JPH09199974A - 弾性表面波装置 - Google Patents

弾性表面波装置

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JPH09199974A
JPH09199974A JP8025777A JP2577796A JPH09199974A JP H09199974 A JPH09199974 A JP H09199974A JP 8025777 A JP8025777 A JP 8025777A JP 2577796 A JP2577796 A JP 2577796A JP H09199974 A JPH09199974 A JP H09199974A
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JP
Japan
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thin film
piezoelectric substrate
surface acoustic
acoustic wave
wave device
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Pending
Application number
JP8025777A
Other languages
English (en)
Inventor
Yoshihiro Yamada
義博 山田
Taiji Yamamoto
泰司 山本
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NEC Corp
Original Assignee
NEC Corp
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Publication date
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Publication of JPH09199974A publication Critical patent/JPH09199974A/ja
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    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03HIMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00Networks comprising electromechanical or electro-acoustic elements; Electromechanical resonators
    • H03H9/02Details
    • H03H9/02535Details of surface acoustic wave devices
    • H03H9/02818Means for compensation or elimination of undesirable effects
    • H03H9/02921Measures for preventing electric discharge due to pyroelectricity

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  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Acoustics & Sound (AREA)
  • Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】弾性表面波装置において、圧電基板の焦電効果
による雑音の発生を抑制する。 【解決手段】圧電基板上に抵抗体薄膜を形成し、さらに
その上に、導電性薄膜により交叉指状電極を形成する。
あるいは、圧電基板上に、導電性薄膜により交叉指状電
極を形成し、さらにその上に、抵抗体薄膜を形成する。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、弾性表面波装置に
関し、特に圧電基板の焦電効果による雑音を抑圧した弾
性表面波装置に関する。
【0002】
【従来の技術】弾性表面波(SAW;Surface Acoustic Wav
e)装置は、圧電基板表面に、電気信号を弾性表面波に
変換するトランスデューサとして適当に重み付けされ
た、すだれ状電極(IDT;interdigital transducer)を
設けて弾性表面波を送受する構成とされ、従来の装置に
おいては、単に、圧電基板上に、導電性薄膜により交叉
指状電極パターンが形成された構成とされている。
【0003】図2(A)は、従来の弾性表面波装置の一
例を示す平面図であり、図2(B)は、図2(A)のB
−B′線の断面図である。
【0004】同図に示すように、従来の弾性表面波装置
は、圧電基板21上に、導電性薄膜により交叉指状電極
パターン22が形成されているのみである。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】図2に示した構成の従
来の弾性表面波装置においては、周囲温度が変化する
と、圧電基板の焦電効果により圧電基板表面に電荷が発
生し、この電荷による電界が、圧電基板周囲雰囲気の絶
縁耐力以上になると、この電荷は交叉指状電極に放電さ
れる。
【0006】この電荷が交叉指状電極のグランド側電極
へ放電されても、弾性表面波装置としては問題ないが、
交叉指状電極のホット側電極へ放電されると、弾性表面
波装置にとって雑音になる。
【0007】そして、圧電基板の焦電効果より圧電基板
表面に発生した電荷は、圧電基板周囲雰囲気の絶縁耐力
以上にならないと、放電されないことから、一度に放電
される電荷量は多くなり、雑音レベルが大きくなるとい
う問題点があった。
【0008】特に、圧電基板にタンタル酸リチウム(L
iTaO3)、あるいは、ニオブ酸リチウム(LiNb
3)を用いた弾性表面波装置では、圧電基板の焦電性
が強く、この欠点は著しい。
【0009】従って、本発明は、上記事情に鑑みて為さ
れたものであって、その目的は、圧電基板の焦電効果に
よる雑音の発生を抑制する弾性表面波装置を提供するこ
とにある。
【0010】
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するた
め、本発明は、圧電基板上に抵抗体薄膜を形成し、さら
に、前記抵抗体薄膜の上に導電性薄膜により交叉指状電
極パターンを形成した、ことを特徴とする弾性表面波装
置を提供する。
【0011】また、本発明は、圧電基板上に、導電性薄
膜により交叉指状電極パターンを形成し、さらに、前記
導電性薄膜の上に、抵抗体薄膜を形成した、ことを特徴
とする弾性表面波装置を提供するものである。
【0012】
【作用】上記構成のもと、本発明によれば、圧電基板の
焦電効果により圧電基板表面に発生した電荷は、発生と
同時に抵抗体薄膜を通じて交叉指状電極へ放電するの
で、電荷量が微少のうちに放電させることができ、この
ため弾性表面波装置における雑音レベルを微少レベルに
低減することができる。
【0013】
【発明の実施の形態】本発明の実施の形態について図面
を参照して以下に詳細に説明する。
【0014】図1(A)は、本発明の弾性表面波装置の
一実施形態を示す平面図である。また、図1(B)は、
図1(A)のA−A′線の断面図である。
【0015】図1を参照して、本実施形態に係る弾性表
面波装置においては、圧電基板11上に抵抗体薄膜13
が形成されており、さらに、この上に、導電性薄膜によ
る、交叉指状電極パターン12が形成されている。な
お、抵抗体薄膜13としては、例えばスパッタリング法
又は蒸着法等で形成されるシリコン(Si)薄膜等が用
いられる。
【0016】図1(C)は、本発明の第2の実施形態の
構成を示す図であり、図1(A)のA−A′線の断面図
である。
【0017】本実施形態においては、圧電基板11上
に、導電性薄膜による、交叉指状電極パターン12が形
成されており、さらに、この上に(交叉指状電極パター
ン12及び圧電基板11の表面を覆うように)、抵抗体
薄膜13が形成されている。
【0018】このような構成とすることにより、周囲温
度の変化で、圧電基板11の焦電効果により圧電基板表
面に発生した電荷は、発生と同時に抵抗体薄膜13を通
じて、交叉指状電極12へ放電される。
【0019】上記したように、圧電基板の焦電効果によ
り圧電基板表面に発生した電荷が、交叉指状電極のグラ
ンド側電極へ放電されても弾性表面波装置としては問題
なく、交叉指状電極のホット側電極へ放電されると弾性
表面波装置にとっては雑音になる。
【0020】しかしながら、上記実施形態においては、
焦電効果により圧電基板表面に発生した電荷は、発生と
同時に交叉指状電極へ放電され、放電される電荷量は微
少であるため、弾性表面波装置にとっての雑音レベルを
微少にすることができる。
【0021】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
圧電基板と、導電性薄膜による交叉指状電極パターンと
を、抵抗体薄膜で接続することにより、圧電基板の焦電
効果による、弾性表面波装置への雑音レベルを抑止低減
することができるという効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明に係る弾性表面波装置の実施形態を示す
図である。
【図2】従来の弾性表面波波装置の構成の一例を示す図
である。
【符号の説明】
11、21 圧電基板 12、22 交叉指状電極 13 抵抗体薄膜

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】圧電基板上に抵抗体薄膜を形成し、 さらに、前記抵抗体薄膜の上に導電性薄膜により交叉指
    状電極パターンを形成した、 ことを特徴とする弾性表面波装置。
  2. 【請求項2】圧電基板上に、導電性薄膜により交叉指状
    電極パターンを形成し、 さらに、前記導電性薄膜の上に抵抗体薄膜を形成した、 ことを特徴とする弾性表面波装置。
JP8025777A 1996-01-19 1996-01-19 弾性表面波装置 Pending JPH09199974A (ja)

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EP97100637A EP0785620A3 (en) 1996-01-19 1997-01-16 Surface acoustic wave device

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