JPH10270742A5 - - Google Patents
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- JPH10270742A5 JPH10270742A5 JP1997077480A JP7748097A JPH10270742A5 JP H10270742 A5 JPH10270742 A5 JP H10270742A5 JP 1997077480 A JP1997077480 A JP 1997077480A JP 7748097 A JP7748097 A JP 7748097A JP H10270742 A5 JPH10270742 A5 JP H10270742A5
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Description
【０００７】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するために、本発明では、第１のｐ型層と、該第１のｐ型層上に形成されたｎ型層とを有し、ｎ型層側から光を受けて光電変換し、生成した電荷をｎ型層から出力するフォトダイオードにおいて、前記ｎ型層上に第２のｐ型層を設けて、前記第１のｐ型層および前記第２のｐ型層を、これらをローインピーダンスとする所定電位に接続した構成とする。
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するために、本発明では、第１のｐ型層と、該第１のｐ型層上に形成されたｎ型層とを有し、ｎ型層側から光を受けて光電変換し、生成した電荷をｎ型層から出力するフォトダイオードにおいて、前記ｎ型層上に第２のｐ型層を設けて、前記第１のｐ型層および前記第２のｐ型層を、これらをローインピーダンスとする所定電位に接続した構成とする。
光は第２のｐ型層より入射し、第２のｐ型層とｎ型層およびｎ型層と第１のｐ型層の接合面で光電変換が行われる。光電変換によって生成された電荷はｎ型層から出力するが、ｎ型層の上部には第２のｐ型層が設けられている。この第２のｐ型層は、グランド電位のような所定電位に接続されてローインピーダンスになっているためシールド効果をもち、外部からの電磁ノイズを遮断することができる。したがって、ｎ型層に電磁ノイズが達することはなく、ｎ型層からノイズによって発生した電荷が出力されることはない。
ｎ型層から電荷を出力するための第１電極と、第１のｐ型層および第２のｐ型層を前記所定電位に接続するための第２電極とをさらに備えるとよい。
前記第１および第２電極は、いずれもｎ型層側の表面に備えるようにするとよい。この場合、アノード電極とカソード電極がフォトダイオードの表面に併設されることになる。
さらに、前記第２のｐ型層は、前記第１電極と前記ｎ型層との接続部以外の部分で前記ｎ型層の上部を覆うように形成されていることが好ましい。
また、前記第１電極は、前記ｎ型層にオーミック接続されていることが好ましい。
さらに、前記ｎ型層において、前記第１電極とのオーミック接続部には、周囲よりも高濃度にｎ型不純物を含む高濃度層が配置されていることが好ましい。
また、前記第１のｐ型層および第２のｐ型層は、直接接続されていてもよい。
また、前記第２電極は、前記第１のｐ型層および第２のｐ型層の両方に直接接続されていてもよい。
前記第１および第２電極は、いずれもｎ型層側の表面に備えるようにするとよい。この場合、アノード電極とカソード電極がフォトダイオードの表面に併設されることになる。
さらに、前記第２のｐ型層は、前記第１電極と前記ｎ型層との接続部以外の部分で前記ｎ型層の上部を覆うように形成されていることが好ましい。
また、前記第１電極は、前記ｎ型層にオーミック接続されていることが好ましい。
さらに、前記ｎ型層において、前記第１電極とのオーミック接続部には、周囲よりも高濃度にｎ型不純物を含む高濃度層が配置されていることが好ましい。
また、前記第１のｐ型層および第２のｐ型層は、直接接続されていてもよい。
また、前記第２電極は、前記第１のｐ型層および第２のｐ型層の両方に直接接続されていてもよい。
第１の電極１５は開口１４ａの上に設けられており、ｎ型層１２に接続している。第２の電極１６は、開口１４ｂと開口１４ｃの上に設けられており、第２のｐ型層１３に接続し、ｐ型帯１１ａを介して第１のｐ型層１１に接続している。電極１５は、ｎ型層１２にオーミック接続されており、このオーミック接続は、ｎ型層１２において、電極１５とのオーミック接続部に、周囲よりも高濃度にｎ型不純物を含む高濃度層を配置して形成されている。同様にして、電極１６は、第２のｐ型層１３およびｐ型帯１１ａにオーミック接続されている。
電極１６はグランド電位に接続される。これにより、第１のｐ型層１１と第２のｐ型層１３が共にグランド電位となる。
電極１６はグランド電位に接続される。これにより、第１のｐ型層１１と第２のｐ型層１３が共にグランド電位となる。
【００２３】
【発明の効果】
この発明のフォトダイオードによるときは、外部からの電磁ノイズが第２のｐ型層によって遮断されるため、ノイズに起因する信号を出力することがない。このため、シールドケースでフォトダイオードを覆う必要がなくなり、また、コストを低減し製造工程数を減少させることができる。
【発明の効果】
この発明のフォトダイオードによるときは、外部からの電磁ノイズが第２のｐ型層によって遮断されるため、ノイズに起因する信号を出力することがない。このため、シールドケースでフォトダイオードを覆う必要がなくなり、また、コストを低減し製造工程数を減少させることができる。
また、アノード電極とカソード電極をともにフォトダイオード表面に形成しておけば、両電極を同じ方法によって回路基板の配線に接続することができる。したがって、実装の工程が容易になる。
Claims (8)
- 第１のｐ型層と、該第１のｐ型層上に形成されたｎ型層とを有し、ｎ型層側から光を受けて光電変換し、生成した電荷をｎ型層から出力するフォトダイオードにおいて、
前記ｎ型層上に第２のｐ型層を設けて、前記第１のｐ型層および前記第２のｐ型層を、これらをローインピーダンスとする所定電位に接続したことを特徴とするフォトダイオード。 - 前記ｎ型層から電荷を出力するための第１電極と、前記第１のｐ型層および前記第２のｐ型層を前記所定電位に接続するための第２電極とをさらに備えることを特徴とする請求項１に記載のフォトダイオード。
- 前記第１電極および第２電極を、ｎ型層側の表面に備えることを特徴とする請求項２記載のフォトダイオード。
- 前記第２のｐ型層は、前記第１電極と前記ｎ型層との接続部以外の部分で前記ｎ型層の上部を覆うように形成されていることを特徴とする請求項２または３記載のフォトダイオード。
- 前記第１電極は、前記ｎ型層にオーミック接続されていることを特徴とする請求項２ないし４のいずれかに記載のフォトダイオード。
- 前記ｎ型層において、前記第１電極とのオーミック接続部には、周囲よりも高濃度にｎ型不純物を含む高濃度層が配置されていることを特徴とする請求項５記載のフォトダイオード。
- 前記第１のｐ型層および第２のｐ型層は、直接接続されていることを特徴とする請求項１ないし６のいずれかに記載のフォトダイオード。
- 前記第２電極は、前記第１のｐ型層および第２のｐ型層の両方に直接接続されていることを特徴とする請求項２ないし６のいずれかに記載のフォトダイオード。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9077480A JPH10270742A (ja) | 1997-03-28 | 1997-03-28 | フォトダイオード |
| KR10-1998-0009586A KR100516950B1 (ko) | 1997-03-28 | 1998-03-20 | 포토다이오드 |
| US09/048,109 US6118165A (en) | 1997-03-28 | 1998-03-26 | Photodiode and optical transmitter-receiver |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9077480A JPH10270742A (ja) | 1997-03-28 | 1997-03-28 | フォトダイオード |
Related Child Applications (2)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2004238734A Division JP2004320065A (ja) | 2004-08-18 | 2004-08-18 | フォトダイオード |
| JP2004238735A Division JP2004320066A (ja) | 2004-08-18 | 2004-08-18 | フォトダイオード |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10270742A JPH10270742A (ja) | 1998-10-09 |
| JPH10270742A5 true JPH10270742A5 (ja) | 2005-06-02 |
Family
ID=13635154
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9077480A Pending JPH10270742A (ja) | 1997-03-28 | 1997-03-28 | フォトダイオード |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6118165A (ja) |
| JP (1) | JPH10270742A (ja) |
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| JP3807954B2 (ja) * | 2001-06-25 | 2006-08-09 | シャープ株式会社 | フォトダイオード |
| DE102014211829A1 (de) * | 2014-06-20 | 2015-12-24 | Robert Bosch Gmbh | Thermodiodenelement für einen Fotosensor zur Infrarot-Strahlungsmessung, Fotosensor und Verfahren zum Herstellen eines Thermodiodenelements |
Family Cites Families (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4241358A (en) * | 1979-03-26 | 1980-12-23 | Trw Inc. | Radiation sensitive device with lateral current |
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| JPH0394478A (ja) * | 1989-09-06 | 1991-04-19 | Matsushita Electron Corp | 半導体装置 |
| US5128729A (en) * | 1990-11-13 | 1992-07-07 | Motorola, Inc. | Complex opto-isolator with improved stand-off voltage stability |
| US5291038A (en) * | 1990-12-19 | 1994-03-01 | Sharp Kabushiki Kaisha | Reflective type photointerrupter |
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| US5592124A (en) * | 1995-06-26 | 1997-01-07 | Burr-Brown Corporation | Integrated photodiode/transimpedance amplifier |
| US5903021A (en) * | 1997-01-17 | 1999-05-11 | Eastman Kodak Company | Partially pinned photodiode for solid state image sensors |
-
1997
- 1997-03-28 JP JP9077480A patent/JPH10270742A/ja active Pending
-
1998
- 1998-03-20 KR KR10-1998-0009586A patent/KR100516950B1/ko not_active Expired - Lifetime
- 1998-03-26 US US09/048,109 patent/US6118165A/en not_active Expired - Lifetime
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