JPH10284770A

JPH10284770A - 磁気抵抗素子の製造方法

Info

Publication number: JPH10284770A
Application number: JP9093532A
Authority: JP
Inventors: Tatsumi Yoneda; 立美米田
Original assignee: Sankyo Seiki Manufacturing Co Ltd
Current assignee: Nidec Instruments Corp
Priority date: 1997-04-11
Filing date: 1997-04-11
Publication date: 1998-10-23

Abstract

(57)【要約】【課題】レーザートリミングを行う磁気抵抗素子の製
造方法であって、トリミング時に磁性薄膜材料が飛び散
ることがなく、保護膜を二重に形成する必要もない方法
を得る。【解決手段】強磁性薄膜からなり複数の抵抗部を含む
導体パターン２を基板１上に形成する工程と、導体パタ
ーン２上に保護膜３を形成する工程と、保護膜３を通し
てレーザー光６を照射して導体パターン２の一部を切除
すると共にこの切除量を導体パターン２からの出力信号
に基づいて変化させることにより上記抵抗部の電気抵抗
値を調整する工程とを備えている。保護膜２は膜厚が１
μｍないし２μｍのＳｉＯ₂膜とし、この保護膜２を通
して出力が１．５ｍＷ乃至２．０ｍＷのレーザー光６を
照射するとよい。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、磁気抵抗素子の製
造方法に関するもので、特にその導体パターンの抵抗値
の調整に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】磁気的変化に応じて電気抵抗が変化する
磁気抵抗素子は、モータの回転数検出、移動体の位置検
出等に用いられる。磁気抵抗素子は、磁界の変化に対す
る抵抗値の変化率が比較的小さいため、磁界の変化に対
してできるだけ大きな出力が得られるように、検出回路
を工夫している。一般には、図７に示すように強磁性薄
膜からなる二つの導体パターンＭＲ１，ＭＲ２を形成す
るとともに上記二つの導体パターンＭＲ１，ＭＲ２を直
列接続し、他の二つの固定抵抗Ｒ１，Ｒ２を直列接続し
て上記二つの導体パターンＭＲ１，ＭＲ２と共にフルブ
リッジ接続し、このフルブリッジの各中点から電位差を
取り出し、この電位差をオペアンプ１０を用いて増幅
し、さらにはコンパレータを用いて波形整形することが
多い。

【０００３】図７に示すような検出回路において、二つ
の導体パターンＭＲ１，ＭＲ２の抵抗値のバランスが崩
れて磁気抵抗素子の中点電位がずれていると、波形整形
後のデューティーが変化する。いま、例えば図７に示す
ように電源Ｖｃｃの電圧を５Ｖとしたとき、二つの導体
パターンＭＲ１，ＭＲ２の抵抗値のバランスがとれてい
ればその中点電位は２．５Ｖとなり、直列接続された二
つの固定抵抗Ｒ１，Ｒ２の中点電位２．５Ｖと等しくな
る。この場合、オペアンプ１０で増幅されかつ図示され
ないコンパレータ等で波形整形された信号は、図８
（ｂ）に示すような波形となる。しかし、二つの導体パ
ターンＭＲ１，ＭＲ２の抵抗値のバランスが崩れて磁気
抵抗素子の中点電位が２．５Ｖからずれると、オペアン
プ１０で増幅されかつ図示されないコンパレータ等で波
形整形された信号は、例えば図８（ｃ）に示すような波
形となり、デューティーが変化してしまう。

【０００４】上記のように検出回路から出力される信号
のデューティーが変化すると、検出精度が低下する。ま
た、図７に示すような磁気抵抗素子および検出回路を組
み合わせてＡ、Ｂ２相の検出信号を出力し、Ａ、Ｂ２相
の検出信号の位相差を出力させるようにした用途のもの
もあるが、かかる用途のものにおいて検出回路から出力
される信号のデューティーが変化すると、Ａ、Ｂ２相の
位相差の精度が低下する。

【０００５】そこで従来は、磁気抵抗素子の電極部や導
体パターンの一部をレーザービームで溶解させながら切
除し、対をなす導体パターンの抵抗値のバランスを調整
するいわゆるレーザートリミングが行われている。磁気
抵抗素子にレーザートリミングを施す従来例として、特
公平４−６７７９５号公報、特開平３−２６８４７０号
公報、特開平３−２４０２０３号公報記載のものが知ら
れている。以下、これらの各公報に記載されている技術
について簡単に説明する。

【０００６】特公平４−６７７９５号公報記載のもの
は、導体パターンの一端部の一辺とその接続端子とを、
導体パターンの上記一辺の長さ方向の複数個所で選択的
にトリミングされるべき導体パターンを介して接続した
もので、この導体パターンをレーザートリミングするこ
とによって電気抵抗値の調整を行うようにしたものであ
る。特開平３−２６８４７０号公報記載のものは、磁性
膜からなる導体パターンの上にＳｉＯ₂またはＳｉＮ₂の
第１の保護膜を形成し、この保護膜を通してレーザービ
ームを照射することにより第１の保護膜と導体パターン
の一部を同時に除去しながら電気抵抗値の調整を行い、
その後、第２の保護膜を形成するものである。特開平３
−２４０２０３号公報記載のものは、上記特開平３−２
６８４７０号公報記載のものと類似の技術で、抵抗調整
用パターンを導体パターンに連続させて形成し、これら
のパターンを第１の保護膜で覆い、第１の保護膜ととも
に抵抗調整用パターンをトリミングした後、第２の保護
膜を形成するものである。

【０００７】以上説明したようなレーザートリミングに
よる抵抗調整のほか、検出回路に可変抵抗あるいは半固
定抵抗を設けて調整するするようにしたもの、印刷抵抗
を用いて調整するもの、トリミング用のチップ抵抗を用
いるものなどもある。

【０００８】

【発明が解決しようとする課題】上記のように可変抵抗
あるいは半固定抵抗を設けたものによれば、可変抵抗あ
るいは半固定抵抗は高価であるとともに配置するための
スペースを必要とし、高密度実装には不利である。ま
た、印刷抵抗を用いたものによれば、部品実装後のファ
ンクショントリミングが必要であり、高密度実装にも不
利である。上記トリミング用のチップ抵抗を用いたもの
によれば、チップ抵抗に切り込みを入れながらトリミン
グするため、切り込みを入れるためのスペースを必要と
し、高密度実装に不利である。

【０００９】その点、前記各公報に記載されているよう
なレーザートリミングを用いる方法は高密度実装に適し
ている。しかし、従来のレーザートリミングを用いた磁
気抵抗素子の製造方法は、強磁性薄膜からなる導体パタ
ーンの一部を直接または導体パターンの一部と保護膜と
をレーザービームにより溶解して除去するものであるた
め、溶解した強磁性材料が周辺に飛び散り、周辺の導体
パターンに付着したり導体パターンを短絡させたりする
ことがある。また、導体パターンの一部と保護膜とを同
時にトリミングする場合は下地の基板まで焼損すること
が多く、熱衝撃等によって基板にクラックが生じやすく
なる難点がある。さらに、トリミング時に基板の部分発
熱が大きく、基板が局部的に温度上昇するため、レーザ
ートリミングしながら抵抗バランスを調整しても、調整
後に磁性膜の温度係数により抵抗バランスが崩れ、中点
電位の最適値を得ることができないことが多い。導体パ
ターンの一部と保護膜とを同時にトリミングする場合
は、保護膜を二重に形成する必要があり、２層目の保護
膜によって磁性薄膜に機械的な応力がかかって磁気歪み
が生じ、検出精度が劣化する難点もある。

【００１０】本発明は以上のような従来技術の問題点を
解消するためになされたもので、いわゆるレーザートリ
ミングを行う磁気抵抗素子の製造方法であって、トリミ
ング時に磁性薄膜材料が飛び散ることがなく、保護膜を
二重に形成する必要もない磁気抵抗素子の製造方法を提
供することを目的とする。本発明の他の目的は、レーザ
ーによるトリミング時に、基板や保護膜を損傷させるこ
とのない磁気抵抗素子の製造方法を提供することを目的
とする。

【００１１】

【課題を解決するための手段】請求項１記載の発明は、
強磁性薄膜からなり複数の抵抗部を含む導体パターンを
基板上に形成する工程と、上記導体パターン上に保護膜
を形成する工程と、上記保護膜を通してレーザ光を照射
して上記導体パターンの一部を切除すると共にこの切除
量を上記導体パターンからの出力信号に基づいて変化さ
せることにより上記抵抗部の電気抵抗値を調整する工程
とを備えていることを特徴とする。レーザーによるトリ
ミングは、基板上に導体パターンが形成され、かつ、導
体パターン上に保護膜が形成された後、保護膜を透過さ
せたレーザービームを導体パターンの一部に照射するこ
とによって行う。レーザービームが照射された導体パタ
ーンの一部のみが切除されて抵抗値が調整され、保護膜
は切除されない。

【００１２】請求項２記載の発明は、請求項１記載の発
明において、膜厚が１μｍないし２μｍのＳｉＯ₂から
なる保護膜を形成し、この保護膜を通して出力電力が
１．５ｍＷ乃至２．０ｍＷのレーザー光を照射して導体
パターンの一部のみを切除することを特徴とする。保護
膜の膜厚とレーザー光の出力とを上記の条件に設定する
ことにより、導体パターンの一部のみを切除することが
でき、保護膜や基板を損傷することはない。

【００１３】請求項３記載の発明は、請求項２記載の発
明において、レーザー光の照射モードをシングルモード
とし、導体パターン上でのレーザービームスポット径を
１０μｍないし１５μｍとしたことを特徴とする。レー
ザー光の照射モードをシングルモードとすることにより
レーザーパワーをコントロールすることができ、導体パ
ターン上でのレーザービームスポット径を上記の条件に
設定することにより、より適切なレーザーパワーで導体
パターンをトリミングすることができる。

【００１４】

【発明の実施の形態】以下、本発明にかかる磁気抵抗素
子の製造方法の実施の形態について説明する。図１
（ａ）に示すように、まずガラス基板１上に蒸着等の手
法により強磁性薄膜を形成し、さらにフォトリソグラフ
ィー等の手法でパターニングを行い、複数の抵抗部を含
む所定の形をした導体パターン２を形成する。次に、図
１（ｂ）に示すように、導体パターン２の上に導体パタ
ーン２を覆って、無機質のＳｉＯ₂からなる保護膜３を
スパッタリングまたは蒸着等の手法によって形成する。
保護膜３の厚さは０．５〜３μｍとする。

【００１５】次に、レーザートリミング装置を用い、図
１（ｃ）に示すように、上記保護膜３を通して上記導体
パターン２の一部にレーザー光６を照射してトリミング
を行う。レーザー光源には例えばＹＡＧレーザーを用
い、レーザー光の焦点位置とレーザーパワーの最適値を
設定することにより、保護膜であるＳｉＯ₂膜やガラス
基板１を損傷することなく、導体パターン２の一部であ
るトリミングポイント４のみを適宜量切除する。実際に
は、膜導体パターン２はＳｉＯ₂からなる保護膜３で覆
われているので、導体パターン２のレーザー光が照射さ
れた部分は酸化物となって不導体となり、切除されたの
と実質的に同じになる。また、保護膜３を構成するＳｉ
Ｏ₂はレーザー光を通しやすいこともあって、上記のよ
うにレーザーパワーをコントロールすることにより、保
護膜３を損傷することなくトリミングポイント４のみを
切除することができる。レーザートリミングは、複数の
上記導体パターン２の抵抗値のバランスを調整するため
に行うもので、その方法として、例えば、複数の上記導
体パターン２に電圧を印加し、導体パターン２の端子か
ら出力される電圧信号に基づいて導体パターン２の抵抗
部の切除量を変化させ、電圧信号がバランスするように
トリミングを行う電圧トリミングなどがある。

【００１６】レーザートリミングを施すことによって磁
気抵抗素子が完成する。図１（ｄ）は完成した磁気抵抗
素子を示すもので、ＳｉＯ₂の保護膜３やガラス基板１
はレーザー光によって損傷を受けることなく、導体パタ
ーン２の一部であるトリミングポイント４のみが適宜量
切除され、この切除部分を含む導体パターン２が保護膜
３で覆われている。また、保護膜３で覆ったまま、トリ
ミングポイント４のみを切除するようにしたため、切除
された導体パターンが周辺に飛び散ることがなく、周辺
の回路のショートなどの問題を生じることはない。

【００１７】上記導体パターン２の例を図２に示す。こ
の例では、強磁性薄膜からなるストライプ状の導体パタ
ーンを複数回折り返すことによって形成されてなる二つ
の抵抗部ＭＲ１，ＭＲ２がある。この二つの抵抗部ＭＲ
１，ＭＲ２は互いにストライプが平行で適宜の間隔をお
いて形成されると共に、中点電極１２を介し連続して形
成されることによって電気的に直列に形成されている。
一方の抵抗部ＭＲ１の一端は電圧印加電極１１との接続
部分においてトリミングポイント４が形成されている。
このトリミングポイント４がレーザー光で切断される。
レーザー光は、トリミングポイント４において、電極の
ない部分から電極部に向かって図９に示すようにつづら
折れ状に進行しながら導体パターンの一部を切断してい
く。このつづら折れの回数が多くなるほど抵抗値は大き
くなる。抵抗部ＭＲ２よりも抵抗部ＭＲ１の抵抗値が高
い場合は、抵抗部ＭＲ２の一端と接地電極１３との接続
部分に形成されている別のトリミングポイント５をレー
ザー光で切断する。トリミングポイント５のレーザー光
によるトリミングも、上記トリミングポイント４でのト
リミングと同様に、レーザー光は電極のない部分から電
極部に向かって図９に示すようにつづら折れ状に進行し
ながら導体パターンの一部を切断していく。以上説明し
た導体パターン２は、各電極１１、１２、１３の一部を
残して、前述の保護膜３で覆われている。

【００１８】図３は、図２に示す磁気抵抗素子の等価回
路で、二つの抵抗部ＭＲ１，ＭＲ２が直列に接続され、
抵抗部ＭＲ１の一端は電圧印加電極１１に、他方の抵抗
部ＭＲ２の一端は接地電極１３に、抵抗部ＭＲ１，ＭＲ
２の接続点は中点電極１２にそれぞれつながっている。
電圧印加電極１１と接地電極１３との間に電圧Ｖｃｃを
印加すると、抵抗部ＭＲ１，ＭＲ２の抵抗値の変動に応
じて中点電極１２の中点電位Ｖｓが変動する。抵抗部Ｍ
Ｒ１，ＭＲ２は初めに説明したようにブリッジ接続され
る。抵抗部ＭＲ１，ＭＲ２の抵抗値のバランスが崩れて
中点電位Ｖｓがずれると検出精度が低下するため、図２
に示すトリミングポイント４またはトリミングポイント
５をレーザー光でトリミングしながら抵抗値を調整す
る。

【００１９】レーザートリミング装置の光源の例として
は、前述のようにＹＡＧレーザーが用いられる。ＹＡＧ
レーザーは、ポンピングと光放射とを微小な時間間隔で
繰り返す。いま、図４に示すように、トリミングポイン
トのストライプ８の間隔が２μｍ、ストライプ８の長さ
を１５０μｍとする。レーザー光の導体パターン上での
径はストライプ８の間隔よりも充分大きな例えば１３μ
ｍとして複数のストライプ８にまたがることができるよ
うにする。そして、ＹＡＧレーザーの発光間隔ごとにレ
ーザー光をストライプ８に沿って２μｍ間隔で移動さ
せ、ストライプ８を確実に切除できるようにする。スト
ライプ８の長さ全体にわたってレーザー光を移動させた
ら、レーザー光または磁気抵抗素子の基板を横方向に２
μｍ移動させてレーザー光の中心を隣のストライプ８に
合わせ、引き続きレーザー光をストライプ８に沿って２
μｍ間隔で移動させながらストライプ８を切除する。こ
の間、前記中点電位Ｖｓを監視し、所定の中点電位が得
られる位置でストライプ８の切除を終了する。

【００２０】ＳｉＯ₂からなる保護膜を通してレーザー
光を照射し、導体パターンの一部のみを切除して保護膜
および基板に損傷を与えないために、レーザー光の焦点
位置とレーザーパワーの最適値を設定する旨前に説明し
た。そこで次に、レーザーパワーの最適値について説明
する。レーザー光の条件として、シングルモードすなわ
ち０次光のみを用い、アッテネータをオンにしてレーザ
ーパワーを調整可能とし、レーザーパワーを１．０（ｍ
Ｗ）、１．５（ｍＷ）、２．０（ｍＷ）、２．５（ｍ
Ｗ）、３．０（ｍＷ）にそれぞれ段階的に変えながら、
保護膜がない場合、保護膜としてＳｉＯ₂膜があり、そ
の膜厚が１（μｍ）の場合と２（μｍ）の場合について
評価した。レーザーパワーは照射位置での積算露光量で
あって、レーザーパワーメータを用いた。

【００２１】評価結果を図５に示す。図５から明らかな
ように、ＳｉＯ₂の膜厚が１（μｍ）の場合はレーザー
パワー１．５（ｍＷ）が最適値であり、ＳｉＯ₂の膜厚
が２（μｍ）の場合はレーザーパワー２．０（ｍＷ）が
最適値であった。ＳｉＯ₂の膜厚が厚く、レーザーパワ
ーが弱いと、ＳｉＯ₂層によりレーザーパワーが減衰
し、トリミング不足となる。ＳｉＯ₂の膜厚が薄く、レ
ーザーパワーが大きすぎると、ＳｉＯ₂の保護層が焼損
して保護層の一部にクラックが発生し、さらにパワーが
強くなると保護層にクラックが発生すると共にガラス基
板の表面層も焼損することがある。

【００２２】以上説明したように、ＳｉＯ₂の保護膜を
通してレーザー光を照射し、保護膜を損傷することなく
導体パターンの一部のみを切除するためには、保護膜の
厚さに応じた適切なレーザーパワーがある。また、その
ときの導体パターン上でのレーザービームスポット径に
も適切な値がある。図４に示す例ではレーザービームス
ポット径を１３μｍとしたが、レーザー光の照射モード
をシングルモードとした場合、導体パターン上でのレー
ザービームスポット径が１０μｍないし１５μｍの範囲
であれば、保護膜を損傷することなく導体パターンの一
部のみを切除することができる。

【００２３】以上説明した実施の形態によれば、保護膜
３で導体パターン２を覆ったまま、トリミングポイント
４のみを切除するようにし、保護膜３に損傷を与えない
ようにしたため、導体パターンを保護膜ごとレーザー光
で焼き切るようにした従来例のように、トリミング後、
トリミング部を保護するための第２の保護膜を形成する
必要がなく、第２の保護膜を形成することによるコスト
の高騰や、応力に基づく磁気歪みの発生により抵抗バラ
ンスが崩れることなどの問題点を解消することができ
る。

【００２４】また、導体パターンを保護膜ごとレーザー
光で焼き切るようにした従来例によれば、下地の基板ま
で焼損することが多く、熱衝撃等によって基板にクラッ
クが生じやすいが、本発明の実施の形態によれば、レー
ザーのモードをシングルモードにするなど、レーザーパ
ワーが適度のパワーになるようにコントロールしている
ため、下地の基板の焼損が少なく、クラックが生じにく
い利点がある。

【００２５】さらに、従来の磁気抵抗素子の製造方法で
はレーザーパワーが大きく、トリミング時に基板の局部
的な発熱が大きく、基板が局部的に温度上昇するため、
磁性薄膜の温度係数により抵抗バランスが崩れ、中点電
位の最適値を求めたつもりでも、実は最適値が求められ
ていなかったということが多いが、本発明の実施の形態
によれば、レーザートリミング時のレーザーパワーをコ
ントロールするため、トリミング時の温度上昇が抑制さ
れ、精度のよいトリミングを行うことができる。

【００２６】トリミングポイントを設ける位置は、図２
に示す例のように抵抗部ＭＲ１と電圧印加電極１１との
接続部や、抵抗部ＭＲ２と接地電極１３との接続部に限
られるものではないし、トリミングポイントの形態も図
２に示す例の形態に限定されるものではない。例えば、
図６に符号４３で示すように、抵抗部ＭＲ１と中点電極
１２との接続部に設けてもよいし、符号４４で示すよう
に、抵抗部ＭＲ２と中点電極１２との接続部に設けても
よい。また、トリミングポイントを形成する導体パター
ンのストライプの方向も任意である。図６には、抵抗部
ＭＲ１と電圧印加電極１１との接続部に形成したトリミ
ングポイント４１、および抵抗部ＭＲ２と接地電極１３
との接続部に形成したトリミングポイント４２のストラ
イプの方向を図２に示す例におけるトリミングポイント
４、５のストライプの方向に対し直角方向にした例が示
されている。

【００２７】基板１上に形成する導体パターンの形態も
任意であり、図２や図６に示すものに限られるものでは
ない。例えば、磁気抵抗素子のみでブリッジ回路を構成
することができるように基板上に４個の抵抗体を形成し
てもよく、それぞれの抵抗体に対応してトリミングポイ
ントを設けてもよい。また、電極パターンをレーザー光
でトリミングするようにしてもよい。レーザートリミン
グは、自動トリミング装置を用い、多数の磁気抵抗素子
が形成されてなるウエハーの状態で一つ一つの磁気抵抗
素子について行い、全ての磁気抵抗素子についてトリミ
ングが終わった後ダイシング工程に付し、個々の磁気抵
抗素子に分割する。もっとも、個々の磁気抵抗素子に分
割した後、それぞれの磁気抵抗素子ごとにトリミングを
行ってもよい。

【００２８】

【発明の効果】請求項１記載の発明によれば、強磁性薄
膜からなり複数の抵抗部を含む導体パターンを基板上に
形成する工程と、導体パターン上に保護膜を形成する工
程と、保護膜を通してレーザー光を照射して導体パター
ンの一部を切除すると共にこの切除量を導体パターンか
らの出力信号に基づいて変化させることにより上記抵抗
部の電気抵抗値を調整する工程とを備えているため、導
体パターンは保護膜で覆われたまま導体パターンのみが
レーザー光で切除され、切除された導体パターンが周辺
に飛び散ることが保護膜によって防止され、導体パター
ンの短絡などの問題を解消することができる。また、レ
ーザー光による導体パターンの切除部分にも保護膜が残
っているため、導体パターンの切除部分を保護するため
の第２の保護膜を形成する必要はないから、第２の保護
膜を形成することによるコストの高騰や、応力に基づく
磁気歪みの発生により抵抗バランスが崩れることなどの
問題点を解消することができる。

【００２９】請求項２記載の発明によれば、請求項１記
載の発明における保護膜をＳｉＯ₂の膜とし、その膜厚
を１μｍないし２μｍとし、この保護膜を通して照射す
るレーザー光の出力を１．５ｍＷ乃至２．０ｍＷとして
導体パターンの一部のみを切除するようにしたため、レ
ーザートリミング時のレーザーパワーをコントロールさ
れ、トリミング時の基板の温度上昇が抑制され、磁性薄
膜の温度係数による抵抗バランスの崩れも少なく、精度
のよいトリミングを行うことができる。また、レーザー
照射によって基板にクラックが発生することも防止する
ことができる。

【００３０】請求項３記載の発明によれば、請求項２記
載の発明において、レーザー光の照射モードをシングル
モードとし、導体パターン上でのレーザービームスポッ
ト径を１０μｍないし１５μｍとしたため、レーザート
リミング時のレーザーパワーのコントロールをより適切
に行うことができ、レーザートリミング精度を一層高め
ることができると共に、レーザー照射による基板のクラ
ック発生をより確実に防止することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明にかかるを磁気抵抗素子の製造方法の実
施の形態を工程順に示す断面図である。

【図２】本発明の製造方法によって得られる磁気抵抗素
子の例を示す正面図である。

【図３】同上磁気抵抗素子の等価回路を示す回路図であ
る。

【図４】本発明に用いられるレーザートリミングの仕様
の例を示す概念図である。

【図５】レーザートリミング時のレーザーパワーと保護
膜の条件を変えてトリミングの状況を観察した結果を示
す評価図である。

【図６】本発明の製造方法によって得られる磁気抵抗素
子の別の例を示す正面図である。

【図７】磁気抵抗素子を用いて構成されるブリッジ型検
出回路の一般的な例を示す回路図である。

【図８】上記検出回路によって得られる信号の例を示す
波形図である。

【図９】本発明に用いられるレーザートリミングの様子
を示す概念図である。

【符号の説明】

１基板２導体パターン３保護膜４トリミングポイント５トリミングポイント

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】強磁性薄膜からなり複数の抵抗部を含む
導体パターンを基板上に形成する工程と、上記導体パターン上に保護膜を形成する工程と、上記保護膜を通してレーザー光を照射して上記導体パタ
ーンの一部を切除すると共にこの切除量を上記導体パタ
ーンからの出力信号に基づいて変化させることにより上
記抵抗部の電気抵抗値を調整する工程とを備えているこ
とを特徴とする磁気抵抗素子の製造方法。
【請求項２】膜厚が１μｍないし２μｍのＳｉＯ₂か
らなる保護膜を形成し、この保護膜を通して出力が１．
５ｍＷ乃至２．０ｍＷのレーザー光を照射して導体パタ
ーンの一部のみを切除することを特徴とする請求項１記
載の磁気抵抗素子の製造方法。
【請求項３】レーザー光の照射モードをシングルモー
ドとし、導体パターン上でのレーザービームスポット径
を１０μｍないし１５μｍとしたことを特徴とする請求
項２記載の磁気抵抗素子の製造方法。