JPH10207044A - 荷電ビーム露光用透過マスク - Google Patents
荷電ビーム露光用透過マスクInfo
- Publication number
- JPH10207044A JPH10207044A JP1140897A JP1140897A JPH10207044A JP H10207044 A JPH10207044 A JP H10207044A JP 1140897 A JP1140897 A JP 1140897A JP 1140897 A JP1140897 A JP 1140897A JP H10207044 A JPH10207044 A JP H10207044A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- mask
- crystal silicon
- pattern
- individual information
- transmission
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Electron Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 データ入力が容易で且つ個々のマスクを識別
する個別情報マークの形成が容易にできる荷電ビーム露
光用透過マスクを提供することを目的とする。 【解決手段】 面方位が（１００）である単結晶シリコ
ンウェハ１、３をシリコン酸化膜２で貼り合わせた貼り
合わせシリコン基板４を用い、単結晶シリコンウェハ１
面に透過孔パターン６及び四点対称式個別情報マーク
７、８を形成した後貼り合わせシリコン基板両面に保護
膜９を形成し、単結晶シリコンウェハ３上に保護膜パタ
ーン９ａを作製し、保護膜パターン９ａをマスクにして
単結晶シリコンウェハ３を熱アルカリ溶液にて異方性ウ
ェットエッチングして開口部１１及び１２を形成し、保
護膜９及び保護膜パターン９ａ剥離処理して、マスク表
面及び透過孔パターン側面に導電膜を形成することによ
り、荷電ビーム露光用透過マスク１３を作製する。
する個別情報マークの形成が容易にできる荷電ビーム露
光用透過マスクを提供することを目的とする。 【解決手段】 面方位が（１００）である単結晶シリコ
ンウェハ１、３をシリコン酸化膜２で貼り合わせた貼り
合わせシリコン基板４を用い、単結晶シリコンウェハ１
面に透過孔パターン６及び四点対称式個別情報マーク
７、８を形成した後貼り合わせシリコン基板両面に保護
膜９を形成し、単結晶シリコンウェハ３上に保護膜パタ
ーン９ａを作製し、保護膜パターン９ａをマスクにして
単結晶シリコンウェハ３を熱アルカリ溶液にて異方性ウ
ェットエッチングして開口部１１及び１２を形成し、保
護膜９及び保護膜パターン９ａ剥離処理して、マスク表
面及び透過孔パターン側面に導電膜を形成することによ
り、荷電ビーム露光用透過マスク１３を作製する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ＬＳＩ、ＶＬＳＩ
等々の半導体集積回路の製造を始めとする微細なパター
ンの描画や、素材の改質等に用いられる荷電ビーム（電
子線や荷電粒子線）露光に関し、具体的には荷電ビーム
露光装置で使用される荷電ビーム露光用透過マスクに関
する。
等々の半導体集積回路の製造を始めとする微細なパター
ンの描画や、素材の改質等に用いられる荷電ビーム（電
子線や荷電粒子線）露光に関し、具体的には荷電ビーム
露光装置で使用される荷電ビーム露光用透過マスクに関
する。
【０００２】
【従来の技術】従来、ステッパー上では、レチクルカセ
ット内のレチクルの識別を行う際、太さの異なる帯状の
パターン（バーコード）で数値化しレチクル固有の識別
番号の認識をしていた。荷電ビーム露光用透過マスクに
おいても固有の識別番号を入力する際、従来のバーコー
ド方式を用いることが十分に考えられる。実際荷電ビー
ム露光用透過マスクにバーコードのパターンを貫通孔で
作成する場合、パターンの大小が混在しており、細いパ
ターンの場合には透過マスクの機械的強度が不安定にな
り易いという問題があった。
ット内のレチクルの識別を行う際、太さの異なる帯状の
パターン（バーコード）で数値化しレチクル固有の識別
番号の認識をしていた。荷電ビーム露光用透過マスクに
おいても固有の識別番号を入力する際、従来のバーコー
ド方式を用いることが十分に考えられる。実際荷電ビー
ム露光用透過マスクにバーコードのパターンを貫通孔で
作成する場合、パターンの大小が混在しており、細いパ
ターンの場合には透過マスクの機械的強度が不安定にな
り易いという問題があった。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】本発明は上記のような
問題点に着目してなされたもので、データ入力が容易で
且つ個々のマスクを識別する個別情報マークの形成が容
易にできる荷電ビーム露光用透過マスクを提供すること
を目的とする。
問題点に着目してなされたもので、データ入力が容易で
且つ個々のマスクを識別する個別情報マークの形成が容
易にできる荷電ビーム露光用透過マスクを提供すること
を目的とする。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明に於いて上記課題
を達成するために、まず請求項１においては、荷電ビー
ム露光法に用いられる透過マスクにおいて、前記透過マ
スクのマスク固有の番号識別情報の媒体として、四点対
称式個別情報マークを用いたことを特徴とする荷電ビー
ム露光用透過マスクとしたものである。
を達成するために、まず請求項１においては、荷電ビー
ム露光法に用いられる透過マスクにおいて、前記透過マ
スクのマスク固有の番号識別情報の媒体として、四点対
称式個別情報マークを用いたことを特徴とする荷電ビー
ム露光用透過マスクとしたものである。
【０００５】また、請求項２においては、前記四点対称
式個別情報マークが前記透過マスクのパターン露光エリ
ア外に貫通孔として設けられていることを特徴とする荷
電ビーム露光用透過マスクとしたものである。
式個別情報マークが前記透過マスクのパターン露光エリ
ア外に貫通孔として設けられていることを特徴とする荷
電ビーム露光用透過マスクとしたものである。
【０００６】本発明の荷電ビーム露光用透過マスクは、
マスク固有の番号識別情報の媒体として、四点対称式個
別情報マーク（登録商標：カルラーコード、特開昭６３
−１３２０９３参照）を用いたことを特徴としている。
四点対称式個別情報マークの基本原理は漢字の「田」の
字の升目に、図３に示すように、１（＝２0 ）、２（＝
２1 ）、４（２2 ）、８（＝２3 ）の数を表記し、この
四つの升目を塗りつぶし、塗りつぶされた枡目の表記数
字の合計によって図４に示す１６通り（すなわち１６進
法表現）のデータを表すことができる。このように簡単
なパターンの組み合わせでコード表示ができるものであ
る。
マスク固有の番号識別情報の媒体として、四点対称式個
別情報マーク（登録商標：カルラーコード、特開昭６３
−１３２０９３参照）を用いたことを特徴としている。
四点対称式個別情報マークの基本原理は漢字の「田」の
字の升目に、図３に示すように、１（＝２0 ）、２（＝
２1 ）、４（２2 ）、８（＝２3 ）の数を表記し、この
四つの升目を塗りつぶし、塗りつぶされた枡目の表記数
字の合計によって図４に示す１６通り（すなわち１６進
法表現）のデータを表すことができる。このように簡単
なパターンの組み合わせでコード表示ができるものであ
る。
【０００７】
【発明の実施の形態】以下本発明の実施の形態につき説
明する。図１（ａ）は本発明に係わる荷電ビーム露光用
透過マスクの平面図を示し、図１（ｂ）は本発明に係わ
る荷電ビーム露光用透過マスクのＹ‐Ｙ線断面図を示
し、図２（ａ）〜（ｆ）は本発明に係わる荷電ビーム露
光用透過マスクの製造工程を示す構成断面図である。
明する。図１（ａ）は本発明に係わる荷電ビーム露光用
透過マスクの平面図を示し、図１（ｂ）は本発明に係わ
る荷電ビーム露光用透過マスクのＹ‐Ｙ線断面図を示
し、図２（ａ）〜（ｆ）は本発明に係わる荷電ビーム露
光用透過マスクの製造工程を示す構成断面図である。
【０００８】本発明の荷電ビーム露光用透過マスクは、
図１（ａ）に示すように、四点対称式個別情報マーク
７、８を透過マスク６の露光エリア外に設けたもので、
光又は電子線などを四点対称式個別情報マークに入射
し、受光素子で四点対称式個別情報マークのコードパタ
ーンを読みとり、２値化データとして認識するものであ
る。また、四点対称式個別情報マークのパターンサイズ
は、特に規定しないが、荷電ビーム露光用透過マスク内
に十分収まり、できるだけ小さいサイズが望ましく、例
えば１０μｍ□〜５０μｍ□程度の大きさでも良い。さ
らに、四点対称式個別情報マークは通常のフォトリソグ
ラフィもしくは電子線リソグラフィの手段により、透過
マスクの荷電ビームの透過孔パターンとなる部分と、同
一プロセスで処理可能である。
図１（ａ）に示すように、四点対称式個別情報マーク
７、８を透過マスク６の露光エリア外に設けたもので、
光又は電子線などを四点対称式個別情報マークに入射
し、受光素子で四点対称式個別情報マークのコードパタ
ーンを読みとり、２値化データとして認識するものであ
る。また、四点対称式個別情報マークのパターンサイズ
は、特に規定しないが、荷電ビーム露光用透過マスク内
に十分収まり、できるだけ小さいサイズが望ましく、例
えば１０μｍ□〜５０μｍ□程度の大きさでも良い。さ
らに、四点対称式個別情報マークは通常のフォトリソグ
ラフィもしくは電子線リソグラフィの手段により、透過
マスクの荷電ビームの透過孔パターンとなる部分と、同
一プロセスで処理可能である。
【０００９】まず、面方位が（１００）の単結晶シリコ
ンウエハ１と単結晶シリコンウエハ３をシリコン酸化膜
２で貼り合わせた貼り合わせシリコン基板４を作製し、
単結晶シリコンウエハ１面に感光層を形成し、パターニ
ング処理して透過孔パターン及び四点対称式個別情報マ
ークを作製するためのレジストパターン５を形成する
（図２（ａ）参照）。
ンウエハ１と単結晶シリコンウエハ３をシリコン酸化膜
２で貼り合わせた貼り合わせシリコン基板４を作製し、
単結晶シリコンウエハ１面に感光層を形成し、パターニ
ング処理して透過孔パターン及び四点対称式個別情報マ
ークを作製するためのレジストパターン５を形成する
（図２（ａ）参照）。
【００１０】次に、レジストパターン５をマスクにし
て、反応性イオンエッチング等のドライエッチングによ
り単結晶シリコンウエハ１をシリコン酸化膜２に到達す
る深さまでエッチングして、透過孔パターン６及び四点
対称式個別情報マーク７、８を形成する（図２（ｂ）参
照）。
て、反応性イオンエッチング等のドライエッチングによ
り単結晶シリコンウエハ１をシリコン酸化膜２に到達す
る深さまでエッチングして、透過孔パターン６及び四点
対称式個別情報マーク７、８を形成する（図２（ｂ）参
照）。
【００１１】次に、荷電ビームの透過孔パターン６及び
四点対称式個別情報マーク７、８が形成された貼り合わ
せシリコン基板４の両面にウェットエッチング用保護膜
９を形成し、単結晶シリコンウエハ３上の保護膜９上に
レジストパターン１０を形成する（図２（ｃ）参照）。
四点対称式個別情報マーク７、８が形成された貼り合わ
せシリコン基板４の両面にウェットエッチング用保護膜
９を形成し、単結晶シリコンウエハ３上の保護膜９上に
レジストパターン１０を形成する（図２（ｃ）参照）。
【００１２】次に、レジストパターン１０をマスクにし
て、単結晶シリコンウエハ３上の保護膜９をドライエッ
チングして、透過孔パターン及び四点対称式個別情報マ
ークの開口部を形成するための保護膜パターン９ａを形
成する（図２（ｄ）参照）。
て、単結晶シリコンウエハ３上の保護膜９をドライエッ
チングして、透過孔パターン及び四点対称式個別情報マ
ークの開口部を形成するための保護膜パターン９ａを形
成する（図２（ｄ）参照）。
【００１３】次に、保護膜パターン９ａをマスクにし
て、単結晶シリコンウエハ３を水酸化カリウムの加熱ア
ルカリ溶液にてシリコン酸化膜２の深さまでバックエッ
チングして、透過孔パターン開口部１１及び四点対称式
個別情報マーク開口部１２が形成された単結晶シリコン
枠３ａを作製する（図２（ｅ）参照）。
て、単結晶シリコンウエハ３を水酸化カリウムの加熱ア
ルカリ溶液にてシリコン酸化膜２の深さまでバックエッ
チングして、透過孔パターン開口部１１及び四点対称式
個別情報マーク開口部１２が形成された単結晶シリコン
枠３ａを作製する（図２（ｅ）参照）。
【００１４】次に、単結晶シリコンウエハ１ａ上の保護
膜９及び単結晶シリコン枠３ａ上の保護膜パターン９ａ
を除去し、マスク表面及び透過孔パターン側面に導電膜
を形成して本発明の荷電ビーム露光用透過マスク１３が
得られる（図２（ｆ）参照）。
膜９及び単結晶シリコン枠３ａ上の保護膜パターン９ａ
を除去し、マスク表面及び透過孔パターン側面に導電膜
を形成して本発明の荷電ビーム露光用透過マスク１３が
得られる（図２（ｆ）参照）。
【００１５】
【実施例】以下実施例により本発明を詳細に説明する。
３インチ径５００μｍ厚で面方位（１００）の単結晶シ
リコンウエハ１と単結晶シリコンウエハ３をシリコン酸
化膜２で貼り合わせた貼り合わせシリコン基板４を作製
し、ポジ型ＥＢレジストＥＢＲ−９００（東レ製）を回
転塗布し、１μｍ厚の感光層を形成した。次いで、電子
線描画装置（日立製作所製ＨＬ−７００）で透過孔パタ
ーン及び四点対称式個別情報マークの描画を行い、所定
の現像、ポストベーク処理を行ないレジストパターン５
を形成した（図２（ａ）参照）。
３インチ径５００μｍ厚で面方位（１００）の単結晶シ
リコンウエハ１と単結晶シリコンウエハ３をシリコン酸
化膜２で貼り合わせた貼り合わせシリコン基板４を作製
し、ポジ型ＥＢレジストＥＢＲ−９００（東レ製）を回
転塗布し、１μｍ厚の感光層を形成した。次いで、電子
線描画装置（日立製作所製ＨＬ−７００）で透過孔パタ
ーン及び四点対称式個別情報マークの描画を行い、所定
の現像、ポストベーク処理を行ないレジストパターン５
を形成した（図２（ａ）参照）。
【００１６】次に、レジストパターン５をマスクにし
て、ＥＣＲ（電子サイクロトロン共鳴）イオンエッチン
グ装置によって単結晶シリコンウエハ１をシリコン酸化
膜２に到達する深さまでエッチングし、Ｏ2 プラズマに
よってレジストパターンを剥離処理して、透過孔パター
ン６及び四点対称式個別情報マーク７、８を形成した
（図２（ｂ）参照）。ここで、エッチングガスはＣｌ2
にＳＦ6 を１０％添加したものを使い、マイクロ波出力
は２００Ｗとした。
て、ＥＣＲ（電子サイクロトロン共鳴）イオンエッチン
グ装置によって単結晶シリコンウエハ１をシリコン酸化
膜２に到達する深さまでエッチングし、Ｏ2 プラズマに
よってレジストパターンを剥離処理して、透過孔パター
ン６及び四点対称式個別情報マーク７、８を形成した
（図２（ｂ）参照）。ここで、エッチングガスはＣｌ2
にＳＦ6 を１０％添加したものを使い、マイクロ波出力
は２００Ｗとした。
【００１７】次に、透過孔パターン６及び四点対称式個
別情報マーク７、８が形成された貼り合わせシリコン基
板を減圧ＣＶＤ装置に入れ、Ｃ2 Ｈ2 とＳｉＨ2 Ｃｌ2
とを原料ガスとして貼り合わせシリコン基板の両面に厚
さ１００ｎｍのＳｉＣｘ膜からなる保護膜９を形成し
た。さらに、単結晶シリコンウエハ３側の保護膜９上に
感光層を形成し、通常のフォトリソグラフィの手段によ
ってパターニング処理してレジストパターン１０を形成
した（図２（ｃ）参照）。
別情報マーク７、８が形成された貼り合わせシリコン基
板を減圧ＣＶＤ装置に入れ、Ｃ2 Ｈ2 とＳｉＨ2 Ｃｌ2
とを原料ガスとして貼り合わせシリコン基板の両面に厚
さ１００ｎｍのＳｉＣｘ膜からなる保護膜９を形成し
た。さらに、単結晶シリコンウエハ３側の保護膜９上に
感光層を形成し、通常のフォトリソグラフィの手段によ
ってパターニング処理してレジストパターン１０を形成
した（図２（ｃ）参照）。
【００１８】次に、レジストパターン１０をマスクにし
てＲＩＥ（反応性イオンエッチング）により保護膜９を
エッチングして、開口部形成用の保護膜パターン９ａを
形成した（図２（ｄ）参照）。
てＲＩＥ（反応性イオンエッチング）により保護膜９を
エッチングして、開口部形成用の保護膜パターン９ａを
形成した（図２（ｄ）参照）。
【００１９】次に、保護膜パターン９ａをマスクにし
て、単結晶シリコンウエハ３を液温９０℃の濃度３０％
のＫＯＨ水溶液によりバックエッチングして、透過孔パ
ターン開口部１１及び四点対称式個別情報マーク開口部
１２が形成された単結晶シリコン枠３ａを作製した（図
２（ｅ）参照）。
て、単結晶シリコンウエハ３を液温９０℃の濃度３０％
のＫＯＨ水溶液によりバックエッチングして、透過孔パ
ターン開口部１１及び四点対称式個別情報マーク開口部
１２が形成された単結晶シリコン枠３ａを作製した（図
２（ｅ）参照）。
【００２０】次に、単結晶シリコンウエハ１ａ上の保護
膜９及び単結晶シリコン枠３ａ上の保護膜パターン９ａ
を除去し、マスク表面及び透過孔パターン側面に導電膜
を形成して本発明の荷電ビーム露光用透過マスク１３が
得られた（図２（ｆ）参照）。
膜９及び単結晶シリコン枠３ａ上の保護膜パターン９ａ
を除去し、マスク表面及び透過孔パターン側面に導電膜
を形成して本発明の荷電ビーム露光用透過マスク１３が
得られた（図２（ｆ）参照）。
【００２１】
【発明の効果】以上のように、マスク固有の番号識別情
報の媒体として、四点対称式個別情報マークを使用する
ことにより、単純なパターンで個々のマスクを識別する
個別情報マークが形成でき、且つ比較的小さな面積で設
置可能で、荷電ビーム露光用透過マスクの機械的強度を
損なうことがない。さらに、荷電ビーム露光用透過マス
クの露光エリアを有効に活用できる。
報の媒体として、四点対称式個別情報マークを使用する
ことにより、単純なパターンで個々のマスクを識別する
個別情報マークが形成でき、且つ比較的小さな面積で設
置可能で、荷電ビーム露光用透過マスクの機械的強度を
損なうことがない。さらに、荷電ビーム露光用透過マス
クの露光エリアを有効に活用できる。
【図１】（ａ）は、本発明の一実施例に係わる荷電ビー
ム露光用透過マスクを示す平面図である。（ｂ）は、本
発明の一実施例に係わる荷電ビーム露光用透過マスクの
構成を示すＹ‐Ｙ線断面図である。
ム露光用透過マスクを示す平面図である。（ｂ）は、本
発明の一実施例に係わる荷電ビーム露光用透過マスクの
構成を示すＹ‐Ｙ線断面図である。
【図２】（ａ）〜（ｆ）は、本発明の一実施例に係わる
荷電ビーム露光用透過マスクの製造工程を示す構成断面
図である。
荷電ビーム露光用透過マスクの製造工程を示す構成断面
図である。
【図３】本発明に用いる四点対称式個別情報マークの数
値化の原理を示す説明図である。
値化の原理を示す説明図である。
【図４】本発明に用いる四点対称式個別情報マークの基
本コード表現を示す説明図である。
本コード表現を示す説明図である。
１、３……単結晶シリコンウエハ １ａ……透過孔パターン及び四点対称式個別情報マーク
が形成された単結晶シリコンウエハ ２……シリコン酸化膜 ２ａ……透過孔パターン及び四点対称式個別情報マーク
が形成されたシリコン酸化膜 ３ａ……透過孔パターン開口部及び四点対称式個別情報
マーク開口部が形成された単結晶シリコン枠 ４……貼り合わせシリコン基板 ５……レジストパターン ６……透過孔パターン ７、８……四点対称式個別情報マーク ９……保護膜 ９ａ……保護膜パターン １０……レジストパターン １１……透過孔パターン開口部 １２……四点対称式個別情報マーク開口部 １３……荷電ビーム露光用透過マスク
が形成された単結晶シリコンウエハ ２……シリコン酸化膜 ２ａ……透過孔パターン及び四点対称式個別情報マーク
が形成されたシリコン酸化膜 ３ａ……透過孔パターン開口部及び四点対称式個別情報
マーク開口部が形成された単結晶シリコン枠 ４……貼り合わせシリコン基板 ５……レジストパターン ６……透過孔パターン ７、８……四点対称式個別情報マーク ９……保護膜 ９ａ……保護膜パターン １０……レジストパターン １１……透過孔パターン開口部 １２……四点対称式個別情報マーク開口部 １３……荷電ビーム露光用透過マスク
Claims (2)
- 【請求項１】荷電ビーム露光法に用いられる透過マスク
において、前記透過マスクのマスク固有の番号識別情報
の媒体として、四点対称式個別情報マークを用いたこと
を特徴とする荷電ビーム露光用透過マスク。 - 【請求項２】前記四点対称式個別情報マークが前記透過
マスクのパターン露光エリア外に貫通孔として設けられ
ていることを特徴とする請求項１記載の荷電ビーム露光
用透過マスク。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1140897A JPH10207044A (ja) | 1997-01-24 | 1997-01-24 | 荷電ビーム露光用透過マスク |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1140897A JPH10207044A (ja) | 1997-01-24 | 1997-01-24 | 荷電ビーム露光用透過マスク |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10207044A true JPH10207044A (ja) | 1998-08-07 |
Family
ID=11777201
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1140897A Pending JPH10207044A (ja) | 1997-01-24 | 1997-01-24 | 荷電ビーム露光用透過マスク |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10207044A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002343710A (ja) * | 2001-05-21 | 2002-11-29 | Sony Corp | マスクおよびその製造方法と半導体装置の製造方法 |
| EP1500716A3 (en) * | 2003-07-22 | 2005-03-02 | Seiko Epson Corporation | Deposition mask, manufacturing method and use thereof |
| DE102004012240A1 (de) * | 2004-03-12 | 2005-10-13 | Infineon Technologies Ag | Verfahren zur Herstellung einer Lochmaske zur lithographischen Strukturierung mittels geladener Teilchen, Lochmaske zur lithographischen Strukturierung eines Halbleiterwafers mittels geladener Teilchen sowie der Verwendung |
-
1997
- 1997-01-24 JP JP1140897A patent/JPH10207044A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002343710A (ja) * | 2001-05-21 | 2002-11-29 | Sony Corp | マスクおよびその製造方法と半導体装置の製造方法 |
| EP1500716A3 (en) * | 2003-07-22 | 2005-03-02 | Seiko Epson Corporation | Deposition mask, manufacturing method and use thereof |
| US7074694B2 (en) | 2003-07-22 | 2006-07-11 | Seiko Epson Corporation | Deposition mask, manufacturing method thereof, display unit, manufacturing method thereof, and electronic apparatus including display unit |
| DE102004012240A1 (de) * | 2004-03-12 | 2005-10-13 | Infineon Technologies Ag | Verfahren zur Herstellung einer Lochmaske zur lithographischen Strukturierung mittels geladener Teilchen, Lochmaske zur lithographischen Strukturierung eines Halbleiterwafers mittels geladener Teilchen sowie der Verwendung |
| DE102004012240B4 (de) * | 2004-03-12 | 2007-03-01 | Infineon Technologies Ag | Verfahren zur Herstellung einer Lochmaske zur lithographischen Strukturierung mittels geladener Teilchen |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3678199B2 (ja) | 半導体装置製造用マスクの作製方法、及び半導体装置の製造方法 | |
| US5055383A (en) | Process for making masks with structures in the submicron range | |
| EP0358350B1 (en) | Forming a Prescribed Pattern on a Semiconductor Device Layer | |
| TWI875671B (zh) | 圖案化方法 | |
| JP4039036B2 (ja) | アライメントマーク作製方法 | |
| KR20010015438A (ko) | 전자빔 노광 마스크 및 그 제조 방법 | |
| JPH10106971A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| KR20020002573A (ko) | 반도체소자의 미세패턴 형성방법 | |
| JPH0697024A (ja) | レジストパターンの形成方法 | |
| JPH0670954B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| KR0151014B1 (ko) | 반도체 소자 미세패턴 형성방법 | |
| KR20000037885A (ko) | 미세패턴 형성 방법 | |
| JP4207272B2 (ja) | 電子ビーム描画用アパーチャ | |
| JPH0479321A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP3148798B2 (ja) | 荷電粒子線露光用マスク製造方法 | |
| KR100816242B1 (ko) | 반도체 소자 제조 방법 | |
| CN101005026A (zh) | 接触窗开口的制造方法 | |
| TWI236703B (en) | Method to form smaller contact via by using T-shaped pattern | |
| JPS59121841A (ja) | パタ−ン形成方法 | |
| KR20000043252A (ko) | 반도체 소자의 마스크 제조방법 | |
| JPH11194222A (ja) | 光導波路の製造方法 | |
| JPH07321100A (ja) | 高密度ｖ型溝を有するガリウム砒素基板の製造方法 | |
| JPS6194342A (ja) | 半導体素子の製造方法 | |
| JPH0294439A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS602955A (ja) | ホトマスクの作成方法 |