JPH10223514A - 電子線転写装置 - Google Patents
電子線転写装置Info
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- JPH10223514A JPH10223514A JP9031415A JP3141597A JPH10223514A JP H10223514 A JPH10223514 A JP H10223514A JP 9031415 A JP9031415 A JP 9031415A JP 3141597 A JP3141597 A JP 3141597A JP H10223514 A JPH10223514 A JP H10223514A
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- JP
- Japan
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- electron beam
- reticle
- electron
- crossover
- cathode
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 高エミッタンス・低輝度の光源を有し、かつ
レチクルの照射強度の一様な高スループットの電子線転
写装置を提供する。 【解決手段】 本発明の電子線転写装置は、電子銃３か
ら放出された電子線をコンデンサレンズ９、１５と開口
１９とで調整してレチクル２３を照射し、レチクル２３
で整形された電子線を投影レンズ系２７、３１で試料面
３３に結像させて試料面３３上にパターンを形成する装
置である。電子銃３を温度制限領域で作動させ、電子銃
３が作るクロスオーバ７の像をレチクル２３の面に結像
させることを特徴とする。
レチクルの照射強度の一様な高スループットの電子線転
写装置を提供する。 【解決手段】 本発明の電子線転写装置は、電子銃３か
ら放出された電子線をコンデンサレンズ９、１５と開口
１９とで調整してレチクル２３を照射し、レチクル２３
で整形された電子線を投影レンズ系２７、３１で試料面
３３に結像させて試料面３３上にパターンを形成する装
置である。電子銃３を温度制限領域で作動させ、電子銃
３が作るクロスオーバ７の像をレチクル２３の面に結像
させることを特徴とする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、電子線を用いてレ
チクル（マスク）のパターンを試料（ウェハー等）に転
写する転写装置に関する。特には、４ＧＤＲＡＭ以降の
高密度・微細パターンをも高スループットで形成できる
電子線を用いた転写装置に関する。
チクル（マスク）のパターンを試料（ウェハー等）に転
写する転写装置に関する。特には、４ＧＤＲＡＭ以降の
高密度・微細パターンをも高スループットで形成できる
電子線を用いた転写装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体ウエハに集積回路パターンを焼き
付けるリソグラフィー装置の一種として、所定のパター
ンを備えたマスクに電子線を照射し、その照射範囲のパ
ターンの像を二段の投影レンズによりウエハに縮小転写
する電子線縮小転写装置が知られている（例えば特開平
５−１６００１２号参照）。この種の装置では、マスク
の全範囲に一括して電子線を照射することができないの
で、光学系の視野を多数の小領域に分割し、小領域毎に
分割してパターン像を転写する（例えば米国特許第５２
６０１５１号参照）。
付けるリソグラフィー装置の一種として、所定のパター
ンを備えたマスクに電子線を照射し、その照射範囲のパ
ターンの像を二段の投影レンズによりウエハに縮小転写
する電子線縮小転写装置が知られている（例えば特開平
５−１６００１２号参照）。この種の装置では、マスク
の全範囲に一括して電子線を照射することができないの
で、光学系の視野を多数の小領域に分割し、小領域毎に
分割してパターン像を転写する（例えば米国特許第５２
６０１５１号参照）。
【０００３】従来のこの種の電子線転写装置では、電子
銃を空間電荷制限領域で作動させるのが一般的であっ
た。ここで空間電荷制限領域とは、カソード温度が比較
的低く、電子銃から放出される電子線の電流密度がアノ
ード−カソード間印加電圧（加速電圧）に敏感に影響さ
れるが、カソード温度にはあまり影響されない領域をい
う。また、レチクルの照明方式は、ケーラ照明方式ある
いはクリティカル・ケーラ照明方式が用いられていた。
ここでケーラ照明方式とは、光源から発散してきたビー
ムでレチクル面を照明し、電子銃が作るクロスオーバ像
を対物レンズの入射瞳に結像させる方式である（詳しく
は図２を用いて後述する）。また、クリティカル・ケー
ラ照明方式とは、電子銃のカソードの像をレチクル面に
結像させ、かつ電子銃が作るクロスオーバ像を対物レン
ズの入射瞳に結像させる方式である。
銃を空間電荷制限領域で作動させるのが一般的であっ
た。ここで空間電荷制限領域とは、カソード温度が比較
的低く、電子銃から放出される電子線の電流密度がアノ
ード−カソード間印加電圧（加速電圧）に敏感に影響さ
れるが、カソード温度にはあまり影響されない領域をい
う。また、レチクルの照明方式は、ケーラ照明方式ある
いはクリティカル・ケーラ照明方式が用いられていた。
ここでケーラ照明方式とは、光源から発散してきたビー
ムでレチクル面を照明し、電子銃が作るクロスオーバ像
を対物レンズの入射瞳に結像させる方式である（詳しく
は図２を用いて後述する）。また、クリティカル・ケー
ラ照明方式とは、電子銃のカソードの像をレチクル面に
結像させ、かつ電子銃が作るクロスオーバ像を対物レン
ズの入射瞳に結像させる方式である。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】上記の空間電荷制限領
域で作動する電子銃は、輝度を小さくかつエミッタンス
を高くするのが困難なため、分割転写方式（米国特許第
５２６０１５１号等）の電子線転写装置用としては使用
しずらいという問題点があった。また、ケーラ照明方式
やクリティカル・ケーラ照明方式は、カソード面におけ
る電子放出の不均一性がそのままレチクル照明の不均一
性となって表われるため、特に電子銃が温度制限領域で
作動する場合には、レチクル照明の強度の一様性を得る
のが困難であるという問題点があった。
域で作動する電子銃は、輝度を小さくかつエミッタンス
を高くするのが困難なため、分割転写方式（米国特許第
５２６０１５１号等）の電子線転写装置用としては使用
しずらいという問題点があった。また、ケーラ照明方式
やクリティカル・ケーラ照明方式は、カソード面におけ
る電子放出の不均一性がそのままレチクル照明の不均一
性となって表われるため、特に電子銃が温度制限領域で
作動する場合には、レチクル照明の強度の一様性を得る
のが困難であるという問題点があった。
【０００５】本発明は、このような従来の問題点を解決
するためになされたものであって、高エミッタンス・低
輝度の光源を有し、かつレチクルの照射強度の一様な高
スループットの電子線転写装置を提供することを目的と
する。
するためになされたものであって、高エミッタンス・低
輝度の光源を有し、かつレチクルの照射強度の一様な高
スループットの電子線転写装置を提供することを目的と
する。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するた
め、本発明の電子線転写装置は、電子銃から放出された
電子線をコンデンサレンズと開口とで調整してレチクル
を照射し、レチクルで整形された電子線を投影レンズ系
で試料面に結像させて試料面上にパターンを形成する電
子線転写装置であって； 該電子銃が作るクロスオーバ
の像をレチクル面に結像させることを特徴とする。
め、本発明の電子線転写装置は、電子銃から放出された
電子線をコンデンサレンズと開口とで調整してレチクル
を照射し、レチクルで整形された電子線を投影レンズ系
で試料面に結像させて試料面上にパターンを形成する電
子線転写装置であって； 該電子銃が作るクロスオーバ
の像をレチクル面に結像させることを特徴とする。
【０００７】電子銃を温度制限領域で作動させるため、
適当な寸法（例えば径２ｍｍ以上）のカソードを使用す
ることによって、電子銃を高エミッタンス（例えば１，
０００μm・mrad程度以上）・低輝度（例えば１０3 Ａ／
cm2・sr以下）とすることができる。一方、電子銃のカソ
ードの動作条件を温度制限領域とすると、カソード表面
の仕事関数の低い領域からは高電流密度の、仕事関数の
高い領域からは低電流密度の電子線がそれぞれ放出され
る。この場合、クロスオーバから電子線が発散する方向
によって輝度に強弱ができ、ケーラ照明条件やクリティ
カルケーラ照明条件ではレチクルを照射する電流密度が
一様でなくなり（詳しくは図２により後述）、試料面で
のドーズが一様にならない。しかし、本発明では、クロ
スオーバから発散する電子線でレチクルを照明するので
はなく、クロスオーバの拡大像を作り、この拡大像でレ
チクルを照明する。したがって、クロスオーバでは電子
線の強度分布はガウス分布になっているので、その中心
付近の電子線でレチクルを照明することとなり、レチク
ルの照明強度は一様となる。
適当な寸法（例えば径２ｍｍ以上）のカソードを使用す
ることによって、電子銃を高エミッタンス（例えば１，
０００μm・mrad程度以上）・低輝度（例えば１０3 Ａ／
cm2・sr以下）とすることができる。一方、電子銃のカソ
ードの動作条件を温度制限領域とすると、カソード表面
の仕事関数の低い領域からは高電流密度の、仕事関数の
高い領域からは低電流密度の電子線がそれぞれ放出され
る。この場合、クロスオーバから電子線が発散する方向
によって輝度に強弱ができ、ケーラ照明条件やクリティ
カルケーラ照明条件ではレチクルを照射する電流密度が
一様でなくなり（詳しくは図２により後述）、試料面で
のドーズが一様にならない。しかし、本発明では、クロ
スオーバから発散する電子線でレチクルを照明するので
はなく、クロスオーバの拡大像を作り、この拡大像でレ
チクルを照明する。したがって、クロスオーバでは電子
線の強度分布はガウス分布になっているので、その中心
付近の電子線でレチクルを照明することとなり、レチク
ルの照明強度は一様となる。
【０００８】なお、後述する実施例においては、クロス
オーバからの発散方向による輝度の変化は、二段の投影
レンズの間に設けたアパーチャ上での強度変化を生じる
が、この位置ではビーム径はアパーチャ径より十分小さ
くなるよう設計されるため、強度変化が視野の各小領域
に強度変化を与えることはない。
オーバからの発散方向による輝度の変化は、二段の投影
レンズの間に設けたアパーチャ上での強度変化を生じる
が、この位置ではビーム径はアパーチャ径より十分小さ
くなるよう設計されるため、強度変化が視野の各小領域
に強度変化を与えることはない。
【０００９】
【発明の実施の形態】本発明の電子線転写装置において
は、上記コンデンサレンズを少なくとも２段配置して、
上記クロスオーバの拡大率を可変とし、もって試料面で
結像する電子線の開口角を可変とすることが好ましい。
電子銃とレチクルの間に少なくとも２個のコンデンサレ
ンズがあれば、クロスオーバのレチクルへの結像条件を
変えないでクロスオーバ像の大きさあるいはレチクルか
らの発散角を変えられるので、試料への開口角を（エミ
ッタンスに余裕のある範囲で）任意に変えられる。その
ため、レンズ条件を変えるのみで開口角を可変とできる
ので、最適開口に容易に調整できるとか、電流密度やビ
ーム分解能を可変にできるという利点がある。
は、上記コンデンサレンズを少なくとも２段配置して、
上記クロスオーバの拡大率を可変とし、もって試料面で
結像する電子線の開口角を可変とすることが好ましい。
電子銃とレチクルの間に少なくとも２個のコンデンサレ
ンズがあれば、クロスオーバのレチクルへの結像条件を
変えないでクロスオーバ像の大きさあるいはレチクルか
らの発散角を変えられるので、試料への開口角を（エミ
ッタンスに余裕のある範囲で）任意に変えられる。その
ため、レンズ条件を変えるのみで開口角を可変とできる
ので、最適開口に容易に調整できるとか、電流密度やビ
ーム分解能を可変にできるという利点がある。
【００１０】本発明においては、上記電子銃のカソード
がＬａＢ6 又は酸化物陰極材料からなることとすること
ができる。カソード表面で仕事関数に場所依存性があっ
てもよいので、ＬａＢ6 や、酸化バリウム、あるいは含
浸型（Ｗ骨格中にＢａＯ含浸等）のカソードが使える。
これらのカソードは、低い動作温度で使えるので、エネ
ルギー幅の小さい（エネルギー分散の小さい）ビームを
形成できる。
がＬａＢ6 又は酸化物陰極材料からなることとすること
ができる。カソード表面で仕事関数に場所依存性があっ
てもよいので、ＬａＢ6 や、酸化バリウム、あるいは含
浸型（Ｗ骨格中にＢａＯ含浸等）のカソードが使える。
これらのカソードは、低い動作温度で使えるので、エネ
ルギー幅の小さい（エネルギー分散の小さい）ビームを
形成できる。
【００１１】以下、図面を参照しつつ説明する。図１
は、本発明の１実施例に係る電子線転写装置の光学系の
結像図である。電子線転写装置光学系１の最上部には電
子銃３が配置されている。この電子銃３は、単結晶Ｌａ
Ｂ6 製のカソード５（径は約２mm）を有する。カソード
５の周囲には図示せぬヒーターが設けられており、カソ
ード５を加熱している。カソード５の動作温度は温度制
限領域の１，１５０℃前後であり、温度を変えることに
よって輝度を可変としている。
は、本発明の１実施例に係る電子線転写装置の光学系の
結像図である。電子線転写装置光学系１の最上部には電
子銃３が配置されている。この電子銃３は、単結晶Ｌａ
Ｂ6 製のカソード５（径は約２mm）を有する。カソード
５の周囲には図示せぬヒーターが設けられており、カソ
ード５を加熱している。カソード５の動作温度は温度制
限領域の１，１５０℃前後であり、温度を変えることに
よって輝度を可変としている。
【００１２】図２は、図１の電子線転写装置光学系にお
ける電子銃カソード直下の結像状況を示す図である。電
子銃カソード５の電子放出面（下端面）の各点５ａ、５
ｂ、５ｃから放出された電子線は、カソード５の直下に
クロスオーバ７を作る。このクロスオーバ７からは、下
方に約±１０mradの拡がりで電子線が発散している。
ける電子銃カソード直下の結像状況を示す図である。電
子銃カソード５の電子放出面（下端面）の各点５ａ、５
ｂ、５ｃから放出された電子線は、カソード５の直下に
クロスオーバ７を作る。このクロスオーバ７からは、下
方に約±１０mradの拡がりで電子線が発散している。
【００１３】図３は、図２の電子銃直下のクロスオーバ
における光軸直角方向の電子線電流密度の分布を示すグ
ラフである。クロスオーバ７では、電流密度は、カソー
ド５の各部５ａ、５ｂ、５ｃからの電子線放出を積分し
た値となっており、電流密度の半径依存性はガウス分布
のカーブを描く。本発明のクリティカル照明方式では、
このカーブのうちの中央部分のほぼ均一な分布を示す部
分（図中の斜線）を取り出して拡大し、レチクル６の面
に結像させることによりレチクル６を照明している。ク
ロスオーバ７部では、カソード５の各部５ａ、５ｂ、５
ｃからの電子線放出が平均化されているため、各部相互
間における電子線放出の不均一性によって、レチクル６
の照明強度が不均一となることはない。
における光軸直角方向の電子線電流密度の分布を示すグ
ラフである。クロスオーバ７では、電流密度は、カソー
ド５の各部５ａ、５ｂ、５ｃからの電子線放出を積分し
た値となっており、電流密度の半径依存性はガウス分布
のカーブを描く。本発明のクリティカル照明方式では、
このカーブのうちの中央部分のほぼ均一な分布を示す部
分（図中の斜線）を取り出して拡大し、レチクル６の面
に結像させることによりレチクル６を照明している。ク
ロスオーバ７部では、カソード５の各部５ａ、５ｂ、５
ｃからの電子線放出が平均化されているため、各部相互
間における電子線放出の不均一性によって、レチクル６
の照明強度が不均一となることはない。
【００１４】一方、カソード５の各点５ａ、５ｂ、５ｃ
から放出される電子線もそれぞれに一度拡がった後に、
それぞれ点４１ａ、４１ｂ、４１ｃで結像し、カソード
５の像４１をクロスオーバ７の下方に形成する。このカ
ソード像４１では、カソード各点の電子線放出量の不均
一性がそのまま持ち越されて存在する。したがって、カ
ソード像４１をレチクル６に結像させて照明することと
なるケーラ照明方式では、上記不均一性がそのまま持ち
越されて、照明強度の均一性が得られない。しかし、本
発明のクリティカル照明方式では、上述のとおり、カソ
ード５の電子線放出分布が不均一な場合であっても、レ
チクル６の照明強度は均一である。
から放出される電子線もそれぞれに一度拡がった後に、
それぞれ点４１ａ、４１ｂ、４１ｃで結像し、カソード
５の像４１をクロスオーバ７の下方に形成する。このカ
ソード像４１では、カソード各点の電子線放出量の不均
一性がそのまま持ち越されて存在する。したがって、カ
ソード像４１をレチクル６に結像させて照明することと
なるケーラ照明方式では、上記不均一性がそのまま持ち
越されて、照明強度の均一性が得られない。しかし、本
発明のクリティカル照明方式では、上述のとおり、カソ
ード５の電子線放出分布が不均一な場合であっても、レ
チクル６の照明強度は均一である。
【００１５】再び図１を参照しつつ説明する。電子銃３
の下方には、２段のコンデンサレンズ９及び１５が配置
されており、クロスオーバ７の拡大像が、矩形開口１９
に結像されている。一段目のコンデンサレンズ９と同レ
ベルにはビーム制限開口１１が設けられている。このビ
ーム制限開口は、光軸方向に対して大きい角度方向へ放
出されるビームを除去するためのものである。２段のコ
ンデンサレンズ９及び１５による像の拡大率は、図中の
各レンズ９、１５と像点７、１３、１７との間の寸法
Ａ、Ｂ、Ｃ、Ｄを用いれば、拡大率＝（Ｂ／Ａ）×（Ｄ
／Ｃ）である。この拡大率は、第１コンデンサレンズ９
の結像点１３の位置を上下に変えることにより可変とな
っている。すなわち、２段のコンデンサレンズ９及び１
５はズームレンズの役割を果す。
の下方には、２段のコンデンサレンズ９及び１５が配置
されており、クロスオーバ７の拡大像が、矩形開口１９
に結像されている。一段目のコンデンサレンズ９と同レ
ベルにはビーム制限開口１１が設けられている。このビ
ーム制限開口は、光軸方向に対して大きい角度方向へ放
出されるビームを除去するためのものである。２段のコ
ンデンサレンズ９及び１５による像の拡大率は、図中の
各レンズ９、１５と像点７、１３、１７との間の寸法
Ａ、Ｂ、Ｃ、Ｄを用いれば、拡大率＝（Ｂ／Ａ）×（Ｄ
／Ｃ）である。この拡大率は、第１コンデンサレンズ９
の結像点１３の位置を上下に変えることにより可変とな
っている。すなわち、２段のコンデンサレンズ９及び１
５はズームレンズの役割を果す。
【００１６】矩形開口１９は、クロスオーバ像の拡大像
のうち中央部の強度がフラットな部分のみを外形を整え
て下に通す。この拡大像は、コンデンサレンズ２１によ
って再びレチクル２３上に結像し、レチクル２３の所定
部分を照明する。レチクル２３を通ってパターン化され
た電子線は、２段の投影レンズ２７、３１によって縮小
され、試料（ウェハー）３３の表面に結像される。ウェ
ハー３３の表面には適当なレジストが塗布されており、
電子線ドーズに対応したパターンがウェハー３３表面に
形成される。
のうち中央部の強度がフラットな部分のみを外形を整え
て下に通す。この拡大像は、コンデンサレンズ２１によ
って再びレチクル２３上に結像し、レチクル２３の所定
部分を照明する。レチクル２３を通ってパターン化され
た電子線は、２段の投影レンズ２７、３１によって縮小
され、試料（ウェハー）３３の表面に結像される。ウェ
ハー３３の表面には適当なレジストが塗布されており、
電子線ドーズに対応したパターンがウェハー３３表面に
形成される。
【００１７】レチクル２３とウェハー３３間を縮小率で
内分する位置にクロスオーバ開口２９が設けられる。こ
の開口２９は、開口値を決める役割、又は、主光線がこ
の開口位置で光軸と交わるようビーム調整を行う役割を
果たす。図４は、図１の電子線転写装置光学系のクロス
オーバ開口における電子線強度分布を表すグラフであ
る。このクロスオーバ開口２９におけるビーム強度分布
は、図４に示されているように、カソード５における電
子線放出の不均一性（クロスオーバ７からの電子線放出
角度−輝度の分布の不均一性）が再現される。しかし、
このクロスオーバ開口２９の径が、この位置でのビーム
の強度分布の幅よりも十分に大きければ、この位置でビ
ーム強度分布の一様性が無くても何ら問題はない。
内分する位置にクロスオーバ開口２９が設けられる。こ
の開口２９は、開口値を決める役割、又は、主光線がこ
の開口位置で光軸と交わるようビーム調整を行う役割を
果たす。図４は、図１の電子線転写装置光学系のクロス
オーバ開口における電子線強度分布を表すグラフであ
る。このクロスオーバ開口２９におけるビーム強度分布
は、図４に示されているように、カソード５における電
子線放出の不均一性（クロスオーバ７からの電子線放出
角度−輝度の分布の不均一性）が再現される。しかし、
このクロスオーバ開口２９の径が、この位置でのビーム
の強度分布の幅よりも十分に大きければ、この位置でビ
ーム強度分布の一様性が無くても何ら問題はない。
【００１８】電子銃のクロスオーバから放出される電子
線の強度があまり広い範囲に分散している場合は、クロ
スオーバアパーチャ２９での電子線強度の分布が図４の
点線４１の如くになる。この場合には、第１あるいは第
２コンデンサレンズ９又は１５にアパーチャ１１を設け
ればよい。
線の強度があまり広い範囲に分散している場合は、クロ
スオーバアパーチャ２９での電子線強度の分布が図４の
点線４１の如くになる。この場合には、第１あるいは第
２コンデンサレンズ９又は１５にアパーチャ１１を設け
ればよい。
【００１９】この実施例ではカソードは温度制限条件で
作動しているので、カソードの温度を変えることによっ
て、電子線の輝度は任意の値に容易に調整できる。ま
た、大きい直径（例えば２mm以上）のカソードを用いれ
ばエミッタンスも大きくできる。しかもカソード表面の
仕事関数のバラツキによって輝度の角度分布に細かい変
動が生じても、レチクル照明は一様にできるので高精度
の転写が可能である。
作動しているので、カソードの温度を変えることによっ
て、電子線の輝度は任意の値に容易に調整できる。ま
た、大きい直径（例えば２mm以上）のカソードを用いれ
ばエミッタンスも大きくできる。しかもカソード表面の
仕事関数のバラツキによって輝度の角度分布に細かい変
動が生じても、レチクル照明は一様にできるので高精度
の転写が可能である。
【００２０】
【発明の効果】以上の説明から明らかなように、本発明
によれば、高エミッタンス・低輝度の光源を有し、かつ
レチクルの照射強度の一様な高スループットの電子線転
写装置を提供することができる。
によれば、高エミッタンス・低輝度の光源を有し、かつ
レチクルの照射強度の一様な高スループットの電子線転
写装置を提供することができる。
【図１】本発明の１実施例に係る電子線転写装置の光学
系の結像図である。
系の結像図である。
【図２】図１の電子線転写装置光学系における電子銃カ
ソード直下の結像状況を示す図である。
ソード直下の結像状況を示す図である。
【図３】図２の電子銃直下のクロスオーバにおける光軸
直角方向の電子線電流密度の分布を示すグラフである。
直角方向の電子線電流密度の分布を示すグラフである。
【図４】図１の電子線転写装置光学系の投影レンズ間の
クロスオーバ開口における電子線強度分布を表すグラフ
である。
クロスオーバ開口における電子線強度分布を表すグラフ
である。
１ 電子線転写装置光学系 ３ 電子銃 ５ カソード ７ クロスオーバ ９、１５ コンデンサレンズ １１ ビーム制限開
口 １３、１７、２５、３５ 結像点 １９ 矩形開口 ２１ コンデンサレンズ ２３ レチクル ２７ 第１投影レンズ ２９ クロスオー
バ開口 ３１ 第２投影レンズ ３３ ウェハー ４１ カソード像
口 １３、１７、２５、３５ 結像点 １９ 矩形開口 ２１ コンデンサレンズ ２３ レチクル ２７ 第１投影レンズ ２９ クロスオー
バ開口 ３１ 第２投影レンズ ３３ ウェハー ４１ カソード像
Claims (3)
- 【請求項１】 電子銃から放出された電子線をコンデン
サレンズと開口とで調整してレチクルを照射し、レチク
ルで整形された電子線を投影レンズ系で試料面に結像さ
せて試料面上にパターンを形成する電子線転写装置であ
って；該電子銃が作るクロスオーバの像をレチクル面に
結像させることを特徴とする電子線転写装置。 - 【請求項２】 上記コンデンサレンズを少なくとも２段
配置して、上記クロスオーバの拡大率を可変とし、もっ
て試料面で結像する電子線の開口角を可変とすることを
特徴とする請求項１記載の電子線転写装置。 - 【請求項３】 上記電子銃のカソードがＬａＢ6 又は酸
化物陰極材料からなることを特徴とする請求項１記載の
電子線転写装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9031415A JPH10223514A (ja) | 1997-01-31 | 1997-01-31 | 電子線転写装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9031415A JPH10223514A (ja) | 1997-01-31 | 1997-01-31 | 電子線転写装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10223514A true JPH10223514A (ja) | 1998-08-21 |
Family
ID=12330636
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9031415A Pending JPH10223514A (ja) | 1997-01-31 | 1997-01-31 | 電子線転写装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10223514A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000331632A (ja) * | 1999-05-18 | 2000-11-30 | Nikon Corp | 電子銃、電子線露光転写装置及び半導体デバイスの製造方法 |
-
1997
- 1997-01-31 JP JP9031415A patent/JPH10223514A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000331632A (ja) * | 1999-05-18 | 2000-11-30 | Nikon Corp | 電子銃、電子線露光転写装置及び半導体デバイスの製造方法 |
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