JPH10275760A - Ｘ線マスクブランク及びｘ線マスク - Google Patents
Ｘ線マスクブランク及びｘ線マスクInfo
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- JPH10275760A JPH10275760A JP8076297A JP8076297A JPH10275760A JP H10275760 A JPH10275760 A JP H10275760A JP 8076297 A JP8076297 A JP 8076297A JP 8076297 A JP8076297 A JP 8076297A JP H10275760 A JPH10275760 A JP H10275760A
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- ray
- film
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- ray transmission
- transmission film
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/22—Masks or mask blanks for imaging by radiation of 100nm or shorter wavelength, e.g. X-ray masks, extreme ultraviolet [EUV] masks; Preparation thereof
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- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 Ｘ線吸収膜の応力分布を抑えたＸ線マスクブ
ランク及び高精度なパターン転写を行うことができるＸ
線マスクを得る。 【解決手段】 Ｘ線透過膜１２の所定領域内の複数箇所
における表面粗さ（Ｒａ；中心線平均粗さ）のうちの最
大のＲａの値をＲａmax 、最小のＲａの値をＲａmin と
したとき、該Ｘ線透過膜１２の表面が、（Ｒａmax −Ｒ
ａmin ）／（Ｒａmax ＋Ｒａmin ）≦０．１５の式を満
たす表面状態を有するものにする。
ランク及び高精度なパターン転写を行うことができるＸ
線マスクを得る。 【解決手段】 Ｘ線透過膜１２の所定領域内の複数箇所
における表面粗さ（Ｒａ；中心線平均粗さ）のうちの最
大のＲａの値をＲａmax 、最小のＲａの値をＲａmin と
したとき、該Ｘ線透過膜１２の表面が、（Ｒａmax −Ｒ
ａmin ）／（Ｒａmax ＋Ｒａmin ）≦０．１５の式を満
たす表面状態を有するものにする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、Ｘ線リソグラフィ
ー法に用いるＸ線マスク及びその材料たるＸ線マスクブ
ランクに関する。
ー法に用いるＸ線マスク及びその材料たるＸ線マスクブ
ランクに関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体産業において、シリコン基板等に
微細なパターンからなる集積回路を形成する技術とし
て、露光用電磁波に可視光や紫外線を用いて微細パター
ンを転写するフォトリソグラフィー法がよく知られてい
る。しかし、近年半導体技術の進歩とともに、超ＬＳＩ
などの半導体装置の高集積化が著しく進み、従来のフォ
トリソグラフィー法に用いてきた可視光や紫外線での転
写限界（波長による原理的限界）を超えた高精度の微細
パターンの転写技術が要求されるに至った。このような
微細パターンを転写させるために、可視光や紫外線より
も波長の短いＸ線を用いるＸ線リソグラフィー法が試み
られている。
微細なパターンからなる集積回路を形成する技術とし
て、露光用電磁波に可視光や紫外線を用いて微細パター
ンを転写するフォトリソグラフィー法がよく知られてい
る。しかし、近年半導体技術の進歩とともに、超ＬＳＩ
などの半導体装置の高集積化が著しく進み、従来のフォ
トリソグラフィー法に用いてきた可視光や紫外線での転
写限界（波長による原理的限界）を超えた高精度の微細
パターンの転写技術が要求されるに至った。このような
微細パターンを転写させるために、可視光や紫外線より
も波長の短いＸ線を用いるＸ線リソグラフィー法が試み
られている。
【０００３】図２はＸ線リソグラフィーに用いられるＸ
線マスクの構造を示す断面図であり、図３はＸ線マスク
を製造する際の中間工程で得られる中間品としてのＸ線
マスクブランクの１例の構造を示す断面図である。
線マスクの構造を示す断面図であり、図３はＸ線マスク
を製造する際の中間工程で得られる中間品としてのＸ線
マスクブランクの１例の構造を示す断面図である。
【０００４】図２に示したようにＸ線マスク１は、Ｘ線
を透過するＸ線透過膜（メンブレン）１２と、該Ｘ線透
過膜１２の上に形成されたＸ線吸収膜パターン１３ａか
ら構成されており、Ｘ線透過膜１２は、シリコン基板の
周辺部のみを残して他を除去することによって形成され
たシリコン枠体１１ａに支持されている。このＸ線マス
ク１を製造する際にはその中間工程において中間品たる
Ｘ線マスクブランクが製造され、このＸ線マスクブラン
クにさらに加工が施されてＸ線マスクが得られる。当該
産業界においては、完成品たるＸ線マスクが取り引きの
対象となることは勿論であるが、中間品たるＸ線マスク
ブランクも独立して取り引きの対象となる場合も多い。
を透過するＸ線透過膜（メンブレン）１２と、該Ｘ線透
過膜１２の上に形成されたＸ線吸収膜パターン１３ａか
ら構成されており、Ｘ線透過膜１２は、シリコン基板の
周辺部のみを残して他を除去することによって形成され
たシリコン枠体１１ａに支持されている。このＸ線マス
ク１を製造する際にはその中間工程において中間品たる
Ｘ線マスクブランクが製造され、このＸ線マスクブラン
クにさらに加工が施されてＸ線マスクが得られる。当該
産業界においては、完成品たるＸ線マスクが取り引きの
対象となることは勿論であるが、中間品たるＸ線マスク
ブランクも独立して取り引きの対象となる場合も多い。
【０００５】図３に示したように、Ｘ線マスクブランク
２は、シリコン基板１１上に形成されたＸ線透過膜１２
と、該Ｘ線透過膜の上に形成されたＸ線吸収膜１３とか
ら構成されている。
２は、シリコン基板１１上に形成されたＸ線透過膜１２
と、該Ｘ線透過膜の上に形成されたＸ線吸収膜１３とか
ら構成されている。
【０００６】Ｘ線透過膜１２としては、窒化硅素、炭化
硅素、ダイヤモンドなどが一般に用いられ、Ｘ線吸収膜
１３には、Ｘ線照射に対して優れた耐性をもつＴａを含
むアモルファス材料が良く用いられている。
硅素、ダイヤモンドなどが一般に用いられ、Ｘ線吸収膜
１３には、Ｘ線照射に対して優れた耐性をもつＴａを含
むアモルファス材料が良く用いられている。
【０００７】このＸ線マスクブランク２からＸ線マスク
１を作製するプロセスとしては、例えば、以下の方法が
用いられる。すなわち、図３に示されるＸ線マスクブラ
ンク２上に所望のパターンを形成したレジスト膜を配
し、このパターンをマスクにしてドライエッチングを行
い、Ｘ線吸収膜パターンを形成する。その後裏面に形成
されＸ線透過膜１２のウインドウエリアとなる中心部の
領域をＣＦ4 をエッチングガスとしたリアクティブイオ
ンエッチング（ＲＩＥ）により除去し、残った膜（１２
ａ；図２参照）をマスクにして、フッ酸と硝酸の混合液
からなるエッチング液によりシリコン基板１１をエッチ
ングしてＸ線マスク１（図２参照）を得る。この場合、
レジストは一般に、電子ビーム（ＥＢ）レジストを用い
ＥＢ描画法によりパターン形成を行う。
１を作製するプロセスとしては、例えば、以下の方法が
用いられる。すなわち、図３に示されるＸ線マスクブラ
ンク２上に所望のパターンを形成したレジスト膜を配
し、このパターンをマスクにしてドライエッチングを行
い、Ｘ線吸収膜パターンを形成する。その後裏面に形成
されＸ線透過膜１２のウインドウエリアとなる中心部の
領域をＣＦ4 をエッチングガスとしたリアクティブイオ
ンエッチング（ＲＩＥ）により除去し、残った膜（１２
ａ；図２参照）をマスクにして、フッ酸と硝酸の混合液
からなるエッチング液によりシリコン基板１１をエッチ
ングしてＸ線マスク１（図２参照）を得る。この場合、
レジストは一般に、電子ビーム（ＥＢ）レジストを用い
ＥＢ描画法によりパターン形成を行う。
【０００８】ここで、Ｘ線透過膜１２としては、Ｘ線に
対する高い透過性、高ヤング率、適度な引っ張り応力、
Ｘ線に対する照射耐性、可視域での高い透過性などが要
求される。以下にそれぞれの特性を説明する。
対する高い透過性、高ヤング率、適度な引っ張り応力、
Ｘ線に対する照射耐性、可視域での高い透過性などが要
求される。以下にそれぞれの特性を説明する。
【０００９】Ｘ線に対する透過性は、露光時に要求さ
れ、透過性が高いほど露光に要する時間を短くできスル
ープットを上げるのに効果的である。ヤング率は膜の強
度や吸収体パターンの歪みに影響を及ぼし、ヤング率が
高い程膜強度は高くなり位置歪みを抑えるのに効果があ
る。適度な引っ張り応力は、膜を自立化させる上で必要
である。露光時にＸ線透過膜はＸ線の照射を受けるが、
このＸ線の照射に対してダメージがないことが必要であ
り、Ｘ線に対する照射耐性が要求される。Ｘ線ステッパ
ーへマスクを装着してのマスクとウエハとの位置合わせ
に可視域の光源を用いたアライメントを行うが、高精度
なアライメントを実現するためにアライメント光源（可
視光）に対して高い透過性が必要になる。さらに、膜表
面は平滑であることが要求される。表面平滑性は、吸収
体の高精度なパターン形成に必要とされている。
れ、透過性が高いほど露光に要する時間を短くできスル
ープットを上げるのに効果的である。ヤング率は膜の強
度や吸収体パターンの歪みに影響を及ぼし、ヤング率が
高い程膜強度は高くなり位置歪みを抑えるのに効果があ
る。適度な引っ張り応力は、膜を自立化させる上で必要
である。露光時にＸ線透過膜はＸ線の照射を受けるが、
このＸ線の照射に対してダメージがないことが必要であ
り、Ｘ線に対する照射耐性が要求される。Ｘ線ステッパ
ーへマスクを装着してのマスクとウエハとの位置合わせ
に可視域の光源を用いたアライメントを行うが、高精度
なアライメントを実現するためにアライメント光源（可
視光）に対して高い透過性が必要になる。さらに、膜表
面は平滑であることが要求される。表面平滑性は、吸収
体の高精度なパターン形成に必要とされている。
【００１０】これらの要求を満たすために様々な材料や
製法が研究されてきたが、これまでにＸ線透過膜として
用いられてきた窒化珪素、炭化珪素（ＳｉＣ）、ダイヤ
モンドの中で、炭化珪素は、Ｘ線に対してダメージがな
いことが確認されており、最も有望な材料であるといえ
る。しかしながら、一般に良く用いられるＳｉＣ膜は多
結晶の構造をもち、結晶構造に起因した６ｎｍ（Ｒａ：
中心線平均粗さ）以上に粗れた膜表面を有する。このよ
うなＳｉＣ膜の表面平滑化として、成膜後にエッチバッ
ク法や機械研磨を行う方法が実施されている。エツチバ
ック法は、粗れたＳｉＣ膜上にレジストをコートし、得
られた平滑なレジスト面をドライエッチングによりＳｉ
Ｃ膜へ転写する技術であり、機械研磨は、ダイヤモンド
やアルミナのような硬い粒子を研磨材として用いて物理
的にＳｉＣ膜表面の凸凹部分を削る方法である。例え
ば、特公平７−７５２１９によれば、エッチバックや機
械研磨により２０ｎｍ以下の表面粗さを得ている。ここ
での表面粗さの定義は明確でないが、この粗さは最大高
さ（Ｒｍａｘ）と予想され、Ｒａ換算すると約２ｎｍ以
下に相当する。
製法が研究されてきたが、これまでにＸ線透過膜として
用いられてきた窒化珪素、炭化珪素（ＳｉＣ）、ダイヤ
モンドの中で、炭化珪素は、Ｘ線に対してダメージがな
いことが確認されており、最も有望な材料であるといえ
る。しかしながら、一般に良く用いられるＳｉＣ膜は多
結晶の構造をもち、結晶構造に起因した６ｎｍ（Ｒａ：
中心線平均粗さ）以上に粗れた膜表面を有する。このよ
うなＳｉＣ膜の表面平滑化として、成膜後にエッチバッ
ク法や機械研磨を行う方法が実施されている。エツチバ
ック法は、粗れたＳｉＣ膜上にレジストをコートし、得
られた平滑なレジスト面をドライエッチングによりＳｉ
Ｃ膜へ転写する技術であり、機械研磨は、ダイヤモンド
やアルミナのような硬い粒子を研磨材として用いて物理
的にＳｉＣ膜表面の凸凹部分を削る方法である。例え
ば、特公平７−７５２１９によれば、エッチバックや機
械研磨により２０ｎｍ以下の表面粗さを得ている。ここ
での表面粗さの定義は明確でないが、この粗さは最大高
さ（Ｒｍａｘ）と予想され、Ｒａ換算すると約２ｎｍ以
下に相当する。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】近年、フォトリソグラ
フィー技術の進歩に伴い、Ｘ線リソグラフィーの導入時
期が先送りされ、現状では１Ｇ bit-DRAM （デザインル
ール：０．１８μｍ）の世代から導入される見通しとな
った。そして、Ｘ線リソグラフィーは、１Ｇから導入さ
れた場合でも、４Ｇ、１６Ｇ、６４Ｇまで複数世代に亘
って使用できるという特徴を有している。６４Ｇでの使
用を想定した場合、Ｘ線マスクに要求される位置精度は
一層厳しくなり１０ｎｍという高い位置精度が必要にな
る。そのような位置精度に抑えるために、Ｘ線吸収膜の
マスクパターン形成エリアにおける内部応力を均一にす
ることが有効であることを本発明者は既に見出した（特
願平８−２３３４０２）。さらに研究を重ねた結果、Ｘ
線透過膜表面の粗さが、その上に形成されるＸ線吸収膜
の応力分布に敏感に影響を与えることを見出した。
フィー技術の進歩に伴い、Ｘ線リソグラフィーの導入時
期が先送りされ、現状では１Ｇ bit-DRAM （デザインル
ール：０．１８μｍ）の世代から導入される見通しとな
った。そして、Ｘ線リソグラフィーは、１Ｇから導入さ
れた場合でも、４Ｇ、１６Ｇ、６４Ｇまで複数世代に亘
って使用できるという特徴を有している。６４Ｇでの使
用を想定した場合、Ｘ線マスクに要求される位置精度は
一層厳しくなり１０ｎｍという高い位置精度が必要にな
る。そのような位置精度に抑えるために、Ｘ線吸収膜の
マスクパターン形成エリアにおける内部応力を均一にす
ることが有効であることを本発明者は既に見出した（特
願平８−２３３４０２）。さらに研究を重ねた結果、Ｘ
線透過膜表面の粗さが、その上に形成されるＸ線吸収膜
の応力分布に敏感に影響を与えることを見出した。
【００１２】本発明は、上述の背景の下でなされたもの
であり、Ｘ線吸収膜の応力分布を抑えたＸ線マスクブラ
ンク及び高精度なパターン転写を行うことができるＸ線
マスクを提供することを目的とする。
であり、Ｘ線吸収膜の応力分布を抑えたＸ線マスクブラ
ンク及び高精度なパターン転写を行うことができるＸ線
マスクを提供することを目的とする。
【００１３】
【課題を解決するための手段】上述の課題を解決するた
めに、請求項１の発明は、基板上に少なくともＸ線透過
膜を有するＸ線マスクブランクにおいて、前記Ｘ線透過
膜が下記（１）式を満たす表面状態を有するものである
ことを特徴とする。
めに、請求項１の発明は、基板上に少なくともＸ線透過
膜を有するＸ線マスクブランクにおいて、前記Ｘ線透過
膜が下記（１）式を満たす表面状態を有するものである
ことを特徴とする。
【００１４】 （Ｒａmax −Ｒａmin ）／（Ｒａmax ＋Ｒａmin ）≦０．１５…（１） 但し、 Ｒａmax ；Ｘ線透過膜の所定領域内の複数箇所における
表面粗さ（Ｒａ；中心線平均粗さ）のうちの最大のＲａ
値 Ｒａmin ；Ｘ線透過膜の所定領域内の複数箇所における
表面粗さ（Ｒａ；中心線平均粗さ）のうちの最小のＲａ
値 とする。
表面粗さ（Ｒａ；中心線平均粗さ）のうちの最大のＲａ
値 Ｒａmin ；Ｘ線透過膜の所定領域内の複数箇所における
表面粗さ（Ｒａ；中心線平均粗さ）のうちの最小のＲａ
値 とする。
【００１５】請求項２の発明は、請求項１の発明におい
て、前記Ｘ線透過膜の所定領域内の複数箇所における表
面粗さ（Ｒａ；中心線平均粗さ）の平均が１．０ｎｍ以
下であることを特徴とする。
て、前記Ｘ線透過膜の所定領域内の複数箇所における表
面粗さ（Ｒａ；中心線平均粗さ）の平均が１．０ｎｍ以
下であることを特徴とする。
【００１６】請求項３の発明は、請求項１又は２の発明
において、前記Ｘ線透過膜の表面が略均一に研磨された
面であることを特徴とする。
において、前記Ｘ線透過膜の表面が略均一に研磨された
面であることを特徴とする。
【００１７】請求項４の発明は、請求項１ないし３のい
ずれかの発明において、前記Ｘ線透過膜が炭化珪素膜か
らなることを特徴とする。
ずれかの発明において、前記Ｘ線透過膜が炭化珪素膜か
らなることを特徴とする。
【００１８】請求項５の発明は、枠体に支持されたＸ線
透過膜上にＸ線吸収膜パターンを有するＸ線マスクにお
いて、請求項１〜４に記載のＸ線マスクブランクを用い
て製造されたことを特徴とする。
透過膜上にＸ線吸収膜パターンを有するＸ線マスクにお
いて、請求項１〜４に記載のＸ線マスクブランクを用い
て製造されたことを特徴とする。
【００１９】本発明者等は、Ｘ線透過膜の表面粗さとＸ
線吸収膜の応力分布に関し研究を重ねた結果、Ｘ線透過
膜の表面粗さに分布があると吸収膜の応力の分布を引き
起こし、パ夕一ン位置精度の低下を招くことがわかっ
た。表面粗さの分布状態は、式（１）の左辺の値によっ
て現わすことができる。いま、式（１）の左辺の値を表
面粗さの分布値とした場合、Ｘ線透過膜の表面粗さの分
布値が０．１５（１５％）を超えると、Ｘ線吸収膜の応
力分布が大きくなり、パターン位置精度の低下を招くお
それがある。Ｘ線透過膜の表面粗さの分布値は、０．１
５以下が好ましく、さらには０．１以下であることがよ
り好ましい。
線吸収膜の応力分布に関し研究を重ねた結果、Ｘ線透過
膜の表面粗さに分布があると吸収膜の応力の分布を引き
起こし、パ夕一ン位置精度の低下を招くことがわかっ
た。表面粗さの分布状態は、式（１）の左辺の値によっ
て現わすことができる。いま、式（１）の左辺の値を表
面粗さの分布値とした場合、Ｘ線透過膜の表面粗さの分
布値が０．１５（１５％）を超えると、Ｘ線吸収膜の応
力分布が大きくなり、パターン位置精度の低下を招くお
それがある。Ｘ線透過膜の表面粗さの分布値は、０．１
５以下が好ましく、さらには０．１以下であることがよ
り好ましい。
【００２０】Ｘ線吸収膜においては、マスクパターン形
成エリア内の応力分布を制御することが重要であるた
め、Ｘ線透過膜の表面粗さの分布の制御についてもマス
クパターン形成エリアで行うことか好ましい。また、Ｘ
線透過膜の所定領域内の複数箇所における表面粗さ（Ｒ
ａ；中心線平均粗さ）の平均を１．０ｎｍ以下とするこ
とにより、Ｘ線透過膜の表面粗さの分布をある程度抑え
ることか可能である。
成エリア内の応力分布を制御することが重要であるた
め、Ｘ線透過膜の表面粗さの分布の制御についてもマス
クパターン形成エリアで行うことか好ましい。また、Ｘ
線透過膜の所定領域内の複数箇所における表面粗さ（Ｒ
ａ；中心線平均粗さ）の平均を１．０ｎｍ以下とするこ
とにより、Ｘ線透過膜の表面粗さの分布をある程度抑え
ることか可能である。
【００２１】ここで、用いる基板としては、シリコン基
板等が挙げられる。また、Ｘ線透過膜としては、Ｓｉ
Ｃ，ＳｉＮ、ダイヤモンド等か挙げられる。中でも、Ｘ
線照射耐性の観点からＳｉＣが好ましい。
板等が挙げられる。また、Ｘ線透過膜としては、Ｓｉ
Ｃ，ＳｉＮ、ダイヤモンド等か挙げられる。中でも、Ｘ
線照射耐性の観点からＳｉＣが好ましい。
【００２２】また、Ｘ線透過膜の表面粗さのばらつきを
抑えるためには、Ｘ線透過膜付き基板を均等に研磨する
ことが有効であり、そのためには、Ｘ線透過膜付き基板
の基板固定治具への貼りつけて固定し、該基板固定治具
に研磨布等の研磨手段に対して荷重をかけて研磨するこ
とにより均等に研磨することが可能である。Ｘ線透過膜
付き基板の基板固定治具への貼り付け方としては、ＳＵ
Ｓ製治具に水を介して貼り付ける方法（水貼り法）が好
ましい。即ちワックスや接着テープ等で基板を基板固定
治具に貼り付ける方法は、Ｘ線マスクブランクのような
比較的薄い基板の場合、貼り付け時に基板が変形しやす
く、研磨すると研磨むらが生じてしまい好ましくない。
一方、水貼り法で基板を基板固定治具に貼り付ければ、
貼り付け時の基板の変形を避けることでき、均一な研磨
が可能である。特に、Ｘ線透過膜としてＳｉＣを用いる
場合は、荷重を５０〜４００ｇ／ｃｍ2 程度かけること
か好ましい。ＳｉＣは硬い膜であるため研磨材としてダ
イヤモンドを用いることが好ましい。但し、表面に傷を
生ずることを防止するために、ダイヤモンドの平均粒径
か０．０５〜０．３μｍ程度と比較的小さい粒径のもの
を用いるか、又はそれより大きいもの（０．３〜０．６
μｍ程度）のものを用い、その後コロイダルシリカによ
り研磨する方法等がある。また、ダイヤモンドを用いず
にコロイダルシリカを用いる場合、過酸化水素を含有す
ることにより平担で傷のない表面を得ることができる。
抑えるためには、Ｘ線透過膜付き基板を均等に研磨する
ことが有効であり、そのためには、Ｘ線透過膜付き基板
の基板固定治具への貼りつけて固定し、該基板固定治具
に研磨布等の研磨手段に対して荷重をかけて研磨するこ
とにより均等に研磨することが可能である。Ｘ線透過膜
付き基板の基板固定治具への貼り付け方としては、ＳＵ
Ｓ製治具に水を介して貼り付ける方法（水貼り法）が好
ましい。即ちワックスや接着テープ等で基板を基板固定
治具に貼り付ける方法は、Ｘ線マスクブランクのような
比較的薄い基板の場合、貼り付け時に基板が変形しやす
く、研磨すると研磨むらが生じてしまい好ましくない。
一方、水貼り法で基板を基板固定治具に貼り付ければ、
貼り付け時の基板の変形を避けることでき、均一な研磨
が可能である。特に、Ｘ線透過膜としてＳｉＣを用いる
場合は、荷重を５０〜４００ｇ／ｃｍ2 程度かけること
か好ましい。ＳｉＣは硬い膜であるため研磨材としてダ
イヤモンドを用いることが好ましい。但し、表面に傷を
生ずることを防止するために、ダイヤモンドの平均粒径
か０．０５〜０．３μｍ程度と比較的小さい粒径のもの
を用いるか、又はそれより大きいもの（０．３〜０．６
μｍ程度）のものを用い、その後コロイダルシリカによ
り研磨する方法等がある。また、ダイヤモンドを用いず
にコロイダルシリカを用いる場合、過酸化水素を含有す
ることにより平担で傷のない表面を得ることができる。
【００２３】なお、本発明のＸ線マスクブランクにおい
ては、Ｘ線透過膜とＸ線吸収膜との間に、エッチング停
止層、密着層、反射防止層、導電層の膜を設けたもので
もよく、また、Ｘ線吸収膜上にマスク層、保護層、導伝
層を設けたものでもよい。
ては、Ｘ線透過膜とＸ線吸収膜との間に、エッチング停
止層、密着層、反射防止層、導電層の膜を設けたもので
もよく、また、Ｘ線吸収膜上にマスク層、保護層、導伝
層を設けたものでもよい。
【００２４】
【実施の形態】図１は本発明の実施例にかかるＸ線マス
クの製造方法の説明図である。以下、図１を参照にして
実施例のＸ線マスクブランク及びＸ線マスクを説明す
る。
クの製造方法の説明図である。以下、図１を参照にして
実施例のＸ線マスクブランク及びＸ線マスクを説明す
る。
【００２５】（実施例１） ［Ｘ線透過膜の形成］まず、シリコン基板１１の両面に
Ｘ線透過膜１２として炭化珪素膜を成膜する。シリコン
基板１は、大きさ４インチφ、厚さ２ｍｍで結晶方位
（１００）のシリコン基板を用いる。また、Ｘ線透過膜
としての炭化珪素膜は、ジクロロシランとアセチレンを
用いてＣＶＤ法により２．１μｍの厚みに成膜する。次
に、Ｘ線透過膜１２の表面を機械研磨により平滑化処理
する。機械研磨は、Ｘ線透過膜１２を形成した基板の裏
面をステンレス（ＳＵＳ）製の治具に水貼り法で貼り付
け固定し、膜表面を平均粒径１／８μｍ（０．０５〜
０．３５μｍ径；日本エンギス製）のダイヤモンド粒子
を分散させた凝固ポリマータイプの軟質研磨布に当てが
い、治具に２００ｇ／ｃｍ2 の荷重をかけながら６０ｒ
ｐｍで回転させて５分間研磨した。
Ｘ線透過膜１２として炭化珪素膜を成膜する。シリコン
基板１は、大きさ４インチφ、厚さ２ｍｍで結晶方位
（１００）のシリコン基板を用いる。また、Ｘ線透過膜
としての炭化珪素膜は、ジクロロシランとアセチレンを
用いてＣＶＤ法により２．１μｍの厚みに成膜する。次
に、Ｘ線透過膜１２の表面を機械研磨により平滑化処理
する。機械研磨は、Ｘ線透過膜１２を形成した基板の裏
面をステンレス（ＳＵＳ）製の治具に水貼り法で貼り付
け固定し、膜表面を平均粒径１／８μｍ（０．０５〜
０．３５μｍ径；日本エンギス製）のダイヤモンド粒子
を分散させた凝固ポリマータイプの軟質研磨布に当てが
い、治具に２００ｇ／ｃｍ2 の荷重をかけながら６０ｒ
ｐｍで回転させて５分間研磨した。
【００２６】ここで得られた表面に対し、基板中央部３
０×３０ｍｍの範囲で、１００点における表面粗さ（Ｒ
ａ）をそれぞれ原子間力顕微鏡で測定し、その最大値、
最小値から式（１）の左辺の値（表面粗さの分布値）を
求めたところ、０．０５であり、表面粗さの平均は０．
３５ｎｍであった。また、このとき表面の傷は、０．２
μｍ以下であった。
０×３０ｍｍの範囲で、１００点における表面粗さ（Ｒ
ａ）をそれぞれ原子間力顕微鏡で測定し、その最大値、
最小値から式（１）の左辺の値（表面粗さの分布値）を
求めたところ、０．０５であり、表面粗さの平均は０．
３５ｎｍであった。また、このとき表面の傷は、０．２
μｍ以下であった。
【００２７】［Ｘ線吸収膜の形成］次に、図１（Ｂ）に
示すように、Ｘ線透過膜１２上にタンタル及びホウ素か
らなるＸ線吸収膜１３をＤＣマグネトロンスパッタ法に
よって０．５μｍの厚さに形成する。スパッタターゲッ
トは、タンタルとホウ素を原子数比（Ｔａ／Ｂ）で８／
２の割合で含む焼結体を用いる。スパッタガスは、Ｘｅ
で、ＲＦパワー密度６．５Ｗ／ｃｍ2 、スパッタガス圧
０．３５Ｐａとする。次いで、この基板を窒素中２５０
℃、２時間の条件でアニーリングを行い、１０ＭＰａ以
下の低応力のＸ線吸収膜１３を得た。ここで、Ｘ線吸収
体膜の応力をＮＴＴアドバンステクノロジー（株）製の
高精度応力測定装置（ＷＳー５０００）により、上述の
Ｘ線透過膜の表面粗さを測定したときと同様の範囲にお
いて測定したところ、０士４ＭＰａであった。
示すように、Ｘ線透過膜１２上にタンタル及びホウ素か
らなるＸ線吸収膜１３をＤＣマグネトロンスパッタ法に
よって０．５μｍの厚さに形成する。スパッタターゲッ
トは、タンタルとホウ素を原子数比（Ｔａ／Ｂ）で８／
２の割合で含む焼結体を用いる。スパッタガスは、Ｘｅ
で、ＲＦパワー密度６．５Ｗ／ｃｍ2 、スパッタガス圧
０．３５Ｐａとする。次いで、この基板を窒素中２５０
℃、２時間の条件でアニーリングを行い、１０ＭＰａ以
下の低応力のＸ線吸収膜１３を得た。ここで、Ｘ線吸収
体膜の応力をＮＴＴアドバンステクノロジー（株）製の
高精度応力測定装置（ＷＳー５０００）により、上述の
Ｘ線透過膜の表面粗さを測定したときと同様の範囲にお
いて測定したところ、０士４ＭＰａであった。
【００２８】［エッチングマスク層の形成］次に、図３
（Ｃ）に示すように、Ｘ線吸収膜１３の上にエッチング
マスク層１４としてクロム炭化物を含むクロム膜をＲＦ
マグネトロンパッタ法によって０．０５μｍの厚さに形
成した。スパッタターゲットにＣｒを用い、スパッタガ
スは、Ａｒにメタンを７％混合したガスで、ＲＦパワー
密度６．５Ｗ／ｃｍ2 、スパッタガス圧１．２Ｐａとし
て、１００ＭＰａ以下の低応力のエッチングマスク層を
得た。
（Ｃ）に示すように、Ｘ線吸収膜１３の上にエッチング
マスク層１４としてクロム炭化物を含むクロム膜をＲＦ
マグネトロンパッタ法によって０．０５μｍの厚さに形
成した。スパッタターゲットにＣｒを用い、スパッタガ
スは、Ａｒにメタンを７％混合したガスで、ＲＦパワー
密度６．５Ｗ／ｃｍ2 、スパッタガス圧１．２Ｐａとし
て、１００ＭＰａ以下の低応力のエッチングマスク層を
得た。
【００２９】この段階で得られたものもＸ線マスクブラ
ンクの１種として取り扱われる。
ンクの１種として取り扱われる。
【００３０】［Ｘ線吸収膜パターンの形成及び枠体の形
成］Ｘ線マスクブランク２上に所望のパターンを形成し
たレジスト膜を配し、このパターンをマスクにドライエ
ッチングを行い、Ｘ線吸収膜パターンを形成する。その
後裏面に形成されＸ線透過膜１２のウインドウエリアと
なる中心部の領域をＣＦ4 をエッチングガスとしたリア
クティブイオンエッチング（ＲＩＥ）により除去し、残
った膜１２ａをマスクにして、フッ酸と硝酸の混合液か
らなるエッチング液によりシリコン基板１１をエッチン
グしてＸ線シリコン枠体１１ａを形成し、Ｘ線マスクを
得る。なお、この場合、レジストは一般に、電子ビーム
（ＥＢ）レジストを用いＥＢ描画法によりパターン形成
を行う。
成］Ｘ線マスクブランク２上に所望のパターンを形成し
たレジスト膜を配し、このパターンをマスクにドライエ
ッチングを行い、Ｘ線吸収膜パターンを形成する。その
後裏面に形成されＸ線透過膜１２のウインドウエリアと
なる中心部の領域をＣＦ4 をエッチングガスとしたリア
クティブイオンエッチング（ＲＩＥ）により除去し、残
った膜１２ａをマスクにして、フッ酸と硝酸の混合液か
らなるエッチング液によりシリコン基板１１をエッチン
グしてＸ線シリコン枠体１１ａを形成し、Ｘ線マスクを
得る。なお、この場合、レジストは一般に、電子ビーム
（ＥＢ）レジストを用いＥＢ描画法によりパターン形成
を行う。
【００３１】本実施例で作製したＸ線マスクについて、
Ｘ線吸収膜パターンの位置歪み（設計パターンに対して
実際に形成されたパターンのずれ）を座標測定機によっ
て評価した結果、１８ｎｍの位置精度であり、十分なも
のであった。
Ｘ線吸収膜パターンの位置歪み（設計パターンに対して
実際に形成されたパターンのずれ）を座標測定機によっ
て評価した結果、１８ｎｍの位置精度であり、十分なも
のであった。
【００３２】（実施例２） ［Ｘ線透過膜の形成］まず、シリコン基板１１の両面に
Ｘ線透過膜１２として炭化珪素膜を成膜する。シリコン
基板１は、大きさ４インチφ、厚さ２ｍｍで結晶方位
（１００）のシリコン基板を用いる。また、Ｘ線透過膜
としての炭化珪素膜は、ジクロロシランとアセチレンを
用いてＣＶＤ法により２．１μｍの厚みに成膜する。次
に、Ｘ線透過膜１２の表面を機械研磨により平滑化処理
する。機械研磨は、Ｘ線透過膜１２を形成した基板の裏
面をステンレス（ＳＵＳ）製の治具に貼り付け固定し、
膜表面を平均粒径１／４μｍ（０．１〜０．６μｍ径；
日本エンギス製）のダイヤモンド粒子を分散させた凝固
ポリマータイプの軟質研磨布に当てがい、治具に２００
ｇ／ｃｍ2 の荷重をかけながら６０ｒｐｍで回転させて
５分間研磨し、表面粗さＲａで１ｎｍ以下の表面を得
る。しかし、こうして得られた膜の表面には、０．２μ
ｍ以上の傷が存在した。そこで、さらに基板の裏面をＳ
ＵＳ製の治具に固定し、基板をコロイダルシリカ（粒径
６０〜８０ｎｍ）を分散させたスウェードタイプ（不織
布タイプ）研磨布にあてがい、１８０ｇ／ｃｍ2 の荷重
をかけながら６０ｒｐｍで回転させて５分間研磨し表面
の傷を０．２μｍ以下とした。こうして得られたＸ線透
過膜の表面粗さの分布を実施例１の場合と同様にして求
めたところ、０．０８であり、表面粗さの平均は０．７
０ｎｍであった。こうして得られたものもＸ線マスクブ
ランクの１種として取り扱われる。
Ｘ線透過膜１２として炭化珪素膜を成膜する。シリコン
基板１は、大きさ４インチφ、厚さ２ｍｍで結晶方位
（１００）のシリコン基板を用いる。また、Ｘ線透過膜
としての炭化珪素膜は、ジクロロシランとアセチレンを
用いてＣＶＤ法により２．１μｍの厚みに成膜する。次
に、Ｘ線透過膜１２の表面を機械研磨により平滑化処理
する。機械研磨は、Ｘ線透過膜１２を形成した基板の裏
面をステンレス（ＳＵＳ）製の治具に貼り付け固定し、
膜表面を平均粒径１／４μｍ（０．１〜０．６μｍ径；
日本エンギス製）のダイヤモンド粒子を分散させた凝固
ポリマータイプの軟質研磨布に当てがい、治具に２００
ｇ／ｃｍ2 の荷重をかけながら６０ｒｐｍで回転させて
５分間研磨し、表面粗さＲａで１ｎｍ以下の表面を得
る。しかし、こうして得られた膜の表面には、０．２μ
ｍ以上の傷が存在した。そこで、さらに基板の裏面をＳ
ＵＳ製の治具に固定し、基板をコロイダルシリカ（粒径
６０〜８０ｎｍ）を分散させたスウェードタイプ（不織
布タイプ）研磨布にあてがい、１８０ｇ／ｃｍ2 の荷重
をかけながら６０ｒｐｍで回転させて５分間研磨し表面
の傷を０．２μｍ以下とした。こうして得られたＸ線透
過膜の表面粗さの分布を実施例１の場合と同様にして求
めたところ、０．０８であり、表面粗さの平均は０．７
０ｎｍであった。こうして得られたものもＸ線マスクブ
ランクの１種として取り扱われる。
【００３３】［Ｘ線吸収膜の形成］次に、図１（Ｂ）に
示すように、Ｘ線透過膜１２上にタンタル及びホウ素か
らなるＸ線吸収膜１３をＤＣマグネトロンスパッタ法に
よって０．５μｍの厚さに形成する。スパッタターゲッ
トは、タンタルとホウ素を原子数比（Ｔａ／Ｂ）で８／
２の割合で含む焼結体を用いる。スパッタガスは、Ｘｅ
で、ＲＦパワー密度６．５Ｗ／ｃｍ2 、スパッタガス圧
０．３５Ｐａとする。次いで、この基板を窒素中２５０
℃、２時間の条件でアニーリングを行い、１０ＭＰａ以
下の低応力のＸ線吸収膜１３を得た。この膜の表面の応
力分布を上記と同様にして求めたところ、０±５ＭＰａ
であった。この段階で得られたものもＸ線マスクブラン
クの１種として取り扱われる。
示すように、Ｘ線透過膜１２上にタンタル及びホウ素か
らなるＸ線吸収膜１３をＤＣマグネトロンスパッタ法に
よって０．５μｍの厚さに形成する。スパッタターゲッ
トは、タンタルとホウ素を原子数比（Ｔａ／Ｂ）で８／
２の割合で含む焼結体を用いる。スパッタガスは、Ｘｅ
で、ＲＦパワー密度６．５Ｗ／ｃｍ2 、スパッタガス圧
０．３５Ｐａとする。次いで、この基板を窒素中２５０
℃、２時間の条件でアニーリングを行い、１０ＭＰａ以
下の低応力のＸ線吸収膜１３を得た。この膜の表面の応
力分布を上記と同様にして求めたところ、０±５ＭＰａ
であった。この段階で得られたものもＸ線マスクブラン
クの１種として取り扱われる。
【００３４】［エッチングマスク層の形成］次に、図１
（Ｃ）に示すように、Ｘ線吸収膜１３の上にエッチング
マスク層１４としてクロム炭化物を含むクロム膜をＲＦ
マグネトロンパッタ法によって０．０５μｍの厚さに形
成した。スパッタターゲットにＣｒを用い、スパッタガ
スは、Ａｒにメタンを７％混合したガスで、ＲＦパワー
密度６．５Ｗ／ｃｍ2 、スパッタガス圧１．２Ｐａとし
て、１００ＭＰａ以下の低応力のエッチングマスク層を
得た。なお、この段階で得られたものもＸ線マスクブラ
ンクの１種として取り扱われる。
（Ｃ）に示すように、Ｘ線吸収膜１３の上にエッチング
マスク層１４としてクロム炭化物を含むクロム膜をＲＦ
マグネトロンパッタ法によって０．０５μｍの厚さに形
成した。スパッタターゲットにＣｒを用い、スパッタガ
スは、Ａｒにメタンを７％混合したガスで、ＲＦパワー
密度６．５Ｗ／ｃｍ2 、スパッタガス圧１．２Ｐａとし
て、１００ＭＰａ以下の低応力のエッチングマスク層を
得た。なお、この段階で得られたものもＸ線マスクブラ
ンクの１種として取り扱われる。
【００３５】［Ｘ線吸収膜パターンの形成及び枠体の形
成］Ｘ線マスクブランク２上に所望のパターンを形成し
たレジスト膜を配し、このパターンをマスクにドライエ
ッチングを行い、Ｘ線吸収膜パターンを形成する。その
後裏面に形成されＸ線透過膜１２のウインドウエリアと
なる中心部の領域をＣＦ4 をエッチングガスとしたリア
クティブイオンエッチング（ＲＩＥ）により除去し、残
った膜１２ａをマスクにして、フッ酸と硝酸の混合液か
らなるエッチング液によりシリコン基板１１をエッチン
グしてＸ線シリコン枠体１１ａを形成し、Ｘ線マスクを
得る（図１（Ｄ）参照）。なお、この場合、レジストは
一般に、電子ビーム（ＥＢ）レジストを用いＥＢ描画法
によりパターン形成を行う。
成］Ｘ線マスクブランク２上に所望のパターンを形成し
たレジスト膜を配し、このパターンをマスクにドライエ
ッチングを行い、Ｘ線吸収膜パターンを形成する。その
後裏面に形成されＸ線透過膜１２のウインドウエリアと
なる中心部の領域をＣＦ4 をエッチングガスとしたリア
クティブイオンエッチング（ＲＩＥ）により除去し、残
った膜１２ａをマスクにして、フッ酸と硝酸の混合液か
らなるエッチング液によりシリコン基板１１をエッチン
グしてＸ線シリコン枠体１１ａを形成し、Ｘ線マスクを
得る（図１（Ｄ）参照）。なお、この場合、レジストは
一般に、電子ビーム（ＥＢ）レジストを用いＥＢ描画法
によりパターン形成を行う。
【００３６】本実施例で作製したＸ線マスクについて、
Ｘ線吸収膜パターンの位置歪みを座標測定機によって評
価した結果、１５ｎｍの位置精度であり、十分なもので
あった。
Ｘ線吸収膜パターンの位置歪みを座標測定機によって評
価した結果、１５ｎｍの位置精度であり、十分なもので
あった。
【００３７】（実施例３）この実施例は、上述の実施例
１、２におけるＸ線透過膜１２の形成工程において、Ｘ
線透過膜１２たる炭化珪素膜を研磨する工程として、以
下のメカノケミカル研磨を行うようにした点を除けば実
施例１、２と同一である。
１、２におけるＸ線透過膜１２の形成工程において、Ｘ
線透過膜１２たる炭化珪素膜を研磨する工程として、以
下のメカノケミカル研磨を行うようにした点を除けば実
施例１、２と同一である。
【００３８】この実施例のメカノケミカル研磨は、基板
をコロイダルシリカ（粒径６０〜８０ｎｍ）を分散させ
た凝固ポリマータイプの研磨布にあてがい、１８０ｇ／
ｃｍ2 の荷重をかけながら６０ｒｐｍで回転させて１０
分間研磨する。ここで、コロイダスラリー中にＨ2 Ｏ2
を３０％添加し、溶媒のｐＨを弱アルカリ（８．５）に
する。これにより、触媒作用が活発になり、研磨速度の
増加と表面平滑化が実現できた。
をコロイダルシリカ（粒径６０〜８０ｎｍ）を分散させ
た凝固ポリマータイプの研磨布にあてがい、１８０ｇ／
ｃｍ2 の荷重をかけながら６０ｒｐｍで回転させて１０
分間研磨する。ここで、コロイダスラリー中にＨ2 Ｏ2
を３０％添加し、溶媒のｐＨを弱アルカリ（８．５）に
する。これにより、触媒作用が活発になり、研磨速度の
増加と表面平滑化が実現できた。
【００３９】この実施例においては、Ｘ線透過膜の研磨
が終了した後に該Ｘ線透過膜の表面粗さの分布を実施例
１の場合と同様にして求めたところ、０．１２であり、
表面粗さの平均は０．８５ｎｍであった。
が終了した後に該Ｘ線透過膜の表面粗さの分布を実施例
１の場合と同様にして求めたところ、０．１２であり、
表面粗さの平均は０．８５ｎｍであった。
【００４０】また、Ｘ線吸収膜を形成した後に該Ｘ線吸
収膜の応力分布を実施例１の場合と同様にして求めたと
ころ、０±６ＭＰａであった。
収膜の応力分布を実施例１の場合と同様にして求めたと
ころ、０±６ＭＰａであった。
【００４１】さらに、本実施例で作製したＸ線マスクに
ついて、Ｘ線吸収膜パターンの位置歪みを座標測定機に
よって評価した結果、２０ｎｍの位置精度であり、要請
される位置精度を満たすものであった。
ついて、Ｘ線吸収膜パターンの位置歪みを座標測定機に
よって評価した結果、２０ｎｍの位置精度であり、要請
される位置精度を満たすものであった。
【００４２】（比較例）この比較例は、上述の実施例１
におけるＸ線透過膜１２の研磨工程において、Ｘ線透過
膜１２を形成した基板の裏面をステンレス（ＳＵＳ）製
の治具に固定する方法として、実施例１の場合と異なり
（実施例１の場合は水貼り法を用いた）、ワックスを用
いて固定した点を除けば、実施例１と同一である。
におけるＸ線透過膜１２の研磨工程において、Ｘ線透過
膜１２を形成した基板の裏面をステンレス（ＳＵＳ）製
の治具に固定する方法として、実施例１の場合と異なり
（実施例１の場合は水貼り法を用いた）、ワックスを用
いて固定した点を除けば、実施例１と同一である。
【００４３】この比較例においては、Ｘ線透過膜の研磨
が終了した後に該Ｘ線透過膜の表面粗さの分布を実施例
１の場合と同様にして求めたところ、０．２５であり、
表面粗さの平均は０．４３ｎｍであった。
が終了した後に該Ｘ線透過膜の表面粗さの分布を実施例
１の場合と同様にして求めたところ、０．２５であり、
表面粗さの平均は０．４３ｎｍであった。
【００４４】また、Ｘ線吸収膜を形成した後に該Ｘ線吸
収膜の応力分布を実施例１の場合と同様にして求めたと
ころ、０±１５ＭＰａであった。
収膜の応力分布を実施例１の場合と同様にして求めたと
ころ、０±１５ＭＰａであった。
【００４５】さらに、本実施例で作製したＸ線マスクに
ついて、Ｘ線吸収膜パターンの位置歪みを座標測定機に
よって評価した結果、３５ｎｍの位置精度であり、要請
される位置精度を満たすことのできないものであった。
ついて、Ｘ線吸収膜パターンの位置歪みを座標測定機に
よって評価した結果、３５ｎｍの位置精度であり、要請
される位置精度を満たすことのできないものであった。
【００４６】図４は以上の各実施例及び比較例のＸ線透
過膜の表面粗さの分布値、Ｘ線透過膜の表面粗さの平
均、Ｘ線吸収膜の応力分布及びＸ線吸膜パターンの位置
精度をまとめて表にして掲げた図である。
過膜の表面粗さの分布値、Ｘ線透過膜の表面粗さの平
均、Ｘ線吸収膜の応力分布及びＸ線吸膜パターンの位置
精度をまとめて表にして掲げた図である。
【００４７】なお、上述の実施例においては、Ｘ線吸収
膜として、ＴａとＢの化合物（Ｔａ／Ｂ＝８／２）を用
いたが、この代わりに、例えば、金属Ｔａ、Ｔａを含む
アモルファス材料、Ｔａ4 Ｂ以外の組成を持つホウ化タ
ンタル等を用いてもよい。
膜として、ＴａとＢの化合物（Ｔａ／Ｂ＝８／２）を用
いたが、この代わりに、例えば、金属Ｔａ、Ｔａを含む
アモルファス材料、Ｔａ4 Ｂ以外の組成を持つホウ化タ
ンタル等を用いてもよい。
【００４８】また、Ｘ線マスクブランクの構造として
は、実施例で掲げたものの外に、基板にＸ線透過膜を形
成した後に、基板の裏面からその中央部を除去して枠体
を形成し、この枠体にＸ線透過膜が張られた状態のいわ
ゆるメンブレン化した構造のものも考えられる。要する
に、Ｘ線マスク製造工程における中間品は全てＸ線マス
クブランクであるということができる。
は、実施例で掲げたものの外に、基板にＸ線透過膜を形
成した後に、基板の裏面からその中央部を除去して枠体
を形成し、この枠体にＸ線透過膜が張られた状態のいわ
ゆるメンブレン化した構造のものも考えられる。要する
に、Ｘ線マスク製造工程における中間品は全てＸ線マス
クブランクであるということができる。
【００４９】さらに、Ｘ線透過膜とＸ線吸収膜との間
に、密着層、反射防止膜等を設けてもよ鋳。その場合、
それらの膜形成後にその表面の欠陥検査を行うようにす
る。
に、密着層、反射防止膜等を設けてもよ鋳。その場合、
それらの膜形成後にその表面の欠陥検査を行うようにす
る。
【００５０】
【発明の効果】以上詳述したように、本発明は、Ｘ線透
過膜の所定領域内の複数箇所における表面粗さ（Ｒａ；
中心線平均粗さ）のうちの最大のＲａの値をＲａmax 、
最小のＲａの値をＲａmin としたとき、該Ｘ線透過膜表
面が、（Ｒａmax −Ｒａmin ）／（Ｒａmax ＋Ｒ
ａmin ）≦０．１５の式を満たす表面状態を有するもの
であることを特徴とするもので、これにより、Ｘ線吸収
膜の応力分布を抑えたＸ線マスクブランク及び高精度な
パターン転写を行うことができるＸ線マスクを得ること
を可能にしたものである。
過膜の所定領域内の複数箇所における表面粗さ（Ｒａ；
中心線平均粗さ）のうちの最大のＲａの値をＲａmax 、
最小のＲａの値をＲａmin としたとき、該Ｘ線透過膜表
面が、（Ｒａmax −Ｒａmin ）／（Ｒａmax ＋Ｒ
ａmin ）≦０．１５の式を満たす表面状態を有するもの
であることを特徴とするもので、これにより、Ｘ線吸収
膜の応力分布を抑えたＸ線マスクブランク及び高精度な
パターン転写を行うことができるＸ線マスクを得ること
を可能にしたものである。
【図１】本発明の実施例にかかるＸ線マスクの製造方法
の説明図である。
の説明図である。
【図２】Ｘ線マスクの構造を説明するための断面図であ
る。
る。
【図３】Ｘ線マスクブランクの構造を説明するための断
面図である。
面図である。
【図４】各実施例及び比較例のＸ線透過膜の表面粗さの
分布値、Ｘ線透過膜の表面粗さの平均、Ｘ線吸収膜の応
力分布及びＸ線吸膜パターンの位置精度をまとめて表に
して掲げた図である。
分布値、Ｘ線透過膜の表面粗さの平均、Ｘ線吸収膜の応
力分布及びＸ線吸膜パターンの位置精度をまとめて表に
して掲げた図である。
１…Ｘ線マスク ２…Ｘ線マスクブランク １１ａ…シリコン支持枠 １１…シリコン基板 １２…Ｘ線透過膜 １３…Ｘ線吸収膜 １３ａ…Ｘ線吸収膜パターン １４…エッチングマスク層
Claims (5)
- 【請求項１】 基板上に少なくともＸ線透過膜を有する
Ｘ線マスクブランクにおいて、 前記Ｘ線透過膜が下記（１）式を満たす表面状態を有す
るものであることを特徴とするＸ線マスクブランク。 （Ｒａmax −Ｒａmin ）／（Ｒａmax ＋Ｒａmin ）≦０．１５…（１） 但し、 Ｒａmax ；Ｘ線透過膜の所定領域内の複数箇所における
表面粗さ（Ｒａ；中心線平均粗さ）のうちの最大のＲａ
値 Ｒａmin ；Ｘ線透過膜の所定領域内の複数箇所における
表面粗さ（Ｒａ；中心線平均粗さ）のうちの最小のＲａ
値 とする。 - 【請求項２】 前記Ｘ線透過膜の所定領域内の複数箇所
における表面粗さ（Ｒａ；中心線平均粗さ）の平均が
１．０ｎｍ以下であることを特徴とする請求項１に記載
のＸ線マスクブランク。 - 【請求項３】 前記Ｘ線透過膜の表面が略均一に研磨さ
れた面であることを特徴とする請求項１又は２に記載の
Ｘ線マスクブランク。 - 【請求項４】 前記Ｘ線透過膜が炭化珪素膜からなるこ
とを特徴とする請求項１ないし３のいずれかに記載のＸ
線マスクブランク。 - 【請求項５】 枠体に支持されたＸ線透過膜上にＸ線吸
収膜パターンを有するＸ線マスクにおいて、 請求項１〜４に記載のＸ線マスクブランクを用いて製造
されたことを特徴とするＸ線マスク。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8076297A JPH10275760A (ja) | 1997-03-31 | 1997-03-31 | Ｘ線マスクブランク及びｘ線マスク |
| US09/052,670 US7261980B1 (en) | 1997-03-31 | 1998-03-31 | X-ray mask blank and x-ray mask |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8076297A JPH10275760A (ja) | 1997-03-31 | 1997-03-31 | Ｘ線マスクブランク及びｘ線マスク |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10275760A true JPH10275760A (ja) | 1998-10-13 |
Family
ID=13727443
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8076297A Pending JPH10275760A (ja) | 1997-03-31 | 1997-03-31 | Ｘ線マスクブランク及びｘ線マスク |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US7261980B1 (ja) |
| JP (1) | JPH10275760A (ja) |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0775219B2 (ja) | 1989-01-18 | 1995-08-09 | 富士通株式会社 | Ｘ線露光マスクの製造方法 |
| US5005075A (en) | 1989-01-31 | 1991-04-02 | Hoya Corporation | X-ray mask and method of manufacturing an X-ray mask |
| JPH0775219A (ja) | 1993-07-07 | 1995-03-17 | Nabco Ltd | 電動車両 |
-
1997
- 1997-03-31 JP JP8076297A patent/JPH10275760A/ja active Pending
-
1998
- 1998-03-31 US US09/052,670 patent/US7261980B1/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US7261980B1 (en) | 2007-08-28 |
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