JPH1022672A - 高周波モジュール - Google Patents

高周波モジュール

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JPH1022672A
JPH1022672A JP17806296A JP17806296A JPH1022672A JP H1022672 A JPH1022672 A JP H1022672A JP 17806296 A JP17806296 A JP 17806296A JP 17806296 A JP17806296 A JP 17806296A JP H1022672 A JPH1022672 A JP H1022672A
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shield
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博康 山本
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清彦 和泉
Masaaki Ishikawa
雅朗 石川
Hidekatsu Yasujima
秀勝 安島
Masahisa Abe
真久 阿部
Takashi Isogu
隆士 磯具
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 本発明は、回路ブロックをシールドした高周
波モジュールに関し、上下のケースを互いに入り込ませ
る構造、回路ブロック毎の仕切り構造、基板とケースと
の間にシールドフレームを挿入、および爪と爪受け部な
どの簡単な固定部を設け、回路ブロック毎の電磁シール
ドを簡易な構造で実現することを目的とする。 【解決手段】 動作回路ブロックおよび待機回路ブロッ
クを並列に設けた基板と、基板上の回路ブロックの周辺
の表側および裏側のそれぞれの導電性パターンに接触さ
せる導電性のシールドフレームと、基板上の動作回路ブ
ロックと待機回路ブロックとの間に設けた穴を通り、相
互に入り込んでシールドするための中央遮蔽部、および
シールドフレーム、基板、シールドフレームの構成順番
で入れた後に相互に押圧して複数箇所で固定する固定部
を設けた上ケースと下ケースとを備えるように構成す
る。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、回路ブロックをシ
ールドした高周波モジュールに関するものである。
【0002】
【従来の技術】従来、電子機器を収納して電磁シールド
を行う場合、下記のように行っていた。 (1) 上下からなる筐体の組立および固定をネジ締に
よって行うか、あるいは複雑な接続端子を一方/両者の
筐体に設け押圧して接続していた(実公平3−4375
7号公報、実開平4−20290号公報)。 (2) また、回路ブロック毎の電磁シールドを得るた
めに、回路ブロック毎に形成されたシールド板を回路基
板に接続し、仕切っていた(特開昭61−244098
号公報)。 (3) 更に、上下からなる筐体との間に電磁シールド
を目的とした切り起こしによる突起を設けた金属板を具
備し、ネジ締めにより一体形成していた(特開昭62−
193300号公報)。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】上述した(1)の技術
では、ネジ締めによる作業工数が増加したり、複雑な接
続端子を設けることによる材料コストが高くなるという
問題があった。
【0004】上述した(2)の技術では、シールド板を
回路基板に例えば半田付けによって接続するため、製造
工数および量産性に劣るという問題があった。上述した
(3)の技術では、(1)と同様に、ネジ締めによる工
数が増加してしまうという問題があった。
【0005】本発明は、これらの問題を解決するため、
上下のケースを互いに入り込ませる構造、回路ブロック
毎の仕切り構造、基板とケースとの間にシールドフレー
ムを挿入、および爪と爪受け部などの簡単な固定部を設
け、回路ブロック毎の電磁シールドを簡易な構造で実現
することを目的としている。
【0006】
【課題を解決するための手段】図1を参照して課題を解
決するための手段を説明する。図1において、上ケース
1、下ケース2は、シールドフレーム3、基板4、およ
びシールドフレームの順番に重ねて入れてシールドする
ためのものであって、中央遮蔽部13、23、仕切部1
4、24、爪受け部11(あるいは爪21)などから構
成されるものである。
【0007】シールドフレーム3は、基板4と上ケース
1あるいは下ケース2と電気的に接続すると共にシール
ドするためのものである。基板4は、高周波の回路ブロ
ックを実装するものである。
【0008】中央遮蔽部13、23は、上ケース1と下
ケース2とが相互に入り込んでシールドするものであ
る。仕切部14、24は、回路ブロックの間に設けてシ
ールドするものである。
【0009】爪受け部11および爪21は、上ケース1
と下ケース2とを固定する固定部の例である。次に、構
造を説明する。
【0010】上ケース1の中にシールドフレーム3、基
板4、およびシールドフレーム3を重ねて入れた後、下
ケース2を載せて上ケース1と当該下ケース2とを相互
に押圧して爪受け部11と爪21とをかみ合わせて固定
する。これにより、並列に設けた動作回路ブロックと待
機回路ブロックとの間は、基板4に穴があり、この穴を
通して上ケース1と下ケース2とが相互に入り込んで両
ブロック間のシールドを完全に行うことができる。更
に、隣接する回路ブロック間では上ケース1および下ケ
ース2の仕切部14、24があってシールドすると共
に、基板4の複数の層のうちの任意の層の導電性パター
ンで回路ブロック間を接続し、シールドを効率的に行う
ようにしている。
【0011】この際、シールドフレーム3として、導電
性板で基板4の導電性パターンおよび上ケース1あるい
は下ケース2に接触する形状に形成すると共に、任意の
複数の箇所にコの字型で先端程少し狭い幅に打ち抜いて
ヘの字型に折り曲げ、基板4と上ケース1あるいは下ケ
ース2とを電気的に接続させるようにしている。
【0012】また、上ケース1と下ケース2とを固定す
る固定部として、爪21と爪受け部11、カシメ、ある
いは折り曲げによって上ケース1と下ケース2とを固定
するようにしている。
【0013】また、回路ブロック毎に仕切部14、24
をそれぞれ設けてシールドを行うようにしている。従っ
て、上ケース1と下ケース2とを互いに入り込ませた中
央遮蔽部13、23を設けた構造、回路ブロック毎に仕
切部14、24を設けた構造、基板4と上ケース1や下
ケース2との間にシールドフレーム3を挿入、および爪
21と爪受け部11などの簡単な固定部を設けることに
より、回路ブロック毎の電磁シールドを簡易な構造で実
現することが可能となる。
【0014】
【発明の実施の形態】次に、図1から図4を用いて本発
明の実施の形態および動作を順次詳細に説明する。
【0015】図1は、本発明の1実施例構成図を示す。
図1の(a)は、上ケースの上面図および断面図を示
す。これは、上ケース1の上面図および断面図であっ
て、左側が上面図であり、右側が上面断面図である。
【0016】図1の(a)において、爪受け部11は、
下ケース2の爪21とかみ合って固定するものであっ
て、周辺や中層遮蔽部13などに複数設けて均一に基板
4にシールドフレーム3を押さえて固定するためのもの
である。
【0017】回路ブロック収納部12は、基板4上に設
けた回路ブロック(基板上に素子を実装したもの)を収
納する部分であって、隣接する回路ブロックとの間は仕
切部14によってシールド(磁気シールド、静電シール
ド)したものである。ここで、回路ブロック収納部12
は、基板4上に設けた動作回路ブロックと待機回路ブロ
ックという同じ回路であるが交互に動作するために並列
に設けた回路ブロックをそれぞれ格納するようにしてい
る。この際、動作回路ブロックと待機回路ブロックとの
間には、図示のように中央遮蔽部13を設け、上ケース
1と下ケース2とが相互に入り込み、いわば迷路構造と
して相互の回路ブロック間のシールドを完全に行ってい
る。また、動作回路ブロック間、あるいは待機回路ブロ
ック間では信号のやり取りを行う必要があるので、仕切
部14によってシールドを行い、信号のやり取りは基板
4の複数層のうちの内部の任意の層に導電性パターンを
形成して行うようにしている。
【0018】中央遮断部13は、動作回路ブロックと待
機回路ブロックとの間のシールドを行うものであって、
基板4に穴を開け、当該穴を通して上ケース1と下ケー
ス2とを相互に入り込ませて迷路構造とし、シールドを
簡単な構造で完全に行うようにしたものである。
【0019】仕切部14は、動作回路ブロックの間、あ
るいは待機回路ブロックの間などのように、信号のやり
取りを行う必要のある回路ブロック間のシールドを行う
ためのものであって、上ケース1あるいは下ケース2を
基板4の導電性パターンにシールドフレーム3を介して
接触させることにより完全に行うようにしたものであ
る。この際、回路ブロック間の信号や電源のやり取り
は、基板4を複数の層で構成し、内部の任意層に導電性
パターンを設けて相互に接続するようにしている。
【0020】図1の(b)は、下ケースの上面図を示
す。図1の(b)において、爪21は、上ケース1の爪
受け部11とかみ合って固定するものであって、周辺や
中層遮蔽部23などに複数設けて均一に基板4にシール
ドフレーム3を押さえて固定するためのものである。
【0021】回路ブロック収納部22は、基板4上に設
けた回路ブロック(基板上に素子を実装したもの)を収
納する部分であって、隣接する回路ブロックとの間は仕
切部24によってシールド(磁気シールド、静電シール
ド)したものである。ここで、回路ブロック収納部22
は、基板4上に設けた動作回路ブロックと待機回路ブロ
ックという同じ回路であるが交互に動作するために並列
に設けた回路ブロックをそれぞれ格納するようにしてい
る。この際、動作回路ブロックと待機回路ブロックとの
間には、図示のように中央遮蔽部23を設け、上ケース
1と下ケース2とが相互に入り込み、いわば迷路構造と
して相互の回路ブロック間のシールドを完全に行ってい
る。また、動作回路ブロック間、あるいは待機回路ブロ
ック間では信号のやり取りを行う必要があるので、仕切
部24によってシールドを行い、信号のやり取りは基板
4の複数層のうちの内部の任意の層に導電性パターンを
形成して行うようにしている。
【0022】中央遮断部23は、動作回路ブロックと待
機回路ブロックとの間のシールドを行うものであって、
基板4に穴を開け、当該穴を通して上ケース1と下ケー
ス2とを相互に入り込ませて迷路構造とし、シールドを
簡単な構造で完全に行うようにしたものである。
【0023】仕切板24は、動作回路ブロックの間、あ
るいは待機回路ブロックの間などのように、信号のやり
取りを行う必要のある回路ブロック間のシールドを行う
ためのものであって、上ケース1あるいは下ケースを基
板4の導電性パターンにシールドフレーム3を介して接
触させることにより完全に行うようにしたものである。
この際、回路ブロック間の信号や電源のやり取りは、基
板4を複数の層で構成し、内部の任意層に導電性パター
ンを設けて相互に接続するようにしている。
【0024】図1の(c)は、図1の(a)のB−B’
断面図を示す。図1の(c)において、基板4は、回路
ブロックを設けたものであって、複数の層から構成さ
れ、図示のように、シールドフレーム3によって表側と
裏側の導電性パターンの部分で上ケース1および下ケー
ス2とにそれぞれ完全に接続してシールドされるもので
ある。
【0025】ピン5は、基板4上の端子との間で信号の
入出力を行うものである。図1の(d)は、図1の
(c)のA部の拡大図を示す。図1の(d)において、
爪受け部11は、上ケース1に設け、下ケース2の爪2
1を固定するためのものである。
【0026】仕切部14は、上ケース1の回路ブロック
収納部12の間を仕切ってシールドするためのものであ
って、信号のやり取りを行う回路ブロック間に設けたも
のである。
【0027】仕切部24は、下ケース2の回路ブロック
収納部22の間を仕切ってシールドするためのものであ
って、信号のやり取りを行う回路ブロック間に設けたも
のである。ここでは、図示のように折り曲がった構造と
している。
【0028】図1の(e)は、図1の(a)のC−C’
断面図を示す。図1の(e)において、中央遮断部13
は、上ケース1を基板4を通って下ケース2の中央遮断
部23に入り込んだ迷路構造とし、図中で左右の回路ブ
ロック(動作回路ブロックと待機回路ブロック)の間の
シールドを行う構造である。
【0029】中央遮断部23は、ここでは、基板4を通
ってきた上ケース1と入り込んだ迷路構造とし、図中で
左右の回路ブロック(動作回路ブロックと待機回路ブロ
ック)の間のシールドを行う構造である。
【0030】以上のような構造を上ケース1および下ケ
ース2に持たせたことにより、動作回路ブロックと待機
回路ブロック間では中央遮断部13、23によって上ケ
ース1と下ケース2とが相互に入り込んで迷路構造を構
成し、これら回路ブロック間を完全にシールドすること
が可能となり、更に、信号のやり取りを行う必要のある
隣接する回路ブロック間では仕切部14、24を設けて
回路ブロック間のシールドを行い、更に、爪受け部11
と爪21を上ケース1と下ケース2とに複数設けて単に
両者を押圧するのみで簡単に固定でき、しかも基板4と
上ケース1および下ケース2との間に導電性のシールド
フレーム3をそれぞれ入れて電気的接続かつ隙間を無く
してシールドを完全にすることが可能となる。
【0031】図2は、本発明の基板例を示す。図2の
(a)は、基板の上面図を示す。図2の(a)におい
て、回路ブロック41は、基板4上に部品を実装する所
定機能を持つブロックであって、相互にシールドする必
要のあるブロックである。ここでは、上側の動作回路ブ
ロックと、下側の待機回路ブロックとの2つの同じ回路
ブロックを設け、交互に切り替わって動作するようにし
たものである。上側の動作回路ブロックと、下側の待機
回路ブロックとの間には、既述した上ケース1と下ケー
ス2の中央遮蔽部13、23を相互に入り込ませて迷路
構造を形成するために穴を開けてある。
【0032】導電性パターン42は、回路ブロックの周
囲に形成した導電性のパターンであって、シールドフレ
ーム3を介して上ケース1あるいは下ケース2に電気的
に接続させてシールドさせる部分である。
【0033】図2の(b)は、回路ブロック間のシール
ド例を示す。これは、信号のやり取りを行う必要のある
基板4上の回路ブロック間の信号線の接続の例を示した
ものである。ここでは、基板4上の回路ブロック間は図
示の仕切部14、24でシールドされ、回路ブロックの
端子は、基板4を構成する複数の層のうちの内部の任意
の層に導電性パターンを形成して他の回路ブロックの端
子に接続すると共に、図示のように抵抗などで対称のア
ットネータ(減衰回路)を構成するようにし、シールド
を完全に行うと共に不要な信号ができるだけ他の回路ブ
ロックに伝搬しないようにしている。ここで、電磁シー
ルド(アイソレーション)を必要とする高周波電子機器
および部品において、アットネータ回路(相手側に伝搬
する出力信号レベルを低くするという減衰回路)におけ
る抵抗R1を2つの抵抗R2および抵抗R3に分け、抵抗
R2と抵抗R3との間に電磁シールドライン(電磁シール
ド壁)を設け、入力側と出力側との間のインピーダンス
マッチングをさせ、特に高周波領域において無用な反射
が発生して信号の歪みが発生するのを防止するようにし
ている。これは、上述した従来の抵抗R1の1本だけの
π型アットネータ回路は、隣接する電磁シールドライン
のいずれか一方にのみ抵抗R1が配置されるために、高
周波領域での減衰歪みが発生して信号に歪みが発生して
しまう問題があったので、この信号歪みを無くすために
隣接する回路ブロック内でそれぞれ対称のアットネータ
回路を設けたものである。
【0034】図2の(c)は、図2の(b)の要部の他
の拡大詳細図を示す。ここでは、図示のように、基板4
上の導体性パターンとシールドフレーム3が接触し、更
にシールドフレーム3の切欠きの部分が仕切部14、2
4に接触し、結果として、基板4の導電性パターンと上
ケース1の仕切部14および下ケース2の仕切部24と
が完全に電気的に接続すると共に、基板4と仕切部1
4、24との隙間がほとんで無くなり、電磁波などのシ
ールドを完全に行うことを可能にしたものである。
【0035】以上のような構造を基板4に持たせたこと
により、回路ブロック間を上ケース1、下ケース2の仕
切部14、24で行うときに、基板4上の導電性パター
ンをシールドフレーム3で完全に上ケース1や下ケース
2に接続してシールド(特に静電シールド)を行うこと
が可能となると共に、更に、基板4と仕切部14、24
の間の隙間を無くして電磁波などから完全にシールド
(特に電磁シールド)することが可能となる。
【0036】図3は、本発明のシールドフレーム例を示
す。図3の(a)は、上面図を示す。これは、図2の
(a)の基板4の導電性パターン42の部分に合わせて
打ち抜くと共に、基板4上の導電性パターン42と仕切
部14、24とを電気的に接続したりなどするために図
示のようにコの字型で先程幅を狭くして打ち抜いてヘの
字型に曲げてスプリング作用を持たせたものである。
【0037】図3の(b)は、コの字型で先程幅を狭く
して打ち抜いた拡大図を示す。ここでは、図示のよう
に、コの字型で根元はほぼ同じ幅で折り曲げる部分から
徐々に幅が狭くなるように打ち抜いている。
【0038】図3の(c)は、図3の(b)で打ち抜い
後に折り曲げた状態を示す。この状態では、図中で図3
の(b)と対応づけたように、コの字型で幅が先程狭く
なる部分で折り曲げているため、当該折り曲げによって
打ち抜いたときの元の周囲の幅よりも狭くなり、スプリ
ング作用を持たせたときにかみ合うことが無く、スムー
ズに伸び縮みでできるようになる。
【0039】以上のような構造をシールドフレームに持
たせたことにより、基板4の導電性パターン42の上に
それぞれ載せ、上ケース1と下ケース2との間に入れて
押圧し爪21と爪受け部11とによって固定したときに
当該シールドフレーム3のヘの字型の折り曲げた部分の
スプリング作用によって基板4の導電性パターンと上ケ
ース1および下ケース2とを完全に電気的に接続でき、
しかも隙間を無くしてシールド効果を完全に発揮させる
ことが可能となる。
【0040】図4は、本発明の他の実施例構造例を示
す。この他の実施例構造図は、カシメ(1)およびカシ
メ(2)によって上ケース1と、下ケース2とを固定す
る点以外は図1の構成と同じであるので、他の点は説明
を省略する。
【0041】図4の(a)は、上ケースと下ケースを固
定したときの下ケースから見た上面図を示す。図4の
(a)において、カシメ(1)は、下ケース2の周囲か
ら上ケース1の小片を内側に折り曲げて固定するもので
ある(図4の(d)を用いて後述する)。
【0042】カシメ(2)は、円筒を広げて固定するも
のである(図4の(e)を用いて後述する)。図4の
(b)は、図4の(a)のB−B’断面図を示す。
【0043】図4の(c)は、図4の(a)のC−C’
断面図を示す。図4の(d)は、カシメ(1)を示す。
このカシメ(1)は、図4の(a)に示すように、下ケ
ース2を上ケース1に入れて当該上ケース1の小片を内
側に折り曲げて下ケース2を固定するものである。
【0044】図4の(d−1)は、カシメ前の要部拡大
図を示す。図4の(d−2)は、カシメ後の要部拡大図
を示す。このカシメ後の拡大図から判明するように、上
ケース1の中に下ケース2を入れた後、小片を図中では
左側に折り曲げて固定したものである。
【0045】図4の(e)は、カシメ(2)を示す。こ
のカシメ(2)は、図4の(a)に示すように、下ケー
ス2の穴を上ケース1の円筒に入れて当該上ケース1の
円筒の上部を押し広げて下ケース2を固定するものであ
る。
【0046】図4の(e−1)は、カシメ前の要部拡大
図を示す。図4の(e−2)は、カシメ後の要部拡大図
を示す。このカシメ後の拡大図から判明するように、上
ケース1の円筒に下ケース2の穴を入れた後、上ケース
1の円筒の先端を押し広げて固定したものである。
【0047】以上のようなカシメ(1)、(2)の構造
を上ケース1および下ケース2に持たせたことにより、
例えば上ケース1に、シールドフレーム3、基板4、シ
ールドフレーム3、および下ケース2の順番に入れた
後、カシメ(1)、(2)の部分で簡単に固定できる。
【0048】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
上ケース1と下ケース2とを互いに入り込ませた中央遮
蔽部13、23を設けた構造、回路ブロック毎に仕切部
14、24を設けた構造、基板4と上ケース1や下ケー
ス2との間にシールドフレーム3を設けて導通性を良好
にしかつ隙間を無くす構造、および爪21と爪受け部1
1などによる固定部の構造を採用しているため、基板上
の回路ブロック毎のシールド(電磁シールド、静電シー
ルド)を簡易な構造で実現することができる。これらに
より、 (1) 高周波モジュールにおいて、動作回路ブロック
と待機回路ブロックとの間には、中央遮蔽部13、23
を設け、上ケースと下ケースとが相互に入り込み、迷路
構造としたことにより、相互の回路ブロック間のシール
ド効果を効率良く得ることができる。
【0049】(2) 押圧のみで上ケース1と下ケース
2とを固定でき、しかもこの固定のときに併せてシール
ドフレーム3のコの字片の折り曲げた部分のスプリング
作用により、基板4の導電性パターン42と上ケース1
や下ケース2とを完全に電気的に接続し、シールド効果
を得ることができる。
【0050】(3) 上ケース1と下ケース2の内部に
は、回路ブロック毎の仕切部14、24を当該上ケース
1と下ケース2で形成しているため、特別な別の仕切板
を用意して基板に接続する必要がなく、上ケース1と下
ケース2とを押圧して固定するのみで自動的に回路ブロ
ック毎に仕切り、シールド効果を得ることができる。
【0051】(4) 上ケース1と下ケース2との間に
基板4の両側にシールドフレーム3を入れて単に両者を
押圧するという簡単なパッケージングが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の1実施例構造図である。
【図2】本発明の基板例である。
【図3】本発明のシールドフレーム例である。
【図4】本発明の他の実施例構造図である。
【符号の説明】
1:上ケース 11:爪受け部 12、22:回路ブロック収納部 13、23:中央遮断部 14、24:仕切部 2:下ケース 21:爪 3:シールドフレーム 4:基板 41:回路ブロック 42:導電性パターン 5:ピン
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 安島 秀勝 東京都港区新橋5丁目36番11号 いわき電 子株式会社内 (72)発明者 阿部 真久 東京都港区新橋5丁目36番11号 いわき電 子株式会社内 (72)発明者 磯具 隆士 東京都港区新橋5丁目36番11号 いわき電 子株式会社内

Claims (8)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】回路ブロックをシールドした高周波モジュ
    ールにおいて、 動作回路ブロックおよび待機回路ブロックを並列に設け
    た基板と、 上記基板上の回路ブロックの周辺の表側および裏側のそ
    れぞれの導電性パターンに接触させる導電性のシールド
    フレームと、 上記基板上の動作回路ブロックと待機回路ブロックとの
    間に設けた穴を通り、相互に入り込んでシールドするた
    めの中央遮蔽部、および上記シールドフレーム、上記基
    板、上記シールドフレームの構成順番で入れた後に相互
    に押圧して複数箇所で固定する固定部を設けた上ケース
    と下ケースと、を備えたことを特徴とする高周波モジュ
    ール。
  2. 【請求項2】回路ブロックをシールドした高周波モジュ
    ールにおいて、 動作回路ブロックおよび待機回路ブロックを並列に設け
    た基板と、 上記基板上の回路ブロックの周辺の表側および裏側のそ
    れぞれの導電性パターンに接触させる導電性のシールド
    フレームと、 上記基板上の回路ブロックの間に設けてシールドするた
    めの仕切部、および上記シールドフレーム、上記基板、
    上記シールドフレームの構成順番で入れた後に相互に押
    圧して複数箇所で固定する固定部を設けた上ケースと下
    ケースと、を備えたことを特徴とする高周波モジュー
    ル。
  3. 【請求項3】回路ブロックをシールドした高周波モジュ
    ールにおいて、 動作回路ブロックおよび待機回路ブロックを並列に設け
    た基板と、 上記基板上の回路ブロックの周辺の表側および裏側のそ
    れぞれの導電性パターンに接触させる導電性のシールド
    フレームと、 上記基板上の動作回路ブロックと待機回路ブロックとの
    間に設けた穴を通り、相互に入り込んでシールドするた
    めの中央遮蔽部、上記基板上の回路ブロックの間に設け
    てシールドするための仕切部、および上記シールドフレ
    ーム、上記基板、上記シールドフレームの構成順番で入
    れた後に相互に押圧して複数箇所で固定する固定部を設
    けた上ケースと下ケースと、を備えたことを特徴とする
    高周波モジュール。
  4. 【請求項4】上記仕切部として、当該仕切部に接触する
    部分の上記基板の表と裏に導電性パターンを設けると共
    に、当該基板を構成する複数層のうちの任意層に導電性
    パターンを設けて隣接する回路ブロック間を接続したこ
    とを特徴とする請求項2あるいは請求項3記載の高周波
    モジュール。
  5. 【請求項5】上記仕切部として、当該仕切部に接触する
    部分の上記基板の表と裏に導電性パターンを設けると共
    に、当該基板を構成する複数層のうちの任意層に導電性
    パターンを設けて隣接する回路ブロック間を接続、およ
    び当該接続した隣接する各回路ブロック内で対称の抵抗
    のアットネータを設けたことを特徴とする請求項2ある
    いは請求項3記載の高周波モジュール。
  6. 【請求項6】上記シールドフレームとして、導電性板で
    上記基板の導電性パターンおよび上記上ケースあるいは
    下ケースに接触する形状に形成すると共に、任意の複数
    の箇所にコの字型で先端程少し狭い幅に打ち抜いてヘの
    字型に折り曲げ、基板と上ケースあるいは下ケースとを
    電気的に接触させることを特徴とする請求項1ないし請
    求項5記載のいずれかの高周波モジュール。
  7. 【請求項7】上記固定部として、爪と爪受け部、カシ
    メ、あるいは折り曲げによって上ケースと下ケースとを
    固定することを特徴とする請求項1ないし請求項6記載
    のいずれかの高周波モジュール。
  8. 【請求項8】上記回路ブロック毎に上記仕切部をそれぞ
    れ設けたことを特徴とする請求項1ないし請求項7記載
    のいずれかの高周波モジュール。
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