JPH10279663A - 半導体封止用エポキシ樹脂組成物 - Google Patents

半導体封止用エポキシ樹脂組成物

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JPH10279663A
JPH10279663A JP8173197A JP8173197A JPH10279663A JP H10279663 A JPH10279663 A JP H10279663A JP 8173197 A JP8173197 A JP 8173197A JP 8173197 A JP8173197 A JP 8173197A JP H10279663 A JPH10279663 A JP H10279663A
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epoxy resin
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 反りが小さく、信頼性に優れたボール・グリ
ッド・アレイ用エポキシ樹脂組成物を提供すること。 【解決手段】 式(1)に示されるエポキシ樹脂、式
(2)に示されるフェノール樹脂硬化剤、硬化促進剤、
及び無機充填材からなることを特徴とする半導体封止用
エポキシ樹脂組成物。 【化1】 (式(1)のR1、R2は水素、メチル基、エチル基、タ
ーシャリブチル基から選ばれ、同一でも異なっていても
よい。)

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、パッケージの反り
が小さく、高信頼性のボール・グリッド・アレイ用エポ
キシ樹脂組成物に関するものである。
【0002】
【従来の技術】電子製品の軽薄短小化、高密度化、高機
能化及び低価格化のため、半導体パッケージは種々の形
態をとるようになってきている。近年、開発された特殊
なパッケージとして、ボール・グリッド・アレイ(以
下、BGAという)がある。このBGAは、回路基板上
に半導体素子を直接搭載し、その上をエポキシ樹脂組成
物(以下、樹脂組成物という)で封止した構造となって
いる。半導体素子が搭載されている回路基板の裏面の半
田ボールを経由して、マザーボードに実装されるもので
ある。このパッケージは、ピン数の多い素子を容易にマ
ザーボードに実装できるために生産量が非常に増加しつ
つある。このパッケージは、いわゆるバイメタル構造を
しており、大きな反りが発生し易い。この反りを低減さ
せるための樹脂組成物が種々検討されているが、いずれ
も反りを完全に解決できてはいない。例えば、BGAの
反りを低減させるため、ガラス転移温度(以下、Tgと
いう)の高い樹脂系が有効であることが特開平1−15
8755号公報に開示されている。しかし、この公報に
開示されているTgが高い樹脂系を用いても、反り低減
には未だ不十分であった。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、パッケージ
の反りが小さく、高信頼性のBGA用樹脂組成物に関す
るものである。
【0004】
【課題を解決するための手段】本発明は、(A)式
(1)に示されるエポキシ樹脂、(B)式(2)に示さ
れるフェノール樹脂硬化剤、(C)硬化促進剤、及び
(D)無機充填材からなる半導体封止用エポキシ樹脂組
成物である。
【化4】 (式(1)のR1、R2は水素、メチル基、エチル基、タ
ーシャリブチル基から選ばれ、同一でも異なっていても
よい。)
【0005】
【発明の実施の形態】以下に本発明を詳細に説明する。
本発明で用いられるエポキシ樹脂は、式(1)で示され
ているように、−CH−に連結しているベンゼン環に結
合したグリシジルエーテル基が、オルソ位に存在してい
ることにより、前述した公開公報に開示されている樹脂
に較べ、硬化物の硬化収縮率が若干小さくなり、BGA
の反りが小さくなることが判明した。理由は定かではな
いが、グリシジルエーテル基がオルソ位に存在している
ことによる立体障害のために、エポキシ樹脂の骨格は大
幅に自由度が制限されて剛直になり、硬化収縮率が小さ
くなると推定される。なお硬化物の硬化収縮率には差が
あるが、Tgはほぼ同じである。
【0006】式(1)で示されるエポキシ樹脂には、種
々の構造が包含されるが、これらは単独でも混合して用
いてもよい。又、式(1)で示されるエポキシ樹脂の特
性を損なわない範囲内で、他のエポキシ樹脂と併用して
もかまわない。併用するエポキシ樹脂としては、例え
ば、オルソクレゾールノボラック型エポキシ樹脂、フェ
ノールノボラック型エポキシ樹脂、トリアジン核含有エ
ポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン変性エポキシ樹脂、
ビフェニル型エポキシ化合物、式(1)以外のアルキル
変性トリフェノールメタン型エポキシ樹脂、スチルベン
型エポキシ化合物、ビスフェノール型エポキシ化合物等
が挙げられる。本発明で用いられるエポキシ樹脂は、耐
湿信頼性向上のため塩素イオンやナトリウムイオン等の
イオン性不純物は極力少ないことが望ましい。
【0007】本発明で用いられるフェノール樹脂硬化剤
は、式(2)で示されているように、−CH−に連結し
ているベンゼン環に結合したフェノール性水酸基が、オ
ルソ位に存在していることにより、前述した公開公報に
開示されている樹脂に較べ、硬化物の硬化収縮率が低減
し、BGAの反りも小さくなる。式(2)で示されるフ
ェノール樹脂の特性を損なわない範囲内で、他のフェノ
ール樹脂と併用してもかまわない。併用するフェノール
樹脂としては、例えば、フェノールノボラック樹脂、ク
レゾールノボラック樹脂、ジシクロペンタジエン変性フ
ェノール樹脂、キシリレン変性フェノール樹脂等が挙げ
られる。本発明で用いられるフェノール樹脂硬化剤は、
耐湿信頼性向上のため塩素イオンやナトリウムイオン等
のイオン性不純物は極力少ないことが望ましい。
【0008】本発明で用いられる硬化促進剤としては、
エポキシ基とフェノール性水酸基との反応を促進させる
ものであればよく、一般に封止用材料に用いられるもの
を広く使用できる。より好ましいのは、1,8−ジアザ
ビシクロ(5,4,0)ウンデセン−7、及び式(3)
で示されるテトラフェニルホスホニウム・テトラナフト
イックアシッドボレートである。
【化5】 1,8−ジアザビシクロ(5,4,0)ウンデセン−7
は、各種基材に対する接着性の向上のために有効であ
り、更に式(3)の硬化促進剤は、樹脂組成物の常温保
管特性を大幅に向上させる効果がある。これらの硬化促
進剤は、単独でも混合して用いてもかまわない。又、必
要に応じて他の硬化促進剤と併用することもできる。併
用する硬化促進剤としては、例えば、トリフェニルホス
フィン、ジメチルベンジルアミン、テトラフェニルホス
ホニウム・テトラフェニルボレート等が挙げられる。
【0009】本発明で用いられる無機充填材は、例え
ば、溶融シリカ粉末、球状シリカ粉末、結晶シリカ粉
末、2次凝集シリカ粉末、多孔質シリカ粉末、2次凝集
シリカ粉末又は多孔質シリカ粉末を粉砕したシリカ粉
末、アルミナ等が挙げられる。又、無機充填材の形状と
しては、破砕状でも球状でもかまわないが、流動特性、
機械強度及び熱的特性のバランスを考慮すると球状溶融
シリカ粉末が好ましい。これらの無機充填材は単独でも
混合して用いてもよい。更に、シランカップリング剤等
で予め表面処理したものを用いてもよい。
【0010】本発明で用いられるシランカップリング剤
は、式(4)、式(5)で示され、無機充填材と有機物
の両方に反応性を有するものである。これらのシランカ
ップリング剤は、半導体を搭載する基板と樹脂組成物と
の接着界面に作用し、接着力を向上させ、耐半田性等の
信頼性を向上させる効果がある。これらのシランカップ
リング剤は、単独でも混合して用いてもよい。更に、必
要に応じて他のカップリング剤を併用することもでき
る。又、添加方法については、特に限定しない。
【化6】 (式(4)及び式(5)のRは、メチル基又はエチル
基。)
【0011】本発明の樹脂組成物は、(A)〜(D)、
又は(A)〜(E)成分の他、必要に応じてカーボンブ
ラック等の着色剤、臭素化エポキシ樹脂や酸化アンチモ
ン等の難燃剤、各種離型剤、シリコーンオイルを適宜配
合しても差し支えない。本発明の樹脂組成物は、例え
ば、全ての配合原料をミキサー等を用いて十分に均一混
合した後、更に熱ロール又はニーダー等で溶融混合し、
冷却後粉砕して製造することができる。この樹脂組成物
は、特にBGAの被覆に適用することができる。
【0014】
【実施例】以下に本発明を実施例で示す。配合割合は重
量部とする。 実施例1 エポキシ樹脂(E−1) 11.5重量部 フェノール樹脂(H−1) 5.5重量部 1,8−ジアザビシクロ(5,4,0)ウンデセン−7(以下、DBUという ) 0.2重量部 球状シリカ(平均粒径15μm) 80.0重量部 カーボンブラック 0.3重量部 臭素化フェノールノボラック型エポキシ樹脂 1.0重量部 三酸化アンチモン 1.0重量部 カルナバワックス 0.5重量部 をミキサーを用いて常温で混合し、50〜130℃で二
軸ロールを用いて混練し、冷却後粉砕し、タブレット化
して樹脂組成物を得た。この樹脂組成物を以下の方法で
評価した。結果を表1に示す。
【0015】評価方法 BGAの反り量:低圧トランスファー成形機を用いて2
25ピンBGAの成形を行った。成形温度175℃、圧
力70kg/cm2、硬化時間2分で成形し、175℃
で8時間のポストキュアを行い、測定用サンプルとし
た。使用したBGA基板は、ビスマレイミドトリアジン
樹脂を用いた基板で、基板のサイズは27×27×0.
36mm、実装するICチップは9×9×0.35m
m、測定用サンプルの成形品の大きさは24×24×
1.18mm。半田ボール実装前の成形品を利用して反
りを測定した。サンプルの反り量を表面粗さ計(東京精
密・製)を用いて常温で測定した。測定位置は正方形の
パッケージの対角線とした。 硬化収縮率:直径50mmの円盤を成形し、以下の方法
で硬化収縮率を測定した。 硬化収縮率(%)={(r1−r2)/r1×100}−
Cs r1:175℃における金型の内径(mm) r2:上記の金型で成形し、ポストキュア後、常温に戻
したときの円盤の外径(mm) Cs:樹脂組成物の成形品をセイコー電子(株)・製熱
機械分析装置TMA120を用いて測定した、25〜1
75℃の温度域での熱膨張率(%)。
【0016】実施例2〜14、比較例1〜6 表1、2に示した配合で、実施例1と同様に樹脂組成物
を作製し、実施例1と同様にして評価した。硬化促進剤
のCAは、(DBU)/(式(H−2)のフェノールノ
ボラック樹脂)=2/8(重量比)の溶融混合物であ
る。実施例及び比較例で用いたエポキシ樹脂、フェノー
ル樹脂硬化剤、及びシランカップリング剤の構造式を以
下に示す。
【表1】
【0017】
【表2】
【0018】
【化7】
【0019】
【化8】
【0020】
【化9】
【0021】
【発明の効果】本発明に従うと、反りの小さいBGA用
エポキシ樹脂組成物が得られ、これを用いて封止した半
導体装置は信頼性に優れている。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 FI C08L 63/00 C08L 63/00 B H01L 23/29 H01L 23/30 R 23/31

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】(A)式(1)に示されるエポキシ樹脂、
    (B)式(2)に示されるフェノール樹脂硬化剤、
    (C)硬化促進剤、及び(D)無機充填材からなること
    を特徴とする半導体封止用エポキシ樹脂組成物。
  2. 【請求項2】 硬化促進剤が、1,8−ジアザビシクロ
    (5,4,0)ウンデセン−7、又は式(3)である請
    求項1記載の半導体封止用エポキシ樹脂組成物。
  3. 【請求項3】(A)式(1)に示されるエポキシ樹脂、
    (B)式(2)に示されるフェノール樹脂硬化剤、
    (C)硬化促進剤、(D)無機充填材、及び(E)式
    (4)、式(5)で示されるシランカップリング剤から
    なることを特徴とする半導体封止用エポキシ樹脂組成
    物。 【化1】 (式(1)のR1、R2は水素、メチル基、エチル基、タ
    ーシャリブチル基から選ばれ、同一でも異なっていても
    よい。) 【化2】 【化3】 (式(4)及び式(5)のRは、メチル基又はエチル
    基。)
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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004300431A (ja) * 2003-03-17 2004-10-28 Sumitomo Bakelite Co Ltd 半導体封止用樹脂組成物および半導体装置
JP2006518800A (ja) * 2003-02-20 2006-08-17 ヘンケル コーポレイション 第四級有機ホスホニウム塩含有成型組成物
JP2007099808A (ja) * 2005-09-30 2007-04-19 Sumitomo Bakelite Co Ltd エポキシ樹脂組成物及び半導体装置
JP2007177150A (ja) * 2005-12-28 2007-07-12 Sumitomo Bakelite Co Ltd エポキシ樹脂組成物及び半導体装置

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* Cited by examiner, † Cited by third party
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JP2006518800A (ja) * 2003-02-20 2006-08-17 ヘンケル コーポレイション 第四級有機ホスホニウム塩含有成型組成物
JP2004300431A (ja) * 2003-03-17 2004-10-28 Sumitomo Bakelite Co Ltd 半導体封止用樹脂組成物および半導体装置
JP2007099808A (ja) * 2005-09-30 2007-04-19 Sumitomo Bakelite Co Ltd エポキシ樹脂組成物及び半導体装置
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