JPH10223698A - Ｔａｐｅ−ＢＧＡタイプの半導体装置 - Google Patents
Ｔａｐｅ−ＢＧＡタイプの半導体装置Info
- Publication number
- JPH10223698A JPH10223698A JP9029031A JP2903197A JPH10223698A JP H10223698 A JPH10223698 A JP H10223698A JP 9029031 A JP9029031 A JP 9029031A JP 2903197 A JP2903197 A JP 2903197A JP H10223698 A JPH10223698 A JP H10223698A
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- JP
- Japan
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- tape
- semiconductor device
- type semiconductor
- reinforcing plate
- bga type
- Prior art date
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W76/00—Containers; Fillings or auxiliary members therefor; Seals
- H10W76/40—Fillings or auxiliary members in containers, e.g. centering rings
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W70/00—Package substrates; Interposers; Redistribution layers [RDL]
- H10W70/40—Leadframes
- H10W70/453—Leadframes comprising flexible metallic tapes
Landscapes
- Wire Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 Ｔａｐｅ−ＢＧＡタイプの半導体装置におい
て、ＴＡＢテープ補強板と実装基板の熱膨張の差異によ
り発生する応力を緩和，分散することにより基板実装性
の向上を図る。 【解決手段】 ポリイミド等の耐熱絶縁性樹脂フィルム
上に信号配線が形成され、この信号配線の先端部が半導
体素子の電極と電気的に接続された後に、半導体素子搭
載用開口部（１ａ，１１ａ）が穿設された補強板（１，
１１）が耐熱絶縁性樹脂フィルム表面に固定され、更に
信号配線の外部接続部に半田ボール（６）が搭載されて
形成されるＴａｐｅ−ＢＧＡタイプの半導体素子におい
て、補強板の開口部に沿ってスリット部（１ｂ，１１
ｂ，１１ｃ）が穿設されていることを特徴とする。な
お、補強板に穿設されたスリット部（１１ｂ，１１ｃ）
が開口部の端縁に沿って２列以上形成されている場合も
ある。
て、ＴＡＢテープ補強板と実装基板の熱膨張の差異によ
り発生する応力を緩和，分散することにより基板実装性
の向上を図る。 【解決手段】 ポリイミド等の耐熱絶縁性樹脂フィルム
上に信号配線が形成され、この信号配線の先端部が半導
体素子の電極と電気的に接続された後に、半導体素子搭
載用開口部（１ａ，１１ａ）が穿設された補強板（１，
１１）が耐熱絶縁性樹脂フィルム表面に固定され、更に
信号配線の外部接続部に半田ボール（６）が搭載されて
形成されるＴａｐｅ−ＢＧＡタイプの半導体素子におい
て、補強板の開口部に沿ってスリット部（１ｂ，１１
ｂ，１１ｃ）が穿設されていることを特徴とする。な
お、補強板に穿設されたスリット部（１１ｂ，１１ｃ）
が開口部の端縁に沿って２列以上形成されている場合も
ある。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明はＴａｐｅ−ＢＧＡ
（Ｂａｌｌ Ｇｒｉｄ Ａｒｒａｙ）構造のパッケージ
をもつ半導体装置に関する。
（Ｂａｌｌ Ｇｒｉｄ Ａｒｒａｙ）構造のパッケージ
をもつ半導体装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】図４は、従来例のＴａｐｅ−ＢＧＡタイ
プの半導体装置の断面図、図５は、図４の補強板の平面
図である。
プの半導体装置の断面図、図５は、図４の補強板の平面
図である。
【０００３】半導体素子の高集積化にともなって、半導
体素子上に形成される電極のピッチも次第に狭ピッチ化
され、従来の金属細線を用いた接続技術では対応が困難
となってきた。高集積化する半導体素子を搭載するパッ
ケージとして、ＴＡＢ（Ｔａｐｅ Ａｕｔｏｍａｔｉｃ
Ｂｏｎｄｉｎｇ）テープを接続するのに用いられるパ
ッケージ技術が各種開発され、実用化が図られている。
その一例として、従来の全属細線によるいわゆるワイヤ
ーボンディング方式の代わりに、ＴＡＢテープ２２を使
用し、従来のモールドＱＦＰ（Ｑｕａｄ Ｆｌａｔ Ｐ
ａｃｋａｇｅ）形態のパッケージとするＴＡＢインＱＦ
Ｐタイプの半導体装置がある。この種のパッケージにお
いては、ＴＡＢテープの基材であるポリイミド等の材料
からなる耐熱樹脂フィルム２４にスリットを設けること
により、ＴＡＢテープ２２とモールド封入樹脂との密着
性を向上させている。
体素子上に形成される電極のピッチも次第に狭ピッチ化
され、従来の金属細線を用いた接続技術では対応が困難
となってきた。高集積化する半導体素子を搭載するパッ
ケージとして、ＴＡＢ（Ｔａｐｅ Ａｕｔｏｍａｔｉｃ
Ｂｏｎｄｉｎｇ）テープを接続するのに用いられるパ
ッケージ技術が各種開発され、実用化が図られている。
その一例として、従来の全属細線によるいわゆるワイヤ
ーボンディング方式の代わりに、ＴＡＢテープ２２を使
用し、従来のモールドＱＦＰ（Ｑｕａｄ Ｆｌａｔ Ｐ
ａｃｋａｇｅ）形態のパッケージとするＴＡＢインＱＦ
Ｐタイプの半導体装置がある。この種のパッケージにお
いては、ＴＡＢテープの基材であるポリイミド等の材料
からなる耐熱樹脂フィルム２４にスリットを設けること
により、ＴＡＢテープ２２とモールド封入樹脂との密着
性を向上させている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】前述のＴＡＢテープを
用いたＱＦＰタイプの半導体装置では、半導体素子上の
電極の狭ピッチ化には対応できるが、ＱＦＰタイプの半
導体装置と外部との接続は、従来と同様にＱＦＰタイプ
の半導体装置の周囲に形成された外部リードを使用する
ので、半導体素子の高集積化によって生ずる多ピン化へ
の対応には限界がある。半導体素子上の電極の狭ピッチ
化および半導体装置の多ピン化への要求を満足する半導
体装置の形態として、ＴＡＢテープを用いたＢＧＡ（Ｔ
ａｐｅ−Ｂａｌｌ Ｇｒｉｄ Ａｒｒａｙ）タイプの半
導体装置が開発された。このＴａｐｅ−ＢＧＡにおいて
は、半導体素子上の電極に接続されたＴＡＢテープの信
号配線上に外部との接続を目的とした半田ボールをアレ
ー状に配置する。その結果、外部との接続面積を従来の
ＱＦＰタイプの半導体装置のように周囲のみで外部と接
続する半導体装置と比べ、占有面積を拡大することなく
広げられるので、多ピン化に対応できるという利点を有
している。
用いたＱＦＰタイプの半導体装置では、半導体素子上の
電極の狭ピッチ化には対応できるが、ＱＦＰタイプの半
導体装置と外部との接続は、従来と同様にＱＦＰタイプ
の半導体装置の周囲に形成された外部リードを使用する
ので、半導体素子の高集積化によって生ずる多ピン化へ
の対応には限界がある。半導体素子上の電極の狭ピッチ
化および半導体装置の多ピン化への要求を満足する半導
体装置の形態として、ＴＡＢテープを用いたＢＧＡ（Ｔ
ａｐｅ−Ｂａｌｌ Ｇｒｉｄ Ａｒｒａｙ）タイプの半
導体装置が開発された。このＴａｐｅ−ＢＧＡにおいて
は、半導体素子上の電極に接続されたＴＡＢテープの信
号配線上に外部との接続を目的とした半田ボールをアレ
ー状に配置する。その結果、外部との接続面積を従来の
ＱＦＰタイプの半導体装置のように周囲のみで外部と接
続する半導体装置と比べ、占有面積を拡大することなく
広げられるので、多ピン化に対応できるという利点を有
している。
【０００５】しかしながら、ＴＡＢテープのみでは、外
部との接続を目的とした半田ボール２６形成部の機械的
強度が不足するので、Ｔａｐｅ−ＢＧＡタイプの半導体
装置では、半導体素子を搭載する開口部２１ａを有する
金属板によって形成された補強板（サポートリング）２
１をＴＡＢテープ２２上に固定することによって機械的
強度の向上を図っている。この補強板によりＴａｐｅ−
ＢＧＡタイプの半導体装置単体での強度は著しく向上
し、半導体装置の製造工程での変形は解消できるが、Ｔ
ａｐｅ−ＢＧＡタイプの半導体装置を基板に実装する場
合に、問題となる場合が認められた。
部との接続を目的とした半田ボール２６形成部の機械的
強度が不足するので、Ｔａｐｅ−ＢＧＡタイプの半導体
装置では、半導体素子を搭載する開口部２１ａを有する
金属板によって形成された補強板（サポートリング）２
１をＴＡＢテープ２２上に固定することによって機械的
強度の向上を図っている。この補強板によりＴａｐｅ−
ＢＧＡタイプの半導体装置単体での強度は著しく向上
し、半導体装置の製造工程での変形は解消できるが、Ｔ
ａｐｅ−ＢＧＡタイプの半導体装置を基板に実装する場
合に、問題となる場合が認められた。
【０００６】その理由について述べると、Ｔａｐｅ−Ｂ
ＧＡタイプの半導体装置の実装時の問題が発生する原因
としては、Ｔａｐｅ−ＢＧＡの補強板と実装基板の熱膨
張率の差異、および実装時におけるＴａｐｅ−ＢＧＡ半
導体装置と実装基板の温度分布の差異により、Ｔａｐｅ
−ＢＧＡタイプの半導体装置に変形が生じる問題や、Ｔ
ａｐｅ−ＢＧＡタイプの半導体装置と実装基板の収縮率
の違いによりＴａｐｅ−ＢＧＡタイプの半導体装置と実
装基板の接合部に応力集中が発生するという問題が生ず
る。
ＧＡタイプの半導体装置の実装時の問題が発生する原因
としては、Ｔａｐｅ−ＢＧＡの補強板と実装基板の熱膨
張率の差異、および実装時におけるＴａｐｅ−ＢＧＡ半
導体装置と実装基板の温度分布の差異により、Ｔａｐｅ
−ＢＧＡタイプの半導体装置に変形が生じる問題や、Ｔ
ａｐｅ−ＢＧＡタイプの半導体装置と実装基板の収縮率
の違いによりＴａｐｅ−ＢＧＡタイプの半導体装置と実
装基板の接合部に応力集中が発生するという問題が生ず
る。
【０００７】そこで、本発明の目的は、Ｔａｐｅ−ＢＧ
Ａタイプの半導体装置の構造および製造工程を変更する
ことなく、Ｔａｐｅ−ＢＧＡタイプの半導体装置の基板
実装性を向上させることである。
Ａタイプの半導体装置の構造および製造工程を変更する
ことなく、Ｔａｐｅ−ＢＧＡタイプの半導体装置の基板
実装性を向上させることである。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上述の目的を達成するた
めに、本発明のＴａｐｅ−ＢＧＡタイプの半導体装置
は、耐熱絶縁性樹脂フィルム上に信号配線が形成され、
この信号配線の先端部が半導体素子の電極と電気的に接
続された後に、半導体素子搭載用開口部が穿設された補
強板が、耐熱絶縁性樹脂フィルム表面に固定され、更に
信号配線の外部接続部に半田ボールが搭載されて形成さ
れるＴａｐｅ−ＢＧＡタイプの半導体素子において、補
強板の開口部に沿ってスリット部が穿設されていること
を特徴としている。
めに、本発明のＴａｐｅ−ＢＧＡタイプの半導体装置
は、耐熱絶縁性樹脂フィルム上に信号配線が形成され、
この信号配線の先端部が半導体素子の電極と電気的に接
続された後に、半導体素子搭載用開口部が穿設された補
強板が、耐熱絶縁性樹脂フィルム表面に固定され、更に
信号配線の外部接続部に半田ボールが搭載されて形成さ
れるＴａｐｅ−ＢＧＡタイプの半導体素子において、補
強板の開口部に沿ってスリット部が穿設されていること
を特徴としている。
【０００９】なお、耐熱絶縁性樹脂フィルムがポリイミ
ドフィルムであることが望ましく、補強板が金属製であ
ることも望ましい。
ドフィルムであることが望ましく、補強板が金属製であ
ることも望ましい。
【００１０】また、補強板に穿設されたスリット部が半
導体素子搭載部の開口部の端縁に平行であることが望ま
しく、なお、補強板に穿設された前記スリット部が平断
面が等脚台形状であることも望ましく、なおまた、補強
板に穿設されたスリット部が開口部の端縁に沿って必要
に応じ２列以上形成されていることも望ましい。
導体素子搭載部の開口部の端縁に平行であることが望ま
しく、なお、補強板に穿設された前記スリット部が平断
面が等脚台形状であることも望ましく、なおまた、補強
板に穿設されたスリット部が開口部の端縁に沿って必要
に応じ２列以上形成されていることも望ましい。
【００１１】すなわち、本発明のＴａｐｅ−ＢＧＡタイ
プの半導体装置では、ＴＡＢテープ上に固定される補強
板に、半導体搭載用開口部に沿ったスリットが形成され
ているので、半導体装置と実装基板の熱膨張の差から生
ずる応力をスリット部で分散できるという利点を有して
いる。従来技術において、スリット部を設けることによ
る応力の分散例としては、モールドパッケージの半導体
素子搭載部（アイランド部）にスリットを設けることに
より半導体素子に生ずる応力を軽減する方法がある。ス
リットを設けることによる応力緩和としては本発明も同
じ効果をもたらすものであるが、本願発明は、パッケー
ジ形態および実装時の応力緩和を目的としており、その
例とは異質の発明である。さらに、その従来例では、ス
リット部を半導体搭載部内に放射上に形成する構造とな
っているのに対し、本発明では、実装時の応力緩和を目
的とするため、半導体素子搭載用開口部の外部に開口部
に沿って形成する構造を採用しており、構造が異なるも
のである。
プの半導体装置では、ＴＡＢテープ上に固定される補強
板に、半導体搭載用開口部に沿ったスリットが形成され
ているので、半導体装置と実装基板の熱膨張の差から生
ずる応力をスリット部で分散できるという利点を有して
いる。従来技術において、スリット部を設けることによ
る応力の分散例としては、モールドパッケージの半導体
素子搭載部（アイランド部）にスリットを設けることに
より半導体素子に生ずる応力を軽減する方法がある。ス
リットを設けることによる応力緩和としては本発明も同
じ効果をもたらすものであるが、本願発明は、パッケー
ジ形態および実装時の応力緩和を目的としており、その
例とは異質の発明である。さらに、その従来例では、ス
リット部を半導体搭載部内に放射上に形成する構造とな
っているのに対し、本発明では、実装時の応力緩和を目
的とするため、半導体素子搭載用開口部の外部に開口部
に沿って形成する構造を採用しており、構造が異なるも
のである。
【００１２】
【発明の実施の形態】次に、本発明の実施の形態につい
て図面を参照して説明する。
て図面を参照して説明する。
【００１３】図１は、本発明のＴａｐｅ−ＢＧＡタイプ
の半導体装置の一実施形態例の断面図、図２は、図１の
補強板の平面図である。
の半導体装置の一実施形態例の断面図、図２は、図１の
補強板の平面図である。
【００１４】図１および図２に示されるように、補強板
１には半導体素子搭載用開口部１ａに沿って応力緩和を
目的としたスリット部１ｂが設けられている。
１には半導体素子搭載用開口部１ａに沿って応力緩和を
目的としたスリット部１ｂが設けられている。
【００１５】ＴＡＢテープ２の内部電極と半導体素子３
上の電極が電気的に接続されたのちに、半導体素子３を
封止樹脂４により半導体素子３の保護を行ったのちに接
着層５を介して補強板１が固定される。更にＴＡＢテー
プ２の外部接続部に半田ボール６が取り付けられ、Ｔａ
ｐｅ−ＢＧＡタイプの半導体装置が形成される。
上の電極が電気的に接続されたのちに、半導体素子３を
封止樹脂４により半導体素子３の保護を行ったのちに接
着層５を介して補強板１が固定される。更にＴＡＢテー
プ２の外部接続部に半田ボール６が取り付けられ、Ｔａ
ｐｅ−ＢＧＡタイプの半導体装置が形成される。
【００１６】本発明のＴａｐｅ−ＢＧＡタイプの半導体
装置では、補強板１の熱膨張率と実装基板の熱膨張率と
の差により生ずる応力を緩和することを目的として、図
２に示すように、半導体素子搭載用開口部１ａの周囲
に、この開口部１ａの端縁に平行にスリット部１ｂが形
成されている。この４つのスリット部１ｂの各両端すな
わち四隅切れ目部分はほぼ平行に対向している。すなわ
ち各スリット部１ｂは細長い等脚台形をなしている。こ
れにより、補強板の熱膨張率と実装基板の熱膨張率との
差異に起因する応力を緩和する効果を挙げることができ
る。
装置では、補強板１の熱膨張率と実装基板の熱膨張率と
の差により生ずる応力を緩和することを目的として、図
２に示すように、半導体素子搭載用開口部１ａの周囲
に、この開口部１ａの端縁に平行にスリット部１ｂが形
成されている。この４つのスリット部１ｂの各両端すな
わち四隅切れ目部分はほぼ平行に対向している。すなわ
ち各スリット部１ｂは細長い等脚台形をなしている。こ
れにより、補強板の熱膨張率と実装基板の熱膨張率との
差異に起因する応力を緩和する効果を挙げることができ
る。
【００１７】図３は、第２の実施形態例に使用される補
強板の平面図である。
強板の平面図である。
【００１８】多ピン化に伴いＴａｐｅ−ＢＧＡタイプの
半導体装置が大型化する場合には、応力発生も増加する
ので、それに応じて図３に示すように補強板１１に複数
のスリット部１１ｂ，１１ｃを形成することにより、応
力緩和効果の向上を図ることができる。
半導体装置が大型化する場合には、応力発生も増加する
ので、それに応じて図３に示すように補強板１１に複数
のスリット部１１ｂ，１１ｃを形成することにより、応
力緩和効果の向上を図ることができる。
【００１９】
【発明の効果】以上説明したように本発明は、Ｔａｐｅ
−ＢＧＡタイプの半導体装置において、補強板に半導体
素子搭載用開口部に沿うようにスリット部を設けること
により、基板実装時の応力を緩和することが可能とな
り、かつ、本構造のＴａｐｅ−ＢＧＡタイプの半導体素
子であれば、補強板の作成段階において、プレス加工に
より容易にスリット部を形成することが可能であり、Ｔ
ＡＢテープへの補強板固定も従来と同様に行えるので、
生産性も優れている半導体装置を提供できる効果があ
る。
−ＢＧＡタイプの半導体装置において、補強板に半導体
素子搭載用開口部に沿うようにスリット部を設けること
により、基板実装時の応力を緩和することが可能とな
り、かつ、本構造のＴａｐｅ−ＢＧＡタイプの半導体素
子であれば、補強板の作成段階において、プレス加工に
より容易にスリット部を形成することが可能であり、Ｔ
ＡＢテープへの補強板固定も従来と同様に行えるので、
生産性も優れている半導体装置を提供できる効果があ
る。
【図１】本発明のＴａｐｅ−ＢＧＡタイプの半導体装置
の一実施形態例の断面図である。
の一実施形態例の断面図である。
【図２】図１の補強板の平面図である。
【図３】第２の実施形態例に使用される補強板の平面図
である。
である。
【図４】従来例のＴａｐｅ−ＢＧＡタイプの半導体装置
の断面図である。
の断面図である。
【図５】図４の補強板の平面図である。
１，１１，２１ 補強板 １ａ，１１ａ，２１ａ 開口部（半導体素子搭載部） １ｂ， スリット部 ２，２２ ＴＡＢテープ ３，２３ 半導体素子 ４，２４ 封止樹脂 ５，２５ 接着層 ６，２６ 半田ボール １１ｂ 第１スリット部 １１ｃ 第２スリット部
Claims (6)
- 【請求項１】 耐熱絶縁性樹脂フィルム上に信号配線が
形成され、該信号配線の先端部が半導体素子の電極と電
気的に接続された後に、半導体素子搭載用開口部が穿設
された補強板が、前記耐熱絶縁性樹脂フィルム表面に固
定され、更に信号配線の外部接続部に半田ボールが搭載
されて形成されるＴａｐｅ−ＢＧＡタイプの半導体素子
において、 前記補強板の前記開口部に沿ってスリット部が穿設され
ていることを特徴とするＴａｐｅ−ＢＧＡタイプの半導
体装置。 - 【請求項２】 耐熱絶縁性樹脂フィルムがポリイミドフ
ィルムである、請求項１記載のＴａｐｅ−ＢＧＡタイプ
の半導体装置。 - 【請求項３】 補強板が金属製である、請求項１または
２記載のＴａｐｅ−ＢＧＡタイプの半導体装置。 - 【請求項４】 補強板に穿設された前記スリット部が、
半導体素子搭載部の開口部の端縁に平行である、請求項
１ないし３のいずれか１項記載のＴａｐｅ−ＢＧＡタイ
プの半導体装置。 - 【請求項５】 補強板に穿設された前記スリット部が、
平断面が等脚台形状である、請求項１ないし３のいずれ
か１項記載のＴａｐｅ−ＢＧＡタイプの半導体装置。 - 【請求項６】 補強板に穿設された前記スリット部が、
開口部に沿って２列以上形成されている、請求項１ない
し３のいずれか１項記載のＴａｐｅ−ＢＧＡタイプの半
導体装置。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9029031A JP2924840B2 (ja) | 1997-02-13 | 1997-02-13 | Ｔａｐｅ−ＢＧＡタイプの半導体装置 |
| US09/022,428 US6078506A (en) | 1997-02-13 | 1998-02-12 | Tape-ball grid array type semiconductor device having reinforcement plate with slits |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9029031A JP2924840B2 (ja) | 1997-02-13 | 1997-02-13 | Ｔａｐｅ−ＢＧＡタイプの半導体装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10223698A true JPH10223698A (ja) | 1998-08-21 |
| JP2924840B2 JP2924840B2 (ja) | 1999-07-26 |
Family
ID=12265049
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9029031A Expired - Lifetime JP2924840B2 (ja) | 1997-02-13 | 1997-02-13 | Ｔａｐｅ−ＢＧＡタイプの半導体装置 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6078506A (ja) |
| JP (1) | JP2924840B2 (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6285553B1 (en) | 1998-08-11 | 2001-09-04 | Nec Corporation | Mounting structure for an LSI |
| JP2009081357A (ja) * | 2007-09-27 | 2009-04-16 | Shinko Electric Ind Co Ltd | 配線基板の製造方法及び配線基板 |
| JP2010192546A (ja) * | 2009-02-16 | 2010-09-02 | Ngk Spark Plug Co Ltd | 補強材付き配線基板 |
| JP2011018677A (ja) * | 2009-07-07 | 2011-01-27 | Fujitsu Ltd | 半導体装置、半導体装置の製造方法および電子機器 |
| WO2013183132A1 (ja) | 2012-06-06 | 2013-12-12 | 株式会社日本マイクロニクス | 固体型二次電池の電極構造 |
| JP2016051711A (ja) * | 2014-08-28 | 2016-04-11 | 京セラ株式会社 | 電子素子実装用基板及び電子装置 |
Families Citing this family (13)
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|---|---|---|---|---|
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| US6638831B1 (en) | 2000-08-31 | 2003-10-28 | Micron Technology, Inc. | Use of a reference fiducial on a semiconductor package to monitor and control a singulation method |
| US6808959B2 (en) * | 2001-05-24 | 2004-10-26 | Nec Electronics Corporation | Semiconductor device having reinforced coupling between solder balls and substrate |
| JP2003264260A (ja) * | 2002-03-08 | 2003-09-19 | Toshiba Corp | 半導体チップ搭載基板、半導体装置、半導体モジュール及び半導体装置実装基板 |
| US7323772B2 (en) * | 2002-08-28 | 2008-01-29 | Micron Technology, Inc. | Ball grid array structures and tape-based method of manufacturing same |
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