JPH10256453A

JPH10256453A - 半導体装置用回路部材とそれを用いた半導体装置、及びそれらの製造方法

Info

Publication number: JPH10256453A
Application number: JP9074680A
Authority: JP
Inventors: Osamu Nagasaki; 修長崎; Masahito Sasaki; 将人佐々木
Original assignee: Dai Nippon Printing Co Ltd
Current assignee: Dai Nippon Printing Co Ltd
Priority date: 1997-03-12
Filing date: 1997-03-12
Publication date: 1998-09-25
Anticipated expiration: 2017-03-12
Also published as: JP4121582B2

Abstract

(57)【要約】【課題】一層の多端子化に対応でき生産面やコスト
面、さらには品質面で有利な回路部材、半導体装置を提
供する。同時に、該回路部材の製造方法、半導体装置の
製造方法を提供する【解決手段】導電性基板と、導電性基板上にめっきに
より形成された導電性金層により少なくとも二次元的に
形成された回路部等を有する半導体装置用の回路部材で
あって、回路部は、少なくとも、半導体素子と電気的に
連結するためのリ一ドと、外部回路と電気的接続を行う
ための外部端子部とを有し、一体的に連結されたリード
と外部端子部からなる組をそれぞれ独立して複数個備え
ており、且つ、回路部の外部端子部は、導電性基板の一
面上に、直接、電解めっきにより形成されており、回路
部のリードは、トランスファーモールドで前記外部端子
形成領域を除くように導電性基板上に直接設けられた絶
縁性のエポキシ樹脂層を介して、該絶縁性のエポキシ樹
脂層上に形成されている。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は，めっきにより薄く
形成された回路部を有する、面実装型の樹脂封止型半導
体装置用の回路部材と、該回路部材を用いた半導体装
置、およびそれらの製造方法に関するもので、特に、Ｐ
ＢＧＡ（ＰｌａｓｔｉｃＢａｌｌＧｒｉｄＡｒｒ
ａｙ）タイプの半導体装置用の回路部材に関する。

【０００２】

【従来の技術】近年、半導体装置は、電子機器の高性能
化と軽薄短小化の傾向（時流）からＬＳＩのＡＳＩＣに
代表されるように、ますます高集積化、高機能化になっ
ている。高集積化、高機能化された半導体装置において
は、信号の高速処理のためには、パッケージ内のインダ
クタンスが無視できない状況になってきて、パッケージ
内のインダクタンスを低減するために、電源、グランド
の接続端子数を多くし、実質的なインダクタンスを下げ
るようにして、対応してきた。この為、半導体装置の高
集積化、高機能化は外部端子（ピン）の総数の増加とな
り、ますます多端子（ピン）化が求められるようになっ
てきた。多端子（ピン）ＩＣ、特にゲートアレイやスタ
ンダードセルに代表されるＡＳＩＣあるいは、マイコ
ン、ＤＳＰ（ＤｉｇｉｔａｌＳｉｇｎａｌＰｒｏｃ
ｅｓｓｏｒ）等の半導体装置化には、リードフレームを
用いたものとしては、ＱＦＰ（ＱｕａｄＦｌａｔＰ
ａｃｋａｇｅ）等の表面実装型パッケージが用いられて
おり、ＱＦＰでは３００ピンクラスのものまでが実用化
に至ってきている。ＱＦＰは、図１４（ｂ）に示す単層
リードフレーム１３１０を用いたもので、図１４（ａ）
にその断面図を示すように、ダイパッド１３１１上に半
導体素子１３２０を搭載し、銀めっき、金めっき等の処
理がされたインナーリード先端部１３１２Ａと半導体素
子１３２０の端子（電極パッド）１３２１とをワイヤ１
３３０にて結線した後に、樹脂１３４０で封止し、ダム
バー部をカットし、アウターリード１３１３部をガルウ
イング状に折り曲げて作製されている。このようなＱＦ
Ｐは、パッケージの４方向へ外部回路と電気的に接続す
るためのアウターリードを設けた構造となり、多端子
（ピン）化に対応できるものとして開発されてきた。こ
こで用いられる単層リードフレーム１３１０は、通常、
コバール、４２合金（４２％Ｎｉ−鉄）、銅系合金等の
導電性に優れ、且つ強度が大きい金属板をフオトリソグ
ラフイー技術を用いたエッチング加工方法やスタンピン
グ法等により、図１４（ｂ）に示すような形状に加工し
て作製されていた。

【０００３】しかしながら、近年の半導体素子の信号処
理の高速化及び高性能（機能）化は、更に多くの端子を
必要としている。これに対し、ＱＦＰでは、外部端子ピ
ッチを狭めることにより、更なる多端子化に対応できる
が、外部端子を狭ピッチ化した場合、外部端子自体の幅
も狭める必要があり、外部端子強度を低下させることと
なる。その結果、端子成形（ガルウイング化）の位置精
度あるいは平坦精度等において問題を生じてしまう。ま
た、ＱＦＰでは、アウターリードのピッチが、０．４ｍ
ｍ、０．３ｍｍと更にピッチが狭くなるにつれ、これら
狭ピッチの実装工程が難しくなってきて、高度なボード
実装技術を実現せねばならない等の障害（問題）をかか
えている。

【０００４】これら従来のＱＦＰパッケージがかかえる
実装効率、実装性の問題を回避するために、半田ボール
をパッケージの外部端子に置き換えた面実装型パッケー
ジであるＢＧＡ（ＢａｌｌＧｒｉｄＡｒｒａｙ）と
呼ばれるプラスチックパッケージ半導体装置が開発され
てきた。ＢＧＡは、外部端子を裏面にマトリクス状（ア
レイ状）に配置した半田ボールとした表面実装型半導体
装置（プラスチックパッケージ）の総称である。通常、
このＢＧＡは、入出力端子を増やすために、両面配線基
板の片面に半導体素子を搭載し、もう一方の面に球状の
半田を取付けた外部端子用電極を設け、スルーホールを
通じて半導体素子と外部端子用電極との導通をとってい
た。球状の半田をアレイ状に並べることにより、端子ピ
ッチの間隔を従来のリードフレームを用いた半導体装置
より広くすることができ、この結果、半導体装置の実装
工程を難しくせず、入出力端子の増加に対応できた。Ｂ
ＧＡは、一般に図９に示すような構造である。図９
（ｂ）は図９（ａ）の裏面（基板）側からみた図で図９
（ｃ）はスルーホール８５０部を示したものである。こ
のＢＧＡはＢＴレジン（ビスマレイミド系樹脂）を代表
とする耐熱性を有する平板（樹脂板）の基材８０２の片
面に半導体素子８０１を搭載するダイパッド８０５と半
導体素子８０１からボンディングワイヤ８０８により電
気的に接続されるボンディングパッド８１０をもち、も
う一方の面に、外部回路と半導体装置との電気的、物理
的接続を行う格子状あるいは千鳥状に配置された半田ボ
ールにより形成した外部接続端子８０６をもち、外部接
続端子８０６とボンディングパッド８１０の間を配線８
０４とスルーホール８５０、配線８０４Ａにより電気的
に接続している構造である。しかしながら、このＢＧＡ
は搭載する半導体素子とワイヤの結線を行う回路と、半
導体装置化した後にプリント基板に実装するための外部
端子用電極とを、基材８０２の両面に設け、これらをス
ルーホール８５０を介して電気的に接続した複雑な構成
であり、樹脂の熱膨張の影響によりスルーホール８５０
に断線を生じることもあり、作製上、信頼性の点で問題
が多かった。

【０００５】この為、作製プロセスの簡略化、信頼性の
低下を回避するため、上記図９に示す構造のものの他
に、リードフレームをコア材として回路を形成したＰＢ
ＧＡ（ＰｌａｓｔｉｃＢａｌｌＧｒｉｄＡｒｒａ
ｙ）も、近年、種々提案されてきた。これらのリードフ
レームを使用するＰＢＧＡパッケージは、一般には、リ
ードフレーム９１０の外部端子部９１４に対応する箇所
に所定の孔をあけた、絶縁性の固定用フィルム９６０上
にリードフレーム９１０全体を固定して、樹脂封止した
図１０（ａ）に示すような構造、ないし固定用テープ９
６０Ａにてインナーリードを固定した図１０（ｂ）に示
すような構造をとっていた。

【０００６】ここで用いられるリードフレーム９１０
は、外部端子部９１３とインナーリード９１２ともリー
ドフレーム素材の厚さに作製されており、エッチングに
よる外形加工後においては、図１１（ａ）に示すよう
に、インナーリード９１２先端に延設された、インナー
リードと一体的に連結し、インナーリード同志を互いに
固定するための連結部９１７を設けた状態で、且つ、外
部端子部を支持するための支持リード９１５をダムバー
（枠部）９１４に連結させていた。そして、図１０
（ａ）に示す半導体装置９００の場合は、図１１に示す
ように、リードフレーム（図１１（ａ））全体を固定用
フィルム９６０にて固定した（図１１（ｂ））後に、プ
レスにより本来不要であるインナーリード同志を連結す
る連結部９１７の除去を行って、図１１（ｃ）に示すよ
うなリードフレーム９１０と固定用フィルム９６０から
なるリードフレーム部材９７０を得て使用していた。９
２０は開口部である。このため、リードフレーム部材９
７０の作製には高価な金型が必要で、且つ生産性の面で
も良くなかった。これに対し、図１０（ｂ）に示す半導
体装置９００Ａの場合は、リードフレーム全体でなくイ
ンナーリードを含む一部を固定用テープ９６０Ａで固定
し、インナーリード同志を連結する連結部（図示してい
ない）を除去して、リードフレーム９１０と固定用テー
プ９６０Ａとからなるリードフレーム部材９７０Ａを得
ていたが、やはりリードフレーム部材９７０Ａの作製に
は高価な金型が必要で、且つ生産性の面でも良くなかっ
た。また、図１１（ｃ）に示すリードフレーム部材９７
０を用いた場合や、リードフレームの一部を固定したリ
ードフレーム部材９７０Ａ（図１０（ｂ））を用いた場
合、半導体装置の作製の際には、図１２に示すように、
樹脂封止後にダムバー（枠部）９１４を除去し、外部端
子部を支持していた支持リード９１５を互いに分離する
必要があり、金型により枠部を切断除去していたため、
やはり高価な金型が必要で、且つ生産性の面でも良くな
かった。

【０００７】このような、リードフレームをコア材とし
て用いたＢＧＡタイプの樹脂封止型半導体装置において
は、図１４（ｂ）に示す単層リードフレームを用いた半
導体装置に比べ、同じ端子数で外部回路と接続するため
の外部端子ピッチを広くでき、半導体装置の実装工程を
難しくしないで、入出力端子の増加に対応できたが、一
層の多端子化に対しては、インナーリードの狭ピッチ化
が必須でその対応が求められていた。これに対応するた
め、インナーリード部をリードフレーム素材より薄肉に
形成し、狭いピッチ化を達成するエッチング加工方法が
提案されている。このエッチング加工方法の１例を図１
３に挙げて説明する。簡単のため、ここでは、インナー
リードのみを銅合金からなるリードフレーム素材より薄
肉化したリードフレームを作製する場合を説明する。図
１３は、薄肉状に形成するインナーリード先端部の各工
程の断面図である。尚、リードフレーム素材の厚さのま
まで外形加工する箇所については、リードフレーム素材
の両面にほぼ同じ形状、サイズのレジストパターンを形
成してエッチングを行う。図１３中、１２１０はリード
フレーム素材、１２１０Ａは薄肉部、１２２０Ａ、１２
２０Ｂはレジストパターン、１２３０は第一の開口部、
１２４０は第二の開口部、１２５０は第一の凹部、１２
６０は第二の凹部、１２７０は平坦状面、１２８０はエ
ッチング抵抗層（充填材層）、１２９０はインナーリー
ドである。先ず、厚さが０．１５ｍｍの帯び状板からな
るリードフレーム素材の両面を洗浄、脱脂処理等を行っ
た後に、重クロム酸カリウムを感光剤としたカゼイン水
溶液の混合液からなるレジストを両面に塗布し、レジス
トを乾燥後、所定のパターン版を用いてリードフレーム
素材の両面のレジストの所定領域をそれぞれ露光し、現
像処理を行い、所定形状の第一の開口部１２３０、第二
の開口部１２４０をもつレジストパターン１２２０Ａ、
１２２０Ｂを形成する。（図１３（ａ））第一の開口部１２３０は、後のエッチング加工において
リードフレーム素材１２１０をこの開口部からベタ状に
リードフレーム素材１２１０よりも薄肉に腐蝕するため
のもので、レジストの第二の開口部１２４０は、インナ
ーリード先端部の形状を形成するためのものである。次
いで、液温５０°Ｃ、比重４６ボーメの塩化第二鉄溶液
を用いて、スプレー圧３．０ｋｇ／ｃｍ²にて、レジス
トパターンが形成されたリードフレーム素材１２１０の
両面をエッチングし、ベタ状（平坦状）に腐蝕された第
一の凹部１２５０の深さｈが所定の深さに達した時点で
エッチングを止める。（図１３（ｂ））第１回目のエッチングにおいてリードフレーム素材１２
１０の両面から同時にエッチングする理由は、両面から
エッチングすることにより、後述する第２回目のエッチ
ング時間を短縮するためで、レジストパターン１２２０
Ｂ側からのみの片面エッチングの場合と比べ、第１回目
エッチングと第２回目エッチングのトータル時間が短縮
される。

【０００８】次いで、第一の開口部１２３０側の腐蝕さ
れた第一の凹部１２５０にエッチング抵抗層１２８０と
しての耐エッチング性のある樹脂を、ダイコータを用い
て塗布し、ベタ状（平坦状）に腐蝕された第一の凹部１
２５０に埋め込む。レジストパターン１２２０Ｂ上も該
エッチング抵抗層１２８０に塗布された状態とする。
（図１３（ｃ））エッチング抵抗層１２８０を、レジストパターン１２２
０Ｂ上全面に塗布する必要はないが、第一の凹部１２５
０を含む一部にのみ塗布することは難しい為に、図４
（ｃ）に示すように、第一の凹部１２５０とともに、第
一の開口部１２３０側全面にエッチング抵抗層１２８０
を塗布する。エッチング抵抗層１２８０の樹脂は、基本
的にエッチング液に耐性があり、エッチング時にある程
度の柔軟性のあるものが好ましく、ＵＶ硬化型のもので
も良い。このようにエッチング抵抗層１２８０をインナ
ーリード先端部の形状を形成するためのパターンが形成
された面側の腐蝕された第一の凹部１２５０に埋め込む
ことにより、後工程でのエッチング時に第一の凹部１２
５０が腐蝕されて大きくならないようにしているととも
に、高精細なエッチング加工に対しての機械的な強度補
強をしており、スプレー圧を高く（３．０ｋｇ／ｃ
ｍ²）することができ、これによりエッチングが深さ方
向に進行し易すくなる。この後、第２回目エッチングを
行い、ベタ状（平坦状）に腐蝕された第一の凹部１２５
０形成面とは反対側の第二の凹部１２６０側からリード
フレーム素材１２１０をエッチングし、貫通させ、イン
ナーリード１２９０の先端薄肉部を形成する。（図１３
（ｄ））第１回目のエッチング加工にて作製された、リードフレ
ーム面に平行なエッチング形成面は平坦であるが、この
面を挟む２面はインナーリード側にへこんだ凹状であ
る。次いで、洗浄、エッチング抵抗層１２８０の除去、
レジスト膜（レジストパターン１２２０Ａ、１２２０
Ｂ）の除去を行い、インナーリード１２９０が薄肉に微
細加工されたリードフレームを得る。（図１３（ｅ））エッチング抵抗層１２８０とレジスト膜（レジストパタ
ーン１２２０Ａ、１２２０Ｂ）の除去は水酸化ナトリウ
ム水溶液により溶解除去する。

【０００９】尚、上記のように、エッチングを２段階に
わけて行うエッチング加工方法を、一般には２段エッチ
ング加工方法と言っており、特に、精度的に優れた加工
方法である。図１３に示す、リードフレームの製造にお
いては、２段エッチング加工方法と、パターン形状を工
夫することにより部分的にリードフレーム素材を薄くし
ながら外形加工する方法とが伴行して採られている。
尚、リードフレームのインナーリードを薄肉に形成する
方法は、上記エッチング加工方法に限定されるものでは
ない。

【００１０】上記の方法によるインナーリードを薄肉と
した微細化加工は、第二の凹部１２６０の形状と、最終
的に得られるインナーリード先端部の厚さｔに左右され
るもので、例えば、板厚ｔを５０μｍまで薄くすると、
図１３（ｅ）に示す、平坦幅Ｗ１を１００μｍとして、
インナーリード先端部ピッチｐが０．１５ｍｍまで微細
加工可能となる。板厚ｔを３０μｍ程度まで薄くし、平
坦幅Ｗ１を７０μｍ程度とすると、インナーリード先端
部ピッチｐが０．１２ｍｍ程度まで微細加工ができる
が、板厚ｔ、平坦幅Ｗ１のとり方次第ではインナーリー
ド先端部ピッチｐは更に狭いピッチまで作製が可能とな
る。

【００１１】しかしながら、図１３の工程等によって得
られるリードフレームにおいては、インナーリードの薄
肉化にともないインナーリード部が不安定となり、図１
１に示すように、インナーリード先端部同志を連結する
連結部９１７を除去する必要があり、図１２に示すよう
にダムバー（枠部）９１４を切断除去する必要があり、
生産性やコストの面で問題があるばかりでなく、インナ
ーリードの位置精度や品質を維持することが難しくなっ
てきたため、その対応が求められていた。

【００１２】

【発明が解決しようとする課題】上記のように、図９に
示す両面配線基板を用いたＢＧＡは複雑な構成であり、
作製面、信頼性の面で問題が多く、図１０に示すリード
フレームをコア材として回路を設けたＢＧＡは、生産性
やコストの面で問題があるばかりでなく、インナーリー
ドの位置精度や品質を維持することが難しいという問題
を抱えていた。本発明は、これらに対応するためのもの
で、一層の多端子化に対応でき生産面やコスト面、さら
には品質面で、従来の図１１（ｃ）に示すリードフレー
ム部材、図１０に示す半導体装置に比べ有利な回路部
材、半導体装置を提供しようとするものである。同時
に、該回路部材の製造方法、半導体装置の製造方法を提
供しようとするものである。

【００１３】

【課題を解決する手段】本発明の半導体装置用回路部材
は、導電性基板上にめっきにより形成された導電性金層
により少なくとも二次元的に形成された回路部等を有す
る半導体装置用の回路部材であって、回路部は、少なく
とも、半導体素子と電気的に連結するためのリ一ドと、
外部回路と電気的接続を行うための外部端子部とを有
し、一体的に連結されたリードと外部端子部からなる組
をそれぞれ独立して複数個備えており、且つ、回路部の
外部端子部は、導電性基板の一面上に、直接、電解めっ
きにより形成されており、回路部のリードは、トランス
ファーモールドで前記外部端子形成領域を除くように導
電性基板上に直接設けられた絶縁性のエポキシ樹脂層を
介して、該絶縁性のエポキシ樹脂層上に形成されている
ことを特徴とするものである。そして、上記の導電性基
板の回路部を有する側の面には、凹凸を付ける表面処理
が施され、且つ、凹凸を付けた側の面に対し、剥離性を
持たせる剥離処理が施されていることを特徴とするもの
である。導電性基板としては、鉄−ニッケル−クロム系
の金属、鉄−クロム系の金属、鉄−ニッケル系、または
鉄−カーボン系の金属が挙げられ、導電性金属めっきと
しては、銅めっきないしニッケルを下地とした銅めっき
であるもの等が挙げられる。尚、半導体装置用回路部材
としては、半導体素子を複数個搭載できるようにしても
良い。また、回路部の外部端子部のみが、導電性基板の
一面上に、直接、めっきにより形成されると言う意味
は、ここでは、導電性基板の一面を酸化処理したり、導
電性基板の一面に薄いステアリン酸等の剥離層を設け、
この上に電解めっきした場合も含むものである。同様
に、導電性基板上に直接設けられた絶縁性のエポキシ樹
脂層とは、導電性基板の一面を酸化処理したり、導電性
基板の一面に薄いステアリン酸等の剥離層を設け、この
上に設けられた絶縁性のエポキシ樹脂層も含む。

【００１４】本発明の半導体装置用回路部材の製造方法
は、導電性基板と、導電性基板上にめっきにより形成さ
れた導電性金層により少なくとも二次元的に形成された
回路部等を有する半導体装置用の回路部材で、回路部
は、少なくとも、半導体素子と電気的に連結するための
リ一ドと、外部回路と電気的接続を行うための外部端子
部とを有し、一体的に連結されたリードと外部端子部か
らなる組をそれぞれ独立して複数個備えており、且つ、
回路部の外部端子部は、導電性基板の一面上に、直接、
電解めっきにより形成されており、回路部のリードは、
トランスファーモールドで外部端子形成領域を除くよう
に導電性基板上に直接設けられた絶縁性のエポキシ樹脂
層を介して、該絶縁性のエポキシ樹脂層上に形成されて
いる半導体装置用回路部材の製造方法であって、少な
〈とも、順に、（ａ）導電性基板の一画に凹凸を付ける
表面処理を施す工程と、（ｂ）凹凸を付けた側の導電性
基板の一面に対し、剥離性を持たせる剥離処理を施す工
程と、（ｃ）前記表面処理、剥離処理を施した導電性基
板の一面に、外部端子部形成領域のみを露出するように
トランスフアーモールドで絶縁性のエポキシ樹脂層を設
ける工程と、（ｄ）導電性基板の絶縁性のエポキシ樹脂
層に覆われていない露出した領域に、めっき厚が略絶縁
性のエポキシ樹脂層の厚さになるように電解めっきによ
り導電性金属めっきを施す工程と、（ｅ）めっき面上に
絶縁性レジストを塗布し、回路部を作成する領域のみ露
出させる製版工程と、（ｆ）露出した回路部を作成する
領域にのみ、めっき、あるいは、導電性塗料等により、
導電性を付与して回路部を形成する工程とを有すること
を特徴とするものである。また、本発明の半導体装置用
回路部材の製造方法は、導電性基板と、導電性基板上に
めっきにより形成された導電性金層により少なくとも二
次元的に形成された回路部等を有する半導体装置用の回
路部材で、回路部は、少なくとも、半導体素子と電気的
に連結するためのリ一ドと、外部回路と電気的接続を行
うための外部端子部とを有し、一体的に連結されたリー
ドと外部端子部からなる組をそれぞれ独立して複数個備
えており、且つ、回路部の外部端子部は、導電性基板の
一面上に、直接、電解めっきにより形成されており、回
路部のリードは、トランスファーモールドで外部端子形
成領域を除くように導電性基板上に直接設けられた絶縁
性のエポキシ樹脂層を介して、該絶縁性のエポキシ樹脂
層上に形成されている半導体装置用回路部材の製造方法
であって、少なくとも、順に、（ｇ）導電性基板の一面
に凹凸を付ける表面処理を施す工程と、（ｈ）凹凸を付
けた側の導電性基板の一面に対し、剥離性を持たせる剥
離処理を施す工程と、（ｉ）前記表面処理、剥離処理を
施した導電性基板の一面に、外部端子部形成領域のみを
露出するようにトランスフアーモールドで絶縁性のエポ
キシ樹脂層を設ける工程と、（ｊ）導電性基板の絶縁性
のエポキシ樹脂層に覆われていない露出した領域に、め
っき厚が略絶縁性のエポキシ樹脂層の厚さになるように
電解めっきにより導電性金属めっきを施す第一のめっき
工程と、（ｋ）第一のめっき面側の面全体に無電解めっ
きのみを施すことにより、または無電解めっきの後に電
解めっきを施すことにより、全面に導電性金層からなる
めっき層を形成する第二のめっき工程と、（ｌ）無電解
めっきにより作成されためっき面上に絶縁性のレジスト
を塗布し、回路部を作成する領域のみを覆うように製版
する工程と、（ｍ）該レジストを耐エッチングマスクと
して無電解めっきにより作成されためっき層をエッチン
グする工程とを有することを特徴とするものである。そ
して上記における製版工程の前に、見当合わせ用の治具
孔を形成する治具孔作製工程を有することを特徴とする
ものである。そしてまた、上記における表面処理がサン
ドブラストによるブラスト処理であることを特徴とする
ものである。また、上記における剥離処理が導電性基板
の表面に酸化膜を生成する処理であることを特徴とする
ものである。上記において、導電性基板としては、鉄−
ニッケル−クロム系の金属、鉄−クロム系の金属、鉄−
ニッケル系、または鉄−カーボン系の金属が挙げられ
る。また、第一のめっき工程における導電性金属めっき
が銅めっきないしニッケルを下地とした銅めっきであ
り、第二のめっき工程における導電性金属めっきが銅め
っきとするのが一般的である。ここでも、回路部の外部
端子部のみが、導電性基板の一面上に、直接、めっきに
より形成されると言う意味は、導電性基板の一面を酸化
処理したり、導電性基板の一面に薄いステアリン酸等の
剥離層を設け、この上に電解めっきした場合も含むもの
である。同様に、導電性基板上に直接設けられた絶縁性
のエポキシ樹脂層とは、導電性基板の一面を酸化処理し
たり、導電性基板の一面に薄いステアリン酸等の剥離層
を設け、この上に設けられた絶縁性のエポキシ樹脂層も
含む。

【００１５】本発明の半導体装置の製造方法は、導電性
基板と、導電性基板上にめっきにより形成された導電性
金層により少なくとも二次元的に形成された回路部等を
有する半導体装置用の回路部材で、回路部は、少なくと
も、半導体素子と電気的に連結するためのリ一ドと、外
部回路と電気的接続を行うための外部端子部とを有し、
一体的に連結されたリードと外部端子部からなる組をそ
れぞれ独立して複数個備えており、且つ回路部の外部端
子部のみが、導電性基板の一面上に、直接、めっきによ
り形成されたものであり、回路部の他の部分はトランス
ファーモールドで設けられた絶縁性のエポキシ樹脂層を
介して形成されている半導体装置用回路部材を用いた半
導体装置の製造方法であって、少なくとも、順に、
（イ）導電性基板上の回路部上に、半導体素子を端子を
上側にして搭載し、半導体素子の端子とリードとをワイ
ヤボンディングする工程と、（ロ）半導体素子、ワイ
ヤ、半導体装置用リード部材の回路部全体を覆うように
半導体装置用リード部材の片面をモールドする樹脂封止
工程と、（ハ）半導体装置用リード部材の導電性基板を
剥離する基板剥離工程とを有することを特徴とするもの
である。そして、上記における基板剥離工程の後に、
（ニ）露出した外部端子部に半田ボールをアタッチする
工程とを有することを特徴とするものである。

【００１６】本発明の半導体装置は、上記本発明の半導
体装置の製造方法により作製されたことを特徴とするも
のである。

【００１７】

【作用】本発明の半導体装置用回路部材は、上記のよう
な構成にすることにより、半導体装置の一層の多端子化
に対応でき、生産面やコスト面、さらには品質面で優れ
た回路部材の提供を可能としている。具体的には、導電
性基板と、導電性基板上にめっきにより形成された導電
性金層により少なくとも二次元的に形成された回路部等
を有する半導体装置用の回路部材であって、回路部は、
少なくとも、半導体素子と電気的に連結するためのリ一
ドと、外部回路と電気的接続を行うための外部端子部と
を有し、一体的に連結されたリードと外部端子部からな
る組をそれぞれ独立して複数個備えており、且つ、回路
部の外部端子部は、導電性基板の一面上に、直接、電解
めっきにより形成されており、回路部のリードは、トラ
ンスファーモールドで前記外部端子形成領域を除くよう
に導電性基板上に直接設けられた絶縁性のエポキシ樹脂
層を介して、該絶縁性のエポキシ樹脂層上に形成されて
いることにより、これを達成している。そして、導電性
基板の回路部を有する側の面には、凹凸を付ける表面処
理を施し、且つ、凹凸を付けた側の面に対し、剥離性を
持たせる剥離処理を施すことにより、半導体装置作製に
おいては、導電性基板の剥離を容易としている。また、
後述する図５や図６に示すように、半導体装置作製工程
においては、導電性基板の剥離を行うだけで、半田ボー
ル外部電極作成ができる構造で、半導体装置作製工程を
簡略化できるものとしている。そしてまた、回路のリー
ド部をめっきにより作製することにより、回路全体の微
細化を可能としている。また、半導体素子を複数個搭載
できるように配置して設けることにより、マルチチップ
の半導体装置用にも適用できるものとしている。更にＣ
ＳＰにも適用が可能である。

【００１８】また、従来の図１３（ｃ）に示すリードフ
レーム部材においては、インナーリードを微細加工した
リードフレームを用いる場合には、図１３（ａ）に示す
ように、インナーリード同志を連結して固定する連結部
９１７を設けた状態でエッチング加工した後に、インナ
ーリード固定用のフィルム９６０を貼り（図１３
（ｂ））、連結部９１７を除去する複雑な工程が必要で
あり、更に、図１３（ｃ）に示す従来のリードフレーム
部材を用い、半導体装置を作製する際には、図１４に示
すように、外部端子部９１３を支持するための支持リー
ド９１５を樹脂封止した後に、ダムバー（枠部）９１４
をプレスにて除去する必要があり、生産性の面、コスト
の面でも問題となっていたが、本発明の半導体装置用回
路部材は、リードと一体となった外部端子部の組みを、
それぞれ分離した状態で有するもので、これらの問題に
対応できるものである。

【００１９】本発明の半導体装置用回路部材の製造方法
は、上記のような構成にすることにより、半導体装置の
一層の多端子化に対応でき、生産面やコスト面、さらに
は品質面で優れた回路部材の製造を可能としている。詳
しくは、導電性基板上にめっきにより形成された導電性
金属により、回路部を形成することにより、変形が少な
く、精度的にも優れた、微細な回路部を形成することを
可能としている。導電性基板の一面に凹凸を付ける表面
処理を行い、且つ剥離性を持たせる剥離処理を行った後
に、該一面上にめっきにより形成されたものであること
により、半導体装置作成に際しての処理性（導電性基板
の剥離性）を良くしている。例えば、導電性基板上のめ
っきにより形成された導電性金属からなるリード上に絶
縁性の接着テープを介して半導体素子を搭載して、ワイ
ヤボンディングを行った後、半導体素子側のみをモール
ドして、半導体装置を作製する際には、モールド時の封
止用樹脂の圧力等に耐えて、導電性基板とめっきにより
形成された導電性金属は、確実に密着でき、且つ、モー
ルド後の半導体装置全体を導電性基板から容易に剥離し
易いものとしている。これは、凹凸を付ける表面処理に
より、めっきにより形成された導電性金属は、横方向の
力には強く、導電基板上に形成されるためであり、且
つ、剥離処理により、垂直方向の力に対しては剥離し易
くなっているためである。また、製版工程の前に、見当
合わせ用の治具孔を形成する治具孔作製工程を有するこ
とをにより、製版の精度を確実なものとしている。

【００２０】尚、剥離処理としては導電性基板の表面を
クロム酸等で酸化して酸化膜を形成し、めっきにより形
成された導電性金属と導電性基板との金属結合をおきに
くくする酸化処理が挙げられる。また、表面処理として
は、サンドブラストによるブラスト法による処理が挙げ
られるが、砥粒を液体に混ぜて被処理物に吹きつけるブ
ラッシング法による処理でも良い。また、導電性基板が
鉄−ニッケル−クロム系の金属ないし鉄−クロム系の金
属で、導電性金属めっきが銅めっきないしニッケルを下
地とした銅めっきであることにより、上記凹凸を付ける
表面処理、及び剥離性を持たせる剥離処理を一層効果的
にしている。

【００２１】本発明の半導体装置の製造方法は、上記の
ような構成にすることにより、半導体装置の多端子化を
達成し、且つ半導体装置の製造を品質的にも確実にでき
る製造方法の提供を可能としている。

【００２２】本発明の半導体装置は、本発明の半導体装
置用回路部材を用いて、本発明の半導体装置の製造方法
により作製したもので、半導体装置の製造工程全体が簡
略化されたもので、生産性の面コスト面で有利であり、
且つ、一層の多端子化に対応できるＢＧＡタイプの樹脂
封止型半導体装置の作製を可能とするものである。そし
て、半導体素子を複数個搭載したマルチチップの半導体
装置やＣＳＰ（ＣｈｉｐＳｃａｌｅＰａｃｋａｇ
ｅ）の提供も可能とするものである。また、言うまでも
なく、従来の図９に示す、プリント基板を用いたＢＧＡ
の場合のような複雑な製造工程を必要せず、耐湿性の問
題も無い。

【００２３】

【実施例】本発明の半導体装置用回路部材の実施例を挙
げ図に基づいて説明する。先ず、本発明の半導体装置用
回路部材の実施例を挙げる。図１（ａ）は実施例１の半
導体装置用回路部材を簡略化して示した平面図であり、
図１（ｂ）は図１（ａ）のＡ１−Ａ２における断面図で
あり、図１（ｃ）は、図１（ａ）、図１（ｂ）における
回路部１１０のみを平面的に拡大して示したもので、全
体の略約１／４を示したものである。尚、図１（ａ）に
おいては、分かり易くするためリード、外部端子部の数
を少なくして示してある。図１中、１００は半導体装置
用回路部材、１１０は回路部、１１１はダイパッド、１
１２、１１２Ａはリード、１１３は外部端子部１２０は
導電性基板、１３０は治具孔、１４０はエポキシ樹脂
層、１７０は銀めっき、１８０は剥離層、である。本実
施例の半導体装置用回路部材１００は、ＢＧＡタイプの
樹脂封止型半導体装置用の回路部材で、図１に示すよう
に、ステンレス（ＳＵＳ４３０）からなる導電性基板１
２０と導電性基板１２０上にめっきにより形成された導
電性の銅材からなる回路部１１０と、トランスファーモ
ールドで設けられた絶縁性のエポキシ樹脂層１４０とを
備え、且つ、作製する過程の位置精度を確保するための
治具孔１３０も備えている。そして、本実施例の半導体
装置用回路部材１００は、このままの状態で導電性基板
１２０の回路部１１０側に半導体素子を搭載し、半導体
素子搭載側のみを封止用樹脂でモールドして半導体装置
を導電性基板１２０上に作製した後、導電性基板１２０
から分離させて半導体装置を得るためのものである。本
実施例においては、回路部１１０は、ダイパッド１１１
と、リード１１２、１１２Ａと、該リード１１２と一体
的に連結した外部端子部１１３とからなる。各リード１
１２と外部端子部１１３とリード１１２Ａの組みは、そ
れぞれ独立しており、回路部１１０の面に沿い二次元的
に配列されている。尚、図１（ａ）に示す平面図におい
て、リード１１２は外部端子１１３から外側に設けたも
ので、リード１１２Ａは外部端子１１３から内側に設け
たものであるが、本実施例の場合は、リード１１２Ａの
内側先端にて半導体素子の端子とワイヤボンディングに
て電気的に結線するため、外部端子１１３から外側のリ
ード１１２は、場合によっては無くても良い。尚、外部
端子部１１３は外部回路と電気的接続を行うためのもの
で、ＢＧＡタイプの半導体装置作製の際には、半導体素
子搭載側とは反対側の部分に半田ボールを設け、この半
田ボール部を介して外部回路と接続する。銀めっき部１
７０は半導体素子を回路部１１０のダイパッド１１１に
搭載した際に、半導体素子の端子（バンプ）と回路部１
１０とをワイヤボンディングにより電気的に接続するた
めのものであり、外部端子１１３から内側に設けたリー
ド１１２Ａの内側先端に設けられている。

【００２４】導電性基板１２０は厚さ０．１ｍｍのステ
ンレス（ＳＵＳ４３０）からなるが、導電性基板１２０
の回路部１１０を形成する側の面は、サンドブラスト処
理により凹凸が付けられており、更に、表面に酸化膜が
形成されており、更に、酸化膜上にステアリン酸の剥離
層１８０を設けており、半導体装置作製において、半導
体素子を搭載し回路部１１０にのみモールドした際に
は、導電性基板１２０と回路部１１０との密着性が保た
れ、モールド後には、半導体装置全体の導電性基板１２
０からの剥離を容易にしている。

【００２５】回路部１１０は、前述の通り、めっきによ
り形成された銅を素材としたＢＧＡタイプの半導体装置
用の回路部材であるが、導電性基板１２０に固定されて
いるため、図１３に示す従来のＢＧＡタイプの半導体装
置に用いられる図８に示すリードフレーム部（回路部
材）７１０では必要とされていた、インナーリード７１
２と一体的に連結したインナーリード同志を固定するた
めの連結部７１７や外部端子部を固定するための支持リ
ード７１５、さらにダムバー（枠）７１４も必要としな
い。また、本実施例では、回路部１１０の厚さは４０μ
ｍと薄く、リード１１２の先端部ピッチは０．１２ｍｍ
と狭いピッチで、半導体装置の多端子化に対応できるも
のとしている。

【００２６】次いで、実施例のリードフレーム部材１０
０の変形例を挙げる。図２（ａ）は変形例のリードフレ
ーム部材２００の平面図を示したもので、図２（ｂ）
は、図２（ａ）のＢ１−Ｂ２における断面図であり、図
２（ｃ）は、図２（ａ）、図２（ｂ）における回路部２
１０のみを平面的に拡大して示したもので、全体の略約
１／４を示したものである。尚、図２（ａ）において
は、分かり易くするためリード、外部端子部の数を少な
くして示してある。図２中、２００は半導体装置用回路
部材、２１０は回路部、２１２、２１２Ａはリード、２
１３は外部端子部、２２０は導電性基板、２３０は治具
孔、２４０はエポキシ樹脂層、２７０は銀めっき、２８
０は剥離層である。変形例のリードフレーム部材２００
は、ダイバッドを持たないもので、外部端子２１３の外
側のリード２１２とワイヤボンディング用のめっき部２
７０を設けている。リード２１２Ａは外部端子２１３か
ら内側に設けたものであるが、半導体素子を搭載し易く
するために必要に応じてその長さを調整するものであ
る。銀めっき部２７０は半導体素子を回路部２１０に搭
載した際に、半導体素子の端子（バンプ）と回路部とを
ワイヤボンディングにより電気的に接続するためのもの
であり、外部端子２１３から外側に設けたリード２１２
の外側先端に設けられている。

【００２７】次いで、本発明の半導体装置用回路部材の
製造方法の実施例を図に基づいて説明する。はじめに、
本発明の半導体装置用回路部材の製造方法の実施例１を
挙げ、図３に基づいて説明する。本実施例は、図１に示
す上記実施例の半導体装置用回路部材１００の製造方法
であり、めっきにより直接回路部全体を作製するもので
ある。先ず、ステンレス（ＳＵＳ４３０）からなる導電
性基板１２０を用意し（図３（ａ）、位置合わせを確保
するための治具孔を導電性基板１２０を作製した（図３
（ｂ））後、導電性基板１２０の回路部を形成する側の
面をサンドブラスによる凹凸をつける表面処理を行った
（図３（ｃ））後、その表面をクロム酸液により酸化さ
せ酸化膜を生成し、酸化膜の付いた金属基板をステアリ
ン酸にディップし、剥離層（雛型皮膜）１８０を形成し
た。（図３（ｄ））次いで、外部端子部となる領域が露出するようにトラン
スファーモールド法で絶縁性のエボキシ樹脂層１４０
（日東電工製ＭＰ−１９ＯＭ）を厚み４Ｏμｍに形成し
た。（図３（ｅ））エポキシ樹脂１４０はこれに限定さ
れず、厚みも４０〜６Ｏμｍ必要に応じて選ぶ。次い
で、導電性基板１２０の絶縁性のエポキシ樹脂層１４０
に覆われていない露出した領域に、めっき厚が略絶縁性
のエポキシ樹脂層の厚さになるように電解めっきによる
導電性金属めっき１１０Ａを施し、外部端子部１１３を
形成した。（図３（ｆ））次いで、めっき面上に絶縁性レジスト１９０を塗布し、
回路部を作成する領域のみ露出させる製版工程を実施し
た。（図３（ｇ））この後、露出した回路部を作成する領域にのみ、無電解
めっき１１０Ｂを施し（図３（ｈ））、更に電解めっき
１１０Ａを施し（図３（ｉ）、回路部を形成した。（図
３（ｊ））尚、図３に示す実施例１の半導体装置用回路部材の製造
方法において、電解めっきを行わず、無電解めっきのみ
で、一度に外部端子部（バンプ）と回路部を作製しても
良い。

【００２８】次いで、本発明の半導体装置用回路部材の
製造方法の実施例２を挙げ、図４に基づいて説明する。
本実施例は、図２に示す上記変形例の半導体装置用回路
部材２００の製造方法であり、めっきにより形成された
めっき部を選択的にエッチングすることにより、直接回
路部全体を作製するものである。先ず、ステンレス（Ｓ
ＵＳ４３０）からなる導電性基板１２０を用意し（図４
（ａ））、位置合わせを確保するための治具孔を導電性
基板１２０を作製した（図４（ｂ）後、導電性基板１２
０の回路部を形成する側の面をサンドブラスによる凹凸
をつける表面処理を行った（図４（ｃ））後、その表面
をクロム酸液により酸化させ酸化膜を生成し、酸化膜の
付いた金属基板をステアリン酸にディップし、剥離層
（雛型皮膜）２８０を形成した。（図４（ｄ））次いで、外部端子部となる領域が露出するようにトラン
スファーモールド法で絶縁性のエボキシ樹脂層２４０
（日東電工製ＭＰ−１９ＯＭ）を厚み４Ｏμｍに形成し
た。（図４（ｅ））エポキシ樹脂はこれに限定されず、厚みも４０〜６Ｏμ
ｍ必要に応じて選ぶ。次いで、導電性基板の絶縁性のエ
ポキシ樹脂層に覆われていない露出した領域に、めっき
厚が略絶縁性のエポキシ樹脂層２４０の厚さになるよう
に電解めっきによる導電性金属めっき２１０Ａを施し、
外部端子部２１３を形成した。（図４（ｆ））次いで、電解めっき２１０Ａにより形成されためっき面
側の面全体に無電解めっきにより導電性金層めっき２１
０Ｂを施し（図４（ｇ））、無電解めっきのみで、全面
にめっき層を形成した。（図４（ｈ））次いで、無電解めっきにより作製されためっき層２１０
Ｂ上にレジスト２９０を塗布した後、該レジストを回路
状に製版して（図４（ｉ））、これを耐エッチングマス
クとして無電解めっきにより作成されためっき層２１０
Ｂをエッチングし、回路部２１０を形成した。（図４
（ｊ））

【００２９】上記実施例の製造方法により、図９に示す
両面基板を用いたＢＧＡや、図１０に示すリードフレー
ムをコア材として回路を形成したＢＧＡ基板に比べ、生
産性の面、コストの面で優れ、且つ一層の多端子化に対
応できるＢＧＡタイプの半導体装置用回路部材の提供を
可能としている。

【００３０】次に、本発明の半導体装置の製造方法の実
施例を挙げて説明する。はじめに実施例１の半導体装置
の製造方法を挙げる。図５は、実施例１の半導体装置の
製造方法の工程図である。本実施例の半導体装置の製造
方法は、図１に示す実施例の半導体装置用回路部材１０
０を用いて樹脂封止して作製したものである。先ず、半
導体装置用回路部材１００を用意し（図５（ａ））、露
出していダイパッド１１１上に絶縁性接着層５３０を介
して半導体素子５１０を端子５１１側を上にして搭載
し、端子５１１とリード１１２Ａの先端のめっき部１７
０とをワイヤボンディングした。（図５（ｂ））絶縁性接着層５３０はスクリーン印刷、ディスペンス等
により形成できる。また絶縁性接着層５３０に代え絶縁
性両面テープを用いても良い。次いで、半導体素子５１
０、ワイヤ５２０、回路部１１０全体を覆うように、導
電性基板１２０の片面を封止用樹脂５４０にて樹脂封止
して、導電性基板１２０の片面に半導体装置５００Ａを
作製した。（図５（ｃ））次に、導電性基板１２０を剥離層１８０とともに、半導
体装置５００Ａから分離させた。（図５（ｄ））この後、半導体装置５００Ａの分離により露出した回路
部１１０の外部端子部外部端子部１１３に一体的に連結
するように半田ボール５６０を設け、半導体装置５００
を得た。（図５（ｅ））

【００３１】次に、実施例２の半導体装置の製造方法を
挙げ、図６に基づいて説明する。本実施例の半導体装置
の製造方法は、図２に示す変形例の半導体装置用回路部
材２００を用いて樹脂封止して作製したものである。先
ず、半導体装置用回路部材２００を用意し（図６
（ａ））、露出しているリード１１２上に絶縁性接着層
６３０を介して半導体素子６１０を端子６１１側を上に
して搭載し、端子６１１とリード１１２のめっき部２７
０とをワイヤボンディングした。（図６（ｂ））絶縁性接着層６３０はスクリーン印刷、ディスペンス等
により形成できる。また絶縁性接着層６３０に代え絶縁
性両面テープを用いても良い。次いで、半導体素子６１
０、ワイヤ６２０、回路部１１０全体を覆うように、導
電性基板１２０の片面を封止用樹脂６４０にて樹脂封止
して、導電性基板１２０の片面に半導体装置６００Ａを
作製した。（図６（ｃ））次に、導電性基板１２０を剥離層２８０とともに、半導
体装置６００Ａから分離させた。（図６（ｄ））この後、半導体装置６００Ａの分離により露出した回路
部２１０の外部端子部外部端子部２１３に一体的に連結
するように半田ボール６６０を設け、半導体装置６００
を得た。（図６（ｅ））

【００３２】次に、本発明の半導体装置の実施例１を図
７（ａ）に示して説明する。図７（ａ）中、５００は半
導体装置、１１０は回路部、１１１はダイパッド、１１
２、１１２Ａはリード、１１３は外部端子部、５１０は
半導体素子、５１１は端子、５２０はワイヤ、５３０は
絶縁性接着層、５４０は封止用樹脂、５６０は半田ボー
ルである。本実施例は、上記、図１に示す半導体装置用
回路部材１００を用いて、図５に示す半導体装置の製造
方法により作製されたもので、めっきにより作製された
回路部材１００を、封止用樹脂５４０にて固定し、さら
に外部端子部１１３の半導体素子搭載側でない側に半田
ボール５６０を設け外部電極としているものである。本
実施例の半導体装置５００は、微細加工が可能な半導体
装置用回路部材１００を用いているため、半導体装置の
多端子化には十分対応でき、且つ、上記のような製造方
法にて作製されているため、品質的にも優れたものとし
ている。

【００３３】また、本発明の半導体装置の実施例２を図
７（ｂ）に示す。図７（ｂ）中、６００は半導体装置、
２１０は回路部、２１２、２１２Ａはリード、２１３は
外部端子部、６１０は半導体素子、６１１は端子、６２
０はワイヤ、６３０は絶縁性接着層、６４０は封止用樹
脂、６６０は半田ボールである。本実施例は、上記、図
２に示す半導体装置用回路部材２００を用い、図４に示
す半導体装置の製造方法により作製されたものである。
本実施例の半導体装置６００も、微細加工が可能な半導
体装置用回路部材２００を用いているため、半導体装置
の多端子化には十分対応でき、且つ、上記のような製造
方法にて作製されているため、品質的にも優れたものと
している。

【００３４】

【発明の効果】本発明の半導体装置用回路部材は、上記
のように、めっきにて形成された導電性金属にて回路部
を作製することにより、その厚さを薄く形成でき、回路
の微細加工を可能としている。また、本発明の半導体装
置用回路部材は、半導体装置作製工程において、導電性
の基板を剥離するだけで、外部端子部に半田外部電極を
作製することを可能としており、樹脂封止した際に、プ
レス等によるダムバー、枠等の切断分離の必要のないも
のとしている。そしてまた、回路部のリード部はトラン
スファーモールドで設けられた絶縁性のエポキシ樹脂層
を介して形成されていることにより、半導体装置用回路
部材を作製する工程自体を簡単なものとしており、その
生産性の面、コスト面でも優れたものとしている。更
に、導電性の基板上にトランスファーモールドで設けら
れた絶縁性のエポキシ樹脂層を介して回路部のリード部
が形成されていることにより、リードの変形は少なく、
品質的にも優れたものとしている。この結果、特に、従
来に比べ、生産性の面、コスト面で優れ、且つ一層の多
端子化に対応できるＢＧＡタイプの半導体装置の提供を
可能としている。本発明の半導体装置用回路部材の製造
方法は、前述のように、回路全体を導電性基板の面上
に、めっきにより形成された導電性金属により作製する
ので、回路全体を変形なく保持でき、且つ半導体装置を
作製する上で安定した作製を可能としている。本発明の
半導体装置は、本発明の半導体装置用回路部材を用い、
本発明の半導体装置の作製方法により作製されたもの
で、半導体装置の多端子化には十分対応でき、且つ、品
質的にも確実なものとなっている。

【図面の簡単な説明】

【図１】実施例１の半導体装置用回路部材の概略図

【図２】変形例の半導体装置用回路部材の概略図

【図３】本発明の半導体装置用回路部材の製造方法の実
施例１の工程図

【図４】本発明の半導体装置用回路部材の製造方法の実
施例２の工程図

【図５】本発明の半導体装置の製造方法の実施例１の工
程図

【図６】本発明の半導体装置の製造方法の実施例２の工
程図

【図７】実施例の半導体装置の断面図

【図８】従来の回路部の平面図

【図９】ＢＧＡ半導体装置を説明するための図

【図１０】従来のリードフレームをコア材としたＢＧＡ
タイプの半導体装置の断面図

【図１１】従来のリードフレーム部材を説明するための
図

【図１２】従来のリードフレームをコア材としたＢＧＡ
タイプの半導体装置の工程を説明するための図

【図１３】２段エッチングの工程図

【図１４】単層リードフレームとそれを用いた半導体装
置の図

【符号の説明】

１００半導体装置用回路部材１１０回路部１１１ダイパッド１１２、１１２Ａリード１１３外部端子部１２０導電性基板１３０治具孔１４０エポキシ樹脂層１７０銀めっき１８０剥離層１９０レジスト２００半導体装置用回路部材２１０回路部２１２、２１２Ａリード２１３外部端子部２２０導電性基板２３０治具孔２４０エポキシ樹脂層２７０銀めっき２８０剥離層２９０レジスト５００、５００Ａ半導体装置５１０半導体素子５１１端子５２０ワイヤ５３０絶縁性接着層５４０封止用樹脂６００、６００Ａ半導体装置６１０半導体素子６１１端子６２０ワイヤ６３０絶縁性接着層６４０封止用樹脂７１０リードフレーム部７１１ダイパッド７１２リード７１３外部端子部７１４ダムバー（枠部）７１５リード８０１半導体素子８０２基材８０３モールドレジン８０４、８０４Ａ配線８０５ダイパッド８０６外部接続端子８０８ボンディングワイヤ８１０ボンディングパッド８１８めっき部８５０スルホール８５１熱伝導ビア９００、９００ＡＢＧＡパッケージ９１０リードフレーム９１１ダイパッド９１２インナーリード９１３外部端子部９１４ダムバー（枠部）９１５支持リード９１７連結部９２０半導体素子９２１端子９３０ワイヤ９４０封止用樹脂９５０半田ボール９６０固定用フィルム９６０Ａ固定用テープ９７０、９７０Ａリードフレーム部材１２１０リードフレーム素材１２２０Ａ、１２２０Ｂレジストパターン１２３０第一の開口部１２４０第二の開口部１２５０第一の凹部１２６０第二の凹部１２７０平坦状面１２８０エッチング抵抗層（充
填材層）１２９０インナーリード１３００半導体装置１３００半導体装置１３１０（単層）リードフレーム１３１１ダイパッド１３１２インナーリード１３１３アウターリード１３１４ダムバー１３１５フレーム（枠）部１３２０半導体素子１３２１電極部（パッド）１３３０ワイヤ１３４０封止樹脂

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】導電性基板と、導電性基板上にめっきに
より形成された導電性金層により少なくとも二次元的に
形成された回路部等を有する半導体装置用の回路部材で
あって、回路部は、少なくとも、半導体素子と電気的に
連結するためのリ一ドと、外部回路と電気的接続を行う
ための外部端子部とを有し、一体的に連結されたリード
と外部端子部からなる組をそれぞれ独立して複数個備え
ており、且つ、回路部の外部端子部は、導電性基板の一
面上に、直接、電解めっきにより形成されており、回路
部のリードは、トランスファーモールドで前記外部端子
形成領域を除くように導電性基板上に直接設けられた絶
縁性のエポキシ樹脂層を介して、該絶縁性のエポキシ樹
脂層上に形成されていることを特徴とする半導体装置用
回路部材。
【請求項２】請求項１の導電性基板の回路部を有する
側の面には、凹凸を付ける表面処理が施され、且つ、凹
凸を付けた側の面に対し、剥離性を持たせる剥離処理が
施されていることを特徴とする半導体装置用回路部材。
【請求項３】導電性基板と、導電性基板上にめっきに
より形成された導電性金層により少なくとも二次元的に
形成された回路部等を有する半導体装置用の回路部材
で、回路部は、少なくとも、半導体素子と電気的に連結
するためのリ一ドと、外部回路と電気的接続を行うため
の外部端子部とを有し、一体的に連結されたリードと外
部端子部からなる組をそれぞれ独立して複数個備えてお
り、且つ、回路部の外部端子部は、導電性基板の一面上
に、直接、電解めっきにより形成されており、回路部の
リードは、トランスファーモールドで外部端子形成領域
を除くように導電性基板上に直接設けられた絶縁性のエ
ポキシ樹脂層を介して、該絶縁性のエポキシ樹脂層上に
形成されている半導体装置用回路部材の製造方法であっ
て、少な〈とも、順に、（ａ）導電性基板の一画に凹凸
を付ける表面処理を施す工程と、（ｂ）凹凸を付けた側
の導電性基板の一面に対し、剥離性を持たせる剥離処理
を施す工程と、（ｃ）前記表面処理、剥離処理を施した
導電性基板の一面に、外部端子部形成領域のみを露出す
るようにトランスフアーモールドで絶縁性のエポキシ樹
脂層を設ける工程と、（ｄ）導電性基板の絶縁性のエポ
キシ樹脂層に覆われていない露出した領域に、めっき厚
が略絶縁性のエポキシ樹脂層の厚さになるように電解め
っきにより導電性金属めっきを施す工程と、（ｅ）めっ
き面上に絶縁性レジストを塗布し、回路部を作成する領
域のみ露出させる製版工程と、（ｆ）露出した回路部を
作成する領域にのみ、めっき、あるいは、導電性塗料等
により、導電性を付与して回路部を形成する工程とを有
することを特徴とする半導体装置用回路部材の製造方
法。
【請求項４】導電性基板と、導電性基板上にめっきに
より形成された導電性金層により少なくとも二次元的に
形成された回路部等を有する半導体装置用の回路部材
で、回路部は、少なくとも、半導体素子と電気的に連結
するためのリ一ドと、外部回路と電気的接続を行うため
の外部端子部とを有し、一体的に連結されたリードと外
部端子部からなる組をそれぞれ独立して複数個備えてお
り、且つ、回路部の外部端子部は、導電性基板の一面上
に、直接、電解めっきにより形成されており、回路部の
リードは、トランスファーモールドで外部端子形成領域
を除くように導電性基板上に直接設けられた絶縁性のエ
ポキシ樹脂層を介して、該絶縁性のエポキシ樹脂層上に
形成されている半導体装置用回路部材の製造方法であっ
て、少なくとも、順に、（ｇ）導電性基板の一面に凹凸
を付ける表面処理を施す工程と、（ｈ）凹凸を付けた側
の導電性基板の一面に対し、剥離性を持たせる剥離処理
を施す工程と、（ｉ）前記表面処理、剥離処理を施した
導電性基板の一面に、外部端子部形成領域のみを露出す
るようにトランスフアーモールドで絶縁性のエポキシ樹
脂層を設ける工程と、（ｊ）導電性基板の絶縁性のエポ
キシ樹脂層に覆われていない露出した領域に、めっき厚
が略絶縁性のエポキシ樹脂層の厚さになるように電解め
っきにより導電性金属めっきを施す第一のめっき工程
と、（ｋ）第一のめっき面側の面全体に無電解めっきの
みを施すことにより、または無電解めっきの後に電解め
っきを施すことにより、全面に導電性金層からなるめっ
き層を形成する第二のめっき工程と、（ｌ）無電解めっ
きにより作成されためっき面上に絶縁性のレジストを塗
布し、回路部を作成する領域のみを覆うように製版する
工程と、（ｍ）該レジストを耐エッチングマスクとして
無電解めっきにより作成されためっき層をエッチングす
る工程とを有することを特徴とする半導体装置用回路部
材の製造方法。
【請求項５】請求項３ないし４における製版工程の前
に、見当合わせ用の治具孔を形成する治具孔作製工程を
有することを特徴とする半導体装置用回路部材の製造方
法。
【請求項６】請求項３ないし５における表面処理がサ
ンドブラストによるブラスト処理であることを特徴とす
る半導体装置用回路部材の製造方法。
【請求項７】請求項３ないし６における剥離処理が導
電性基板の表面に酸化膜を生成する処理であることを特
徴とする半導体装置用回路部材の製造方法。
【請求項８】導電性基板と、導電性基板上にめっきに
より形成された導電性金層により少なくとも二次元的に
形成された回路部等を有する半導体装置用の回路部材
で、回路部は、少なくとも、半導体素子と電気的に連結
するためのリ一ドと、外部回路と電気的接続を行うため
の外部端子部とを有し、一体的に連結されたリードと外
部端子部からなる組をそれぞれ独立して複数個備えてお
り、且つ回路部の外部端子部のみが、導電性基板の一面
上に、直接、めっきにより形成されたものであり、回路
部の他の部分はトランスファーモールドで設けられた絶
縁性のエポキシ樹脂層を介して形成されている半導体装
置用回路部材を用いた半導体装置の製造方法であって、
少なくとも、順に、（イ）導電性基板上の回路部上に、
半導体素子を端子を上側にして搭載し、半導体素子の端
子とリードとをワイヤボンディングする工程と、（ロ）
半導体素子、ワイヤ、半導体装置用リード部材の回路部
全体を覆うように半導体装置用リード部材の片面をモー
ルドする樹脂封止工程と、（ハ）半導体装置用リード部
材の導電性基板を剥離する基板剥離工程とを有すること
を特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項９】請求項８における基板剥離工程の後に、
（ニ）露出した外部端子部に半田ボールをアタッチする
工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方
法。
【請求項１０】請求項８ないし９の半導体装置の製造
方法により作製されたことを特徴とする半導体装置。