JPS602955A - ホトマスクの作成方法 - Google Patents
ホトマスクの作成方法Info
- Publication number
- JPS602955A JPS602955A JP58109246A JP10924683A JPS602955A JP S602955 A JPS602955 A JP S602955A JP 58109246 A JP58109246 A JP 58109246A JP 10924683 A JP10924683 A JP 10924683A JP S602955 A JPS602955 A JP S602955A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- photomask
- etching
- chromium film
- substrate
- pattern
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/68—Preparation processes not covered by groups G03F1/20 - G03F1/50
- G03F1/80—Etching
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
発明の技術分野
本発明はＩＣ，ＬＳＩ等の半導体素子の製造工程で用い
るホトマスクに関するものである。
るホトマスクに関するものである。
従来技術と問題点
ＩＣ，ＬＳＩ等の製造には、その素子形成にホトリソグ
ラフィの技術が用いられている。その場合ホトマスクが
用いられるが、このホトマスクの製造にも素子形成と同
様にホトリングラフィ技術が用いられている。その作成
工程は、ガラス基板の上にス・ぐツタにより金属クロム
膜を形成し、その上にホトレジストを塗布し、このホト
レジストをレチクルを用いて露光したのち現像し、次い
で金属り日ム膜を選択エツチングしてホトマスクを作成
するのである。
ラフィの技術が用いられている。その場合ホトマスクが
用いられるが、このホトマスクの製造にも素子形成と同
様にホトリングラフィ技術が用いられている。その作成
工程は、ガラス基板の上にス・ぐツタにより金属クロム
膜を形成し、その上にホトレジストを塗布し、このホト
レジストをレチクルを用いて露光したのち現像し、次い
で金属り日ム膜を選択エツチングしてホトマスクを作成
するのである。
このホトマスク作成工程において、金属りｐム膜のエツ
チングは基板がガラスであるためエツチングが不安定で
あシ、エツチング残りが生ずることがあり、また従来の
ホトマスクでは、エツチング中にその進行度を監視する
ことができないという欠点があった。
チングは基板がガラスであるためエツチングが不安定で
あシ、エツチング残りが生ずることがあり、また従来の
ホトマスクでは、エツチング中にその進行度を監視する
ことができないという欠点があった。
発明の目的
本発明は上記従来の欠点Ｉこ鑑み、ホトマスク製造工程
において、その金属クロム膜をエツチングするとき、エ
ツチング中のエツチング進行度を監視することができる
ホトマスクの作成方法を提供することを目的とするもの
である。
において、その金属クロム膜をエツチングするとき、エ
ツチング中のエツチング進行度を監視することができる
ホトマスクの作成方法を提供することを目的とするもの
である。
発明の構成
そしてこの目的は本発明によれば、ガラス基板の片面に
金属クロム膜を形成したホトマスク用基板の周辺の少な
くとも３個所に、金属クロム膜を選択エツチングした後
で透明となるパターンを設けておき、エツチング中に該
パターンを監視してエツチングの進行度を観測すること
を特徴とするホトマスクの作成方法を提供することによ
って達成される。
金属クロム膜を形成したホトマスク用基板の周辺の少な
くとも３個所に、金属クロム膜を選択エツチングした後
で透明となるパターンを設けておき、エツチング中に該
パターンを監視してエツチングの進行度を観測すること
を特徴とするホトマスクの作成方法を提供することによ
って達成される。
発明の実施例
以下１本発明実施例を図面によって詳述する。
第１図及び第２図は本発明によるホトマスクの作成方法
を説明するだめの図であり、第１図はホトマスクの斜視
図、第２図はドライエツチング装置によるホトマスクの
エツチング状態を示す図である。
を説明するだめの図であり、第１図はホトマスクの斜視
図、第２図はドライエツチング装置によるホトマスクの
エツチング状態を示す図である。
本実施例は先ず第１図に示す如くガラス基板の片面に金
属クロム膜を形成したホトマスク用基板１にホトレジス
ト２を塗布しレチクルを用いて露光したのち現像する。
属クロム膜を形成したホトマスク用基板１にホトレジス
ト２を塗布しレチクルを用いて露光したのち現像する。
この場合レチクルにはホトマスク用基板１の必要領域３
以外の周辺部に少々くとも３個所の、エツチング後に透
明となる／ｆターン４，４’、４”を形成しておく。従
ってホトマスク用基板にはエツチング後に透明となるノ
４ターン４．４’、４”がホトレジスト２に゛よって形
成される。
以外の周辺部に少々くとも３個所の、エツチング後に透
明となる／ｆターン４，４’、４”を形成しておく。従
ってホトマスク用基板にはエツチング後に透明となるノ
４ターン４．４’、４”がホトレジスト２に゛よって形
成される。
このように処理されたホトマスク用基板ｌは第２図の如
くドライエツチング装置５に挿入されホルダ６の上に金
属クロム膜を上にして載置される。
くドライエツチング装置５に挿入されホルダ６の上に金
属クロム膜を上にして載置される。
そして装置内を排気孔７よシ排気し、四塩化炭素と酸素
の混合ガスを導入し、ホルダ６と対向電極８との間イこ
高電圧を印加しゾ２ズマを発生させて金膜クロム膜をエ
ツチングするのである。このとき覗き窓９よシ、さきに
ホトマスク用基板１に形成したパターン４．４’、４“
全監視していればエツチングの進行度を観測することが
できる。なおパターン４．４’、４“を監視する一方法
としてレーザ光線１０によシバターン４，４′間又は４
．４“間を走査しその反射光を受光器によって受光し、
その出力変化によってエツチングの進行度を知ることも
できる。またパターン４．４’。
の混合ガスを導入し、ホルダ６と対向電極８との間イこ
高電圧を印加しゾ２ズマを発生させて金膜クロム膜をエ
ツチングするのである。このとき覗き窓９よシ、さきに
ホトマスク用基板１に形成したパターン４．４’、４“
全監視していればエツチングの進行度を観測することが
できる。なおパターン４．４’、４“を監視する一方法
としてレーザ光線１０によシバターン４，４′間又は４
．４“間を走査しその反射光を受光器によって受光し、
その出力変化によってエツチングの進行度を知ることも
できる。またパターン４．４’。
４〃を少なくとも３個所に形成した理由は監視領域を広
くとシ、エツチング残りを防止するためである。
くとシ、エツチング残りを防止するためである。
このようにして不実施例は金属クロム膜のエツチング進
行度を観測することができるので、エツチングの終点を
見出すことが容易でちり、且つエツチング残シを防止す
ることができる。
行度を観測することができるので、エツチングの終点を
見出すことが容易でちり、且つエツチング残シを防止す
ることができる。
なお本実施例はエツチングをドライエツチングで行なう
場合について説明したが５本発明方法はウェットエツチ
ングに適用することも可能である。
場合について説明したが５本発明方法はウェットエツチ
ングに適用することも可能である。
発明の効果
以上、詳細に説明したように本発明のホトマスク作成方
法は、ガラス板の片面に金属クロム膜を形成したホトマ
スク用基板にエツチング後に透明となるノ′ｅターンを
ホトレジストによって形成しておき、エツチング中に該
パターンを監視することにより、エツチングの完了時を
見出すことができるといった効果大なるものである。
法は、ガラス板の片面に金属クロム膜を形成したホトマ
スク用基板にエツチング後に透明となるノ′ｅターンを
ホトレジストによって形成しておき、エツチング中に該
パターンを監視することにより、エツチングの完了時を
見出すことができるといった効果大なるものである。
第１図及び第２図は本発明によるホトマスクの作成方法
を説明するための図であシ、第１図はホトマスク用基板
の斜視図、第２図はドライエツチング装置によるホトマ
スクのエンチング状態を示す図である。 図面において、１はホトマスク用基板、２はホトレジス
）、４．４’、４”はエツチング後に透明となるノぐタ
ーン、５はドライエツチング装に１６はホルダ、８は対
向電極、９は覗き窓、１０はレーザ光線をそれぞれ示す
。 特許出願人 富士通株式会社 特許出願代理人 弁理士 青 木 朗 弁理士 西舘和之 弁理士 内 １）幸 男 弁理士 山 口 １１８ 之
を説明するための図であシ、第１図はホトマスク用基板
の斜視図、第２図はドライエツチング装置によるホトマ
スクのエンチング状態を示す図である。 図面において、１はホトマスク用基板、２はホトレジス
）、４．４’、４”はエツチング後に透明となるノぐタ
ーン、５はドライエツチング装に１６はホルダ、８は対
向電極、９は覗き窓、１０はレーザ光線をそれぞれ示す
。 特許出願人 富士通株式会社 特許出願代理人 弁理士 青 木 朗 弁理士 西舘和之 弁理士 内 １）幸 男 弁理士 山 口 １１８ 之
Claims (1)
- １ ガラス基板の片面に金現クロム膜を形成したホトマ
スク用基板の周辺の少なくとも３個所に、金属クロム膜
を選択エツチングした後で透明となるパターンを設けて
おき、エツチング中に該ノｆターンを監視してエツチン
グの進行度を観測することを特徴とするホトマスクの作
成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58109246A JPS602955A (ja) | 1983-06-20 | 1983-06-20 | ホトマスクの作成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58109246A JPS602955A (ja) | 1983-06-20 | 1983-06-20 | ホトマスクの作成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS602955A true JPS602955A (ja) | 1985-01-09 |
Family
ID=14505313
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58109246A Pending JPS602955A (ja) | 1983-06-20 | 1983-06-20 | ホトマスクの作成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS602955A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5847375U (ja) * | 1981-09-18 | 1983-03-30 | 新明和工業株式会社 | 自動溶接装置における安全装置 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5120676A (en) * | 1974-08-14 | 1976-02-19 | Dainippon Printing Co Ltd | Fuotomasukuno fushokudoaino kenshutsuhohooyobisochi |
| JPS57116342A (en) * | 1981-01-13 | 1982-07-20 | Toshiba Corp | Manufacture of photomask |
-
1983
- 1983-06-20 JP JP58109246A patent/JPS602955A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5120676A (en) * | 1974-08-14 | 1976-02-19 | Dainippon Printing Co Ltd | Fuotomasukuno fushokudoaino kenshutsuhohooyobisochi |
| JPS57116342A (en) * | 1981-01-13 | 1982-07-20 | Toshiba Corp | Manufacture of photomask |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5847375U (ja) * | 1981-09-18 | 1983-03-30 | 新明和工業株式会社 | 自動溶接装置における安全装置 |
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