JPH10256495A - 不揮発性半導体記憶装置 - Google Patents
不揮発性半導体記憶装置Info
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- JPH10256495A JPH10256495A JP9069085A JP6908597A JPH10256495A JP H10256495 A JPH10256495 A JP H10256495A JP 9069085 A JP9069085 A JP 9069085A JP 6908597 A JP6908597 A JP 6908597A JP H10256495 A JPH10256495 A JP H10256495A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】本発明は強誘電性の劣化を抑制し、読み出し・
書き込み回数を向上させることのできる不揮発性半導体
記憶装置を提供する。 【解決手段】不揮発性半導体記憶装置１０は、シリコン
基板１１の表面にフィールド酸化膜１２、ゲート絶縁膜
１３、ワード線１４、不純物拡散領域１６ａ、１６ｂ及
び層間絶縁膜１７が形成され、層間絶縁膜１７に電荷転
送用トランジスタ１５のソース又はドレインになる不純
物拡散領域１６ａ、１６ｂまで達するポリシリコン１８
が堆積されている。ポリシリコン１８上にシリコン拡散
バリアメタル層１９と強誘電体２０の下部電極２１とな
る白金層が順次形成され、パターニング後、個々のメモ
リセル用として独立した強誘電体キャパシタ２２の上部
電極２３が白金膜で形成されている。強誘電体２０はジ
ルコン酸鉛、スズ酸鉛及びチタン酸鉛の固溶体であっ
て、Ｐｂ［（ＺｒxＴｉ1-x）1-yＳｎy］Ｏ3（ただし、
０．２＜ｘ＜０．８、０．０５＜ｙ＜０．４）で示され
る組成を主成分とする材料を成膜して形成されている。
書き込み回数を向上させることのできる不揮発性半導体
記憶装置を提供する。 【解決手段】不揮発性半導体記憶装置１０は、シリコン
基板１１の表面にフィールド酸化膜１２、ゲート絶縁膜
１３、ワード線１４、不純物拡散領域１６ａ、１６ｂ及
び層間絶縁膜１７が形成され、層間絶縁膜１７に電荷転
送用トランジスタ１５のソース又はドレインになる不純
物拡散領域１６ａ、１６ｂまで達するポリシリコン１８
が堆積されている。ポリシリコン１８上にシリコン拡散
バリアメタル層１９と強誘電体２０の下部電極２１とな
る白金層が順次形成され、パターニング後、個々のメモ
リセル用として独立した強誘電体キャパシタ２２の上部
電極２３が白金膜で形成されている。強誘電体２０はジ
ルコン酸鉛、スズ酸鉛及びチタン酸鉛の固溶体であっ
て、Ｐｂ［（ＺｒxＴｉ1-x）1-yＳｎy］Ｏ3（ただし、
０．２＜ｘ＜０．８、０．０５＜ｙ＜０．４）で示され
る組成を主成分とする材料を成膜して形成されている。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、不揮発性半導体記
憶装置に関し、詳細には、強誘電体を用いた不揮発性半
導体記憶装置に関する。
憶装置に関し、詳細には、強誘電体を用いた不揮発性半
導体記憶装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来より、強誘電体を用いた不揮発性半
導体記憶装置が開発されており、例えば、特開平２−１
１０８９３号公報には、強誘電体キャパシタと電荷転送
用トランジスタよりなるメモリセルを用いた不揮発性半
導体記憶装置が提案されている。
導体記憶装置が開発されており、例えば、特開平２−１
１０８９３号公報には、強誘電体キャパシタと電荷転送
用トランジスタよりなるメモリセルを用いた不揮発性半
導体記憶装置が提案されている。
【０００３】従来の不揮発性半導体記憶装置は、図６
に、そのメモリセル１の等価回路を、図７に、強誘電体
キャパシタＦＣの構造断面を示すように、メモリセル１
は、強誘電体キャパシタＦＣと電荷転送用トランジスタ
ＴＦを備えており、強誘電体キャパシタＦＣは、図６に
示すように、強誘電体２を金属などの導電体からなるキ
ャパシタ電極３、４間に挟んだ構造となっている。電荷
転送用トランジスタＴＦは、強誘電体キャパシタＦＣの
一方の電極、例えば、電極４とビット線ＢＬとの間に接
続され、そのゲートがワード線ＷＬに接続されている。
そして、強誘電体キャパシタＦＣの強誘電体２として
は、チタン酸ジルコン酸鉛（ＰＺＴ）が用いられてい
る。このメモリセル１は、強誘電体キャパシタＦＣの強
誘電体２を記憶内容に対応した一方向に分極されること
により、記憶内容の書き込みが行われ、強誘電体キャパ
シタＦＣに一定の電界を印加して、強誘電体２の分極反
転の有無をビット線ＢＬに現れる電圧の変化によって検
知することにより、記憶内容の読み出しを行う。
に、そのメモリセル１の等価回路を、図７に、強誘電体
キャパシタＦＣの構造断面を示すように、メモリセル１
は、強誘電体キャパシタＦＣと電荷転送用トランジスタ
ＴＦを備えており、強誘電体キャパシタＦＣは、図６に
示すように、強誘電体２を金属などの導電体からなるキ
ャパシタ電極３、４間に挟んだ構造となっている。電荷
転送用トランジスタＴＦは、強誘電体キャパシタＦＣの
一方の電極、例えば、電極４とビット線ＢＬとの間に接
続され、そのゲートがワード線ＷＬに接続されている。
そして、強誘電体キャパシタＦＣの強誘電体２として
は、チタン酸ジルコン酸鉛（ＰＺＴ）が用いられてい
る。このメモリセル１は、強誘電体キャパシタＦＣの強
誘電体２を記憶内容に対応した一方向に分極されること
により、記憶内容の書き込みが行われ、強誘電体キャパ
シタＦＣに一定の電界を印加して、強誘電体２の分極反
転の有無をビット線ＢＬに現れる電圧の変化によって検
知することにより、記憶内容の読み出しを行う。
【０００４】このようなメモリセル１は、ＤＲＡＭと同
様な構造で高い集積度が期待できるが、メモリセル１に
記憶内容の読み出し・書き込みを行うには、強誘電体２
の分極を反転させる必要がある。
様な構造で高い集積度が期待できるが、メモリセル１に
記憶内容の読み出し・書き込みを行うには、強誘電体２
の分極を反転させる必要がある。
【０００５】ところが、上記従来の不揮発性半導体記憶
装置では、強誘電体２としてＰＺＴが用いられているた
め、記憶内容の読み出し・書き込みに伴う分極反転によ
り、ＰＺＴの電気的特性が劣化し、読み出し・書き込み
回数が、１０8 回に制限されるという問題があった。
装置では、強誘電体２としてＰＺＴが用いられているた
め、記憶内容の読み出し・書き込みに伴う分極反転によ
り、ＰＺＴの電気的特性が劣化し、読み出し・書き込み
回数が、１０8 回に制限されるという問題があった。
【０００６】すなわち、日経マイクロデバイス１９９２
年６月号Ｐ．８０に記載されているように、ＰＺＴの分
極反転の回数に対する残留分極Ｐｒの変化を示す図８か
ら分かるように、残留分極Ｐｒは、分極反転回数の増加
に伴い顕著に減少する。分極反転によるビット数電位の
差異は、残留分極Ｐｒに比例するので、残留分極Ｐｒの
減少は、読み出しマージンの低下、さらには、読み出し
エラーを引き起こす。その結果、従来のＰＺＴを用いた
不揮発性半導体装置の読み出し・書き込み回数は、１０
8 回に制限されていた。
年６月号Ｐ．８０に記載されているように、ＰＺＴの分
極反転の回数に対する残留分極Ｐｒの変化を示す図８か
ら分かるように、残留分極Ｐｒは、分極反転回数の増加
に伴い顕著に減少する。分極反転によるビット数電位の
差異は、残留分極Ｐｒに比例するので、残留分極Ｐｒの
減少は、読み出しマージンの低下、さらには、読み出し
エラーを引き起こす。その結果、従来のＰＺＴを用いた
不揮発性半導体装置の読み出し・書き込み回数は、１０
8 回に制限されていた。
【０００７】このような問題に対して、従来、特開平７
−２０２０３９号公報記載の半導体装置が提案されてい
る。この半導体装置は、ＰＺＴ強誘電体が劣化するの
は、９０度ドメイン反転による機械的な膜披露が原因で
あるとして、強誘電体キャパシタの強誘電体として、電
気−機械結合係数の小さい強誘電体材料を採用してい
る。
−２０２０３９号公報記載の半導体装置が提案されてい
る。この半導体装置は、ＰＺＴ強誘電体が劣化するの
は、９０度ドメイン反転による機械的な膜披露が原因で
あるとして、強誘電体キャパシタの強誘電体として、電
気−機械結合係数の小さい強誘電体材料を採用してい
る。
【０００８】ところが、ＰＺＴ材料において分極軸と電
界方向が平行するように構造制御されたＰＺＴのＣ軸配
向膜は、９０度ドメイン反転が存在しないにも関わら
ず、１０8 回で劣化している。このことは、強誘電体の
劣化に、機械的要素以外の要因が存在することを示唆し
ている。
界方向が平行するように構造制御されたＰＺＴのＣ軸配
向膜は、９０度ドメイン反転が存在しないにも関わら
ず、１０8 回で劣化している。このことは、強誘電体の
劣化に、機械的要素以外の要因が存在することを示唆し
ている。
【０００９】また、従来、特開平６−１６９８６２号公
報記載の半導体記憶装置が提案されている。この半導体
記憶装置は、強誘電体キャパシタの強誘電体として、鉛
を含まない強誘電体材料としてタングステンブロンズ型
強誘電体を採用している。
報記載の半導体記憶装置が提案されている。この半導体
記憶装置は、強誘電体キャパシタの強誘電体として、鉛
を含まない強誘電体材料としてタングステンブロンズ型
強誘電体を採用している。
【００１０】さらに、ＷＯ ９３／１２５４２号公報で
は、強誘電体キャパシタの強誘電体として、ビスマス層
状構造強誘電体が用いられ、特に、このビスマス層状構
造強誘電体では、良好なＦａｔｉｇｕｅ耐性が得られて
いる。
は、強誘電体キャパシタの強誘電体として、ビスマス層
状構造強誘電体が用いられ、特に、このビスマス層状構
造強誘電体では、良好なＦａｔｉｇｕｅ耐性が得られて
いる。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うな従来の不揮発性半導体記憶装置にあっては、ＰＺＴ
のようなペロブスカイト構造強誘電体以外のタングステ
ンブロンズ型強誘電体やビスマス層状構造強誘電体は、
現在周知の薄膜型性技術においては、成膜でのプロセス
温度として、８００℃を必要とし、半導体装置として、
強誘電体キャパシタの下部電極とトランジスタのソース
またはドレイン部を電気的に導通させるためのプラグ電
極との構成において、何らかのバリヤメタルを配置する
必要があり、現在、上記プロセス温度で十分良好なバリ
ヤ性を有する材料は、存在していない。したがって、タ
ングステンブロンズ型強誘電体やビスマス層状構造強誘
電体は、半導体装置との整合性が悪く、その不揮発性半
導体記憶装置を作製することが困難である。
うな従来の不揮発性半導体記憶装置にあっては、ＰＺＴ
のようなペロブスカイト構造強誘電体以外のタングステ
ンブロンズ型強誘電体やビスマス層状構造強誘電体は、
現在周知の薄膜型性技術においては、成膜でのプロセス
温度として、８００℃を必要とし、半導体装置として、
強誘電体キャパシタの下部電極とトランジスタのソース
またはドレイン部を電気的に導通させるためのプラグ電
極との構成において、何らかのバリヤメタルを配置する
必要があり、現在、上記プロセス温度で十分良好なバリ
ヤ性を有する材料は、存在していない。したがって、タ
ングステンブロンズ型強誘電体やビスマス層状構造強誘
電体は、半導体装置との整合性が悪く、その不揮発性半
導体記憶装置を作製することが困難である。
【００１２】ところが、ＰＺＴのような鉛系ペロブスカ
イト強誘電体は、成膜でのプロセス温度が６５０℃と比
較的低温であり、現在半導体装置に使用されているＴｉ
Ｎ等のバリヤメタルがそのまま採用でき、半導体プロセ
スとの整合性がよい。この観点から鉛系ペロブスカイト
強誘電体を改良することが、不揮発性半導体メモリの実
現に有効であるといえる。
イト強誘電体は、成膜でのプロセス温度が６５０℃と比
較的低温であり、現在半導体装置に使用されているＴｉ
Ｎ等のバリヤメタルがそのまま採用でき、半導体プロセ
スとの整合性がよい。この観点から鉛系ペロブスカイト
強誘電体を改良することが、不揮発性半導体メモリの実
現に有効であるといえる。
【００１３】そして、鉛系ペロブスカイト強誘電体のＦ
ａｔｉｇｕｅは、以下の機構により生じると言える。す
なわち、ＰＺＴに関しては、成膜後の薄膜には、鉛の蒸
気圧が高いことに起因した各種の欠陥が存在し、しかも
この欠陥は、鉛空孔や酸素空孔などの点欠陥が一様に分
布して膜中に存在している。ＰＺＴの分極反転は、強電
界のストレス試験と同様なもので、このストレスにより
一様に分布していた各種の欠陥が膜界面に偏析し、空間
電荷を発生させる。また、成膜時の鉛欠損は、材料の電
荷中性条件を非平衡にしているため、電荷中性条件を満
たすような酸素欠陥を生じさせながら膜から酸素が抜け
ていく。そして、強誘電性のオリジンは、酸素８面体構
造とその中心イオンの双極子からなっており、分極反転
により、この酸素８面体を構成している酸素原子が一部
なり、強誘電性が劣化することになる。
ａｔｉｇｕｅは、以下の機構により生じると言える。す
なわち、ＰＺＴに関しては、成膜後の薄膜には、鉛の蒸
気圧が高いことに起因した各種の欠陥が存在し、しかも
この欠陥は、鉛空孔や酸素空孔などの点欠陥が一様に分
布して膜中に存在している。ＰＺＴの分極反転は、強電
界のストレス試験と同様なもので、このストレスにより
一様に分布していた各種の欠陥が膜界面に偏析し、空間
電荷を発生させる。また、成膜時の鉛欠損は、材料の電
荷中性条件を非平衡にしているため、電荷中性条件を満
たすような酸素欠陥を生じさせながら膜から酸素が抜け
ていく。そして、強誘電性のオリジンは、酸素８面体構
造とその中心イオンの双極子からなっており、分極反転
により、この酸素８面体を構成している酸素原子が一部
なり、強誘電性が劣化することになる。
【００１４】そこで、請求項１記載の発明は、強誘電体
キャパシタの強誘電体を、前記強誘電体は、ジルコン酸
鉛、スズ酸鉛及びチタン酸鉛の固溶体であって、Ｐｂ
［（ＺｒxＴｉ1-x）1-yＳｎy］Ｏ3（ただし、０．２＜
ｘ＜０．８、０．０５＜ｙ＜０．４）で示される組成を
主成分とする材料により形成することにより、記憶内容
の読み出し・書き込みに伴う分極反転による強誘電性の
劣化（いわゆるＦａｔｉｇｕｅ）を抑制し、読み出し・
書込回数をより向上させることのできる不揮発性半導体
記憶装置を提供することを目的としている。
キャパシタの強誘電体を、前記強誘電体は、ジルコン酸
鉛、スズ酸鉛及びチタン酸鉛の固溶体であって、Ｐｂ
［（ＺｒxＴｉ1-x）1-yＳｎy］Ｏ3（ただし、０．２＜
ｘ＜０．８、０．０５＜ｙ＜０．４）で示される組成を
主成分とする材料により形成することにより、記憶内容
の読み出し・書き込みに伴う分極反転による強誘電性の
劣化（いわゆるＦａｔｉｇｕｅ）を抑制し、読み出し・
書込回数をより向上させることのできる不揮発性半導体
記憶装置を提供することを目的としている。
【００１５】請求項２記載の発明は、強誘電体の材料
に、さらに、ニオブあるいはランタンを添加することに
より、Ｆａｔｉｇｕｅ耐性をさらに５０％程度向上させ
て、特に、回路設計上問題となる強誘電特性のゆらぎを
改善することのできる不揮発性半導体記憶装置を提供す
ることを目的としている。
に、さらに、ニオブあるいはランタンを添加することに
より、Ｆａｔｉｇｕｅ耐性をさらに５０％程度向上させ
て、特に、回路設計上問題となる強誘電特性のゆらぎを
改善することのできる不揮発性半導体記憶装置を提供す
ることを目的としている。
【００１６】請求項３記載の発明は、強誘電体キャパシ
タの下部電極層と上部電極層のうち少なくともいずれか
一方の電極層を、白金とロジウムとの合金、あるいは、
白金ロジウム合金とロジウム酸化物で形成することによ
り、Ｆａｔｉｇｕｅ耐性を、１０11回以上に大幅に向上
させることのできる不揮発性半導体記憶装置を提供する
ことを目的としている。
タの下部電極層と上部電極層のうち少なくともいずれか
一方の電極層を、白金とロジウムとの合金、あるいは、
白金ロジウム合金とロジウム酸化物で形成することによ
り、Ｆａｔｉｇｕｅ耐性を、１０11回以上に大幅に向上
させることのできる不揮発性半導体記憶装置を提供する
ことを目的としている。
【００１７】
【課題を解決するための手段】請求項１記載の発明の不
揮発性半導体記憶装置は、電荷転送用トランジスタと強
誘電体キャパシタによりメモリセルの構成される不揮発
性半導体記憶装置において、前記強誘電体キャパシタ
は、強誘電体を挟んで下部電極層と上部電極層を備え、
前記強誘電体は、ジルコン酸鉛、スズ酸鉛及びチタン酸
鉛の固溶体であって、Ｐｂ［（ＺｒxＴｉ1-x）1-yＳ
ｎy］Ｏ3（ただし、０．２＜ｘ＜０．８、０．０５＜ｙ
＜０．４）で示される組成を主成分とする材料により形
成されていることにより、上記目的を達成している。
揮発性半導体記憶装置は、電荷転送用トランジスタと強
誘電体キャパシタによりメモリセルの構成される不揮発
性半導体記憶装置において、前記強誘電体キャパシタ
は、強誘電体を挟んで下部電極層と上部電極層を備え、
前記強誘電体は、ジルコン酸鉛、スズ酸鉛及びチタン酸
鉛の固溶体であって、Ｐｂ［（ＺｒxＴｉ1-x）1-yＳ
ｎy］Ｏ3（ただし、０．２＜ｘ＜０．８、０．０５＜ｙ
＜０．４）で示される組成を主成分とする材料により形
成されていることにより、上記目的を達成している。
【００１８】上記構成によれば、強誘電体キャパシタの
強誘電体を、前記強誘電体は、ジルコン酸鉛、スズ酸鉛
及びチタン酸鉛の固溶体であって、Ｐｂ［（ＺｒxＴｉ
1-x）1-yＳｎy］Ｏ3（ただし、０．２＜ｘ＜０．８、
０．０５＜ｙ＜０．４）で示される組成を主成分とする
材料により形成しているので、記憶内容の読み出し・書
き込みに伴う分極反転による強誘電性の劣化（いわゆる
Ｆａｔｉｇｕｅ）を抑制することができ、読み出し・書
込回数をより向上させることができる。
強誘電体を、前記強誘電体は、ジルコン酸鉛、スズ酸鉛
及びチタン酸鉛の固溶体であって、Ｐｂ［（ＺｒxＴｉ
1-x）1-yＳｎy］Ｏ3（ただし、０．２＜ｘ＜０．８、
０．０５＜ｙ＜０．４）で示される組成を主成分とする
材料により形成しているので、記憶内容の読み出し・書
き込みに伴う分極反転による強誘電性の劣化（いわゆる
Ｆａｔｉｇｕｅ）を抑制することができ、読み出し・書
込回数をより向上させることができる。
【００１９】この場合、例えば、請求項２に記載するよ
うに、前記強誘電体は、前記強誘電体の材料に、さら
に、ニオブあるいはランタンが添加されていてもよい。
うに、前記強誘電体は、前記強誘電体の材料に、さら
に、ニオブあるいはランタンが添加されていてもよい。
【００２０】上記構成によれば、強誘電体の材料に、さ
らに、ニオブあるいはランタンを添加しているので、Ｆ
ａｔｉｇｕｅ耐性をさらに５０％程度向上させることが
でき、特に、回路設計上問題となる強誘電特性のゆらぎ
を改善することができる。
らに、ニオブあるいはランタンを添加しているので、Ｆ
ａｔｉｇｕｅ耐性をさらに５０％程度向上させることが
でき、特に、回路設計上問題となる強誘電特性のゆらぎ
を改善することができる。
【００２１】また、例えば、請求項３に記載するよう
に、前記強誘電体キャパシタの前記下部電極層と上部電
極層は、少なくともいずれか一方の電極層が、白金とロ
ジウムとの合金、あるいは、白金ロジウム合金とロジウ
ム酸化物で形成されていてもよい。
に、前記強誘電体キャパシタの前記下部電極層と上部電
極層は、少なくともいずれか一方の電極層が、白金とロ
ジウムとの合金、あるいは、白金ロジウム合金とロジウ
ム酸化物で形成されていてもよい。
【００２２】上記構成によれば、強誘電体キャパシタの
下部電極層と上部電極層のうち少なくともいずれか一方
の電極層を、白金とロジウムとの合金、あるいは、白金
ロジウム合金とロジウム酸化物で形成しているので、Ｆ
ａｔｉｇｕｅ耐性を、１０11回以上に大幅に向上させる
ことができる。
下部電極層と上部電極層のうち少なくともいずれか一方
の電極層を、白金とロジウムとの合金、あるいは、白金
ロジウム合金とロジウム酸化物で形成しているので、Ｆ
ａｔｉｇｕｅ耐性を、１０11回以上に大幅に向上させる
ことができる。
【００２３】
【発明の実施の形態】以下、本発明の好適な実施の形態
を添付図面に基づいて詳細に説明する。なお、以下に述
べる実施の形態は、本発明の好適な実施の形態であるか
ら、技術的に好ましい種々の限定が付されているが、本
発明の範囲は、以下の説明において特に本発明を限定す
る旨の記載がない限り、これらの態様に限られるもので
はない。
を添付図面に基づいて詳細に説明する。なお、以下に述
べる実施の形態は、本発明の好適な実施の形態であるか
ら、技術的に好ましい種々の限定が付されているが、本
発明の範囲は、以下の説明において特に本発明を限定す
る旨の記載がない限り、これらの態様に限られるもので
はない。
【００２４】図１〜図５は、本発明の不揮発性半導体記
憶装置の一実施の形態を示す図であり、図１は、本発明
の不揮発性半導体記憶装置の一実施の形態の不揮発性半
導体記憶装置の部分正面断面図である。
憶装置の一実施の形態を示す図であり、図１は、本発明
の不揮発性半導体記憶装置の一実施の形態の不揮発性半
導体記憶装置の部分正面断面図である。
【００２５】図１において、不揮発性半導体記憶装置１
０は、シリコン基板１１の表面に素子分離用のフィール
ド酸化膜１２が形成され、その後、素子領域のシリコン
基板１１の表面上にゲート絶縁膜１３を介してポリシリ
コンのワード線１４が形成されている。
０は、シリコン基板１１の表面に素子分離用のフィール
ド酸化膜１２が形成され、その後、素子領域のシリコン
基板１１の表面上にゲート絶縁膜１３を介してポリシリ
コンのワード線１４が形成されている。
【００２６】次に、転送用トランジスタ１５のソースま
たはドレインになる不純物拡散領域１６ａ、１６ｂが形
成され、その上に層間絶縁膜１７が形成されている。こ
の層間絶縁膜１７に前記電荷転送用トランジスタ１５の
ソースまたはドレインになる一方の不純物拡散領域１６
ａ、１６ｂまで達するようにコンタクトホールが形成さ
れた後、ポリシリコン１８が堆積され、導電性のコンタ
クトがとられている。このポリシリコン１８上にシリコ
ン拡散バリアメタル層１９となる窒化チタン層と強誘電
体２０の下部電極２１となる白金層が順次形成され、そ
の後、パターニングされて、個々のメモリセル用として
独立した強誘電体キャパシタ２２の他方の電極である上
部電極２３が形成される。この上部電極２３は、白金膜
で形成されている。
たはドレインになる不純物拡散領域１６ａ、１６ｂが形
成され、その上に層間絶縁膜１７が形成されている。こ
の層間絶縁膜１７に前記電荷転送用トランジスタ１５の
ソースまたはドレインになる一方の不純物拡散領域１６
ａ、１６ｂまで達するようにコンタクトホールが形成さ
れた後、ポリシリコン１８が堆積され、導電性のコンタ
クトがとられている。このポリシリコン１８上にシリコ
ン拡散バリアメタル層１９となる窒化チタン層と強誘電
体２０の下部電極２１となる白金層が順次形成され、そ
の後、パターニングされて、個々のメモリセル用として
独立した強誘電体キャパシタ２２の他方の電極である上
部電極２３が形成される。この上部電極２３は、白金膜
で形成されている。
【００２７】上記強誘電体２０は、ジルコン酸鉛、チタ
ン酸鉛の固溶体であるチタン酸ジルコン酸鉛（ＰＺＴ）
に第三の成分として、スズ酸鉛を加えたペロブスカイト
強誘電体（以下、ＰＺＳＴという。）を材料として使用
し、金属有機化合物の塗布・熱分解によりＰＺＳＴ薄膜
を成膜して、形成されている。強誘電体２０は、その膜
厚が、２４０ｎｍであり、６５０℃のプロセス温度で、
白金の下部電極２１上に成膜されている。
ン酸鉛の固溶体であるチタン酸ジルコン酸鉛（ＰＺＴ）
に第三の成分として、スズ酸鉛を加えたペロブスカイト
強誘電体（以下、ＰＺＳＴという。）を材料として使用
し、金属有機化合物の塗布・熱分解によりＰＺＳＴ薄膜
を成膜して、形成されている。強誘電体２０は、その膜
厚が、２４０ｎｍであり、６５０℃のプロセス温度で、
白金の下部電極２１上に成膜されている。
【００２８】なお、この強誘電体２０を形成するにあた
り、各種組成のセラミックスを作製して、分極反転回数
に伴う強誘電性の劣化を測定し、ＰＺＴに第三の成分を
加えたことの効果を確認して、有効な強誘電体材料を探
索した。その結果、スズは、価数として、＋２、＋４を
取りうる元素であり、成膜工程での各種欠損を補償する
ように自己整合的に価数を変化させることから、上記Ｐ
ＺＳＴを得た。
り、各種組成のセラミックスを作製して、分極反転回数
に伴う強誘電性の劣化を測定し、ＰＺＴに第三の成分を
加えたことの効果を確認して、有効な強誘電体材料を探
索した。その結果、スズは、価数として、＋２、＋４を
取りうる元素であり、成膜工程での各種欠損を補償する
ように自己整合的に価数を変化させることから、上記Ｐ
ＺＳＴを得た。
【００２９】すなわち、不揮発性半導体記憶装置１０
は、電荷転送用トランジスタ１５と強誘電体キャパシタ
２２によりメモリセルが構成されており、強誘電体キャ
パシタ２２の強誘電体２０は、ジルコン酸鉛、スズ酸鉛
及びチタン酸鉛の固溶体であって、Ｐｂ［（ＺｒxＴｉ
1-x）1-yＳｎy］Ｏ3（ただし、０．２＜ｘ＜０．８、
０．０５＜ｙ＜０．４）で示される組成を主成分とする
材料で形成されている。
は、電荷転送用トランジスタ１５と強誘電体キャパシタ
２２によりメモリセルが構成されており、強誘電体キャ
パシタ２２の強誘電体２０は、ジルコン酸鉛、スズ酸鉛
及びチタン酸鉛の固溶体であって、Ｐｂ［（ＺｒxＴｉ
1-x）1-yＳｎy］Ｏ3（ただし、０．２＜ｘ＜０．８、
０．０５＜ｙ＜０．４）で示される組成を主成分とする
材料で形成されている。
【００３０】そして、図２にセラミックス組成の相関図
を、図３に図２の相関図の各ポイントＡ〜Ｉの組成のセ
ラミックの強誘電性ヒステリシス曲線を、それぞれ示す
ように、セラミックス組成に応じて、その強誘電性ヒス
テリシス曲線が変化し、上記ＰＺＳＴ薄膜は、スズを含
まないＰＺＴと比較して、約２桁程のＦａｔｉｇｕｅ耐
性がある。なお、図３においては、Ａ、Ｄ、Ｇは、Ｓｎ
濃度が５ｍｏｌ％、Ｂ、Ｅ、Ｈは、Ｓｎ濃度が２０ｍｏ
ｌ％、Ｃ、Ｆ、Ｉは、Ｓｎ濃度が５ｍｏｌ％の場合を示
しており、Ａ、Ｂ、Ｃは、ＺｒとＴｉの比が、３０／７
０の場合を、Ｄ、Ｅ、Ｆは、ＺｒとＴｉの比が、５０／
５０の場合を、Ｇ、Ｈ、Ｉは、ＺｒとＴｉの比が、７０
／３０の場合を、それぞれ示している。
を、図３に図２の相関図の各ポイントＡ〜Ｉの組成のセ
ラミックの強誘電性ヒステリシス曲線を、それぞれ示す
ように、セラミックス組成に応じて、その強誘電性ヒス
テリシス曲線が変化し、上記ＰＺＳＴ薄膜は、スズを含
まないＰＺＴと比較して、約２桁程のＦａｔｉｇｕｅ耐
性がある。なお、図３においては、Ａ、Ｄ、Ｇは、Ｓｎ
濃度が５ｍｏｌ％、Ｂ、Ｅ、Ｈは、Ｓｎ濃度が２０ｍｏ
ｌ％、Ｃ、Ｆ、Ｉは、Ｓｎ濃度が５ｍｏｌ％の場合を示
しており、Ａ、Ｂ、Ｃは、ＺｒとＴｉの比が、３０／７
０の場合を、Ｄ、Ｅ、Ｆは、ＺｒとＴｉの比が、５０／
５０の場合を、Ｇ、Ｈ、Ｉは、ＺｒとＴｉの比が、７０
／３０の場合を、それぞれ示している。
【００３１】このように、本実施の形態においては、強
誘電体キャパシタ２２の強誘電体２０を、ジルコン酸
鉛、スズ酸鉛及びチタン酸鉛の固溶体であって、Ｐｂ
［（ＺｒxＴｉ1-x）1-yＳｎy］Ｏ3（ただし、０．２＜
ｘ＜０．８、０．０５＜ｙ＜０．４）で示される組成を
主成分とする材料で形成しているので、強誘電性の劣化
（Ｆａｔｉｇｕｅ耐性）を、初期値に対して２０％減少
するまでのサイクル数と定義すると、従来、１０8 であ
ったものが、強誘電体キャパシタ２２の強誘電体２０と
して、Ｐｂ（Ｚｒ0.67Ｓｎ0.05，Ｔｉ0.28）Ｏ3 を使用
した不揮発性半導体記憶装置１０では、（Ｆａｔｉｇｕ
ｅ耐性）は、１０10まで改善された。
誘電体キャパシタ２２の強誘電体２０を、ジルコン酸
鉛、スズ酸鉛及びチタン酸鉛の固溶体であって、Ｐｂ
［（ＺｒxＴｉ1-x）1-yＳｎy］Ｏ3（ただし、０．２＜
ｘ＜０．８、０．０５＜ｙ＜０．４）で示される組成を
主成分とする材料で形成しているので、強誘電性の劣化
（Ｆａｔｉｇｕｅ耐性）を、初期値に対して２０％減少
するまでのサイクル数と定義すると、従来、１０8 であ
ったものが、強誘電体キャパシタ２２の強誘電体２０と
して、Ｐｂ（Ｚｒ0.67Ｓｎ0.05，Ｔｉ0.28）Ｏ3 を使用
した不揮発性半導体記憶装置１０では、（Ｆａｔｉｇｕ
ｅ耐性）は、１０10まで改善された。
【００３２】また、不揮発性半導体記憶装置１０の強誘
電体２０を作製するにあたって、予め母体となるセラミ
ックスに、ドナー、アクセプターを導入させ、スズの自
己補償作用の方向性を決めて、すなわち、＋２を取りや
すくするのか、＋４を取りやすくするのかを、設計し、
その中から母体のセラミックスに合わせて、自己補償を
効率よく行わせるようにした。具体的には、ＰＺＳＴ
に、５価の元素であるニオブを数％添加したり、３価の
元素であるランタンを数％添加することで制御した。
電体２０を作製するにあたって、予め母体となるセラミ
ックスに、ドナー、アクセプターを導入させ、スズの自
己補償作用の方向性を決めて、すなわち、＋２を取りや
すくするのか、＋４を取りやすくするのかを、設計し、
その中から母体のセラミックスに合わせて、自己補償を
効率よく行わせるようにした。具体的には、ＰＺＳＴ
に、５価の元素であるニオブを数％添加したり、３価の
元素であるランタンを数％添加することで制御した。
【００３３】そこで、強誘電体２０として、ＰＺＳＴに
ニオブを２％添加したＰｂ0.99Ｎｂ0.02（Ｚｒ56Ｓｎ20
Ｔｉ24）0.98Ｏ3 を作製し、上記同様の評価を行ったと
ころ、図４に示すように、強誘電体２０として、上記Ｐ
ｂ（Ｚｒ0.67Ｓｎ0.05，Ｔｉ0.28）Ｏ3 を使用した場合
には、サイクル数初期に１００％を上回る値を示してい
たが、強誘電体２０としてＰＺＳＴにニオブを２％添加
したＰｂ0.99Ｎｂ0.02（Ｚｒ56Ｓｎ20Ｔｉ24）0.98Ｏ3
を使用したところ、そのような傾向を示さず、また、Ｆ
ａｔｉｇｕｅ耐性も５０％ほど向上した。
ニオブを２％添加したＰｂ0.99Ｎｂ0.02（Ｚｒ56Ｓｎ20
Ｔｉ24）0.98Ｏ3 を作製し、上記同様の評価を行ったと
ころ、図４に示すように、強誘電体２０として、上記Ｐ
ｂ（Ｚｒ0.67Ｓｎ0.05，Ｔｉ0.28）Ｏ3 を使用した場合
には、サイクル数初期に１００％を上回る値を示してい
たが、強誘電体２０としてＰＺＳＴにニオブを２％添加
したＰｂ0.99Ｎｂ0.02（Ｚｒ56Ｓｎ20Ｔｉ24）0.98Ｏ3
を使用したところ、そのような傾向を示さず、また、Ｆ
ａｔｉｇｕｅ耐性も５０％ほど向上した。
【００３４】すなわち、強誘電体２０として、上記Ｐｂ
（Ｚｒ0.67Ｓｎ0.05，Ｔｉ0.28）Ｏ3 を使用した場合に
は、分極反転の経過とともにインピーダンスが欠陥消滅
により増加し、観測される自発分極は減少するが、残留
分極は、変化がなく、結果として強誘電性は、１００％
を超える値を示していた。
（Ｚｒ0.67Ｓｎ0.05，Ｔｉ0.28）Ｏ3 を使用した場合に
は、分極反転の経過とともにインピーダンスが欠陥消滅
により増加し、観測される自発分極は減少するが、残留
分極は、変化がなく、結果として強誘電性は、１００％
を超える値を示していた。
【００３５】このような増加は、分極情報を判断する回
路の設定値マージンを制約させるおそれがあるが、強誘
電体２０としてＰＺＳＴにニオブを２％添加したＰｂ
0.99Ｎｂ0.02（Ｚｒ56Ｓｎ20Ｔｉ24）0.98Ｏ3 （以下、
ＰＮＺＳＴという。）を使用した場合には、このような
状況が大幅に改善された。
路の設定値マージンを制約させるおそれがあるが、強誘
電体２０としてＰＺＳＴにニオブを２％添加したＰｂ
0.99Ｎｂ0.02（Ｚｒ56Ｓｎ20Ｔｉ24）0.98Ｏ3 （以下、
ＰＮＺＳＴという。）を使用した場合には、このような
状況が大幅に改善された。
【００３６】また、強誘電体２０として、ＰＺＳＴにラ
ンタンを２％添加したＰｂ0.98Ｌａ0.02（Ｚｒ，Ｓｎ，
Ｔｉ）0.995Ｏ3を作製して、上記同様に評価したとこ
ろ、ニオブを添加した場合と同様の効果が確認された。
ンタンを２％添加したＰｂ0.98Ｌａ0.02（Ｚｒ，Ｓｎ，
Ｔｉ）0.995Ｏ3を作製して、上記同様に評価したとこ
ろ、ニオブを添加した場合と同様の効果が確認された。
【００３７】さらに、予め成膜時に欠陥を導入させない
ことが本質的な課題解決でもある。すなわち、鉛抜けに
よる欠陥は、下地膜への鉛拡散としても生じているた
め、この下地膜への鉛拡散をブロックさせることも効果
的である。例えば、白金−ロジウム合金においては、ブ
ロッキング効果があり、また、分極反転中の酸素原子の
拡散についても同様な効果を示す。
ことが本質的な課題解決でもある。すなわち、鉛抜けに
よる欠陥は、下地膜への鉛拡散としても生じているた
め、この下地膜への鉛拡散をブロックさせることも効果
的である。例えば、白金−ロジウム合金においては、ブ
ロッキング効果があり、また、分極反転中の酸素原子の
拡散についても同様な効果を示す。
【００３８】そこで、強誘電体キャパシタ２２の下部電
極２１を、ｒｆマグネトロンスパッタ法で、Ｐｔ−２０
％Ｒｈ合金ターゲットを用い、Ｐｔ−Ｒｈ合金薄膜によ
り作製し、酸素雰囲気中で、６５０℃の熱処理を施した
後、上記同様に、強誘電体キャパシタ２２の強誘電体２
０を、Ｐｂ0.99Ｎｂ0.02（Ｚｒ56Ｓｎ20Ｔｉ24）0.98Ｏ
3 により作製した。
極２１を、ｒｆマグネトロンスパッタ法で、Ｐｔ−２０
％Ｒｈ合金ターゲットを用い、Ｐｔ−Ｒｈ合金薄膜によ
り作製し、酸素雰囲気中で、６５０℃の熱処理を施した
後、上記同様に、強誘電体キャパシタ２２の強誘電体２
０を、Ｐｂ0.99Ｎｂ0.02（Ｚｒ56Ｓｎ20Ｔｉ24）0.98Ｏ
3 により作製した。
【００３９】この下部電極２１をＰｔ−Ｒｈ合金薄膜に
より作製し、強誘電体２０を、Ｐｂ0.99Ｎｂ0.02（Ｚｒ
56Ｓｎ20Ｔｉ24）0.98Ｏ3 で作製した不揮発性半導体記
憶装置１０について、上記同様の評価を行ったところ、
図５に示すような結果を得た。図５から分かるように、
下部電極２１をＰｔ−Ｒｈ合金薄膜により作製し、強誘
電体２０を、Ｐｂ0.99Ｎｂ0.02（Ｚｒ56Ｓｎ20Ｔｉ24）
0.98Ｏ3 で作製した不揮発性半導体記憶装置１０では、
Ｆａｔｉｇｕｅ耐性は、１０11まで向上された。
より作製し、強誘電体２０を、Ｐｂ0.99Ｎｂ0.02（Ｚｒ
56Ｓｎ20Ｔｉ24）0.98Ｏ3 で作製した不揮発性半導体記
憶装置１０について、上記同様の評価を行ったところ、
図５に示すような結果を得た。図５から分かるように、
下部電極２１をＰｔ−Ｒｈ合金薄膜により作製し、強誘
電体２０を、Ｐｂ0.99Ｎｂ0.02（Ｚｒ56Ｓｎ20Ｔｉ24）
0.98Ｏ3 で作製した不揮発性半導体記憶装置１０では、
Ｆａｔｉｇｕｅ耐性は、１０11まで向上された。
【００４０】以上、本発明者によってなされた発明を好
適な実施の形態に基づき具体的に説明したが、本発明は
上記のものに限定されるものではなく、その要旨を逸脱
しない範囲で種々変更可能であることはいうまでもな
い。
適な実施の形態に基づき具体的に説明したが、本発明は
上記のものに限定されるものではなく、その要旨を逸脱
しない範囲で種々変更可能であることはいうまでもな
い。
【００４１】
【発明の効果】請求項１記載の発明の不揮発性半導体記
憶装置によれば、強誘電体キャパシタの強誘電体を、前
記強誘電体は、ジルコン酸鉛、スズ酸鉛及びチタン酸鉛
の固溶体であって、Ｐｂ［（ＺｒxＴｉ1-x）1-yＳｎy］
Ｏ3（ただし、０．２＜ｘ＜０．８、０．０５＜ｙ＜
０．４）で示される組成を主成分とする材料により形成
しているので、記憶内容の読み出し・書き込みに伴う分
極反転による強誘電性の劣化（いわゆるＦａｔｉｇｕ
ｅ）を抑制することができ、読み出し・書込回数をより
向上させることができる。
憶装置によれば、強誘電体キャパシタの強誘電体を、前
記強誘電体は、ジルコン酸鉛、スズ酸鉛及びチタン酸鉛
の固溶体であって、Ｐｂ［（ＺｒxＴｉ1-x）1-yＳｎy］
Ｏ3（ただし、０．２＜ｘ＜０．８、０．０５＜ｙ＜
０．４）で示される組成を主成分とする材料により形成
しているので、記憶内容の読み出し・書き込みに伴う分
極反転による強誘電性の劣化（いわゆるＦａｔｉｇｕ
ｅ）を抑制することができ、読み出し・書込回数をより
向上させることができる。
【００４２】請求項２記載の発明の不揮発性半導体記憶
装置によれば、強誘電体の材料に、さらに、ニオブある
いはランタンを添加しているので、Ｆａｔｉｇｕｅ耐性
をさらに５０％程度向上させることができ、特に、回路
設計上問題となる強誘電特性のゆらぎを改善することが
できる。
装置によれば、強誘電体の材料に、さらに、ニオブある
いはランタンを添加しているので、Ｆａｔｉｇｕｅ耐性
をさらに５０％程度向上させることができ、特に、回路
設計上問題となる強誘電特性のゆらぎを改善することが
できる。
【００４３】請求項３記載の発明の不揮発性半導体記憶
装置によれば、強誘電体キャパシタの下部電極層と上部
電極層のうち少なくともいずれか一方の電極層を、白金
とロジウムとの合金、あるいは、白金ロジウム合金とロ
ジウム酸化物で形成しているので、Ｆａｔｉｇｕｅ耐性
を、１０11回以上に大幅に向上させることができる。
装置によれば、強誘電体キャパシタの下部電極層と上部
電極層のうち少なくともいずれか一方の電極層を、白金
とロジウムとの合金、あるいは、白金ロジウム合金とロ
ジウム酸化物で形成しているので、Ｆａｔｉｇｕｅ耐性
を、１０11回以上に大幅に向上させることができる。
【図１】本発明の不揮発性半導体記憶装置の一実施の形
態を適用した不揮発性半導体記憶装置の部分正面断面
図。
態を適用した不揮発性半導体記憶装置の部分正面断面
図。
【図２】強誘電体に用いるセラミックス組成の相関図。
【図３】図２の各セラミックス組成の強誘電体の強誘電
性ヒステリシス曲線を示す図。
性ヒステリシス曲線を示す図。
【図４】強誘電体キャパシタの強誘電体としてＰｂ0.99
Ｎｂ0.02（Ｚｒ56Ｓｎ20Ｔｉ24）0.98Ｏ3 を使用した場
合の不揮発性半導体記憶装置の分極反転数と残留分極の
関係を示す図。
Ｎｂ0.02（Ｚｒ56Ｓｎ20Ｔｉ24）0.98Ｏ3 を使用した場
合の不揮発性半導体記憶装置の分極反転数と残留分極の
関係を示す図。
【図５】強誘電体キャパシタの下部電極をＰｔ−Ｒｈ合
金薄膜で、強誘電体をＰｂ0.99Ｎｂ0.02（Ｚｒ56Ｓｎ20
Ｔｉ24）0.98Ｏ3 で作製した不揮発性半導体記憶装置の
分極反転数と残留分極の関係を示す図。
金薄膜で、強誘電体をＰｂ0.99Ｎｂ0.02（Ｚｒ56Ｓｎ20
Ｔｉ24）0.98Ｏ3 で作製した不揮発性半導体記憶装置の
分極反転数と残留分極の関係を示す図。
【図６】従来の不揮発性半導体記憶装置のメモリセルの
等価回路を示す図。
等価回路を示す図。
【図７】図６の不揮発性半導体記憶装置の強誘電体キャ
パシタの正面断面図。
パシタの正面断面図。
【図８】従来の強誘電体キャパシタの強誘電体としてＰ
ＺＴを使用した場合の不揮発性半導体記憶装置の分極反
転数と残留分極の関係を示す図。
ＺＴを使用した場合の不揮発性半導体記憶装置の分極反
転数と残留分極の関係を示す図。
１０ 不揮発性半導体記憶装置 １１ シリコン基板 １２ フィールド酸化膜 １３ ゲート絶縁膜 １４ ワード線 １５ 転送用トランジスタ １６ａ、１６ｂ 不純物拡散領域 １７ 層間絶縁膜 １８ ポリシリコン １９ シリコン拡散バリアメタル層 ２０ 強誘電体 ２１ 下部電極 ２２ 強誘電体キャパシタ ２３ 上部電極
Claims (3)
- 【請求項１】電荷転送用トランジスタと強誘電体キャパ
シタによりメモリセルの構成される不揮発性半導体記憶
装置において、前記強誘電体キャパシタは、強誘電体を
挟んで下部電極層と上部電極層を備え、前記強誘電体
は、ジルコン酸鉛、スズ酸鉛及びチタン酸鉛の固溶体で
あって、Ｐｂ［（ＺｒxＴｉ1-x）1-yＳｎy］Ｏ3（ただ
し、０．２＜ｘ＜０．８、０．０５＜ｙ＜０．４）で示
される組成を主成分とする材料により形成されているこ
とを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。 - 【請求項２】前記強誘電体は、前記強誘電体の材料に、
さらに、ニオブあるいはランタンが添加されていること
を特徴とする請求項１記載の不揮発性半導体記憶装置。 - 【請求項３】前記強誘電体キャパシタの前記下部電極層
と上部電極層は、少なくともいずれか一方の電極層が、
白金とロジウムとの合金、あるいは、白金ロジウム合金
とロジウム酸化物で形成されていることを特徴とする請
求項１または請求項２記載の不揮発性半導体記憶装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9069085A JPH10256495A (ja) | 1997-03-06 | 1997-03-06 | 不揮発性半導体記憶装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9069085A JPH10256495A (ja) | 1997-03-06 | 1997-03-06 | 不揮発性半導体記憶装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10256495A true JPH10256495A (ja) | 1998-09-25 |
Family
ID=13392411
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9069085A Pending JPH10256495A (ja) | 1997-03-06 | 1997-03-06 | 不揮発性半導体記憶装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10256495A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004075424A (ja) * | 2002-08-12 | 2004-03-11 | Mitsubishi Materials Corp | 耐疲労特性に優れた強誘電体薄膜とその形成用組成物 |
| WO2006129775A1 (en) * | 2005-05-31 | 2006-12-07 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
| US7781358B2 (en) * | 2008-02-15 | 2010-08-24 | Trs Technologies, Inc. | Antiferroelectric multilayer ceramic capacitor |
-
1997
- 1997-03-06 JP JP9069085A patent/JPH10256495A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004075424A (ja) * | 2002-08-12 | 2004-03-11 | Mitsubishi Materials Corp | 耐疲労特性に優れた強誘電体薄膜とその形成用組成物 |
| WO2006129775A1 (en) * | 2005-05-31 | 2006-12-07 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
| US7838993B2 (en) | 2005-05-31 | 2010-11-23 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
| US8227851B2 (en) | 2005-05-31 | 2012-07-24 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
| US7781358B2 (en) * | 2008-02-15 | 2010-08-24 | Trs Technologies, Inc. | Antiferroelectric multilayer ceramic capacitor |
| US7884042B2 (en) | 2008-02-15 | 2011-02-08 | Trs Technologies, Inc. | Antiferroelectric multilayer ceramic capacitor |
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