JPH10251845A - アーク式イオンプレーティング装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 基材の表面に形成される薄膜の平滑性と密着
性とを両立させることができるアーク式イオンプレーテ
ィング装置を提供する。 【解決手段】 このアーク式イオンプレーティング装置
は、真空排気装置６に接続されていて真空容器２内を真
空排気する排気口４を真空容器２の側壁部に設け、この
排気口４内に、アーク式蒸発源１０の陰極１２を配置し
ている。この陰極１２は、排気口４の前方近傍に配置し
ても良い。アーク式蒸発源１０を複数台備える場合は、
排気口４を各アーク式蒸発源１０に対して設けて、各排
気口４内またはその前方近傍に各アーク式蒸発源１０の
陰極１２をそれぞれ配置すれば良い。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】この発明は、アーク式蒸発源
を用いたアーク式イオンプレーティング法によって、工
具等の基材の表面に化合物薄膜を形成するアーク式イオ
ンプレーティング装置に関し、より具体的には、基材の
表面に形成される薄膜の平滑性と密着性とを両立させる
手段に関する。

【０００２】

【従来の技術】工具、金型、機械部品等の耐摩耗性、耐
食性等を向上させるために、それらの基材の表面に、耐
摩耗性、耐食性等に優れた化合物薄膜（具体的にはセラ
ミックス薄膜）を形成することが従来から行われてい
る。

【０００３】そのための薄膜形成装置の内でも、アーク
放電によって陰極を溶解させて陰極物質を蒸発させるア
ーク式蒸発源を備えていて、このアーク式蒸発源で発生
させた陰極物質イオンを電界によって基材に引き込んで
基材表面に薄膜を形成するアーク式イオンプレーティン
グ装置は、膜の密着性が良い、成膜速度が大きい等の利
点を有している。膜の密着性が良いのは、前記陰極物質
中に含まれている陰極物質イオンを、負バイアス電圧等
による電界によって基材に引き込んで衝突させることが
できるからである。成膜速度が大きいのは、アーク放電
を利用して陰極を溶解させるからである。

【０００４】このようなアーク式イオンプレーティング
装置の従来例を図１１に示す。この装置は、排気口４を
通して真空排気装置６によって真空に（例えば１×１０
^-5Ｔｏｒｒ程度以下の圧力に）排気される真空容器２を
備えている。排気口４は、後述するアーク式蒸発源１０
を避けて、真空容器２のスペースの空いている側壁部ま
たは底面部（図示例の場合）に設けられている。

【０００５】真空容器２の天井部には、反応性ガス導入
手段としてガス導入口３０が設けられており、このガス
導入口３０から真空容器２内に反応性ガス２８が導入さ
れる。反応性ガス２８は、後述するアーク式蒸発源１０
の陰極１２を構成する物質（例えばＴi ）と反応するガ
ス（例えばＮ₂ ）である。

【０００６】真空容器２内には、被処理物である基材２
０を保持するホルダ２２が設けられている。このホルダ
２２には、直流のバイアス電源２６から、通常は例えば
−数百Ｖ〜−１０００Ｖ程度の負のバイアス電圧が印加
される。２４は絶縁物である。基材２０に対する処理の
均一性を高めるために、ホルダ２２およびその上の基材
２０を矢印Ａのように回転させる場合もある。

【０００７】真空容器２の壁面には、ホルダ２２上の基
材２０に向くように、１台以上の（図示例では３台であ
るが、これに限らない）アーク式蒸発源１０が取り付け
られている。各アーク式蒸発源１０は、絶縁物１６によ
って真空容器２から絶縁された陰極１２を有しており、
この陰極１２とこの例では陽極を兼ねる真空容器２との
間のアーク放電によって陰極１２を溶解させて陰極物質
１４を蒸発させる。１８は直流のアーク電源である。陰
極１２としては通常は金属が用いられる。上記陰極物質
１４には、陰極１２の近傍に生じるアークプラズマによ
ってイオン化された陰極物質イオン（例えば金属イオ
ン）も含まれている。

【０００８】薄膜形成に際しては、通常は、基材２０に
対するボンバードを行った後に成膜を行う。即ち、真空
容器２内を十分に（例えば１×１０^-5Ｔｏｒｒ以下に）
真空排気した後、真空容器２内に上記のような反応性ガ
ス２８を導入すると共に、バイアス電源２６からホルダ
２２を通じて基材２０に比較的大きい、例えば−１００
０Ｖ程度のバイアス電圧を印加する。その状態で、各ア
ーク式蒸発源１０を動作させて、その各陰極１２から陰
極物質１４を蒸発させてそれに含まれている陰極物質イ
オンを基材２０に入射させて基材２０に対してボンバー
ドを行い、基材２０の表面の清浄化（クリーニング）と
加熱とを行う。

【０００９】次いで、バイアス電源２６から基材２０に
印加するバイアス電圧をボンバード時よりも下げて、例
えば−２００Ｖ程度に下げて、かつ通常は各アーク電源
１８から各アーク式蒸発源１０に流すアーク電流をボン
バード時よりも大きくして、基材２０に対する成膜を行
う。このとき、各陰極１２から蒸発させた陰極物質１４
に含まれている陰極物質イオン（例えばＴi イオン）
が、基材２０に印加した負バイアス電圧によって基材２
０に向けて加速されて衝突すると共に、周りの反応性ガ
ス２８（例えばＮ₂ ）と反応して、基材２０の表面に化
合物薄膜（例えばＴiＮ薄膜）が形成される。

【００１０】

【発明が解決しようとする課題】上記アーク式イオンプ
レーティング装置においては、基材２０の表面にドロッ
プレット（粗大な陰極粒子）の少ない平滑な薄膜を形成
するためには、ガス導入口３０から真空容器２内に導入
する反応性ガス２８の流量を大きくする必要がある。こ
れは、反応性ガス２８の流量を大きくすると真空容器２
内の反応性ガス圧が上昇して、陰極１２構成物質と反応
性ガス２８とが反応して元の陰極１２よりも融点の高い
化合物層が陰極１２の表面に形成されやすくなり、この
化合物層によって、各陰極１２の前面にアーク放電の陰
極点が多数生じてアーク電流が多くの陰極点に分散され
るので、陰極表面での粗大溶融部の広がりが抑えられ
（これらの効果はポイゾニング効果と呼ばれる）、これ
によって各陰極１２からのドロップレットの発生・飛散
を抑えることができるからである。

【００１１】ところが、ガス導入口３０から真空容器２
内に導入する反応性ガス２８の流量を大きくすると、基
材２０に対する薄膜の密着性は低下する。これは、反応
性ガス２８の流量を大きくすると真空容器２内の反応性
ガス圧が上昇して、各陰極１２から基材２０に向けて飛
行する陰極物質イオンが途中で反応性ガス分子と衝突お
よび反応する確率が高くなって、陰極物質イオンの基材
２０への入射量や入射エネルギーが減少し、それによっ
て入射イオンによる基材表面の清浄化および活性化が損
なわれ、薄膜の密着性が低下するからである。

【００１２】図１２に、図１１の装置によって形成され
た薄膜（ＴiＮ薄膜）の特性の一例を示す。ここでは、
薄膜の密着性をスクラッチ試験によるスクラッチ強度
（Ｎ）で評価し、薄膜の平滑性を膜表面の平均粗さＲａ
（μｍ）で評価した。ガス導入口３０から真空容器２内
に導入する反応性ガス２８の流量が２０ｓｃｃｍ以上に
なると平均粗さが小さくなって平滑性が向上し始めるけ
れども、同時にスクラッチ強度も小さくなって密着性も
低下し始めている。このように、従来のアーク式イオン
プレーティング装置では、基材２０の表面に形成される
薄膜の平滑性と密着性とを両立させることはできなかっ
た。

【００１３】そこでこの発明は、基材の表面に形成され
る薄膜の平滑性と密着性とを両立させることができるア
ーク式イオンプレーティング装置を提供することを主た
る目的とする。

【００１４】

【課題を解決するための手段】この発明のアーク式イオ
ンプレーティング装置は、真空容器内を真空排気する真
空排気口を各アーク式蒸発源に対してそれぞれ設けて、
各排気口内またはその前方近傍に各アーク式蒸発源の陰
極をそれぞれ配置していることを特徴としている。

【００１５】従来例において薄膜の平滑性と密着性とを
両立させることができなかった原因を追求したところ、
真空容器内に導入された反応性ガスの内でアーク式蒸発
源の陰極表面での化合物層形成に寄与するものの割合が
非常に小さく、陰極表面に化合物層を十分に形成するほ
ど多量に反応性ガスを導入すると、余った反応性ガスに
よって真空容器内全体のガス圧が上昇して、前述した陰
極物質イオンと反応性ガス分子との衝突および反応によ
る薄膜の密着性低下が大きくなるからであることが分か
った。

【００１６】これに対してこの発明のように、排気口内
またはその前方近傍にアーク式蒸発源の陰極を配置する
と、真空容器内に導入された反応性ガスは全て排気口か
ら排出されるため、真空容器内に導入された反応性ガス
は必ず陰極付近を通ることになり、陰極表面付近の反応
性ガスの局所的な流量が大きくなる。

【００１７】アーク式蒸発源の動作中は、陰極表面では
絶えずアークスポット（陰極点）が移動しており、アー
クスポットが通過した後には、前述した化合物層で覆わ
れていない新鮮な陰極面が露出する。その場合、陰極表
面付近の反応性ガスの局所的な流量が大きいほど、露出
した陰極面を化合物層で再び覆う速度が速く、アークス
ポットが再びそこに来てもドロップレットは生成・飛散
しにくくなる。即ち、この発明のようにすることによっ
て、真空容器内に導入する反応性ガス流量をあまり大き
くしなくても、陰極表面と反応性ガスとの反応性が高ま
り、陰極表面に化合物層を形成しやすくなり、ドロップ
レットの生成・飛散を抑制することができる。その結
果、平滑性の高い薄膜形成が可能になる。

【００１８】しかも、真空容器内に導入する反応性ガス
流量をあまり大きくしなくて済むので、真空容器内の反
応性ガス圧の上昇も小さく、従って基材に向けて飛行す
る陰極物質イオンが途中で反応性ガス分子と衝突および
反応する確率が低くなって、陰極物質イオンの基材への
入射量や入射エネルギーが減少する割合が減り、密着性
の高い薄膜形成が可能になる。

【００１９】

【発明の実施の形態】図１は、この発明に係るアーク式
イオンプレーティング装置の一例をガスの模式的な流れ
と共に示す概略断面図である。図１１の従来例と同一ま
たは相当する部分には同一符号を付し、以下においては
当該従来例との相違点を主に説明する。

【００２０】この実施の形態では、真空排気装置６に接
続されていて真空容器２内を真空排気する排気口４を真
空容器２の側壁部に設け、この排気口４内に、前述した
アーク式蒸発源１０の陰極１２を配置している。

【００２１】このような構造にすると、天井部のガス導
入口３０から導入された反応性ガス２８は、図中に破線
で模式的に示すように、真空容器２内に拡散するけれど
も、最後は排気口４から排出されるため、必ず陰極１２
付近を通ることになり、従って陰極１２の表面付近での
反応性ガス２８の局所的な流量が大きくなる。

【００２２】その結果、上に詳述したように、陰極１２
からのドロップレットの生成・飛散を抑制して、基材２
０上に平滑性の高い薄膜形成が可能になると共に、陰極
１２から基材２０に向けて飛行する陰極物質イオンの基
材２０への入射量や入射エネルギーの減少を抑えて、基
材２０上に密着性の高い薄膜形成が可能になる。

【００２３】図２に、図１の装置によって形成された薄
膜（ＴiＮ薄膜）の特性の一例を示す。ガス導入口３０
から真空容器２内に導入する反応性ガス２８の流量を選
ぶことにより、具体的にはこの例では２０ｓｃｃｍ〜１
００ｓｃｃｍの範囲内にすることにより、スクラッチ強
度が大きくて密着性が高く、しかもドロップレットの平
均粗さが小さくて平滑性の高い薄膜形成が可能であるこ
とが分かる。即ち、薄膜の平滑性と密着性の両立が可能
である。

【００２４】なお、前述した図１１の従来例における反
応性ガス２８の流れを図１３中に破線で模式的に示す。
この例では簡略化のためにアーク式蒸発源１０を１台で
図示しているけれども、複数台の場合もこれとほぼ同様
になる。真空容器２内に導入された反応性ガス２８は、
アーク式蒸発源１０を避けて設けられた排気口４から排
出されるため、上記実施の形態の場合と違って、陰極１
２の表面付近で反応性ガス２８の局所的な流量が大きく
なることはない。

【００２５】アーク式蒸発源１０の陰極１２は、図３に
示す実施の形態のように、排気口４の前方近傍に配置し
ても良い。この場合も、排気口４から排出される反応性
ガス２８は必ず陰極１２付近を通るため、陰極１２の表
面付近での反応性ガス２８の局所的な流量が大きくな
り、図１に示した実施の形態の場合とほぼ同様の効果が
得られる。

【００２６】真空容器２内に反応性ガス２８を導入する
反応性ガス導入手段として、図４に示す実施の形態のよ
うに、アーク式蒸発源１０の陰極１２の前面（基材２０
に向く面）に反応性ガス２８を吹き付けるガス吹付け機
構３２を設けても良い。このようにすると、陰極１２の
表面付近での反応性ガス２８の局所的な流量が大きくな
るだけでなく、陰極１２の前面での反応性ガス２８の圧
力が上昇し、前述したアークスポット移動後の新鮮な陰
極面を化合物層で覆う速度が更に速くなるので、即ち前
述したポイゾニング効果がより大きくなるので、図１ま
たは図２の実施の形態の場合よりも少量の反応性ガス２
８でドロップレットの生成・飛散を抑制することができ
る。

【００２７】なお、陰極１２の前面に吹き付けた反応性
ガス２８は、図４中に破線で模式的に示すように、基材
２０の周囲にも拡散するので、基材２０の表面付近で陰
極物質イオンと化合して化合物薄膜を形成するのに必要
な反応性ガス分子は十分に供給される。

【００２８】図５に、図４の装置によって形成された薄
膜（ＴiＮ薄膜）の特性の一例を示す。薄膜の平滑性と
密着性を両立させることができる反応性ガス２８の適正
流量範囲の下限が広がっていることが分かる。即ちこの
例では、１０ｓｃｃｍ〜１００ｓｃｃｍの範囲内で平滑
性と密着性とを両立させることができる。

【００２９】上記のようなガス吹付け機構３２を設ける
ことに加えて、図６に示す実施の形態のように、真空容
器２内にその壁面部から不活性ガス３４を導入する不活
性ガス導入手段として、不活性ガス導入口３６を真空容
器２の天井部（図６の例の場合）またはアーク式蒸発源
１０が設けられた側壁とは別の（好ましくは基材２０を
挟んで対向する）側壁部に設けても良い。不活性ガス３
４は、Ｈe 、Ａr 、Ｎe 、Ｋr 等のような、陰極１２を
構成する物質と反応しないガスである。

【００３０】このようにすると、図６中に模式的に示す
ように、不活性ガス導入口３６から導入され真空容器２
内に拡散して排気口４から排出される不活性ガス３４
（実線で示す）の流れによって、ガス吹付け機構３２か
ら陰極１２に吹き付けられた反応性ガス２８（破線で示
す）が基材２０側へ拡散するのがある程度抑制されるた
め、不活性ガス３４の流量を調整することによって、基
材２０の表面付近で陰極物質イオンと化合して化合物薄
膜を形成するのに必要な反応性ガス分子を供給しなが
ら、基材２０に向けて飛行する陰極物質イオンが途中で
反応性ガス分子と衝突および反応して減少することを一
層抑制することができるので、基材２０に入射する陰極
物質イオンの入射量および入射エネルギーの減少が一層
少なくなり、密着性の一層高い薄膜形成が可能になる。

【００３１】図７に、図６の装置によって形成された薄
膜（ＴiＮ薄膜）の特性の一例を示す。図５と比べれば
明らかなように、反応性ガス２８の流量が１０ｓｃｃｍ
〜１００ｓｃｃｍの範囲において、スクラッチ強度が一
層向上して薄膜の密着性が一層向上していることが分か
る。

【００３２】

【実施例】以下に示す実施例は、３台のアーク式蒸発源
１０を備えている場合の例であり、真空排気装置６につ
ながる排気口４をこの各アーク式蒸発源１０に対してそ
れぞれ設けて、各排気口４内に各アーク式蒸発源１０の
陰極１２をそれぞれ配置している。図８、図９および図
１０の実施例は、前述した図１、図４および図６の装置
にそれぞれ対応している。

【００３３】〈実施例１〉図８に示したアーク式イオン
プレーティング装置において、ホルダ２２に基材２０と
して、超硬合金から成るエンドミルを複数個保持した。
また、各アーク式蒸発源１０の陰極としてチタン（Ｔi
）を用いた。そして、真空容器２内を１×１０^-5Ｔｏ
ｒｒ以下の圧力に真空排気した後、ガス導入口３０から
反応性ガス２８として窒素ガスを５０ｓｃｃｍ導入しな
がら、バイアス電源２６からホルダ２２を通じて基材２
０に−１０００Ｖのバイアス電圧を印加した。その状態
で、各アーク式蒸発源１０の陰極１２と真空容器２との
間にアーク電源１８からアーク電圧を印加して、トリガ
（図示省略）を用いて、各陰極１２と真空容器２との間
にアーク放電を発生させた。このときのアーク電流を各
々６０Ａに設定した。これによって、各陰極１２から陰
極物質１４を蒸発させてそれに含まれている陰極物質イ
オン（この例ではチタンイオン）を基材２０に入射させ
て、基材２０に対してボンバードを５分間行った。引き
続いて、基材２０に印加するバイアス電圧を−２００Ｖ
に下げ、かつアーク電流を各々８０Ａとし、その状態で
３０分間成膜を行い、基材２０の表面に、陰極物質１４
（Ｔi ）と反応性ガス２８（Ｎ₂ ）とが反応して成る窒
化チタン（ＴiＮ）薄膜を形成した。

【００３４】このようにして形成されたＴiＮ薄膜の特
性を表１にまとめて示す。比較例として、図１１に示し
た従来装置によって同条件で形成したＴiＮ薄膜の特性
も示す。膜の密着性は、スクラッチ試験によるスクラッ
チ強度（Ｎ）で評価した。膜の平滑性は、膜表面の平均
粗さＲａ（μｍ）で評価した。

【００３５】

【表１】

【００３６】このように、実施例１では、比較例に比べ
て、薄膜の密着性が向上すると共に、平滑性が著しく向
上している。

【００３７】〈実施例２〉実施例１との相違点を主体に
説明すると、この実施例で用いたアーク式イオンプレー
ティング装置は、図９に示すように、図８に示したガス
導入口３０の代わりに、各アーク式蒸発源１０に前述し
たようなガス吹付け機構３２を設けており、この各ガス
吹付け機構３２から反応性ガス２８として窒素ガスを各
陰極１２に吹き付けることによって、窒素ガスを合計で
５０ｓｃｃｍ導入しながら、実施例１と同様の処理を行
った。これによって形成されたＴiＮ薄膜の特性を上記
表１に示す。

【００３８】この実施例２では、実施例１に比べて、適
正窒素ガス流量範囲の下限が広がっており、少ない窒素
ガス流量によっても、実施例１と同様の効果が得られて
いる。

【００３９】〈実施例３〉実施例２との相違点を主体に
説明すると、この実施例で用いたアーク式イオンプレー
ティング装置は、図１０に示すように、真空容器２の天
井部に不活性ガス導入口３６を更に備えており、三つの
ガス吹付け機構３２から反応性ガス２８を合計で５０ｓ
ｃｃｍ導入する（吹き付ける）と同時に、不活性ガス導
入口３６から不活性ガス３４としてアルゴンガスを１０
０ｓｃｃｍ導入しながら、実施例１および２と同様の処
理を行った。これによって形成されたＴiＮ薄膜の特性
を上記表１に示す。

【００４０】この実施例３では、実施例２に比べて、薄
膜の密着性が更に向上している。

【００４１】なお、陰極１２の材質と反応性ガス２８の
種類は、上記例以外のものでも良く、代表的な組み合わ
せの例を表２に示す。

【００４２】

【表２】

【００４３】また、成膜前のボンバード時には、真空容
器２内にガスを導入しなくても良いし、Ａr 等の不活性
ガスを導入しても良い。

【００４４】また、アーク式蒸発源１０の陰極１２の前
面付近には、陰極物質イオンの集まった正電位のクラウ
ドが形成され、基材２０のバイアス電圧が０Ｖであって
も、この正電位による電位差によって陰極物質イオンが
基材２０に向けて加速されるので、成膜時に基材２０に
印加するバイアス電圧は０Ｖでも良い。

【００４５】

【発明の効果】この発明は、上記のとおり構成されてい
るので、次のような効果を奏する。

【００４６】請求項１記載の発明によれば、排気口内ま
たはその前方近傍にアーク式蒸発源の陰極を配置してい
るので、陰極の表面付近での反応性ガスの局所的な流量
が大きくなり、それによって陰極からのドロップレット
の生成・飛散を抑制して、基材上に平滑性の高い薄膜形
成が可能になると共に、陰極から基材に向けて飛行する
陰極物質イオンの基材への入射量や入射エネルギーの減
少を抑えて、基材上に密着性の高い薄膜形成が可能にな
る。即ち、薄膜の平滑性と密着性とを両立させることが
できる。

【００４７】その結果例えば、耐久性が高く、しかも仕
上がり品質の高い切削工具等を製作することが可能にな
る。

【００４８】請求項２記載の発明によれば、上記のよう
なガス吹付け機構を備えているので、陰極前面での反応
性ガスの圧力を上昇させて陰極表面に化合物層をより効
果的に形成することができ、より少量の反応性ガスでド
ロップレットの生成・飛散を抑制することができる。そ
の結果、薄膜の平滑性と密着性とを両立させることので
きる反応性ガス流量範囲が広がるので、反応性ガス流量
の制御精度が緩和される等の利点が生じる。

【００４９】請求項３記載の発明によれば、上記のよう
な不活性ガス導入手段を更に備えているので、それから
導入された不活性ガスによって、ガス吹付け機構から陰
極に吹き付けられた反応性ガスが基材側へ拡散するのが
抑制されるため、陰極から基材に向けて飛行する陰極物
質イオンが途中で反応性ガス分子と衝突・反応して減少
することを一層抑制することができ、基材に入射する陰
極物質イオンの入射量および入射エネルギーの減少が一
層少なくなり、密着性の一層高い薄膜形成が可能にな
る。

【図面の簡単な説明】

【図１】この発明に係るアーク式イオンプレーティング
装置の一例をガスの模式的な流れと共に示す概略断面図
である。

【図２】図１の装置によって形成された薄膜の特性の一
例を示す図である。

【図３】この発明に係るアーク式イオンプレーティング
装置の他の例をガスの模式的な流れと共に示す概略断面
図である。

【図４】この発明に係るアーク式イオンプレーティング
装置の更に他の例をガスの模式的な流れと共に示す概略
断面図である。

【図５】図４の装置によって形成された薄膜の特性の一
例を示す図である。

【図６】この発明に係るアーク式イオンプレーティング
装置の更に他の例をガスの模式的な流れと共に示す概略
断面図である。

【図７】図６の装置によって形成された薄膜の特性の一
例を示す図である。

【図８】複数のアーク式蒸発源を備えるアーク式イオン
プレーティング装置の例を示す概略断面図であり、図１
の装置に対応している。

【図９】複数のアーク式蒸発源を備えるアーク式イオン
プレーティング装置の例を示す概略断面図であり、図４
の装置に対応している。

【図１０】複数のアーク式蒸発源を備えるアーク式イオ
ンプレーティング装置の例を示す概略断面図であり、図
６の装置に対応している。

【図１１】従来のアーク式イオンプレーティング装置の
一例を示す概略断面図である。

【図１２】図１１の装置によって形成された薄膜の特性
の一例を示す図である。

【図１３】図１１の装置におけるガスの流れを模式的に
示す図である。

【符号の説明】

２ 真空容器 ４ 排気口 ６ 真空排気装置 １０ アーク式蒸発源 １２ 陰極 １４ 陰極物質 ２０ 基材 ２２ ホルダ ２６ バイアス電源 ２８ 反応性ガス ３０ ガス導入口 ３２ ガス吹付け機構 ３４ 不活性ガス ３６ 不活性ガス導入口

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 平塚 治男 京都府京都市右京区梅津高畝町47番地 日 新電機株式会社内 (72)発明者 緒方 潔 京都府京都市右京区梅津高畝町47番地 日 新電機株式会社内

Claims (3)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 真空に排気される真空容器と、この真空
   容器内に設けられていて被処理物である基材を保持する
   ホルダと、前記真空容器に、その内部のホルダに保持さ
   れる基材に向けて取り付けられていて、アーク放電によ
   って陰極を溶解させて陰極物質を蒸発させる１台以上の
   アーク式蒸発源と、この各アーク式蒸発源の陰極構成物
   質と反応する反応性ガスを前記真空容器内に導入する反
   応性ガス導入手段とを備えるアーク式イオンプレーティ
   ング装置において、前記真空容器内を真空排気する真空
   排気口を前記各アーク式蒸発源に対してそれぞれ設け
   て、各排気口内またはその前方近傍に各アーク式蒸発源
   の陰極をそれぞれ配置していることを特徴とするアーク
   式イオンプレーティング装置。
2. 【請求項２】 前記反応性ガス導入手段として、前記各
   アーク式蒸発源の陰極の前面に前記反応性ガスをそれぞ
   れ吹き付けるガス吹付け機構を備えている請求項１記載
   のアーク式イオンプレーティング装置。
3. 【請求項３】 前記真空容器内にその壁面部から不活性
   ガスを導入する不活性ガス導入手段を更に備えている請
   求項２記載のアーク式イオンプレーティング装置。