JPH10307236A - 光半導体モジュール - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 十分な受光量をとることが可能な、傾斜端面
を有する光導波部材を備えた光半導体モジュールを提供
することを課題とする。 【解決手段】 傾斜端面を有する光ファイバ５からその
傾斜端面で屈折されて出射される光の光軸９上に、受光
素子１の受光部１０ａの中心が位置するように光ファイ
バ５と受光素子１とを配置するようにした。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】この発明は、光半導体モジュ
ールに関し、特に受光素子を備えた光半導体モジュール
に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】光通信分野において用いられる光ファイ
バや光導波路等の光導波部材と受光素子とを備えた光半
導体モジュールにおいては、その内部を導波される光の
光軸に垂直な面に対して、所定の角度で傾斜した端面
（以下、傾斜端面と称す）を有する光導波部材を用いた
ものがある。

【０００３】図９は従来の光半導体モジュールの構造を
示す斜視図（図９(a))，及び該光半導体モジュールの主
要部の平面図（図９(b))，すなわち、該光半導体モジュ
ールの主要部をパッケージボディの上方から見た図であ
り、図において、１は受光素子、１０は受光素子１の光
吸収領域で、光吸収領域１０の受光素子１の端面に露出
している部分が、光が入射されるべき受光部１０ａとな
る。なお、ここでは、半導体層の表面に、面状に不純物
が導入されてなる光吸収部１０を備えた表面入射型フォ
トダイオードを用いている。２は受光素子１を載置する
ためのＳｉ等からなるキャリア、２ａはキャリア上に設
けられた配線、５はその端面の一方がその内部を導波さ
れる光軸に垂直な面に対して所定の角度で傾斜してい
る、直径が約１２５μｍである光ファイバで、ここで
は、特にその傾斜している端面の反対側の端部には他の
光ファイバと接続するためのコネクタ１５が設けられて
いるものを用いているが、この反対側の端部の形状はど
のような形状であってもよい。５ａはこの光ファイバ５
内を導波される光の光軸、９は光ファイバ５の傾斜して
いる端面から、該端面において屈折されて出射される屈
折光の光軸、３はＶ字形状の溝を有する光ファイバ５を
保持するためのＳｉ等からなるプラットホーム、４はプ
ラットホーム３との間に光ファイバ５を挟み込むための
Ｓｉ等からなるプラットホームカバー、６はセラミック
等からなるパッケージボディ、６ａはパッケージリー
ド、７はセラミック等からなるパッケージカバー、８は
接続用ワイヤである。

【０００４】次に従来の光半導体モジュールの組み立て
方法について説明する。従来は、光軸に対して斜めの端
面を有する光ファイバ５と受光素子１との光結合をとる
場合、図９のように光ファイバ５の中心，即ち光ファイ
バ５内部の光軸５ａと、受光部１０ａの中心とが一致す
るように組み立てており、まず、受光素子１をキャリア
２に半田等を用いてダイボンドし、受光素子１の電極
（図示せず）とキャリア２上の配線２ａとをそれぞれワ
イヤボンディングして金線等のワイヤ８で接続する。次
にＶ字溝を備えたプラットホーム３とパッケージボディ
６とを用意し、プラットホーム３ををパッケージボディ
６の底面上に樹脂等を用いて固定する。続いて、上記キ
ャリア２をパッケージボディ６の底面上に樹脂等を用い
て、光ファイバ５が配置された際に光ファイバ５内部の
光軸５ａ上に受光素子１の受光部１０ａの中心が位置す
るようにダイボンドする。このとき、キャリア２の位置
決めは、パッシブアライメントにより行われ、例えば、
パッケージボディ６上方から撮像装置等により、受光素
子１とＶ字溝等の位置とをモニタしながら、キャリア２
を機械的に移動させることにより位置決めされる。そし
てパッケージリード６ａとキャリア２の配線２ａとをワ
イヤボンディングにより接続する。

【０００５】さらに、光ファイバ５をその傾斜した端面
側が受光素子１の受光部１０ａに対向するようにプラッ
トホーム３のＶ字溝上にパッシブアライメント等により
位置合わせして配置する。その後プラットホームカバー
４を光ファイバ５上に被せるようにプラットホーム３上
に樹脂等を用いて固定する。

【０００６】最後に、パッケージカバー７をパッケージ
ボディ６上に樹脂などを用いて固定して、光半導体モジ
ュールを封止する。

【０００７】このような端面が傾斜している光ファイバ
５を用いた光半導体モジュールにおいては、光ファイバ
５内を導波されてその端面から出射された光が受光素子
１に入射されるが、その出射光の一部が受光素子１の表
面で反射され、その反射光が光ファイバ５に戻ってきて
も、光ファイバ５の端面が傾斜しているため、光はこの
端面で反射され、光ファイバ５内に再入射されない。ま
た、光ファイバ５内を導波している光が光ファイバ５内
において端面で反射した場合においても、光は光軸に対
して傾斜して反射され、光ファイバ５外に出射される。
この結果、これらの反射光が光ファイバ５内を再び導波
されるのを防ぐことができ、反射光の光信号へ与える悪
影響を無くして、光半導体モジュールの高性能化を図る
ことができる。

【０００８】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記の
ような，その端面がその内部を導波される光の光軸に対
して垂直から所定の傾きを有する光ファイバや光導波路
等の光導波部材を用いた光半導体モジュールにおいて
は、上記端面における光の屈折により、光導波部材から
出射される光は、その光軸が、光導波部材内を導波され
る光の光軸に対してその端面の傾きに応じて曲がって出
射されることになる。例えば図９において、端面の光フ
ァイバ内部の光軸に対して垂直な面に対する傾きを８゜
とした場合、出射される光の光軸の光ファイバ内部の光
軸に対する傾きθはθ≒４゜となる。そのため、受光素
子の受光部中心を光ファイバ等光導波部材の中心、すな
わち光導波部材の内部における光軸に合わせて組み立て
ると、受光素子の受光部の中心と受光素子に向かって照
射される光の中心がずれてしまう。この結果、出射光の
スポットサイズに対して受光素子の受光部の大きさが十
分に大きくない場合、照射光の多くが受光部に入射され
なくなり、受光量が十分にとれなくなるという問題があ
った。また、出射光のスポットサイズに対して受光素子
の受光部の大きさを十分に大きいものとすると、受光部
とこの受光部が形成されている半導体層とのｐｎ接合面
積が増えて、雑音が増えて実用化が困難となるという問
題があった。

【０００９】この発明は、上記のような問題点を解消す
るためになされたものであり、十分な受光量をとること
が可能な、傾斜端面を有する光導波部材を備えた光半導
体モジュールを提供することを目的とする。

【００１０】

【課題を解決するための手段】この発明に係る光半導体
モジュールは、光を出射する端面の一方が、その内部を
導波される光の光軸に垂直な面に対して、所定の角度で
傾斜している光導波部材と、該光導波部材の傾斜してい
る端面から該端面において屈折されて出射された出射光
の光軸上に、その受光部が位置するように配置された受
光素子を備えるようにしたものである。

【００１１】また、上記光半導体モジュールにおいて、
受光素子を、その受光部が、上記傾斜している端面から
出射される出射光の光軸に対して垂直となるよう配置す
るようにしたものである。

【００１２】また、上記光半導体モジュールにおいて、
受光素子を、その受光部が、光導波部材の内部を導波さ
れる光の光軸と、上記傾斜している端面から出射される
出射光の光軸とにより形成される平面に対して直角以外
の所定の角度で交わるように配置するようにしたもので
ある。

【００１３】また、上記光半導体モジュールにおいて、
受光素子を、その光吸収領域が受光部に対してストライ
プ状に伸びるように設けられている端面入射型の受光素
子としたものである。

【００１４】また、上記光半導体モジュールにおいて、
受光素子を、そのストライプ状の光吸収領域が伸びる方
向が、上記傾斜している端面から出射される出射光の光
軸の方向と平行となるようにしたものである。

【００１５】また、上記光半導体モジュールにおいて、
受光素子を、その受光部がストライプ状の光吸収領域が
伸びる方向に対して垂直ではないようにしたものであ
る。

【００１６】

【発明の実施の形態】

実施の形態１．図１は従来の光半導体モジュールの構造
を示す斜視図（図１(a))，及び該光半導体モジュールの
主要部を上方からみた平面図（図１(b))であり、図にお
いて、１は受光素子、１０は受光素子１の光吸収領域
で、光吸収領域１０の受光素子１の端面に露出している
部分が、光が入射されるべき受光部１０ａとなる。な
お、この実施の形態１においては半導体層の表面に、面
状に不純物が導入されて形成された光吸収部１０を備え
た表面入射型フォトダイオードを用いている。２は受光
素子１を載置するためのＳｉ等からなるキャリア、２ａ
はキャリア上に設けられた配線、５はその端面の一方が
その内部を導波される光軸に垂直な面に対して所定の角
度で傾斜している、直径が約１２５μｍである光ファイ
バで、ここでは、特にその傾斜している端面の反対側の
端部には他の光ファイバと接続するためのコネクタ１５
が設けられているものを用いているが、この反対側の端
部の形状はどのような形状であってもよい。５ａはこの
光ファイバ５内を導波される光の光軸、９は光ファイバ
５の傾斜している端面から、該端面において屈折されて
出射される屈折光の光軸、３はＶ字形状の溝を有する光
ファイバ５を保持するためのＳｉ等からなるプラットホ
ーム、４はプラットホーム３との間に光ファイバ３を挟
み込むためのＳｉ等からなるプラットホームカバー、６
はセラミック等からなるパッケージボディ、６ａはパッ
ケージリード、７はセラミック等からなるパッケージカ
バー、８は接続用ワイヤである。

【００１７】この光半導体モジュールは、その内部を導
波される光の光軸５ａに対して傾斜した端面（以下、傾
斜端面と称す）を有する光ファイバ５と受光素子１とを
備えているとともに、該光ファイバ５からその傾斜端面
で屈折されて出射される光の光軸９上に、受光素子１の
受光部１０ａの中心が位置するように光ファイバ５と受
光素子１とを配置するようにしたものである。

【００１８】次に本発明の実施の形態１に係る光半導体
モジュールの組み立て方法について説明する。まず、受
光素子１をキャリア２に半田等を用いてダイボンドし、
受光素子１の電極（図示せず）とキャリア２上の配線２
ａとをそれぞれワイヤボンディングして金線等のワイヤ
８で接続する。次にＶ字溝を備えたプラットホーム３と
パッケージボディ６とを用意し、プラットホーム３をパ
ッケージボディ６の底面上に樹脂等を用いて固定する。
続いて、上記キャリア２をパッケージボディ６の底面上
に樹脂等を用いて、光ファイバ５が配置された際に光フ
ァイバ５の傾斜端面から屈折されて出射される光の光軸
上に受光素子１の受光部１０ａの中心が位置するように
ダイボンドする。このとき、キャリア２の位置決めは、
パッシブアライメントにより行われ、例えば、パッケー
ジボディ６上方から撮像装置等により、受光素子１とＶ
字溝等の位置とをモニタしながら、キャリア２を機械的
に移動させることにより位置決めされる。そしてパッケ
ージリード６ａとキャリア２の配線２ａとをワイヤボン
ディングにより接続する。

【００１９】さらに、光ファイバ５をその傾斜した端面
側が受光素子１の受光部に対向するようにプラットホー
ム３のＶ字溝上にパッシブアライメント等により位置合
わせして配置する。その後プラットホームカバー４を光
ファイバ５上に被せるようにプラットホーム３上に樹脂
等を用いて固定する。

【００２０】最後に、パッケージカバー７をパッケージ
ボディ６上に樹脂などを用いて固定して、光半導体モジ
ュールを封止する。

【００２１】本実施の形態１に係る光半導体モジュール
においては、光ファイバ５から出射される光の光軸９上
に受光素子１の受光部１０ａの中心が配置されているた
め、光ファイバ５から受光素子１へ照射される光の中心
が受光部１０ａの中心と一致する。この結果、出射光の
スポットサイズに対して受光素子１の受光部１０ａの大
きさが十分に大きくなくても、照射光のほとんどが受光
部１０に入射され、受光量を十分にとることが可能とな
る。なお、この実施の形態１においては、受光部１０ａ
が光ファイバ５内の光軸５ａに対して垂直となるように
配置しているが、この光軸５ａに対する配置角度は垂直
以外の角度としてもよい。

【００２２】ここで、受光素子１０と光ファイバ５との
位置関係について図１(b) を用いて説明する。受光素子
１と光ファイバ５とを配置する際には、受光素子１の受
光部１０ａの中心とファイバ端面の中心との間の、光フ
ァイバ内の光軸５ａに平行な方向の距離Ｌと、光ファイ
バ５端面の光ファイバ５内の光軸５ａに対して垂直な面
に対する傾斜角度θ1 とに応じて、光ファイバ５内の光
軸５ａに対して垂直な方向に移動量ｘだけ受光素子のキ
ャリアへの取り付け位置をずらすことにより、十分な受
光量を得ることが可能となる。この移動量ｘは、以下に
示す光の屈折を与える式(1) と式(2) とから得られ、

【００２３】

【数１】

【００２４】

【数２】

【００２５】例えばθ1 ＝８゜，Ｌ＝５０μｍとする
と、ｘ≒３．５μｍとなる。このように本実施の形態１
に係る光半導体モジュールによれば、傾斜端面を有する
光ファイバ５と受光素子１とを備えているとともに、該
光ファイバ５からその傾斜端面で屈折されて出射される
光の光軸上に、受光素子１の受光部の中心が位置するよ
うに光ファイバ５と受光素子１とを配置するようにした
から、光ファイバ５から出射される光が照射される位置
と、受光部１０ａの位置との位置ずれをなくすことがで
き、十分な受光量を取ることが可能となり、高性能な光
半導体モジュールを提供できる効果が得られる。

【００２６】なお、上記実施の形態１においては、光フ
ァイバ５から出射される光の光軸９上に受光素子１の受
光部１０ａの中心が位置するようにしたが、本発明にお
いては、受光素子１の受光部１０ａの中心近傍が光ファ
イバ５から出射される光の光軸９上に位置していればよ
く、このような場合においても上記実施の形態１と同様
の効果を奏する。

【００２７】実施の形態２．図２は本発明の実施の形態
２に係る光半導体モジュールの主要部の構造を示す平面
図であり、図において、図１と同一符号は同一または相
当する部分を示している。

【００２８】この光半導体モジュールは、上記実施の形
態１において説明した光半導体モジュールにおいて、受
光素子１を、その受光部１０ａが光ファイバ５から出射
される光の光軸９に対して垂直となるように配置するよ
うにして、光ファイバ５からの出射光の受光素子１の表
面上でのスポット形状を円形形状となるようにしたもの
で、光ファイバ５の光が出射される点と、受光部１０ａ
の中央との間の距離を上記実施の形態１の光半導体モジ
ュールと同じ距離とした場合、上記実施の形態１に係る
光半導体モジュールでは、受光部１０ａに照射される光
ファイバ５からの出射光のスポット形状が楕円形になっ
てしまうのに対し、その照射面積を小さくすることが可
能となり、受光部の面積の小さい受光素子を用いること
が可能となる。

【００２９】また、通常、受光素子では、受光部の形状
が円形であることが多く、上記実施の形態１において説
明した光半導体モジュールでは、受光部に照射される光
ファイバからの出射光のスポット形状が受光部の形状と
は異なる楕円形になってしまうため、受光部の面積を小
さくすると受光部から照射光がはみ出して十分な光結合
が得られない場合があり、また、受光部の面積を大きく
すると受光部に光が照射されない非照射領域が形成さ
れ、この領域が光結合に関与せずに雑音の原因となって
しまうこととなるが、本実施の形態２においては、照射
されるスポット形状が受光部１０ａと同じ円形となるた
め、出射光の照射される領域を受光部内に、非照射領域
を形成することなく収めることができ、受光部で受けら
れる光量を増やすことができる。

【００３０】このように本実施の形態２によれば、上記
実施の形態１と同様の効果を奏するとともに、受光素子
１を、その受光部１０ａが光ファイバ５から出射される
光の光軸９に対して垂直となるように受光素子１を配置
するようにしたから、雑音の少ない受光部の面積の小さ
い受光素子を用いつつ、受光部で受けられる光量を増や
すことができる効果が得られる。

【００３１】実施の形態３．図３は本発明の実施の形態
３に係る光半導体モジュールの主要部の構造を示す平面
図であり、図において、図１と同一符号は同一または相
当する部分を示している。

【００３２】この実施の形態３に係る光半導体モジュー
ルは上記実施の形態１に係る光半導体モジュールにおい
て、受光素子１をその受光面１０ａが、光ファイバ５の
内部を導波される光の光軸５ａと、上記傾斜している端
面から出射される出射光の光軸９とにより形成される平
面に対して直角以外の所定の角度で交わるように傾けて
配置するようにしたものである。

【００３３】通常、光半導体モジュールにおいては、受
光素子と光ファイバとの光結合を行う際、受光素子にお
いて反射した光が再度光ファイバに戻る、すなわち反射
戻り光が生じると通信上問題が生じるが、図３に示すよ
うに、受光素子１を、その受光部１０ａの中心が、光フ
ァイバ５からその傾斜端面で屈折されて出射される光の
光軸９上に、位置するように配置するとともに、受光素
子１をその受光部１０ａが、光ファイバ５の内部を導波
される光の光軸５ａと、上記傾斜している端面から出射
される出射光の光軸９とにより形成される平面に対して
直角以外の所定の角度で交わるように傾けて配置するよ
うにすることにより、受光部１０ａでの反射光を光ファ
イバ５の配置されている方向と異なる方向へ確実に反射
させることができ、このように、上記実施の形態１と同
様の効果を奏するとともに、反射戻り光を確実に減らす
ことができる効果が得られる。

【００３４】実施の形態４．図４は本発明の実施の形態
４に係る光半導体モジュールの主要部の構造を示す平面
図であり、図において、図１と同一符号は同一または相
当する部分を示しており、１ａは、端面入射型の受光素
子であり、これは、光吸収領域５０が、その光が入射さ
れるべき領域である受光部５０ａを有する端面から、所
定の方向，例えば垂直方向にストライプ状に伸びている
構造を有する。なお、ここでは、受光素子１ａは、その
基板（図示せず）をパッケージボディの底面と平行とな
るよう配置しているが、図８に示すようにストライプ状
の光吸収領域を軸として、９０度回転させてパッケージ
やキャリア等に配置するようにしてもよい。このとき、
図８において、図４と同一符号は同一または相当する部
分を示している。

【００３５】この実施の形態４においては、上記実施の
形態１において説明した光半導体モジュールにおいて、
受光素子として表面入射型の受光素子を用いる代わり
に、端面入射型の受光素子１ａを用いるようにしたもの
であり、このような場合においても上記実施の形態１と
同様の効果を奏する。

【００３６】実施の形態５．図５は本発明の実施の形態
５に係る光半導体モジュールの主要部の構造を示す平面
図であり、図において、図３と同一符号は同一または相
当する部分を示しており、１ａは上記実施の形態４にお
いて説明した光半導体モジュールに用いられているもの
と同様の、受光部５０ａを有する端面から所定の方向に
ストライプ状に伸びる光吸収領域５０を備えた端面入射
型の受光素子である。

【００３７】この光半導体モジュールは、上記実施の形
態３において説明した光半導体受光素子において、受光
素子として端面入射型のものを用いたものであり、この
ような場合においても、上記実施の形態３と同様の効果
を奏する。

【００３８】実施の形態６．図６は本発明の実施の形態
６に係る光半導体モジュールの主要部の構造を示す、パ
ッケージの上方から見た平面図であり、図において、図
１と同一符号は同一または相当する部分を示しており、
１ａは上記実施の形態４において説明した光半導体モジ
ュールに用いられているものと同様の、受光部５０ａを
有する端面から所定の方向にストライプ状に伸びる光吸
収領域５０を備えた端面入射型の受光素子である。

【００３９】本実施の形態６に係る光半導体モジュール
は、実施の形態４に示す光半導体モジュールにおいて、
受光素子の光吸収領域のストライプが伸びる方向と光フ
ァイバから出射される光の光軸方向とを一致させるよう
にしたものであり、これらが一致していないと光吸収領
域５０の受光部５０ａ近傍のみにしか光が入射されず、
そのため十分な光結合がとれない場合があるが、本実施
の形態６においては、受光部５０ａのストライプが伸び
る方向と光ファイバ５から出射される光の光軸９方向と
を一致させるようにしているので、受光部５０ａ近傍で
吸収されなかった光もそのまま受光部５０ａ近傍以外の
光吸収領域５０内に入射されるため、光吸収領域５０全
体において光を吸収することができ、十分な光結合を得
ることができる効果が得られる。

【００４０】実施の形態７．図７は本発明の実施の形態
７に係る光半導体モジュールの主要部の構造を示す平面
図であり、図において、図６と同一符号は同一または相
当する部分を示しており、１ｂは、その端面の光吸収領
域５０を含む領域が光吸収領域５０のストライプ方向に
対して垂直とならないように加工されている端面入射型
の受光素子、５１はこの垂直とならないように加工され
た傾斜面、５０ｂは受光部である。

【００４１】この実施の形態７に係る光半導体モジュー
ルは、上記実施の形態６に示す光半導体モジュールにお
いて、受光素子の端面だけをドライエッチングなどで光
吸収領域５０のストライプ方向に対して垂直とならない
ように斜めに加工した受光素子１ｂを用いるようにした
ものであり、光ファイバ５からの出射光の光軸９と光吸
収領域５０のストライプ方向が一致しているため、上記
実施の形態６と同様の効果を奏するとともに、端面が、
光ファイバ５からの出射光の光軸９と垂直とならないた
め、光ファイバ５への受光部５０ｂによる反射戻り光を
減らすことができ、高品質な光半導体モジュールを提供
できる効果が得られる。

【００４２】なお、上記各実施の形態においては、傾斜
端面を備えた光ファイバを用いた光半導体モジュールに
ついて説明したが、本発明においては、他の傾斜端面を
備えた光導波部材，例えば光導波路等を用いるようにし
てもよく、このような場合においても上記各実施の形態
と同様の効果を奏する。

【００４３】

【発明の効果】以上のようにこの発明によれば、光を出
射する端面の一方が、その内部を導波される光の光軸に
垂直な面に対して、所定の角度で傾斜している光導波部
材と、該光導波部材の傾斜している端面から該端面にお
いて屈折されて出射された出射光の光軸上に、その受光
部が位置するように配置された受光素子を備えるように
したから、光導波部材から出射される光が照射される位
置と、受光部の位置との位置ずれをなくし、受光部にお
いて十分な受光量をとることが可能となり、高性能な光
半導体モジュールを提供できる効果がある。

【００４４】また、この発明によれば、受光素子を、そ
の受光部が、上記傾斜している端面から出射される出射
光の光軸に対して垂直となるよう配置するようにしたか
ら、受光部上でのスポット形状を円形として、雑音の少
ない受光部の面積の小さい受光素子を用いつつ、受光部
で受けられる光量を増やすことができ、高性能な光半導
体モジュールを提供できる効果がある。

【００４５】また、この発明によれば、受光素子を、そ
の受光部が、光導波部材の内部を導波される光の光軸
と、上記傾斜している端面から出射される出射光の光軸
とにより形成される平面に対して直角以外の所定の角度
で交わるように配置するようにしたから、受光部におけ
る反射戻り光が光導波部材に再入射されるのを確実に防
ぐことができ、高性能な光半導体モジュールを提供でき
る効果がある。

【００４６】また、この発明によれば、受光素子を、そ
の光吸収領域が受光部に対してストライプ状に伸びるよ
うに設けられている端面入射型の受光素子としたから、
光導波部材から出射される光が照射される位置と、受光
部の位置との位置ずれをなくし、受光部において十分な
受光量をとることが可能となり、高性能な光半導体モジ
ュールを提供できる効果がある。

【００４７】また、この発明によれば、受光素子を、そ
のストライプ状の光吸収領域が伸びる方向が、上記傾斜
している端面から出射される出射光の光軸の方向と平行
となるようにしたから、光吸収領域全体において十分な
光結合を得ることが可能となり、高性能な光半導体モジ
ュールを提供できる効果がある。

【００４８】また、この発明によれば、受光素子を、そ
の受光部がストライプ状の光吸収領域が伸びる方向に対
して垂直ではないようにしたから、光吸収領域全体にお
いて十分な光結合を得ることができるとともに、反射戻
り光を減らすことが可能となり、高性能な光半導体モジ
ュールを提供できる効果がある。

【図面の簡単な説明】

【図１】 本発明の実施の形態１に係る光半導体モジュ
ールの構造を示す図である。

【図２】 本発明の実施の形態２に係る光半導体モジュ
ールの構造を示す平面図である。

【図３】 本発明の実施の形態３に係る光半導体モジュ
ールの構造を示す平面図である。

【図４】 本発明の実施の形態４に係る光半導体モジュ
ールの構造を示す平面図である。

【図５】 本発明の実施の形態５に係る光半導体モジュ
ールの構造を示す平面図である。

【図６】 本発明の実施の形態６に係る光半導体モジュ
ールの構造を示す平面図である。

【図７】 本発明の実施の形態７に係る光半導体モジュ
ールの構造を示す平面図である。

【図８】 本発明の実施の形態４に係る光半導体モジュ
ールの変形例の構造を示す平面図である。

【図９】 従来の光半導体モジュールの構造を示す斜視
図である。

【符号の説明】

１，１ａ，１ｂ 受光素子、２，２ａキャリア、３ プ
ラットホーム、４ プラットホームカバー、５ 光ファ
イバ、５ａ 光ファイバ内の光軸、６ パッケージボデ
ィ、６ａ パッケージリード、７ パッケージカバー、
８ ワイヤ、９ 出射光の光軸、１０ 光吸収領域、１
０ａ，５０ａ，５０ｂ 受光部、１５ コネクタ、５１
傾斜面。

Claims (6)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 光を出射する端面の一方が、その内部を
   導波される光の光軸に垂直な面に対して、所定の角度で
   傾斜している光導波部材と、 該光導波部材の傾斜している端面から該端面において屈
   折されて出射された出射光の光軸上に、その受光部が位
   置するように配置された受光素子を備えたことを特徴と
   する光半導体モジュール。
2. 【請求項２】 請求項１に記載の光半導体モジュールに
   おいて、 上記受光素子は、その受光部が、上記傾斜している端面
   から出射される出射光の光軸に対して垂直となるよう配
   置されていることを特徴とする光半導体モジュール。
3. 【請求項３】 請求項１に記載の光半導体モジュールに
   おいて、 上記受光素子は、その受光部が、光導波部材の内部を導
   波される光の光軸と、上記傾斜している端面から出射さ
   れる出射光の光軸とにより形成される平面に対して直角
   以外の所定の角度で交わるように配置されていることを
   特徴とする光半導体モジュール。
4. 【請求項４】 請求項１に記載の光半導体モジュールに
   おいて、 上記受光素子は、その光吸収領域が受光部に対してスト
   ライプ状に伸びるように設けられている端面入射型の受
   光素子であることを特徴とする光半導体モジュール。
5. 【請求項５】 請求項４に記載の光半導体モジュールに
   おいて、 上記受光素子は、そのストライプ状の光吸収領域が伸び
   る方向が、上記傾斜している端面から出射される出射光
   の光軸の方向と平行であることを特徴とする光半導体モ
   ジュール。
6. 【請求項６】 請求項５に記載の光半導体モジュールに
   おいて、 上記受光素子は、その受光部がストライプ状の光吸収領
   域が伸びる方向に対して垂直ではないことを特徴とする
   光半導体モジュール。