JPH10206493A - 検査治具 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 装着された半導体素子の各端子の基板の端子
に対する位置決めを容易に行うことができるとともに許
容範囲の加圧力を半導体素子の各端子に均等に加えるこ
とができること。 【解決手段】 装着される半導体素子２４の各電極２４
ａごとに対応し電極２４ａが係合される凹部３４ｇが選
択導電基板３４の端子部３４ａにおける導電部３４ｐに
設けられるものであって、押圧体３８を有する押圧体支
持部２８が支持軸３０により案内支持されるもとで、押
圧体支持部２８の上面に配されるスライド部材２６が半
導体素子２４の上面に向けて押圧されて押圧体３８の下
端面が凹部３２ｃの底面部に当接された後、押圧体３８
の加圧状態が保持されるもの。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、内部に電子回路を
有する被検査物における電子回路の非破壊試験に用いら
れる検査治具に関する。

【０００２】

【従来の技術】電子機器などに実装される半導体集積回
路は、実装される以前の段階で種々の試験が行われその
潜在的欠陥が除去される。その試験は、熱的および機械
的環境試験などに対応した電圧ストレス印加、高温動
作、高温保存などにより非破壊的に実施される。その種
々の試験のうちで初期動作不良集積回路の除去に有効と
される試験として、高温条件のもとで一定時間の動作試
験を行うバーンイン（ｂｕｒｎ ｉｎ）試験が行われて
いる。

【０００３】このバーンイン試験に用いられる検査治具
４は、例えば、図２０および図２１に示されるように、
フレーム６上に配され所定の試験電圧が供給されるとと
もに被検査物からの短絡等をあらわす異常検出信号を送
出する入出力部２Ａを有するプリント配線基板２と、プ
リント配線基板２上における所定の位置に配され被検査
物としての半導体集積回路が収容される、例えば、表面
実装形のＱＦＰ（ｑｕａｄ ｆｌａｔ ｐａｃｋａｇ
ｅ）型の半導体素子１２が装着される収容部を有する被
検査物収容部材１０と、半導体素子１２の上面に当接し
所定の圧力で押圧する当接部８ａを有し、被検査物収容
部材１０の上部を覆うカバー部材８と、カバー部材８お
よび被検査物収容部材１０双方に係合しカバー部材８を
被検査物収容部材１０に固定するフック部材１６とを含
んで構成されている。

【０００４】カバー部材８の一端部は、被検査物収容部
材１０の一方の端縁部に設けられる支持軸１０ａにより
回動可能に支持され被検査物収容部材１０に連結されて
いる。これにより、カバー部材８は、フック部材１６が
非係合状態とされるとき、被検査物収容部材１０に対し
て開閉可能に支持されることとなる。

【０００５】また、カバー部材８の内面側部分における
半導体素子１２に対向する部分には、半導体素子１２の
外殻に当接し所定の圧力で下方に向けて押圧する当接部
８ａが設けられている。

【０００６】被検査物収容部材１０の内部に装着される
略正方形状の半導体素子１２における各辺からそれぞれ
四方に伸びる各端子は、プリント配線基板２の各接続端
子２ａに当接されて位置決めされている。また、各接続
端子２ａにおける半導体素子１２の端子に接触する部分
は円弧状に形成され弾性を有している。

【０００７】さらに、各接続端子２ａは、図示が省略さ
れるプリント配線網を介して入出力部２Ａに接続されて
いる。これにより、カバー部材８が被検査物収容部材１
０の収容室を覆うとき、半導体素子１２における各端子
に所定の付勢力が作用されるもとで、半導体素子１２の
端子とプリント配線基板２における各接続端子２ａとが
電気的に導通状態とされることとなる。

【０００８】かかる構成のもとで、半導体素子１２が被
検査物収容部材１０の内部に装着され、かつ、カバー部
材８が閉状態とされてフック部材１６が係合され半導体
素子１２の端子とプリント配線基板２における各接続端
子２ａとが導通状態とされるとき、所定の試験電圧がプ
リント配線基板２の入出力部２Ａに供給されて例えば、
バーンイン試験が行われることとなる。

【０００９】

【発明が解決しようとする課題】上述のように半導体素
子１２における各端子に所定の付勢力が作用されてその
各端子の先端とプリント配線基板２における各接続端子
２ａとが接触される場合、半導体素子１２の端子の高密
度化に伴い、円弧状に形成され弾性を有している各接続
端子２ａをプリント配線基板２に微少な相互間隔をもっ
て設けることは容易ではなく、製造コストも嵩むことと
なる。

【００１０】また、半導体素子１２の端子のプリント配
線基板２における各接続端子２ａに対する位置合わせ
が、半導体素子１２の外殻部を位置決めすることにより
精度よく行われることにも半導体素子１２の端子の高密
度化に伴い限界がある。

【００１１】さらに、カバー部材８の当接部８ａにおけ
る加圧力のばらつきにより許容値以上の加圧力が半導体
素子１２の端子とプリント配線基板２の各接続端子２ａ
との接触面に作用せしめられる場合がある。

【００１２】以上の問題点を考慮し、本発明は、内部に
電子回路を有する被検査物における電子回路の非破壊試
験に用いられる検査治具であって、装着された半導体素
子の各端子の基板の端子に対する位置決めを容易に行う
ことができるとともに許容範囲の加圧力を半導体素子の
各端子に均等に加えることができ、しかも、高密度の端
子を有する半導体素子についても容易に試験を行うこと
ができる検査治具を提供することを目的とする。

【００１３】

【課題を解決するための手段】上述の目的を達成するた
めに、本発明に係る検査治具は、内部に電子回路を有す
る被検査物の端子に電気的に接続される接点、および、
入力信号が入力されるとともに出力信号が送出される入
出力部を有する基板と、基板の接点と被検査物の端子と
の間に配され、基板の接点および被検査物の端子に対応
し被検査物の端子が係合される被係合部が設けられる接
続部を有し、接続部を介して端子と接点とを選択的に導
通状態とする選択導電基板とを備えて構成される。

【００１４】また、選択導電基板上に配される被検査物
の端子と接続部とを接触させるべく被検査物における被
押圧面部に当接する当接部を有する押圧部材と、押圧部
材の当接部が基板に配された被検査物の被押圧面部に対
して略鉛直方向に沿って被押圧面部に対して近接もしく
は離隔可能に、押圧部材を支持する支持部材と、押圧部
材の当接部に対して対向配置され、押圧部材の当接部が
被検査物の被押圧面部に対して当接されるとき、押圧部
材の当接部における加圧力を制限する加圧力制限部と
が、加えて備えられてもよい。

【００１５】さらに、選択導電基板における接続部が、
所定の圧力が作用されるとき選択的に導通状態とする複
合導電材料により形成されるものであってもよい。

【００１６】

【発明の実施の形態】図２は、本発明に係る検査治具の
一例の構成を概略的に示す。

【００１７】図２においては、所定の試験電圧が供給さ
れるとともに被検査物からの短絡等をあらわす異常検出
信号を送出する入出力部２０Ａを有するプリント配線基
板２０と、プリント配線基板２０上における所定の位置
に縦横に複数個配され被検査物としての半導体素子が装
着される収容室を有する被検査物収容部材２２とを含ん
で構成されている。

【００１８】被検査物としての半導体素子２４は、図１
に示されるように、例えば、表面実装形のＣＳＰ（Ｃｈ
ｉｐ Ｓｉｚｅ Ｐａｃｋａｇｅ）とされる。半導体素
子２４において後述する選択導電基板３４に対向する面
には、選択導電基板３４の端子部に接続されるべきバン
プ形の電極２４ａが全面にわたって複数個形成されてい
る。

【００１９】被検査物収容部材２２は、図１に示される
ように、プリント配線基板２０上における所定の位置に
配されプリント配線基板２０の各端子部にそれぞれ接続
される入出力端子部３６Ａを有する基台３６と、基台３
６の上部に形成される凹部３６ａの内部に配される基板
部３５における入出力端子部３６Ａと半導体素子２４の
各電極２４ａとを選択的に導通状態とする選択導電基板
３４と、選択導電基板３４の上面に載置され、半導体素
子２４を収容する収容部３２ａを有する中間部材３２
と、中間部材３２の上方に対向して配され半導体素子２
４の各電極２４ａを選択導電基板３４の端子部に対して
押圧させる押圧体３８を有し選択的に中間部材３２に対
し近接もしくは離隔する状態をとる押圧体支持部２８
と、押圧体支持部２８における押圧体３８に半導体素子
２４に対して加圧する状態もしくは半導体素子２４に対
して離隔しその加圧力を解放する状態をとらせるスライ
ド部材２６とを含んで構成されている。

【００２０】基台３６において例えば、リン青銅、ベリ
リュウム銅、コバール（商品名：Ｋｏｖａｒ：ウェスチ
ングハウス社製）、あるいは、これらの金属に金などの
メッキ処理を施したもので作られる入出力端子部３６Ａ
の一端は、例えば、図４に示されるように、基台３６の
凹部３６ａ内に設けられる基板部３５の表面部に到達さ
れている。入出力端子部３６Ａは凹部３６ａの全内周縁
部を取り囲むように設けられている。その入出力端子部
３６Ａの各端子は、所定の相互間隔、例えば、約１．２
７ｍｍ間隔で縦横に複数本配列されて設けられている。

【００２１】また、基板部３５における中央部には、選
択導電基板３４の端子部３４ａに接触される電極群３５
Ｂが選択導電基板３４の端子部３４ａに対応して設けら
れている。電極群３５Ｂにおける各電極は、図示が省略
される導体を通じて各入出力端子部３６Ａに接続されて
いる。これにより、入出力端子部３６Ａからの信号が電
極群３５Ｂを通じて選択導電基板３４の端子部３４ａに
供給され、また、選択導電基板３４の端子部３４ａから
の信号が電極群３５Ｂを通じて入出力端子部３６Ａに送
出されることとなる。

【００２２】基板部３５における４隅には、それぞれ、
中間部材３２の位置を規制するとともに押圧体支持部２
８の移動の案内を行う支持軸３０が設けられている。円
柱状の支持軸３０は、図１に示されるように、基台３６
に固定される案内部３０ａと、スライド部材２６に選択
的に係合される被係合部３０ｃと、案内部３０ａと被係
合部３０ｃとを連結する連結部３０ｂとから構成されて
いる。連結部３０ｂの直径は、案内部３０ａおよび被係
合部３０ｃの直径に比して小なるものとされる。

【００２３】選択導電基板３４の上面部に載置される中
間部材３２には、図１に示されるように、半導体素子２
４が収容される略正方形状の収容部３２ａがその中央部
分に設けられている。収容部３２ａは、その周縁部と半
導体素子２４の外周面との間に所定の隙間をもって半導
体素子２４が配されるように形成されている。また、中
間部材３２における４隅には、支持軸３０の案内部３０
ａが嵌合される透孔３２ｂが選択導電基板３４の透孔３
４ｂに対応して設けられている。これにより、中間部材
３２の選択導電基板３４に対する位置決めが行われるこ
ととなる。

【００２４】さらに、収容部３２ａの周縁部には、押圧
体３８の先端が当接される底面部を有する凹部３２ｃが
加圧力制限部として形成されている。

【００２５】凹部３２ｃの深さは、例えば、図５に示さ
れるように、半導体素子２４が収容部３２ａ内に装着さ
れるとき、凹部３２ｃから突出した半導体素子２４の上
面部の位置と凹部３２ｃの底面部の位置との段差、即
ち、押込量Ｈｐが選択導電基板３４の端子部３４ａの厚
さに対して１０〜６０％、望ましくは１０〜３０％の範
囲となるように設定されている。

【００２６】押込量Ｈｐがこのような範囲に設定される
のは、図１８に示されるような、選択導電基板３４の端
子部３４ａを形成する異方性導電ゴムの抵抗値Ｒの特性
に基づくものである。図１８においては、縦軸に抵抗値
Ｒをとり、横軸にひずみεをとり、異方性導電ゴムの抵
抗値Ｒのひずみεに対する変化を示すものである。

【００２７】異方性導電ゴムが所定の圧力で圧縮される
場合、抵抗値Ｒは、ひずみεが値ａ、例えば、１０％に
到達するまで急峻に値Ｒａまで減少し、また、抵抗値Ｒ
はひずみεがさらに値ａから値ｂ、例えば、６０％まで
増大するとき、値Ｒａよりも大なる値Ｒｂをとり、さら
に、抵抗値Ｒはひずみεが値ｂを超えるとき、値Ｒｂよ
りもさらに増大する傾向がある。

【００２８】従って、端子部３４ａの異方性導電ゴムの
抵抗値Ｒが比較的安定した値となるように押込量Ｈｐが
選択導電基板３４の端子部３４ａの厚さに対して１０〜
６０％の範囲に設定されるのである。

【００２９】また、押込量Ｈｐがこのような範囲に設定
されることにより、異方性導電ゴムを比較的大に変形さ
せることがなく所定の耐久性が確保されることとなる。

【００３０】押圧体支持部２８は、図１に示されるよう
に、互いに平行な上面部および下面部を有している。押
圧体支持部２８の下面部における中間部材３２の収容部
３２ａに対向する位置には、押圧体３８の上端が固定さ
れる窪み２８ｄが設けられている。また、押圧体支持部
２８の上部には、所定の深さを有する凹部２８ａが形成
されている。凹部２８ａの底部には、押圧体３８の上端
を窪み２８ｄ内に固定するためのビスＢＳ１が挿入され
る透孔２８ｅが設けられている。押圧体３８は、ビスＢ
Ｓ１の先端がはめ合わされる雌ねじ部３８ａを有してい
る。これにより、押圧体３８の上端はビスＢＳ１により
押圧体支持部２８に固定されることとなる。押圧体３８
は、弾性材料、例えば、ゴム材料で作られている。

【００３１】押圧体支持部２８における４隅には、それ
ぞれ、支持軸３０が摺動可能に嵌合される透孔２８ｂが
設けられている。また、相対向する透孔２８ｂ間には、
それぞれ、図１および図３に示されるように、ビスＢＳ
２の先端がはめ合わされる雌ねじ部２８ｃが相対向して
設けられている。

【００３２】押圧体支持部２８の上面部には、スライド
部材２６が図１および図３において左右方向に沿って所
定の距離内において摺動可能に設けられている。

【００３３】スライド部材２６は、例えば、耐熱性プラ
スチック材料であるＰＥＳ（ポリエチレンスルホン）樹
脂、ＰＥＩ（ポリエチレンイミド）樹脂、ＰＰＳ樹脂な
どで平板状に作られている。スライド部材２６には、図
３において左右方向に伸びる長孔２６ｄが押圧体支持部
２８における各雌ねじ部２８ｃに対応する位置に、それ
ぞれ、設けられている。各長孔２６ｄの周縁部には、ビ
スＢＳ２の頭部が摺動可能に係合される段部２６ｅが形
成されている。また、スライド部材２６には、各支持軸
３０の係合部３０ｃに対応して係合孔４０がそれぞれ長
孔２６ｄに略平行に４個設けられている。

【００３４】係合孔４０は、図３に示されるように、支
持軸３０の係合部３０ｃが収容される長孔部４０ａと、
支持軸３０の連結部３０ｂが挿入される切欠部４０ｂを
有し支持軸３０の係合部３０ｃを保持する係止片部４０
ｃとから構成されている。

【００３５】係止片部４０ｃの一端部側には、図１に示
されるように、支持軸３０の係合部３０ｃが貫通される
透孔４０ｄが設けられている。係止片部４０ｃは、透孔
４０ｄの周縁部に連なって形成されている。

【００３６】各係止片部４０ｃは、支持軸３０の連結部
３０ｂがその切欠部４０ｂに係合されるとき、図１およ
び図３に実線で示されるように、スライド部材２６の移
動方向を左右方向に沿うように規制するとともに押圧体
３８の弾性力に基づく付勢力によって押圧体支持部２８
を中間部材３２および基台３６に対して固定することと
なる。その際、半導体素子２４の各電極２４ａは押圧体
３８により下方に向けて加圧されることとなる。

【００３７】また、スライド部材２６が図３に二点鎖線
で示されるように、移動されて支持軸３０の連結部３０
ｂがその切欠部４０ｂに対して非係合状態とされ透孔４
０ｄに配されるとき、スライド部材２６および押圧体支
持部２８は、押圧体３８の復元力に基づく付勢力によっ
て図１に二点鎖線で示される位置まで上昇せしめられ
る。これにより、スライド部材２６および押圧体支持部
２８は、中間部材３２および基台３６に対して離隔し、
解放状態となる。

【００３８】樹脂材料で薄板状に作られた選択導電基板
３４における略中央部には、図４に示されるように、押
圧されることにより選択的に導通状態とする端子部３４
ａが半導体素子２４の電極、および、基板部３５の電極
群３５Ｂに対応して配されている。選択導電基板３４に
おける４隅には、それぞれ、図４に示されるように、支
持軸３０の案内部３０ａが嵌合される透孔３４ｂが設け
られている。

【００３９】このように選択導電基板３４が支持軸３０
により位置規制されることにより、選択導電基板３４に
おける端子部３４ａの基板部３５の電極群３５Ｂに対す
る位置決めが適切に行われることとなる。

【００４０】なお、選択導電基板３４は、上述の例にお
いては基台３６ごとに１個設けられているが、かかる例
に限られることなく、各基台３６が互いに連結されるも
とで、複数個の基台３６に跨って１個設けられるように
構成されてもよい。

【００４１】選択導電基板３４の端子部３４ａは、複合
導電材料、例えば、シリコーンゴムと金属粒子からなる
もので作られ設けられている。複合導電材料としては、
異方性導電ゴムが用いられる。異方性導電ゴムは、その
厚み方向に導電性を有し平面に沿った方向には導電性を
有しない材料である。また、異方性導電ゴムには、導電
部が絶縁性を有するゴムの中に分散している分散タイプ
と、導電部が部分的に複数個偏在している偏在タイプが
あり、いずれのタイプが用いられても良い。端子部３４
ａがこのような異方性導電ゴムで作られることにより図
１に示されるように、半導体素子２４の各電極２４ａと
端子部３４ａとが面接触により接続されるので接触不良
が回避されるとともに半導体素子２４の電極２４ａとの
接触による損傷が回避されることとなる。

【００４２】また、複数の導電部３４ｐを含んでなる端
子部３４ａの各導電部３４ｐにおける半導体素子２４の
電極２４ａに対向する端部には、図７および図８に拡大
されて示されるように、被係合部としての略半球状の凹
部３４ｇが各電極２４ａごとに個別に設けられている。
凹部３４ｇの曲率半径は、例えば、電極２４ａの曲率半
径よりも大とされる。また、凹部３４ｇにおいて対応す
る電極２４ａがはまり合う部分の有効深さは、電極２４
ａの高さＨｄに対して５〜１５０％とされ、望ましくは
４０〜８０％とされる。なお、凹部３４ｇにおける有効
深さが電極２４ａの高さＨｄに対して１００〜１５０％
の場合においては、加圧力が導電部３４ｐの周囲部分に
分散されるので導電部３４ｐに対する応力集中に起因す
る損傷が回避されるという利点がある。

【００４３】半導体素子２４が選択導電基板３４上に載
置され図５に示されるように、押圧体３８により加圧さ
れていない状態である場合、図７に示されるように、半
導体素子２４の電極２４ａの先端と凹部３４ｇの底面部
とが当接される。その際、選択導電基板３４の上面部と
半導体素子２４における選択導電基板３４の上面に対向
する下面部との間に隙間が形成される。

【００４４】また、半導体素子２４が選択導電基板３４
上に載置され図６に示されるように、押圧体３８により
加圧されている状態である場合、半導体素子２４の電極
２４ａの先端と凹部３４ｇの底面部とが当接されるもと
で導電部３４ｐが圧縮されることとなる。これにより、
図８に示されるように、導電部３４ｐが基板部３５の接
点３５ａに対して導通状態とされるとともに半導体素子
２４の電極２４ａの先端と凹部３４ｇの底面部との接触
面積が増大し単位面積あたりの面圧が低減されることに
よりひずみが規制されることとなる。

【００４５】かかる構成のもとで、半導体素子２４の試
験を行うにあたっては、先ず、スライド部材２６および
押圧体支持部２８が、図５に示されるように、中間部材
３２および基台３６に対して離隔した状態において、半
導体素子２４が、中間部材３２の収容部３２ａに配され
選択導電基板３４上に装着される。その際、半導体素子
２４の各電極２４ａは、選択導電基板３４の端子部３４
ａにおいて対応する各導電部３４ａの凹部３４ｇに係合
される。これにより、半導体素子２４の選択導電基板３
４の端子部３４ａに対する位置決めが精度よく行われか
つ、各導電部３４ａと各電極２４ａとは確実に接触する
こととなる。従って、半導体素子２４の外殻部の成形誤
差に左右されることなく、半導体素子２４の選択導電基
板３４の端子部３４ａに対する位置決めが容易に行われ
ることとなる。

【００４６】次に、押圧体支持部２８の押圧体３８が半
導体素子２４の上方に対向配置されるもとで、各支持軸
３０により押圧体支持部２８が案内されるとともに下方
に向けて移動されることにより押圧体支持部２８の押圧
体３８の先端が半導体素子２４の上面に当接されて、押
圧体支持部２８が中間部材３２に対向配置されることと
なる。

【００４７】続いて、スライド部材２６が支持軸３０に
より案内されるもとで、さらに下方に向けて押圧され、
かつ、スライド部材２６が押圧体支持部２８の上面部に
おいて、図１に二点鎖線で示される位置から実線で示さ
れる位置まで摺動される。

【００４８】これにより、スライド部材２６の各係止片
部４０ｃが図６に示されるように、各支持軸３０の連結
部３０ｂに係合される。スライド部材２６は、押圧体３
８の弾性力に応じた支持軸３０の係合部３０ｃ相互の摩
擦力によって押圧体支持部２８上に保持されることとな
る。

【００４９】その際、押圧体３８の下端面が凹部３２ｃ
の底面部に当接されるので半導体素子２４の電極２４ａ
が所定の押込量Ｈｐ以上に押し込まれることなく、その
結果、半導体素子２４の電極２４ａが所定の適正な許容
圧力で選択導電基板３４の各端子部３４ａに対して加圧
される状態が維持されることとなる。

【００５０】また、半導体素子２４が中間部材３２の収
容部３２ａに装着されてから半導体素子２４の電極２４
ａが選択導電基板３４の各端子部３４ａに対して加圧さ
れるまでの一連の工程中において、押圧体支持部２８が
各支持軸３０により案内され半導体素子２４の電極２４
ａに対して略鉛直方向に沿って均等に押圧され、かつ、
スライド部材２６が押圧体支持部２８の上面部に摺接さ
れることによりスライド部材２６の各係止片部４０ｃが
各支持軸３０の係合部３０ｃに係合される。これによ
り、半導体素子２４の各電極２４ａと選択導電基板３４
の端子部３４ａとの間には、不所望なせん断力が作用し
ないこととなる。その結果、選択導電基板３４の各端子
部３４ａおよび半導体素子２４の電極２４ａが損傷する
ことが回避されることとなる。また、異方性導電ゴムで
作られた端子部３４ｂを有する選択導電基板３４が用い
られることにより高密度の端子を有する半導体素子につ
いても容易に試験を行うことができることとなる。

【００５１】また、半導体素子２４の上面に均等に圧力
が作用されることとなるので半導体素子２４の電極２４
ａを介して選択導電基板３４の端子部３４ｂに加わる押
圧力が、均等に付与され、その結果、電極２４ａおよび
端子部３４ｂと基板３５の入出力端子部３６Ａとの間が
導通状態とされることとなる。

【００５２】そして、所定の雰囲気中において、プリン
ト配線基板２０の入出力部２０Ａを介して試験電圧が供
給されて試験が行われる。また、入出力部２０Ａから得
られる出力信号に基づいて図示が省略される診断装置に
より半導体素子２４の潜在的欠陥が判断されることとな
る。

【００５３】図９は、上述の選択導電基板３４を成形す
る成形装置の一例の要部を概略的に示す。

【００５４】図９において、成形装置は下型６０が固定
される型支持台５０と、下型６０に対して対向配置され
る上型６２が固定される型支持台５２とを含んで構成さ
れている。型支持台５２は図示が省略される昇降機構に
より型支持台５０に対して近接もしくは離隔可能に支持
されている。

【００５５】上型６２は例えば磁性材料で作られ、その
両端部に後述する位置決めピンが嵌合される位置決め用
の一対の孔６２ａを有している。また、上型６２におけ
る下型６０に対向する面であって、その孔６２ａ相互間
には、得られる選択導電基板３４の導電部３４ｐの相互
間隔に対応する所定の間隔をもって磁極６２ｂが複数配
列されている。磁極６２ｂ相互間、および、両端部に
は、非磁性材料で絶縁部６２ｃが設けられている。各磁
極６２には、各磁極６２に磁場を形成するための誘導電
力を供給するコイル部５６が接続されている。

【００５６】下型６０は、上型６２と同様に磁性材料で
作られその両端部に位置決め用の位置決めピン５８Ａが
嵌合される透孔６０ｂをそれぞれ有している。位置決め
ピン５８Ａは型支持台５０に固着されている。下型６０
において位置決めピン５８Ａ相互間には、上型６２の各
磁極６２ｂごとに対向して磁極ピン６０ａが配列されて
いる。磁極ピン６０ａにおける磁極６２ｂに対向する端
部は、半球状に形成され下型６０の上面から所定の寸法
をもって突出している。各磁極ピン６０ａには、磁極ピ
ン６０ａに磁場を形成するための誘導電力を供給するコ
イル部５４が接続されている。

【００５７】かかる構成のもとで、選択導電基板３４を
得るにあたっては、先ず、図１０に示されるように、上
型６２および下型６０が互いに離隔した状態において、
例えば、シリコーン樹脂に導電性粒子が混成されたペー
スト６４が下型６０における磁極ピン６０ａの先端が突
出する部分に適量塗布される。

【００５８】次に、図１１に示されるように、型支持台
５２が上型６２を伴って下降されて位置決めピン５８Ａ
が上型６２の孔６２ａにそれぞれ嵌合され、かつ、所定
の圧縮力がペースト６４に作用されるもとで、コイル部
５６および５４からの誘導電力が磁極ピン６０ａおよび
磁極６２ｂに供給される。これにより、ペースト６４
は、加熱硬化される。また、ペースト６４中の導電性粒
子が各磁極ピン６０ａと各磁極６２ｂとにより形成され
る磁場により各導電部を形成することとなる。

【００５９】そして、ペースト６４が、加熱硬化された
後、型支持台５２が上型６２を伴って上昇される。これ
により、図１２に示されるような半球状の断面形状を有
する凹部３４ｇが形成される導電部３４ｐを有する偏在
型の選択導電基板３４が得られる。

【００６０】なお、半球状の凹部３４ｇが形成される導
電部３４ｐを有する選択導電基板３４を得るにあたって
は、上述の図９に示されるような下型６０に限られるこ
となく、図１３に示されるような下型６６であってもよ
い。

【００６１】図１３において、磁性材料で作られた下型
６６は、その両端部に位置決めピン５８Ａがそれぞれ嵌
合される透孔６６ｂを有している。また、下型６６の上
型６２に対向する面における透孔６６ｂ相互間には、形
成される各導電部に対応した所定の間隔をもって磁性材
料で作られたボール６６ａが複数配されている。また、
ボール６６ａの下部は、所定の膜圧を有する被覆層６６
ｃで覆われている。被覆層６６ｃは、例えば、クロムも
しくはニッケルなどの金属メッキ、あるいは、樹脂によ
り形成されている。被覆層６６ｃの厚さは、例えば、ボ
ール６６ａの上部が凹部３４ｇの深さに対応して突出さ
れるように例えば、ボール６６ａの半径に相当する寸法
を有している。

【００６２】さらに、導電部３４ｐの凹部３４ｇの断面
形状は、半球状に限られることなく、円錐状もしくは円
柱状であってもよい。

【００６３】円錐状の断面形状を有する凹部が形成され
る導電部３４ｐを有する選択導電基板を得るにあたって
は、例えば、図１４に示される下型６８および上述の上
型６２が用いられる。

【００６４】磁性材料で作られた下型６８は、その両端
部に位置決めピン５８Ａがそれぞれ嵌合される透孔６８
ｂを有している。下型６６の上型６２に対向する面にお
ける透孔６８ｂ相互間には、先端が円錐状の磁極ピン６
８ａが、形成される各導電部に対応した所定の間隔をも
って配列されている。磁性材料で作られた磁極ピン６８
ａの先端は、凹部３４ｇの深さに対応して下型６６の上
型６２に対向する面から突出している。

【００６５】円柱状の断面形状を有する凹部が形成され
る導電部を有する選択導電基板を得るにあたっては、例
えば、図１５に示される下型７０および上述の上型６２
が用いられる。磁性材料で作られた下型７０は、その両
端部に位置決めピン５８Ａがそれぞれ嵌合される透孔７
０ｂを有している。下型７０の上型６２に対向する面に
おける透孔７０ｂ相互間には、先端が円柱状の磁極ピン
７０ａが、形成される各導電部に対応した所定の間隔を
もって配列されている。磁性材料で作られた磁極ピン７
０ａの先端は、凹部３４ｇの深さに対応して下型７０の
上型６２に対向する面から突出している。

【００６６】図９、図１４、および、図１５に示される
下型においては、それぞれ、磁極ピンの先端により選択
導電基板における各導電部の凹部が形成されるように構
成されているが、必ずしもこのようにされる必要はな
く、例えば、図１６の（Ａ）〜（Ｄ）に示されるよう
に、下型７２における上型６２に対向する面に磁極７２
ａを形成し、その磁極７２ａにより選択導電基板におけ
る各導電部の凹部が形成されるように構成されてもよ
い。

【００６７】選択導電基板の各導電部において円柱状の
凹部３４ｇを得るに当たり、磁性材料で作られた下型７
２の一方の面に円柱状の磁極７２ａを形成するにあたっ
ては、先ず、図１６の（Ａ）に示されるように、両端部
にそれぞれ位置決めピン５８Ａが嵌合される透孔７４ｂ
が設けられる下型素材７４における上型６２に対向する
面に、レジスト層７４ａが形成される。レジスト層７４
ａの厚さは、凹部３４ｇの深さに応じた寸法とされる。

【００６８】次に、図１６の（Ｂ）に示されるように、
レジスト層７４ａに対して形成される導電部の相互間隔
に応じた所定のマスキング処理が施された後、所定の期
間、レジスト層７４ａに対して所定の露光量をもって露
光を行った後現像処理を行う。これにより、現像処理に
より未露光部分が溶解されたレジスト層７６が下型７２
の一方の面に形成されることとなる。

【００６９】続いて、レジスト層７６の表面に対してメ
ッキ処理、例えば、ニッケルメッキ処理が所定の膜圧を
もって施される。これにより、図１６の（Ｃ）に示され
るように、ニッケルメッキ処理が施されたレジスト層７
６′が形成される。

【００７０】そして、図１６の（Ｄ）に示されるよう
に、レジスト層７６′に対して剥離剤により剥離処理が
行なわれ、一方の表面に円柱状の磁極としての磁極部７
２ａが形成される下型７２が得られることとなる。

【００７１】図１６の（Ａ）〜（Ｄ）に示されるような
レジスト層による一連の工程により断面形状が半球状の
凹部３４ｇを形成するにあたっては、図１７の（Ａ）に
示されるように、両端部にそれぞれ位置決めピン５８Ａ
が嵌合される透孔７８ｂが設けられる下型素材７８にお
ける上型６２に対向する面に、レジスト層８０が形成さ
れるもとで行われる。

【００７２】このようなレジスト層８０が形成される下
型７８に対して上述と同様な露光および現像処理が行わ
れた後、上述のような剥離処理が行われることなく、現
像処理されたレジスト層８２における溶解された部分に
対してレジスト層８２の厚さ以上の膜圧のメッキ処理が
施される。これにより、図１７の（Ｂ）に示されるよう
に、磁極部としてのメッキ層８２ａが等方的に成長し、
レジスト層８２の表面にマッシュルーム状に形成され
る。メッキ層８２ａのレジスト層８２の表面からの高さ
は、上述の溶解された部分の直径に応じて決定される。

【００７３】図１９は、本発明に係る検査治具の他の一
例を示す。

【００７４】図１９に示される例においては、図１に示
される例では、押圧体３８が弾性部材により作られてい
るが、その代わりに、押圧体５０が耐熱性プラスチック
材料であるＰＥＳ（ポリエチレンスルホン）樹脂、ＰＥ
Ｉ（ポリエチレンイミド）樹脂、ＰＰＳ樹脂あるいは、
アルミニウム合金材料で作られ、かつ、押圧体５０を所
定の圧力で下方に向けて付勢する板ばね５２が押圧体支
持部２８の凹部２８ａ内に設けられている。なお、図１
９においては、図１に示される例において同一の構成要
素とされるものについては、同一の符号を付して示し、
その重複説明を省略する。

【００７５】かかる構成のもとで、半導体素子２４の試
験を行うにあたっては、先ず、スライド部材２６および
押圧体支持部２８が中間部材３２および基台３６に対し
て離隔した状態において、半導体素子２４は、図１９に
示されるように、その電極２４ａが選択導電部材３４の
導電部３４ｐにおける凹部３４ｇに嵌合されることによ
り位置決めされて選択導電基板３４上に装着される。

【００７６】次に、押圧体支持部２８の押圧体５０が半
導体素子２４の上方に対向配置されるもとで、各支持軸
３０により押圧体支持部２８が案内されるとともに下方
に向けて移動されることにより押圧体支持部２８の押圧
体５０の先端が半導体素子２４の上面に当接されて、押
圧体支持部２８が図１９に二点鎖線で示されるように、
中間部材３２に対向配置されることとなる。

【００７７】続いて、スライド部材２６が支持軸３０に
より案内されるもとで、板ばね５２の付勢力に抗してさ
らに下方に向けて押圧され、かつ、スライド部材２６が
図１９に二点鎖線で示される位置から実線で示される位
置まで摺動される。

【００７８】これにより、スライド部材２６の各係止片
部４０ｃが各支持軸３０の連結部３０ｂに係合される。
スライド部材２６は、板ばね５２の弾性力に応じた支持
軸３０の係合部３０ｃ相互間の摩擦力によって押圧体支
持部２８上に保持されることとなる。

【００７９】その際、押圧体５０の下端面が凹部３２ｃ
の底面部に当接されるので半導体素子２４の電極が所定
の押込量Ｈｐ以上に押し込まれることなく、半導体素子
２４の電極２４ａが板ばね５２の撓み量に応じた所定の
圧力で選択導電基板３４の各端子部３４ａに対して押圧
される状態が維持されることとなる。

【００８０】従って、上述の例と同様な作用効果が得ら
れることとなる。また、図１９においては、押圧体５０
が比較的耐久性のある材料で作られ、かつ、板ばね５２
による付勢力により半導体素子２４を押圧するように構
成されているので検査治具の耐久性が向上することとな
る。

【００８１】なお、上述の例においては、スライド部材
２６は、図１もしくは図１９に示されるように、左右方
向に沿った往復動により支持軸３０の係合部３０ｃに対
して選択的に係合状態もしくは非係合状態がとられるよ
うに構成されているが、必ずしもこのように構成される
必要はなく、例えば、支持軸３０の係合部３０ｃに対応
する円弧状の長孔がスライド部材２６に設けられるもと
で、スライド部材２６が順方向もしくは逆方向の回転せ
しめられることにより支持軸３０の係合部３０ｃに対し
て選択的に係合状態もしくは非係合状態がとられるよう
に構成されてもよい。

【００８２】

【発明の効果】以上の説明から明らかなように、本発明
に係る検査治具によれば、選択導電基板が基板の接点と
被検査物の端子との間に配され、基板の接点および被検
査物の端子に対応し被検査物の端子が係合される被係合
部が設けられる接続部を有し、接続部を介して端子と接
点とを選択的に導通状態とするので装着された半導体素
子の各端子の基板の端子に対する位置決めを容易に行う
ことができるとともに高密度の端子を有する半導体素子
についても容易に試験を行うことができる。

【００８３】また、加えて、押圧部材および支持部材
と、押圧部材の当接部に対して対向配置され、押圧部材
の当接部が被検査物の被押圧面部に対して当接されると
き、押圧部材の当接部における加圧力を制限する加圧力
制限部とが備えられる場合にあっては、許容範囲の加圧
力を半導体素子の各端子に均等に加えることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明に係る検査治具の一例の要部を示す断面
図である。

【図２】本発明に係る検査治具の一例の概略構成図であ
る。

【図３】本発明に係る検査治具の一例の要部を示す平面
図である。

【図４】図３に示される例における要部を示す平面図で
ある。

【図５】本発明に係る検査治具の一例の動作説明に供さ
れる図である。

【図６】本発明に係る検査治具の一例の動作説明に供さ
れる図である。

【図７】本発明に係る検査治具の一例の動作説明に供さ
れる図である。

【図８】本発明に係る検査治具の一例の動作説明に供さ
れる図である。

【図９】本発明に係る検査治具の一例に用いられる選択
導電基板を成形する成形装置の概略構成図である。

【図１０】図９に示される成形装置の動作説明に供され
る図である。

【図１１】図９に示される成形装置の動作説明に供され
る図である。

【図１２】図９に示される成形装置により得られた選択
導電基板を示す断面図である。

【図１３】図９に示される成形装置に用いられる下型を
示す断面図である。

【図１４】図９に示される成形装置に用いられる下型を
示す断面図である。

【図１５】図９に示される成形装置に用いられる下型を
示す断面図である。

【図１６】（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）、および、（Ｄ）
は、図９に示される成形装置に用いられる下型を形成す
る各工程の説明に供される断面図である。

【図１７】（Ａ）および（Ｂ）は、図９に示される成形
装置に用いられる下型を形成する各工程の説明に供され
る断面図である。

【図１８】図１に示される例における動作説明に供され
る図である。

【図１９】本発明に係る検査治具の他の一例の要部を示
す断面図である。

【図２０】従来の検査治具の概略構成を示す概略構成図
である。

【図２１】図２０に示される例における要部を示す部分
断面図である。

【符号の説明】

２０ プリント配線基板 ２４ 半導体素子 ２４ａ 電極 ２６ スライド部材 ２８ 押圧体支持部 ３０ 支持軸 ３２ 中間部材 ３２ｃ 凹部 ３４ 選択導電基板 ３４ｇ 凹部 ３４ｐ 導電部 ３５ 基板部 ３６Ａ 入出力端子部 ３８、５０ 押圧体 ５２ 板ばね

Claims (3)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 内部に電子回路を有する被検査物の端子
   に電気的に接続される接点、および、入力信号が入力さ
   れるとともに出力信号が送出される入出力部を有する基
   板と、 前記基板の接点と前記被検査物の端子との間に配され、
   該基板の接点および該被検査物の端子に対応し該被検査
   物の端子が係合される被係合部が設けられる接続部を有
   し、該接続部を介して前記端子と前記接点とを選択的に
   導通状態とする選択導電基板と、 を具備して構成される検査治具。
2. 【請求項２】 前記選択導電基板上に配される前記被検
   査物の端子と前記接続部とを接触させるべく該被検査物
   における被押圧面部に当接する当接部を有する押圧部材
   と、 前記押圧部材の当接部が前記基板に配された被検査物の
   被押圧面部に対して略鉛直方向に沿って該被押圧面部に
   対して近接もしくは離隔可能に、前記押圧部材を支持す
   る支持部材と、 前記押圧部材の当接部に対して対向配置され、該押圧部
   材の当接部が前記被検査物の被押圧面部に対して当接さ
   れるとき、該押圧部材の当接部における加圧力を制限す
   る加圧力制限部とが、加えて備えられることを特徴とす
   る請求項１記載の検査治具。
3. 【請求項３】 前記選択導電基板における接続部が、所
   定の圧力が作用されるとき選択的に導通状態とする複合
   導電材料により形成されることを特徴とする請求項１記
   載の検査治具。