JPH1027327A - 磁気記録媒体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 磁気記録媒体の磁気特性を調整し、高出力か
つ低ノイズ、高Ｃ／Ｎの（Ｓ／Ｎ）の磁気記録媒体を作
製する。 【解決手段】 蒸着法によって磁性膜が形成される磁気
記録媒体において、磁気特性における保磁力角形比Ｓ^*
を、０．２〜０．５、保磁力Ｈ_C を、６０〜１５０〔ｋ
Ａ／ｍ〕、残留磁束密度Ｂ_r を２５０〜６００〔ｍＴ〕
の範囲に特定する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、磁気記録媒体、特
に蒸着法により磁性膜が形成される強磁性金属薄膜型磁
気記録媒体に係わる。

【０００２】

【従来の技術】鉄、コバルト、ニッケルまたはこれらを
主成分とする合金等を、真空中にて、酸素による反応蒸
着等の真空中製膜法で、非磁性支持体上に形成した強磁
性薄膜型磁気記録媒体は、従来の塗布型磁気記録媒体に
比べ、記録密度を飛躍的に向上せしめることが可能であ
り、民生用ビデオテープレコーダーや、今後商品化され
ようとしている民生用、業務用デジタルビデオテープレ
コーダー、データストリーマー用メディアとして注目さ
れている。

【０００３】上述したように、強磁性薄膜型磁気記録媒
体は、真空中にて、酸素による反応蒸着等の真空中製膜
法で作製されるが、この酸素の導入量により、非磁性支
持体上に形成した鉄、コバルト、ニッケルまたはこれら
を主成分とする合金等の強磁性薄膜が部分酸化され、そ
の結果磁気状態に種々の特性を生じさせることができ、
その磁気記録媒体の磁気特性が調整され、優れた磁気記
録媒体を作製することができる。

【０００４】従来においては、この磁気記録媒体の磁気
特性を調整し、残留磁束密度（Ｂｒ）、保磁力（Ｈｃ）
等の値を所定の範囲にすることにより、高出力、高Ｃ／
Ｎ（再生信号のキャリヤレベル対ノイズレベル）の磁気
記録媒体を作製していた。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、高出
力、高Ｃ／Ｎのみならず、低ノイズの磁気記録媒体を得
るためには上述したような強磁性薄膜型磁気記録媒体の
磁気特性を調整し、残留磁束密度（Ｂｒ）、保磁力（Ｈ
ｃ）等の値を所定の範囲にするだけでは、充分ではな
い。

【０００６】磁気記録媒体の製造工程においては、反応
性酸素蒸着により、強磁性金属薄膜を形成する際、その
酸素導入量によって、磁性層の磁気特性が変化する。

【０００７】図２において、曲線２１は、酸素ガス導入
量と保磁力（Ｈｃ）との関係を表しており、曲線２２
は、酸素ガス導入量と飽和磁束密度（Ｂｓ）との関係を
表しており、曲線２３は、酸素ガス導入量と残留磁束密
度（Ｂｒ）の関係を表している。

【０００８】また、図３において、曲線３１は、酸素ガ
ス導入量と信号レベルとの関係を表しており、曲線３２
は、酸素ガス導入量とノイズレベルとの関係を表してい
る。

【０００９】図２に示すように、酸素導入量が少ない場
合は、保磁力（Ｈｃ）が低く、飽和磁磁束密度（Ｂｓ）
および残留磁束密度（Ｂｒ）が大きい。この状態では、
外部磁界によって容易に磁化し易く、すなわちスイッチ
ング特性に優れているが、磁性層中の粒子間相互作用が
強くなり、磁化遷移領域において静磁気的に安定な構造
をとるために磁壁を形成し易く、この結果、図３に示す
ようにノイズが高くなる。

【００１０】一方、酸素導入量が増加すると、図２に示
すように、保磁力（Ｈｃ）が高くなり、飽和磁磁束密度
（Ｂｓ）および残留磁束密度（Ｂｒ）が小さくなる。こ
の場合は、上述の場合とは逆に、外部磁界によって磁化
しにくくなり、スイッチング特性が悪くなるが、磁性層
中の粒子間相互作用が弱くなるため、磁化遷移領域がシ
ャープになり、図３に示すようにノイズが減少する。

【００１１】ここで、Ｓ^* は、保磁力角形比と呼ばれ、
図５の磁化曲線（Ｂ−Ｈ曲線）で示すように、以下の式
により表される。

【００１２】Ｓ^* ＝１−（Ｂｒ／Ｈｃ）（１／χ） 但しＢｒは残留磁束密度を示し、χは、Ｂ−Ｈヒステリ
シス曲線の第２象限のＨｃ点における（ｄＢ／ｄＨ）の
値を示している。

【００１３】このＳ^* は、磁化反転の様子を表すパラメ
ータとして用いられる。このＳ^* は、磁気記録媒体の磁
気的相互作用を含む粒子の構造に起因する磁気反転と、
その粒子の配向等の均一性に起因する磁化反転の割合に
よって決定されると考えられる。

【００１４】図４において、曲線４１は、酸素ガス導入
量と保磁力角形比（Ｓ^* ）との関係を表している。図４
に示すようにＳ^* は、酸素導入量が極めて少ない領域に
おいては、比較的大きい値になっている。これは、Ｈｃ
は小さくても、Ｈｃ点における（ｄＢ／ｄＨ）は大きい
ためであり、Ｓ^* が大きい値を示す場合には、磁化遷移
領域は極めて急峻で、すなわちスイッチング特性の良い
磁気記録媒体となる。しかしながら、酸素導入量が少な
いため、粒子サイズが大きく、粒子間の磁気的相互作用
が強い磁気記録媒体では粒子性のノイズが大きくなると
いう欠点がある。

【００１５】一方、酸素ガス導入量が非常に多い領域に
おいても、粒子配向性が向上し、保磁力角形比（Ｓ^* ）
は大きい値をとるが、Ｂｓ、Ｂｒの減少により、図３で
示したように信号レベルが下がり、その結果出力が劣化
してしまうという欠点がある。そこで、本発明において
は、上述した粒子性のノイズおよび信号レベルを考慮し
て、保磁力角形比（Ｓ^* ）の最大値を０．５に特定する
こととする。

【００１６】また、保磁力角形比（Ｓ^* ）の最小値につ
いては、保磁力角形比（Ｓ^* ）の値が０．２未満となる
と、磁化反転がブロードとなるため、再生出力の劣化が
発生することに鑑みて、保磁力角形比（Ｓ^* ）の最小値
を０．２に特定する。

【００１７】そこで、本発明においては、保磁力（Ｈ
ｃ）、残留磁束密度（Ｂｒ）、保磁力角形比（Ｓ^* ）の
値を所定の範囲とし、高出力でしかも低ノイズの、高Ｃ
／Ｎの磁気記録媒体を得ることができるようにする。

【００１８】

【課題を解決するための手段】本発明は、蒸着法により
磁性膜が形成される磁気記録媒体において、磁気特性に
おける保磁力角形比Ｓ^* を、０．２〜０．５、保磁力Ｈ
_C を、６０〜１５０〔ｋＡ／ｍ〕残留磁束密度Ｂ_r を２
５０ｍＴ〜６００ｍＴの範囲に特定する。

【００１９】本発明によれば、高出力でしかも低ノイズ
の、高Ｃ／Ｎ（Ｓ／Ｎ）の磁気記録媒体を得ることがで
きる。

【００２０】

【発明の実施の形態】本発明による磁気記録媒体の実施
の形態について以下に説明する。先ず、バックコート層
用の塗料を作製し、これを非磁性支持体、例えばポリエ
チレンテレフタレートフィルムに例えば０．５μｍの厚
さに塗布し、バックコート層を形成した。バックコート
層用の塗料は、例えば固形分１５％、顔料として例えば
カーボンを１００重量部、ＰＢ比（非磁性顔料と結合剤
との混合比率）を１．２とし、硬化剤として例えばコロ
ネートＬ−５０（日本ポリウレタン社製商品名）を１０
ＰＨＲ（結合剤、例えばポリカーボネート及びポリウレ
タン１００重量部に対して１０重量部）添加した。

【００２１】一方、非磁性支持体の、バックコート層と
は反対側の面に例えばＣｏ８０％−Ｎｉ２０％からなる
組成を有する強磁性金属を、所定の酸素導入量による酸
素雰囲気中で、電子ビーム蒸着法により、入射角を例え
ば４５°として斜め蒸着し、膜厚２００ｎｍの強磁性金
属薄膜を形成した。

【００２２】また、この強磁性金属薄膜の表面には、潤
滑剤として、例えばパーフルオロポリエーテルを塗布す
る。

【００２３】次に、上述の強磁性金属薄膜を成膜する蒸
着装置の一例を説明する。図１に示すように、この装置
においては、上方および下方にそれぞれ設けられた排気
口１５および１６から排気されて内部が真空状態となさ
れた真空室１内に、図１においては反時計回り方向に回
転する巻き出しロール３と、時計回り方向に回転する巻
き取りロール４とが設けられ、これら巻き出しロール３
から、巻き取りロール４にテープ状の非磁性支持体２が
順次走行するようになされている。

【００２４】これら巻き出しロール３から巻き取りロー
ル４に非磁性支持体２が走行する途中には、冷却キャン
５が設けられている。この冷却キャン５は、時計回りに
回転する構成とされる。またこの冷却キャン５には冷却
装置（図示せず）が設けられ、非磁性支持体２の温度上
昇による変形等を抑制している。

【００２５】非磁性支持体２は、巻き出しロール３から
順次送り出され、冷却キャン５の周面を通過し、巻き取
りロール４に定線速度で巻き取られていく。

【００２６】なお、巻き出しロール３と冷却キャン５と
の間、および冷却キャン５と巻き取りロール４との間に
はそれぞれガイドロール６、７が配置され、巻き出しロ
ール３から冷却キャン５および冷却キャン５から巻き取
りロール４にわたって走行する非磁性支持体２の所定の
テンションをかけ、非磁性支持体２が円滑に走行するよ
うになされている。

【００２７】また、真空室１内には冷却キャン５の下方
にルツボ８が設けられ、ルツボ８内には金属磁性薄膜を
形成する所定の組成を有する例えばＣｏ８０％Ｎｉ２０
％の材料９が充填されている。

【００２８】一方、真空室１の側壁部には、ルツボ８内
に配置された金属磁性材料９を加熱蒸発させるための電
子銃１０が取り付けられている。電子銃１０は電子銃１
０より放出される電子線Ｂがルツボ８内の金属磁性材料
９に照射されるような位置に配置される。そして、電子
線Ｂを照射されたことによって蒸発した金属磁性材料９
が冷却キャン５の周面を定速で走行する非磁性支持体２
上に蒸着し、該磁性金属薄膜を形成する。

【００２９】また、冷却キャン５とルツボ８との間であ
って、冷却キャン５の近傍には、シャッタ１３が配置さ
れている。これは、冷却キャン５の周面を定速で走行す
る非磁性支持体２の所定領域を覆う形で形成され、蒸発
せしめられた金属磁性材料９を非磁性支持体２上に対し
て所定の角度範囲で斜めに蒸着させる役割を担ってい
る。

【００３０】更に、このような蒸着に際し、真空室１の
側壁部を貫通して設けられる酸素ガス導入管１４を通じ
て非磁性支持体２の表面に酸素ガスを導入供給し、磁気
特性、耐久性、耐候性の向上が図られている。

【００３１】次に、実施例１〜４と、比較例１〜５を挙
げて説明する。これら実施例、および比較例によるサン
プルテープの主な製造条件を示す。

【００３２】（実施例） 非磁性支持体 ポリエチレンテレフタレート 蒸着条件 金属磁性体 実施例１〜３はＣｏ８０％Ｎｉ２０％合金、実施 例４はＣｏ１００ｗｔ％、実施例５〜７はＣｏ１００ｗｔ％を 用い、磁性層を多層とした。 入射角 ４５° 酸素導入量 （表１）に示す 蒸着真空度 ４×１０^-2Ｐａ バックコート層 厚さ ０．５μｍ 顔料 カーボン１００重量部 結合剤 ポリカーボネートおよびポリウレタン１００重量 部 硬化剤 コロネートＬ−５０を１０重量部 トップコート パーフルオロポリエーテル

【００３３】（比較例） 非磁性支持体 ポリエチレンテレフタレート 蒸着条件 金属磁性体 比較例１〜４はＣｏ８０％Ｎｉ２０％合金、比較 例５〜７はＣｏ１００ｗｔ％ 入射角 ４５° 酸素導入量 （表１）に示す 蒸着真空度 ４×１０^-2Ｐａ バックコート層 厚さ ０．５μｍ 顔料 カーボン１００重量部 結合剤 ポリカーボネートおよびポリウレタン１００重量 部 硬化剤 コロネートＬ−５０を１０重量部 トップコート パーフルオロポリエーテル

【００３４】上記サンプルテープについて、酸素導入量
を変化させ、それぞれのテープについての磁気特性であ
る残留磁束密度（Ｂｒ）、保磁力（Ｈｃ）、保磁力角形
比（Ｓ^* ）を測定し、それらにおける電磁特性、すなわ
ち出力とノイズを測定した。これらの結果を（表１）に
示す。

【００３５】なお、上記磁気特性の測定はＶＳＭ（振動
試料型磁化特性測定装置）を用い、電磁特性の測定は、
固定ヘッドドラムテスターを用い、ヘッドはＴＳＳ（Ｓ
ＯＮＹ製 商品名）を使用し、ギャップ長０．２０〔μ
ｍ〕、トラック幅１７〔μｍ〕、相対速度３．８〔ｍ／
ｓｅｃ〕、波長０．５４〔μｍ〕とした。

【００３６】

【表１】

【００３７】（表１）から明らかなように、実施例１〜
実施例７においては、残留磁束密度（Ｂｒ）が、２５０
〜６００〔ｍＴ〕、保磁力（Ｈｃ）が、いずれも６０〜
１５０〔ｋＡ／ｍ〕、保磁力角形比（Ｓ^* ）が０．２〜
０．５の範囲になるものについて出力およびノイズ〔ｄ
Ｂ〕を測定した。ここで、出力およびノイズの値は、実
施例２のそれぞれの値を０とした場合の相対値である。

【００３８】これによれば、出力はいずれも−２〔ｄ
Ｂ〕より以上の値を示し、ノイズは＋１〔ｄＢ〕以下の
値を示し、良好な状態であることがわかる。

【００３９】また、比較例１および比較例２において
は、残留磁束密度（Ｂｒ）がいずれも２５０〜６００
〔ｍＴ〕の範囲になく、保磁力（Ｈｃ）が、いずれも６
０〜１５０〔ｋＡ／ｍ〕の範囲になく、保磁力角形比
（Ｓ^* ）がいずれも０．２〜０．５の範囲にならないも
のについて、出力およびノイズを測定した。

【００４０】これによれば、出力はいずれも−２〔ｄ
Ｂ〕未満の値を示し、ノイズは＋１〔ｄＢ〕より大きい
値を示していることがわかる。比較例１および比較例２
においては、酸素導入量が少なく、金属磁性材料の粒子
の酸化度が低いため、保磁力（Ｈｃ）が低くなり、記録
減磁が大きく出力が低くなる。さらに金属磁性材料の粒
子の酸化度が低いため、粒子が大きく、保磁力角形比
（Ｓ^* ）が大きくなりすぎることにより磁化遷移領域が
緩慢かつジグザグになりその結果ノイズが増加する。

【００４１】また、比較例３〜比較例５においては、残
留磁束密度（Ｂｒ）がいずれも２５０〜６００〔ｍＴ〕
の範囲内にならないが、保磁力（Ｈｃ）、保磁力角形比
（Ｓ ^* ）がいずれも上述した範囲に比べて、ほぼ良好な
範囲になるものについて出力およびノイズを測定した。

【００４２】これによれば、ノイズは＋１〔ｄＢ〕以下
の値を示しており低い値に抑えられているが、酸素導入
量が多いため、金属磁性材料の粒子の酸化度が高く、残
留磁束密度（Ｂｒ）が小さくなり、出力が−２〔ｄＢ〕
未満の値を示しており、低くなっている。

【００４３】また、比較例６においては、残留磁束密度
（Ｂｒ）が２５０〜６００〔ｍＴ〕の範囲にあり、保磁
力（Ｈｃ）が、６０〜１５０〔ｋＡ／ｍ〕の範囲にある
が、保磁力角形比（Ｓ^* ）が、０．２未満のものについ
て、出力およびノイズを測定した。

【００４４】これによれば、ノイズは＋１〔ｄＢ〕以下
の値を示しており低い値に抑えられているが、出力が−
２〔ｄＢ〕未満の値を示しており、低くなっていること
がわかる。

【００４５】以上のことから、所定の大きさの媒体の残
留磁束密度（Ｂｒ）を、２５０〜６００〔ｍＴ〕、保磁
力（Ｈｃ）を６０〜１５０〔ｋＡ／ｍ〕、保磁力角形比
（Ｓ ^* ）を０．２〜０．５の範囲になるように作製した
磁気記録媒体は、優れた電磁特性を示すことがわかる。

【００４６】上述の本発明構成において、バックコート
層用の塗料中に分散させる非磁性顔料としては、上述の
実施例において用いたカーボンの他に、必要に応じて、
ヘマタイト、雲母、シリカゲル、酸化マグネシウム、硫
化亜鉛、炭化タングステン、窒化ホウ素、デンプン、酸
化亜鉛、カオリン、タルク、粘土、硫酸鉛、炭酸バリウ
ム、炭酸カルシウム、炭酸マグネシウム、ベーム石（γ
−Ａｌ₂ Ｏ₃ ・Ｈ₂ Ｏ）、アルミナ、硫化タングステ
ン、酸化チタン、ポリテトラフルオロエチレン粉末、ポ
リエチレン粉末、ポリ塩化ビニル粉末、金属粉末等を併
用してもよい。

【００４７】バックコート層は前述の非磁性顔料を結合
剤および有機溶剤とともに混練することによってバック
コート層用塗料を調整し、これを非磁性支持体の磁性層
とは反対側の主面に塗布することにより形成されるが、
このとき使用される結合剤や有機溶剤はいずれも従来公
知のものが使用可能である。

【００４８】結合剤としては、例えば上述の実施例にお
いて用いたポリカーボネート及びポリウレタンの他に、
従来用いられてきたものとして、塩化ビニルと酢酸ビニ
ルの共重合体、塩化ビニルと酢酸ビニルとビニルアルコ
ールの共重合体、塩化ビニルと酢酸ビニルとマレイン酸
の共重合体、塩化ビニルと塩化ビニリデンの共重合体、
塩化ビニルとアクリロニトリルの共重合体、アクリル酸
エステルとアクリロニトリルの共重合体、アクリル酸エ
ステルと塩化ビニリデンの共重合体、メタクリル酸エス
テルとスチレンの共重合体、熱可塑性ポリウレタン樹
脂、フェノキシ樹脂、ポリフッ化ビニル、塩化ビニリデ
ンとアクリロニトリルの共重合体、ブタジエンとアクリ
ロニトリルの共重合体、ブタジエンとアクリロニトリル
とメタクリル酸の共重合体、ポリビニルブチラール、セ
ルロース誘導体、スチレンとブタジエンの共重合体、ポ
リエステル樹脂、フェノール樹脂、エポキシ樹脂、熱硬
化性ポリウレタン樹脂、尿素樹脂、メラミン樹脂、アル
キド樹脂、尿素とホルムアルデヒドの樹脂、またはこれ
らの混合物等があげられる。これらはイソシアネート化
合物を架橋剤として使用し、より耐久性を向上させた
り、適当な極性基を導入したものであってもよい。

【００４９】溶剤としては、例えばアセトン、メチルエ
チルケトン、メチルイソブチルケトン、シクロヘキサン
等のケトン系溶剤、酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸ブチ
ル、乳酸エチル、酢酸グリコールモノエチルエステル等
のエステル系溶剤、グリコールジメチルエーテル、グリ
コールモノエチルエーテル、ジオキサン等のグリコール
エーテル系溶剤、ベンゼン、トルエン、キシレン等の芳
香族炭化水素系溶剤、メチレンクロライド、四塩化炭
素、クロロホルム、エチレンクロルヒドリン、ジクロロ
ベンゼン等の有機塩素化合物系溶剤があげられる。

【００５０】また、磁性層は、Ｃｏ，Ｃｏ−Ｎｉ，Ｃｏ
−Ｆｅ−Ｎｉ等の強磁性金属薄膜を斜め蒸着により、酸
素を含む雰囲気中での反応性蒸着技術によって成膜され
るものであり、通常の蒸着テープに使用されるものであ
ればいかなるものであってもよい。例示すればＦｅ，Ｃ
ｏ，Ｎｉ等の強磁性金属、Ｆｅ−Ｃｏ，Ｃｏ−Ｆｅ−Ｎ
ｉ，Ｆｅ−Ｃｕ，Ｃｏ−Ａｕ，Ｃｏ−Ｐｔ，Ｍｎ−Ｂ
ｉ，Ｍｎ−Ａｌ，Ｆｅ−Ｃｒ，Ｃｏ−Ｃｒ，Ｎｉ−Ｃ
ｒ，Ｆｅ−Ｃｏ−Ｃｒ，Ｃｏ−Ｎｉ−Ｃｒ，Ｆｅ−Ｃｏ
−Ｃｒ−Ｎｉ等の強磁性合金があげられる。これらの単
層膜であってもよいし、２層以上の多層膜であってもよ
い。

【００５１】さらに、非磁性支持体と金属磁性薄膜間あ
るいは多層膜の場合には、各層間の付着力向上、並びに
抗磁力の制御等のため、下地層または中間層を設けても
よい。

【００５２】金属磁性薄膜形成の手段としては、真空下
で強磁性材料を加熱蒸発させ、非磁性支持体上に沈着さ
せる真空蒸着法や、強磁性金属材料の蒸発を放電中で行
うイオンプレーティング法等がある。

【００５３】また、上記非磁性支持体上に形成された強
磁性金属材料上には保護膜層が形成させていてもよい
が、この材料としては、通常の金属磁性薄膜用保護膜と
して一般に使用させるものであればいかなるものであっ
てもよい。例えばカーボン、ＣｒＯ₂ ，Ａｌ₂ Ｏ₃ ，Ｂ
Ｎ，Ｃｏ酸化物、ＭｇＯ，ＳｉＯ₂ ，Ｓｉ₃ Ｏ₄ ，Ｓｉ
Ｎ_X −ＳｉＯ₂ ，ＺｎＯ₂ ，ＴｉＯ₂ ，ＴｉＣ等があげ
られる。これらの単層膜であってもよいし、多層膜、あ
るいは複合膜であってもよい。

【００５４】また、非磁性支持体としては、やはり従来
公知のものがいずれも使用可能である。例えば、ポリエ
チレンテレフタレート等のポリエステル類、ポリエチレ
ン、ポリプロピレン等のポリオレフィン類、セルロース
トリアセテート、セルロースジアセテート、セルロース
アセテートブチレート等のセルロース誘導体、ポリ塩化
ビニル、ポリ塩化ビニリデン等のビニル系樹脂、ポリカ
ーボネート、ポリイミド、ポリアミド、ポリアミドイミ
ド等のプラスチック、紙、アルミニウム、銅等の金属、
アルミニウム合金、チタン合金等の軽金属、セラミック
ス単結晶シリコン等である。

【００５５】なお、上記非磁性支持体の形態としては、
フィルム、テープ、シート、ディスク、カード、ドラム
等のいずれでもよい。

【００５６】

【発明の効果】本発明によれば、蒸着法にて磁性膜が形
成される磁気記録媒体において、磁気特性における保磁
力角形比Ｓ^* を、０．２〜０．５、保磁力Ｈ_C を、６０
〜１５０〔ｋＡ／ｍ〕、残留磁束密度Ｂ_r を２５０ｍＴ
〜６００ｍＴの範囲に特定することによって、高出力か
つ低ノイズで、高Ｃ／Ｎ（Ｓ／Ｎ）の優れた磁気記録媒
体を得ることができた。

【図面の簡単な説明】

【図１】連続式蒸着巻き取り装置の一例の概略断面図で
ある。

【図２】酸素ガス導入量と、保磁力（Ｈｃ）、飽和磁束
密度（Ｂｓ）、残留磁束密度（Ｂｒ）との関係を示す。

【図３】酸素ガス導入量と信号レベルおよびノイズとの
関係を表す図である。

【図４】酸素導入量と保磁力角型比の関係を表す図であ
る。

【図５】磁化曲線（Ｂ−Ｈ曲線）を表す図である。

【符号の説明】

１ 真空室、２ 非磁性支持体、３ 巻き出しロール、
４ 巻き取りロール、５ 冷却キャン、６，７ ガイド
ロール、８ ルツボ、９ 金属磁性体、１０電子銃、１
３ シャッター、１４ 酸素ガス導入管、１５，１６
排気口、２１酸素ガス導入量と保磁力（Ｈｃ）との関係
を表す曲線、２２ 酸素ガス導入量と飽和磁束密度（Ｂ
ｓ）との関係を表す曲線、２３ 酸素ガス導入量と残留
磁束密度（Ｂｒ）の関係を表す曲線、３１ 酸素ガス導
入量と信号レベルとの関係を表す曲線、３２ 酸素ガス
導入量とノイズレベルとの関係を表す曲線、４１ 酸素
ガス導入量と保磁力角形比（Ｓ^* ）との関係を表す曲線

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 蒸着法により磁性膜が形成される磁気記
   録媒体において、 磁気特性における保磁力角形比Ｓ^* が、０．２〜０．５ 保磁力Ｈ_C が、６０〜１５０〔ｋＡ／ｍ〕 残留磁束密度Ｂ_r が、２５０ｍＴ〜６００ｍＴ の範囲に特定されることを特徴とする磁気記録媒体。