JPH10232495A - ポジ型感光性組成物 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 ２５０ｎｍ以下、特に２２０ｎｍ以下の露光
光源の使用に好適であり、２５０ｎｍ以下、特に２２０
ｎｍ以下の露光光源の使用時に、良好な感度、解像度及
びレジストパターンを与え、更に十分な耐ドライエッチ
ング性を示すポジ型感光性組成物を提供することであ
る。 【解決手段】 活性光線又は放射線の照射により酸を発
生する化合物、及び特定の構造の１価の多環型の脂環式
基のうち少なくとも１つと、酸の作用により分解してア
ルカリ現像液中での溶解性を増大させる基とを有する樹
脂を含有するポジ型感光性組成物。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、ＩＣ等の半導体製
造工程、液晶、サーマルヘッド等の回路基板の製造、更
にその他のフォトファブリケーション工程に使用される
ポジ型感光性組成物に関するものである。更に詳しくは
２５０ｎｍ以下の遠紫外線を露光光源とする場合に好適
なポジ型感光性組成物に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】ポジ型フォトレジスト組成物としては、
一般にアルカリ可溶性樹脂と感光物としてのナフトキノ
ンジアジド化合物とを含む組成物が用いられている。例
えば、「ノボラック型フェノール樹脂／ナフトキノンジ
アジド置換化合物」として米国特許第3,666,473号、米
国特許第4,115,128号及び米国特許第4,173,470号等に、
また最も典型的な組成物として「クレゾール−ホルムア
ルデヒドより成るノボラック樹脂／トリヒドロキシベン
ゾフェノン−１，２−ナフトキノンジアジドスルホン酸
エステル」の例がトンプソン「イントロダクション・ト
ゥー・マイクロリソグラフィー」（L.F.Thompson「Intr
oduction to Microlithography」）（ＡＣＳ出版、Ｎ
ｏ．２，１９号、ｐ１１２〜１２１）に記載されてい
る。このような基本的にノボラック樹脂とキノンジアジ
ド化合物から成るポジ型フォトレジストは、ノボラック
樹脂がプラズマエッチングに対して高い耐性を与え、ナ
フトキノンジアジド化合物は溶解阻止剤として作用す
る。そして、ナフトキノンジアジドは光照射を受けると
カルボン酸を生じることにより溶解阻止能を失い、ノボ
ラック樹脂のアルカリ溶解度を高めるという特性を持
つ。

【０００３】これまで、かかる観点からノボラック樹脂
とナフトキノンジアジド系感光物を含有する数多くのポ
ジ型フォトレジストが開発、実用化され、０．８μｍ〜
２μｍ程度までの線幅加工に於いては十分な成果をおさ
めてきた。しかし、集積回路はその集積度を益々高めて
おり、超ＬＳＩなどの半導体基板の製造に於いてはハー
フミクロン以下の線幅から成る超微細パターンの加工が
必要とされるようになってきた。

【０００４】パターンの微細化を図る手段の一つとし
て、レジストのパターン形成の際に使用される露光光源
の短波長化が知られている。このことは光学系の解像度
（線幅）Ｒを表すレイリーの式、 Ｒ＝ｋ・λ／ＮＡ （ここでλは露光光源の波長、ＮＡはレンズの開口数、
ｋはプロセス定数）で説明することができる。この式か
らより高解像度を達成する、即ちＲの値を小さくする為
には、露光光源の波長λを短くすれば良いことがわか
る。例えば６４Ｍビットまでの集積度のＤＲＡＭの製造
には、現在まで高圧水銀灯のｉ線（３６５ｎｍ）が光源
として使用されてきた。２５６ＭビットＤＲＡＭの量産
プロセスには、ｉ線に変わりＫｒＦエキシマレーザー
（２４８ｎｍ）が露光光源としての採用が検討されてい
る。更に１Ｇビット以上の集積度を持つＤＲＡＭの製造
を目的として、より短波長の光源が検討されており、Ａ
ｒＦエキシマレーザー（１９３ｎｍ）、Ｆ₂ エキシマレ
ーザー（１５７ｎｍ）、Ｘ線、電子ビーム等の利用が有
効であると考えられている（上野巧ら、「短波長フォト
レジスト材料−ＵＬＳＩに向けた微細加工−」、ぶんし
ん出版、１９８８年）。

【０００５】従来のノボラックとナフトキノンジアジド
化合物から成るレジストを遠紫外光やエキシマレーザー
光を用いたリソグラフィーのパターン形成に用いると、
ノボラック及びナフトキノンジアジドの遠紫外領域に於
ける吸収が強いために光がレジスト底部まで到達しにく
くなり、低感度でテーパーのついたパターンしか得られ
ない。

【０００６】このような問題を解決する手段の一つが、
米国特許第4,491,628号、欧州特許第249,139号等に記載
されている化学増幅系レジスト組成物である。化学増幅
系ポジ型レジスト組成物は、遠紫外光などの放射線の照
射により露光部に酸を生成させ、この酸を触媒とする反
応によって、活性放射線の照射部と非照射部の現像液に
対する溶解性を変化させ、パターンを基板上に形成させ
るパターン形成材料である。

【０００７】このような例として、光分解により酸を発
生する化合物と、アセタールまたはＯ，Ｎ−アセタール
化合物との組合せ（特開昭４８−８９００３号）、オル
トエステル又はアミドアセタール化合物との組合せ（特
開昭５１−１２０７１４号）、主鎖にアセタール又はケ
タール基を有するポリマーとの組合せ（特開昭５３−１
３３４２９号）、エノールエーテル化合物との組合せ
（特開昭５５−１２９９５号）、Ｎ−アシルイミノ炭酸
化合物化合物との組合せ（特開昭５５−１２６２３６
号）、主鎖にオルトエステル基を有するポリマーとの組
合せ（特開昭５６−１７３４５号）、第３級アルキルエ
ステル化合物との組合せ（特開昭６０−３６２５号）、
シリルエステル化合物との組合せ（特開昭６０−１０２
４７号）、及びシリルエーテル化合物との組合せ（特開
昭６０−３７５４９号、特開昭６０−１２１４４６号）
等を挙げることができる。これらは原理的に量子収率が
１を越えるため、高い感光性を示す。

【０００８】同様に、酸存在下加熱することにより分解
し、アルカリ可溶化する系として、例えば、特開昭５９
−４５４３９号、特開昭６０−３６２５号、特開昭６２
−２２９２４２号、特開昭６３−２７８２９号、特開昭
６３−３６２４０号、特開昭６３−２５０６４２号、特
開平５−１８１２７９号、Polym.Eng.Sce.,23巻、1012
頁（1983）；ACS.Sym.242巻、11頁（1984）；Semicondu
ctor World 1987年、11月号、91頁；Macromolecules,21
巻、1475頁（1988）；SPIE,920巻、42頁（1988）等に記
載されている露光により酸を発生する化合物と、第３級
又は２級炭素（例えばt-ブチル、2-シクロヘキセニル）
のエステル又は炭酸エステル化合物との組合せ系、特開
平４−２１９７５７号、同５−２４９６８２号、同６−
６５３３２号等に記載されているアセタール化合物との
組み合わせ系、特開平４−２１１２５８号、同６−６５
３３３号等に記載されているｔ−ブチルエーテル化合物
との組み合わせ系等が挙げられる。

【０００９】これらの系は、主として２４８ｎｍ領域で
の吸収の小さい、ポリ（ヒドロキシスチレン）を基本骨
格とする樹脂を主成分に使用する為、ＫｒＦエキシマレ
ーザーを露光光源とする場合には、高感度、高解像度
で、且つ良好なパターンを形成し、従来のナフトキノン
ジアジド／ノボラック樹脂系に比べて良好な系となり得
る。

【００１０】しかしながら、更なる短波長の光源、例え
ばＡｒＦエキシマレーザー（１９３ｎｍ）を露光光源と
して使用する場合は、芳香族基を有する化合物が本質的
に１９３ｎｍ領域に大きな吸収を示す為、上記化学増幅
系でも十分ではなかった。また、１９３ｎｍ波長領域に
吸収の小さいポリマーとして、ポリ（メタ）アクリレー
トの利用がJ. Vac. Sci. Technol., B9, 3357 (1991).
に記載されているが、このポリマーは一般に半導体製造
工程で行われるドライエッチングに対する耐性が、芳香
族基を有する従来のフェノール樹脂に比べ低いという問
題があった。

【００１１】これに対し、脂環式基を有するポリマー
が、芳香族基と同様の耐ドライエッチング性を示し、且
つ１９３ｎｍ領域の吸収が小さいことがProc. of SPIE,
1672,66 (1992). で報告され、近年同ポリマーの利用
が精力的に検討されるに至った。具体的には、特開平４
−３９６６５号、同５−８０５１５号、同５−２６５２
１２号、同５−２９７５９１号、同５−３４６６６８
号、同６−２８９６１５号、同６−３２４４９４号、同
７−４９５６８号、同７−１８５０４６号、同７−１９
１４６３号、同７−１９９４６７号、同７−２３４５１
１号、同７−２５２３２４号、同８−２５９６２６号等
の明細書に記載されているポリマーが挙げられる。但し
これらのポリマーは耐ドライエッチング性が必ずしも十
分とは言えず、また合成も多ステップを要するものもあ
った。

【００１２】

【発明が解決しようとする課題】従って、本発明の目的
は、２５０ｎｍ以下、特に２２０ｎｍ以下の露光光源の
使用に好適なポジ型感光性組成物を提供することであ
り、具体的には２５０ｎｍ以下、特に２２０ｎｍ以下の
露光光源の使用時に、良好な感度、解像度及びレジスト
パターンを与え、更に十分な耐ドライエッチング性を示
すポジ型感光性組成物を提供することである。

【００１３】

【課題を解決するための手段】本発明者等は、上記諸特
性に留意し鋭意検討した結果、本発明の目的が以下の特
定の脂環式基を有する樹脂を使用することで見事に達成
されることを見出し、本発明に到達した。即ち、本発明
は、下記構成である。 （１） （Ａ）活性光線又は放射線の照射により酸を発
生する化合物、及び（Ｂ）下記一般式（Ｉ）、（II）又
は(III）で表される１価の多環型の脂環式基のうち少な
くとも１つと、酸の作用により分解してアルカリ現像液
中での溶解性を増大させる基とを有する樹脂を含有する
ことを特徴とするポジ型感光性組成物。

【００１４】

【化５】

【００１５】式（Ｉ）〜（III)中、Ｒ₁ 〜Ｒ₅ は同じで
も異なっていてもよく、置換基を有していても良い、ア
ルキル基、シクロアルキル基、アルケニル基もしくはア
ルキニル基、ハロゲン原子、シアノ基、−Ｒ₆ −Ｏ−Ｒ
₇ 基、−Ｒ₈ −ＣＯ−Ｏ−Ｒ ₉ 基、−Ｒ₁₀−ＣＯ−ＮＲ
₁₁Ｒ₁₂基又は−Ｒ₁₃−Ｏ−ＣＯ−Ｒ₁₄基を表す。Ｒ₇ 、
Ｒ₉ は同じでも異なっていてもよく、水素原子、置換基
を有していても良い、アルキル基、シクロアルキル基も
しくはアルケニル基、又は酸の作用により分解してアル
カリ現像液中での溶解性を増大させる基を表す。Ｒ₁₁〜
Ｒ₁₂、Ｒ₁₄は同じでも異なっていてもよく、水素原子、
置換基を有していても良い、アルキル基、シクロアルキ
ル基又はアルケニル基を表し、Ｒ₁₁とＲ₁₂が結合して環
を形成しても良い。Ｒ₆ 、Ｒ₈ 、Ｒ₁₀、Ｒ₁₃は同じでも
異なっていてもよく、単結合もしくは、置換基を有して
いても良い、アルキレン基、アルケニレン基、又はシク
ロアルキレン基を表す。ｌ、ｍ、ｎ、ｐ、ｑは同じでも
異なっていてもよく、０又は１〜５の整数を示す。ここ
で、ｌ、ｍ、ｎ、ｐ又はｑが２以上の場合、各複数個の
Ｒ₁ 〜Ｒ₅ は同一でも相異していても良く、その２個の
Ｒ₁ 〜Ｒ₅ が、同一炭素原子上に置換する場合、その２
個でカルボニル基（＝Ｏ）又はチオカルボニル基（＝
Ｓ）を表しても良く、更に２個のＲ₁ 〜Ｒ₅ が、隣接す
る炭素原子上に置換する場合はその２個で互いに結合
し、それら炭素原子間の二重結合を表しても良い。ま
た、Ｒ₁ 〜Ｒ₅ が各々２個以上置換している場合、その
２個のＲ₁ 〜Ｒ₅ が互いに結合して環を形成してもよ
い。一般式（Ｉ）、（II）又は(III）で表される１価の
多環型の脂環式基の結合手の位置は、それら炭化水素多
環構造中のいずれの位置でも良い。

【００１６】（２） （Ｂ）成分の樹脂が、下記一般式
（IV）、（Ｖ）又は（VI）で表される繰り返し構造単位
のうち少なくとも一つと、酸の作用により分解してアル
カリ現像液中での溶解性を増大させる基とを有する樹脂
であることを特徴とする上記（１）に記載のポジ型感光
性組成物。

【００１７】

【化６】

【００１８】式（IV）〜（VI）中、Ｒ₁₅、Ｒ₁₆、Ｒ₁₈〜
Ｒ₂₀は同じでも異なってもよく、水素原子、ハロゲン原
子、シアノ基、アルキル基又はハロアルキル基を表す。
Ｒ₁₇は、シアノ基、−ＣＯ−ＯＲ₂₇又は−ＣＯ−ＮＲ₂₈
Ｒ₂₉を表す。Ｘ₁ 〜Ｘ₃ は同じでも異なってもよく、単
結合であるか、置換基を有していても良い、２価のアル
キレン基、アルケニレン基もしくはシクロアルキレン
基、−Ｏ−、−ＳＯ₂ −、−Ｏ−ＣＯ−Ｒ₃₀−、−ＣＯ
−Ｏ−Ｒ₃₁−、又は−ＣＯ−ＮＲ ₃₂−Ｒ₃₃−を表す。Ｒ
₂₇は水素原子、置換基を有していても良い、アルキル
基、シクロアルキル基もしくはアルケニル基、又は酸の
作用により分解してアルカリ現像液中での溶解性を増大
させる基を表す。Ｒ₂₈、Ｒ₂₉、Ｒ₃₂は同じでも異なって
もよく、水素原子、置換基を有していても良い、アルキ
ル基、シクロアルキル基又はアルケニル基を表す。また
Ｒ₂₈とＲ₂₉が結合して環を形成しても良い。Ｒ₃₀〜
Ｒ₃₁、Ｒ₃₃は同じでも異なってもよく、単結合もしく
は、２価のアルキレン基、アルケニレン基又はシクロア
ルキレン基を表し、更にこれらの基は、エーテル基、エ
ステル基、アミド基、ウレタン基あるいはウレイド基と
ともに２価の基を形成しても良い。Ｙは、上記（１）に
記載の一般式（Ｉ）〜（III)で表される多環型の脂環式
基を表す。

【００１９】（３） （Ｂ）成分の樹脂が、上記（２）
に記載の一般式（IV）、（Ｖ）又は（VI）で表される繰
り返し構造単位のうち少なくとも一つと、下記一般式
（VII)、（VIII）又は（IX）で表される繰り返し構造単
位のうち少なくとも一つを有し、酸の作用により分解し
てアルカリ現像液中での溶解性が増大する樹脂であるこ
とを特徴とする上記（１）又は（２）に記載のポジ型感
光性組成物。

【００２０】

【化７】

【００２１】式（VII)〜（IX）中、Ｒ₂₁、Ｒ₂₂、Ｒ₂₄〜
Ｒ₂₆は同じでも異なってもよく、水素原子、ハロゲン原
子、シアノ基、アルキル基又はハロアルキル基を表す。
Ｒ₂₃は、シアノ基、−ＣＯ−ＯＲ₂₇又は−ＣＯ−ＮＲ₂₈
Ｒ₂₉を表す。Ｘ₄ 〜Ｘ₆ は同じでも異なってもよく、単
結合であるか、置換基を有していても良い、２価のアル
キレン基、アルケニレン基もしくはシクロアルキレン
基、−Ｏ−、−ＳＯ₂ −、−Ｏ−ＣＯ−Ｒ₃₀−、−ＣＯ
−Ｏ−Ｒ₃₁−、又は−ＣＯ−ＮＲ ₃₂−Ｒ₃₃−を表す。Ｒ
₂₇は水素原子、置換基を有していても良い、アルキル
基、シクロアルキル基もしくはアルケニル基、又は酸の
作用により分解してアルカリ現像液中での溶解性を増大
させる基を表す。Ｒ₂₈、Ｒ₂₉、Ｒ₃₂は同じでも異なって
もよく、水素原子、置換基を有していても良い、アルキ
ル基、シクロアルキル基又はアルケニル基を表す。また
Ｒ₂₈とＲ₂₉が結合して環を形成しても良い。Ｒ₃₀〜
Ｒ₃₁、Ｒ₃₃は同じでも異なってもよく、単結合もしく
は、２価のアルキレン基、アルケニレン基又はシクロア
ルキレン基を表し、更にこれらの基は、エーテル基、エ
ステル基、アミド基、ウレタン基あるいはウレイド基と
ともに２価の基を形成しても良い。Ｂは、酸の作用によ
り分解してアルカリ現像液中での溶解性を増大させる基
を表す。

【００２２】（４） （Ｂ）成分の樹脂が、更にカルボ
キシル基を有することを特徴とする上記（１）〜（３）
のいずれかに記載のポジ型感光性組成物。 （５） （Ｂ）成分の樹脂が、更にカルボキシル基を有
する下記一般式（Ｘ）、（XI）又は（XII)で表される繰
り返し構造単位のうち少なくとも一つを含有することを
特徴とする上記（４）に記載のポジ型感光性組成物。

【００２３】

【化８】

【００２４】一般式（Ｘ）〜（XII)中、Ｒ₃₄、Ｒ₃₅、Ｒ
₃₇〜Ｒ₃₉は同じでも異なってもよく、水素原子、ハロゲ
ン原子、シアノ基、アルキル基又はハロアルキル基を表
す。Ｒ₃₆はシアノ基、カルボキシル基、−ＣＯ−ＯＲ₄₀
又は−ＣＯ−ＮＲ₄₁Ｒ₄₂を表す。Ｘ₇ 〜Ｘ₉ は同じでも
異なってもよく、単結合、置換基を有していても良い、
２価のアルキレン基、アルケニレン基もしくはシクロア
ルキレン基、−Ｏ−、−ＳＯ₂ −、−Ｏ−ＣＯ−Ｒ
₄₃−、−ＣＯ−Ｏ−Ｒ₄₄−又は−ＣＯ−ＮＲ₄₅−Ｒ₄₆−
を表す。Ｒ₄₀は置換基を有していても良い、アルキル
基、シクロアルキル基、アルケニル基を表す。Ｒ₄₁、Ｒ
₄₂、Ｒ₄₅は同じでも異なってもよく、水素原子、置換基
を有していても良い、アルキル基、シクロアルキル基又
はアルケニル基を表し、Ｒ₄₁とＲ₄₂が結合して環を形成
しても良い。Ｒ₄₃、Ｒ₄₄、Ｒ₄₆は同じでも異なってもよ
く、単結合あるいは、２価のアルキレン基、アルケニレ
ン基、シクロアルキレン基を表し、更にこれらの基は、
エーテル基、エステル基、アミド基、ウレタン基又はウ
レイド基とともに２価の基を形成しても良い。

【００２５】（６） 酸の作用により分解し得る基を有
し、アルカリ現像液中での溶解性が酸の作用により増大
する、分子量３，０００以下の低分子酸分解性溶解阻止
化合物を含有することを特徴とする上記（１）〜（５）
のいずれかに記載のポジ型感光性組成物。 （７） 露光光源として、２５０ｎｍ以下の遠紫外光を
使用することを特徴とする上記（１）〜（６）のいずれ
かに記載のポジ型感光性組成物。 （８） 露光光源として、２２０ｎｍ以下の遠紫外光を
使用することを特徴とする上記（７）に記載のポジ型感
光性組成物。

【００２６】

【発明の実施の形態】以下、本発明に使用する化合物に
ついて詳細に説明する。 （Ｂ）上記一般式（Ｉ）〜一般式(III）で表される多環
型の脂環式基と酸の作用により分解してアルカリ現像液
中での溶解性を増大させる基（酸分解性基ともいう）と
を有する樹脂 本発明において、上記一般式（Ｉ）〜(III）の多環型の
脂環式基と酸分解性基は、母体樹脂中のいずれの場所に
も結合させることができる。即ち、上記一般式（Ｉ）〜
(III）の多環型の脂環式基と酸分解性基が、母体樹脂中
の異なる繰り返し単位に結合してもよいし、同一の繰り
返し単位に結合してもよいし、更にその両方の場合が樹
脂中に併存している場合も含まれる。本発明に係わる樹
脂における一般式（Ｉ）〜一般式(III）で表される基を
有する繰り返し構造単位としては、一般式（Ｉ）〜一般
式(III）で表される基を有するものであればいずれのも
のでも用いることができるが、好ましくは、一般式（I
V）〜（IV）で表される繰り返し構造単位である。

【００２７】前記一般式におけるＲ₁ 〜Ｒ₅ 、Ｒ₇ 、Ｒ
₉ 、Ｒ₁₁、Ｒ₁₂、Ｒ₁₄、Ｒ₂₇〜Ｒ₂₉、Ｒ₃₂のアルキル基
としては、好ましくは置換基を有していても良い、メチ
ル基、エチル基、プロピル基、ｎ−ブチル基、ｓｅｃ−
ブチル基、ヘキシル基、２−エチルヘキシル基、オクチ
ル基のような炭素数１〜８個のものが挙げられる。シク
ロアルキル基としては、好ましくは置換基を有していて
も良い、シクロプロピル基、シクロペンチル基、シクロ
ヘキシル基のような炭素数３〜８個のものが挙げられ
る。アルケニル基としては、好ましくは置換基を有して
いても良い、ビニル基、プロペニル基、アリル基、ブテ
ニル基、ペンテニル基、ヘキセニル基、シクロヘキセニ
ル基の様な炭素数２〜６個のものが挙げられる。Ｒ₁ 〜
Ｒ₅ のアルキニル基としては、好ましくはアセチル基、
プロパルギル基の様な炭素数２〜４個のものが挙げられ
る。

【００２８】ここで、ｌ、ｍ、ｎ、ｐ又はｑが２以上の
場合、各複数個のＲ₁ 〜Ｒ₅ は同一でも相異していても
良く、各複数個のＲ₁ 〜Ｒ₅ のうちの２個のＲ₁ 〜Ｒ₅
が、同一炭素原子上に置換する場合、その２個でカルボ
ニル基（＝Ｏ）又はチオカルボニル基（＝Ｓ）を表して
も良い。更に各複数個のＲ₁ 〜Ｒ₅ のうちの２個のＲ₁
〜Ｒ₅ が、隣接する炭素原子上に置換する場合はその２
個で互いに結合し、それら炭素原子間の二重結合を表し
ても良い。ここで、形成される炭素原子間の二重結合
は、炭素−炭素間の共役２重結合を形成しないことが好
ましい。また、Ｒ₁ 〜Ｒ₅ が各々２個以上置換している
場合、その２個のＲ₁ 〜Ｒ₅ が互いに結合して環を形成
してもよい。このような環としては、好ましくはシクロ
プロピル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シ
クロヘプチル基、テトラヒドロフラニル基、テトラヒド
ロピラニル基等のヘテロ原子を含んでいてもよい３〜８
員環の環が挙げられる。これら環は更に置換基を有して
いてもよい。一般式（Ｉ）、（II）又は(III）で表され
る１価の多環型の脂環式基の結合手の位置は、それら炭
化水素多環構造中のいずれの位置でも良い。

【００２９】Ｒ₁₅、Ｒ₁₆、Ｒ₁₈〜Ｒ₂₂、Ｒ₂₄〜Ｒ₂₆のア
ルキル基としては、好ましくは置換基を有していても良
い、メチル基、エチル基、プロピル基、ｎ−ブチル基、
ｓｅｃ−ブチル基のような炭素数１〜４個のものが挙げ
られる。ハロアルキル基としては、好ましくはフッ素原
子、塩素原子、臭素原子が置換した炭素数１〜４個のア
ルキル基、例えばフルオロメチル基、クロロメチル基、
ブロモメチル基、フルオロエチル基、クロロエチル基、
ブロモエチル基等が挙げられる。

【００３０】Ｒ₆ 、Ｒ₈ 、Ｒ₁₀、Ｒ₁₃、Ｘ₁ 〜Ｘ₆ のア
ルキレン基としては、好ましくは置換基を有していても
良い、メチレン基、エチレン基、プロピレン基、ブチレ
ン基、ヘキシレン基、オクチレン基等の炭素数１〜８個
のものが挙げられる。アルケニレン基としては、好まし
くは置換基を有していても良い、エテニレン基、プロペ
ニレン基、ブテニレン基等の炭素数２〜６個のものが挙
げられる。シクロアルキレン基としては、好ましくは置
換基を有していても良い、シクロペンチレン基、シクロ
ヘキシレン基等の炭素数５〜８個のものが挙げられる。

【００３１】またＲ₃₀〜Ｒ₃₁、Ｒ₃₃のアルキレン基、ア
ルケニレン基、シクロアルキレン基は、上記で示した基
と同様のものが挙げられ、更にそれら基と、エーテル
基、エステル基、アミド基、ウレタン基、ウレイド基の
少なくとも１つの基とが一緒になって２価の基を形成し
たものも挙げられる。また、Ｒ₁₁とＲ₁₂あるいはＲ₂₈と
Ｒ₂₉とが結合して窒素原子とともに形成する環として
は、５〜８員環を形成するものが好ましく、具体的には
ピロリジン、ピペリジン、ピペラジン等が挙げられる。

【００３２】Ｒ₇ 、Ｒ₉ 、Ｒ₂₇及びＢは、酸の作用によ
り分解してアルカリ現像液中での溶解性を増大させる基
（酸分解性基）を表す。ここで、本発明に係わる樹脂に
おいて、酸分解性基は、一般式（Ｉ）〜(III）で示され
る基の構造中（Ｒ₇ 又はＲ₉ として）に含まれてもよい
し、一般式（Ｉ）〜(III）で示される基を有する繰り返
し構造単位中（Ｒ₂₇として）に含まれてもよいし、更に
その他の繰り返し構造単位中に含まれてもよいし、これ
ら場所のうち複数の場所に含まれてもよい。酸分解性基
としては、例えば、酸の作用により加水分解し酸を形成
する基、更には酸の作用により炭素カチオンが脱離し酸
を形成する基が挙げられる。好ましくは下記一般式（XI
II）、（XIV)で表される基である。これにより、経時安
定性が優れるようになる。

【００３３】

【化９】

【００３４】ここで、Ｒ₄₇〜Ｒ₄₉は、それぞれ同一でも
相異していても良く、水素原子、又は置換基を有してい
ても良い、アルキル基、シクロアルキル基もしくはアル
ケニル基を表す。但し、式（XIII）のＲ₄₇〜Ｒ₄₉の内、
少なくとも１つは水素原子以外の基である。Ｒ₅₀は置換
基を有していても良い、アルキル基、シクロアルキル基
又はアルケニル基を表す。また式（XIII）のＲ₄₇〜Ｒ₄₉
の内の２つ、又は式（XIV)のＲ₄₇〜Ｒ₄₈、Ｒ₅₀の内の２
つの基が結合して３〜８個の炭素原子、ヘテロ原子から
成る環構造を形成しても良い。このような環としては具
体的にはシクロプロピル基、シクロペンチル基、シクロ
ヘキシル基、シクロヘプチル基、１−シクロヘキセニル
基、２−テトラヒドロフラニル基、２−テトラヒドロピ
ラニル基等が挙げられる。Ｚ₁ 〜Ｚ₂ は、同じでも異な
ってもよく、酸素原子又はイオウ原子を表す。ここでア
ルキル基、シクロアルキル基、アルケニル基としては、
上記Ｒ₁ 〜Ｒ ₅ で示したものと同様のものが好ましい。
一般式（Ｉ）〜(III）中、ｌ、ｍ、ｎ、ｐ、ｑは０又は
１〜５の整数を示すが、好ましくは０又は１〜２の整数
を示す。

【００３５】また上記詳述した各置換基における更なる
置換基としては、好ましくは水酸基、ハロゲン原子（フ
ッ素、塩素、臭素、ヨウ素）、ニトロ基、シアノ基、ア
ミド基、スルホンアミド基、Ｒ₁ 〜Ｒ₅ のアルキル基、
メトキシ基、エトキシ基、ヒドロキシエトキシ基、プロ
ポキシ基、ヒドロキシプロポキシ基、ブトキシ基等のア
ルコキシ基、メトキシカルボニル基、エトキシカルボニ
ル基等のアルコキシカルボニル基、ホルミル基、アセチ
ル基、ベンゾイル基等のアシル基、アセトキシ基、ブチ
リルオキシ基等のアシロキシ基、カルボキシ基が挙げら
れる。

【００３６】本発明に係わる樹脂中における上記一般式
（Ｉ）〜(III）で示される脂環式基を有する繰り返し構
造単位（好ましくは一般式（IV）〜（VI）で表される繰
り返し構造単位）の含有量は、耐ドライエッチング性、
アルカリ現像性等とのバランスにより調整されるが、全
繰り返し単位に対して２０モル％以上含有することが好
ましく、より好ましくは３０〜８０モル％、更に好まし
くは４０〜６５モル％の範囲である。

【００３７】また本発明に係わる樹脂中における上記酸
分解性基を有する繰り返し構造単位（好ましくは一般式
（VII)〜（IX）で表される繰り返し構造単位）の含有量
は、アルカリ現像性、基板密着性等の性能により調整さ
れるが、全繰り返し単位に対して好ましくは５〜８０モ
ル％、より好ましくは１０〜７０モル％、また更に好ま
しくは２０〜６０モル％の範囲で使用される。ここでこ
の酸分解性基含有繰り返し構造単位の含有量は、上記一
般式（Ｉ）〜(III）で示される基を有する繰り返し構造
単位中に含まれる酸分解性基も含めた樹脂中の全ての酸
分解性基含有繰り返し構造単位の量である。以下に一般
式（IV）〜（VI）で表される繰り返し構造単位の具体例
（a1）〜（a33)、及び一般式（VII)〜（XI）で表される
繰り返し構造単位の具体例（b1）〜（b30)を示すが、本
発明がこれに限定されるものではない。

【００３８】

【化１０】

【００３９】

【化１１】

【００４０】

【化１２】

【００４１】

【化１３】

【００４２】

【化１４】

【００４３】

【化１５】

【００４４】

【化１６】

【００４５】

【化１７】

【００４６】

【化１８】

【００４７】

【化１９】

【００４８】

【化２０】

【００４９】

【化２１】

【００５０】［２］カルボキシル基を有する繰り返し構
造単位 本発明に係わる樹脂において、カルボキシル基は、上記
一般式（Ｉ）〜(III）の基を有する繰り返し構造単位中
に含まれてもよいし、酸分解性基を有する繰り返し構造
単位中に含まれてもよいし、それらとは別の繰り返し構
造単位中に含まれてもよい。更にこれらのカルボキシル
基の置換場所のうち複数の場所に含まれてもよい。カル
ボキシル基を有する繰り返し構造単位としては、上記一
般式（Ｘ）〜（XII)で表される繰り返し構造単位が好ま
しい。

【００５１】前記一般式（Ｘ）〜（XII)におけるＲ₃₄、
Ｒ₃₅、Ｒ₃₇〜Ｒ₃₉のアルキル基としては、好ましくは置
換基を有していても良いメチル基、エチル基、プロピル
基、ｎ−ブチル基、ｓｅｃ−ブチル基のような炭素数１
〜４個のものが挙げられる。ハロアルキル基としては、
好ましくはフッ素原子、塩素原子、臭素原子が置換した
炭素数１〜４個のアルキル基、例えばフルオロメチル
基、クロロメチル基、ブロモメチル基、フルオロエチル
基、クロロエチル基、ブロモエチル基等が挙げられる。

【００５２】Ｒ₄₀〜Ｒ₄₂、Ｒ₄₅のアルキル基としては、
好ましくは置換基を有していても良い、メチル基、エチ
ル基、プロピル基、ｎ−ブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、
ヘキシル基、２−エチルヘキシル基、オクチル基のよう
な炭素数１〜８個のものが挙げられる。シクロアルキル
基としては、好ましくは置換基を有していても良い、シ
クロプロピル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基
のような炭素数３〜８個のものが挙げられる。アルケニ
ル基としては、好ましくは置換基を有していても良い、
ビニル基、プロペニル基、アリル基、ブテニル基、ペン
テニル基、ヘキセニル基、シクロヘキセニル基の様な炭
素数２〜６個のものが挙げられる。

【００５３】Ｘ₇ 〜Ｘ₉ のアルキレン基としては、好ま
しくは置換基を有していても良い、メチレン基、エチレ
ン基、プロピレン基、ブチレン基、ヘキシレン基、オク
チレン基等の炭素数１〜８個のものが挙げられる。アル
ケニレン基としては、好ましくは置換基を有していても
良い、エテニレン基、プロペニレン基、ブテニレン基等
の炭素数２〜６個のものが挙げられる。シクロアルキレ
ン基としては、好ましくは置換基を有していても良い、
シクロペンチレン基、シクロヘキシレン基等の炭素数５
〜８個のものが挙げられる。またＲ₄₃〜Ｒ₄₄、Ｒ₄₆のア
ルキレン基、アルケニレン基、シクロアルキレン基の好
ましいものは、上記Ｘ₇ 〜Ｘ₉ の好ましいものと同様も
のが挙げられ、更にそれらと、エーテル基、エステル
基、アミド基、ウレタン基、ウレイド基の少なくとも１
つとが一緒になって２価の基を形成したものが挙げられ
る。

【００５４】また上記の詳述した置換基の更なる置換基
としては、好ましくは水酸基、ハロゲン原子（フッ素、
塩素、臭素、ヨウ素）、ニトロ基、シアノ基、アミド
基、スルホンアミド基、Ｒ₁ 〜Ｒ₅ のアルキル基、メト
キシ基、エトキシ基、ヒドロキシエトキシ基、プロポキ
シ基、ヒドロキシプロポキシ基、ブトキシ基等のアルコ
キシ基、メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基
等のアルコキシカルボニル基、ホルミル基、アセチル
基、ベンゾイル基等のアシル基、アセトキシ基、ブチリ
ルオキシ基等のアシロキシ基、カルボキシ基が挙げられ
る。

【００５５】本発明に係わる樹脂中における上記カルボ
キシル基を有する繰り返し構造単位（好ましくは一般式
（Ｘ）〜（XII)で表される繰り返し構造単位）の含有量
は、アルカリ現像性、基板密着性、更には感度等の性能
により調整されるが、全繰り返し単位に対して好ましく
は０〜６０モル％、より好ましくは０〜４０モル％、ま
た更に好ましくは０〜２０モル％の範囲である。ここ
で、このカルボキシル基含有繰り返し構造単位の含有量
は、カルボキシル基を含有する上記一般式（Ｉ）〜(II
I）で示される基を有する繰り返し構造単位及びカルボ
キシル基を含有する酸分解性基含有繰り返し構造単位も
含めた、樹脂中の全てのカルボキシル基含有繰り返し構
造単位の量である。以下に一般式（Ｘ）〜（XII)で表さ
れる繰り返し構造単位の具体例（ｃ１）〜（ｃ１８）を
示すが、本発明がこれに限定されるものではない。

【００５６】

【化２２】

【００５７】

【化２３】

【００５８】［３］前記繰り返し構造単位を有する本発
明の成分（Ｂ）の樹脂 本発明の成分（Ｂ）の樹脂の性能を向上させる目的で、
同樹脂の２２０ｎｍ以下の透過性及び耐ドライエッチン
グ性を著しく損なわない範囲で、更に他の重合性モノマ
ーを共重合させても良い。使用することができる共重合
モノマーとしては、以下に示すものが含まれる。例え
ば、アクリル酸エステル類、アクリルアミド類、メタク
リル酸エステル類、メタクリルアミド類、アリル化合
物、ビニルエーテル類、ビニルエステル類、スチレン
類、クロトン酸エステル類などから選ばれる付加重合性
不飽和結合を１個有する化合物である。

【００５９】具体的には、例えばアクリル酸エステル
類、例えばアルキル（アルキル基の炭素原子数は１〜１
０のものが好ましい）アクリレート（例えば、アクリル
酸メチル、アクリル酸エチル、アクリル酸プロピル、ア
クリル酸ｔ−ブチル、アクリル酸アミル、アクリル酸シ
クロヘキシル、アクリル酸エチルヘキシル、アクリル酸
オクチル、アクリル酸−ｔ−オクチル、クロルエチルア
クリレート、２−ヒドロキシエチルアクリレート２，２
−ジメチルヒドロキシプロピルアクリレート、５−ヒド
ロキシペンチルアクリレート、トリメチロールプロパン
モノアクリレート、ペンタエリスリトールモノアクリレ
ート、グリシジルアクリレート、ベンジルアクリレー
ト、メトキシベンジルアクリレート、フルフリルアクリ
レート、テトラヒドロフルフリルアクリレート、など）
アリールアクリレート（例えばフェニルアクリレート、
ヒドロキシフェニルアクリレートなど）；

【００６０】メタクリル酸エステル類、例えば、アルキ
ル（アルキル基の炭素原子数は１〜１０のものが好まし
い）メタクリレート（例えば、メチルメタクリレート、
エチルメタクリレート、プロピルメタクリレート、イソ
プロピルメタクリレート、ｔ−ブチルメタクリレート、
アミルメタクリレート、ヘキシルメタクリレート、シク
ロヘキシルメタクリレート、ベンジルメタクリレート、
クロルベンジルメタクリレート、オクチルメタクリレー
ト、２−ヒドロキシエチルメタクリレート、４−ヒドロ
キシブチルメタクリレート、５−ヒドロキシペンチルメ
タクリレート、２，２−ジメチル−３−ヒドロキシプロ
ピルメタクリレート、トリメチロールプロパンモノメタ
クリレート、ペンタエリスリトールモノメタクリレー
ト、グリシジルメタクリレート、フルフリルメタクリレ
ート、テトラヒドロフルフリルメタクリレートなど）、
アリールメタクリレート（例えば、フェニルメタクリレ
ート、ヒドロキシフェニルメタクリレート、クレジルメ
タクリレート、ナフチルメタクリレートなど）；アクリ
ルアミド類、例えば、アクリルアミド、Ｎ−アルキルア
クリルアミド、（アルキル基としては、炭素原子数１〜
１０のもの、例えば、メチル基、エチル基、プロピル
基、ブチル基、ｔ−ブチル基、ヘプチル基、オクチル
基、シクロヘキシル基、ベンジル基、ヒドロキシエチル
基、ベンジル基などがある。）、Ｎ−アリールアクリル
アミド（アリール基としては、例えばフェニル基、トリ
ル基、ニトロフェニル基、ナフチル基、シアノフェニル
基、ヒドロキシフェニル基、カルボキシフェニル基など
がある。）、Ｎ，Ｎ−ジアルキルアクリルアミド（アル
キル基としては、炭素原子数１〜１０のもの、例えば、
メチル基、エチル基、ブチル基、イソブチル基、エチル
ヘキシル基、シクロヘキシル基などがある。）、Ｎ，Ｎ
−アリールアクリルアミド（アリール基としては、例え
ばフェニル基などがある。）、Ｎ−メチル−Ｎ−フェニ
ルアクリルアミド、Ｎ−ヒドロキシエチル−Ｎ−メチル
アクリルアミド、Ｎ−２−アセトアミドエチル−Ｎ−ア
セチルアクリルアミドなど；メタクリルアミド類、例え
ば、メタクリルアミド、Ｎ−アルキルメタクリルアミド
（アルキル基としては、炭素原子数１〜１０のもの、例
えば、メチル基、エチル基、ｔ−ブチル基、エチルヘキ
シル基、ヒドロキシエチル基、シクロヘキシル基などが
ある。）、Ｎ−アリールメタクリルアミド（アリール基
としては、フェニル基、ヒドロキシフェニル基、カルボ
キシフェニル基などがある。）、Ｎ，Ｎ−ジアルキルメ
タクリルアミド（アルキル基としては、エチル基、プロ
ピル基、ブチル基などがある。）、Ｎ，Ｎ−ジアリール
メタクリルアミド（アリール基としては、フェニル基な
どがある。）、Ｎ−ヒドロキシエチル−Ｎ−メチルメタ
クリルアミド、Ｎ−メチル−Ｎ−フェニルメタクリルア
ミド、Ｎ−エチル−Ｎ−フェニルメタクリルアミドな
ど；アリル化合物、例えば、アリルエステル類（例え
ば、酢酸アリル、カプロン酸アリル、カプリル酸アリ
ル、ラウリン酸アリル、パルミチン酸アリル、ステアリ
ン酸アリル、安息香酸アリル、アセト酢酸アリル、乳酸
アリルなど）、アリルオキシエタノールなど；

【００６１】ビニルエーテル類、例えば、アルキルビニ
ルエーテル（例えば、ヘキシルビニルエーテル、オクチ
ルビニルエーテル、デシルビニルエーテル、エチルヘキ
シルビニルエーテル、メトキシエチルビニルエーテル、
エトキシエチルビニルエーテル、クロルエチルビニルエ
ーテル、１−メチル−２，２−ジメチルプロピルビニル
エーテル、２−エチルブチルビニルエーテル、ヒドロキ
シエチルビニルエーテル、ジエチレングリコールビニル
エーテル、ジメチルアミノエチルビニルエーテル、ジエ
チルアミノエチルビニルエーテル、ブチルアミノエチル
ビニルエーテル、ベンジルビニルエーテル、テトラヒド
ロフルフリルビニルエーテルなど）、ビニルアリールエ
ーテル（例えばビニルフェニルエーテル、ビニルトリル
エーテル、ビニルクロルフェニルエーテル、ビニル−
２，４−ジクロルフェニルエーテル、ビニルナフチルエ
ーテル、ビニルアントラニルエーテルなど）；ビニルエ
ステル類、例えば、ビニルブチレート、ビニルイソブチ
レート、ビニルトリメチルアセテート、ビニルジエチル
アセテート、ビニルバレート、ビニルカプロエート、ビ
ニルクロルアセテート、ビニルジクロルアセテート、ビ
ニルメトキシアセテート、ビニルブトキシアセテート、
ビニルフェニルアセテート、ビニルアセトアセテート、
ビニルラクテート、ビニル−β−フェニルブチレート、
ビニルシクロヘキシルカルボキシレート、安息香酸ビニ
ル、サルチル酸ビニル、クロル安息香酸ビニル、テトラ
クロル安息香酸ビニル、ナフトエ酸ビニルなど；

【００６２】スチレン類、例えば、スチレン、アルキル
スチレン（例えば、メチルスチレン、ジメチルスチレ
ン、トリメチルスチレン、エチルスチレン、ジエチルス
チレン、イソプロピルスチレン、ブチルスチレン、ヘキ
シルスチレン、シクロヘキシルスチレン、デシルスチレ
ン、ベンジルスチレン、クロルメチルスチレン、トリフ
ルオルメチルスチレン、エトキシメチルスチレン、アセ
トキシメチルスチレンなど）、アルコキシスチレン（例
えば、メトキシスチレン、４−メトキシ−３−メチルス
チレン、ジメトキシスチレンなど）、ハロゲンスチレン
（例えば、クロルスチレン、ジクロルスチレン、トリク
ロルスチレン、テトラクロルスチレン、ペンタクロルス
チレン、ブロムスチレン、ジブロムスチレン、ヨードス
チレン、フルオルスチレン、トリフルオルスチレン、２
−ブロム−４−トリフルオルメチルスチレン、４−フル
オル−３−トリフルオルメチルスチレンなど）、ヒドロ
キシスチレン（例えば、４−ヒドロキシスチレン、３−
ヒドロキシスチレン、２−ヒドロキシスチレン、４−ヒ
ドロキシ−３−メチルスチレン、４−ヒドロキシ−３，
５−ジメチルスチレン、４−ヒドロキシ−３−メトキシ
スチレン、４−ヒドロキシ−３−（２−ヒドロキシベン
ジル）スチレンなど）、カルボキシスチレン；クロトン
酸エステル類、例えば、クロトン酸アルキル（例えば、
クロトン酸ブチル、クロトン酸ヘキシル、グリセリンモ
ノクロトネートなど）；イタコン酸ジアルキル類（例え
ば、イタコン酸ジメチル、イタコン酸ジエチル、イタコ
ン酸ジブチルなど）；マレイン酸あるいはフマール酸の
ジアルキルエステル類（例えば、ジメチルマレレート、
ジブチルフマレートなど）、無水マレイン酸、マレイミ
ド、アクリロニトリル、メタクリロニトリル、マレイロ
ニトリル等がある。その他、一般的には共重合可能であ
る付加重合性不飽和化合物であればよい。

【００６３】この中で、カルボキシスチレン、Ｎ−（カ
ルボキシフェニル）アクリルアミド、Ｎ−（カルボキシ
フェニル）メタクリルアミド等のようなカルボキシル基
を有するモノマー、ヒドロキシスチレン、Ｎ−（ヒドロ
キシフェニル）アクリルアミド、Ｎ−（ヒドロキシフェ
ニル）メタクリルアミド、ヒドロキシフェニルアクリレ
ート、ヒドロキシフェニルメタクリレート等のフェノー
ル性水酸基を有するモノマー、マレイミド等、アルカリ
溶解性を向上させるモノマーが共重合成分として好まし
い。本発明における樹脂中の他の重合性モノマーの含有
量としては、全繰り返し単位に対して、５０モル％以下
が好ましく、より好ましくは３０モル％以下である。

【００６４】一般式（Ｉ）〜(III）で示される基を有す
る繰り返し構造単位（好ましくは一般式（IV）〜（VI）
繰り返し構造単位）、酸分解性基を有する繰り返し構造
単位（好ましくは一般式（VII)〜（IX）で表される繰り
返し構造単位）、必要に応じカルボキシル基を有する繰
り返し構造単位（好ましくは一般式（Ｘ）〜（XII)で表
される繰り返し構造単位）あるいは他の重合性モノマー
を含有する本発明の成分（Ｂ）の樹脂は、各構造に対応
する不飽和モノマーのラジカル、カチオン、又はアニオ
ン重合により合成される。更に詳しくは前記に示した好
ましい組成に基づき各モノマーを配合し、適当な溶媒
中、約１０〜４０重量％のモノマー濃度にて重合触媒を
添加し、必要に応じ加温して重合される。

【００６５】本発明の成分（Ｂ）の樹脂の分子量は、重
量平均（Ｍｗ：ポリスチレン標準）で２，０００以上、
好ましくは３，０００〜１，０００，０００、より好ま
しくは５，０００〜２００，０００、更に好ましくは２
０，０００〜１００，０００の範囲であり、大きい程、
耐熱性等が向上する一方で、現像性等が低下し、これら
のバランスにより好ましい範囲に調整される。また分散
度（Ｍｗ／Ｍｎ）は、好ましくは１．０〜５．０、より
好ましくは１．０〜３．０であり、小さい程、耐熱性、
画像性能（パターンプロファイル、デフォーカスラチチ
ュード等）が良好となる。本発明において、上記樹脂の
感光性組成物中の添加量としては、全固形分に対して５
０〜９９．７重量％、好ましくは７０〜９９重量％であ
る。

【００６６】本発明で用いられる光酸発生剤は、活性光
線又は放射線の照射により酸を発生する化合物である。
本発明で使用される活性光線または放射線の照射により
分解して酸を発生する化合物としては、光カチオン重合
の光開始剤、光ラジカル重合の光開始剤、色素類の光消
色剤、光変色剤、あるいはマイクロレジスト等に使用さ
れている公知の光（４００〜２００ｎｍの紫外線、遠紫
外線、特に好ましくは、ｇ線、ｈ線、ｉ線、ＫｒＦエキ
シマレーザー光）、ＡｒＦエキシマレーザー光、電子
線、Ｘ線、分子線又はイオンビームにより酸を発生する
化合物およびそれらの混合物を適宜に選択して使用する
ことができる。

【００６７】また、その他の本発明に用いられる活性光
線又は放射線の照射により酸を発生する化合物として
は、たとえば S.I.Schlesinger,Photogr.Sci.Eng.,18,3
87(1974)、T.S.Bal etal,Polymer,21,423(1980)等に記
載のジアゾニウム塩、米国特許第4,069,055号、同4,06
9,056号、同 Re 27,992号、特願平3-140,140号等に記載
のアンモニウム塩、D.C.Necker etal,Macromolecules,1
7,2468(1984)、C.S.Wenetal,Teh,Proc.Conf.Rad.Curing
ASIA,p478 Tokyo,Oct(1988)、米国特許第4,069,055
号、同4,069,056号等に記載のホスホニウム塩、J.V.Cri
vello etal,Macromorecules,10(6),1307(1977) 、Chem.
&Eng.News,Nov.28,p31(1988)、欧州特許第104,143 号、
米国特許第339,049号、同第410,201号、特開平2-150,84
8号、特開平2-296,514 号等に記載のヨードニウム塩、
J.V.Crivello etal,Polymer J.17,73(1985)、J.V.Crive
llo etal.J.Org.Chem.,43,3055(1978)、W.R.Watt eta
l,J.Polymer Sci.,Polymer Chem.Ed.,22,1789(1984)、
J.V.Crivello etal,Polymer Bull.,14,279(1985)、J.V.
Crivello etal,Macromorecules,14(5),1141(1981)、J.
V.Crivello etal,J.PolymerSci.,Polymer Chem.Ed.,17,
2877(1979) 、欧州特許第370,693 号、同3,902,114号同
233,567号、同297,443号、同297,442号、米国特許第4,9
33,377号、同161,811号、同410,201号、同339,049号、
同4,760,013号、同4,734,444号、同2,833,827号、獨国
特許第2,904,626号、同3,604,580号、同3,604,581号、
特開平７−２８２３７号、同８−２７１０２号等に記載
のスルホニウム塩、J.V.Crivello etal,Macromorecule
s,10(6),1307(1977)、J.V.Crivello etal,J.PolymerSc
i.,Polymer Chem.Ed., 17,1047(1979)等に記載のセレノ
ニウム塩、C.S.Wen etal,Teh,Proc.Conf.Rad.Curing AS
IA,p478 Tokyo,Oct(1988)等に記載のアルソニウム塩等
のオニウム塩、米国特許第3,905,815号、特公昭46-4605
号、特開昭48-36281号、特開昭55-32070号、特開昭60-2
39736号、特開昭61-169835号、特開昭61-169837号、特
開昭62-58241号、特開昭62-212401号、特開昭63-70243
号、特開昭63-298339号等に記載の有機ハロゲン化合
物、K.Meier et al,J.Rad.Curing,13(4),26(1986) 、T.
P.Gill et al,Inorg.Chem.,19,3007(1980)、D.Astruc,A
cc.Chem.Res.,19(12),377(1896)、特開平2-161445号等
に記載の有機金属／有機ハロゲン化物、S.Hayase eta
l,J.Polymer Sci.,25,753(1987)、E.Reichmanis etal,J.
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s,18,1799(1985)、E.Reichmanis etal,J.Electrochem.So
c.,Solid State Sci.Technol.,130(6)、F.M.Houlihan et
al,Macromolcules,21,2001(1988)、 欧州特許第0290,750
号、同046,083号、同156,535号、同271,851号、同0,38
8,343号、 米国特許第3,901,710号、同4,181,531号、特
開昭60-198538号、特開昭53-133022号等に記載の０−ニ
トロベンジル型保護基を有する光酸発生剤、M.TUNOOKA
etal,Polymer Preprints Japan,35(8)、G.Berner etal,
J.Rad.Curing,13(4)、 W.J.Mijs etal,Coating Techno
l.,55(697),45(1983),Akzo、H.Adachi etal,Polymer Pr
eprints,Japan,37(3)、欧州特許第0199,672号、同84515
号、同199,672号、同044,115号、同0101,122号、米国特
許第618,564号、同4,371,605号、同4,431,774 号、特開
昭64-18143号、特開平2-245756号、特願平3-140109号等
に記載のイミノスルフォネ−ト等に代表される光分解し
てスルホン酸を発生する化合物、特開昭61-166544号、
特開平２−７１２７０号等に記載のジスルホン化合物、
特開平３−１０３８５４号、同３−１０３８５６号、同
４−２１０９６０号等に記載のジアゾケトスルホン、ジ
アゾジスルホン化合物を挙げることができる。

【００６８】また、これらの光により酸を発生する基、
あるいは化合物をポリマーの主鎖または 側鎖に導入し
た化合物、たとえば、M.E.Woodhouse etal,J.Am.Chem.
Soc.,104,5586(1982)、S.P.Pappas etal,J.Imaging Sc
i.,30(5),218(1986)、S.Kondoetal,Makromol.Chem.,Rap
id Commun.,9,625(1988)、Y.Yamadaetal,Makromol.Che
m.,152,153,163(1972)、J.V.Crivello etal,J.PolymerS
ci.,Polymer Chem.Ed.,17,3845(1979) 、米国特許第3,8
49,137号、獨国特許第3914407、特開昭63-26653号、特
開昭55-164824号、特開昭62-69263号、特開昭63-146038
、特開昭63-163452 号、特開昭62-153853号、特開昭63
-146029号等に記載の化合物を用いることができる。

【００６９】さらにV.N.R.Pillai,Synthesis,(1),1(198
0)、A.Abad etal,Tetrahedron Lett.,(47)4555(1971)、
D.H.R.Barton etal,J.Chem.Soc.,(C),329(1970)、米国
特許第3,779,778号、欧州特許第126,712号等に記載の光
により酸を発生する化合物も使用することができる。

【００７０】上記活性光線または放射線の照射により分
解して酸を発生する化合物の中で、特に有効に用いられ
るものについて以下に説明する。 （１）トリハロメチル基が置換した下記一般式（ＰＡＧ
１）で表されるオキサゾール誘導体または一般式（ＰＡ
Ｇ２）で表されるＳ−トリアジン誘導体。

【００７１】

【化２４】

【００７２】式中、Ｒ²⁰¹ は置換もしくは未置換のアリ
ール基、アルケニル基、Ｒ²⁰² は置換もしくは未置換の
アリール基、アルケニル基、アルキル基、−Ｃ（Ｙ）₃
をしめす。Ｙは塩素原子または臭素原子を示す。具体的
には以下の化合物を挙げることができるがこれらに限定
されるものではない。

【００７３】

【化２５】

【００７４】

【化２６】

【００７５】

【化２７】

【００７６】（２）下記の一般式（ＰＡＧ３）で表され
るヨードニウム塩、または一般式（ＰＡＧ４）で表され
るスルホニウム塩。

【００７７】

【化２８】

【００７８】ここで式Ａｒ¹、Ａｒ²は各々独立に置換も
しくは未置換のアリール基を示す。好ましい置換基とし
ては、アルキル基、ハロアルキル基、シクロアルキル
基、アリール基、アルコキシ基、ニトロ基、カルボキシ
ル基、アルコキシカルボニル基、ヒロドキシ基、メルカ
プト基およびハロゲン原子が挙げられる。

【００７９】Ｒ²⁰³ 、Ｒ²⁰⁴ 、Ｒ²⁰⁵ は各々独立に、置
換もしくは未置換のアルキル基、アリール基を示す。好
ましくは、炭素数６〜１４のアリール基、炭素数１〜８
のアルキル基およびそれらの置換誘導体である。好まし
い置換基としては、アリール基に対しては炭素数１〜８
のアルコキシ基、炭素数１〜８のアルキル基、ニトロ
基、カルボキシル基、ヒロドキシ基およびハロゲン原子
であり、アルキル基に対しては炭素数１〜８のアルコキ
シ基、カルボキシル基、アルコシキカルボニル基であ
る。

【００８０】Ｚ^-は対アニオンを示し、例えばＢＦ₄ ^-、
ＡｓＦ₆ ^-、ＰＦ₆ ^-、ＳｂＦ₆-、ＳｉＦ₆ ^2-、ＣｌＯ₄ ^-、
ＣＦ₃ＳＯ₃ ^-等のパーフルオロアルカンスルホン酸アニ
オン、ペンタフルオロベンゼンスルホン酸アニオン、ナ
フタレン−１−スルホン酸アニオン等の縮合多核芳香族
スルホン酸アニオン、アントラキノンスルホン酸 アニ
オン、スルホン酸基含有染料等を挙げることができるが
これらに限定されるものではない。

【００８１】またＲ²⁰³ 、Ｒ²⁰⁴ 、Ｒ²⁰⁵ のうちの２つ
およびＡｒ¹、Ａｒ²はそれぞれの単結合または置換基を
介して結合してもよい。

【００８２】具体例としては以下に示す化合物が挙げら
れるが、これらに限定されるものではない。

【００８３】

【化２９】

【００８４】

【化３０】

【００８５】

【化３１】

【００８６】

【化３２】

【００８７】

【化３３】

【００８８】

【化３４】

【００８９】

【化３５】

【００９０】

【化３６】

【００９１】

【化３７】

【００９２】

【化３８】

【００９３】

【化３９】

【００９４】一般式（ＰＡＧ３）、（ＰＡＧ４）で示さ
れる上記オニウム塩は公知であり、例えばJ.W.Knapczyk
etal,J.Am.Chem.Soc.,91,145(1969)、A.L.Maycok eta
l, J.Org.Chem.,35,2532,(1970)、E.Goethas etal ,Bul
l.Soc.Chem.Belg.,73,546,(1964) 、H.M.Leicester、J.A
me.Chem.Soc.,51,3587(1929)、J.V.Crivello etal,J.Po
lym.Chem.Ed.,18,2677(1980)、米国特許第2,807,648 号
および同4,247,473号、特開昭53-101,331号等に記載の
方法により合成することができる。

【００９５】（３）下記一般式（ＰＡＧ５）で表される
ジスルホン誘導体または一般式（ＰＡＧ６）で表される
イミノスルホネート誘導体。

【００９６】

【化４０】

【００９７】式中、Ａｒ³、Ａｒ⁴は各々独立に置換もし
くは未置換のアリール基を示す。Ｒ ²⁰⁶ は置換もしくは
未置換のアルキル基、アリール基を示す。Ａは置換もし
くは未置換のアルキレン基、アルケニレン基、アリーレ
ン基を示す。具体例としては以下に示す化合物が挙げら
れるが、これらに限定されるものではない。

【００９８】

【化４１】

【００９９】

【化４２】

【０１００】

【化４３】

【０１０１】

【化４４】

【０１０２】

【化４５】

【０１０３】

【化４６】

【０１０４】これらの活性光線または放射線の照射によ
り分解して酸を発生する化合物の添加量は、感光性組成
物の全重量（塗布溶媒を除く）を基準として通常０．０
０１〜４０重量％の範囲で用いられ、好ましくは０．０
１〜２０重量％、更に好ましくは０．１〜５重量％の範
囲で使用される。活性光線または放射線の照射により分
解して酸を発生する化合物の添加量が、０．００１重量
％より少ないと感度が低くなり、また添加量が４０重量
％より多いとレジストの光吸収が高くなりすぎ、プロフ
ァイルの悪化や、プロセス（特にベーク）マージンが狭
くなり好ましくない。

【０１０５】［５］本発明に使用されるその他の成分 本発明のポジ型感光性組成物には、必要に応じて更に酸
分解性溶解阻止化合物、染料、可塑剤、界面活性剤、光
増感剤、有機塩基性化合物、及び現像液に対する溶解性
を促進させる化合物等を含有させることができる。本発
明で使用される酸分解性溶解阻止化合物としては、例え
ば上記一般式（XIII）、（XIV)で示される酸分解性基を
少なくとも１個有する分子量３，０００以下の低分子化
合物である。特に２２０ｎｍ以下の透過性を低下させな
い為、Proceeding of SPIE, 2724, 355 (1996)に記載さ
れているコール酸誘導体の様な脂環族又は脂肪族化合物
が好ましい。本発明において、酸分解性溶解阻止化合物
を使用する場合、その添加量は感光性組成物の全重量
（溶媒を除く）を基準として３〜５０重量％であり、好
ましくは５〜４０重量％、より好ましくは１０〜３５重
量％の範囲である。

【０１０６】本発明で使用できる現像液に対する溶解促
進性化合物としては、フェノール性ＯＨ基を２個以上、
又はカルボキシ基を１個以上有する分子量１，０００以
下の低分子化合物である。カルボキシ基をを有する場合
は上記と同じ理由で脂環族又は脂肪族化合物が好まし
い。これら溶解促進性化合物の好ましい添加量は、本発
明の樹脂に対して２〜５０重量％であり、更に好ましく
は５〜３０重量％である。５０重量％を越えた添加量で
は、現像残渣が悪化し、また現像時にパターンが変形す
るという新たな欠点が発生して好ましくない。

【０１０７】このような分子量１０００以下のフェノー
ル化合物は、例えば、特開平４−１２２９３８、特開平
２−２８５３１、米国特許第４９１６２１０、欧州特許
第２１９２９４等に記載の方法を参考にして、当業者に
於て容易に合成することが出来る。フェノール化合物の
具体例を以下に示すが、本発明で使用できる化合物はこ
れらに限定されるものではない。

【０１０８】レゾルシン、フロログルシン、２，３，４
−トリヒドロキシベンゾフェノン、２，３，４，４′−
テトラヒドロキシベンゾフェノン、２，３，４，３′，
４′，５′−ヘキサヒドロキシベンゾフェノン、アセト
ン−ピロガロール縮合樹脂、フロログルコシド、２，
４，２′，４′−ビフェニルテトロール、４，４′−チ
オビス（１，３−ジヒドロキシ）ベンゼン、２，２′，
４，４′−テトラヒドロキシジフェニルエーテル、２，
２′，４，４′−テトラヒドロキシジフェニルスルフォ
キシド、２，２′，４，４′−テトラヒドロキシジフェ
ニルスルフォン、トリス（４−ヒドロキシフェニル）メ
タン、１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）シクロ
ヘキサン、４，４−（α−メチルベンジリデン）ビスフ
ェノール、α，α′，α″−トリス（４−ヒドロキシフ
ェニル）−１，３，５−トリイソプロピルベンゼン、
α，α′，α″−トリス（４−ヒドロキシフェニル）−
１−エチル−４−イソプロピルベンゼン、１，２，２−
トリス（ヒドロキシフェニル）プロパン、１，１，２−
トリス（３，５−ジメチル−４−ヒドロキシフェニル）
プロパン、２，２，５，５−テトラキス（４−ヒドロキ
シフェニル）ヘキサン、１，２−テトラキス（４−ヒド
ロキシフェニル）エタン、１，１，３−トリス（ヒドロ
キシフェニル）ブタン、パラ〔α，α，α′，α′−テ
トラキス（４−ヒドロキシフェニル）〕−キシレン等を
挙げることができる。

【０１０９】本発明で用いることのできる好ましい有機
塩基性化合物とは、フェノールよりも塩基性の強い化合
物である。中でも含窒素塩基性化合物が好ましい。好ま
しい化学的環境として、下記式（Ａ）〜（Ｅ）の構造を
挙げることができる。

【０１１０】

【化４７】

【０１１１】更に好ましい化合物は、一分子中に異なる
化学的環境の窒素原子を２個以上有する含窒素塩基性化
合物であり、特に好ましくは、置換もしくは未置換のア
ミノ基と窒素原子を含む環構造の両方を含む化合物もし
くはアルキルアミノ基を有する化合物である。好ましい
具体例としては、置換もしくは未置換のグアニジン、置
換もしくは未置換のアミノピリジン、置換もしくは未置
換のアミノアルキルピリジン、置換もしくは未置換のア
ミノピロリジン、置換もしくは未置換のインダーゾル、
置換もしくは未置換のピラゾール、置換もしくは未置換
のピラジン、置換もしくは未置換のピリミジン、置換も
しくは未置換のプリン、置換もしくは未置換のイミダゾ
リン、置換もしくは未置換のピラゾリン、置換もしくは
未置換のピペラジン、置換もしくは未置換のアミノモル
フォリン、置換もしくは未置換のアミノアルキルモルフ
ォリン等が挙げられる。好ましい置換基は、アミノ基、
アミノアルキル基、アルキルアミノ基、アミノアリール
基、アリールアミノ基、アルキル基、アルコキシ基、ア
シル基、アシロキシ基、アリール基、アリールオキシ
基、ニトロ基、水酸基、シアノ基である。特に好ましい
化合物として、グアニジン、１，１−ジメチルグアニジ
ン、１，１，３，３，−テトラメチルグアニジン、２−
アミノピリジン、３−アミノピリジン、４−アミノピリ
ジン、２−ジメチルアミノピリジン、４−ジメチルアミ
ノピリジン、２−ジエチルアミノピリジン、２−（アミ
ノメチル）ピリジン、２−アミノ−３−メチルピリジ
ン、２−アミノ−４−メチルピリジン、２−アミノ−５
−メチルピリジン、２−アミノ−６−メチルピリジン、
３−アミノエチルピリジン、４−アミノエチルピリジ
ン、３−アミノピロリジン、ピペラジン、Ｎ−（２−ア
ミノエチル）ピペラジン、Ｎ−（２−アミノエチル）ピ
ペリジン、４−アミノ−２，２，６，６−テトラメチル
ピペリジン、４−ピペリジノピペリジン、２−イミノピ
ペリジン、１−（２−アミノエチル）ピロリジン、ピラ
ゾール、３−アミノ−５−メチルピラゾール、５−アミ
ノ−３−メチル−１−ｐ−トリルピラゾール、ピラジ
ン、２−（アミノメチル）−５−メチルピラジン、ピリ
ミジン、２，４−ジアミノピリミジン、４，６−ジヒド
ロキシピリミジン、２−ピラゾリン、３−ピラゾリン、
Ｎ−アミノモルフォリン、Ｎ−（２−アミノエチル）モ
ルフォリンなどが挙げられるがこれに限定されるもので
はない。

【０１１２】これらの含窒素塩基性化合物は、単独であ
るいは２種以上一緒に用いられる。含窒素塩基性化合物
の使用量は、感光性樹脂組成物（溶媒を除く）１００重
量部に対し、通常、０．００１〜１０重量部、好ましく
は０．０１〜５重量部である。０．００１重量部未満で
は上記含窒素塩基性化合物の添加の効果が得られない。
一方、１０重量部を超えると感度の低下や非露光部の現
像性が悪化する傾向がある。

【０１１３】好適な染料としては油性染料及び塩基性染
料がある。具体的にはオイルイエロー＃１０１、オイル
イエロー＃１０３、オイルピンク＃３１２、オイルグリ
ーンＢＧ、オイルブルーＢＯＳ，オイルブルー＃６０
３、オイルブラックＢＹ、オイルブラックＢＳ、オイル
ブラックＴ−５０５（以上オリエント化学工業株式会社
製）、クリスタルバイオレット（ＣＩ４２５５５）、メ
チルバイオレット（ＣＩ４２５３５）、ローダミンＢ
（ＣＩ４５１７０Ｂ）、マラカイトグリーン（ＣＩ４２
０００）、メチレンブルー（ＣＩ５２０１５）等を挙げ
ることができる。

【０１１４】露光による酸発生率を向上させる為、さら
に下記に挙げるような光増感剤を添加することができ
る。好適な光増感剤としては、具体的にはベンゾフェノ
ン、ｐ，ｐ’−テトラメチルジアミノベンゾフェノン、
ｐ，ｐ’−テトラエチルエチルアミノベンゾフェノン、
２−クロロチオキサントン、アントロン、９−エトキシ
アントラセン、アントラセン、ピレン、ペリレン、フェ
ノチアジン、ベンジル、アクリジンオレンジ、ベンゾフ
ラビン、セトフラビン−Ｔ、９，１０−ジフェニルアン
トラセン、９−フルオレノン、アセトフェノン、フェナ
ントレン、２−ニトロフルオレン、５−ニトロアセナフ
テン、ベンゾキノン、２−クロロ−４−ニトロアニリ
ン、Ｎ−アセチル−ｐ−ニトロアニリン、ｐ−ニトロア
ニリン、、Ｎ−アセチル−４−ニトロ−１−ナフチルア
ミン、ピクラミド、アントラキノン、２−エチルアント
ラキノン、２−tert−ブチルアントラキノン１，２−ベ
ンズアンスラキノン、３−メチル−１，３−ジアザ−
１，９−ベンズアンスロン、ジベンザルアセトン、１，
２−ナフトキノン、３，３’−カルボニル−ビス（５，
７−ジメトキシカルボニルクマリン）及びコロネン等で
あるがこれらに限定されるものではない。また、これら
の光増感剤は、光源の遠紫外光の吸光剤としても使用可
能である。この場合、吸光剤は基板からの反射光を低減
し、レジスト膜内の多重反射の影響を少なくさせること
で、定在波改良の効果を発現する。

【０１１５】本発明の感光性組成物は、上記各成分を溶
解する溶媒に溶かして支持体上に塗布する。ここで使用
する溶媒としては、エチレンジクロライド、シクロヘキ
サノン、シクロペンタノン、２−ヘプタノン、γ−ブチ
ロラクトン、メチルエチルケトン、エチレングリコール
モノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエ
ーテル、２−メトキシエチルアセテート、エチレングリ
コールモノエチルエーテルアセテート、プロピレングリ
コールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノ
メチルエーテルアセテート、トルエン、酢酸エチル、乳
酸メチル、乳酸エチル、メトキシプロピオン酸メチル、
エトキシプロピオン酸エチル、ピルビン酸メチル、ピル
ビン酸エチル、ピルビン酸プロピル、Ｎ，Ｎ−ジメチル
ホルムアミド、ジメチルスルホキシド、Ｎ−メチルピロ
リドン、テトラヒドロフラン等が好ましく、これらの溶
媒を単独あるいは混合して使用する。

【０１１６】上記溶媒に界面活性剤を加えることもでき
る。具体的には、ポリオキシエチレンラウリルエーテ
ル、ポリオキシエチレンステアリルエーテル、ポリオキ
シエチレンセチルエーテル、ポリオキシエチレンオレイ
ルエーテル等のポリオキシエチレンアルキルエーテル
類、ポリオキシエチレンオクチルフェノールエーテル、
ポリオキシエチレンノニルフェノールエーテル等のポリ
オキシエチレンアルキルアリルエーテル類、ポリオキシ
エチレン・ポリオキシプロピレンブロックコポリマー
類、ソルビタンモノラウレート、ソルビタンモノパルミ
テート、ソルビタンモノステアレート、ソルビタンモノ
オレエート、ソルビタントリオレエート、ソルビタント
リステアレート等のソルビタン脂肪酸エステル類、ポリ
オキシエチレンソルビタンモノラウレート、ポリオキシ
エチレンソルビタンモノパルミテ−ト、ポリオキシエチ
レンソルビタンモノステアレート、ポリオキシエチレン
ソルビタントリオレエート、ポリオキシエチレンソルビ
タントリステアレート等のポリオキシエチレンソルビタ
ン脂肪酸エステル類等のノニオン系界面活性剤、エフト
ップＥＦ３０１，ＥＦ３０３，ＥＦ３５２（新秋田化成
（株）製）、メガファックＦ１７１，Ｆ１７３ （大日
本インキ（株）製）、フロラ−ドＦＣ４３０，ＦＣ４３
１（住友スリーエム（株）製）、アサヒガードＡＧ７１
０，サーフロンＳ−３８２，ＳＣ１０１，ＳＣ１０２，
ＳＣ１０３，ＳＣ１０４，ＳＣ１０５，ＳＣ１０６（旭
硝子（株）製）等のフッ素系界面活性剤、オルガノシロ
キサンポリマーＫＰ３４１（信越化学工業（株）製）や
アクリル酸系もしくはメタクリル酸系（共）重合ポリフ
ローＮｏ．７５，Ｎｏ．９５（共栄社油脂化学工業
（株）製）等を挙げることができる。これらの界面活性
剤の配合量は、本発明の組成物中の固形分１００重量部
当たり、通常、２重量部以下、好ましくは１重量部以下
である。これらの界面活性剤は単独で添加してもよい
し、また、いくつかの組み合わせで添加することもでき
る。

【０１１７】上記感光性組成物を精密集積回路素子の製
造に使用されるような基板（例：シリコン／二酸化シリ
コン被覆）上にスピナー、コーター等の適当な塗布方法
により塗布後、所定のマスクを通して露光し、ベークを
行い現像することにより良好なレジストパターンを得る
ことができる。ここで露光光としては、好ましくは２５
０ｎｍ以下、より好ましくは２２０ｎｍ以下の波長の遠
紫外線である。具体的には、ＫｒＦエキシマレーザー
（２４８ｎｍ）、ＡｒＦエキシマレーザー（１９３ｎ
ｍ）、Ｆ₂ エキシマレーザー（１５７ｎｍ）、Ｘ線、電
子ビーム等が挙げられる。

【０１１８】本発明の感光性組成物の現像液としては、
水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、炭酸ナトリウム、
ケイ酸ナトリウム、メタケイ酸ナトリウム、アンモニア
水等の無機アルカリ類、エチルアミン、ｎ−プロピルア
ミン等の第一アミン類、ジエチルアミン、ジ−ｎ−ブチ
ルアミン等の第二アミン類、トリエチルアミン、メチル
ジエチルアミン等の第三アミン類、ジメチルエタノール
アミン、トリエタノールアミン等のアルコールアミン
類、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド、テトラエ
チルアンモニウムヒドロキシド等の第四級アンモニウム
塩、ピロール、ピヘリジン等の環状アミン類等のアルカ
リ性水溶液を使用することができる。更に、上記アルカ
リ性水溶液にアルコール類、界面活性剤を適当量添加し
て使用することもできる。

【０１１９】

【実施例】以下、本発明を実施例により更に詳細に説明
するが、本発明の内容がこれにより限定されるものでは
ない。 ［合成例１（構造例（a1）の原料モノマーの合成）］無
水メタクリル酸１５．４ｇ（０．１０モル）、下記化合
物（１）２８．５ｇ（０．１０モル）をテトラヒドロフ
ラン（ＴＨＦ）２００ｍｌに溶解した。この溶液にＮ，
Ｎ−ジメチルアミノピリジン１２．３ｇ（０．１０モ
ル）のＤＭＦ５０ｍｌ溶液を、室温にて撹拌下添加し
た。更に撹拌下、５時間加熱環流させた。放冷後、反応
溶液をイオン交換水３Ｌに激しく撹拌しながら投入し、
酢酸エチル３００ｍｌにて抽出した。酢酸エチル溶液を
水洗し硫酸マグネシウムで乾燥した後、減圧下濃縮し
た。カラムクロマトグラフィー（充填剤：シリカゲル、
溶離液：ヘキサン／酢酸エチル＝４／１）にて精製し、
無色液体２１．７ｇを得た。ＮＭＲ測定により、この液
体が本発明の構造例（a1）の原料モノマーであることを
確認した。

【０１２０】

【化４８】

【０１２１】［合成例２（構造例（a4）の原料モノマー
の合成）］合成例１の化合物（１）の代わりに、下記化
合物（２）（３β−コレスタロール）３８．８ｇ（０．
１０モル）を使用し、その他は合成例１と同様にして無
色液体２７．２ｇを得た。ＮＭＲ測定により、この液体
が本発明の構造例（a4）の原料モノマーであることを確
認した。

【０１２２】

【化４９】

【０１２３】［合成例３（構造例（a7）の原料モノマー
の合成）］合成例１の化合物（１）の代わりに、下記化
合物（３）（デオキシコール酸）３７．７ｇ（０．１０
モル）を使用し、その他は合成例１と同様にして白色粉
体２５．４ｇを得た。ＮＭＲ測定により、この液体が本
発明の構造例（a7）の原料モノマーであることを確認し
た。

【０１２４】

【化５０】

【０１２５】［合成例４（構造例（a10)の原料モノマー
の合成）］合成例１の化合物（１）の代わりに、下記化
合物（４）（１７α−エチニルテストステロン）３０．
０ｇ（０．１０モル）を使用し、その他は合成例１と同
様にして白色粉体２０．５ｇを得た。ＮＭＲ測定によ
り、この液体が本発明の構造例（a10)の原料モノマーで
あることを確認した。

【０１２６】

【化５１】

【０１２７】［合成例５（構造例（a8）の原料モノマー
の合成）］下記化合物（５）（リソコール酸）１８．８
ｇ（０．０５０モル）、２−イソシアナトエチルメタク
リレート７．８ｇ（０．０５０モル）をジオキサン２０
０ｍｌに溶解し、触媒としてジラウリル酸ジブチル錫エ
ステル０．１ｇを添加した後、９０℃にて５時間加熱撹
拌した。放冷後、反応溶液をイオン交換水３Ｌに激しく
撹拌しながら投入し、粘調固体を析出させた。析出した
粘調固体をデカントにより分離し水洗した後、カラムク
ロマトグラフィー（充填剤：シリカゲル、溶離液：酢酸
エチル）にて精製し、白色粉体１９．７ｇを得た。ＮＭ
Ｒ測定により、この粉体が本発明の構造例（a8）の原料
モノマーであることを確認した。

【０１２８】

【化５２】

【０１２９】［合成例６（構造例（a22)の原料モノマー
の合成）］無水マレイン酸９．８ｇ（０．１０モル）を
ＴＨＦ２００ｍｌに溶解し、ピリジン２３．８ｇを加え
た後、上記化合物（１）２８．５ｇ（０．１０モル）を
添加し、５時間加熱環流させた。放冷後、反応溶液をイ
オン交換水３Ｌに激しく撹拌しながら投入し、粘調固体
を析出させた。析出した粘調固体をデカントにより分離
し水洗した後、カラムクロマトグラフィー（充填剤：シ
リカゲル、溶離液：ヘキサン／酢酸エチル＝１／１）に
て精製し、白色粉体２３．８ｇを得た。ＮＭＲ測定によ
り、この粉体が本発明の構造例（a22)の原料モノマーで
あることを確認した。

【０１３０】［合成例７（構造例（b7）の原料モノマー
の合成）］無水メタクリル酸１５．４ｇ（０．１０モ
ル）、３−ヒドロキシ−３−メチルブテノール８．６ｇ
（０．１０モル）をＴＨＦ２００ｍｌに溶解した。この
溶液にＮ，Ｎ−ジメチルアミノピリジン１２．３ｇ
（０．１０モル）のＤＭＦ５０ｍｌ溶液を、室温にて撹
拌下添加した。更に撹拌下、５時間加熱環流させた。放
冷後、反応溶液をイオン交換水３Ｌに激しく撹拌しなが
ら投入し、酢酸エチル３００ｍｌにて抽出した。酢酸エ
チル溶液を水洗し硫酸マグネシウムで乾燥した後、減圧
下濃縮した。減圧蒸留にて精製し、無色液体１１．４ｇ
を得た。ＮＭＲ測定により、この液体が本発明の構造例
（b7）の原料モノマーであることを確認した。

【０１３１】［合成例８（構造例（b15)の原料モノマー
の合成）］メタクリル酸１７．２ｇ（０．２０モル）、
ジヒドロピラン２５．２ｇ（０．３０モル）をＴＨＦ２
００ｍｌに溶解した。この溶液に触媒として２−エチル
ヘキシルリン酸エステル０．１ｇを添加し、５０℃にて
８時間加熱撹拌させた。トリエチルアミンにて触媒を中
和した後、減圧蒸留にて精製し、無色液体２６．５ｇを
得た。ＮＭＲ測定により、この液体が本発明の構造例
（b15)の原料モノマーであることを確認した。

【０１３２】［合成例９（構造例（b18)の原料モノマー
の合成）］合成例８のジヒドロピランの代わりに、エチ
ルビニルエーテル２１．６（０．３０モル）を使用し、
その他は合成例７と同様にして無色液体２４．５ｇを得
た。ＮＭＲ測定により、この液体が本発明の構造例（b1
8)の原料モノマーであることを確認した。

【０１３３】［合成例１０（構造例（b20 ）の原料モノ
マーの合成）］メタクリル酸１７．２ｇ（０．２０モ
ル）、２−メトキシエトキシメチルクロリド２４．９ｇ
（０．２０モル）をＤＭＡｃ２００ｍｌに溶解した。ト
リエチルアミン２０．３ｇを添加し、９０℃にて７時間
加熱撹拌させた。放冷後、反応溶液をイオン交換水３Ｌ
に激しく撹拌しながら投入し、酢酸エチル３００ｍｌに
て抽出した。酢酸エチル溶液を水洗し硫酸マグネシウム
で乾燥した後、減圧下濃縮した。カラムクロマトグラフ
ィー（充填剤：シリカゲル、溶離液：ヘキサン／酢酸エ
チル＝３／１）にて精製し、無色液体１３．４ｇを得
た。ＮＭＲ測定により、この液体が本発明の構造例（b2
0 ）の原料モノマーであることを確認した。

【０１３４】［合成例１１（構造例（a7）／（b7）／ア
クリロニトリルから成る本発明の樹脂の合成）］上記合
成例にて得られた構造例（a7）／（b7）の原料モノマー
を各々２０．０ｇ（０．０４５モル）／４．３１ｇ
（０．０２５モル）、更にアクリロニトリル１．５９ｇ
（０．０３０モル）を１−メトキシ−２−プロパノール
６０ｍｌに溶解し、窒素気流及び撹拌下、７０℃にて重
合開始剤２，２’−アゾビス（２，４−ジメチルバレロ
ニトリル）（和光純薬工業（株）製；商品名Ｖ−６５）
１００ｍｇを添加した。反応開始２時間及び４時間後に
同開始剤各々１００ｍｇを追加した。更に３時間反応
後、９０℃に昇温し撹拌を１時間続けた。反応液を放冷
後、イオン交換水１Ｌに激しく撹拌しながら投入するこ
とにより、ポリマーを析出させた。得られたポリマーを
減圧下、４０℃にて乾燥し、本発明の樹脂（ｐ−１）２
１．９ｇを得た。ＧＰＣにて分子量を測定したところ、
重量平均（Ｍｗ：ポリスチレン換算）で２８．７×１０
³ （分散度（Ｍｗ／Ｍｎ）２．６）であった。

【０１３５】［合成例１２（構造例（a1）／（b15 ）／
(c2)から成る本発明の樹脂の合成）］上記合成例にて得
られた構造例（a1）／（b15 ）の原料モノマーを各々１
７．７ｇ（０．０５０モル）／５．９６ｇ（０．０３５
モル）、更にメタクリル酸１．２９ｇ（０．０１５モ
ル）を１−メトキシ−２−プロパノール６０ｍｌに溶解
し、以下合成例１１と同様に反応、後処理をして本発明
の樹脂（ｐ−２）２２．６ｇを得た。ＧＰＣにて分子量
を測定したところ、重量平均（Ｍｗ：ポリスチレン換
算）で３２．５×１０³ 、分散度（Ｍｗ／Ｍｎ）２．
８）であった。

【０１３６】［合成例１３〜３０（本発明の樹脂（ｐ−
３）〜（ｐ−２０）の合成）］以下合成例１１、１２と
同様にして、下記表１に示す繰り返し構造単位の原料モ
ノマーを用い、本発明の樹脂を合成した。使用した構造
単位、その原料モノマー仕込みモル比、及び生成した樹
脂の重量平均分子量を合わせて表１に示す。

【０１３７】

【表１】

【０１３８】実施例１（光学濃度の測定） 上記合成例で得られた本発明の樹脂１．０ｇとトリフェ
ニルスルホニウムのトリフレート塩０．０３ｇをプロピ
レングリコールモノメチルエーテルアセテート４．５ｇ
に溶解し、０．２μｍのテフロンフィルターにより濾過
した。スピンコーターにて石英ガラス基板上に均一に塗
布し、１００℃で９０秒間ホットプレート上で加熱乾燥
を行い、１μｍのレジスト膜を形成させた。得られた膜
の光学吸収を紫外線分光光度計にて測定したところ、１
９３ｎｍの光学濃度は表２に示す通りであった。

【０１３９】

【表２】

【０１４０】表２の結果から、本発明の樹脂の光学濃度
測定値は比較例のポリ（ヒドロキシスチレン）の値より
小さく、１９３ｎｍ光に対し十分な透過性を有すること
が判る。

【０１４１】実施例２（耐ドライエッチング性の測定） 上記合成例で得られた本発明の樹脂１．０ｇをプロピレ
ングリコールモノメチルエーテルアセテート４．５ｇに
溶解し、０．２μｍのテフロンフィルターにより濾過し
た。スピンコーターにてシリコン基板上に均一に塗布
し、１００℃で９０秒間ホットプレート上で加熱乾燥を
行い、０．７μｍのレジスト膜を形成させた。得られた
膜をＵＬＶＡＣ製リアクティブイオンエッチング装置
（ＣＳＥ−１１１０）を用いて、ＣＦ₄ ／Ｏ₂ （８／
２）のガスに対するエッチング速度を測定したところ、
表３に示す通りであった（エッチング条件：Ｐｏｗｅｒ
＝５００Ｗ、Ｐｒｅｓｓｕｒｅ＝４．６Ｐａ、Ｇａｓ
Ｆｌｏｗ Ｒａｔｅ＝１０ｓｃｃｍ）。

【０１４２】

【表３】

【０１４３】表３の結果から、本発明の樹脂のエッチン
グ速度は比較例のポリ（メチルメタクリレート）及びポ
リマー（１）の値より十分小さく、十分な耐ドライエッ
チング性を有することが判る。

【０１４４】実施例３（画像評価） 上記合成例で得られた本発明の樹脂１．０ｇとトリフェ
ニルスルホニウムのトリフレート塩０．０３ｇをプロピ
レングリコールモノメチルエーテルアセテート４．５ｇ
に溶解し、０．２μｍのテフロンフィルターにより濾過
した。スピンコーターにてヘキサメチルジシラザン処理
を施したシリコン基板上に均一に塗布し、１００℃で９
０秒間ホットプレート上で加熱乾燥を行い、０．４μｍ
のレジスト膜を形成させた。このレジスト膜に対し、Ｋ
ｒＦエキシマーレーザーステッパー（ＮＡ＝０．４２；
２４８ｎｍ）を使用してパターン露光し、露光後直ぐに
１１０℃で６０秒間ホットプレート上で加熱した。更に
２．０％テトラメチルアンモニウムヒドロオキサイド水
溶液で２３℃下６０秒間浸漬現像し、３０秒間純水にて
リンスした後、乾燥した。ここで、パターン形状は、得
られたパターンを走査型電子顕微鏡にて観察し、矩形な
ものを良好とした。ここで、感度は、０．３５μｍのマ
スクパターンを再現する露光量をもって定義した。解像
度は、０．３５μｍのマスクパターンを再現する露光量
での限界解像力をもって定義した。この結果、表４に示
した感度、解像度にて、レジスト膜の露光部のみが溶解
除去された良好なポジ型のパターンを形成した。

【０１４５】

【表４】

【０１４６】表４の結果から、本発明の樹脂を使用した
レジストは、高感度で解像度が良好である。またパター
ン形状が良好であることが判る。

【０１４７】実施例４（画像評価） 実施例３で得られた０．４μｍのレジスト膜上に、石英
板上にクロムでパターンを描いたマスクを密着させ、Ａ
ｒＦエキシマーレーザー光（１９３ｎｍ）を照射した。
露光後直ぐに１１０℃で６０秒間ホットプレート上で加
熱した。更に２．０％テトラメチルアンモニウムヒドロ
オキサイド水溶液で２３℃下６０秒間浸漬現像し、３０
秒間純水にてリンスした後、乾燥した。この結果、表５
に示した感度、解像度にて、レジスト膜の露光部のみが
溶解除去された良好なポジ型のパターンを形成した。感
度、解像度及びパターン形状は前記と同様に評価した。

【０１４８】

【表５】

【０１４９】表５の結果から、本発明の樹脂を使用した
レジストは、ＡｒＦエキシマーレーザー光に対しても良
好な感度、解像度を示し、ポジ型の良好なパターンを形
成することが判る。

【０１５０】

【発明の効果】以上に示したことから明らかな様に、本
発明の樹脂を用いたポジ型感光性組成物は、特に２２０
ｎｍ以下の遠紫外光に対し高い透過性を有し、且つ耐ド
ライエッチング性が良好である。また２５０ｎｍ以下、
更には２２０ｎｍ以下の遠紫外光（特にＡｒＦエキシマ
ーレーザー光）を露光光源とする場合、高感度、高解像
度、且つ良好なパターンプロファイルを示し、半導体素
子製造に必要な微細パターンの形成に有効に用いること
が可能である。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁶ 識別記号 ＦＩ Ｈ０１Ｌ 21/027 Ｈ０１Ｌ 21/30 ５０２Ｒ

Claims (8)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 （Ａ）活性光線又は放射線の照射により
   酸を発生する化合物、及び（Ｂ）下記一般式（Ｉ）、
   （II）又は(III）で表される１価の多環型の脂環式基の
   うち少なくとも１つと、酸の作用により分解してアルカ
   リ現像液中での溶解性を増大させる基とを有する樹脂を
   含有することを特徴とするポジ型感光性組成物。 【化１】 式（Ｉ）〜（III)中、Ｒ₁ 〜Ｒ₅ は同じでも異なってい
   てもよく、置換基を有していても良い、アルキル基、シ
   クロアルキル基、アルケニル基もしくはアルキニル基、
   ハロゲン原子、シアノ基、−Ｒ₆ −Ｏ−Ｒ₇ 基、−Ｒ₈
   −ＣＯ−Ｏ−Ｒ ₉ 基、−Ｒ₁₀−ＣＯ−ＮＲ₁₁Ｒ₁₂基又は
   −Ｒ₁₃−Ｏ−ＣＯ−Ｒ₁₄基を表す。Ｒ₇ 、Ｒ₉ は同じで
   も異なっていてもよく、水素原子、置換基を有していて
   も良い、アルキル基、シクロアルキル基もしくはアルケ
   ニル基、又は酸の作用により分解してアルカリ現像液中
   での溶解性を増大させる基を表す。Ｒ₁₁〜Ｒ₁₂、Ｒ₁₄は
   同じでも異なっていてもよく、水素原子、置換基を有し
   ていても良い、アルキル基、シクロアルキル基又はアル
   ケニル基を表し、Ｒ₁₁とＲ₁₂が結合して環を形成しても
   良い。Ｒ₆ 、Ｒ₈ 、Ｒ₁₀、Ｒ₁₃は同じでも異なっていて
   もよく、単結合もしくは、置換基を有していても良い、
   アルキレン基、アルケニレン基、又はシクロアルキレン
   基を表す。ｌ、ｍ、ｎ、ｐ、ｑは同じでも異なっていて
   もよく、０又は１〜５の整数を示す。ここで、ｌ、ｍ、
   ｎ、ｐ又はｑが２以上の場合、各複数個のＲ₁ 〜Ｒ₅ は
   同一でも相異していても良く、その２個のＲ₁ 〜Ｒ
   ₅ が、同一炭素原子上に置換する場合、その２個でカル
   ボニル基（＝Ｏ）又はチオカルボニル基（＝Ｓ）を表し
   ても良く、更に２個のＲ₁ 〜Ｒ₅ が、隣接する炭素原子
   上に置換する場合はその２個で互いに結合し、それら炭
   素原子間の二重結合を表しても良い。また、Ｒ₁ 〜Ｒ₅
   が各々２個以上置換している場合、その２個のＲ₁ 〜Ｒ
   ₅ が互いに結合して環を形成してもよい。一般式
   （Ｉ）、（II）又は(III）で表される１価の多環型の脂
   環式基の結合手の位置は、それら炭化水素多環構造中の
   いずれの位置でも良い。
2. 【請求項２】 （Ｂ）成分の樹脂が、下記一般式（I
   V）、（Ｖ）又は（VI）で表される繰り返し構造単位の
   うち少なくとも一つと、酸の作用により分解してアルカ
   リ現像液中での溶解性を増大させる基とを有する樹脂で
   あることを特徴とする請求項１に記載のポジ型感光性組
   成物。 【化２】 式（IV）〜（VI）中、Ｒ₁₅、Ｒ₁₆、Ｒ₁₈〜Ｒ₂₀は同じで
   も異なってもよく、水素原子、ハロゲン原子、シアノ
   基、アルキル基又はハロアルキル基を表す。Ｒ₁₇は、シ
   アノ基、−ＣＯ−ＯＲ₂₇又は−ＣＯ−ＮＲ₂₈Ｒ₂₉を表
   す。Ｘ₁ 〜Ｘ₃ は同じでも異なってもよく、単結合であ
   るか、置換基を有していても良い、２価のアルキレン
   基、アルケニレン基もしくはシクロアルキレン基、−Ｏ
   −、−ＳＯ₂ −、−Ｏ−ＣＯ−Ｒ₃₀−、−ＣＯ−Ｏ−Ｒ
   ₃₁−、又は−ＣＯ−ＮＲ ₃₂−Ｒ₃₃−を表す。Ｒ₂₇は水素
   原子、置換基を有していても良い、アルキル基、シクロ
   アルキル基もしくはアルケニル基、又は酸の作用により
   分解してアルカリ現像液中での溶解性を増大させる基を
   表す。Ｒ₂₈、Ｒ₂₉、Ｒ₃₂は同じでも異なってもよく、水
   素原子、置換基を有していても良い、アルキル基、シク
   ロアルキル基又はアルケニル基を表す。またＲ₂₈とＲ₂₉
   が結合して環を形成しても良い。Ｒ₃₀〜Ｒ₃₁、Ｒ₃₃は同
   じでも異なってもよく、単結合もしくは、２価のアルキ
   レン基、アルケニレン基又はシクロアルキレン基を表
   し、更にこれらの基は、エーテル基、エステル基、アミ
   ド基、ウレタン基あるいはウレイド基とともに２価の基
   を形成しても良い。Ｙは、請求項１に記載の一般式
   （Ｉ）〜（III)で表される多環型の脂環式基を表す。
3. 【請求項３】 （Ｂ）成分の樹脂が、請求項２に記載の
   一般式（IV）、（Ｖ）又は（VI）で表される繰り返し構
   造単位のうち少なくとも一つと、下記一般式（VII)、
   （VIII）又は（IX）で表される繰り返し構造単位のうち
   少なくとも一つを有し、酸の作用により分解してアルカ
   リ現像液中での溶解性が増大する樹脂であることを特徴
   とする請求項１又は２に記載のポジ型感光性組成物。 【化３】 式（VII)〜（IX）中、Ｒ₂₁、Ｒ₂₂、Ｒ₂₄〜Ｒ₂₆は同じで
   も異なってもよく、水素原子、ハロゲン原子、シアノ
   基、アルキル基又はハロアルキル基を表す。Ｒ₂₃は、シ
   アノ基、−ＣＯ−ＯＲ₂₇又は−ＣＯ−ＮＲ₂₈Ｒ₂₉を表
   す。Ｘ₄ 〜Ｘ₆ は同じでも異なってもよく、単結合であ
   るか、置換基を有していても良い、２価のアルキレン
   基、アルケニレン基もしくはシクロアルキレン基、−Ｏ
   −、−ＳＯ₂ −、−Ｏ−ＣＯ−Ｒ₃₀−、−ＣＯ−Ｏ−Ｒ
   ₃₁−、又は−ＣＯ−ＮＲ ₃₂−Ｒ₃₃−を表す。Ｒ₂₇は水素
   原子、置換基を有していても良い、アルキル基、シクロ
   アルキル基もしくはアルケニル基、又は酸の作用により
   分解してアルカリ現像液中での溶解性を増大させる基を
   表す。Ｒ₂₈、Ｒ₂₉、Ｒ₃₂は同じでも異なってもよく、水
   素原子、置換基を有していても良い、アルキル基、シク
   ロアルキル基又はアルケニル基を表す。またＲ₂₈とＲ₂₉
   が結合して環を形成しても良い。Ｒ₃₀〜Ｒ₃₁、Ｒ₃₃は同
   じでも異なってもよく、単結合もしくは、２価のアルキ
   レン基、アルケニレン基又はシクロアルキレン基を表
   し、更にこれらの基は、エーテル基、エステル基、アミ
   ド基、ウレタン基あるいはウレイド基とともに２価の基
   を形成しても良い。Ｂは、酸の作用により分解してアル
   カリ現像液中での溶解性を増大させる基を表す。
4. 【請求項４】 （Ｂ）成分の樹脂が、更にカルボキシル
   基を有することを特徴とする請求項１〜３のいずれかに
   記載のポジ型感光性組成物。
5. 【請求項５】 （Ｂ）成分の樹脂が、更にカルボキシル
   基を有する下記一般式（Ｘ）、（XI）又は（XII)で表さ
   れる繰り返し構造単位のうち少なくとも一つを含有する
   ことを特徴とする請求項４に記載のポジ型感光性組成
   物。 【化４】 一般式（Ｘ）〜（XII)中、Ｒ₃₄、Ｒ₃₅、Ｒ₃₇〜Ｒ₃₉は同
   じでも異なってもよく、水素原子、ハロゲン原子、シア
   ノ基、アルキル基又はハロアルキル基を表す。Ｒ₃₆はシ
   アノ基、カルボキシル基、−ＣＯ−ＯＲ₄₀又は−ＣＯ−
   ＮＲ₄₁Ｒ₄₂を表す。Ｘ₇ 〜Ｘ₉ は同じでも異なってもよ
   く、単結合、置換基を有していても良い、２価のアルキ
   レン基、アルケニレン基もしくはシクロアルキレン基、
   −Ｏ−、−ＳＯ₂ −、−Ｏ−ＣＯ−Ｒ₄₃−、−ＣＯ−Ｏ
   −Ｒ₄₄−又は−ＣＯ−ＮＲ₄₅−Ｒ₄₆−を表す。Ｒ₄₀は置
   換基を有していても良い、アルキル基、シクロアルキル
   基、アルケニル基を表す。Ｒ₄₁、Ｒ₄₂、Ｒ₄₅は同じでも
   異なってもよく、水素原子、置換基を有していても良
   い、アルキル基、シクロアルキル基又はアルケニル基を
   表し、Ｒ₄₁とＲ₄₂が結合して環を形成しても良い。
   Ｒ₄₃、Ｒ₄₄、Ｒ₄₆は同じでも異なってもよく、単結合あ
   るいは、２価のアルキレン基、アルケニレン基、シクロ
   アルキレン基を表し、更にこれらの基は、エーテル基、
   エステル基、アミド基、ウレタン基又はウレイド基とと
   もに２価の基を形成しても良い。
6. 【請求項６】 酸の作用により分解し得る基を有し、ア
   ルカリ現像液中での溶解性が酸の作用により増大する、
   分子量３，０００以下の低分子酸分解性溶解阻止化合物
   を含有することを特徴とする請求項１〜５のいずれかに
   記載のポジ型感光性組成物。
7. 【請求項７】 露光光源として、２５０ｎｍ以下の遠紫
   外光を使用することを特徴とする請求項１〜６のいずれ
   かに記載のポジ型感光性組成物。
8. 【請求項８】 露光光源として、２２０ｎｍ以下の遠紫
   外光を使用することを特徴とする請求項７に記載のポジ
   型感光性組成物。