ケース３２とから成る。磁石ケ
ース３２は、環状永久磁石３１より十分大きな収容空間
を有する環状の上ケース３３とこの上ケース３３の下面
に固着された環状の下ケース３４とを有する。このよう
にして、磁石ケース３２内にも水冷空間を形成し、下ケ
ース３４にも水導入口３４−１と水導出口３４−２とを
形成している。
【００１７】なお、この例ではハース２０と補助陽極３
０の水冷系を共通にするため、冷却水配管３５から水導
入口３４−１を通して補助陽極３０内に導入した冷却水
を、水導出口３４−２と水導入口２３−１とを接続して
いる冷却水配管２４を通してハース２０内に導入し、更
に水導出口２３−２に接続した冷却水配管２５を通して
排出するようにしている。
０の水冷系を共通にするため、冷却水配管３５から水導
入口３４−１を通して補助陽極３０内に導入した冷却水
を、水導出口３４−２と水導入口２３−１とを接続して
いる冷却水配管２４を通してハース２０内に導入し、更
に水導出口２３−２に接続した冷却水配管２５を通して
排出するようにしている。
【００１８】ハース２０を構成している上板２２及び下
板２３と、磁石ケース３２を構成している上ケース３３
及び下ケース３４の材料としては、いずれもハース２０
と同様に熱伝導率の良い導電性材料、例えば銅が使用さ
れる。また、下板２３と下ケース３４との接合箇所に
は、電気的な絶縁板３６が介在するようにされている。
この例では、ハース２０と補助陽極３０との間の絶縁
は、ハース２０の底部側では絶縁板３６により、ハース
２０の側壁側では補助陽極３０との間に所定の隙間を置
くことによりそれぞれ実現している。ハース２０に内蔵
されている永久磁石２１は、プラズマビームガイドのた
めに用いられるが、省略される場合もある。
板２３と、磁石ケース３２を構成している上ケース３３
及び下ケース３４の材料としては、いずれもハース２０
と同様に熱伝導率の良い導電性材料、例えば銅が使用さ
れる。また、下板２３と下ケース３４との接合箇所に
は、電気的な絶縁板３６が介在するようにされている。
この例では、ハース２０と補助陽極３０との間の絶縁
は、ハース２０の底部側では絶縁板３６により、ハース
２０の側壁側では補助陽極３０との間に所定の隙間を置
くことによりそれぞれ実現している。ハース２０に内蔵
されている永久磁石２１は、プラズマビームガイドのた
めに用いられるが、省略される場合もある。
【００１９】図２に戻って動作について説明する。スイ
ッチＳ１をオンにして補助放電用電源（４００Ｖ〜６０
０Ｖの高電圧、低電流電源）１９Ｂをオンとし、放電を
開始する。また、補助陽極３０側の電流制御装置４１を
オンにして、ハース２０側の電流制御装置４２はオフの
状態にしておく。この場合、第１中間電極１４とＭｏ筒
１８ａとの間で放電が始まると共に、プラズマビームの
電流は補助陽極３０に流れるのでプラズマが安定しやす
い。プラズマが安定した時点で主電源（低電圧、高電流
電源）１９Ａを電流０の状態から徐々に増加させてスイ
ッチＳ１をオフとし、補助陽極３０側の電流制御装置４
１をオフ、ハース２０側の電流制御装置４２をオンにし
て成膜作業を行なう。
ッチＳ１をオンにして補助放電用電源（４００Ｖ〜６０
０Ｖの高電圧、低電流電源）１９Ｂをオンとし、放電を
開始する。また、補助陽極３０側の電流制御装置４１を
オンにして、ハース２０側の電流制御装置４２はオフの
状態にしておく。この場合、第１中間電極１４とＭｏ筒
１８ａとの間で放電が始まると共に、プラズマビームの
電流は補助陽極３０に流れるのでプラズマが安定しやす
い。プラズマが安定した時点で主電源（低電圧、高電流
電源）１９Ａを電流０の状態から徐々に増加させてスイ
ッチＳ１をオフとし、補助陽極３０側の電流制御装置４
１をオフ、ハース２０側の電流制御装置４２をオンにし
て成膜作業を行なう。
【００２０】本実施の形態においては、真空容器１１内
は約１０-3〜１０-4Ｔｏｒｒの圧力に維持される。プラ
ズマビーム発生器１３により発生されたプラズマビーム
は、ステアリングコイル１２及び補助陽極３０によりハ
ース２０に導かれる。特に、補助陽極３０を組み合わさ
れていることにより、プラズマビームはハース２０に導
かれやすい。この時、ハース２０上に置かれたＭｇタブ
レットは、プラズマビームにより加熱されて昇華する。
一方、プラズマビームはその軌道上にもプラズマを発生
させる。真空容器中には、ガス導入口１１ａよりＯ2 混
合ガスが供給されており、プラズマにより酸素プラズマ
が発生する。昇華したＭｇ粒子は酸素プラズマと反応
し、ＭｇＯの膜を基板４０に形成する。
は約１０-3〜１０-4Ｔｏｒｒの圧力に維持される。プラ
ズマビーム発生器１３により発生されたプラズマビーム
は、ステアリングコイル１２及び補助陽極３０によりハ
ース２０に導かれる。特に、補助陽極３０を組み合わさ
れていることにより、プラズマビームはハース２０に導
かれやすい。この時、ハース２０上に置かれたＭｇタブ
レットは、プラズマビームにより加熱されて昇華する。
一方、プラズマビームはその軌道上にもプラズマを発生
させる。真空容器中には、ガス導入口１１ａよりＯ2 混
合ガスが供給されており、プラズマにより酸素プラズマ
が発生する。昇華したＭｇ粒子は酸素プラズマと反応
し、ＭｇＯの膜を基板４０に形成する。
【００２１】このような作用は、いわゆるイオンプレー
ティング法の原理と同じであるが、本発明においては、
通常のイオンプレーティング法（補助陽極３０の無いも
の）より電子温度、電子密度共に高いために、安定した
ＭｇＯ膜を形成することが可能となる。加えて、酸素プ
ラズマがＭｇタブレットに衝突することにより、Ｍｇタ
ブレット表面の温度は酸化熱のために更に加熱され、表
面がＭｇＯ化することと相俟って成膜速度の向上化が図
られる。
ティング法の原理と同じであるが、本発明においては、
通常のイオンプレーティング法（補助陽極３０の無いも
の）より電子温度、電子密度共に高いために、安定した
ＭｇＯ膜を形成することが可能となる。加えて、酸素プ
ラズマがＭｇタブレットに衝突することにより、Ｍｇタ
ブレット表面の温度は酸化熱のために更に加熱され、表
面がＭｇＯ化することと相俟って成膜速度の向上化が図
られる。
【００２２】因みに、真空蒸着の場合の成膜速度は、２
０〜４０Ａ／秒程度（圧力は１０-4〜１０-6Ｔｏｒｒ）
であるが、本形態によれば、図３に示すように、２００
Ａ／秒以上（圧力は７×１０-4Ｔｏｒｒ）の成膜速度を
得ることができることが確認されている。
０〜４０Ａ／秒程度（圧力は１０-4〜１０-6Ｔｏｒｒ）
であるが、本形態によれば、図３に示すように、２００
Ａ／秒以上（圧力は７×１０-4Ｔｏｒｒ）の成膜速度を
得ることができることが確認されている。
【００２３】
【発明の効果】以上説明してきたように、本発明によれ
ば、蒸着物質としてＭｇメタルを用いると共に、ビーム
修正型複合ハースを用い、真空容器内の雰囲気をＯ2 を
含む混合ガスとして、基板へのＭｇＯ膜の成膜を促進さ
せるようにしたことにより、良好なＭｇＯ膜を高速で成
膜できるＭｇＯ膜成膜方法及び成膜装置を提供すること
ができる。
ば、蒸着物質としてＭｇメタルを用いると共に、ビーム
修正型複合ハースを用い、真空容器内の雰囲気をＯ2 を
含む混合ガスとして、基板へのＭｇＯ膜の成膜を促進さ
せるようにしたことにより、良好なＭｇＯ膜を高速で成
膜できるＭｇＯ膜成膜方法及び成膜装置を提供すること
ができる。
【図１】本発明を適用した成膜装置の一例を示した縦断
面図である。
面図である。
【図２】図１に示されたハースと補助陽極及びこれらに
付随する周辺要素について示した縦断面図である。
付随する周辺要素について示した縦断面図である。
【図３】図１に示された成膜装置において放電電流と成
膜速度との関係について測定結果を示した図である。
膜速度との関係について測定結果を示した図である。
１１ 真空容器 ２０ ハース ３０ 補助陽極 ３１ 環状永久磁石 １２ ステアリングコイル １３ プラズマビーム発生器 １４ 第１中間電極 １５ 第２中間電極 １６ 絶縁管 １８ａ Ｍｏ筒 １８ｂ Ｔａパイプ １９Ａ 主電源 １９Ｂ 補助放電用電源 ２１ 永久磁石 ４０ 基板
Claims (4)
- 【請求項１】 アーク放電を用いたプラズマビーム発生
源からのプラズマビームを真空容器内に配置した陽極と
してのハースの入射面に導き、該ハース上の蒸着物質を
イオン化し、該イオン化した蒸着物質を前記ハースと対
向させて配置された基板の表面に付着させて成膜を行な
う成膜方法において、 前記ハースの中心軸に同心で前記ハースの上部近傍を囲
むように環状磁石を設けて補助陽極とし、 前記蒸着物質としてＭｇを用いると共に、前記真空容器
内に酸素ガスを含む混合ガスを導入することにより、前
記ハースから昇華したＭｇ粒子と前記プラズマビームに
より発生した酸素プラズマとを反応させてＭｇＯ膜を前
記基板上に形成するようにしたことを特徴とするＭｇＯ
膜成膜方法。 - 【請求項２】 請求項１記載のＭｇＯ膜成膜方法におい
て、前記真空容器内における成膜中の圧力を１．３×１
０-3〜０．５×１０-4Ｔｏｒｒとすることを特徴とする
ＭｇＯ膜成膜方法。 - 【請求項３】 アーク放電を用いたプラズマビーム発生
源からのプラズマビームを真空容器内に配置した陽極と
してのハースの入射面に導き、該ハース上の蒸着物質を
イオン化し、該イオン化した蒸着物質を前記ハースと対
向させて配置された基板の表面に付着させて成膜を行な
う成膜装置において、 前記ハースの周囲に、該ハースの中心軸に同心でかつ該
ハースの上部近傍を囲むような環状磁石を含む補助陽極
を配置し、 前記蒸着物質としてＭｇを用いると共に、前記真空容器
内に酸素ガスを含む混合ガスを導入する手段を設けるこ
とにより、前記ハースから昇華したＭｇ粒子と前記プラ
ズマビームにより発生した酸素プラズマとを反応させて
ＭｇＯ膜を前記基板上に形成するようにしたことを特徴
とするＭｇＯ膜成膜装置。 - 【請求項４】 請求項３記載のＭｇＯ膜成膜装置におい
て、前記真空容器内における成膜中の圧力を１．３×１
０-3〜０．５×１０-4Ｔｏｒｒとすることを特徴とする
ＭｇＯ膜成膜装置。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9004333A JPH10204625A (ja) | 1997-01-14 | 1997-01-14 | ＭｇＯ膜成膜方法及び成膜装置 |
| TW087100108A TW438898B (en) | 1997-01-14 | 1998-01-06 | Film growth method and film growth apparatus capable of forming magnesium oxide film with increased film growth speed |
| US09/006,164 US6245394B1 (en) | 1997-01-14 | 1998-01-13 | Film growth method and film growth apparatus capable of forming magnesium oxide film with increased film growth speed |
| KR1019980000780A KR100356565B1 (ko) | 1997-01-14 | 1998-01-14 | 증가된 박막 성장 속도로 산화 마그네슘 박막을 형성할 수 있는박막 성장 방법 및 장치 |
| CNB981000266A CN1180122C (zh) | 1997-01-14 | 1998-01-14 | 能快速生长氧化镁膜的膜生长方法及其生长装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9004333A JPH10204625A (ja) | 1997-01-14 | 1997-01-14 | ＭｇＯ膜成膜方法及び成膜装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10204625A true JPH10204625A (ja) | 1998-08-04 |
Family
ID=11581536
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9004333A Pending JPH10204625A (ja) | 1997-01-14 | 1997-01-14 | ＭｇＯ膜成膜方法及び成膜装置 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6245394B1 (ja) |
| JP (1) | JPH10204625A (ja) |
| KR (1) | KR100356565B1 (ja) |
| CN (1) | CN1180122C (ja) |
| TW (1) | TW438898B (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20000071541A (ko) * | 1999-04-01 | 2000-11-25 | 마쯔무라 미노루 | 투명 도전막 형성 및 해당 방법에 의해 형성된 투명 도전막 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100711051B1 (ko) * | 2000-06-09 | 2007-04-27 | 그랜드디스플레이 주식회사 | 방전을 이용한 디스플레이 패널의 보호막형성방법 |
| KR100388358B1 (ko) * | 2001-01-26 | 2003-06-25 | 한국전기연구원 | 플라즈마 디스플레이 패널의 산화 마그네슘 박막 증착장치 |
| KR100408820B1 (ko) * | 2001-05-17 | 2003-12-06 | 학교법인 포항공과대학교 | 유기금속 화학증착법에 의한 산화마그네슘계 박막 형성 방법 |
| JP2003007214A (ja) | 2001-06-19 | 2003-01-10 | Hitachi Ltd | プラズマディスプレイ |
| KR20040050458A (ko) * | 2002-12-10 | 2004-06-16 | 크리스탈솔루션 (주) | 단결정 산화마그네슘의 처리 방법 |
| KR100501044B1 (ko) * | 2003-07-08 | 2005-07-18 | 한국전기연구원 | 대면적 산화마그네슘 박막 증착장치 및 방법 |
| WO2005006381A1 (ja) * | 2003-07-15 | 2005-01-20 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | プラズマディスプレイパネルの製造方法 |
| CN103374701A (zh) * | 2012-04-18 | 2013-10-30 | 芈振伟 | 反应气体溅镀装置 |
| US9460925B2 (en) | 2014-11-05 | 2016-10-04 | Solarcity Corporation | System and apparatus for efficient deposition of transparent conductive oxide |
| CN117286477B (zh) * | 2023-09-20 | 2025-07-22 | 深圳市捷佳伟创新能源装备股份有限公司 | Rpd镀膜装置 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4951604A (en) * | 1989-02-17 | 1990-08-28 | Optical Coating Laboratory, Inc. | System and method for vacuum deposition of thin films |
| US5009922A (en) * | 1989-03-02 | 1991-04-23 | Ashahi Glass Company, Ltd. | Method of forming a transparent conductive film |
| US5055169A (en) * | 1989-03-17 | 1991-10-08 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Army | Method of making mixed metal oxide coated substrates |
| JPH0329216A (ja) * | 1989-03-28 | 1991-02-07 | Asahi Glass Co Ltd | 透明電導膜の形成方法 |
| JPH05311412A (ja) * | 1992-05-11 | 1993-11-22 | Toppan Printing Co Ltd | 蒸着材料および透明バリヤーフィルムの製造方法 |
| JP3038464B2 (ja) | 1994-05-31 | 2000-05-08 | 住友重機械工業株式会社 | イオンプレーティングのプラズマビーム制御方法及び制御装置 |
| JPH083735A (ja) * | 1994-06-15 | 1996-01-09 | Stanley Electric Co Ltd | 薄膜作製方法 |
| AU5483196A (en) * | 1995-04-14 | 1996-10-30 | Spectra-Physics Lasers, Inc. | Method for producing dielectric coatings |
-
1997
- 1997-01-14 JP JP9004333A patent/JPH10204625A/ja active Pending
-
1998
- 1998-01-06 TW TW087100108A patent/TW438898B/zh not_active IP Right Cessation
- 1998-01-13 US US09/006,164 patent/US6245394B1/en not_active Expired - Fee Related
- 1998-01-14 CN CNB981000266A patent/CN1180122C/zh not_active Expired - Fee Related
- 1998-01-14 KR KR1019980000780A patent/KR100356565B1/ko not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20000071541A (ko) * | 1999-04-01 | 2000-11-25 | 마쯔무라 미노루 | 투명 도전막 형성 및 해당 방법에 의해 형성된 투명 도전막 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR19980070491A (ko) | 1998-10-26 |
| CN1192483A (zh) | 1998-09-09 |
| CN1180122C (zh) | 2004-12-15 |
| KR100356565B1 (ko) | 2002-12-18 |
| TW438898B (en) | 2001-06-07 |
| US6245394B1 (en) | 2001-06-12 |
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| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
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