JPH1027953A - 転写用部材の製造方法及び転写用部材 - Google Patents
転写用部材の製造方法及び転写用部材Info
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Abstract
に転写することができる転写用部材および転写層を常に
一定の形状に、安定的に形成することができる該転写部
材の製造方法を提供すること。 【解決手段】 少なくとも表面に導電性を備える基板上
に、(1)電気絶縁性のマスクパターンを形成する工
程、(2)該基板上の非マスク部に導電層を形成する工
程、(3)該導電層上に粘接着性絶縁性層を形成する工
程及び(4)該基板上の該マスクパターンを除去する工
程を順次行い、該基板上にパターン化された導電層及び
その上に形成された粘接着性絶縁性層からなる転写層を
形成させることを特徴とする転写用部材の製造方法及び
この方法で得られる転写用部材。
Description
等の製造に好適な、導電性基板上にパターン化された導
電層等からなる転写層を高精度で転写することができる
転写用部材とその製造方法に関する。
体パッケージの小型化、多ピン化、ファインピッチ化、
電子部品の極小化などが急速に進み、いわゆる高密度実
装の時代に突入した。それに伴って、プリント配線板も
片面配線から両面配線へ、さらに多層化、薄型化が進め
られている。
には、主としてサブトラクティブ法と、アディティブ法
が用いられている。
を開けた後に、穴の内部と表面に銅メッキを行い、フォ
トエッチングによりパターンを形成する方法である。こ
のサブトラクティブ法は技術的に完成度が高く、またコ
ストも安いが、銅箔の厚さ等による制約から微細パター
ンの形成は困難である。
触媒を含有した積層板上の回路パターン形成部以外の部
分にレジストを形成し、積層板の露出している部分に無
電解銅メッキ等により回路パターンを形成する方法であ
る。このアディティブ法は、微細パターンの形成が可能
であるが、コスト、信頼性の面で難がある。
した片面あるいは両面のプリント配線板を、ガラス布に
エポキシ樹脂等を含浸させた半硬化状態のプリプレグと
一緒に加圧積層する方法が用いられている。この場合、
プリプレグは各層の接着剤の役割をなし、層間の接続は
スルーホールを作成し、内部に無電解メッキ等を施して
行っている。
においては薄型、軽量化と、その一方で単位面積当りの
高い配線能力が要求され、一層当たりの基板の薄型化、
層間の接続や部品の搭載方法等に工夫がなされている。
により作製された両面プリント配線板を用いた多層基板
の作製は、両面プリント配線板の穴形成のためのドリル
加工の精度と、微細化限界の面から高密度化に限界があ
り、製造コストの低減も困難であった。
ものとして、基材上に導体パターン層と絶縁層とを順次
積層して作製される多層配線板が開発されている。この
多層配線板は、銅メッキ層のフォトエッチングと感光性
樹脂のパターニングを交互に行って作製されるため、高
精細な配線と任意の位置での層間接続が可能となってい
る。
ォトエッチングを交互に複数回行うため、工程が煩雑と
なり、また、基板上に1層づつ積み上げる直列プロセス
のため、中間工程でトラブルが発生すると、製品の再生
が困難となり、製造コストの低減に支障を来していた。
上に配線パターン層を形成した転写用原版を作製し、こ
れを導電性基板に圧着し、配線パターン層を導電性基板
に転写する操作を繰り返して多層プリント配線板を製造
する方法が提案されている。この方法では、図3に模式
的に示されるように転写用原版を作製する際に、導電性
基板1上にレジストでマスクパターン層4′を形成し
(図3(A))、非マスク層5をエッチングし(図3
(B))、エッチング部6に電着によって絶縁性層7を
形成させ(図3(C))、その後にマスクパターン層
4′を除去し(図3(D))、図4に示されるように導
電性基板1上の裸出した部分8に電着によって導電性層
2及び粘接着性絶縁層3を順に形成させるものである。
よって得られる転写用原版は、平版、凸版及び凹版と称
されるが、模式的に図3に示されるようにいずれの場合
も導電層2及び粘接着性絶縁層3の形状はきのこ状(か
まぼこ状)となり、直角四辺形の形状とすることが困難
であるとともに、転写が安定しない(転写率が変動す
る)、線太りする( 該絶縁層の電着は束縛のない状態で
行われるので、生成する該絶縁層の側面がうねった形状
となる)、高周波印加時のインピーダンス特性等の電気
特性が不安定となる、あるいは該絶縁層が転写時に線幅
よりも広がってしまう等の問題がある。また、導電性基
板はエッチングされているので、転写後の導電性基板を
再使用することができないために製造コスト低減に支障
を来す等の問題もあり、改善が要望されている。
情のもとになされたものであって、本発明の目的は、基
材の再利用が可能であり、転写層を高精度に転写するこ
とができる転写用部材および転写層を常に一定の形状
に、安定的に形成することができる該転写部材の製造方
法を提供することにある。
明によって達成される。即ち、本発明は、少なくとも表
面に導電性を備える基板上に、(1)電気絶縁性のマス
クパターンを形成する工程、(2)該基板上の非マスク
部に導電層を形成する工程、(3)該導電層上に粘接着
性絶縁性層を形成する工程及び(4)該基板上の該マス
クパターンを除去する工程を順次行い、該基板上にパタ
ーン化された絶縁層及びその上に形成された粘接着性絶
縁層からなる転写層を形成させることを特徴とする転写
用部材の製造方法及びこの方法で得られる転写用部材で
ある。
パターンを、非マスク部に形成させる導電層及び粘接着
性絶縁層からなる転写層の厚さよりも厚く形成すること
によって、転写層の断面形状を直角四辺形の一定な形状
とすることができる。また、転写層形成後にマスクパタ
ーンは除去されるので、本発明の転写用部材を用いるこ
とによって、転写層を精度よく、且つ安定した転写率で
転写することができる。
げて本発明をさらに詳細に説明する。本発明の転写用部
材における導電性基板は、少なくとも表面が導電性を有
するものであればいずれでもよく、例えば、アルミニウ
ム、銅、ニッケル、鉄、ステンレス、チタン等の導電性
の金属板、あるいはガラス板、ポリエステル、ポリカー
ボネート、ポリイミド、ポリエチレン、アクリル樹脂等
の高分子材料のフィルム等の絶縁性基板の表面に導電性
薄膜を形成したもの等を使用することができる。
れないが、通常、0.05〜1.0mm程度が好まし
い。また、以下に説明する最後の工程で導電性基板表面
のマスクパターンを除去する工程で、導電層が導電性基
板から剥離することを防止するために、該基板は適度な
表面粗度を有していることが好ましく、0.05〜0.
5μm程度の粗度(表面触針式断差計で測定)を有する
導電性基材の使用が好ましい。
(4)の工程を順次経ることによって製造される。図1
及び図2を参照して転写部材の製造方法について説明す
る。本発明の転写部材は図1に模式的に示されるよう
に、導電性基板1の表面に任意のパターンの導電層2と
その上に積層した粘接着性絶縁層3からなる転写層が形
成されたものである。
ず、工程(1)で導電性基板表面に、転写すべき任意の
パターンの転写層を形成するための電気絶縁性のマスク
パターンを形成する。電気絶縁性のマスクパターンの形
成は、通常フォトレジストを用いて行うが、最後の工程
(4)で導電性基板表面から該マスクパターンを溶解除
去する際に、導電層上の絶縁層が除去されることを防止
するうえからポジ型レジストを使用することが好まし
い。ポジ型レジストは従来公知のものが使用可能であ
り、特に限定されない。
1の表面に公知の方法でフォトレジスト層4を形成す
る。所定パターンのフォトマスクを介してフォトレジス
ト層4に紫外線を照射し、露光・現像する。かくして、
図2(B)に示されるように導電性基板1の表面に所定
パターンのマスクパターン4′及び非マスク部5が形成
される。その際、マスクパターンを下記の転写層の厚さ
よりも厚く形成することによって、転写層の断面形状を
直角四辺形の一定した形状とすることができる。
に示されるように非マスク部5に電着により導電層2を
形成する。電着による導電層の形成は公知のメッキ法に
従って行われ、導電層を形成する材料は、電着法で導電
性薄膜が形成されるものであれば特に制限はなく、例え
ば、銅、銀、金、ニッケル、クロム、亜鉛、錫あるいは
白金等が挙げられる。また、電着に際しては、導電層の
導電性基板からの剥離を容易にするために、予め、非マ
スク部に導電性を疎外しない剥離層を形成しておくこと
ができる。
うに、上記の導電層2の表面に電着法で粘接着性絶縁層
3が形成される。電着法は、電着塗装として従来から用
いられている方法が原形であり、イオン性の被膜形成材
料を含有する電着液を用いて行われる。本発明における
電着は公知の電着法に従って行われる。電着液に含有さ
れる絶縁層を形成する材料は、常温あるいは加熱により
粘接着性を示す電着可能な物質であれば使用可能であ
り、例えば、イオン性高分子化合物が代表的である。
成するイオン性高分子化合物としては、例えば、天然系
樹脂、アクリル系樹脂、ポリエステル系樹脂、アルキッ
ド系樹脂、マレイン化油系樹脂、ポリブタジエン系樹
脂、エポキシ系樹脂、ポリアミド系樹脂、ポリイミド系
樹脂等が挙げられる。アニオン性高分子化合物はカルボ
キシル基等のアニオン性基を有するものが、カチオン性
高分子化合物はアミノ基等のカチオン性基を有するもの
が用いられる。本発明においては、絶縁被膜に要求され
る性能に従って最適なイオン性高分子化合物を適宜選択
すればよく、イオン性高分子化合物は特に制限されな
い。また、必要に応じてこれらのイオン性高分子化合物
とともに、ロジン系、テルペン系、石油樹脂系等の粘着
付与剤を使用することもできる。
たは酸性物質によって中和して水に可溶化された状態
で、あるいは水分散状態で電着に供される。アニオン性
高分子化合物は、例えば、トリメチルアミン、ジエチル
アミン、ジメチルエタノールアミン等のアミン類、アン
モニア、苛性カリ等の無機のアルカリで中和する。カチ
オン性高分子化合物は、例えば、酢酸、蟻酸、プロピオ
ン酸、乳酸等の酸で中和する。
導電性基板1表面のマスクパターン4′が除去される。
マスクパターンはフォトレジストで形成されているの
で、フォトレジスト用の通常の現像液を用いて溶解除去
される。前記のように、マスクパターンをポジ型フォト
レジストで形成した場合には、本工程におけるマスクパ
ターンの除去の際に絶縁層3が剥離されることが防止さ
れる。ポジ型フォトレジストの現像液としては、例え
ば、弱アルカリ性液が使用される。
によって図1に模式的に示される本発明の転写用部材が
製造される。
らに具体的に説明する。特に断りのない限り以下では部
及び%は重量基準である。
基板として転写用部材を以下の工程により作製した。 (1)マスクパターンの形成 上記の基板上にポジ型フォトレジスト(東京応化工業
(株)製 PMER P−AR900)を約20μmの
厚さに塗布し、80℃のホットプレート上で10分間乾
燥した。その後、所定のパターンを有するマスクを用
い、下記条件で露光を行い、次いで弱アルカリ性現像液
(東京応化工業(株)製 P−6G)で現像してマスク
パターンを形成させた。
2−Gを使用 真空引き :60秒 露光時間 :400カウント
電極と対向させて下記の組成の硫酸銅めっき浴中に浸漬
し、該導電性基板を直流電源の陽極に、該電極を陰極に
それぞれ接続し、5A/dm2 の電流密度で10分間通
電した。その結果、該導電性基板のフォトレジストで覆
われていない非マスク部上に厚さ10μmの銅めっき薄
膜からなる導電層が形成された。
ト1.6部、ジビニルベンゼン0.2部とを重合開始剤
として過硫酸カリウム1%水溶液85部を用い、乳化剤
を使用せずに80℃で5時間乳化重合し、部分架橋ブチ
ルアクリレート/メチルメタアクリレート共重合体のエ
マルジョンを得た。上記のエマルジョン65部、電着担
体としてのカルボキシル基含有アクリル系共重合体樹脂
2部、ヘキサメトキシメラミン0.85部、中和剤とし
てのトリメチルアミン0.35部、エタノール3部、ブ
チルセルソルブ3部及びイオン交換水18.8部を混合
攪拌し、粘接着性絶縁層形成用の電着液を調製した。 (ii)電着 (2)で作製した導電層を有する導電性基板を白金電極
と対向させて上記の電着液中に浸漬し、該導電性基板を
直流電源の陽極に、白金電極を陰極にそれぞれ接続し、
30Vの電圧で1分間の電着を行い、導電層の上に厚さ
10μmの上記共重合体からなる粘接着性絶縁層を形成
させた。
縁層を形成した導電性基板上のマスクパターンを(1)
の場合と同じ条件で露光した。その後80℃で15分乾
燥させた。これは、(3)の工程終了時に乾燥を行うと
マスクパターンが硬化し、またマスクパターン中には可
塑剤が混入されているので、これが揮散することによっ
てマスクパターンに乱れを生じ、マスクパターン層の除
去が困難となるだけでなく、マスクパターンの除去時に
導電層や絶縁層に影響が及ぶことを避けるためである。
乾燥後、(1)で使用した現像液を用いてマスクパター
ン層を溶解除去し、本発明の転写用部材を得た。しかし
ながら、上記と同じ(1)〜(3)の工程で転写層を形
成し。工程(4)のマスクパターンの除去にアセトンを
使用した場合には該絶縁層の消失、導電層の剥離が生じ
良好な転写用部材は得られなかった。また、(3)の工
程終了後に上記の条件で乾燥を行ってから(4)の工程
を行ったが、該絶縁層の消失、導電層の剥離が生じ良好
な転写用部材は得られなかった。
イミドフィルム上に、80℃、圧力10kgf/cm2
の条件で圧着し、剥離して転写を行ったところ、パター
ンは全て転写された。また、転写後の導電性基板を用い
て上記の(1)〜(4)による転写用部材の作製、転写
を繰り返したが、いずれの場合も転写率に変化は見られ
ず、導電性基板の再利用が可能であることが立証され
た。
(株)製 OMR−85)及び該フォトレジスト用現像
液(東京応化工業(株)製 OMR現像液)を使用し、
工程(4)でマスクパターンの除去を100℃の剥離液
(東京応化工業(株)製 クリーンストリップ)に浸漬
することによって行う以外は実施例1と同様にして転写
用部材を作製したが、工程(4)で該絶縁層の消失、導
電層の剥離が生じ、良好な転写用部材は得られなかっ
た。
状は直角四辺形の一定した形状とすることができ、高精
度且つ安定した転写率で転写層の転写が可能である。ま
た、転写後の導電性基板は転写用部材の基板として繰り
返し使用が可能であるので、転写用部材の製造コストの
低減も可能である。
る。
略図である。
る概略図である。
ある。
Claims (6)
- 【請求項1】 少なくとも表面に導電性を備える基板上
に、(1)電気絶縁性のマスクパターンを形成する工
程、(2)該基板上の非マスク部に導電層を形成する工
程、(3)該導電層上に粘接着性絶縁性層を形成する工
程及び(4)該基板上の該マスクパターンを除去する工
程を順次行い、該基板上にパターン化された導電層及び
その上に形成された粘接着性絶縁性層からなる転写層を
形成させることを特徴とする転写用部材の製造方法。 - 【請求項2】 前記の(1)の工程をポジ型レジストを
用いて行う請求項1に記載の転写用部材の製造方法。 - 【請求項3】 前記の(2)及び(3)の工程を電着法
で行う請求項1又は2に記載の転写用部材の製造方法。 - 【請求項4】 前記の(2)の工程終了後乾燥させずに
前記の(4)の工程を行い、その後に乾燥させる請求項
1〜3のいずれか1項に記載の転写用部材の製造方法。 - 【請求項5】 前記基板の表面粗度が0.05〜0.5
μmである請求項1〜4のいずれか1項に記載の転写用
部材の製造方法。 - 【請求項6】 請求項1〜5のいずれか1項に記載の方
法で製造されたことを特徴とする転写用部材。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19694696A JP3828205B2 (ja) | 1996-07-09 | 1996-07-09 | 転写用部材の製造方法及び転写用部材 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19694696A JP3828205B2 (ja) | 1996-07-09 | 1996-07-09 | 転写用部材の製造方法及び転写用部材 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1027953A true JPH1027953A (ja) | 1998-01-27 |
| JP3828205B2 JP3828205B2 (ja) | 2006-10-04 |
Family
ID=16366295
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19694696A Expired - Lifetime JP3828205B2 (ja) | 1996-07-09 | 1996-07-09 | 転写用部材の製造方法及び転写用部材 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3828205B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008168478A (ja) * | 2007-01-10 | 2008-07-24 | Toppan Printing Co Ltd | 印刷用凸版および印刷用凸版の製造方法 |
| JP2009038409A (ja) * | 2000-10-18 | 2009-02-19 | Nec Corp | 半導体パッケージの製造方法 |
-
1996
- 1996-07-09 JP JP19694696A patent/JP3828205B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009038409A (ja) * | 2000-10-18 | 2009-02-19 | Nec Corp | 半導体パッケージの製造方法 |
| JP2008168478A (ja) * | 2007-01-10 | 2008-07-24 | Toppan Printing Co Ltd | 印刷用凸版および印刷用凸版の製造方法 |
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3828205B2 (ja) | 2006-10-04 |
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