JPH10270314A - Ｘ線マスクおよびその製造方法 - Google Patents
Ｘ線マスクおよびその製造方法Info
- Publication number
- JPH10270314A JPH10270314A JP7029497A JP7029497A JPH10270314A JP H10270314 A JPH10270314 A JP H10270314A JP 7029497 A JP7029497 A JP 7029497A JP 7029497 A JP7029497 A JP 7029497A JP H10270314 A JPH10270314 A JP H10270314A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- ray
- mask
- ray absorber
- absorber
- mask layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/22—Masks or mask blanks for imaging by radiation of 100nm or shorter wavelength, e.g. X-ray masks, extreme ultraviolet [EUV] masks; Preparation thereof
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P76/00—Manufacture or treatment of masks on semiconductor bodies, e.g. by lithography or photolithography
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 良好なパターンの位置精度を有するＸ線マス
クおよびその製造方法を提供する。 【解決手段】 Ｘ線マスクのメンブレン２上に形成され
る反射防止膜３ａがアモルファス構造を有している。こ
の反射防止膜３ａの表面に接し、かつパターニングされ
た、Ｘ線の透過を遮るＸ線吸収体４が形成されている。
クおよびその製造方法を提供する。 【解決手段】 Ｘ線マスクのメンブレン２上に形成され
る反射防止膜３ａがアモルファス構造を有している。こ
の反射防止膜３ａの表面に接し、かつパターニングされ
た、Ｘ線の透過を遮るＸ線吸収体４が形成されている。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、Ｘ線リソグラフィ
に使用するＸ線マスクおよびその製造方法に関し、具体
的にはエッチングマスクまたは反射防止膜（エッチング
ストッパ）の結晶構造または応力を変えることによりパ
ターニング時の歪みを低減させることを可能とするＸ線
マスクおよびその製造方法に関するものである。
に使用するＸ線マスクおよびその製造方法に関し、具体
的にはエッチングマスクまたは反射防止膜（エッチング
ストッパ）の結晶構造または応力を変えることによりパ
ターニング時の歪みを低減させることを可能とするＸ線
マスクおよびその製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】これまでそれほど集積度の高くない半導
体記憶装置におけるパターンの転写には、主に紫外線に
よるリソグラフィ技術が用いられてきた。しかし、半導
体記憶装置の高集積化が進み、たとえばＤＲＡＭ（Dyna
mic Random Access Momory）において１Ｇｂｉｔ（ギガ
ビット）のようにＧｂｉｔ級となると、配線などの各パ
ターンがデバイスルールに従って極微細になるため、よ
り解像度の高いパターンの転写が必要となる。
体記憶装置におけるパターンの転写には、主に紫外線に
よるリソグラフィ技術が用いられてきた。しかし、半導
体記憶装置の高集積化が進み、たとえばＤＲＡＭ（Dyna
mic Random Access Momory）において１Ｇｂｉｔ（ギガ
ビット）のようにＧｂｉｔ級となると、配線などの各パ
ターンがデバイスルールに従って極微細になるため、よ
り解像度の高いパターンの転写が必要となる。
【０００３】このような微細パターンの転写を行なう技
術としてＸ線によるリソグラフィ技術が期待されてい
る。このＸ線リソグラフィ技術では、露光光となるＸ線
の波長（軟Ｘ線：λ＝５〜２０ｎｍ）が紫外線に比べ短
波長となるため、紫外線によるリソグラフィよりも解像
度の高いパターンの転写が可能となる。
術としてＸ線によるリソグラフィ技術が期待されてい
る。このＸ線リソグラフィ技術では、露光光となるＸ線
の波長（軟Ｘ線：λ＝５〜２０ｎｍ）が紫外線に比べ短
波長となるため、紫外線によるリソグラフィよりも解像
度の高いパターンの転写が可能となる。
【０００４】このようなＸ線リソグラフィ技術に用いら
れるＸ線マスクの構成および製造方法は、たとえばＳＰ
ＩＥ（The Society of Photo-Optical Instrumentation
Engineers）、１９９４、ｖｏｌ．２１９４、ｐｐ２２
１〜２３０に記載されている。以下、この文献に示され
たＸ線マスクの構成および製造方法を従来例として説明
する。
れるＸ線マスクの構成および製造方法は、たとえばＳＰ
ＩＥ（The Society of Photo-Optical Instrumentation
Engineers）、１９９４、ｖｏｌ．２１９４、ｐｐ２２
１〜２３０に記載されている。以下、この文献に示され
たＸ線マスクの構成および製造方法を従来例として説明
する。
【０００５】図８は、上記文献に示された従来のＸ線マ
スクの構成を概略的に示す断面図である。図８を参照し
て、Ｘ線マスクは、シリコン基板１と、メンブレン２
と、反射防止膜兼エッチングストッパ（以下、単に反射
防止膜と称する）１０３ａと、反射防止膜１０３ｂと、
Ｘ線吸収体１０４と、サポートリング５とを有してい
る。
スクの構成を概略的に示す断面図である。図８を参照し
て、Ｘ線マスクは、シリコン基板１と、メンブレン２
と、反射防止膜兼エッチングストッパ（以下、単に反射
防止膜と称する）１０３ａと、反射防止膜１０３ｂと、
Ｘ線吸収体１０４と、サポートリング５とを有してい
る。
【０００６】メンブレン２は、Ｘ線透過性基板であり、
シリコン基板１上に形成されている。反射防止膜１０３
ａは、メンブレン２の表面に形成され、反射防止膜１０
３ｂは、メンブレン２の裏面に形成されている。Ｘ線吸
収体１０４は、Ｘ線の透過を遮る材料よりなっており、
反射防止膜１０３ａ上に所定の形状で形成されている。
サポートリング５は、シリコン基板１の裏面に接着剤
（図示せず）によって接着され、シリコン基板１を支持
している。
シリコン基板１上に形成されている。反射防止膜１０３
ａは、メンブレン２の表面に形成され、反射防止膜１０
３ｂは、メンブレン２の裏面に形成されている。Ｘ線吸
収体１０４は、Ｘ線の透過を遮る材料よりなっており、
反射防止膜１０３ａ上に所定の形状で形成されている。
サポートリング５は、シリコン基板１の裏面に接着剤
（図示せず）によって接着され、シリコン基板１を支持
している。
【０００７】次に、上記の従来のＸ線マスクの製造方法
について説明する。図９〜図１１は、従来のＸ線マスク
の製造方法を工程順に示す概略断面図である。図９を参
照して、まずシリコン基板１上にメンブレン２が成膜さ
れ、その後、シリコン基板１の一部が除去（バックエッ
チ）され、メンブレン２の裏面が露出する。この後、メ
ンブレン２の表面および裏面に反射防止膜１０３ａ、１
０３ｂが成膜される。その後、シリコン基板１にサポー
トリング５が接着される。
について説明する。図９〜図１１は、従来のＸ線マスク
の製造方法を工程順に示す概略断面図である。図９を参
照して、まずシリコン基板１上にメンブレン２が成膜さ
れ、その後、シリコン基板１の一部が除去（バックエッ
チ）され、メンブレン２の裏面が露出する。この後、メ
ンブレン２の表面および裏面に反射防止膜１０３ａ、１
０３ｂが成膜される。その後、シリコン基板１にサポー
トリング５が接着される。
【０００８】図１０を参照して、反射防止膜１０３ａ上
に、たとえばスパッタ法にてＸ線吸収体１０４が成膜さ
れる。そして、この際のＸ線吸収体１０４の平均膜応力
を測定し、この平均応力を０とするための温度を決定
し、たとえばオーブンで２５０℃で均一にアニールし、
Ｘ線吸収体１０４の平均膜応力が０に調整される。この
Ｘ線吸収体１０４上にエッチマスク１０６が、たとえば
スパッタ法により成膜される。このエッチマスク１０６
上に、レジストパターン７が塗布され、この後たとえば
１８０℃でベークされる。
に、たとえばスパッタ法にてＸ線吸収体１０４が成膜さ
れる。そして、この際のＸ線吸収体１０４の平均膜応力
を測定し、この平均応力を０とするための温度を決定
し、たとえばオーブンで２５０℃で均一にアニールし、
Ｘ線吸収体１０４の平均膜応力が０に調整される。この
Ｘ線吸収体１０４上にエッチマスク１０６が、たとえば
スパッタ法により成膜される。このエッチマスク１０６
上に、レジストパターン７が塗布され、この後たとえば
１８０℃でベークされる。
【０００９】図１１を参照して、レジスト１０７に電子
線描画器（ＥＢ）でパターンが描かれた後、現像されて
レジストパターン７が形成される。このレジストパター
ン７を用いてエッチマスク１０６にエッチングが行なわ
れる。その後、エッチマスク１０６を用いてＸ線吸収体
１０４のエッチングが行なわれる。最後にエッチマスク
１０６が除去されて、図８に示すＸ線マスクが完成す
る。
線描画器（ＥＢ）でパターンが描かれた後、現像されて
レジストパターン７が形成される。このレジストパター
ン７を用いてエッチマスク１０６にエッチングが行なわ
れる。その後、エッチマスク１０６を用いてＸ線吸収体
１０４のエッチングが行なわれる。最後にエッチマスク
１０６が除去されて、図８に示すＸ線マスクが完成す
る。
【００１０】上記のシリコン基板１のバックエッチの工
程およびサポートリング５へのシリコン基板１の接着の
工程は必ずしもこの工程順通り行なわれるものではな
い。
程およびサポートリング５へのシリコン基板１の接着の
工程は必ずしもこの工程順通り行なわれるものではな
い。
【００１１】なお、Ｇｂｉｔ級では、微細加工が必要と
なるため、レジストパターン１０７を厚くすることがで
きない。このため、Ｘ線吸収体１０４上に直にレジスト
パターン１０７を形成してＸ線吸収体１０４のパターニ
ングを行なうと、Ｘ線吸収体１０４のパターニングの途
中でレジストパターン１０７が完全に消失してしまうお
それがある。エッチマスク１０６はＸ線吸収体１０４に
対してエッチング選択比の高い材料よりなっているた
め、Ｘ線吸収体１０４のパターニング時にレジストパタ
ーン１０７が消失してもエッチマスク１０６がマスクと
して機能する。この意味で、エッチマスク１０６は有用
である。
なるため、レジストパターン１０７を厚くすることがで
きない。このため、Ｘ線吸収体１０４上に直にレジスト
パターン１０７を形成してＸ線吸収体１０４のパターニ
ングを行なうと、Ｘ線吸収体１０４のパターニングの途
中でレジストパターン１０７が完全に消失してしまうお
それがある。エッチマスク１０６はＸ線吸収体１０４に
対してエッチング選択比の高い材料よりなっているた
め、Ｘ線吸収体１０４のパターニング時にレジストパタ
ーン１０７が消失してもエッチマスク１０６がマスクと
して機能する。この意味で、エッチマスク１０６は有用
である。
【００１２】
【発明が解決しようとする課題】Ｘ線リソグラフィは、
Ｘ線が短波長であるため微細なパターンの転写に適用さ
れるが、Ｘ線の性質上、通常、等倍転写となる。このた
め、Ｘ線マスクには高いパターンの位置精度が要求され
る。ところが、Ｘ線吸収体１０４に応力が残存していた
場合、Ｘ線吸収体１０４のパターニング後に図１２に示
すように応力によってＸ線吸収体１０４のパターンの位
置が矢印方向へ動き、位置精度が低下してしまう。
Ｘ線が短波長であるため微細なパターンの転写に適用さ
れるが、Ｘ線の性質上、通常、等倍転写となる。このた
め、Ｘ線マスクには高いパターンの位置精度が要求され
る。ところが、Ｘ線吸収体１０４に応力が残存していた
場合、Ｘ線吸収体１０４のパターニング後に図１２に示
すように応力によってＸ線吸収体１０４のパターンの位
置が矢印方向へ動き、位置精度が低下してしまう。
【００１３】そこで、従来のＸ線マスクの製造方法で
は、Ｘ線吸収体１０４の平均膜応力を０とするためにア
ニールが施される。
は、Ｘ線吸収体１０４の平均膜応力を０とするためにア
ニールが施される。
【００１４】しかしながら、従来のＸ線マスクの製造方
法におけるエッチマスク１０６の成膜では、エッチマス
ク１０６は通常、柱状の結晶構造となる。このため、図
１３（ａ）および（ｂ）に示すようにレジストパターン
７をマスクとしてエッチマスク１０６をパターニングす
る際に、エッチマスク１０６は結晶粒界に沿ってパター
ニングされやすく、パターンのエッジラフネスが発生す
る。このエッジラフネスの生じた状態でエッチマスク１
０６をマスクとしてＸ線吸収体１０４をパターニングす
ると、パターンが図中寸法Ｗ0 だけずれて形成され、パ
ターン精度が劣化するという問題点があった。
法におけるエッチマスク１０６の成膜では、エッチマス
ク１０６は通常、柱状の結晶構造となる。このため、図
１３（ａ）および（ｂ）に示すようにレジストパターン
７をマスクとしてエッチマスク１０６をパターニングす
る際に、エッチマスク１０６は結晶粒界に沿ってパター
ニングされやすく、パターンのエッジラフネスが発生す
る。このエッジラフネスの生じた状態でエッチマスク１
０６をマスクとしてＸ線吸収体１０４をパターニングす
ると、パターンが図中寸法Ｗ0 だけずれて形成され、パ
ターン精度が劣化するという問題点があった。
【００１５】なお、図１３（ｂ）は図１３（ａ）の矢印
方向から見た図であり、レジストパターン７を省略して
示す図である。
方向から見た図であり、レジストパターン７を省略して
示す図である。
【００１６】また従来のＸ線マスクの製造方法では、Ｘ
線吸収体１０４の応力は考慮されているが、エッチマス
ク１０６および反射防止膜１０３ａの応力および応力む
らは考慮されていない。このためＸ線吸収体１０４のパ
ターニング後の位置精度が劣化するという問題点もあっ
た。この問題については、エッチマスク１０６に応力む
らがある場合を例に挙げて以下に詳細に説明する。
線吸収体１０４の応力は考慮されているが、エッチマス
ク１０６および反射防止膜１０３ａの応力および応力む
らは考慮されていない。このためＸ線吸収体１０４のパ
ターニング後の位置精度が劣化するという問題点もあっ
た。この問題については、エッチマスク１０６に応力む
らがある場合を例に挙げて以下に詳細に説明する。
【００１７】図１４〜図１７は、従来のＸ線マスクの製
造方法においてエッチマスクに応力むらがある場合に位
置精度が劣化することを説明するための概略断面図であ
る。なお、この図１４〜図１７においては、説明の便宜
上、図８に示される反射防止膜１０３ｂとサポートリン
グ５との図示は省略してある。
造方法においてエッチマスクに応力むらがある場合に位
置精度が劣化することを説明するための概略断面図であ
る。なお、この図１４〜図１７においては、説明の便宜
上、図８に示される反射防止膜１０３ｂとサポートリン
グ５との図示は省略してある。
【００１８】まず図１４を参照して、上述したようにア
ニールによりＸ線吸収体１０４の平均膜応力が０とされ
る。
ニールによりＸ線吸収体１０４の平均膜応力が０とされ
る。
【００１９】図１５を参照して、ところがＸ線吸収体１
０４上に図１８に示す応力むらを有するエッチマスク１
０６が成膜されると、Ｘ線吸収体１０４の所定のＡ点は
エッチマスク１０６の応力に引っ張られて移動する。
０４上に図１８に示す応力むらを有するエッチマスク１
０６が成膜されると、Ｘ線吸収体１０４の所定のＡ点は
エッチマスク１０６の応力に引っ張られて移動する。
【００２０】図１６を参照して、この状態でレジストパ
ターン７をマスクとしてエッチマスク１０６がパターニ
ングされ、このパターニングされたエッチマスク１０６
をマスクとしてＸ線吸収体１０４がパターニングされ
る。
ターン７をマスクとしてエッチマスク１０６がパターニ
ングされ、このパターニングされたエッチマスク１０６
をマスクとしてＸ線吸収体１０４がパターニングされ
る。
【００２１】図１７を参照して、この後、レジストパタ
ーン７とエッチマスク１０６とが除去されると、エッチ
マスク１０６の応力から解放されてＸ線吸収体１０４の
Ａ点は元に戻る。このため、元に戻った分の寸法Ｗ1 だ
けパターンの位置がずれてしまうことになる。
ーン７とエッチマスク１０６とが除去されると、エッチ
マスク１０６の応力から解放されてＸ線吸収体１０４の
Ａ点は元に戻る。このため、元に戻った分の寸法Ｗ1 だ
けパターンの位置がずれてしまうことになる。
【００２２】本発明は、上記の問題点を解決するために
なされたもので、良好なパターンの位置精度を有するＸ
線マスクおよびその製造方法を提供することを目的とす
る。
なされたもので、良好なパターンの位置精度を有するＸ
線マスクおよびその製造方法を提供することを目的とす
る。
【００２３】
【課題を解決するための手段】本発明のＸ線マスクは、
メンブレンと、反射防止膜と、Ｘ線吸収体とを備えてい
る。メンブレンはＸ線を透過する。反射防止膜はメンブ
レン上に形成され、かつアライメント光の反射を防止す
る。Ｘ線吸収体は、反射防止膜の表面に接しかつパター
ニングされており、Ｘ線の透過を遮る。反射防止膜はア
モルファス構造を含んでいる。
メンブレンと、反射防止膜と、Ｘ線吸収体とを備えてい
る。メンブレンはＸ線を透過する。反射防止膜はメンブ
レン上に形成され、かつアライメント光の反射を防止す
る。Ｘ線吸収体は、反射防止膜の表面に接しかつパター
ニングされており、Ｘ線の透過を遮る。反射防止膜はア
モルファス構造を含んでいる。
【００２４】上記局面において好ましくは、反射防止膜
はすべてアモルファス構造である。上記局面において好
ましくは、Ｘ線吸収体はアモルファス構造を含んでい
る。
はすべてアモルファス構造である。上記局面において好
ましくは、Ｘ線吸収体はアモルファス構造を含んでい
る。
【００２５】上記局面において好ましくは、反射防止膜
は、クロムの窒化物、クロムの酸化物、クロムの窒化酸
化物、酸化錫、炭化珪素および窒化珪素からなる群から
選ばれる１種以上を含む材質よりなっている。
は、クロムの窒化物、クロムの酸化物、クロムの窒化酸
化物、酸化錫、炭化珪素および窒化珪素からなる群から
選ばれる１種以上を含む材質よりなっている。
【００２６】本発明の１の局面に従うＸ線マスクの製造
方法は以下の工程を備えている。まずＸ線を透過するメ
ンブレン上に、Ｘ線の透過を遮るＸ線吸収体が形成され
る。そしてＸ線吸収体上に、Ｘ線吸収体と異なる材料よ
りなるマスク層が形成される。そしてマスク層が所定の
形状にパターニングされる。そしてマスク層をマスクと
してＸ線吸収体がパターニングされる。マスク層は、少
なくともＸ線吸収体をパターニングする時点においてア
モルファス構造を含んでいる。
方法は以下の工程を備えている。まずＸ線を透過するメ
ンブレン上に、Ｘ線の透過を遮るＸ線吸収体が形成され
る。そしてＸ線吸収体上に、Ｘ線吸収体と異なる材料よ
りなるマスク層が形成される。そしてマスク層が所定の
形状にパターニングされる。そしてマスク層をマスクと
してＸ線吸収体がパターニングされる。マスク層は、少
なくともＸ線吸収体をパターニングする時点においてア
モルファス構造を含んでいる。
【００２７】上記局面において好ましくは、マスク層は
少なくともＸ線吸収体をパターニングする時点において
すべてアモルファス構造である。
少なくともＸ線吸収体をパターニングする時点において
すべてアモルファス構造である。
【００２８】本発明の他の局面に従うＸ線マスクの製造
方法は以下の工程を備えている。まずＸ線を透過するメ
ンブレン上に、アライメント光の反射を防止するための
反射防止膜が形成される。そして反射防止膜の表面に接
するように、Ｘ線の透過を遮るＸ線吸収体が形成され
る。そしてＸ線吸収体が所定の形状にパターニングされ
る。反射防止膜は、少なくともＸ線吸収体が成膜される
時点において、アモルファス構造を含んでいる。
方法は以下の工程を備えている。まずＸ線を透過するメ
ンブレン上に、アライメント光の反射を防止するための
反射防止膜が形成される。そして反射防止膜の表面に接
するように、Ｘ線の透過を遮るＸ線吸収体が形成され
る。そしてＸ線吸収体が所定の形状にパターニングされ
る。反射防止膜は、少なくともＸ線吸収体が成膜される
時点において、アモルファス構造を含んでいる。
【００２９】上記局面において好ましくは、反射防止膜
は、少なくともＸ線吸収体が成膜される時点においてす
べてアモルファス構造である。
は、少なくともＸ線吸収体が成膜される時点においてす
べてアモルファス構造である。
【００３０】本発明の他の局面に従うＸ線マスクの製造
方法は以下の工程を備えている。まずＸ線を透過するメ
ンブレン上に、アライメント光の反射を防止するための
反射防止膜が形成される。そして反射防止膜の表面に接
するように、Ｘ線の透過を遮るＸ線吸収体が形成され
る。そしてＸ線吸収体上に、Ｘ線吸収体と異なる材料よ
りなるマスク層が形成される。そしてマスク層をマスク
としてＸ線吸収体がパターニングされる。反射防止膜お
よびマスク層の少なくともいずれかは、クロムターゲッ
トを使用し、スパッタガスとして不活性ガスに窒素を含
んだものを用いてスパッタすることで成膜された窒化ク
ロムよりなっている。
方法は以下の工程を備えている。まずＸ線を透過するメ
ンブレン上に、アライメント光の反射を防止するための
反射防止膜が形成される。そして反射防止膜の表面に接
するように、Ｘ線の透過を遮るＸ線吸収体が形成され
る。そしてＸ線吸収体上に、Ｘ線吸収体と異なる材料よ
りなるマスク層が形成される。そしてマスク層をマスク
としてＸ線吸収体がパターニングされる。反射防止膜お
よびマスク層の少なくともいずれかは、クロムターゲッ
トを使用し、スパッタガスとして不活性ガスに窒素を含
んだものを用いてスパッタすることで成膜された窒化ク
ロムよりなっている。
【００３１】本発明の他の局面に従うＸ線マスクの製造
方法は以下の工程を備えている。まずＸ線を透過するメ
ンブレン上に、アライメント光の反射を防止するための
反射防止膜が形成される。そして反射防止膜の表面に接
するように、Ｘ線の透過を遮るＸ線吸収体が形成され
る。そしてＸ線吸収体上に、Ｘ線吸収体と異なる材料よ
りなるマスク層が形成される。そしてマスク層をマスク
としてＸ線吸収体がパターニングされる。反射防止膜お
よびマスク層の少なくともいずれかは、窒素とクロムと
を含むターゲットを使用してスパッタすることで成膜さ
れた窒化クロムよりなる。
方法は以下の工程を備えている。まずＸ線を透過するメ
ンブレン上に、アライメント光の反射を防止するための
反射防止膜が形成される。そして反射防止膜の表面に接
するように、Ｘ線の透過を遮るＸ線吸収体が形成され
る。そしてＸ線吸収体上に、Ｘ線吸収体と異なる材料よ
りなるマスク層が形成される。そしてマスク層をマスク
としてＸ線吸収体がパターニングされる。反射防止膜お
よびマスク層の少なくともいずれかは、窒素とクロムと
を含むターゲットを使用してスパッタすることで成膜さ
れた窒化クロムよりなる。
【００３２】本発明の他の局面に従うＸ線マスクの製造
方法は以下の工程を備えている。まずＸ線を透過するメ
ンブレン上に、Ｘ線の透過を遮るＸ線吸収体が形成され
る。そしてＸ線吸収体上に、Ｘ線吸収体と異なる材料よ
りなるマスク層が形成される。そしてマスク層が所定の
形状にパターニングされる。そしてマスク層をマスクと
してＸ線吸収体がパターニングされる。Ｘ線吸収体の厚
さをｄａ、マスク層の厚さをｄｅとしたとき、マスク層
内の局所応力は、少なくともＸ線吸収体をパターニング
する時点において、±１０×ｄａ／ｄｅＭＰａ以下であ
る。
方法は以下の工程を備えている。まずＸ線を透過するメ
ンブレン上に、Ｘ線の透過を遮るＸ線吸収体が形成され
る。そしてＸ線吸収体上に、Ｘ線吸収体と異なる材料よ
りなるマスク層が形成される。そしてマスク層が所定の
形状にパターニングされる。そしてマスク層をマスクと
してＸ線吸収体がパターニングされる。Ｘ線吸収体の厚
さをｄａ、マスク層の厚さをｄｅとしたとき、マスク層
内の局所応力は、少なくともＸ線吸収体をパターニング
する時点において、±１０×ｄａ／ｄｅＭＰａ以下であ
る。
【００３３】本発明の他の局面に従うＸ線マスクの製造
方法は以下の工程を備えている。まずＸ線を透過するメ
ンブレン上に、アライメント光の反射を防止するための
反射防止膜が形成される。そして反射防止膜の表面に接
するように、Ｘ線の透過を遮るＸ線吸収体が形成され
る。そしてＸ線吸収体が所定の形状にパターニングされ
る。Ｘ線吸収体のパターニングはエッチングにより行な
われ、かつＸ線吸収体のオーバエッチングにより反射防
止膜の一部表面はエッチング除去される。Ｘ線吸収体の
厚さをｄａ、このエッチングにおけるＸ線吸収体のオー
バエッチングの時間をＴ、エッチングにおける反射防止
膜のエッチング速度をＥとしたとき、反射防止膜のオー
バエッチングで除去される部分の局所応力が、±１０×
ｄａ／（Ｅ×Ｔ）ＭＰａ以下である。
方法は以下の工程を備えている。まずＸ線を透過するメ
ンブレン上に、アライメント光の反射を防止するための
反射防止膜が形成される。そして反射防止膜の表面に接
するように、Ｘ線の透過を遮るＸ線吸収体が形成され
る。そしてＸ線吸収体が所定の形状にパターニングされ
る。Ｘ線吸収体のパターニングはエッチングにより行な
われ、かつＸ線吸収体のオーバエッチングにより反射防
止膜の一部表面はエッチング除去される。Ｘ線吸収体の
厚さをｄａ、このエッチングにおけるＸ線吸収体のオー
バエッチングの時間をＴ、エッチングにおける反射防止
膜のエッチング速度をＥとしたとき、反射防止膜のオー
バエッチングで除去される部分の局所応力が、±１０×
ｄａ／（Ｅ×Ｔ）ＭＰａ以下である。
【００３４】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て図に基づいて説明する。
て図に基づいて説明する。
【００３５】実施の形態１ 図１は、本発明の実施の形態１におけるＸ線マスクの構
成を概略的に示す断面図である。図１を参照して、本実
施の形態のＸ線マスクは、シリコン基板１と、メンブレ
ン２と、反射防止膜兼エッチストッパ（以下、単に反射
防止膜と称する）３ａと、反射防止膜３ｂと、Ｘ線吸収
体４と、サポートリング５とを有している。
成を概略的に示す断面図である。図１を参照して、本実
施の形態のＸ線マスクは、シリコン基板１と、メンブレ
ン２と、反射防止膜兼エッチストッパ（以下、単に反射
防止膜と称する）３ａと、反射防止膜３ｂと、Ｘ線吸収
体４と、サポートリング５とを有している。
【００３６】メンブレン２は、Ｘ線透過性基板であり、
たとえば厚さ１〜２μｍで軽元素からなっておりシリコ
ン基板１上に形成されている。反射防止膜３ａは、メン
ブレン２の表面に形成され、たとえばインジウム・錫酸
化物などからなっている。反射防止膜３ｂは、メンブレ
ン２の裏面に形成され、たとえばインジウム・錫酸化物
などからなっている。これら反射防止膜３ａ、３ｂはア
ライメント光の反射を防止する役割をなすものである。
Ｘ線吸収体４は、反射防止膜３ａ上に所定の形状で形成
され、Ｘ線の透過を遮る材料、たとえばタンタル系の材
料よりなっている。サポートリング５は、シリコン基板
１の裏面に接着剤（図示せず）により接着されて、シリ
コン基板１を支持している。
たとえば厚さ１〜２μｍで軽元素からなっておりシリコ
ン基板１上に形成されている。反射防止膜３ａは、メン
ブレン２の表面に形成され、たとえばインジウム・錫酸
化物などからなっている。反射防止膜３ｂは、メンブレ
ン２の裏面に形成され、たとえばインジウム・錫酸化物
などからなっている。これら反射防止膜３ａ、３ｂはア
ライメント光の反射を防止する役割をなすものである。
Ｘ線吸収体４は、反射防止膜３ａ上に所定の形状で形成
され、Ｘ線の透過を遮る材料、たとえばタンタル系の材
料よりなっている。サポートリング５は、シリコン基板
１の裏面に接着剤（図示せず）により接着されて、シリ
コン基板１を支持している。
【００３７】本実施の形態のＸ線マスクの構造で特に注
目すべきは、反射防止膜３ａがアモルファス（非晶質）
構造を含んでいることである。また、反射防止膜３ａの
すべてがアモルファス構造であることが好ましい。また
Ｘ線吸収体４もアモルファス構造を含んでいることが好
ましい。
目すべきは、反射防止膜３ａがアモルファス（非晶質）
構造を含んでいることである。また、反射防止膜３ａの
すべてがアモルファス構造であることが好ましい。また
Ｘ線吸収体４もアモルファス構造を含んでいることが好
ましい。
【００３８】また反射防止膜３ａは、インジウム・錫酸
化物に限られず、クロムの窒化物、クロムの酸化物、ク
ロムの窒化酸化物、酸化錫、炭化珪素および窒化珪素か
らなる群から選ばれる１種以上を含む材質よりなってい
ることが好ましい。
化物に限られず、クロムの窒化物、クロムの酸化物、ク
ロムの窒化酸化物、酸化錫、炭化珪素および窒化珪素か
らなる群から選ばれる１種以上を含む材質よりなってい
ることが好ましい。
【００３９】また、Ｘ線吸収体４もタンタル系の材料に
限定されず、タングステン系の膜からなっていてもよ
い。
限定されず、タングステン系の膜からなっていてもよ
い。
【００４０】次に、本実施の形態の製造方法について説
明する。図２〜図４は、本発明の実施の形態１における
Ｘ線マスクの製造方法を工程順に示す概略断面図であ
る。まず図２を参照して、シリコン基板１上に厚さ１〜
２μｍで軽元素からなるメンブレン２が成膜される。そ
してシリコン基板１の一部にバックエッチが施され、メ
ンブレン２の裏面が露出する。メンブレン２の表面およ
び裏面に反射防止膜３ａおよび３ｂが成膜される。特に
反射防止膜３ａはアモルファス構造を含むように成膜さ
れる。その後、シリコン基板１が接着剤（図示せず）に
よりサポートリング５に接着される。
明する。図２〜図４は、本発明の実施の形態１における
Ｘ線マスクの製造方法を工程順に示す概略断面図であ
る。まず図２を参照して、シリコン基板１上に厚さ１〜
２μｍで軽元素からなるメンブレン２が成膜される。そ
してシリコン基板１の一部にバックエッチが施され、メ
ンブレン２の裏面が露出する。メンブレン２の表面およ
び裏面に反射防止膜３ａおよび３ｂが成膜される。特に
反射防止膜３ａはアモルファス構造を含むように成膜さ
れる。その後、シリコン基板１が接着剤（図示せず）に
よりサポートリング５に接着される。
【００４１】図３を参照して、反射防止膜３ａ上に、た
とえばスパッタ法によりＸ線吸収体４が、たとえばタン
タル系の材料により成膜される。この際、反射防止膜３
ａがアモルファス構造を含んでいれば、Ｘ線吸収体４も
アモルファス構造になりやすい。この際のＸ線吸収体４
の平均膜応力を測定した後、この平均応力が０となるよ
うに温度を決定し、たとえばオーブンで２５０℃で均一
にアニールすることでＸ線吸収体４の平均膜応力が０に
調整される。
とえばスパッタ法によりＸ線吸収体４が、たとえばタン
タル系の材料により成膜される。この際、反射防止膜３
ａがアモルファス構造を含んでいれば、Ｘ線吸収体４も
アモルファス構造になりやすい。この際のＸ線吸収体４
の平均膜応力を測定した後、この平均応力が０となるよ
うに温度を決定し、たとえばオーブンで２５０℃で均一
にアニールすることでＸ線吸収体４の平均膜応力が０に
調整される。
【００４２】次に、たとえばスパッタ法により、タング
ステンよりなるエッチマスク６がアモルファス構造を含
むように成膜される。ここで、エッチマスク６のスパッ
タは、Ａｒ（アルゴン）に７％のＮ（窒素）を加えたス
パッタガスを用い、出力を６５０Ｗ、圧力を９ｍＴｏｒ
ｒとして行なわれる。
ステンよりなるエッチマスク６がアモルファス構造を含
むように成膜される。ここで、エッチマスク６のスパッ
タは、Ａｒ（アルゴン）に７％のＮ（窒素）を加えたス
パッタガスを用い、出力を６５０Ｗ、圧力を９ｍＴｏｒ
ｒとして行なわれる。
【００４３】この後、エッチマスク６上にレジスト７が
塗布され、たとえば１８０℃でベークされる。
塗布され、たとえば１８０℃でベークされる。
【００４４】図４を参照して、電子線描画器（ＥＢ）で
レジスト７にパターンが描かれた後、現像されてレジス
トパターン７が形成される。このレジストパターン７を
用いてエッチマスク６にエッチングが行なわれる。エッ
チマスク６は、少なくともこのエッチング時においてア
モルファス構造を有している。この後、パターニングさ
れたエッチマスク６を用いてＸ線吸収体４にエッチング
が施され、Ｘ線吸収体４がパターニングされる。このＸ
線吸収体４のパターニング時にＸ線吸収体４がアモルフ
ァス構造を含んでいることが好ましい。最後に、エッチ
マスク６の除去を行なって、Ｘ線マスクが完成する。
レジスト７にパターンが描かれた後、現像されてレジス
トパターン７が形成される。このレジストパターン７を
用いてエッチマスク６にエッチングが行なわれる。エッ
チマスク６は、少なくともこのエッチング時においてア
モルファス構造を有している。この後、パターニングさ
れたエッチマスク６を用いてＸ線吸収体４にエッチング
が施され、Ｘ線吸収体４がパターニングされる。このＸ
線吸収体４のパターニング時にＸ線吸収体４がアモルフ
ァス構造を含んでいることが好ましい。最後に、エッチ
マスク６の除去を行なって、Ｘ線マスクが完成する。
【００４５】なお、シリコン基板１のバックエッチの工
程およびサポートリング５へのシリコン基板１の接着の
工程は、必ずしもこの工程順通り行なわれるものではな
い。
程およびサポートリング５へのシリコン基板１の接着の
工程は、必ずしもこの工程順通り行なわれるものではな
い。
【００４６】本実施の形態では、図４に示すようにエッ
チマスク６のパターニング時においてエッチマスク６は
アモルファス構造を含んでいる。このため、図１３で説
明したようにエッチマスク１０６の結晶粒界に沿ってエ
ッチマスク１０６がパターニングされることはない。よ
って、それによるエッチマスク６のエッジラフネスの発
生はない。したがって、このエッジラフネスの発生によ
るＸ線吸収体４のパターン精度の劣化は生じず、寸法精
度の良好なＸ線マスクを得ることができる。
チマスク６のパターニング時においてエッチマスク６は
アモルファス構造を含んでいる。このため、図１３で説
明したようにエッチマスク１０６の結晶粒界に沿ってエ
ッチマスク１０６がパターニングされることはない。よ
って、それによるエッチマスク６のエッジラフネスの発
生はない。したがって、このエッジラフネスの発生によ
るＸ線吸収体４のパターン精度の劣化は生じず、寸法精
度の良好なＸ線マスクを得ることができる。
【００４７】また、反射防止膜３ａがアモルファス構造
を含んでいると、この反射防止膜３ａ上に成膜されるＸ
線吸収体４がアモルファス化しやすい。通常、Ｘ線吸収
体４は柱状の結晶構造であるが、このようにＸ線吸収体
４がアモルファス化した場合には、上述と同様、Ｘ線吸
収体４が結晶粒界に沿ってパターニングされることはな
いため、パターンの寸法精度が良好となる。
を含んでいると、この反射防止膜３ａ上に成膜されるＸ
線吸収体４がアモルファス化しやすい。通常、Ｘ線吸収
体４は柱状の結晶構造であるが、このようにＸ線吸収体
４がアモルファス化した場合には、上述と同様、Ｘ線吸
収体４が結晶粒界に沿ってパターニングされることはな
いため、パターンの寸法精度が良好となる。
【００４８】なお、本実施の形態の製造方法では、反射
防止膜３ａおよびエッチマスク６の双方がアモルファス
構造を含む場合について説明したが、反射防止膜３ａお
よびエッチマスク６のいずれかがアモルファス構造であ
ればよい。
防止膜３ａおよびエッチマスク６の双方がアモルファス
構造を含む場合について説明したが、反射防止膜３ａお
よびエッチマスク６のいずれかがアモルファス構造であ
ればよい。
【００４９】実施の形態２ 本願発明者らは、図３に示す反射防止膜３ａとエッチマ
スク６とを、所定の条件で成膜することにより、これら
の膜内の応力を低くできることを見出した。以下、その
実験の内容および実験の結果について説明する。
スク６とを、所定の条件で成膜することにより、これら
の膜内の応力を低くできることを見出した。以下、その
実験の内容および実験の結果について説明する。
【００５０】まず比較例として、Ａｒの流量：８０ｃｍ
3 ／分、ＤＣ：５００Ｗ、スパッタガス圧力：１５ｍＴ
ｏｒｒの条件下で、クロムターゲットを用いて３インチ
のシリコンウェハ上にマグネトロンスパッタ装置を用い
てスパッタしたクロム膜を準備した。
3 ／分、ＤＣ：５００Ｗ、スパッタガス圧力：１５ｍＴ
ｏｒｒの条件下で、クロムターゲットを用いて３インチ
のシリコンウェハ上にマグネトロンスパッタ装置を用い
てスパッタしたクロム膜を準備した。
【００５１】また、本発明例として、Ａｒの流量：８０
ｃｍ3 ／分、Ｎ2 の流量：６ｃｍ3／分、ＤＣ：１００
Ｗ、スパッタガス圧力：１７ｍＴｏｒｒの条件下で、ク
ロムターゲットを用いて３インチのシリコンウェハ上に
マグネトロンスパッタ装置を用いてスパッタした窒化ク
ロム膜を準備した。
ｃｍ3 ／分、Ｎ2 の流量：６ｃｍ3／分、ＤＣ：１００
Ｗ、スパッタガス圧力：１７ｍＴｏｒｒの条件下で、ク
ロムターゲットを用いて３インチのシリコンウェハ上に
マグネトロンスパッタ装置を用いてスパッタした窒化ク
ロム膜を準備した。
【００５２】この比較例のクロム膜と本発明例の窒化ク
ロム膜との双方に１８０℃でアニールを行なった後、各
膜の応力分布をφ５０ｍｍエリアで測定した。その結果
を、比較例については図５に、本発明例については図６
に示す。
ロム膜との双方に１８０℃でアニールを行なった後、各
膜の応力分布をφ５０ｍｍエリアで測定した。その結果
を、比較例については図５に、本発明例については図６
に示す。
【００５３】図５を参照して、この結果より、比較例の
クロム膜では、２５ｍｍ□における平均応力が１３３８
ＭＰａ、最大応力が１３８０ＭＰａ、最小応力が１１７
０ＭＰａであった。
クロム膜では、２５ｍｍ□における平均応力が１３３８
ＭＰａ、最大応力が１３８０ＭＰａ、最小応力が１１７
０ＭＰａであった。
【００５４】図６を参照して、これに対して、本発明例
の窒化クロム膜では、２５ｍｍ□における平均応力が９
２．７ＭＰａ、最大応力が１０５．２ＭＰａ、最小応力
が６８．２ＭＰａであった。
の窒化クロム膜では、２５ｍｍ□における平均応力が９
２．７ＭＰａ、最大応力が１０５．２ＭＰａ、最小応力
が６８．２ＭＰａであった。
【００５５】これらの結果より、明らかに、スパッタガ
ス中に窒素を加えて成膜した本発明例の窒化クロム膜の
方が従来例のクロム膜より低応力であり、また応力むら
が小さいことがわかった。
ス中に窒素を加えて成膜した本発明例の窒化クロム膜の
方が従来例のクロム膜より低応力であり、また応力むら
が小さいことがわかった。
【００５６】それゆえ、本実施の形態の製造方法では、
図２に示す反射防止膜３ａおよび図３に示すエッチマス
ク６の少なくともいずれかは、クロムターゲットを使用
し、スパッタガスとして不活性ガス（たとえばＡｒ）に
窒素を含んだものを用いてスパッタをすることで成膜さ
れる。
図２に示す反射防止膜３ａおよび図３に示すエッチマス
ク６の少なくともいずれかは、クロムターゲットを使用
し、スパッタガスとして不活性ガス（たとえばＡｒ）に
窒素を含んだものを用いてスパッタをすることで成膜さ
れる。
【００５７】また、上記の窒化クロムを成膜するための
スパッタの条件は、不活性ガス中に窒素を５％以上含
み、スパッタガスの圧力が１０ｍＴｏｒｒ以上であるこ
とが好ましい。
スパッタの条件は、不活性ガス中に窒素を５％以上含
み、スパッタガスの圧力が１０ｍＴｏｒｒ以上であるこ
とが好ましい。
【００５８】なお、これ以外の製造工程については、実
施の形態１と同様であるため、その説明は省略する。
施の形態１と同様であるため、その説明は省略する。
【００５９】このような方法で反射防止膜３ａおよびエ
ッチマスク６の少なくともいずれかが成膜されるため、
本実施の形態では反射防止膜３ａおよびエッチマスク６
の少なくともいずれかは窒化クロム膜よりなっている。
ッチマスク６の少なくともいずれかが成膜されるため、
本実施の形態では反射防止膜３ａおよびエッチマスク６
の少なくともいずれかは窒化クロム膜よりなっている。
【００６０】なお、これ以外の構成についても実施の形
態１と同様であるため、その説明は省略する。
態１と同様であるため、その説明は省略する。
【００６１】本実施の形態では、反射防止膜３ａおよび
エッチマスク６は低応力となるため、特にこれらをアモ
ルファス構造にする必要はない。しかしながら、反射防
止膜３ａおよびエッチマスク６が低応力になるとともに
アモルファス構造を含んでいることがより好ましい。
エッチマスク６は低応力となるため、特にこれらをアモ
ルファス構造にする必要はない。しかしながら、反射防
止膜３ａおよびエッチマスク６が低応力になるとともに
アモルファス構造を含んでいることがより好ましい。
【００６２】なお、本実施の形態においては、クロムタ
ーゲットを使用し、スパッタガスとして不活性ガスに窒
素を含んだものを用いてスパッタを行なっているが、窒
素とクロムとを含むターゲットを使用してスパッタを行
なうことで窒化クロムを成膜しても、上述と同じように
低応力となる。
ーゲットを使用し、スパッタガスとして不活性ガスに窒
素を含んだものを用いてスパッタを行なっているが、窒
素とクロムとを含むターゲットを使用してスパッタを行
なうことで窒化クロムを成膜しても、上述と同じように
低応力となる。
【００６３】本実施の形態では、不活性ガス中に窒素を
含むスパッタガスを用いてスパッタする、または窒素を
含むターゲットを用いてスパッタすることにより、低応
力および低応力むらの反射防止膜３ａまたはエッチマス
ク６が得られる。このため、図１５において示されるＡ
点が、エッチマスク６の応力によって引っ張られること
は抑制される。よって、図１７に示すようにＸ線吸収体
４がパターニングされた後に、Ａ点が元に戻ることによ
り生ずるＸ線吸収体４のパターンの位置ずれは生じな
い。したがって、パターンの位置精度が低下することを
防止することができる。
含むスパッタガスを用いてスパッタする、または窒素を
含むターゲットを用いてスパッタすることにより、低応
力および低応力むらの反射防止膜３ａまたはエッチマス
ク６が得られる。このため、図１５において示されるＡ
点が、エッチマスク６の応力によって引っ張られること
は抑制される。よって、図１７に示すようにＸ線吸収体
４がパターニングされた後に、Ａ点が元に戻ることによ
り生ずるＸ線吸収体４のパターンの位置ずれは生じな
い。したがって、パターンの位置精度が低下することを
防止することができる。
【００６４】実施の形態３ 図３を参照して、本願発明者らは、エッチマスク６の局
所応力が、±１０×ｄａ／ｄｅＭＰａ以下であれば、Ｘ
線吸収体４がパターニングされた後でも、Ｘ線吸収体４
が位置ずれを起こさないことを見出した。なおここで、
ｄａおよびｄｅは、図３に示すようにＸ線吸収体４とエ
ッチマスク６との膜厚である。このため本実施の形態の
製造方法では、図３に示す工程で、±１０×ｄａ／ｄｅ
ＭＰａ以下の局所応力となるようにエッチマスク６は成
膜され、もしくは成膜後に処理（たとえばアニールなど
の熱処理）が施される。
所応力が、±１０×ｄａ／ｄｅＭＰａ以下であれば、Ｘ
線吸収体４がパターニングされた後でも、Ｘ線吸収体４
が位置ずれを起こさないことを見出した。なおここで、
ｄａおよびｄｅは、図３に示すようにＸ線吸収体４とエ
ッチマスク６との膜厚である。このため本実施の形態の
製造方法では、図３に示す工程で、±１０×ｄａ／ｄｅ
ＭＰａ以下の局所応力となるようにエッチマスク６は成
膜され、もしくは成膜後に処理（たとえばアニールなど
の熱処理）が施される。
【００６５】また、図４においてレジストパターン７を
マスクとしてエッチマスク６をパターニングし、このパ
ターンされたエッチマスク６をマスクとしてエッチング
を施すことによりＸ線吸収体４がパターニングされる。
Ｘ線吸収体４のパターニングのためのエッチング時にお
いて、Ｘ線吸収体４のオーバエッチングにより、その下
層にある反射防止膜３ａもある程度エッチングされる。
このようにオーバエッチングで反射防止膜３ａが除去さ
れた場合には、除去された部分の応力を緩和するために
Ｘ線吸収体４のパターンの位置がずれるおそれがある。
マスクとしてエッチマスク６をパターニングし、このパ
ターンされたエッチマスク６をマスクとしてエッチング
を施すことによりＸ線吸収体４がパターニングされる。
Ｘ線吸収体４のパターニングのためのエッチング時にお
いて、Ｘ線吸収体４のオーバエッチングにより、その下
層にある反射防止膜３ａもある程度エッチングされる。
このようにオーバエッチングで反射防止膜３ａが除去さ
れた場合には、除去された部分の応力を緩和するために
Ｘ線吸収体４のパターンの位置がずれるおそれがある。
【００６６】これに対して本願発明者らは、このＸ線吸
収体４のエッチングにおけるオーバエッチングの時間を
Ｔとし、Ｘ線吸収体４のエッチング条件における反射防
止膜３ａのエッチングレート（速度）をＥとしたとき、
オーバエッチングで除去される反射防止膜３ａの部分の
局所応力が、±１０×ｄａ／（Ｅ×Ｔ）ＭＰａ以下であ
れば、Ｘ線吸収体４のパターニング後にＸ線吸収体４の
パターンの位置がずれることがないことを見出した。
収体４のエッチングにおけるオーバエッチングの時間を
Ｔとし、Ｘ線吸収体４のエッチング条件における反射防
止膜３ａのエッチングレート（速度）をＥとしたとき、
オーバエッチングで除去される反射防止膜３ａの部分の
局所応力が、±１０×ｄａ／（Ｅ×Ｔ）ＭＰａ以下であ
れば、Ｘ線吸収体４のパターニング後にＸ線吸収体４の
パターンの位置がずれることがないことを見出した。
【００６７】なおここで、Ｅ×Ｔは、図７に示すように
Ｘ線吸収体４のエッチング時におけるオーバエッチング
で反射防止膜３ａが除去される膜厚ｔと実質的に同じで
ある。
Ｘ線吸収体４のエッチング時におけるオーバエッチング
で反射防止膜３ａが除去される膜厚ｔと実質的に同じで
ある。
【００６８】それゆえ、本実施の形態の製造方法では、
Ｘ線吸収体４のエッチング時に除去される反射防止膜３
ａの部分の局所応力が、±１０×ｄａ／（Ｅ×Ｔ）ＭＰ
ａ以下となるように、反射防止膜３ａは成膜され、もし
くは成膜後に処理（たとえばアニールなどの熱処理）が
施される。
Ｘ線吸収体４のエッチング時に除去される反射防止膜３
ａの部分の局所応力が、±１０×ｄａ／（Ｅ×Ｔ）ＭＰ
ａ以下となるように、反射防止膜３ａは成膜され、もし
くは成膜後に処理（たとえばアニールなどの熱処理）が
施される。
【００６９】本実施の形態では、上述したように、エッ
チングマスク６または反射防止膜３ａの応力を所定の応
力以下に制御しているため、Ｘ線吸収体４のパターニン
グ後において、Ｘ線吸収体４のパターンが位置ずれを起
こすことが防止される。それゆえ、良好なパターンの位
置精度を有するＸ線マスクを得ることが可能となる。
チングマスク６または反射防止膜３ａの応力を所定の応
力以下に制御しているため、Ｘ線吸収体４のパターニン
グ後において、Ｘ線吸収体４のパターンが位置ずれを起
こすことが防止される。それゆえ、良好なパターンの位
置精度を有するＸ線マスクを得ることが可能となる。
【００７０】今回開示された実施の形態はすべての点で
例示であって制限的なものではないと考えられるべきで
ある。本発明の範囲は上記した説明ではなくて特許請求
の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味お
よび範囲内でのすべての変更が含まれることが意図され
る。
例示であって制限的なものではないと考えられるべきで
ある。本発明の範囲は上記した説明ではなくて特許請求
の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味お
よび範囲内でのすべての変更が含まれることが意図され
る。
【００７１】
【発明の効果】本発明のＸ線マスクでは、反射防止膜が
アモルファス構造を含んでいるため、その上に接して形
成されるＸ線吸収体もアモルファス構造となりやすい。
Ｘ線吸収体がアモルファス構造を含むと、Ｘ線吸収体を
パターニングする際にＸ線吸収体が結晶粒界に沿ってパ
ターニングされることは防止されるため、それによるエ
ッジラフネスは生じず、良好なパターンの寸法精度が得
られる。
アモルファス構造を含んでいるため、その上に接して形
成されるＸ線吸収体もアモルファス構造となりやすい。
Ｘ線吸収体がアモルファス構造を含むと、Ｘ線吸収体を
パターニングする際にＸ線吸収体が結晶粒界に沿ってパ
ターニングされることは防止されるため、それによるエ
ッジラフネスは生じず、良好なパターンの寸法精度が得
られる。
【００７２】上記局面において好ましくは、反射防止膜
はすべてアモルファス構造である。これにより、Ｘ線吸
収体は一層、アモルファス化しやすくなる。
はすべてアモルファス構造である。これにより、Ｘ線吸
収体は一層、アモルファス化しやすくなる。
【００７３】上記局面において好ましくは、Ｘ線吸収体
はアモルファス構造を含んでいる。これにより、上述の
良好なパターンの寸法精度が得られる。
はアモルファス構造を含んでいる。これにより、上述の
良好なパターンの寸法精度が得られる。
【００７４】上記局面において好ましくは、反射防止膜
は、クロムの窒化物、クロムの酸化物、クロムの窒化酸
化物、酸化錫、炭化珪素およびタングステンからなる群
から選ばれる１種以上を含む材質よりなっている。この
ように反射防止膜に適切な材料を用いることにより、Ｘ
線の反射を防止できるとともに、Ｘ線吸収体のエッチン
グ時において反射防止膜がエッチングストッパの役割を
なす。
は、クロムの窒化物、クロムの酸化物、クロムの窒化酸
化物、酸化錫、炭化珪素およびタングステンからなる群
から選ばれる１種以上を含む材質よりなっている。この
ように反射防止膜に適切な材料を用いることにより、Ｘ
線の反射を防止できるとともに、Ｘ線吸収体のエッチン
グ時において反射防止膜がエッチングストッパの役割を
なす。
【００７５】本発明の１の局面に従うＸ線マスクの製造
方法では、マスク層がアモルファス構造を含んでいるた
め、このマスク層をパターニングする際にマスク層が結
晶粒界に沿ってパターニングされることが防止される。
このため、それによるエッジラフネスは生じないため、
このマスク層をマスクとしてパターニングされるＸ線吸
収体には、エッジラフネスによるパターン精度の劣化が
生じることはない。したがって、良好なパターン寸法精
度を有するＸ線マスクを得ることができる。
方法では、マスク層がアモルファス構造を含んでいるた
め、このマスク層をパターニングする際にマスク層が結
晶粒界に沿ってパターニングされることが防止される。
このため、それによるエッジラフネスは生じないため、
このマスク層をマスクとしてパターニングされるＸ線吸
収体には、エッジラフネスによるパターン精度の劣化が
生じることはない。したがって、良好なパターン寸法精
度を有するＸ線マスクを得ることができる。
【００７６】上記局面において好ましくは、マスク層は
少なくともＸ線吸収体をパターニングする時点におい
て、すべてアモルファス構造である。これにより、マス
ク層が結晶粒界に沿ってパターニングされることは完全
に防止される。したがって、より一層、良好なパターン
の位置精度を有するＸ線マスクを得ることができる。
少なくともＸ線吸収体をパターニングする時点におい
て、すべてアモルファス構造である。これにより、マス
ク層が結晶粒界に沿ってパターニングされることは完全
に防止される。したがって、より一層、良好なパターン
の位置精度を有するＸ線マスクを得ることができる。
【００７７】本発明の他の局面に従うＸ線マスクの製造
方法では、反射防止膜がアモルファス構造を含んでいる
ため、その上に接して形成されるＸ線吸収体もアモルフ
ァス構造となりやすい。Ｘ線吸収体がアモルファス構造
を含むと、Ｘ線吸収体がパターニングする際にＸ線吸収
体が結晶粒界に沿ってパターニングされることは防止さ
れるため、それによるエッジラフネスは生じず、良好な
パターンの寸法精度が得られる。
方法では、反射防止膜がアモルファス構造を含んでいる
ため、その上に接して形成されるＸ線吸収体もアモルフ
ァス構造となりやすい。Ｘ線吸収体がアモルファス構造
を含むと、Ｘ線吸収体がパターニングする際にＸ線吸収
体が結晶粒界に沿ってパターニングされることは防止さ
れるため、それによるエッジラフネスは生じず、良好な
パターンの寸法精度が得られる。
【００７８】上記局面において好ましくは、反射防止膜
は、少なくともＸ線吸収体が成膜される時点においてす
べてアモルファス構造である。これにより、Ｘ線吸収体
はより一層、アモルファス化しやすくなる。
は、少なくともＸ線吸収体が成膜される時点においてす
べてアモルファス構造である。これにより、Ｘ線吸収体
はより一層、アモルファス化しやすくなる。
【００７９】本発明の他の局面に従うＸ線マスクの製造
方法では、反射防止膜およびマスク層の少なくともいず
れかが、クロムターゲットを使用し、スパッタガスとし
て不活性ガスに窒素を含んだものを用いてスパッタする
ことで成膜された窒化クロムよりなる。この方法で反射
防止膜およびマスク層の少なくともいずれかを成膜する
ことにより、低応力の反射防止膜またはマスク層が得ら
れる。よって、Ｘ線吸収体が反射防止膜やマスク層の応
力に引っ張られることで、パターンの位置精度が低下す
ることを防止することが可能となる。
方法では、反射防止膜およびマスク層の少なくともいず
れかが、クロムターゲットを使用し、スパッタガスとし
て不活性ガスに窒素を含んだものを用いてスパッタする
ことで成膜された窒化クロムよりなる。この方法で反射
防止膜およびマスク層の少なくともいずれかを成膜する
ことにより、低応力の反射防止膜またはマスク層が得ら
れる。よって、Ｘ線吸収体が反射防止膜やマスク層の応
力に引っ張られることで、パターンの位置精度が低下す
ることを防止することが可能となる。
【００８０】本発明の他の局面に従うＸ線マスクの製造
方法では、反射防止膜およびマスク層の少なくともいず
れかが、窒素とクロムとを含むターゲットを使用してス
パッタすることで成膜された窒化クロムよりなる。この
ように反射防止膜およびマスク層の少なくともいずれか
が成膜されることにより、低応力および低応力むらの反
射防止膜またはマスク層を得ることができる。よって、
Ｘ線吸収体が反射防止膜やマスク層の応力に引っ張られ
ることで、パターンの位置精度が低下することを防止す
ることが可能となる。
方法では、反射防止膜およびマスク層の少なくともいず
れかが、窒素とクロムとを含むターゲットを使用してス
パッタすることで成膜された窒化クロムよりなる。この
ように反射防止膜およびマスク層の少なくともいずれか
が成膜されることにより、低応力および低応力むらの反
射防止膜またはマスク層を得ることができる。よって、
Ｘ線吸収体が反射防止膜やマスク層の応力に引っ張られ
ることで、パターンの位置精度が低下することを防止す
ることが可能となる。
【００８１】本発明の他の局面に従うＸ線マスクの製造
方法では、マスク層内の局所応力は、少なくともＸ線吸
収体をパターニングする時点において、±１０×ｄａ／
ｄｅＭＰａ以下であるため、Ｘ線吸収体のパターニング
後においてＸ線吸収体のパターンが位置ずれを起こすこ
とを防止できる。したがって、良好なパターンの位置精
度を有するＸ線マスクを得ることができる。
方法では、マスク層内の局所応力は、少なくともＸ線吸
収体をパターニングする時点において、±１０×ｄａ／
ｄｅＭＰａ以下であるため、Ｘ線吸収体のパターニング
後においてＸ線吸収体のパターンが位置ずれを起こすこ
とを防止できる。したがって、良好なパターンの位置精
度を有するＸ線マスクを得ることができる。
【００８２】本発明の他の局面に従うＸ線マスクの製造
方法では、反射防止膜のオーバエッチングで除去される
部分の局所応力が、±１０×ｄａ／（Ｅ×Ｔ）ＭＰａ以
下であるため、Ｘ線吸収体のパターニング後にＸ線吸収
体のパターンが位置ずれを起こすことを防止できる。し
たがって、良好なパターンの位置精度を有するＸ線マス
クを得ることが可能となる。
方法では、反射防止膜のオーバエッチングで除去される
部分の局所応力が、±１０×ｄａ／（Ｅ×Ｔ）ＭＰａ以
下であるため、Ｘ線吸収体のパターニング後にＸ線吸収
体のパターンが位置ずれを起こすことを防止できる。し
たがって、良好なパターンの位置精度を有するＸ線マス
クを得ることが可能となる。
【図１】 本発明の実施の形態１におけるＸ線マスクの
構成を概略的に示す断面図である。
構成を概略的に示す断面図である。
【図２】 本発明の実施の形態１におけるＸ線マスクの
製造方法の第１工程を示す概略断面図である。
製造方法の第１工程を示す概略断面図である。
【図３】 本発明の実施の形態１におけるＸ線マスクの
製造方法の第２工程を示す概略断面図である。
製造方法の第２工程を示す概略断面図である。
【図４】 本発明の実施の形態１におけるＸ線マスクの
製造方法の第３工程を示す概略断面図である。
製造方法の第３工程を示す概略断面図である。
【図５】 窒素を含まないスパッタガスを用いて成膜さ
れた従来のクロム膜の応力分布を示す図である。
れた従来のクロム膜の応力分布を示す図である。
【図６】 窒素を含むスパッタガスを用いて成膜された
窒化クロム膜の応力分布を示す図である。
窒化クロム膜の応力分布を示す図である。
【図７】 Ｘ線吸収体４のエッチング時に反射防止膜３
ａがオーバエッチングされる様子を示す概略断面図であ
る。
ａがオーバエッチングされる様子を示す概略断面図であ
る。
【図８】 従来のＸ線マスクの構成を概略的に示す断面
図である。
図である。
【図９】 従来のＸ線マスクの製造方法の第１工程を示
す概略断面図である。
す概略断面図である。
【図１０】 従来のＸ線マスクの製造方法の第２工程を
示す概略断面図である。
示す概略断面図である。
【図１１】 従来のＸ線マスクの製造方法の第３工程を
示す概略断面図である。
示す概略断面図である。
【図１２】 Ｘ線吸収体に応力が残留している場合にＸ
線吸収体のパターンの位置がずれることを示す概略断面
図である。
線吸収体のパターンの位置がずれることを示す概略断面
図である。
【図１３】 エッチマスクが柱状の結晶構造を持つ場合
に、エッチマスクが結晶粒界に沿ってパターニングされ
ることを示す概略断面図である。
に、エッチマスクが結晶粒界に沿ってパターニングされ
ることを示す概略断面図である。
【図１４】 エッチマスクに応力むらがある場合にＸ線
吸収体のパターンがずれる様子を説明するための第１工
程図である。
吸収体のパターンがずれる様子を説明するための第１工
程図である。
【図１５】 エッチマスクに応力むらがある場合にＸ線
吸収体のパターンがずれる様子を説明するための第２工
程図である。
吸収体のパターンがずれる様子を説明するための第２工
程図である。
【図１６】 エッチマスクに応力むらがある場合にＸ線
吸収体のパターンがずれる様子を説明するための第３工
程図である。
吸収体のパターンがずれる様子を説明するための第３工
程図である。
【図１７】 エッチマスクに応力むらがある場合にＸ線
吸収体のパターンがずれる様子を説明するための第４工
程図である。
吸収体のパターンがずれる様子を説明するための第４工
程図である。
【図１８】 図１５に示す状態でのエッチマスクの応力
を分布の様子を示す図である。
を分布の様子を示す図である。
１ シリコン基板、２ メンブレン、３ａ、３ｂ 反射
防止膜、４ Ｘ線吸収体、５ サポートリング。
防止膜、４ Ｘ線吸収体、５ サポートリング。
Claims (12)
- 【請求項１】 Ｘ線を透過するメンブレンと、 前記メンブレン上に形成され、かつアライメント光の反
射を防止するための反射防止膜と、 前記反射防止膜の表面に接しかつパターニングされた、
Ｘ線の透過を遮るＸ線吸収体とを備え、 前記反射防止膜はアモルファス構造を含んでいる、Ｘ線
マスク。 - 【請求項２】 前記反射防止膜はすべてアモルファス構
造である、請求項１に記載のＸ線マスク。 - 【請求項３】 前記Ｘ線吸収体はアモルファス構造を含
む、請求項１に記載のＸ線マスク。 - 【請求項４】 前記反射防止膜は、クロムの窒化物、ク
ロムの酸化物、クロムの窒化酸化物、酸化錫、炭化珪素
および窒化珪素からなる群から選ばれる１種以上を含む
材質よりなっている、請求項１に記載のＸ線マスク。 - 【請求項５】 Ｘ線を透過するメンブレン上に、Ｘ線の
透過を遮るＸ線吸収体を形成する工程と、 前記Ｘ線吸収体上に、前記Ｘ線吸収体と異なる材料より
なるマスク層を形成する工程と、 前記マスク層を所定の形状にパターニングする工程と、 前記マスク層をマスクとして前記Ｘ線吸収体をパターニ
ングする工程とを備え、 前記マスク層は、少なくとも前記Ｘ線吸収体をパターニ
ングする時点においてアモルファス構造を含んでいる、
Ｘ線マスクの製造方法。 - 【請求項６】 前記マスク層は少なくとも前記Ｘ線吸収
体をパターニングする時点において、すべてアモルファ
ス構造である、請求項５に記載のＸ線マスクの製造方
法。 - 【請求項７】 Ｘ線を透過するメンブレン上に、アライ
メント光の反射を防止するための反射防止膜を形成する
工程と、 前記反射防止膜の表面に接するように、Ｘ線の透過を遮
るＸ線吸収体を形成する工程と、 前記Ｘ線吸収体を所定の形状にパターニングする工程と
を備え、 前記反射防止膜は、少なくとも前記Ｘ線吸収体が成膜さ
れる時点において、アモルファス構造を含んでいる、Ｘ
線マスクの製造方法。 - 【請求項８】 前記反射防止膜は、少なくとも前記Ｘ線
吸収体が成膜される時点においてすべてアモルファス構
造である、請求項７に記載のＸ線マスクの製造方法。 - 【請求項９】 Ｘ線を透過するメンブレン上に、アライ
メント光の反射を防止するための反射防止膜を形成する
工程と、 前記反射防止膜の表面に接するように、Ｘ線の透過を遮
るＸ線吸収体を形成する工程と、 前記Ｘ線吸収体上に、前記Ｘ線吸収体と異なる材料より
なるマスク層を形成する工程と、 前記マスク層をマスクとして前記Ｘ線吸収体をパターニ
ングする工程とを備え、 前記反射防止膜および前記マスク層の少なくともいずれ
かは、クロムターゲットを使用し、スパッタガスとして
不活性ガスに窒素を含んだものを用いてスパッタするこ
とで成膜された窒化クロムよりなる、Ｘ線マスクの製造
方法。 - 【請求項１０】 Ｘ線を透過するメンブレン上に、アラ
イメント光の反射を防止するための反射防止膜を形成す
る工程と、 前記反射防止膜の表面に接するように、Ｘ線の透過を遮
るＸ線吸収体を形成する工程と、 前記Ｘ線吸収体上に、前記Ｘ線吸収体と異なる材料より
なるマスク層を形成する工程と、 前記マスク層をマスクとして前記Ｘ線吸収体をパターニ
ングする工程とを備え、 前記反射防止膜および前記マスク層の少なくともいずれ
かは、窒素とクロムとを含むターゲットを使用してスパ
ッタすることで成膜された窒化クロムよりなる、Ｘ線マ
スクの製造方法。 - 【請求項１１】 Ｘ線を透過するメンブレン上に、Ｘ線
の透過を遮るＸ線吸収体を形成する工程と、 前記Ｘ線吸収体上に、前記Ｘ線吸収体と異なる材料より
なるマスク層を形成する工程と、 前記マスク層を所定の形状にパターニングする工程と、 前記マスク層をマスクとして前記Ｘ線吸収体をパターニ
ングする工程とを備え、 前記Ｘ線吸収体の厚さをｄａ、前記マスク層の厚さをｄ
ｅとしたとき、前記マスク層内の局所応力は、少なくと
も前記Ｘ線吸収体をパターニングする時点において、±
１０×ｄａ／ｄｅＭＰａ以下である、Ｘ線マスクの製造
方法。 - 【請求項１２】 Ｘ線を透過するメンブレン上に、アラ
イメント光の反射を防止するための反射防止膜を形成す
る工程と、 前記反射防止膜の表面に接するように、Ｘ線の透過を遮
るＸ線吸収体を形成する工程と、 前記Ｘ線吸収体を所定の形状にパターニングする工程と
を備え、 前記Ｘ線吸収体のパターニングはエッチングにより行な
われ、かつ前記Ｘ線吸収体のオーバエッチングにより前
記反射防止膜の一部表面はエッチング除去され、かつ前
記Ｘ線吸収体の厚さをｄａ、前記エッチングにおける前
記Ｘ線吸収体のオーバエッチング時間をＴ、前記エッチ
ングにおける前記反射防止膜のエッチング速度をＥとし
たとき、前記反射防止膜の前記オーバエッチングで除去
される部分の局所応力が、±１０×ｄａ／（Ｅ×Ｔ）Ｍ
Ｐａ以下である、Ｘ線マスクの製造方法。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7029497A JP3588222B2 (ja) | 1997-03-24 | 1997-03-24 | Ｘ線マスクの製造方法 |
| TW086110253A TW466617B (en) | 1997-03-24 | 1997-07-19 | X-ray mask and its fabricating method |
| KR1019970046656A KR100256723B1 (ko) | 1997-03-24 | 1997-09-11 | 엑스선 마스크 및 그 제조방법 |
| US08/949,339 US5905005A (en) | 1997-03-24 | 1997-10-14 | X-ray mask and method of fabricating the same |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7029497A JP3588222B2 (ja) | 1997-03-24 | 1997-03-24 | Ｘ線マスクの製造方法 |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2004179780A Division JP2004336066A (ja) | 2004-06-17 | 2004-06-17 | Ｘ線マスクの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10270314A true JPH10270314A (ja) | 1998-10-09 |
| JP3588222B2 JP3588222B2 (ja) | 2004-11-10 |
Family
ID=13427311
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7029497A Expired - Fee Related JP3588222B2 (ja) | 1997-03-24 | 1997-03-24 | Ｘ線マスクの製造方法 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5905005A (ja) |
| JP (1) | JP3588222B2 (ja) |
| KR (1) | KR100256723B1 (ja) |
| TW (1) | TW466617B (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6696205B2 (en) | 2000-12-21 | 2004-02-24 | International Business Machines Corporation | Thin tantalum silicon composite film formation and annealing for use as electron projection scatterer |
| JP2011523466A (ja) * | 2008-05-06 | 2011-08-11 | ヒューレット−パッカード デベロップメント カンパニー エル．ピー． | 薄いペリクルビームスプリッタの製造 |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6106351A (en) | 1998-09-02 | 2000-08-22 | Micron Technology, Inc. | Methods of manufacturing microelectronic substrate assemblies for use in planarization processes |
| US6555297B1 (en) | 2000-07-25 | 2003-04-29 | International Business Machines Corporation | Etch stop barrier for stencil mask fabrication |
| US8962220B2 (en) * | 2009-04-02 | 2015-02-24 | Toppan Printing Co., Ltd. | Reflective photomask and reflective photomask blank |
| US8822105B2 (en) | 2012-05-23 | 2014-09-02 | Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co. Ltd. | Photomask and method for manufacturing the same |
| CN102692815B (zh) * | 2012-05-23 | 2014-05-21 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 光掩模及其制造方法 |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4873162A (en) * | 1986-08-20 | 1989-10-10 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | X-ray mask and a manufacture method therefor |
| JPH05335216A (ja) * | 1992-05-29 | 1993-12-17 | Fujitsu Ltd | Ｘ線マスク及びその製造方法 |
| JPH05343299A (ja) * | 1992-06-08 | 1993-12-24 | Mitsubishi Electric Corp | Ｘ線マスク及びｘ線マスクの製造方法 |
| JP3833274B2 (ja) * | 1993-06-10 | 2006-10-11 | 三菱電機株式会社 | Ｘ線マスクの製造方法 |
| JP3513236B2 (ja) * | 1993-11-19 | 2004-03-31 | キヤノン株式会社 | Ｘ線マスク構造体、ｘ線マスク構造体の製造方法、該ｘ線マスク構造体を用いたｘ線露光装置及びｘ線露光方法、並びに該ｘ線露光方法を用いて製造される半導体装置 |
-
1997
- 1997-03-24 JP JP7029497A patent/JP3588222B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 1997-07-19 TW TW086110253A patent/TW466617B/zh not_active IP Right Cessation
- 1997-09-11 KR KR1019970046656A patent/KR100256723B1/ko not_active Expired - Fee Related
- 1997-10-14 US US08/949,339 patent/US5905005A/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6696205B2 (en) | 2000-12-21 | 2004-02-24 | International Business Machines Corporation | Thin tantalum silicon composite film formation and annealing for use as electron projection scatterer |
| JP2011523466A (ja) * | 2008-05-06 | 2011-08-11 | ヒューレット−パッカード デベロップメント カンパニー エル．ピー． | 薄いペリクルビームスプリッタの製造 |
| US8711484B2 (en) | 2008-05-06 | 2014-04-29 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Fabrication of thin pellicle beam splitters |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3588222B2 (ja) | 2004-11-10 |
| TW466617B (en) | 2001-12-01 |
| US5905005A (en) | 1999-05-18 |
| KR100256723B1 (ko) | 2000-06-01 |
| KR19980079359A (ko) | 1998-11-25 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH11274067A (ja) | Ｘ線マスクの応力調整方法 | |
| US5472812A (en) | Method for forming a photomask pattern | |
| JPH08213303A (ja) | 反射型ｘ線マスク及びその製造法 | |
| JP2011081356A (ja) | マスクブランク、転写用マスクおよびこれらの製造方法 | |
| JP2001223156A (ja) | フォトリソグラフィによる多層フォトレジストプロセス | |
| US5291536A (en) | X-ray mask, method for fabricating the same, and pattern formation method | |
| JP3588222B2 (ja) | Ｘ線マスクの製造方法 | |
| TW202303261A (zh) | 光罩基底、相位偏移光罩及半導體裝置之製造方法 | |
| JP4390418B2 (ja) | Ｅｕｖ露光用反射型マスクブランクおよびｅｕｖ露光用反射型マスク並びに半導体の製造方法 | |
| JP2010122304A (ja) | 反射型マスクブランクス、反射型マスク、反射型マスクブランクスの製造方法、および、反射型マスクの製造方法 | |
| JP2004336066A (ja) | Ｘ線マスクの製造方法 | |
| JPH11204392A (ja) | 反射防止膜を使用した半導体装置の製造方法 | |
| JP3031896B2 (ja) | フォトリソグラフィー法の実行過程での反射の影響の低減方法 | |
| JP4245900B2 (ja) | 転写用マスクの製造方法、及び転写用マスク基板 | |
| JP2609538B2 (ja) | 反射型マスク | |
| JPH11125896A (ja) | フォトマスクブランクス及びフォトマスク | |
| JPS63214755A (ja) | フオトマスク | |
| JP4648134B2 (ja) | Ｓｏｉ基板、荷電粒子線露光用マスクブランクスおよび荷電粒子線露光用マスク | |
| JP2016152356A (ja) | 反射型マスク、反射型マスクの製造方法、および反射型マスクの修正方法 | |
| JPH05265181A (ja) | 縮小投影露光用レティクル及びそれに用いるブランク | |
| JP5365172B2 (ja) | 階調マスクおよび階調マスクの製造方法 | |
| JP2007180479A (ja) | 位相シフトマスク及びその製造方法 | |
| JPH0463349A (ja) | フォトマスクブランクおよびフォトマスク | |
| JPH05234965A (ja) | コンタクトホールの形成方法 | |
| JPH1078650A (ja) | 荷電ビーム描画装置用アパチャおよびその製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20040415 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20040427 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20040617 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20040803 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20040812 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20070820 Year of fee payment: 3 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080820 Year of fee payment: 4 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |