JPH10294335A - Ｉｃチップ実装用インターポーザ及びｉｃチップパッケージ - Google Patents
Ｉｃチップ実装用インターポーザ及びｉｃチップパッケージInfo
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- JPH10294335A JPH10294335A JP9100928A JP10092897A JPH10294335A JP H10294335 A JPH10294335 A JP H10294335A JP 9100928 A JP9100928 A JP 9100928A JP 10092897 A JP10092897 A JP 10092897A JP H10294335 A JPH10294335 A JP H10294335A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 導電体パターンを表面に形成したプラスチッ
クフィルムからなるインターポーザにＩＣチップを実装
したＩＣチップパッケージ及び該ＩＣチップパッケージ
を樹脂モールドしてプラスチックモールド型としたＩＣ
チップパッケージにおいて、プラスチックフィルムの吸
湿膨張による導体パターンの位置ずれを防止し、導体パ
ターンやＩＣチップやインターコネクション部における
クラックの発生を防止する。 【解決手段】 表面に導電体パターンを有する液晶ポリ
マー分子が平面方向にランダムに配向した等方向性を有
する液晶ポリマーフィルムからなり、該液晶ポリマーフ
ィルムは、９ｐｐｍ／℃より大きく２５ｐｐｍ／℃以下
の線膨張係数と２８０℃以上の融点を有し、かつ該フィ
ルムにおける１つの平面方向の線膨張係数Ａと他の平面
方向の線膨張係数Ｂの比Ａ／Ｂが０．４〜２．５の範囲
にあることを特徴とするＩＣチップ実装用インターポー
ザ及び前記インターポーザにＩＣチップを実装したＩＣ
チップパッケージ。
クフィルムからなるインターポーザにＩＣチップを実装
したＩＣチップパッケージ及び該ＩＣチップパッケージ
を樹脂モールドしてプラスチックモールド型としたＩＣ
チップパッケージにおいて、プラスチックフィルムの吸
湿膨張による導体パターンの位置ずれを防止し、導体パ
ターンやＩＣチップやインターコネクション部における
クラックの発生を防止する。 【解決手段】 表面に導電体パターンを有する液晶ポリ
マー分子が平面方向にランダムに配向した等方向性を有
する液晶ポリマーフィルムからなり、該液晶ポリマーフ
ィルムは、９ｐｐｍ／℃より大きく２５ｐｐｍ／℃以下
の線膨張係数と２８０℃以上の融点を有し、かつ該フィ
ルムにおける１つの平面方向の線膨張係数Ａと他の平面
方向の線膨張係数Ｂの比Ａ／Ｂが０．４〜２．５の範囲
にあることを特徴とするＩＣチップ実装用インターポー
ザ及び前記インターポーザにＩＣチップを実装したＩＣ
チップパッケージ。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、プラスチック材料
からなるインターポーザ及びこれにＩＣチップを実装し
たＩＣチップパッケージに関するものである。
からなるインターポーザ及びこれにＩＣチップを実装し
たＩＣチップパッケージに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、インターポーザとしてポリイミド
フィルムを用い、これにＩＣチップをフリップチップ方
式で実装したＩＣパッケージは知られている。その断面
図を図１に示す。図１において、１はＩＣチップ、２は
半田バンプ、３はインナーパッド、４はアウターパッ
ド、５はポリイミドフィルム、６はスルーホールを示
し、７はそれらから構成されるＩＣパッケージを示す。
このような従来のＩＣパッケージにおいては、そのイン
ターポーザとしてのポリイミドフィルムの吸湿膨張係数
が１０〜２５ｐｐｍ／％ＲＨの範囲にあり、これにより
導体パターンの位置ずれが生じ、インターポーザの加工
工程や、これとＩＣチップを接合するパッケージ化の加
工工程で歩留が低下したり、生産性に問題があった。ま
た、このポリイミドフィルムの吸湿膨張により、導体パ
ターンやＩＣチップやインターコネクション部に応力が
発生し、導体パターンの断線、ＩＣチップの誤動作、イ
ンターコネクション部（半田ボール部、インナーリード
ボンディング部等）の破壊が起る問題があった。一方、
樹脂封止されたＣＳＰ（Ｃｈｉｐ Ｓｉｚｅ Ｐａｃｋ
ａｇｅ）や、ＴＣＰ（Ｔａｐｅ Ｃａｒｒｉｅｒ Ｐａ
ｃｋａｇｅ）の場合には、パッケージクラックの問題が
ある。図２に、図１に示したＩＣパッケージを樹脂封止
してプラスチック型ＣＳＰとした製品の断面図を示す。
この図２において、符号１〜７は前記と同じ意味を有
し、９は封止レジン、１０はプラスチック型ＣＳＰを示
す。このようなＣＳＰにおいては、図２に示すように、
プラスチック型ＣＳＰのポリイミドフィルム露出部（サ
イド又はパッケージ裏面（外部端子側））から、ポリイ
ミドフィルムの吸水率が高い（２．４％程度）ために、
水分がパッケージ内に浸入し易く、これによりたまった
水分が高温下で水蒸気となり、その応力でパッケージク
ラックを生じさせる。これは、ＴＣＰの場合でも同じで
ある。
フィルムを用い、これにＩＣチップをフリップチップ方
式で実装したＩＣパッケージは知られている。その断面
図を図１に示す。図１において、１はＩＣチップ、２は
半田バンプ、３はインナーパッド、４はアウターパッ
ド、５はポリイミドフィルム、６はスルーホールを示
し、７はそれらから構成されるＩＣパッケージを示す。
このような従来のＩＣパッケージにおいては、そのイン
ターポーザとしてのポリイミドフィルムの吸湿膨張係数
が１０〜２５ｐｐｍ／％ＲＨの範囲にあり、これにより
導体パターンの位置ずれが生じ、インターポーザの加工
工程や、これとＩＣチップを接合するパッケージ化の加
工工程で歩留が低下したり、生産性に問題があった。ま
た、このポリイミドフィルムの吸湿膨張により、導体パ
ターンやＩＣチップやインターコネクション部に応力が
発生し、導体パターンの断線、ＩＣチップの誤動作、イ
ンターコネクション部（半田ボール部、インナーリード
ボンディング部等）の破壊が起る問題があった。一方、
樹脂封止されたＣＳＰ（Ｃｈｉｐ Ｓｉｚｅ Ｐａｃｋ
ａｇｅ）や、ＴＣＰ（Ｔａｐｅ Ｃａｒｒｉｅｒ Ｐａ
ｃｋａｇｅ）の場合には、パッケージクラックの問題が
ある。図２に、図１に示したＩＣパッケージを樹脂封止
してプラスチック型ＣＳＰとした製品の断面図を示す。
この図２において、符号１〜７は前記と同じ意味を有
し、９は封止レジン、１０はプラスチック型ＣＳＰを示
す。このようなＣＳＰにおいては、図２に示すように、
プラスチック型ＣＳＰのポリイミドフィルム露出部（サ
イド又はパッケージ裏面（外部端子側））から、ポリイ
ミドフィルムの吸水率が高い（２．４％程度）ために、
水分がパッケージ内に浸入し易く、これによりたまった
水分が高温下で水蒸気となり、その応力でパッケージク
ラックを生じさせる。これは、ＴＣＰの場合でも同じで
ある。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、導電体パタ
ーンを表面に形成したプラスチックフィルムからなるイ
ンターポーザにＩＣチップを実装したＩＣチップパッケ
ージ及び該ＩＣチップパッケージを樹脂モールドしてプ
ラスチックモールド型としたＩＣチップパッケージにお
いて、プラスチックフィルムの吸湿膨張による導体パタ
ーンの位置ずれを防止し、導体パターンやＩＣチップや
インターコネクション部におけるクラックの発生を防止
するとともに、プラスチック型ＩＣチップパッケージに
おけるパッケージクラックの発生を防止することをその
課題とし、さらに導電体パターンを表面に形成した液晶
ポリマーフィルムからなるインターポーザを提供するこ
とをその課題とする。
ーンを表面に形成したプラスチックフィルムからなるイ
ンターポーザにＩＣチップを実装したＩＣチップパッケ
ージ及び該ＩＣチップパッケージを樹脂モールドしてプ
ラスチックモールド型としたＩＣチップパッケージにお
いて、プラスチックフィルムの吸湿膨張による導体パタ
ーンの位置ずれを防止し、導体パターンやＩＣチップや
インターコネクション部におけるクラックの発生を防止
するとともに、プラスチック型ＩＣチップパッケージに
おけるパッケージクラックの発生を防止することをその
課題とし、さらに導電体パターンを表面に形成した液晶
ポリマーフィルムからなるインターポーザを提供するこ
とをその課題とする。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明者らは、前記課題
を解決すべく鋭意研究を重ねた結果、本発明を完成する
に至った。即ち、本発明によれば、表面に導電体パター
ンを有する液晶ポリマー分子が平面方向にランダムに配
向した等方向性を有する液晶ポリマーフィルムからな
り、該液晶ポリマーフィルムは、９ｐｐｍ／℃より大き
く２５ｐｐｍ／℃以下の線膨張係数と２８０℃以上の融
点を有し、かつ該フィルムにおける１つの平面方向の線
膨張係数Ａと他の平面方向の線膨張係数Ｂの比Ａ／Ｂが
０．４〜２．５の範囲にあることを特徴とするＩＣチッ
プ実装用インターポーザが提供される。また、本発明に
よれば、前記インターポーザにＩＣチップを実装したＩ
Ｃチップパッケージが提供される。
を解決すべく鋭意研究を重ねた結果、本発明を完成する
に至った。即ち、本発明によれば、表面に導電体パター
ンを有する液晶ポリマー分子が平面方向にランダムに配
向した等方向性を有する液晶ポリマーフィルムからな
り、該液晶ポリマーフィルムは、９ｐｐｍ／℃より大き
く２５ｐｐｍ／℃以下の線膨張係数と２８０℃以上の融
点を有し、かつ該フィルムにおける１つの平面方向の線
膨張係数Ａと他の平面方向の線膨張係数Ｂの比Ａ／Ｂが
０．４〜２．５の範囲にあることを特徴とするＩＣチッ
プ実装用インターポーザが提供される。また、本発明に
よれば、前記インターポーザにＩＣチップを実装したＩ
Ｃチップパッケージが提供される。
【０００５】
【発明の実施の形態】本発明で用いる液晶ポリマー（Ｌ
ＣＰ）フィルムにおいて、そのＬＣＰとしては、２８０
℃以上の融点を持つサーモトロピック液晶ポリマーであ
れば従来公知の各種のものを用いることができる。この
ような液晶ポリマーとしては、例えば、芳香族ジオー
ル、芳香族カルボン酸、ヒドロキシカルボン酸等のモノ
マーから合成される、溶融時に液晶性を示す芳香族ポリ
エステルがあり、その代表的なものとしては、パラヒド
ロキシ安息香酸（ＰＨＢ）とテレフタル酸とビフェノー
ルからなる第１のタイプのもの（下記式１）や、ＰＨＢ
と２，６−ヒドロキシナフトエ酸からなる第２のタイプ
のもの（下記式２）がある。
ＣＰ）フィルムにおいて、そのＬＣＰとしては、２８０
℃以上の融点を持つサーモトロピック液晶ポリマーであ
れば従来公知の各種のものを用いることができる。この
ような液晶ポリマーとしては、例えば、芳香族ジオー
ル、芳香族カルボン酸、ヒドロキシカルボン酸等のモノ
マーから合成される、溶融時に液晶性を示す芳香族ポリ
エステルがあり、その代表的なものとしては、パラヒド
ロキシ安息香酸（ＰＨＢ）とテレフタル酸とビフェノー
ルからなる第１のタイプのもの（下記式１）や、ＰＨＢ
と２，６−ヒドロキシナフトエ酸からなる第２のタイプ
のもの（下記式２）がある。
【０００６】
【化１】
【０００７】
【化２】
【０００８】前記一般式（１）のＬＣＰとしては、例え
ば、スミカスーパー（住友化学社）や、Ｘｙｄｅｒ（Ａ
ｍｏｃｏ社）等があり、前記一般式（２）のＬＰＣとし
ては、Ｖｅｃｔｒａ（ヘキスト社）等がある。
ば、スミカスーパー（住友化学社）や、Ｘｙｄｅｒ（Ａ
ｍｏｃｏ社）等があり、前記一般式（２）のＬＰＣとし
ては、Ｖｅｃｔｒａ（ヘキスト社）等がある。
【０００９】本発明で用いるＬＣＰフィルムは、ＬＣＰ
分子が平面方向にランダムに配向したもので、ＬＣＰフ
ィルムに通常見られる異方向性の大幅に解消されたもの
（本明細書では等方向性フィルムと言う）である。前記
等方向性ＬＣＰフィルムは、ＬＣＰフィルムの一方の面
又は両方の面に熱可塑性樹脂多孔質体フィルムを加圧下
及び加熱下で接触させ、少なくとも表面部が軟化した状
態の該ＬＣＰフィルムに該多孔質体フィルムを熱圧着さ
せ、必要に応じて冷却して、該多孔質体フィルムが該Ｌ
ＣＰフィルムに対して１〜５００ｇ／ｃｍの剥離強度で
接合している積層体を得る熱圧着工程と、得られた積層
体を、該ＬＣＰフィルムは溶融するが多孔質体フィルム
は軟化するが（ガラス転移点以上の温度）実質的に溶融
しない温度条件下で、該ＬＣＰの配向方向に対し垂直の
方向に延伸するか又は該ＬＣＰの配向方向と同じ方向に
延伸するとともに、該ＬＣＰ配向方向に対し垂直の方向
に延伸する延伸工程と、得られた積層体延伸物を冷却す
る工程と、冷却された積層体延伸物から多孔質体フィル
ムを剥離する剥離工程によって工業的に有利に製造する
ことができる。
分子が平面方向にランダムに配向したもので、ＬＣＰフ
ィルムに通常見られる異方向性の大幅に解消されたもの
（本明細書では等方向性フィルムと言う）である。前記
等方向性ＬＣＰフィルムは、ＬＣＰフィルムの一方の面
又は両方の面に熱可塑性樹脂多孔質体フィルムを加圧下
及び加熱下で接触させ、少なくとも表面部が軟化した状
態の該ＬＣＰフィルムに該多孔質体フィルムを熱圧着さ
せ、必要に応じて冷却して、該多孔質体フィルムが該Ｌ
ＣＰフィルムに対して１〜５００ｇ／ｃｍの剥離強度で
接合している積層体を得る熱圧着工程と、得られた積層
体を、該ＬＣＰフィルムは溶融するが多孔質体フィルム
は軟化するが（ガラス転移点以上の温度）実質的に溶融
しない温度条件下で、該ＬＣＰの配向方向に対し垂直の
方向に延伸するか又は該ＬＣＰの配向方向と同じ方向に
延伸するとともに、該ＬＣＰ配向方向に対し垂直の方向
に延伸する延伸工程と、得られた積層体延伸物を冷却す
る工程と、冷却された積層体延伸物から多孔質体フィル
ムを剥離する剥離工程によって工業的に有利に製造する
ことができる。
【００１０】前記熱可塑性樹脂多孔質体フィルムとして
は、多孔質構造を有する各種のものが用いられ、その平
均細孔径は０．０５〜５．０μｍ、好ましくは０．２〜
１μｍであり、空孔率は４０〜９５％、好ましくは６０
〜８５％である。このような多孔質体フィルムを形成す
る熱可塑性樹脂としては、具体的には、ポリエチレン、
ポリプロピレン、ポエーテルエーテルケトン、ポリエー
テルサルホン、ポリイミド、ポリエーテルイミド、ポリ
アリレート、ポリカーボネート、ポリスチレン、ポリ塩
化ビニル、ポリエステル、ポリアミド、ポリアミドイミ
ドの他、ポリテトラフルオロエチレン、テトラフルオロ
エチレン／ヘキサフルオロプロピレン共重合体、ポリフ
ッ化ビニル、ポリフッ化ビニリデン、ポリ三フッ化塩化
エチレン等のフッ素樹脂等を例示することができる。こ
れらの熱可塑性樹脂のうち、フッ素樹脂は、その高い耐
熱性によって熱圧着温度を高くすることができ、使用す
る液晶ポリマーを広く選択できるので好ましい。本発明
で用いる好ましい多孔質体フィルムは、耐熱性、耐薬品
性の点で延伸多孔質フッ素樹脂フィルム、特に、延伸多
孔質ポリテトラフルオロエチレンフィルムである。熱可
塑性樹脂多孔質体フィルムは、発泡法や溶媒抽出法、固
相延伸法、フィブリル化法等の従来公知の方法で得るこ
とができる。
は、多孔質構造を有する各種のものが用いられ、その平
均細孔径は０．０５〜５．０μｍ、好ましくは０．２〜
１μｍであり、空孔率は４０〜９５％、好ましくは６０
〜８５％である。このような多孔質体フィルムを形成す
る熱可塑性樹脂としては、具体的には、ポリエチレン、
ポリプロピレン、ポエーテルエーテルケトン、ポリエー
テルサルホン、ポリイミド、ポリエーテルイミド、ポリ
アリレート、ポリカーボネート、ポリスチレン、ポリ塩
化ビニル、ポリエステル、ポリアミド、ポリアミドイミ
ドの他、ポリテトラフルオロエチレン、テトラフルオロ
エチレン／ヘキサフルオロプロピレン共重合体、ポリフ
ッ化ビニル、ポリフッ化ビニリデン、ポリ三フッ化塩化
エチレン等のフッ素樹脂等を例示することができる。こ
れらの熱可塑性樹脂のうち、フッ素樹脂は、その高い耐
熱性によって熱圧着温度を高くすることができ、使用す
る液晶ポリマーを広く選択できるので好ましい。本発明
で用いる好ましい多孔質体フィルムは、耐熱性、耐薬品
性の点で延伸多孔質フッ素樹脂フィルム、特に、延伸多
孔質ポリテトラフルオロエチレンフィルムである。熱可
塑性樹脂多孔質体フィルムは、発泡法や溶媒抽出法、固
相延伸法、フィブリル化法等の従来公知の方法で得るこ
とができる。
【００１１】本発明でインターポーザ用材料として用い
る等方向性ＬＣＰのフィルムを得るには、先ず、ＬＣＰ
又はそのポリマーアロイ（以下、これらを単にＬＣＰと
も言う）の押出し成形フィルムを用意する。この場合の
ＬＣＰの押出し成形フィルムは、異方向性を有し、ＬＣ
Ｐの溶融物を、押出機を用い、その先端のＴダイやイン
フレーションダイを通してフィルム状に押出し成形する
ことによって得ることができる。前記溶融温度は、液晶
ポリマーが溶融状態を示す温度である。押出し成形装置
としては、二軸押出機や、単軸押出機等の慣用の装置が
用いられる。押出し成形フィルムの厚さは、２０μｍ〜
５ｍｍ、好ましくは５０〜８００μｍである。
る等方向性ＬＣＰのフィルムを得るには、先ず、ＬＣＰ
又はそのポリマーアロイ（以下、これらを単にＬＣＰと
も言う）の押出し成形フィルムを用意する。この場合の
ＬＣＰの押出し成形フィルムは、異方向性を有し、ＬＣ
Ｐの溶融物を、押出機を用い、その先端のＴダイやイン
フレーションダイを通してフィルム状に押出し成形する
ことによって得ることができる。前記溶融温度は、液晶
ポリマーが溶融状態を示す温度である。押出し成形装置
としては、二軸押出機や、単軸押出機等の慣用の装置が
用いられる。押出し成形フィルムの厚さは、２０μｍ〜
５ｍｍ、好ましくは５０〜８００μｍである。
【００１２】前記等方向性ＬＣＰフィルムの製造におけ
る各工程について詳述すると、以下の通りである。 （熱圧着工程）この工程は、ＬＣＰフィルムＡの両方又
は片方の表面、好ましくは両方の面に多孔質体フィルム
Ｂ−１及びＢ−２をそれぞれ熱圧着させる工程である。
熱圧着温度は、多孔質体フィルムＢ−１、Ｂ−２は実質
的に溶融させないが、ＬＣＰフィルムＡの少なくとも表
面部、即ち、多孔質体フィルムＢ−１及びＢ−２に接触
するフィルムＡの表面部のみ又は全体を軟化させる温度
である。
る各工程について詳述すると、以下の通りである。 （熱圧着工程）この工程は、ＬＣＰフィルムＡの両方又
は片方の表面、好ましくは両方の面に多孔質体フィルム
Ｂ−１及びＢ−２をそれぞれ熱圧着させる工程である。
熱圧着温度は、多孔質体フィルムＢ−１、Ｂ−２は実質
的に溶融させないが、ＬＣＰフィルムＡの少なくとも表
面部、即ち、多孔質体フィルムＢ−１及びＢ−２に接触
するフィルムＡの表面部のみ又は全体を軟化させる温度
である。
【００１３】この熱圧着工程においては、ＬＣＰフィル
ムＡは、２つの多孔質体フィルムＢ−１、Ｂ−２によ
り、両側から挟まれていることから、その表面部のみに
限らず、全体が軟化状態であってもよい。このような熱
圧着により、ＬＣＰフィルムＡの両面に、多孔質体フィ
ルムＢ−１、Ｂ−２が接合された積層体が形成される。
ムＡは、２つの多孔質体フィルムＢ−１、Ｂ−２によ
り、両側から挟まれていることから、その表面部のみに
限らず、全体が軟化状態であってもよい。このような熱
圧着により、ＬＣＰフィルムＡの両面に、多孔質体フィ
ルムＢ−１、Ｂ−２が接合された積層体が形成される。
【００１４】前記のようにして積層体を製造する場合、
その熱圧着装置としては、一対の熱圧着ロールや、熱プ
レス装置が用いられる。熱圧着ロールを用いる場合、液
晶ポリマーフィルムＡと２枚の多孔質体フィルムＢ−
１、Ｂ−２を、一対の熱圧着ロールの間の間隙部（クレ
アランス）に供給し、この熱圧着ロール間の間隙部で熱
圧着する。この場合、ＬＣＰフィルムＡの両側に多孔質
体フィルムＢ−１、Ｂ−２を供給する。ＬＣＰフィルム
Ａは固体フィルム又は押出機のＴ−ダイから押出された
溶融物フィルム等であることができる。一方、熱プレス
装置を用いる場合、その熱プレス装置の底板上に第１の
多孔質体フィルムを敷設し、その上にＬＣＰフィルムを
重ね、その上に第２の多孔質体フィルムを重ね、その上
から上板で所定時間加圧して熱圧着し、冷却する。この
場合、底板及び／又は上板を加熱し、ＬＣＰフィルムの
少なくとも表面部を軟化させる。前記のようにして、Ｌ
ＣＰフィルムＡと多孔質体フィルムＢ−１、Ｂ−２との
積層体が得られるが、この積層体において、そのＬＣＰ
フィルムＡと多孔質体フィルムＢ−１又はＢ−２との間
の剥離強度は、１〜５００ｇ／ｃｍ、好ましくは２〜１
００ｇ／ｃｍである。剥離強度が前記範囲よりも小さく
なると、積層体フィルムの延伸に際し、ＬＣＰフィルム
と多孔質体フィルムとの間に剥離が生じ、ＬＣＰフィル
ムの円滑な延伸を行うことが困難になるので好ましくな
い。一方、剥離強度が前記範囲より大きくなると、延伸
後に、多孔質体フィルムを剥離する場合に、その剥離が
困難になるので好ましくない。ＬＣＰフィルムと多孔質
体フィルムとの間の剥離強度は、両者のフィルムの熱圧
着条件により調節することができる。前記で得られた積
層体は、その熱融着の状態のまま又はいったん冷却した
後、次の延伸工程へ送られる。
その熱圧着装置としては、一対の熱圧着ロールや、熱プ
レス装置が用いられる。熱圧着ロールを用いる場合、液
晶ポリマーフィルムＡと２枚の多孔質体フィルムＢ−
１、Ｂ−２を、一対の熱圧着ロールの間の間隙部（クレ
アランス）に供給し、この熱圧着ロール間の間隙部で熱
圧着する。この場合、ＬＣＰフィルムＡの両側に多孔質
体フィルムＢ−１、Ｂ−２を供給する。ＬＣＰフィルム
Ａは固体フィルム又は押出機のＴ−ダイから押出された
溶融物フィルム等であることができる。一方、熱プレス
装置を用いる場合、その熱プレス装置の底板上に第１の
多孔質体フィルムを敷設し、その上にＬＣＰフィルムを
重ね、その上に第２の多孔質体フィルムを重ね、その上
から上板で所定時間加圧して熱圧着し、冷却する。この
場合、底板及び／又は上板を加熱し、ＬＣＰフィルムの
少なくとも表面部を軟化させる。前記のようにして、Ｌ
ＣＰフィルムＡと多孔質体フィルムＢ−１、Ｂ−２との
積層体が得られるが、この積層体において、そのＬＣＰ
フィルムＡと多孔質体フィルムＢ−１又はＢ−２との間
の剥離強度は、１〜５００ｇ／ｃｍ、好ましくは２〜１
００ｇ／ｃｍである。剥離強度が前記範囲よりも小さく
なると、積層体フィルムの延伸に際し、ＬＣＰフィルム
と多孔質体フィルムとの間に剥離が生じ、ＬＣＰフィル
ムの円滑な延伸を行うことが困難になるので好ましくな
い。一方、剥離強度が前記範囲より大きくなると、延伸
後に、多孔質体フィルムを剥離する場合に、その剥離が
困難になるので好ましくない。ＬＣＰフィルムと多孔質
体フィルムとの間の剥離強度は、両者のフィルムの熱圧
着条件により調節することができる。前記で得られた積
層体は、その熱融着の状態のまま又はいったん冷却した
後、次の延伸工程へ送られる。
【００１５】（延伸工程）この工程は、前記積層体フィ
ルム形成工程で得られた積層体フィルムを、その多孔質
フィルムは軟化させるが実質的に溶融せずにＬＣＰフィ
ルムを溶融させる温度条件下で、１軸方向、即ち、その
ＬＣＰの配向方向とは垂直の方向（ＴＤ）へ延伸するか
又は２軸方向、即ち、そのＬＣＰの配向と同じ方向（Ｍ
Ｄ）へ延伸するとともに、それとは垂直方向（ＴＤ）へ
延伸する工程である。１軸延伸の場合、ＴＤへの延伸倍
率は１．５〜１０倍、好ましくは２〜５倍である。２軸
延伸の場合、ＭＤへの延伸倍率は１〜１０倍、好ましく
は１〜５倍であり、ＴＤへの延伸倍率は１．５〜２０
倍、好ましくは３〜１５倍である。また、ＴＤへの延伸
倍率は、ＭＤへの延伸倍率の１．０〜５．０倍、好まし
くは１．５〜３．０倍に規定するのがよい。積層体フィ
ルム延伸物の物性（線膨張係数、ヤング率等）は、この
延伸倍率によって自由に変えることができる。延伸スピ
ードは、１〜２００％／秒、好ましくは５〜５０％／秒
にするのがよい。延伸装置としては、従来公知の１軸又
は２軸延伸装置を用いることができる。
ルム形成工程で得られた積層体フィルムを、その多孔質
フィルムは軟化させるが実質的に溶融せずにＬＣＰフィ
ルムを溶融させる温度条件下で、１軸方向、即ち、その
ＬＣＰの配向方向とは垂直の方向（ＴＤ）へ延伸するか
又は２軸方向、即ち、そのＬＣＰの配向と同じ方向（Ｍ
Ｄ）へ延伸するとともに、それとは垂直方向（ＴＤ）へ
延伸する工程である。１軸延伸の場合、ＴＤへの延伸倍
率は１．５〜１０倍、好ましくは２〜５倍である。２軸
延伸の場合、ＭＤへの延伸倍率は１〜１０倍、好ましく
は１〜５倍であり、ＴＤへの延伸倍率は１．５〜２０
倍、好ましくは３〜１５倍である。また、ＴＤへの延伸
倍率は、ＭＤへの延伸倍率の１．０〜５．０倍、好まし
くは１．５〜３．０倍に規定するのがよい。積層体フィ
ルム延伸物の物性（線膨張係数、ヤング率等）は、この
延伸倍率によって自由に変えることができる。延伸スピ
ードは、１〜２００％／秒、好ましくは５〜５０％／秒
にするのがよい。延伸装置としては、従来公知の１軸又
は２軸延伸装置を用いることができる。
【００１６】（冷却工程）この工程は、前記延伸工程で
得られた積層体フィルム延伸物を冷却し、溶融状態の液
晶ポリマーフィルムを冷却固化する工程であり、一対の
冷却ロールを用いて実施することができる。また自然放
冷で行ってもよい。
得られた積層体フィルム延伸物を冷却し、溶融状態の液
晶ポリマーフィルムを冷却固化する工程であり、一対の
冷却ロールを用いて実施することができる。また自然放
冷で行ってもよい。
【００１７】（剥離工程）この工程は、前記冷却工程で
得られた積層体フィルムから、その両表面に熱圧着され
ている多孔質体フィルムを剥離する工程である。前記し
たように、この多孔質体フィルムは、ＬＣＰフィルムに
対しては、剥離可能に接合しているので、その多孔質体
フィルムを、ＬＣＰフィルムより上方に引張ることによ
り容易に剥離することができる。
得られた積層体フィルムから、その両表面に熱圧着され
ている多孔質体フィルムを剥離する工程である。前記し
たように、この多孔質体フィルムは、ＬＣＰフィルムに
対しては、剥離可能に接合しているので、その多孔質体
フィルムを、ＬＣＰフィルムより上方に引張ることによ
り容易に剥離することができる。
【００１８】以上のようにして、等方向性ＬＣＰフィル
ムを得ることができる。このフィルムは、延伸用原料フ
ィルムとして用いたＬＣＰフィルムにみられる異方向性
の解消されたもので、平面物性の等方向性にすぐれたも
のである。
ムを得ることができる。このフィルムは、延伸用原料フ
ィルムとして用いたＬＣＰフィルムにみられる異方向性
の解消されたもので、平面物性の等方向性にすぐれたも
のである。
【００１９】前記等方向性ＬＣＰフィルムの製造におい
て、その原料ＬＣＰフィルムとしては、充填剤を含有す
るＬＣＰの押出し成形フィルムを用いるのが好ましい。
この場合、充填剤には、無機系及び有機系のものが包含
される。無機系充填剤としては、たとえば、シリカ、ア
ルミナ、酸化チタン等の金属酸化物；炭酸カルシウム、
炭酸バリウム等の金属炭酸塩；硫酸カルシウム、硫酸バ
リウム等の金属硫酸塩；タルク、クレー、マイカ、ガラ
ス等のケイ酸塩の他、チタン酸カリウム、チタン酸カル
シウム、ガラス繊維等が挙げられる。有機系充填剤とし
ては、液晶ポリマーの加工温度において溶融しない耐熱
性樹脂粉末や、カーボン、グラファイト、カーボン繊維
等が挙げられる。前記耐熱性樹脂粉末としては、ポリイ
ミド、ポリエーテルイミド、ポリアミドイミド、ポリエ
ーテルエーテルケトン（ＰＥＥＫ）、フッ素樹脂（ＰＴ
ＦＥ、ＦＥＰ、ＰＦＡ、ＥＴＦＥ、ＣＴＦＥ、ＰＶＤ
Ｆ、Ｅ−ＣＴＦＥ等）、ＬＣＰ等が挙げられる。前記充
填剤において、その平均粒径は０．０１〜５０μｍ、好
ましくは０．１〜１０μｍである。また、充填剤を含有
するＬＣＰ中のその充填剤の含有量は、５〜３０容量
％、好ましくは１０〜２０容量％である。前記押出し成
形フィルムを得るには、ＬＣＰに充填剤を加えて溶融混
合し、得られた混合物を押出機を用い、その先端のＴダ
イやインフレーションダイを通してフィルム状に押出成
形する。前記溶融混合温度は、ＬＣＰが溶融状態を示す
温度である。もちろん、充填剤が樹脂粉末の場合には、
その樹脂粉末が溶融する温度より低い温度である。混合
装置としては、二軸押出機、単軸押出機、ニーダー、ミ
キサー等の慣用の混合装置が用いられる。
て、その原料ＬＣＰフィルムとしては、充填剤を含有す
るＬＣＰの押出し成形フィルムを用いるのが好ましい。
この場合、充填剤には、無機系及び有機系のものが包含
される。無機系充填剤としては、たとえば、シリカ、ア
ルミナ、酸化チタン等の金属酸化物；炭酸カルシウム、
炭酸バリウム等の金属炭酸塩；硫酸カルシウム、硫酸バ
リウム等の金属硫酸塩；タルク、クレー、マイカ、ガラ
ス等のケイ酸塩の他、チタン酸カリウム、チタン酸カル
シウム、ガラス繊維等が挙げられる。有機系充填剤とし
ては、液晶ポリマーの加工温度において溶融しない耐熱
性樹脂粉末や、カーボン、グラファイト、カーボン繊維
等が挙げられる。前記耐熱性樹脂粉末としては、ポリイ
ミド、ポリエーテルイミド、ポリアミドイミド、ポリエ
ーテルエーテルケトン（ＰＥＥＫ）、フッ素樹脂（ＰＴ
ＦＥ、ＦＥＰ、ＰＦＡ、ＥＴＦＥ、ＣＴＦＥ、ＰＶＤ
Ｆ、Ｅ−ＣＴＦＥ等）、ＬＣＰ等が挙げられる。前記充
填剤において、その平均粒径は０．０１〜５０μｍ、好
ましくは０．１〜１０μｍである。また、充填剤を含有
するＬＣＰ中のその充填剤の含有量は、５〜３０容量
％、好ましくは１０〜２０容量％である。前記押出し成
形フィルムを得るには、ＬＣＰに充填剤を加えて溶融混
合し、得られた混合物を押出機を用い、その先端のＴダ
イやインフレーションダイを通してフィルム状に押出成
形する。前記溶融混合温度は、ＬＣＰが溶融状態を示す
温度である。もちろん、充填剤が樹脂粉末の場合には、
その樹脂粉末が溶融する温度より低い温度である。混合
装置としては、二軸押出機、単軸押出機、ニーダー、ミ
キサー等の慣用の混合装置が用いられる。
【００２０】前記のようにして得られる充填剤を含有す
る押出し成形フィルムは、表面状態の良好なフィルムで
あって、厚さ分布の平均値Ｃに対する厚さ分布の標準偏
差Ｄの比Ｄ／Ｃが０．２以下という厚さ精度にすぐれた
ものである。そして、このような充填剤を含有する押出
し成形フィルムを原料として用いて得られる等方向性Ｌ
ＣＰフィルムは、表面状態の非常にすぐれたもので、そ
のフィルムの厚さ分布の平均値Ｃに対するその厚さ分布
の標準偏差Ｄの比Ｄ／Ｃが０．２以下、特に０．１５〜
０．０２の範囲にある。
る押出し成形フィルムは、表面状態の良好なフィルムで
あって、厚さ分布の平均値Ｃに対する厚さ分布の標準偏
差Ｄの比Ｄ／Ｃが０．２以下という厚さ精度にすぐれた
ものである。そして、このような充填剤を含有する押出
し成形フィルムを原料として用いて得られる等方向性Ｌ
ＣＰフィルムは、表面状態の非常にすぐれたもので、そ
のフィルムの厚さ分布の平均値Ｃに対するその厚さ分布
の標準偏差Ｄの比Ｄ／Ｃが０．２以下、特に０．１５〜
０．０２の範囲にある。
【００２１】本発明で用いる等方向性ＬＣＰフィルム
は、通常のＬＣＰフィルムにみられる平面物性の異方向
性の解消されたものであり、平面物性の等方向性にすぐ
れたものである。この場合の平面物性には、線膨張係
数、熱収縮率、引張り伸度、引張り強度、引張り弾性
率、比誘導率等が包含される。本発明で用いる等方向性
ＬＣＰフィルムは、安定した線膨張係数を有する。即
ち、本発明で用いるＬＣＰフィルムは、９ｐｐｍ／℃よ
り大きく２５ｐｐｍ／℃以下、好ましくは１４〜２０ｐ
ｐｍ／℃の線膨張係数を有する。本発明で用いるＬＣＰ
フィルムは、前記線膨張係数を有すると同時に、その線
膨張係数の等方向性にすぐれ、フィルムの１つの平面方
向の線膨張係数Ａと他の平面方向の線膨張係数Ｂとの比
のＡ／Ｂは、０．４〜２．５、好ましくは、０．５〜２
の範囲にある。インターポーザとして用いるＬＣＰフィ
ルムにおける前記線膨張係数の等方向性は非常に重要で
あり、その線膨張係数に大きな異方向性があると、信頼
性のあるインターポーザ及びＩＣチップパッケージを得
ることができなくなる。
は、通常のＬＣＰフィルムにみられる平面物性の異方向
性の解消されたものであり、平面物性の等方向性にすぐ
れたものである。この場合の平面物性には、線膨張係
数、熱収縮率、引張り伸度、引張り強度、引張り弾性
率、比誘導率等が包含される。本発明で用いる等方向性
ＬＣＰフィルムは、安定した線膨張係数を有する。即
ち、本発明で用いるＬＣＰフィルムは、９ｐｐｍ／℃よ
り大きく２５ｐｐｍ／℃以下、好ましくは１４〜２０ｐ
ｐｍ／℃の線膨張係数を有する。本発明で用いるＬＣＰ
フィルムは、前記線膨張係数を有すると同時に、その線
膨張係数の等方向性にすぐれ、フィルムの１つの平面方
向の線膨張係数Ａと他の平面方向の線膨張係数Ｂとの比
のＡ／Ｂは、０．４〜２．５、好ましくは、０．５〜２
の範囲にある。インターポーザとして用いるＬＣＰフィ
ルムにおける前記線膨張係数の等方向性は非常に重要で
あり、その線膨張係数に大きな異方向性があると、信頼
性のあるインターポーザ及びＩＣチップパッケージを得
ることができなくなる。
【００２２】本発明のインターポーザとして用いる等方
向性ＬＣＰフィルムにおいて、その厚さは１０〜１００
０μｍ、好ましくは２０〜１００μｍ、その線膨張係数
は、９ｐｐｍ／℃より大きく２５ｐｐｐｍ／℃以下、好
ましくは１４〜２０ｐｐｍ／℃及びその吸水率は０．５
重量％以下、好ましくは０．３重量％以下である。ま
た、その吸湿膨張率（２３℃、８０％ＲＨ）は、通常、
０．０８％以下、好ましくは０．０５％以下である。こ
れらの物性は、ＬＣＰの種類や、ＬＣＰの押出し成形条
件、ＬＣＰフィルムの延伸条件等によって調節すること
ができる。本発明においては、ＬＣＰフィルムには、特
に、無機充填剤を含有させることが好ましい。無機充填
剤を含有するＬＣＰフィルムは、熱伝導性が向上し、高
い放熱効果を有することから、インターポーザとしての
機能においてすぐれている。この場合の無機充填剤とし
ては、特に、シリカ、アルミナ、チタニア等を粉末状や
ウイスカー状で用いるのが好ましく、その含有量は、特
に、５〜３０容量％、好ましくは１０〜２０容量％であ
る。
向性ＬＣＰフィルムにおいて、その厚さは１０〜１００
０μｍ、好ましくは２０〜１００μｍ、その線膨張係数
は、９ｐｐｍ／℃より大きく２５ｐｐｐｍ／℃以下、好
ましくは１４〜２０ｐｐｍ／℃及びその吸水率は０．５
重量％以下、好ましくは０．３重量％以下である。ま
た、その吸湿膨張率（２３℃、８０％ＲＨ）は、通常、
０．０８％以下、好ましくは０．０５％以下である。こ
れらの物性は、ＬＣＰの種類や、ＬＣＰの押出し成形条
件、ＬＣＰフィルムの延伸条件等によって調節すること
ができる。本発明においては、ＬＣＰフィルムには、特
に、無機充填剤を含有させることが好ましい。無機充填
剤を含有するＬＣＰフィルムは、熱伝導性が向上し、高
い放熱効果を有することから、インターポーザとしての
機能においてすぐれている。この場合の無機充填剤とし
ては、特に、シリカ、アルミナ、チタニア等を粉末状や
ウイスカー状で用いるのが好ましく、その含有量は、特
に、５〜３０容量％、好ましくは１０〜２０容量％であ
る。
【００２３】本発明で用いる前記ＬＣＰフィルムは、そ
の表面に導電体パターンを形成させて、ＩＣチップを実
装する場合のインターポーザとしてすぐれた効果を示
す。即ち、ＬＣＰフィルムの線膨張係数（ＣＴＥ）は、
平面のどの方向をとっても９ｐｐｍ／℃より大きく２５
ｐｐｍ／℃以下の範囲にあり、銅の線膨張係数１６．２
ｐｐｍ／℃とほぼマッチングしている。従って、ＩＣチ
ップをインターポーザに実装する場合に、半田溶融（２
６０℃）するものでも、銅より成る導電体パターンに生
じる熱応力を著しく軽減することができ、導体の接着信
頼性を大幅に向上させることができ、さらに導電体パタ
ーンの断線も効果的に防止することができる。以上のよ
うに、本発明による等方向性ＬＣＰフィルムからなるイ
ンターポーザとするＩＣチップパッケージは、導電体パ
ターンとベースフィルムとの間の熱応力の発生を減じ、
パッケージ信頼性が著しく向上したものである。また、
本発明による前記ＩＣチップパッケージをプラスチック
モールドしたプラスチック型ＩＣチップパッケージ（Ｃ
ＳＰ、ＢＧＡ等）は、ＬＣＰフィルムが非常に低い吸水
率（０．５重量％以下）を示し、ＰＣＴ（Ｐｒｅｓｓｕ
ｒｅ Ｃｏｏｋｅｒ Ｔｅｓｔ）（１２１℃、２ａｔ
ｍ、湿度１００％）、６５℃／９５％ＲＨ及び８５℃／
８５％ＲＨ等の吸湿試験においても、性能劣化やパッケ
ージクラックを何ら生じることはなく、非常に高いパッ
ケージ信頼性を有する。
の表面に導電体パターンを形成させて、ＩＣチップを実
装する場合のインターポーザとしてすぐれた効果を示
す。即ち、ＬＣＰフィルムの線膨張係数（ＣＴＥ）は、
平面のどの方向をとっても９ｐｐｍ／℃より大きく２５
ｐｐｍ／℃以下の範囲にあり、銅の線膨張係数１６．２
ｐｐｍ／℃とほぼマッチングしている。従って、ＩＣチ
ップをインターポーザに実装する場合に、半田溶融（２
６０℃）するものでも、銅より成る導電体パターンに生
じる熱応力を著しく軽減することができ、導体の接着信
頼性を大幅に向上させることができ、さらに導電体パタ
ーンの断線も効果的に防止することができる。以上のよ
うに、本発明による等方向性ＬＣＰフィルムからなるイ
ンターポーザとするＩＣチップパッケージは、導電体パ
ターンとベースフィルムとの間の熱応力の発生を減じ、
パッケージ信頼性が著しく向上したものである。また、
本発明による前記ＩＣチップパッケージをプラスチック
モールドしたプラスチック型ＩＣチップパッケージ（Ｃ
ＳＰ、ＢＧＡ等）は、ＬＣＰフィルムが非常に低い吸水
率（０．５重量％以下）を示し、ＰＣＴ（Ｐｒｅｓｓｕ
ｒｅ Ｃｏｏｋｅｒ Ｔｅｓｔ）（１２１℃、２ａｔ
ｍ、湿度１００％）、６５℃／９５％ＲＨ及び８５℃／
８５％ＲＨ等の吸湿試験においても、性能劣化やパッケ
ージクラックを何ら生じることはなく、非常に高いパッ
ケージ信頼性を有する。
【００２４】ＬＣＰフィルム上に形成する導電体パター
ンにおいて、その導電体は、等方向性ＬＣＰフィルムに
直接設けることも、また接着剤を介して設けることもで
きる。直接設ける方法としては、蒸着法やスパッタリン
グ法等の物理的手法の他、無電解めっき法、これらの方
法で得られた銅膜を下地にする電解めっき法等が挙げら
れる。さらに直接設けるもう一つの方法としては、等方
向性ＬＣＰフィルムと銅箔を直に貼り合わせる方法があ
り、これは等方向性ＬＣＰフィルムの表面近傍を加熱溶
融し、ベースフィルム内部のランダム配向性を保った状
態で銅箔を貼り付けるものである。次に、導電体を等方
向性ＬＣＰフィルムに接着剤を介して設ける方法につい
て述べる。これは、銅箔を接着剤を介してＬＣＰフィル
ム上に貼り付けるのが一般的である。このとき接着剤と
しては、エポキシ樹脂，シアネート樹脂，ＰＰＥ等の熱
硬化性樹脂より成るもの、またこれにフレキシブル性を
もたせた、ポリアミド−エポキシ樹脂混合物，アクリロ
ニトリルゴム−フェノール樹脂混合物などが用いられ
る。また、ＬＣＰ，ふっ素樹脂（ＦＥＰ，ＰＦＡ，ＥＴ
ＦＥ，ＰＴＦＥ等）等の熱可塑性樹脂を用いても良い。
この場合、接着剤として用いるＬＣＰ樹脂は、ベースフ
ィルムを構成しているＬＣＰ樹脂の融点よりも低い融点
を有したものが適する。この組合せによれば、ベースフ
ィルムのＬＣＰ樹脂の等方向性を保った状態で、絶縁体
層全体をＬＣＰ樹脂のみで形成することができ、特にエ
レクトロマイグレーション性に優れた導体パターンを有
する回路基板を形成することができる。ところで、銅の
線膨張係数は１６．２ｐｐｍ／℃で、ＬＣＰフィルムの
値に近く、これにより、そりや歪の低減されたインター
ポーザを得ることができる。また、ＬＣＰフィルム上に
ＩＣチップを実装する場合、その実装方式としては、従
来公知の各種の方式、例えば、ワイヤーボンディング方
式、フリップチップ方式、ＴＡＢ（テープオートメイテ
ッドボンディング）方式の他、ビームリード方式、ＳＴ
Ｄ方式等を採用することができる。本発明によるＬＣＰ
フィルムからなるインターポーザは、前記のように、線
膨張係数が銅の値に近く、吸水率が小さいことから、特
に、高密度なＩＣチップを実装する場合のインターポー
ザとしてすぐれた効果を示す。
ンにおいて、その導電体は、等方向性ＬＣＰフィルムに
直接設けることも、また接着剤を介して設けることもで
きる。直接設ける方法としては、蒸着法やスパッタリン
グ法等の物理的手法の他、無電解めっき法、これらの方
法で得られた銅膜を下地にする電解めっき法等が挙げら
れる。さらに直接設けるもう一つの方法としては、等方
向性ＬＣＰフィルムと銅箔を直に貼り合わせる方法があ
り、これは等方向性ＬＣＰフィルムの表面近傍を加熱溶
融し、ベースフィルム内部のランダム配向性を保った状
態で銅箔を貼り付けるものである。次に、導電体を等方
向性ＬＣＰフィルムに接着剤を介して設ける方法につい
て述べる。これは、銅箔を接着剤を介してＬＣＰフィル
ム上に貼り付けるのが一般的である。このとき接着剤と
しては、エポキシ樹脂，シアネート樹脂，ＰＰＥ等の熱
硬化性樹脂より成るもの、またこれにフレキシブル性を
もたせた、ポリアミド−エポキシ樹脂混合物，アクリロ
ニトリルゴム−フェノール樹脂混合物などが用いられ
る。また、ＬＣＰ，ふっ素樹脂（ＦＥＰ，ＰＦＡ，ＥＴ
ＦＥ，ＰＴＦＥ等）等の熱可塑性樹脂を用いても良い。
この場合、接着剤として用いるＬＣＰ樹脂は、ベースフ
ィルムを構成しているＬＣＰ樹脂の融点よりも低い融点
を有したものが適する。この組合せによれば、ベースフ
ィルムのＬＣＰ樹脂の等方向性を保った状態で、絶縁体
層全体をＬＣＰ樹脂のみで形成することができ、特にエ
レクトロマイグレーション性に優れた導体パターンを有
する回路基板を形成することができる。ところで、銅の
線膨張係数は１６．２ｐｐｍ／℃で、ＬＣＰフィルムの
値に近く、これにより、そりや歪の低減されたインター
ポーザを得ることができる。また、ＬＣＰフィルム上に
ＩＣチップを実装する場合、その実装方式としては、従
来公知の各種の方式、例えば、ワイヤーボンディング方
式、フリップチップ方式、ＴＡＢ（テープオートメイテ
ッドボンディング）方式の他、ビームリード方式、ＳＴ
Ｄ方式等を採用することができる。本発明によるＬＣＰ
フィルムからなるインターポーザは、前記のように、線
膨張係数が銅の値に近く、吸水率が小さいことから、特
に、高密度なＩＣチップを実装する場合のインターポー
ザとしてすぐれた効果を示す。
【００２５】
【実施例】次に本発明を実施例によりさらに詳細に説明
する。
する。
【００２６】参考例１ サーモトロピック液晶ポリマー（住友化学社製、スミカ
スーパーＥ６０００）を、単軸押出機（スクリュー径５
０ｍｍ）内で溶融し、その押出機先端のＴダイ（リップ
長さ３００ｍｍ、リップクリアランス０．６ｍｍ、ダイ
温度３５０℃）より、フィルム状に押出し、冷却して厚
さ１４０μｍの液晶ポリマーフィルムを得た。この液晶
ポリマーフィルムの両面に、厚さ４０μｍの多孔質ポリ
テトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）フィルム（平均孔
径０．２μｍ、空孔率８０％）を、一対の熱ロール（温
度３３０℃、ロール周速２ｍ／分）を有するラミネータ
ーで熱圧着した後、一対の冷却ロール（温度１５０℃）
を通して冷却した。この積層体のＰＴＦＥフィルムの剥
離強度は５ｇ／ｃｍであった。次に、このようにして得
た積層体を二軸延伸機で延伸した。この時の延伸条件
は、延伸温度３５０℃、延伸倍率；ＴＤ方向２．８倍、
延伸スピード２０％／秒、であった。最後に、多孔質Ｐ
ＴＦＥフィルムを液晶ポリマーフィルムの両面から剥離
し、厚さ５０μｍの液晶ポリマー延伸フィルム（ａ−
１）を得た。
スーパーＥ６０００）を、単軸押出機（スクリュー径５
０ｍｍ）内で溶融し、その押出機先端のＴダイ（リップ
長さ３００ｍｍ、リップクリアランス０．６ｍｍ、ダイ
温度３５０℃）より、フィルム状に押出し、冷却して厚
さ１４０μｍの液晶ポリマーフィルムを得た。この液晶
ポリマーフィルムの両面に、厚さ４０μｍの多孔質ポリ
テトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）フィルム（平均孔
径０．２μｍ、空孔率８０％）を、一対の熱ロール（温
度３３０℃、ロール周速２ｍ／分）を有するラミネータ
ーで熱圧着した後、一対の冷却ロール（温度１５０℃）
を通して冷却した。この積層体のＰＴＦＥフィルムの剥
離強度は５ｇ／ｃｍであった。次に、このようにして得
た積層体を二軸延伸機で延伸した。この時の延伸条件
は、延伸温度３５０℃、延伸倍率；ＴＤ方向２．８倍、
延伸スピード２０％／秒、であった。最後に、多孔質Ｐ
ＴＦＥフィルムを液晶ポリマーフィルムの両面から剥離
し、厚さ５０μｍの液晶ポリマー延伸フィルム（ａ−
１）を得た。
【００２７】参考例２ サーモトロピック液晶ポリマー（住友化学社製、スミカ
スーパーＥ６０００）９０重量部と天然シリカ（平均粒
径３μｍ、電気化学社製ＦＳ−１５）１０重量部とを、
二軸押出機を用いて溶融混合するとともに、その先端の
ストランドダイから押出してペレタイザーでペレットに
成形した。次にこのペレットを単軸押出機（スクリュー
径５０ｍｍ）内で溶融し、その押出機先端のＴダイ（リ
ップ長さ３００ｍｍ、リップクリアランス０．６ｍｍ、
ダイ温度３５０℃）より、フィルム状に押出し、冷却し
て厚さ１４０μｍの液晶ポリマーフィルムを得た。この
液晶ポリマーフィルムの両面に、厚さ４０μｍの多孔質
ポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）フィルム（平
均孔径０．２μｍ、空孔率８０％）を、一対の熱ロール
（温度３３０℃、ロール周速２ｍ／分）を有するラミネ
ーターで熱圧着した後、一対の冷却ロール（温度１５０
℃）を通して冷却した。この積層体のＰＴＦＥフィルム
の剥離強度は５ｇ／ｃｍであった。次に、このようにし
て得た積層体を二軸延伸機で延伸した。この時の延伸条
件は、延伸温度３５０℃、延伸倍率；ＴＤ方向２．８
倍、延伸スピード２０％／秒、であった。最後に、多孔
質ＰＴＦＥフィルムを液晶ポリマーフィルムの両面から
剥離し、厚さ５０μｍの液晶ポリマー延伸フィルム（ａ
−２）を得た。
スーパーＥ６０００）９０重量部と天然シリカ（平均粒
径３μｍ、電気化学社製ＦＳ−１５）１０重量部とを、
二軸押出機を用いて溶融混合するとともに、その先端の
ストランドダイから押出してペレタイザーでペレットに
成形した。次にこのペレットを単軸押出機（スクリュー
径５０ｍｍ）内で溶融し、その押出機先端のＴダイ（リ
ップ長さ３００ｍｍ、リップクリアランス０．６ｍｍ、
ダイ温度３５０℃）より、フィルム状に押出し、冷却し
て厚さ１４０μｍの液晶ポリマーフィルムを得た。この
液晶ポリマーフィルムの両面に、厚さ４０μｍの多孔質
ポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）フィルム（平
均孔径０．２μｍ、空孔率８０％）を、一対の熱ロール
（温度３３０℃、ロール周速２ｍ／分）を有するラミネ
ーターで熱圧着した後、一対の冷却ロール（温度１５０
℃）を通して冷却した。この積層体のＰＴＦＥフィルム
の剥離強度は５ｇ／ｃｍであった。次に、このようにし
て得た積層体を二軸延伸機で延伸した。この時の延伸条
件は、延伸温度３５０℃、延伸倍率；ＴＤ方向２．８
倍、延伸スピード２０％／秒、であった。最後に、多孔
質ＰＴＦＥフィルムを液晶ポリマーフィルムの両面から
剥離し、厚さ５０μｍの液晶ポリマー延伸フィルム（ａ
−２）を得た。
【００２８】参考例３ サーモトロピック液晶ポリマー（住友化学社製、スミカ
スーパーＥ６０００）９０重量部と天然シリカ（平均粒
径３μｍ、電気化学社製ＦＳ−１５）１０重量部とを、
二軸押出機を用いて溶融混合するとともに、その先端の
ストランドダイから押出してペレタイザーでペレットに
成形した。次にこのペレットを単軸押出機（スクリュー
径５０ｍｍ）内で溶融し、その押出機先端のＴダイ（リ
ップ長さ３００ｍｍ、リップクリアランス１．４ｍｍ、
ダイ温度３５０℃）より、フィルム状に押出し、冷却し
て厚さ３５０μｍの液晶ポリマーフィルムを得た。この
液晶ポリマーフィルムの両面に、厚さ４０μｍの多孔質
ポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）フィルム（平
均孔径０．２μｍ、空孔率８０％）を、一対の熱ロール
（温度３３０℃、ロール周速２ｍ／分）を有するラミネ
ーターで熱圧着した後、一対の冷却ロール（温度１５０
℃）を通して冷却した。この積層体のＰＴＦＥフィルム
の剥離強度は５ｇ／ｃｍであった。次に、このようにし
て得た積層体を二軸延伸機で延伸した。この時の延伸条
件は、延伸温度３５０℃、延伸倍率；ＴＤ方向２．８
倍、延伸スピード２０％／秒、であった。最後に、多孔
質ＰＴＦＥフィルムを液晶ポリマーフィルムの両面から
剥離し、厚さ１２５μｍの液晶ポリマー延伸フィルム
（ａ−３）を得た。
スーパーＥ６０００）９０重量部と天然シリカ（平均粒
径３μｍ、電気化学社製ＦＳ−１５）１０重量部とを、
二軸押出機を用いて溶融混合するとともに、その先端の
ストランドダイから押出してペレタイザーでペレットに
成形した。次にこのペレットを単軸押出機（スクリュー
径５０ｍｍ）内で溶融し、その押出機先端のＴダイ（リ
ップ長さ３００ｍｍ、リップクリアランス１．４ｍｍ、
ダイ温度３５０℃）より、フィルム状に押出し、冷却し
て厚さ３５０μｍの液晶ポリマーフィルムを得た。この
液晶ポリマーフィルムの両面に、厚さ４０μｍの多孔質
ポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）フィルム（平
均孔径０．２μｍ、空孔率８０％）を、一対の熱ロール
（温度３３０℃、ロール周速２ｍ／分）を有するラミネ
ーターで熱圧着した後、一対の冷却ロール（温度１５０
℃）を通して冷却した。この積層体のＰＴＦＥフィルム
の剥離強度は５ｇ／ｃｍであった。次に、このようにし
て得た積層体を二軸延伸機で延伸した。この時の延伸条
件は、延伸温度３５０℃、延伸倍率；ＴＤ方向２．８
倍、延伸スピード２０％／秒、であった。最後に、多孔
質ＰＴＦＥフィルムを液晶ポリマーフィルムの両面から
剥離し、厚さ１２５μｍの液晶ポリマー延伸フィルム
（ａ−３）を得た。
【００２９】参考例４ サーモトロピック液晶ポリマー（ポリプラスチックス社
製、ベクトラＡ９５０）を、単軸押出機（スクリュー径
５０ｍｍ）内で溶融し、その押出機先端のＴダイ（リッ
プ長さ３００ｍｍ、リップクリアランス０．４ｍｍ、ダ
イ温度３００℃）より、フィルム状に押出し、冷却して
厚さ９０μｍの液晶ポリマーフィルムを得た。この液晶
ポリマーフィルムの両面に、厚さ４０μｍの多孔質ポリ
テトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）フィルム（平均孔
径０．５μｍ、空孔率８０％）を、一対の熱ロール（温
度２８０℃、ロール周速２ｍ／分）を有するラミネータ
ーで熱圧着した後、一対の冷却ロール（温度１００℃）
を通して冷却した。この積層体のＰＴＦＥフィルムの剥
離強度は５ｇ／ｃｍであった。次に、このようにして得
た積層体を二軸延伸機で延伸した。この時の延伸条件
は、延伸温度３００℃、延伸倍率；ＴＤ方向１．８倍、
延伸スピード２０％／秒、であった。最後に、多孔質Ｐ
ＴＦＥフィルムを液晶ポリマーフィルムの両面から剥離
し、厚さ５０μｍの液晶ポリマー延伸フィルム（ａ−
４）を得た。
製、ベクトラＡ９５０）を、単軸押出機（スクリュー径
５０ｍｍ）内で溶融し、その押出機先端のＴダイ（リッ
プ長さ３００ｍｍ、リップクリアランス０．４ｍｍ、ダ
イ温度３００℃）より、フィルム状に押出し、冷却して
厚さ９０μｍの液晶ポリマーフィルムを得た。この液晶
ポリマーフィルムの両面に、厚さ４０μｍの多孔質ポリ
テトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）フィルム（平均孔
径０．５μｍ、空孔率８０％）を、一対の熱ロール（温
度２８０℃、ロール周速２ｍ／分）を有するラミネータ
ーで熱圧着した後、一対の冷却ロール（温度１００℃）
を通して冷却した。この積層体のＰＴＦＥフィルムの剥
離強度は５ｇ／ｃｍであった。次に、このようにして得
た積層体を二軸延伸機で延伸した。この時の延伸条件
は、延伸温度３００℃、延伸倍率；ＴＤ方向１．８倍、
延伸スピード２０％／秒、であった。最後に、多孔質Ｐ
ＴＦＥフィルムを液晶ポリマーフィルムの両面から剥離
し、厚さ５０μｍの液晶ポリマー延伸フィルム（ａ−
４）を得た。
【００３０】参考例５ サーモトロピック液晶ポリマー（ポリプラスチックス社
製、ベクトラＡ９５０）９０重量部と天然シリカ（平均
粒径３μｍ、電気化学社製ＦＳ−１５）１０重量部と
を、二軸押出機を用いて溶融混合するとともに、その先
端のストランドダイから押出してペレタイザーをペレッ
トに成形した。次にこのペレットを単軸押出機（スクリ
ュー径５０ｍｍ）内で溶融し、その押出機先端のＴダイ
（リップ長さ３００ｍｍ、リップクリアランス０．４ｍ
ｍ、ダイ温度３００℃）より、フィルム状に押出し、冷
却して厚さ９０μｍの液晶ポリマーフィルムを得た。こ
の液晶ポリマーフィルムの両面に、厚さ４０μｍの多孔
質ポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）フィルム
（平均孔径０．５μｍ、空孔率８０％）を、一対の熱ロ
ール（温度２８０℃、ロール周速２ｍ／分）を有するラ
ミネーターで熱圧着した後、一対の冷却ロール（温度１
００℃）を通して冷却した。この積層体のＰＴＦＥフィ
ルムの剥離強度は５ｇ／ｃｍであった。次に、このよう
にして得た積層体を二軸延伸機で延伸した。この時の延
伸条件は、延伸温度３００℃、延伸倍率；ＴＤ方向１．
８倍、延伸スピード２０％／秒、であった。最後に、多
孔質ＰＴＦＥフィルムを液晶ポリマーフィルムの両面か
ら剥離し、厚さ５０μｍの液晶ポリマー延伸フィルム
（ａ−５）を得た。
製、ベクトラＡ９５０）９０重量部と天然シリカ（平均
粒径３μｍ、電気化学社製ＦＳ−１５）１０重量部と
を、二軸押出機を用いて溶融混合するとともに、その先
端のストランドダイから押出してペレタイザーをペレッ
トに成形した。次にこのペレットを単軸押出機（スクリ
ュー径５０ｍｍ）内で溶融し、その押出機先端のＴダイ
（リップ長さ３００ｍｍ、リップクリアランス０．４ｍ
ｍ、ダイ温度３００℃）より、フィルム状に押出し、冷
却して厚さ９０μｍの液晶ポリマーフィルムを得た。こ
の液晶ポリマーフィルムの両面に、厚さ４０μｍの多孔
質ポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）フィルム
（平均孔径０．５μｍ、空孔率８０％）を、一対の熱ロ
ール（温度２８０℃、ロール周速２ｍ／分）を有するラ
ミネーターで熱圧着した後、一対の冷却ロール（温度１
００℃）を通して冷却した。この積層体のＰＴＦＥフィ
ルムの剥離強度は５ｇ／ｃｍであった。次に、このよう
にして得た積層体を二軸延伸機で延伸した。この時の延
伸条件は、延伸温度３００℃、延伸倍率；ＴＤ方向１．
８倍、延伸スピード２０％／秒、であった。最後に、多
孔質ＰＴＦＥフィルムを液晶ポリマーフィルムの両面か
ら剥離し、厚さ５０μｍの液晶ポリマー延伸フィルム
（ａ−５）を得た。
【００３１】以上で得た各々の液晶ポリマーフィルムの
物性を以下のようにして測定し、その結果を表１に示
す。 （１）ＴＤ厚さ分布 ダイヤルゲージのニードル型測定子（ミツトヨ社製、先
端Ｒ：０．４ｍｍ）を鉛直方向に向かい合わせて固定
し、１００ｇの力で接触させる。つぎにこの測定子間に
サンプルフィルムをはさみ、ＴＤ方向に移動させる。こ
のようにして、フィルムのＴＤの厚さ分布データを得
る。 （ｉ）平均値Ｃ １０００ｍｍ幅、０．５ｍｍ間隔で２０００ポイント測
定し、その平均値を求めた。 （ii）標準偏差Ｄ 前記平均値Ｃに対する２０００ポイントの標準偏差Ｄを
求めた。 （２）線膨張係数 ＴＭＡ法：荷重５ｇ、２００℃まで昇温後、１５０℃か
ら２５℃への降温時に測定。試料幅４．０ｍｍ、チャッ
ク間隔１０ｍｍ。 （３）吸水率 ５×５ｃｍのフィルムを真水中に２４時間浸漬し、その
前後の重量を測定して吸水量を算出し、その浸漬前のフ
ィルム重量に対する％で示した。
物性を以下のようにして測定し、その結果を表１に示
す。 （１）ＴＤ厚さ分布 ダイヤルゲージのニードル型測定子（ミツトヨ社製、先
端Ｒ：０．４ｍｍ）を鉛直方向に向かい合わせて固定
し、１００ｇの力で接触させる。つぎにこの測定子間に
サンプルフィルムをはさみ、ＴＤ方向に移動させる。こ
のようにして、フィルムのＴＤの厚さ分布データを得
る。 （ｉ）平均値Ｃ １０００ｍｍ幅、０．５ｍｍ間隔で２０００ポイント測
定し、その平均値を求めた。 （ii）標準偏差Ｄ 前記平均値Ｃに対する２０００ポイントの標準偏差Ｄを
求めた。 （２）線膨張係数 ＴＭＡ法：荷重５ｇ、２００℃まで昇温後、１５０℃か
ら２５℃への降温時に測定。試料幅４．０ｍｍ、チャッ
ク間隔１０ｍｍ。 （３）吸水率 ５×５ｃｍのフィルムを真水中に２４時間浸漬し、その
前後の重量を測定して吸水量を算出し、その浸漬前のフ
ィルム重量に対する％で示した。
【００３２】
【表１】
【００３３】実施例１ 参考例１で示した厚さ５０μｍのＬＣＰフィルム８に、
図３に示すように、銅を蒸着して導電体部を形成した。
このフィルムの幅は３５ｍｍで、導電体部は幅２６ｍｍ
で、両サイドにスプロケット孔１２を設けた３５ｍｍ幅
のスタンダードＴＡＢフィルムキャリアの仕様とした。
テープは長さ２０ｍの長尺で、ＬＣＰフィルムの表面を
プラズマ処理し、銅を連続蒸着した後、メッキ法で厚さ
１０μｍに銅を厚くした。導電体は両面に形成した。エ
キシマレーザを用いて直径４０μｍのスルーホール６を
あけ、スルーホールメッキを行い、両面にそれぞれ電極
パターンを形成した。片面の基板実装側の外部端子に
は、さらに半田バンプ１３を形成した。以上の工程によ
り、ＣＳＰ用のインターポーザ７を得た。
図３に示すように、銅を蒸着して導電体部を形成した。
このフィルムの幅は３５ｍｍで、導電体部は幅２６ｍｍ
で、両サイドにスプロケット孔１２を設けた３５ｍｍ幅
のスタンダードＴＡＢフィルムキャリアの仕様とした。
テープは長さ２０ｍの長尺で、ＬＣＰフィルムの表面を
プラズマ処理し、銅を連続蒸着した後、メッキ法で厚さ
１０μｍに銅を厚くした。導電体は両面に形成した。エ
キシマレーザを用いて直径４０μｍのスルーホール６を
あけ、スルーホールメッキを行い、両面にそれぞれ電極
パターンを形成した。片面の基板実装側の外部端子に
は、さらに半田バンプ１３を形成した。以上の工程によ
り、ＣＳＰ用のインターポーザ７を得た。
【００３４】実施例２ 図４に示すように、実施例１で得たインターポーザ７に
ＩＣチップ１をフリップチップ方式で実装した。接合部
は半田バンプ２とした。さらにこれをエポキシ系レジン
９でトランスファーモールド封止し、４箇所の吊り部を
切断して、ＣＳＰ１０を得た。
ＩＣチップ１をフリップチップ方式で実装した。接合部
は半田バンプ２とした。さらにこれをエポキシ系レジン
９でトランスファーモールド封止し、４箇所の吊り部を
切断して、ＣＳＰ１０を得た。
【００３５】実施例３ 図５に示すように、インナーリード部１４を熱圧着する
タイプのインターポーザ７を作製した。これは、参考例
２のＬＣＰフィルムの表面をＫＯＨ溶液で処理して、銅
を０．５μｍ蒸着し、電気メッキで２５μｍ厚にして導
電体部を形成した。エキシマレーザでスルーホール６を
あけ、スルーホールメッキしたのち、エッチングでパタ
ーンを形成した。さらに、外部端子に半田バンプ１３を
形成した。こうして、インナーリード付エリアアレイタ
イプのインターポーザを得た。
タイプのインターポーザ７を作製した。これは、参考例
２のＬＣＰフィルムの表面をＫＯＨ溶液で処理して、銅
を０．５μｍ蒸着し、電気メッキで２５μｍ厚にして導
電体部を形成した。エキシマレーザでスルーホール６を
あけ、スルーホールメッキしたのち、エッチングでパタ
ーンを形成した。さらに、外部端子に半田バンプ１３を
形成した。こうして、インナーリード付エリアアレイタ
イプのインターポーザを得た。
【００３６】実施例４ 図６に示すように、実施例３のインターポーザにＡｕバ
ンプ付ＩＣチップ１をインターポーザのインナーリード
部１４に５００℃で熱圧着した。これを、エポキシ系レ
ジン９で封止して、エリアアレイタイプのＣＳＰ１０を
得た。
ンプ付ＩＣチップ１をインターポーザのインナーリード
部１４に５００℃で熱圧着した。これを、エポキシ系レ
ジン９で封止して、エリアアレイタイプのＣＳＰ１０を
得た。
【００３７】実施例５ 図７に示すように、ＩＣチップの放熱性を高めるため、
参考例３で得たＳｉＯ2フィラー１０重量％を含有する
ＬＣＰフィルム８（厚さ１２５μｍ、ＣＴＥ；Ｘ方向：
１４ｐｐｍ／℃、Ｙ方向：１６ｐｐｍ／℃）に厚さ３５
μｍの電解銅箔を３３０℃、２０ｋｇｆ/ｃｍ2の条件で
熱圧着で直接に付け、パターンエッチングによりインナ
ーパッド３及びアウターパッド４を形成し、さらにスル
ーホール６を設けたものに、ＩＣチップを熱伝導性の高
いダイボンディング樹脂１８で接着し、ワイヤーボンデ
ィングした後、保護用樹脂９で封止して、ＩＣパッケー
ジ１０を得た。このものは、インターポーザのベースフ
ィルム（ＬＣＰフィルム）の熱伝導性が高く、またダイ
ボンディング樹脂の熱伝導性も高いので、ＩＣチップに
生じる熱応力が小さく良好なパッケージである。
参考例３で得たＳｉＯ2フィラー１０重量％を含有する
ＬＣＰフィルム８（厚さ１２５μｍ、ＣＴＥ；Ｘ方向：
１４ｐｐｍ／℃、Ｙ方向：１６ｐｐｍ／℃）に厚さ３５
μｍの電解銅箔を３３０℃、２０ｋｇｆ/ｃｍ2の条件で
熱圧着で直接に付け、パターンエッチングによりインナ
ーパッド３及びアウターパッド４を形成し、さらにスル
ーホール６を設けたものに、ＩＣチップを熱伝導性の高
いダイボンディング樹脂１８で接着し、ワイヤーボンデ
ィングした後、保護用樹脂９で封止して、ＩＣパッケー
ジ１０を得た。このものは、インターポーザのベースフ
ィルム（ＬＣＰフィルム）の熱伝導性が高く、またダイ
ボンディング樹脂の熱伝導性も高いので、ＩＣチップに
生じる熱応力が小さく良好なパッケージである。
【００３８】実施例６ 図８に示すように、リードフレームタイプのＣＳＰに、
ＬＣＰフィルムを用いて保護及び絶縁のための層を設け
たものである。まず、リードフレームのワイヤーボンデ
ィングのセカンド面に対して裏面に実施例５で示したＬ
ＣＰフィルム８を貼り付ける。この絶縁体付リードフレ
ーム１９にＩＣチップ１をフェースダウンで接着し、そ
のＡｌパッド２０とリードフレーム１９との間にＡｕワ
イヤー１７を用いてワイヤーボンディングを行う。さら
に樹脂９で封止してＣＳＰ１０ができ上がる。このもの
は、吸水率の小さいＬＣＰフィルムを用いたことで、リ
ードフレーム１９とＩＣチップ１との間に設けた保護及
び絶縁のために不可欠である層８が吸湿しないために、
半田接合時（２６０℃）にパッケージクラックを起すこ
とを軽減でき、良好なＬＯＣ（Ｌｅａｄ ｏｎ Ｃｈｉ
ｐ）タイプＣＳＰを得ることができた。
ＬＣＰフィルムを用いて保護及び絶縁のための層を設け
たものである。まず、リードフレームのワイヤーボンデ
ィングのセカンド面に対して裏面に実施例５で示したＬ
ＣＰフィルム８を貼り付ける。この絶縁体付リードフレ
ーム１９にＩＣチップ１をフェースダウンで接着し、そ
のＡｌパッド２０とリードフレーム１９との間にＡｕワ
イヤー１７を用いてワイヤーボンディングを行う。さら
に樹脂９で封止してＣＳＰ１０ができ上がる。このもの
は、吸水率の小さいＬＣＰフィルムを用いたことで、リ
ードフレーム１９とＩＣチップ１との間に設けた保護及
び絶縁のために不可欠である層８が吸湿しないために、
半田接合時（２６０℃）にパッケージクラックを起すこ
とを軽減でき、良好なＬＯＣ（Ｌｅａｄ ｏｎ Ｃｈｉ
ｐ）タイプＣＳＰを得ることができた。
【００３９】実施例７ 図９に示すように、参考例２で示したＳｉＯ2フィラー
１０重量％を含有するＬＣＰフィルム８（厚さ５０μ
ｍ、ＣＴＥ；Ｘ方向：１６ｐｐｍ／℃、Ｙ方向：１４ｐ
ｐｍ／℃）に表面処理（Ｏ2プラズマ処理）を行い、Ｂ
ステージまで硬化した厚さ１１μｍのＴＡＢ用接着剤２
１をこの上に設けた後、パンチング加工によりデバイス
ホールを設けて厚さ３５μｍの電解銅箔（ロープロファ
イル品、Ｒｚ＝４μｍ）を接着し、３層ＴＡＢキャリア
テープを得た。このキャリアテープをパターンエッチン
グして、インナーリード２３及びアウターリード２２を
形成したものは、ＬＣＰフィルムの吸湿膨張係数が小さ
いのでパターンの位置ずれが小さく、また銅箔とベース
フィルムとの線膨張係数マッチングが良く導電体パター
ンに熱応力が生じにくく、そり、歪が少なく良好な性能
を得た。
１０重量％を含有するＬＣＰフィルム８（厚さ５０μ
ｍ、ＣＴＥ；Ｘ方向：１６ｐｐｍ／℃、Ｙ方向：１４ｐ
ｐｍ／℃）に表面処理（Ｏ2プラズマ処理）を行い、Ｂ
ステージまで硬化した厚さ１１μｍのＴＡＢ用接着剤２
１をこの上に設けた後、パンチング加工によりデバイス
ホールを設けて厚さ３５μｍの電解銅箔（ロープロファ
イル品、Ｒｚ＝４μｍ）を接着し、３層ＴＡＢキャリア
テープを得た。このキャリアテープをパターンエッチン
グして、インナーリード２３及びアウターリード２２を
形成したものは、ＬＣＰフィルムの吸湿膨張係数が小さ
いのでパターンの位置ずれが小さく、また銅箔とベース
フィルムとの線膨張係数マッチングが良く導電体パター
ンに熱応力が生じにくく、そり、歪が少なく良好な性能
を得た。
【００４０】実施例８ 実施例７の接着剤層２１を低融点（３１０℃）のＬＣＰ
フィルム２４にした。これによりＬＣＰのみで絶縁体部
を形成した、擬似２層ＴＡＢキャリアテープが得られ
た。この接着層のＬＣＰ２４は、半田耐熱２６０℃、２
０秒を有し、キャリアテープ全体として充分な耐熱性を
もつ。また、このものは熱硬化型の接着層でないことか
ら、硬化剤による電気特性（耐マイグレーション性等）
の劣化が大幅に低減できた。
フィルム２４にした。これによりＬＣＰのみで絶縁体部
を形成した、擬似２層ＴＡＢキャリアテープが得られ
た。この接着層のＬＣＰ２４は、半田耐熱２６０℃、２
０秒を有し、キャリアテープ全体として充分な耐熱性を
もつ。また、このものは熱硬化型の接着層でないことか
ら、硬化剤による電気特性（耐マイグレーション性等）
の劣化が大幅に低減できた。
【００４１】
【発明の効果】本発明のインターポーザは、融点が２８
０℃以上と高く、半田耐熱性にすぐれ、かつ線膨張係数
を９ｐｐｍ／℃より大きく２５ｐｐｍ／℃以下にコント
ロールした特定物性のＬＣＰフィルムを用いて構成した
ことから、信頼性の高いＩＣチップパッケージを提供す
ることができるもので、その産業的意義は非常に高い。
本発明のＩＣチップパッケージは、そのインターポーザ
に線膨張係数が銅の線膨張係数である１６．２ｐｐｍ／
℃に近いＬＣＰフィルムからなるインターポーザを用い
たことにより、導電体パターンの信頼性が高く、さらに
これを樹脂モールドしたパッケージにおいては、従来の
ポリイミドフィルムをインターポーザとして用いたもの
よりもＬＣＰフィルムの方が吸水率が低いことにより、
パッケージクラックを低減できる。また、従来のセラミ
ックスインターポーザに比べ、安価でかつ薄く、軽いパ
ッケージとすることができる。さらに、本発明のＩＣチ
ップパッケージの場合、そのＬＣＰフィルムの吸水率が
低く、かつそのモールド樹脂との接着性が良いことか
ら、モールドする樹脂の量を少なくでき、安価で、薄
く、軽くすることができる。そして、軽いＣＳＰ、ＢＧ
Ａは大変な利点がある。これはこのようなパッケージを
基板に実装する際に行う、半田バンプを用いたＣＣＢ
（コントロール、コラップス、ボンディング）法による
接合の際、軽い方がよりセルフアライメントがききやす
い点である。
０℃以上と高く、半田耐熱性にすぐれ、かつ線膨張係数
を９ｐｐｍ／℃より大きく２５ｐｐｍ／℃以下にコント
ロールした特定物性のＬＣＰフィルムを用いて構成した
ことから、信頼性の高いＩＣチップパッケージを提供す
ることができるもので、その産業的意義は非常に高い。
本発明のＩＣチップパッケージは、そのインターポーザ
に線膨張係数が銅の線膨張係数である１６．２ｐｐｍ／
℃に近いＬＣＰフィルムからなるインターポーザを用い
たことにより、導電体パターンの信頼性が高く、さらに
これを樹脂モールドしたパッケージにおいては、従来の
ポリイミドフィルムをインターポーザとして用いたもの
よりもＬＣＰフィルムの方が吸水率が低いことにより、
パッケージクラックを低減できる。また、従来のセラミ
ックスインターポーザに比べ、安価でかつ薄く、軽いパ
ッケージとすることができる。さらに、本発明のＩＣチ
ップパッケージの場合、そのＬＣＰフィルムの吸水率が
低く、かつそのモールド樹脂との接着性が良いことか
ら、モールドする樹脂の量を少なくでき、安価で、薄
く、軽くすることができる。そして、軽いＣＳＰ、ＢＧ
Ａは大変な利点がある。これはこのようなパッケージを
基板に実装する際に行う、半田バンプを用いたＣＣＢ
（コントロール、コラップス、ボンディング）法による
接合の際、軽い方がよりセルフアライメントがききやす
い点である。
【図１】ポリイミドフィルムを用いた従来のＩＣチップ
パッケージの断面図を示す。
パッケージの断面図を示す。
【図２】図１のＩＣチップパッケージを樹脂モールドし
て形成したプラスチックモールド型ＣＳＰの断面図を示
す。
て形成したプラスチックモールド型ＣＳＰの断面図を示
す。
【図３】本発明のインターポーザの構造説明図を示す。 ａ：概略図 ｂ：そのＡ−Ａ’断面図
【図４】図３に示すインターポーザにＩＣチップを実装
し、さらに樹脂モールドして形成したプラスチックモー
ルド型ＣＳＰの断面図を示す。
し、さらに樹脂モールドして形成したプラスチックモー
ルド型ＣＳＰの断面図を示す。
【図５】本発明によるインナーリード付ＣＳＰ用インタ
ーポーザの構造説明図を示す。 ａ：概略図 ｂ：そのＢ−Ｂ’断面図
ーポーザの構造説明図を示す。 ａ：概略図 ｂ：そのＢ−Ｂ’断面図
【図６】図５に示すインターポーザを用いて形成したＣ
ＳＰの断面図を示す。
ＳＰの断面図を示す。
【図７】本発明のシリカ含有インターポーザを用いて形
成したワイヤーボンディングタイプＩＣチップパッケー
ジの断面図を示す。
成したワイヤーボンディングタイプＩＣチップパッケー
ジの断面図を示す。
【図８】本発明のインターポーザを用いたリードフレー
ムタイプＣＳＰの断面図を示す。
ムタイプＣＳＰの断面図を示す。
【図９】本発明の３層ＴＡＢキャリアテープの断面図を
示す。
示す。
【図１０】本発明の擬似２層ＴＡＢキャリアテープの断
面図を示す。
面図を示す。
１ ＩＣチップ ２ 半田バンプ ３ インナーパッド ４ アウターパッド ５ ポリイミドフィルム ６ スルーホール ７ インターポーザ ８ ＬＣＰフィルム ９ 封止レジン １０ ＣＳＰ １１ 吊り部 １２ スプロケットホール １３ 外部端子用半田バンプ １４ インナーリード １５ Ａｕバンプ １６ 接着樹脂 １７ Ａｕワイヤー １８ ダイボンド樹脂 １９ リードフレーム ２０ Ａｌパッド ２１ ＴＡＢ用接着剤 ２２ アウターリード ２３ インナーリード ２４ 低融点ＬＣＰフィルム
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 大橋 和彦 東京都世田谷区赤堤１丁目42番５号 ジャ パンゴアテックス株式会社内 (72)発明者 浦上 明 東京都世田谷区赤堤１丁目42番５号 ジャ パンゴアテックス株式会社内 (72)発明者 沖野 浩一 東京都世田谷区赤堤１丁目42番５号 ジャ パンゴアテックス株式会社内
Claims (11)
- 【請求項１】 表面に導電体パターンを有する液晶ポリ
マー分子が平面方向にランダムに配向した等方向性を有
する液晶ポリマーフィルムからなり、該液晶ポリマーフ
ィルムは、９ｐｐｍ／℃より大きく２５ｐｐｍ／℃以下
の線膨張係数と２８０℃以上の融点を有し、かつ該フィ
ルムにおける１つの平面方向の線膨張係数Ａと他の平面
方向の線膨張係数Ｂの比Ａ／Ｂが０．４〜２．５の範囲
にあることを特徴とするＩＣチップ実装用インターポー
ザ。 - 【請求項２】 請求項１の導体パターンと等方向性を有
する液晶ポリマーフィルムとが直に接していることを特
徴とするインターポーザ。 - 【請求項３】 請求項１の導体パターンと等方向性を有
する液晶ポリマーフィルムとの間に接着剤層を有するこ
とを特徴とするインターポーザ。 - 【請求項４】 該導電体パターンが、１４〜２０ｐｐｍ
／℃の線膨張係数を有する金属層又は合金層からなる請
求項１のＩＣチップ実装用インターポーザ。 - 【請求項５】 請求項４の金属層又は合金層が、蒸着法
で形成されたもの、無電解めっき法で形成されたもの、
金属箔もしくは合金箔を接着剤で貼り付けたもの又は金
属箔もしくは合金箔を直に貼り付けたものであることを
特徴とするインターポーザ。 - 【請求項６】 請求項１のインターポーザが、インナー
リードとアウターリードを有したＴＡＢキャリアーテー
プであることを特徴とするインターポーザ。 - 【請求項７】 請求項１のインターポーザにＩＣチップ
を実装したＩＣチップパッケージ。 - 【請求項８】 樹脂モールドしてプラスチックモールド
型ＩＣチップパッケージとした請求項７のＩＣチップパ
ッケージ。 - 【請求項９】 該ＩＣチップの実装方式が、ＴＡＢ方式
である請求項７又は８のＩＣパッケージ。 - 【請求項１０】 該ＩＣチップの実装方式が、フリップ
チップ方式である請求項７又は８のＩＣチップパッケー
ジ。 - 【請求項１１】 該ＩＣチップの実装方式が、ワイヤー
ボンディング方式である請求項７又は８のＩＣパッケー
ジ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10092897A JP3695890B2 (ja) | 1997-02-19 | 1997-04-03 | Ｉｃチップ実装用インターポーザ及びｉｃチップパッケージ |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5106797 | 1997-02-19 | ||
| JP9-51067 | 1997-02-19 | ||
| JP10092897A JP3695890B2 (ja) | 1997-02-19 | 1997-04-03 | Ｉｃチップ実装用インターポーザ及びｉｃチップパッケージ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10294335A true JPH10294335A (ja) | 1998-11-04 |
| JP3695890B2 JP3695890B2 (ja) | 2005-09-14 |
Family
ID=26391594
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10092897A Expired - Lifetime JP3695890B2 (ja) | 1997-02-19 | 1997-04-03 | Ｉｃチップ実装用インターポーザ及びｉｃチップパッケージ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3695890B2 (ja) |
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| JP3695890B2 (ja) | 2005-09-14 |
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