JPH1027821A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
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- JPH1027821A JPH1027821A JP18252696A JP18252696A JPH1027821A JP H1027821 A JPH1027821 A JP H1027821A JP 18252696 A JP18252696 A JP 18252696A JP 18252696 A JP18252696 A JP 18252696A JP H1027821 A JPH1027821 A JP H1027821A
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- Japan
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- semiconductor
- tape
- chip
- pad
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- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 24
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 18
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims description 2
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 4
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 3
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 2
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
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- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Wire Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】テ−プキャリアを用いた半導体装置に於いて、
半導体の電極接続パッドのあらゆるレイアウトに対応す
るテ−プボンディング接続を提供すること。 【解決手段】半導体のパッド上に接続される金属リ−ド
は、平面的に基板テ−プより１つの直線状に延びておら
ず、基板テ−プ部分より２個以上の直線部分を合成して
構成されている。基板テ−プ部より延びた接続結合され
る金属リ−ド部分はリ−ド幅の中心線において、同一方
向部分のみで構成されておらず、２個以上の異方向直線
部分の組み合わせで構成されている。これにより基板テ
−プ上に構成された金属リ−ドの間隔を小にすることな
く半導体チップ上の接続パッドとを細密間隔で電気的結
合接続することが可能である。 【効果】ＩＣチップ電極接続パッドの任意のレイアウト
化もしくは多列配置化・同電位パッドの存在等に対応し
て電気的結合接続が可能になる。
半導体の電極接続パッドのあらゆるレイアウトに対応す
るテ−プボンディング接続を提供すること。 【解決手段】半導体のパッド上に接続される金属リ−ド
は、平面的に基板テ−プより１つの直線状に延びておら
ず、基板テ−プ部分より２個以上の直線部分を合成して
構成されている。基板テ−プ部より延びた接続結合され
る金属リ−ド部分はリ−ド幅の中心線において、同一方
向部分のみで構成されておらず、２個以上の異方向直線
部分の組み合わせで構成されている。これにより基板テ
−プ上に構成された金属リ−ドの間隔を小にすることな
く半導体チップ上の接続パッドとを細密間隔で電気的結
合接続することが可能である。 【効果】ＩＣチップ電極接続パッドの任意のレイアウト
化もしくは多列配置化・同電位パッドの存在等に対応し
て電気的結合接続が可能になる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体装置に係わ
り、半導体チップのあらゆるパッド配置に対応してテ−
プの電気的接合がされ半導体ユニットとして完成させた
半導体装置に関する。
り、半導体チップのあらゆるパッド配置に対応してテ−
プの電気的接合がされ半導体ユニットとして完成させた
半導体装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来の半導体チップとテ−プボンディン
グは、半導体チップの外周部に設けられた電極パッドと
基板テ−プより１つの直線状に延びた金属リ−ドの接続
部分とをテ−プボンディングし、必要によりモ−ルド工
程にてパッケ−ジングもしくは封止処理をして、電特等
の検査処理が行われる。
グは、半導体チップの外周部に設けられた電極パッドと
基板テ−プより１つの直線状に延びた金属リ−ドの接続
部分とをテ−プボンディングし、必要によりモ−ルド工
程にてパッケ−ジングもしくは封止処理をして、電特等
の検査処理が行われる。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】前述の従来技術を図１
に示す。図１の様な半導体装置は、１は半導体チップ、
２は半導体チップの接続パッド、３はテ−プの接続部分
である。近年の半導体装置の大型化・集積高密度化に伴
い、半導体チップの接続パッドは従来の様にチップ外周
部の一定箇所ではなく、外周より内部エリア又、多列配
列等を余義なくされており、これに対応するテ−プのボ
ンディング接続が要求されることとなってきている。そ
こで本発明は、このような問題点を解決するもので、そ
の目的とするところは、半導体の電極接続パッドのあら
ゆるレイアウトに対応するテ−プボンディング接続を提
供するところにある。
に示す。図１の様な半導体装置は、１は半導体チップ、
２は半導体チップの接続パッド、３はテ−プの接続部分
である。近年の半導体装置の大型化・集積高密度化に伴
い、半導体チップの接続パッドは従来の様にチップ外周
部の一定箇所ではなく、外周より内部エリア又、多列配
列等を余義なくされており、これに対応するテ−プのボ
ンディング接続が要求されることとなってきている。そ
こで本発明は、このような問題点を解決するもので、そ
の目的とするところは、半導体の電極接続パッドのあら
ゆるレイアウトに対応するテ−プボンディング接続を提
供するところにある。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明の半導体装置は、
半導体チップの電極接続パッドに対応するテ−プ接続部
分を従来のように、基板テ−プより１つ直線状に延びて
おらず、２個以上の直線部の合成もしくは曲線部を合わ
せて形成されており、又チップに近接する同一平面部に
於いてはハ−フエッチ等の厚みの異なる部分を有して、
半導体チップのあらゆるパッド配置との電気的結合接続
を可能にしたことを特徴とする。
半導体チップの電極接続パッドに対応するテ−プ接続部
分を従来のように、基板テ−プより１つ直線状に延びて
おらず、２個以上の直線部の合成もしくは曲線部を合わ
せて形成されており、又チップに近接する同一平面部に
於いてはハ−フエッチ等の厚みの異なる部分を有して、
半導体チップのあらゆるパッド配置との電気的結合接続
を可能にしたことを特徴とする。
【０００５】
【発明の実施の形態】図２は本発明の実施例である。
【０００６】４は半導体チップ、５はチップの電極接続
パッド、６はテ−プの接続部分である。図に示す通り、
半導体のパッド上に接続形成される金属リ−ド部分は平
面的において基板テ−プより１つの直線状に延びておら
ず、基板テ−プ部分より２個以上の直線部分を合成して
構成されている。基板テ−プ部より延びた接続結合され
る金属リ−ド部分はリ−ド幅の中心線において、同一方
向部分のみで構成されておらず、２個以上の異方向直線
部分の組み合わせで構成されている。これにより基板テ
−プ上に構成された金属リ−ドの間隔を小にすることな
く半導体チップ上の接続パッドとを細密間隔で電気的結
合接続することが可能である。必要に応じて接続する金
属リ−ド部分のＩＣチップに相対する面部分をハ−フエ
ッチング等により金属厚みを小にして適用することもあ
る。
パッド、６はテ−プの接続部分である。図に示す通り、
半導体のパッド上に接続形成される金属リ−ド部分は平
面的において基板テ−プより１つの直線状に延びておら
ず、基板テ−プ部分より２個以上の直線部分を合成して
構成されている。基板テ−プ部より延びた接続結合され
る金属リ−ド部分はリ−ド幅の中心線において、同一方
向部分のみで構成されておらず、２個以上の異方向直線
部分の組み合わせで構成されている。これにより基板テ
−プ上に構成された金属リ−ドの間隔を小にすることな
く半導体チップ上の接続パッドとを細密間隔で電気的結
合接続することが可能である。必要に応じて接続する金
属リ−ド部分のＩＣチップに相対する面部分をハ−フエ
ッチング等により金属厚みを小にして適用することもあ
る。
【０００７】図３は本発明の別の実施例である。７は半
導体チップ、８はチップの電極接続パッド、９はテ−プ
の接続部分である。図に示す通り、図２の実施例と同様
に半導体のパッド上に接続形成される金属リ−ド部分は
平面的において基板テ−プより一方向よりなる直線状に
延びておらず、基板テ−プ部分より直線部分と曲線部分
を合成して構成されている。これにより基板テ−プ上に
構成された金属リ−ドの間隔を小にすることなく半導体
チップ上の接続パッドとを細密間隔で電気的接続するこ
とが可能である。必要に応じて図２の例と同様に接続す
る金属リ−ド部分のＩＣチップに相対する面部分をハ−
フエッチング等により金属厚みを小にして適用すること
もある。
導体チップ、８はチップの電極接続パッド、９はテ−プ
の接続部分である。図に示す通り、図２の実施例と同様
に半導体のパッド上に接続形成される金属リ−ド部分は
平面的において基板テ−プより一方向よりなる直線状に
延びておらず、基板テ−プ部分より直線部分と曲線部分
を合成して構成されている。これにより基板テ−プ上に
構成された金属リ−ドの間隔を小にすることなく半導体
チップ上の接続パッドとを細密間隔で電気的接続するこ
とが可能である。必要に応じて図２の例と同様に接続す
る金属リ−ド部分のＩＣチップに相対する面部分をハ−
フエッチング等により金属厚みを小にして適用すること
もある。
【０００８】図４は本発明の別の実施例である。１０は
半導体チップ、１１・１２・１３はチップの電極接続パ
ッド、１４はテ−プの接続部分である。図に示す通り、
半導体のパッド上に接続形成される金属リ−ド部分は基
板テ−プ部分より平面的において基板テ−プ部分より一
方向よりなる直線状に延びておらず、基板テ−プ部分２
個以上の直線部分と曲線部分の合成で構成されている。
又、必要に応じて図２・図３の例と同様に接続する金属
リ−ド部分のＩＣチツプに相対する面部分をハ−フエッ
チング等により金属厚みを小にして適用することもあ
る。これにより基板テ−プ上に構成された金属リ−ドの
間隔を小にすることが可能であると共にＩＣチップの内
部エリア上を通して内部エリアのパッドとの接続、もし
くはチップ他辺部のパッドとの接続、及びチップ内同電
位パッド間の複数接続、及び複数列パッドとの接続が可
能である。そして半導体ユニットとしての高集積化・細
密化の達成が可能である。
半導体チップ、１１・１２・１３はチップの電極接続パ
ッド、１４はテ−プの接続部分である。図に示す通り、
半導体のパッド上に接続形成される金属リ−ド部分は基
板テ−プ部分より平面的において基板テ−プ部分より一
方向よりなる直線状に延びておらず、基板テ−プ部分２
個以上の直線部分と曲線部分の合成で構成されている。
又、必要に応じて図２・図３の例と同様に接続する金属
リ−ド部分のＩＣチツプに相対する面部分をハ−フエッ
チング等により金属厚みを小にして適用することもあ
る。これにより基板テ−プ上に構成された金属リ−ドの
間隔を小にすることが可能であると共にＩＣチップの内
部エリア上を通して内部エリアのパッドとの接続、もし
くはチップ他辺部のパッドとの接続、及びチップ内同電
位パッド間の複数接続、及び複数列パッドとの接続が可
能である。そして半導体ユニットとしての高集積化・細
密化の達成が可能である。
【０００９】
【発明の効果】以上述べた様に、本発明によれば、今後
の半導体チップの大型化・高集積化によるチップ電極接
続パッドの任意のレイアウト化もしくは複数列化に対応
してテ−プ接続部分の金属リ−ド部を２個以上の異方向
直線部分の合成もしくは曲線部を組み合わせて構成し、
必要により前述のハ−フエッチング等の金属厚みを変化
させて適用することにより、又異方向直線部分と曲線部
分を合成した金属リ−ドにてチップ内部エリア上を通し
て任意のバッドと接続・複数接続できるという点におい
て今後のあらゆるパッド配置の半導体チップとの高密度
の電気的結合接続が可能になるという効果を有する。
の半導体チップの大型化・高集積化によるチップ電極接
続パッドの任意のレイアウト化もしくは複数列化に対応
してテ−プ接続部分の金属リ−ド部を２個以上の異方向
直線部分の合成もしくは曲線部を組み合わせて構成し、
必要により前述のハ−フエッチング等の金属厚みを変化
させて適用することにより、又異方向直線部分と曲線部
分を合成した金属リ−ドにてチップ内部エリア上を通し
て任意のバッドと接続・複数接続できるという点におい
て今後のあらゆるパッド配置の半導体チップとの高密度
の電気的結合接続が可能になるという効果を有する。
【図１】従来の半導体チップとテ−プの電気的結合接続
を示す図。
を示す図。
【図２】本発明の実施例を示す図であり、チップ電極パ
ッドと２個以上の異方向直線部分を持つ金属リ−ド部と
が電気的結合接続されていることを示す図。
ッドと２個以上の異方向直線部分を持つ金属リ−ド部と
が電気的結合接続されていることを示す図。
【図３】本発明の別の実施例を示す図であり、チップ電
極パッドと直線部分・曲線部分が合成された金属リ−ド
とが電気的結合接続されていることを示す図。
極パッドと直線部分・曲線部分が合成された金属リ−ド
とが電気的結合接続されていることを示す図。
【図４】本発明の別の実施例を示す図であり、チップ電
極パッドと接続する金属リ−ド部は２個以上の異方向直
線部分と曲線部分の合成で構成されており、チップ内部
エリア上を通してチップ内部エリアのパッド、もしくは
チップ他辺部のパッドと電気的結合接続されていること
を示す図。
極パッドと接続する金属リ−ド部は２個以上の異方向直
線部分と曲線部分の合成で構成されており、チップ内部
エリア上を通してチップ内部エリアのパッド、もしくは
チップ他辺部のパッドと電気的結合接続されていること
を示す図。
１、４、７、１０ 半導体チップ ２、５、８、１１、１２、１３ 半導体チップの電極接
続パッド ３、６、９、１４ テ−プの接続金属リ−ド
続パッド ３、６、９、１４ テ−プの接続金属リ−ド
Claims (1)
- 【請求項１】半導体チップのパッド上にテ−プボンディ
ングし、樹脂封止等をして完成させる半導体装置に於い
て、半導体のパッド上に接続形成される金属リ−ド部分
は平面的において基板テ−プより一つの直線状に延びて
おらず、基板テ−プより２個以上の直線部の合成もしく
は曲線部を組み合わせて形成されており、又、チップに
近接する同一平面部においてはハ−フエッチ等の厚みの
異なる部分を有して、半導体上の内部エリアのパッドも
しくは半導体上の複数列のパッドとを上記テ−プのパッ
ド接続部分と電的結合接続することを特徴とする半導体
装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18252696A JPH1027821A (ja) | 1996-07-11 | 1996-07-11 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18252696A JPH1027821A (ja) | 1996-07-11 | 1996-07-11 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1027821A true JPH1027821A (ja) | 1998-01-27 |
Family
ID=16119856
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18252696A Withdrawn JPH1027821A (ja) | 1996-07-11 | 1996-07-11 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH1027821A (ja) |
-
1996
- 1996-07-11 JP JP18252696A patent/JPH1027821A/ja not_active Withdrawn
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20031007 |