JPH10307397A - ポジ型感光性組成物 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】２５０ｎｍ以下、特に２２０ｎｍ以下の露光光
源の使用時に、良好な感度、解像度及びレジストパター
ンを与え、更に十分な耐ドライエッチング性を示すポジ
型感光性組成物を提供すること。 【解決手段】（Ａ）活性光線又は放射線の照射により酸
を発生する化合物及び（Ｂ）（イ）多環型の脂環式基、
（ロ）酸の作用により分解してアルカリ現像液中での溶
解性を増大させるエステル基及び（ハ）酸の作用により
分解してアルカリ現像液中での溶解性を増大させるアセ
タ−ル基をそれぞれ少なくとも１つ有する樹脂を含有す
ることを特徴とするポジ型感光性組成物。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、ＩＣ等の半導体製
造工程、液晶、サーマルヘッド等の回路基板の製造、更
にその他のフォトファブリケーション工程に使用される
ポジ型感光性組成物に関するものである。更に詳しくは
２５０ｎｍ以下の遠紫外線を露光光源とする場合に好適
なポジ型感光性組成物に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】ポジ型フォトレジスト組成物としては、
一般にアルカリ可溶性樹脂と感光物としてのナフトキノ
ンジアジド化合物とを含む組成物が用いられている。例
えば、「ノボラック型フェノール樹脂／ナフトキノンジ
アジド置換化合物」として米国特許第3,666,473号、米
国特許第4,115,128号及び米国特許第4,173,470号等に、
また最も典型的な組成物として「クレゾール−ホルムア
ルデヒドより成るノボラック樹脂／トリヒドロキシベン
ゾフェノン−１，２−ナフトキノンジアジドスルホン酸
エステル」の例がトンプソン「イントロダクション・ト
ゥー・マイクロリソグラフィー」（L.F.Thompson「Intr
oduction to Microlithography」）（ＡＣＳ出版、Ｎ
ｏ．２，１９号、ｐ１１２〜１２１）に記載されてい
る。このような基本的にノボラック樹脂とキノンジアジ
ド化合物から成るポジ型フォトレジストは、ノボラック
樹脂がプラズマエッチングに対して高い耐性を与え、ナ
フトキノンジアジド化合物は溶解阻止剤として作用す
る。そして、ナフトキノンジアジドは光照射を受けると
カルボン酸を生じることにより溶解阻止能を失い、ノボ
ラック樹脂のアルカリ溶解度を高めるという特性を持
つ。

【０００３】これまで、かかる観点からノボラック樹脂
とナフトキノンジアジド系感光物を含有する数多くのポ
ジ型フォトレジストが開発、実用化され、０．８μｍ〜
２μｍ程度までの線幅加工に於いては十分な成果をおさ
めてきた。しかし、集積回路はその集積度を益々高めて
おり、超ＬＳＩなどの半導体基板の製造に於いてはハー
フミクロン以下の線幅から成る超微細パターンの加工が
必要とされるようになってきた。

【０００４】パターンの微細化を図る手段の一つとし
て、レジストのパターン形成の際に使用される露光光源
の短波長化が知られている。このことは光学系の解像度
（線幅）Ｒを表すレイリーの式、 Ｒ＝ｋ・λ／ＮＡ （ここでλは露光光源の波長、ＮＡはレンズの開口数、
ｋはプロセス定数）で説明することができる。この式か
らより高解像度を達成する、即ちＲの値を小さくする為
には、露光光源の波長λを短くすれば良いことがわか
る。例えば６４Ｍビットまでの集積度のＤＲＡＭの製造
には、現在まで高圧水銀灯のｉ線（３６５ｎｍ）が光源
として使用されてきた。２５６ＭビットＤＲＡＭの量産
プロセスには、ｉ線に変わりＫｒＦエキシマレーザー
（２４８ｎｍ）が露光光源としての採用が検討されてい
る。更に１Ｇビット以上の集積度を持つＤＲＡＭの製造
を目的として、より短波長の光源が検討されており、Ａ
ｒＦエキシマレーザー（１９３ｎｍ）、Ｆ₂ エキシマレ
ーザー（１５７ｎｍ）、Ｘ線、電子ビーム等の利用が有
効であると考えられている（上野巧ら、「短波長フォト
レジスト材料−ＵＬＳＩに向けた微細加工−」、ぶんし
ん出版、１９８８年）。

【０００５】従来のノボラックとナフトキノンジアジド
化合物から成るレジストを遠紫外光やエキシマレーザー
光を用いたリソグラフィーのパターン形成に用いると、
ノボラック及びナフトキノンジアジドの遠紫外領域に於
ける吸収が強いために光がレジスト底部まで到達しにく
くなり、低感度でテーパーのついたパターンしか得られ
ない。

【０００６】このような問題を解決する手段の一つが、
米国特許第4,491,628号、欧州特許第249,139号等に記載
されている化学増幅系レジスト組成物である。化学増幅
系ポジ型レジスト組成物は、遠紫外光などの放射線の照
射により露光部に酸を生成させ、この酸を触媒とする反
応によって、活性放射線の照射部と非照射部の現像液に
対する溶解性を変化させ、パターンを基板上に形成させ
るパターン形成材料である。

【０００７】このような例として、光分解により酸を発
生する化合物と、アセタールまたはＯ，Ｎ−アセタール
化合物との組合せ（特開昭４８−８９００３号）、オル
トエステル又はアミドアセタール化合物との組合せ（特
開昭５１−１２０７１４号）、主鎖にアセタール又はケ
タール基を有するポリマーとの組合せ（特開昭５３−１
３３４２９号）、エノールエーテル化合物との組合せ
（特開昭５５−１２９９５号）、Ｎ−アシルイミノ炭酸
化合物化合物との組合せ（特開昭５５−１２６２３６
号）、主鎖にオルトエステル基を有するポリマーとの組
合せ（特開昭５６−１７３４５号）、第３級アルキルエ
ステル化合物との組合せ（特開昭６０−３６２５号）、
シリルエステル化合物との組合せ（特開昭６０−１０２
４７号）、及びシリルエーテル化合物との組合せ（特開
昭６０−３７５４９号、特開昭６０−１２１４４６号）
等を挙げることができる。これらは原理的に量子収率が
１を越えるため、高い感光性を示す。

【０００８】同様に、酸存在下加熱することにより分解
し、アルカリ可溶化する系として、例えば、特開昭５９
−４５４３９号、特開昭６０−３６２５号、特開昭６２
−２２９２４２号、特開昭６３−２７８２９号、特開昭
６３−３６２４０号、特開昭６３−２５０６４２号、特
開平５−１８１２７９号、Polym.Eng.Sce.,23巻、1012
頁（1983）；ACS.Sym.242巻、11頁（1984）；Semicondu
ctor World 1987年、11月号、91頁；Macromolecules,21
巻、1475頁（1988）；SPIE,920巻、42頁（1988）等に記
載されている露光により酸を発生する化合物と、第３級
又は２級炭素（例えばt-ブチル、2-シクロヘキセニル）
のエステル又は炭酸エステル化合物との組合せ系、特開
平４−２１９７５７号、同５−２４９６８２号、同６−
６５３３２号等に記載されているアセタール化合物との
組み合わせ系、特開平４−２１１２５８号、同６−６５
３３３号等に記載されているｔ−ブチルエーテル化合物
との組み合わせ系等が挙げられる。

【０００９】これらの系は、主として２４８ｎｍ領域で
の吸収の小さい、ポリ（ヒドロキシスチレン）を基本骨
格とする樹脂を主成分に使用する為、ＫｒＦエキシマレ
ーザーを露光光源とする場合には、高感度、高解像度
で、且つ良好なパターンを形成し、従来のナフトキノン
ジアジド／ノボラック樹脂系に比べて良好な系となり得
る。

【００１０】しかしながら、更なる短波長の光源、例え
ばＡｒＦエキシマレーザー（１９３ｎｍ）を露光光源と
して使用する場合は、芳香族基を有する化合物が本質的
に１９３ｎｍ領域に大きな吸収を示す為、上記化学増幅
系でも十分ではなかった。また、１９３ｎｍ波長領域に
吸収の小さいポリマーとして、ポリ（メタ）アクリレー
トの利用が J. Vac. Sci. Technol., B9, 3357 (1991)
に記載されているが、このポリマーは一般に半導体製造
工程で行われるドライエッチングに対する耐性が、芳香
族基を有する従来のフェノール樹脂に比べ低いという問
題があった。

【００１１】これに対し、脂環式基を有するポリマー
が、芳香族基と同様の耐ドライエッチング性を示し、且
つ１９３ｎｍ領域の吸収が小さいことが Proc. of SPI
E, 1672, 66 (1992) で報告され、近年同ポリマーの利
用が精力的に検討されるに至った。具体的には、特開平
４−３９６６５号、同５−８０５１５号、同５−２６５
２１２号、同５−２９７５９１号、同５−３４６６６８
号、同６−２８９６１５号、同６−３２４４９４号、同
７−４９５６８号、同７−１８５０４６号、同７−１９
１４６３号、同７−１９９４６７号、同７−２３４５１
１号、同７−２５２３２４号、同８−２５９６２６号等
の明細書に記載されているポリマーが挙げられる。但し
これらのポリマーは耐ドライエッチング性が必ずしも十
分とは言えなかった。また、この技術では、次に述べる
パターンプロファイルすなわち形勢されたレジストパタ
ーンの形状の品質も不十分なものであり、改良が必要で
あった。

【００１２】上記ポジ型化学増幅レジストは、アルカリ
可溶性樹脂、放射線露光によつて酸を発生する化合物
（光酸発生剤）、及び酸分解性基を有するアルカリ可溶
性樹脂に対する溶解阻止化合物から成る３成分系と、酸
との反応により分解しアルカリ可溶となる基を有する樹
脂と光酸発生剤からなる２成分系に大別できる。これら
２成分系あるいは３成分系のポジ型化学増幅レジストに
おいては、露光により光酸発生剤からの酸を介在させ
て、熱処理により分解後現像してレジストパターンを得
るものである。ここで、露光から熱処理（ＰＥＢ処理）
までの放置時間が長くなるに従い、この発生した酸が拡
散したり、また雰囲気中の塩基性不純物によりレジスト
表面部の酸が失活してしまい、感度、更に現像後のレジ
ストパターンのプロファイル（Ｔ−トップ形状）や線幅
等が変化してしまうという問題があった。特に、酸分解
性基がｔ−ＢＯＣ基、ｔ−ブチルエステル基等の酸分解
活性化エネルギーが比較的大きい基の場合、感度低下、
Ｔ−トップの形成が大きな支障となる。これに対しアセ
タール基、テトラヒドロピラニルエーテル基、シリルエ
ーテル基等の酸分解活性化エネルギーが小さい基では、
これらの問題は緩和される一方、パターンの線幅が細く
なるという問題が生じる。更に、これらの基からは酸分
解によりフェノール性ＯＨ基が生成する為、溶解促進効
果が十分でなく、露光前後の溶解のディスクリミネーシ
ョンが不十分で、解像度、デフォーカスラチチュード等
にいまだ不十分なところがあった。

【００１３】これらを解決する手段として、発生した酸
によりカルボン酸を発生する基を利用する技術が、特公
平２−２７６６０号、特開平５−１８１２７９号、特開
平６−８３０５９号、特開平６−２８２０７３号の各公
報、欧州特許第３６６５９０号の明細書等に開示されて
いる。しかし、これらの技術でも、上記の露光後経時に
よるパターン形状変化（Ｔトップ形状）、感度の変動
（低下）がいまだ改善されなかった。

【００１４】一方、酸の作用により分解し易く（酸分解
活性化エネルギーが小さく）、パターン形状変化、感度
の変動を起こし難い基を有する樹脂を用いる技術が、特
開平２−２５８５０号、特公平３−４４２９０号、特開
平４−２１１２５８号、特開平５−１９４８２号、特開
平５−２４９６８２号、特開平６−１６７８１１号、特
開平６−２７３９３４号の各公報、欧州特許第４４７８
６８号の明細書に開示されている。しかし、これらの技
術では、溶解促進効果が発現せず、アルカリ現像液によ
る露光後の溶解性が不十分で、解像度、パターンプロフ
ァイルが満足できるものではなかった。

【００１５】ポジ型化学増幅レジストは光酸発生剤もパ
ターン形成特性に大きな影響をあたえるので、光酸発生
剤技術の面からも上記の感度、解像度、パタ−ンプロフ
ァイル改良の研究は続けられてきて、これまでにＮ−イ
ミドスルホネート、Ｎ−オキシムスルホネート、ｏ−ニ
トロベンジルスルホネート、ピロガロールのトリスメタ
ンスルホネート等が開発され、さらに、光分解効率が大
きく画像形成性が優れるものとして、スルフォニウム、
ヨ−ドニウムなどがしられている。それらの対塩にはＰ
Ｆ₆ ^- 、ＡｓＦ₆ ^- 、ＳｂＦ₆ ^- 等の過フルオロルイス
酸塩、さらにはトリフルオロメタンスルホン酸アニオ
ン、トルエンスルホン酸アニオンなどが知られている。
また、溶剤溶解性も向上させるという観点から直鎖のア
ルキル基、アルコキシ基を１個有するベンゼンスルホン
酸、ナフタレンスルホン酸又はアントラセンスルホン酸
も開示されている。しかしながら、それらのいずれも対
アニオン元素による汚染、露光後加熱処理までの経時で
レジストパターンの細りなどの欠点の解決が不十分であ
り、とりわけＡｒＦ光源に適した光酸発生剤は得られて
いない。

【００１６】

【発明が解決しようとする課題】以上述べたように、従
来技術では、遠紫外領域の露光光源に対して耐ドライエ
ッチ性とレジストパターン品質のいずれをも満足する感
光性組成物の必要性が増大しているのにその技術が得ら
れていない現状に鑑みて、本発明は、２５０ｎｍ以下、
特に２２０ｎｍ以下の露光光源の使用に好適なポジ型感
光性組成物を提供することを目的としており、具体的に
は２５０ｎｍ以下、特に２２０ｎｍ以下の露光光源の使
用時に、良好な感度、解像度及びレジストパターンを与
え、更に十分な耐ドライエッチング性を示すポジ型感光
性組成物を提供することを目的としている。

【００１７】

【課題を解決するための手段】本発明者等は、上記諸特
性に留意し鋭意検討した結果、本発明の目的が以下の特
定の酸の作用により分解する基と多環型の脂環式基を併
せ有する樹脂を使用することで達成されることを見出
し、本発明に到達した。即ち、本発明は、下記構成であ
る。

【００１８】（１） （Ａ）活性光線又は放射線の照射
により酸を発生する化合物、（Ｂ）（イ）多環型の脂環
式基、（ロ）下記一般式（Ｉ）で表される酸の作用によ
り分解してアルカリ現像液中での溶解性を増大させる基
及び（ハ）下記一般式（II）で表される酸の作用により
分解してアルカリ現像液中での溶解性を増大させる基を
それぞれ少なくとも１つ有する樹脂を含有することを特
徴とするポジ型感光性組成物。

【００１９】

【化４】

【００２０】一般式（Ｉ）及び（II) において、Ｒ₁ 〜
Ｒ₅ は同じでも異なっていてもよく、水素原子、又は置
換基を有していてもよい、アルキル基、シクロアルキル
基、アルケニル基、アシル基、もしくはアルコキシカル
ボニル基を表し、Ｒ₆ は置換基を有していてもよい、ア
ルキル基、シクロアルキル基、アルケニル基を表す。た
だし、式（Ｉ）のＲ₁ 〜Ｒ₃ の内の２つ、又は式（II）
のＲ₄ 〜Ｒ₆ の内の２つが結合して３〜８個の炭素原子
又はヘテロ環原子からなる環構造を形成してもよい。

【００２１】（２）（Ｂ）の樹脂が、（イ）多環型の脂
環式基を有する繰り返し構造単位、（ロ）下記一般式
（III)、(IV)及び（Ｖ）で表される繰り返し構造単位の
少なくとも一つ及び（ハ）下記一般式（VI）、(VII）及
び（VIII）で表される繰り返し構造単位の少なくとも一
つを有する樹脂であることを特徴とする上記１に記載の
ポジ型感光性組成物。

【００２２】

【化５】

【００２３】式（III) 〜（VIII）中、Ｒ₇ 及びＲ
₉ は、同じでも異なってもよく、水素原子、ハロゲン原
子、シアノ基、アルキル基又はハロアルキル基を表し、
Ｒ₈ は、シアノ基、−ＣＯ−ＯＲ₁₀，又は−ＣＯ−ＮＲ
₁₁Ｒ₁₂を表す。Ｒ₁₀〜Ｒ₁₂は、同じでも異なってもよ
く、水素原子、置換基を有してもよい、アルキル基、シ
クロアルキル基、アルケニル基を表す。また、Ｒ₁₁とＲ
₁₂が結合して環を形成してもよい。Ｘ₀ 〜Ｘ₂ は同じで
も異なってもよく、単結合であるか、置換基を有してい
てもよい２価のアルキレン基、アルケニレン基、シクロ
アルキレン基、−Ｏ−、−ＳＯ₂ −、−Ｏ−ＣＯ−Ｒ₁₃
−、−ＣＯ−Ｏ−Ｒ₁₄−、又は−ＣＯ−ＮＲ₁₅−Ｒ₁₆−
を表す。ここに、Ｒ₁₃、Ｒ₁₄及びＲ₁₆は同じでも異なっ
てもよく、単結合もしくは、２価のアルキレン基、アル
ケニレン基又はシクロアルキレン基を表し、更にこれら
の基は、エーテル基、エステル基、アミド基、ウレタン
基あるいはウレイド基とともに２価の基を形成しても良
い。また、Ｒ₁₅は水素原子、置換基を有していても良
い、アルキル基、シクロアルキル基又はアルケニル基を
表す。Ｒ₁ 〜Ｒ₆ は上記１に記載のものと同義である。

【００２４】（３） （Ｂ）の樹脂が、更にカルボキシ
ル基を有することを特徴とする上記（１）又は（２）に
記載のポジ型感光性組成物。

【００２５】（４） （Ｂ）の樹脂が、更にカルボキシ
ル基を有する下記一般式（IX) 、（Ｘ）又は（XI) で表
される繰り返し構造単位の少なくとも一つを含有する樹
脂であることを特徴とする上記（３）に記載のポジ型感
光性組成物。

【００２６】

【化６】

【００２７】一般式（IX) 〜（XI) において、Ｒ₁₇、Ｒ
₁₈、Ｒ₂₀〜Ｒ₂₂は同じでも異なってもよく、水素原子、
ハロゲン原子、シアノ基、アルキル基又はハロアルキル
基を表す。Ｒ₁₉はシアノ基、カルボキシル基、−ＣＯ−
ＯＲ₂₃又は−ＣＯ−ＮＲ₂₄Ｒ ₂₅を表す。Ｘ₃ 〜Ｘ₅ は同
じでも異なってもよく、単結合、置換基を有していても
よい、２価のアルキレン基、アルケニレン基もしくはシ
クロアルキレン基、−Ｏ−、−ＳＯ₂ −、−Ｏ−ＣＯ−
Ｒ₂₆−、−ＣＯ−Ｏ−Ｒ₂₇−又は−ＣＯ−ＮＲ₂₈−Ｒ₂₉
−を表す。Ｒ₂₃は置換基を有していても良い、アルキル
基、シクロアルキル基、アルケニル基を表す。Ｒ₂₄、Ｒ
₂₅、Ｒ₂₈は同じでも異なってもよく、水素原子、置換基
を有していてもよい、アルキル基、シクロアルキル基又
はアルケニル基を表し、Ｒ₂₄とＲ₂₅が結合して環を形成
してもよい。Ｒ₂₆、Ｒ₂₇、Ｒ₂₉は同じでも異なってもよ
く、単結合あるいは、２価のアルキレン基、アルケニレ
ン基、シクロアルキレン基を表し、更にこれらの基は、
エーテル基、エステル基、アミド基、ウレタン基又はウ
レイド基とともに２価の基を形成してもよい。

【００２８】（５） 酸の作用により分解し得る基を有
し、アルカリ現像液中での溶解性が酸の作用により増大
する、分子量３，０００以下の低分子酸分解性溶解阻止
化合物を含有することを特徴とする上記（１）〜（４）
のいずれかに記載のポジ型感光性組成物。

【００２９】（６） 露光光源として、２５０ｎｍ以下
の遠紫外光を使用することを特徴とする上記（１）〜
（５）のいずれかに記載のポジ型感光性組成物。

【００３０】（７） 露光光源として、２２０ｎｍ以下
の遠紫外光を使用することを特徴とする上記（６）に記
載のポジ型感光性組成物。

【００３１】

【発明の実施の形態】以下、本発明に使用する化合物に
ついて詳細に説明する。まず、本発明のポジ型感光性組
成物に成分（Ｂ）として含まれる（イ）多環型の脂環式
基と（ロ）一般式（Ｉ）で示される酸の作用により分解
してアルカリ現像液中での溶解性を増大させる基（酸分
解性基ともいう）及び（ハ）一般式（II）で示される酸
の作用により分解してアルカリ現像液中での溶解性を増
大させる基を併せ有する樹脂について説明する。本発明
において、上記一般式（Ｉ）及び(II)の酸分解性基と多
環型の脂環式基は、母体樹脂中のいずれの場所にも結合
させることができる。即ち、上記一般式（Ｉ）及び (I
I）の酸分解性基のそれぞれ一つ以上と多環型の脂環式
基が、母体樹脂中の異なる繰り返し単位に結合してもよ
いし、同一の繰り返し単位に結合してもよいし、更にそ
の両方の場合が樹脂中に併存している場合も含まれる。
以下に各構造単位について説明する。

【００３２】［１］酸分解性基を有する繰り返し構造単
位 本発明に係わる樹脂は、一般式（Ｉ）及び一般式 (II）
で表される基を有するものであればいずれのものでも用
いることができるが、好ましくは、一般式（Ｉ）に属す
る基では一般式 (III)〜（Ｖ）、一般式（II）に属する
基では一般式 (VI) 及び（VIII）で表される繰り返し構
造単位を有する。

【００３３】前記一般式におけるＲ₁ 〜Ｒ₅ のアルキル
基としては、好ましくは置換基を有していてもよい、メ
チル基、エチル基、プロピル基、ｎ−ブチル基、ｓｅｃ
−ブチル基、ヘキシル基、２−エチルヘキシル基、オク
チル基のような炭素数１〜８個のものが挙げられる。シ
クロアルキル基としては、好ましくは置換基を有してい
てもよい、シクロプロピル基、シクロペンチル基、シク
ロヘキシル基のような炭素数３〜８個のものが挙げられ
る。アルケニル基としては、好ましくは置換基を有して
いてもよい、ビニル基、プロペニル基、アリル基、ブテ
ニル基、ペンテニル基、ヘキセニル基、シクロヘキセニ
ル基のような炭素数２〜６個のものが挙げられる。

【００３４】また、好ましいアシル基には、ホルミル
基、アセチル基、プロパノイル基、ブタノイル基、オク
タノイル基などの炭素原子数１〜１０個のものがあげら
れる。好ましいアルコキシカルボニル基はメトキシカル
ボニル基、エトキシカルボニル基プロポキシカルボニル
基及びブトキシカルボニル基などの炭素原子数２〜８個
のものが挙げられる。Ｒ₆ で表される好ましいアルキル
基、シクロアルキル基、アルケニル基は、上記のＲ₁ 〜
Ｒ₅ の場合と同じである。Ｒ₁ 〜Ｒ₅ 並びにＲ₆ がさら
に置換基を有する場合、その置換基は、好ましくは水酸
基、ハロゲン原子（フッ素、塩素、臭素、ヨウ素）、ニ
トロ基、シアノ基、アミド基、スルホンアミド基、さら
にはメトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ
基など炭素原子数１〜８個のアルコキシ基、Ｒ₁ 〜Ｒ₅
として上に示したアルキル基、アルコキシカルボニル
基、アシル基及びシクロアルキル基が挙げられる。ま
た、同一炭素原子上のＲ₁ 〜Ｒ₅ 並びにＲ₆ の任意の２
つが互いに結合して環を形成する場合、好ましい環とし
ては、シクロプロピル基、シクロペンチル基、シクロヘ
キシル基、シクロヘプチル基、テトラヒドロフラニル
基、テトラヒドロピラニル基等のヘテロ原子を含んでい
てもよい３〜８員環の環が挙げられる。これら環は更に
上記した置換基を有していてもよい。

【００３５】Ｒ₇ 、Ｒ₉ 〜Ｒ₁₂及びＲ₁₅のアルキル基と
しては、好ましくは置換基を有していても良い、メチル
基、エチル基、プロピル基、ｎ−ブチル基、ｓｅｃ−ブ
チル基のような炭素数１〜４個のものが挙げられる。ハ
ロアルキル基としては、好ましくはフッ素原子、塩素原
子、臭素原子が置換した炭素数１〜４個のアルキル基、
例えばフルオロメチル基、クロロメチル基、ブロモメチ
ル基、フルオロエチル基、クロロエチル基、ブロモエチ
ル基等が挙げられる。

【００３６】Ｘ₀ 〜Ｘ₂ のアルキレン基としては、好ま
しくは置換基を有していても良い、メチレン基、エチレ
ン基、プロピレン基、ブチレン基、ヘキシレン基、オク
チレン基等の炭素数１〜８個のものが挙げられる。アル
ケニレン基としては、好ましくは置換基を有していても
良い、エテニレン基、プロペニレン基、ブテニレン基等
の炭素数２〜６個のものが挙げられる。シクロアルキレ
ン基としては、好ましくは置換基を有していても良い、
シクロペンチレン基、シクロヘキシレン基等の炭素数５
〜８個のものが挙げられる。また、Ｒ₁₃，Ｒ₁₄及びＲ₁₆
のアルキレン基、アルケニレン基、シクロアルキレン基
の具体的な基は、上記に示したものと同じものが挙げら
れ、さらにそれらの基とエ−テル基、エステル基、アミ
ド基、ウレタン基、ウレイド基の少なくとも１つの基と
一緒になって２価の基を形成したものも挙げられる。

【００３７】Ｒ₇ 、Ｒ₉ ，Ｘ₀ 〜Ｘ₂ が置換基を有する
場合、その置換基は、メチル基、エチル基、プロピル基
などの炭素数１〜４個のアルキル基、水酸基、ハロゲン
原子、ニトロ基、さらにはメトキシ基、エトキシ基、プ
ロポキシ基、ブトキシ基など炭素原子数１〜８個のアル
コキシ基である。

【００３８】以下に一般式（III)〜（Ｖ）で示される繰
り返し構造単位の具体例 (a1) 〜 (a17)、及び一般式
（ＶI)又は (VIII) で示される繰り返し構造単位の具体
例 (a16)〜 (a33)を示すが、本発明がこれに限定される
ものではない。

【００３９】

【化７】

【００４０】

【化８】

【００４１】

【化９】

【００４２】

【化１０】

【００４３】また本発明に係わる樹脂中における上記酸
分解性基を有する繰り返し構造単位（好ましくは一般式
（III)〜（Ｖ）並びに一般式（VI) 〜 (VIII) で表され
る繰り返し構造単位）の含有量は、アルカリ現像性、基
板密着性等の性能により調整されるが、全繰り返し単位
に対して好ましくは５〜８０モル％、より好ましくは１
０〜７０モル％、また更に好ましくは２０〜６０モル％
の範囲で使用される。樹脂の中での一般式（Ｉ）で表さ
れる基対一般式（II）で表される基のモル比率はその樹
脂で作られる感光性組成物のパターンプロファイルが最
適になるように選ばれる。通常その範囲は９０対１０〜
１０対９０であり、好ましくは２０対８０〜８０対２０
の間であり、より好ましくは４０対６０〜６０対４０で
ある。一般式（Ｉ）で表される基（好ましくは一般式
（III)〜（Ｖ）で表される構造単位）は、酸分解速度が
遅く、そのためパターンプロファイルはＴトップ形状に
なりやすく、逆に、一般式（II）で表される基（好まし
くは一般式（VI) 〜（VIII) で表される構造単位）は、
酸分解速度が速く、そのためパターンプロファイルは梯
形でかつ細くなりやすい。両者が同じ樹脂の中に存在
し、しかもその比率を調節することによって高品質のパ
ターンプロファイルを実現することが可能となったの
が、本発明の大きな利点である。 ［２］脂環式基を有する繰り返し構造単位 次に本発明に係わる（Ｂ）成分の樹脂が、一般式（Ｉ）
及び（II) の酸分解性基とともに有している多環型の脂
環式基を有する繰り返し構造単位について述べる。脂環
式基を有する繰り返し構造単位としては、多環型の脂環
式基を有するものであれば、いずれのものでも用いるこ
とができる。これにより、耐ドライエッチング性が効果
的に発現できる。多環型の脂環式基を有する繰り返し構
造単位としては、下記一般式（XII)〜（XIV)で表される
繰り返し構造単位が好ましい。

【００４４】

【化１１】

【００４５】式中、Ｒ₃₀、Ｒ₃₁及びＲ₃₃〜Ｒ₃₅は各々同
じでも異なっていてもよく、水素原子、ハロゲン原子、
シアノ基、アルキル基又はハロアルキル基を表す。Ｒ₃₂
は シアノ基、カルボキシル基、−ＣＯ−ＯＲ₃₆又は−
ＣＯ−Ｎ（Ｒ₃₇）（Ｒ₃₈）を表す。Ｘ₆ 〜Ｘ₈ は各々同
じでも異なっていてもよく、単結合、２価のアルキレン
基、２価のシクロアルキレン基、−Ｏ−、−ＳＯ₂ −、
−Ｏ−ＣＯ−Ｒ₃₉−、−ＣＯ−Ｏ−Ｒ₄₀−、−ＣＯ−Ｎ
（Ｒ₄₁）−Ｒ₄₂−基を表す。Ｒ₄₆はアルキル基、シクロ
アルキル基又はアルケニル基を表す。Ｒ₃₇、Ｒ₃₈及びＲ
₄₁は各々同じでも異なっていてもよく、水素原子、アル
キル基、シクロアルキル基又はアルケニル基を表す。ま
た、Ｒ₃₇とＲ₃₈が各々結合して環を形成しても良い。Ｒ
₃₉、Ｒ₄₀及びＲ₄₂は各々同じでも異なっていてもよく、
単結合、２価のアルキレン基もしくは２価のシクロアル
キレン基を表し、これら２価の基は、更にエーテル基、
エステル基、アミド基、ウレタン基あるいはウレイド基
とともに２価の基を形成してもよい。Ｙは、多環型の脂
環式基を表す。

【００４６】Ｒ₃₀〜Ｒ₃₁及びＲ₃₃〜Ｒ₃₅の好ましいアル
キル基としては、置換基を有していても良いメチル基、
エチル基、プロピル基、ｎ−ブチル基、ｓｅｃ−ブチル
基のような炭素数１〜４個のものが挙げられる。ハロア
ルキル基としては、好ましくはフッ素原子、塩素原子、
臭素原子が置換した炭素数１〜４個のアルキル基、例え
ばフルオロメチル基、クロロメチル基、ブロモメチル
基、フルオロエチル基、クロロエチル基、ブロモエチル
基等が挙げられる。

【００４７】Ｒ₃₆〜Ｒ₃₈及びＲ₄₁のアルキル基として
は、好ましくは置換基を有していても良いメチル基、エ
チル基、プロピル基、ｎ−ブチル基、ｓｅｃ−ブチル
基、ヘキシル基、２−エチルヘキシル基、オクチル基の
ような炭素数１〜８個のものが挙げられる。シクロアル
キル基としては、好ましくは置換基を有していても良い
シクロプロピル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル
基のような炭素数３〜８個のものが挙げられる。アルケ
ニル基としては、好ましくは置換基を有していても良い
ビニル基、プロペニル基、アリル基、ブテニル基、ペン
テニル基、ヘキセニル基、シクロヘキセニル基の様な炭
素数２〜６個のものが挙げられる。Ｒ₃₇とＲ₃₈とが結合
して窒素原子とともに形成する環としては、５〜８員環
を形成するものが好ましいが、具体的にはピロリジン、
ピペリジン、ピペラジン等が挙げられる。

【００４８】Ｘ₆ 〜Ｘ₈ 、Ｒ₃₉、Ｒ₄₀及びＲ₄₂のアルキ
レン基としては、好ましくは置換基を有していても良い
メチレン基、エチレン基、プロピレン基、ブチレン基、
ヘキシレン基、オクチレン基等の炭素数１〜８個のもの
が挙げられる。シクロアルキレン基としては、好ましく
は置換基を有していても良いシクロペンチレン基、シク
ロヘキシレン基等の炭素数５〜８個のものが挙げられ
る。

【００４９】Ｙは多環型の脂環式基を表し、好ましくは
置換基を有していても良い炭素数５個以上のビシクロ、
トリシクロ、テトラシクロ等の脂環式基であり、より好
ましくは置換基を有していても良い炭素数６〜３０個、
更に好ましくは置換基を有していても良い炭素数７〜２
５個の多環型の脂環式基を表す。

【００５０】また上記の好ましい更なる置換基として
は、水酸基、ハロゲン原子（フッ素、塩素、臭素、ヨウ
素）、ニトロ基、シアノ基、アミド基、スルホンアミド
基、Ｒ ₃₀〜Ｒ₃₁及びＲ₃₃〜Ｒ₃₅として示したアルキル
基、メトキシ基、エトキシ基、ヒドロキシエトキシ基、
プロポキシ基、ヒドロキシプロポキシ基、ブトキシ基等
のアルコキシ基、メトキシカルボニル基、エトキシカル
ボニル基等のアルコキシカルボニル基、ホルミル基、ア
セチル基、プロパノイル基等のアシル基、アセトキシ
基、ブチリルオキシ基等のアシロキシ基、カルボキシ基
が挙げられる。本発明に用いられる多環型の脂環式基の
うちの脂環式部分の代表的な構造としては、例えば下記
に示すものが挙げられる。

【００５１】

【化１２】

【００５２】

【化１３】

【００５３】本発明に係わる樹脂中における上記多環型
の脂環式基を有する一般式（XII)〜（XIV)で表される繰
り返し構造単位の含有量は、耐ドライエッチング性とア
ルカリ現像性、基板密着性等とのバランスにより調整さ
れるが、全繰り返し単位に対して２０モル％以上含有す
ることが好ましい。より好ましくは３０〜８０モル％、
更に好ましくは３５〜７０モル％の範囲で使用される。
以下に一般式（XII)〜（XIV)で表される繰り返し構造単
位の具体例〔（ｂ１）〜（ｂ４２）〕を示すが、本発明
がこれに限定されるものではない。

【００５４】

【化１４】

【００５５】

【化１５】

【００５６】

【化１６】

【００５７】

【化１７】

【００５８】

【化１８】

【００５９】

【化１９】

【００６０】［３］カルボキシル基を有する繰り返し構
造単位 本発明に係わる樹脂において、カルボキシル基は、上記
一般式（Ｉ）及び (II）の上記酸分解性基を有する繰り
返し構造単位（好ましくは一般式（III)〜（Ｖ）あるい
は一般式（VI) 〜 (VIII) で表される繰り返し構造単
位）中に含まれてもよいし、上記一般式（XII)〜（XIV)
の多環型の脂環式基を有する繰り返し構造単位中に含ま
れてもよいし、それらとは別の繰り返し構造単位中に含
まれてもよい。カルボキシル基を有する繰り返し構造単
位としては、前記一般式（IX) 〜（XI) で表される繰り
返し構造単位が好ましい。

【００６１】前記一般式（IX) 〜（XI) におけるＲ₁₇、
Ｒ₁₈、Ｒ₂₀〜Ｒ₂₂のアルキル基としては、好ましくは置
換基を有していても良いメチル基、エチル基、プロピル
基、ｎ−ブチル基、ｓｅｃ−ブチル基のような炭素数１
〜４個のものが挙げられる。ハロアルキル基としては、
好ましくはフッ素原子、塩素原子、臭素原子が置換した
炭素数１〜４個のアルキル基、例えばフルオロメチル
基、クロロメチル基、ブロモメチル基、フルオロエチル
基、クロロエチル基、ブロモエチル基等が挙げられる。

【００６２】Ｒ₂₃〜Ｒ₂₅、Ｒ₂₈のアルキル基としては、
好ましくは置換基を有していても良い、メチル基、エチ
ル基、プロピル基、ｎ−ブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、
ヘキシル基、２−エチルヘキシル基、オクチル基のよう
な炭素数１〜８個のものが挙げられる。シクロアルキル
基としては、好ましくは置換基を有していてもよい、シ
クロプロピル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基
のような炭素数３〜８個のものが挙げられる。アルケニ
ル基としては、好ましくは置換基を有していても良い、
ビニル基、プロペニル基、アリル基、ブテニル基、ペン
テニル基、ヘキセニル基、シクロヘキセニル基の様な炭
素数２〜６個のものが挙げられる。

【００６３】Ｘ₃ 〜Ｘ₅ のアルキレン基としては、好ま
しくは置換基を有していても良い、メチレン基、エチレ
ン基、プロピレン基、ブチレン基、ヘキシレン基、オク
チレン基等の炭素数１〜８個のものが挙げられる。アル
ケニレン基としては、好ましくは置換基を有していても
良い、エテニレン基、プロペニレン基、ブテニレン基等
の炭素数２〜６個のものが挙げられる。シクロアルキレ
ン基としては、好ましくは置換基を有していても良い、
シクロペンチレン基、シクロヘキシレン基等の炭素数５
〜８個のものが挙げられる。またＲ₂₅〜Ｒ₂₇、Ｒ₃₉のア
ルキレン基、アルケニレン基、シクロアルキレン基の好
ましいものは、上記Ｘ₃ 〜Ｘ₅ の好ましいものと同様も
のが挙げられ、更にそれらと、エーテル基、エステル
基、アミド基、ウレタン基、ウレイド基の少なくとも１
つとが一緒になって２価の基を形成したものが挙げられ
る。

【００６４】また上記の詳述した置換基の更なる置換基
としては、好ましくは水酸基、ハロゲン原子（フッ素、
塩素、臭素、ヨウ素）、ニトロ基、シアノ基、アミド
基、スルホンアミド基、Ｒ₁ 〜Ｒ₅ のアルキル基、メト
キシ基、エトキシ基、ヒドロキシエトキシ基、プロポキ
シ基、ヒドロキシプロポキシ基、ブトキシ基等のアルコ
キシ基、メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基
等のアルコキシカルボニル基、ホルミル基、アセチル
基、ベンゾイル基等のアシル基、アセトキシ基、ブチリ
ルオキシ基等のアシロキシ基、カルボキシ基が挙げられ
る。

【００６５】本発明に係わる樹脂中における上記カルボ
キシル基を有する繰り返し構造単位（好ましくは一般式
（IX) 〜（XI) で表される繰り返し構造単位）の含有量
は、アルカリ現像性、基板密着性、更には感度等の性能
により調整されるが、全繰り返し単位に対して好ましく
は０〜６０モル％、より好ましくは０〜４０モル％、ま
た更に好ましくは０〜２０モル％の範囲である。ここ
で、このカルボキシル基含有繰り返し構造単位の含有量
は、カルボキシル基を含有する上記一般式（IX)〜(XI)
で示される基を有する繰り返し構造単位及びカルボキシ
ル基を含有する酸分解性基含有繰り返し構造単位も含め
た、樹脂中の全てのカルボキシル基含有繰り返し構造単
位の量である。以上に述べたカルボキシル基を含んだ繰
り返し構造単位は、感光性組成物の現像時の溶解性を調
節して感度、パターンプロファイル、解像度を最適化す
るのに寄与する。以下に一般式（IX) 〜（XI) で表され
る繰り返し構造単位の具体例（ｃ１）〜（ｃ１８）を示
すが、本発明がこれに限定されるものではない。

【００６６】

【化２０】

【００６７】

【化２１】

【００６８】［４］本発明の感光性組成物の成分（Ｂ）
の樹脂にさらに含有できる繰り返し構造単位 本発明に係わる成分（Ｂ）の樹脂の性能を向上させる目
的で、同樹脂の２２０ｎｍ以下の透過性及び耐ドライエ
ッチング性を著しく損なわない範囲で、更に他の重合性
モノマーを共重合させても良い。使用することができる
共重合モノマーとしては、以下に示すものが含まれる。
例えば、アクリル酸エステル類、アクリルアミド類、メ
タクリル酸エステル類、メタクリルアミド類、アリル化
合物、ビニルエーテル類、ビニルエステル類、スチレン
類、クロトン酸エステル類などから選ばれる付加重合性
不飽和結合を１個有する化合物である。

【００６９】具体的には、例えばアクリル酸エステル
類、例えばアルキル（アルキル基の炭素原子数は１〜１
０のものが好ましい）アクリレート（例えば、アクリル
酸メチル、アクリル酸エチル、アクリル酸プロピル、ア
クリル酸ｔ−ブチル、アクリル酸アミル、アクリル酸シ
クロヘキシル、アクリル酸エチルヘキシル、アクリル酸
オクチル、アクリル酸−ｔ−オクチル、クロルエチルア
クリレート、２−ヒドロキシエチルアクリレート２，２
−ジメチルヒドロキシプロピルアクリレート、５−ヒド
ロキシペンチルアクリレート、トリメチロールプロパン
モノアクリレート、ペンタエリスリトールモノアクリレ
ート、グリシジルアクリレート、ベンジルアクリレー
ト、メトキシベンジルアクリレート、フルフリルアクリ
レート、テトラヒドロフルフリルアクリレート、など）
アリールアクリレート（例えばフェニルアクリレート、
ヒドロキシフェニルアクリレートなど）；

【００７０】メタクリル酸エステル類、例えば、アルキ
ル（アルキル基の炭素原子数は１〜１０のものが好まし
い）メタクリレート（例えば、メチルメタクリレート、
エチルメタクリレート、プロピルメタクリレート、イソ
プロピルメタクリレート、ｔ−ブチルメタクリレート、
アミルメタクリレート、ヘキシルメタクリレート、シク
ロヘキシルメタクリレート、ベンジルメタクリレート、
クロルベンジルメタクリレート、オクチルメタクリレー
ト、２−ヒドロキシエチルメタクリレート、４−ヒドロ
キシブチルメタクリレート、５−ヒドロキシペンチルメ
タクリレート、２，２−ジメチル−３−ヒドロキシプロ
ピルメタクリレート、トリメチロールプロパンモノメタ
クリレート、ペンタエリスリトールモノメタクリレー
ト、グリシジルメタクリレート、フルフリルメタクリレ
ート、テトラヒドロフルフリルメタクリレートなど）、
アリールメタクリレート（例えば、フェニルメタクリレ
ート、ヒドロキシフェニルメタクリレート、クレジルメ
タクリレート、ナフチルメタクリレートなど）；アクリ
ルアミド類、例えば、アクリルアミド、Ｎ−アルキルア
クリルアミド、（アルキル基としては、炭素原子数１〜
１０のもの、例えば、メチル基、エチル基、プロピル
基、ブチル基、ｔ−ブチル基、ヘプチル基、オクチル
基、シクロヘキシル基、ベンジル基、ヒドロキシエチル
基、ベンジル基などがある。）、Ｎ−アリールアクリル
アミド（アリール基としては、例えばフェニル基、トリ
ル基、ニトロフェニル基、ナフチル基、シアノフェニル
基、ヒドロキシフェニル基、カルボキシフェニル基など
がある。）、Ｎ，Ｎ−ジアルキルアクリルアミド（アル
キル基としては、炭素原子数１〜１０のもの、例えば、
メチル基、エチル基、ブチル基、イソブチル基、エチル
ヘキシル基、シクロヘキシル基などがある。）、Ｎ，Ｎ
−アリールアクリルアミド（アリール基としては、例え
ばフェニル基などがある。）、Ｎ−メチル−Ｎ−フェニ
ルアクリルアミド、Ｎ−ヒドロキシエチル−Ｎ−メチル
アクリルアミド、Ｎ−２−アセトアミドエチル−Ｎ−ア
セチルアクリルアミドなど；メタクリルアミド類、例え
ば、メタクリルアミド、Ｎ−アルキルメタクリルアミド
（アルキル基としては、炭素原子数１〜１０のもの、例
えば、メチル基、エチル基、ｔ−ブチル基、エチルヘキ
シル基、ヒドロキシエチル基、シクロヘキシル基などが
ある。）、Ｎ−アリールメタクリルアミド（アリール基
としては、フェニル基、ヒドロキシフェニル基、カルボ
キシフェニル基などがある。）、Ｎ，Ｎ−ジアルキルメ
タクリルアミド（アルキル基としては、エチル基、プロ
ピル基、ブチル基などがある。）、Ｎ，Ｎ−ジアリール
メタクリルアミド（アリール基としては、フェニル基な
どがある。）、Ｎ−ヒドロキシエチル−Ｎ−メチルメタ
クリルアミド、Ｎ−メチル−Ｎ−フェニルメタクリルア
ミド、Ｎ−エチル−Ｎ−フェニルメタクリルアミドな
ど；アリル化合物、例えば、アリルエステル類（例え
ば、酢酸アリル、カプロン酸アリル、カプリル酸アリ
ル、ラウリン酸アリル、パルミチン酸アリル、ステアリ
ン酸アリル、安息香酸アリル、アセト酢酸アリル、乳酸
アリルなど）、アリルオキシエタノールなど；

【００７１】ビニルエーテル類、例えば、アルキルビニ
ルエーテル（例えば、ヘキシルビニルエーテル、オクチ
ルビニルエーテル、デシルビニルエーテル、エチルヘキ
シルビニルエーテル、メトキシエチルビニルエーテル、
エトキシエチルビニルエーテル、クロルエチルビニルエ
ーテル、１−メチル−２，２−ジメチルプロピルビニル
エーテル、２−エチルブチルビニルエーテル、ヒドロキ
シエチルビニルエーテル、ジエチレングリコールビニル
エーテル、ジメチルアミノエチルビニルエーテル、ジエ
チルアミノエチルビニルエーテル、ブチルアミノエチル
ビニルエーテル、ベンジルビニルエーテル、テトラヒド
ロフルフリルビニルエーテルなど）、ビニルアリールエ
ーテル（例えばビニルフェニルエーテル、ビニルトリル
エーテル、ビニルクロルフェニルエーテル、ビニル−
２，４−ジクロルフェニルエーテル、ビニルナフチルエ
ーテル、ビニルアントラニルエーテルなど）；ビニルエ
ステル類、例えば、ビニルブチレート、ビニルイソブチ
レート、ビニルトリメチルアセテート、ビニルジエチル
アセテート、ビニルバレート、ビニルカプロエート、ビ
ニルクロルアセテート、ビニルジクロルアセテート、ビ
ニルメトキシアセテート、ビニルブトキシアセテート、
ビニルフェニルアセテート、ビニルアセトアセテート、
ビニルラクテート、ビニル−β−フェニルブチレート、
ビニルシクロヘキシルカルボキシレート、安息香酸ビニ
ル、サルチル酸ビニル、クロル安息香酸ビニル、テトラ
クロル安息香酸ビニル、ナフトエ酸ビニルなど；

【００７２】スチレン類、例えば、スチレン、アルキル
スチレン（例えば、メチルスチレン、ジメチルスチレ
ン、トリメチルスチレン、エチルスチレン、ジエチルス
チレン、イソプロピルスチレン、ブチルスチレン、ヘキ
シルスチレン、シクロヘキシルスチレン、デシルスチレ
ン、ベンジルスチレン、クロルメチルスチレン、トリフ
ルオルメチルスチレン、エトキシメチルスチレン、アセ
トキシメチルスチレンなど）、アルコキシスチレン（例
えば、メトキシスチレン、４−メトキシ−３−メチルス
チレン、ジメトキシスチレンなど）、ハロゲンスチレン
（例えば、クロルスチレン、ジクロルスチレン、トリク
ロルスチレン、テトラクロルスチレン、ペンタクロルス
チレン、ブロムスチレン、ジブロムスチレン、ヨードス
チレン、フルオルスチレン、トリフルオルスチレン、２
−ブロム−４−トリフルオルメチルスチレン、４−フル
オル−３−トリフルオルメチルスチレンなど）、ヒドロ
キシスチレン（例えば、４−ヒドロキシスチレン、３−
ヒドロキシスチレン、２−ヒドロキシスチレン、４−ヒ
ドロキシ−３−メチルスチレン、４−ヒドロキシ−３，
５−ジメチルスチレン、４−ヒドロキシ−３−メトキシ
スチレン、４−ヒドロキシ−３−（２−ヒドロキシベン
ジル）スチレンなど）、カルボキシスチレン；クロトン
酸エステル類、例えば、クロトン酸アルキル（例えば、
クロトン酸ブチル、クロトン酸ヘキシル、グリセリンモ
ノクロトネートなど）；イタコン酸ジアルキル類（例え
ば、イタコン酸ジメチル、イタコン酸ジエチル、イタコ
ン酸ジブチルなど）；マレイン酸あるいはフマール酸の
ジアルキルエステル類（例えば、ジメチルマレレート、
ジブチルフマレートなど）、無水マレイン酸、マレイミ
ド、アクリロニトリル、メタクリロニトリル、マレイロ
ニトリル等がある。その他、一般的には共重合可能であ
る付加重合性不飽和化合物であればよい。

【００７３】この中で、カルボキシスチレン、Ｎ−（カ
ルボキシフェニル）アクリルアミド、Ｎ−（カルボキシ
フェニル）メタクリルアミド等のようなカルボキシル基
を有するモノマー、ヒドロキシスチレン、Ｎ−（ヒドロ
キシフェニル）アクリルアミド、Ｎ−（ヒドロキシフェ
ニル）メタクリルアミド、ヒドロキシフェニルアクリレ
ート、ヒドロキシフェニルメタクリレート等のフェノー
ル性水酸基を有するモノマー、マレイミド等、アルカリ
溶解性を向上させるモノマーが共重合成分として好まし
い。本発明における樹脂中の他の重合性モノマーの含有
量としては、全繰り返し単位に対して、５０モル％以下
が好ましく、より好ましくは３０モル％以下である。

【００７４】一般式（Ｉ）及び(II)で示される酸分解性
基を有する繰り返し構造単位（好ましくは一般式（III)
〜（Ｖ）並びに一般式（VI) 〜（VIII）で表される繰り
返し構造単位）、多環型の脂環式基を有する繰り返し構
造単位（好ましくは一般式（XII)〜（XIV)の繰り返し構
造単位）、必要に応じて加えられるカルボキシル基を有
する繰り返し構造単位（好ましくは一般式（IX) 〜（X
I) で表される繰り返し構造単位）あるいは他の重合性
モノマーを含有する本発明に係わる成分（Ｂ）の樹脂
は、各構造に対応する不飽和モノマーのラジカル、カチ
オン、又はアニオン重合により合成される。更に詳しく
は前記に示した好ましい組成に基づき各モノマーを配合
し、適当な溶媒中、約１０〜４０重量％のモノマー濃度
にて重合触媒を添加し、必要に応じ加温して重合され
る。

【００７５】本発明の成分（Ｂ）の樹脂の分子量は、重
量平均（Ｍｗ：ポリスチレン標準）で２，０００以上、
好ましくは３，０００〜１，０００，０００、より好ま
しくは５，０００〜２００，０００、更に好ましくは２
０，０００〜１００，０００の範囲であり、大きい程、
耐熱性等が向上する一方で、現像性等が低下し、これら
のバランスにより好ましい範囲に調整される。また分散
度（Ｍｗ／Ｍｎ）は、好ましくは１．０〜５．０、より
好ましくは１．０〜３．０であり、小さい程、耐熱性、
画像性能（パターンプロファイル、デフォーカスラチチ
ュード等）が良好となる。本発明において、上記樹脂の
感光性組成物中の添加量としては、全固形分に対して５
０〜９９．７重量％、好ましくは７０〜９９重量％であ
る。

【００７６】〔組成物成分（Ａ）活性光により酸を発生
する化合物〕次に本発明のポジ型感光性組成物の成分
（Ａ）活性光又は放射線の照射により酸を発生する化合
物すなわち光酸発生剤について述べる。本発明で使用さ
れる活性光線または放射線の照射により分解して酸を発
生する化合物としては、光カチオン重合の光開始剤、光
ラジカル重合の光開始剤、色素類の光消色剤、光変色
剤、あるいはマイクロレジスト等に使用されている公知
の光（４００〜２００ｎｍの紫外線、遠紫外線、特に好
ましくは、ｇ線、ｈ線、ｉ線、ＫｒＦエキシマレーザー
光）、ＡｒＦエキシマレーザー光、電子線、Ｘ線、分子
線又はイオンビームにより酸を発生する化合物およびそ
れらの混合物を適宜に選択して使用することができる。

【００７７】また、その他の本発明に用いられる活性光
線又は放射線の照射により酸を発生する化合物として
は、たとえば S.I.Schlesinger,Photogr.Sci.Eng.,18,3
87(1974)、T.S.Bal etal,Polymer,21,423(1980)等に記
載のジアゾニウム塩、米国特許第4,069,055号、同4,06
9,056号、同 Re 27,992号、特願平3-140,140号等に記載
のアンモニウム塩、D.C.Necker etal,Macromolecules,1
7,2468(1984)、C.S.Wenetal,Teh,Proc.Conf.Rad.Curing
ASIA,p478 Tokyo,Oct(1988)、米国特許第4,069,055
号、同4,069,056号等に記載のホスホニウム塩、J.V.Cri
vello etal,Macromorecules,10(6),1307(1977) 、Chem.
&Eng.News,Nov.28,p31(1988)、欧州特許第104,143 号、
米国特許第339,049号、同第410,201号、特開平2-150,84
8号、特開平2-296,514 号等に記載のヨードニウム塩、
J.V.Crivello etal,Polymer J.17,73(1985)、J.V.Crive
llo etal.J.Org.Chem.,43,3055(1978)、W.R.Watt eta
l,J.Polymer Sci.,Polymer Chem.Ed.,22,1789(1984)、
J.V.Crivello etal,Polymer Bull.,14,279(1985)、J.V.
Crivello etal,Macromorecules,14(5),1141(1981)、J.
V.Crivello etal,J.PolymerSci.,Polymer Chem.Ed.,17,
2877(1979) 、欧州特許第370,693 号、同3,902,114号同
233,567号、同297,443号、同297,442号、米国特許第4,9
33,377号、同161,811号、同410,201号、同339,049号、
同4,760,013号、同4,734,444号、同2,833,827号、獨国
特許第2,904,626号、同3,604,580号、同3,604,581号、
特開平７−２８２３７号、同８−２７１０２号等に記載
のスルホニウム塩、J.V.Crivello etal,Macromorecule
s,10(6),1307(1977)、J.V.Crivello etal,J.PolymerSc
i.,Polymer Chem.Ed., 17,1047(1979)等に記載のセレノ
ニウム塩、C.S.Wen etal,Teh,Proc.Conf.Rad.Curing AS
IA,p478 Tokyo,Oct(1988)等に記載のアルソニウム塩等
のオニウム塩、米国特許第3,905,815号、特公昭46-4605
号、特開昭48-36281号、特開昭55-32070号、特開昭60-2
39736号、特開昭61-169835号、特開昭61-169837号、特
開昭62-58241号、特開昭62-212401号、特開昭63-70243
号、特開昭63-298339号等に記載の有機ハロゲン化合
物、K.Meier et al,J.Rad.Curing,13(4),26(1986) 、T.
P.Gill et al,Inorg.Chem.,19,3007(1980)、D.Astruc,A
cc.Chem.Res.,19(12),377(1896)、特開平2-161445号等
に記載の有機金属／有機ハロゲン化物、S.Hayase eta
l,J.Polymer Sci.,25,753(1987)、E.Reichmanis etal,J.
Pholymer Sci.,Polymer Chem.Ed.,23,1(1985)、Q.Q.Zhu
etal,J.Photochem.,36,85,39,317(1987)、 B.Amit etal,
Tetrahedron Lett.,(24)2205(1973)、D.H.R.Barton eta
l,J.Chem Soc.,3571(1965)、P.M.Collins etal, J.Chem.
SoC.,PerkinI,1695(1975)、M.Rudinstein etal,Tetrahed
ron Lett.,(17),1445(1975)、J.W.Walker etalJ.Am.Che
m.Soc.,110,7170(1988)、S.C.Busman etal,J.Imaging Te
chnol.,11(4),191(1985)、H.M.Houlihan etal,Macormole
cules,21,2001(1988)、 P.M.Collins etal,J.Chem.Soc.,
Chem.Commun.,532(1972)、S.Hayase etal,Macromolecule
s,18,1799(1985)、E.Reichmanis etal,J.Electrochem.So
c.,Solid State Sci.Technol.,130(6)、F.M.Houlihan et
al,Macromolcules,21,2001(1988)、 欧州特許第0290,750
号、同046,083号、同156,535号、同271,851号、同0,38
8,343号、 米国特許第3,901,710号、同4,181,531号、特
開昭60-198538号、特開昭53-133022号等に記載の０−ニ
トロベンジル型保護基を有する光酸発生剤、M.TUNOOKA
etal,Polymer Preprints Japan,35(8)、G.Berner etal,
J.Rad.Curing,13(4)、 W.J.Mijs etal,Coating Techno
l.,55(697),45(1983),Akzo、H.Adachi etal,Polymer Pr
eprints,Japan,37(3)、欧州特許第0199,672号、同84515
号、同199,672号、同044,115号、同0101,122号、米国特
許第618,564号、同4,371,605号、同4,431,774 号、特開
昭64-18143号、特開平2-245756号、特願平3-140109号等
に記載のイミノスルフォネ−ト等に代表される光分解し
てスルホン酸を発生する化合物、特開昭61-166544号、
特開平２−７１２７０号等に記載のジスルホン化合物、
特開平３−１０３８５４号、同３−１０３８５６号、同
４−２１０９６０号等に記載のジアゾケトスルホン、ジ
アゾジスルホン化合物を挙げることができる。

【００７８】また、これらの光により酸を発生する基、
あるいは化合物をポリマーの主鎖または 側鎖に導入し
た化合物、たとえば、M.E.Woodhouse etal,J.Am.Chem.
Soc.,104,5586(1982)、S.P.Pappas etal,J.Imaging Sc
i.,30(5),218(1986)、S.Kondoetal,Makromol.Chem.,Rap
id Commun.,9,625(1988)、Y.Yamadaetal,Makromol.Che
m.,152,153,163(1972)、J.V.Crivello etal,J.PolymerS
ci.,Polymer Chem.Ed.,17,3845(1979) 、米国特許第3,8
49,137号、獨国特許第3914407、特開昭63-26653号、特
開昭55-164824号、特開昭62-69263号、特開昭63-146038
、特開昭63-163452 号、特開昭62-153853号、特開昭63
-146029号等に記載の化合物を用いることができる。

【００７９】さらにV.N.R.Pillai,Synthesis,(1),1(198
0)、A.Abad etal,Tetrahedron Lett.,(47)4555(1971)、
D.H.R.Barton etal,J.Chem.Soc.,(C),329(1970)、米国
特許第3,779,778号、欧州特許第126,712号等に記載の光
により酸を発生する化合物も使用することができる。

【００８０】上記活性光線または放射線の照射により分
解して酸を発生する化合物の中で、特に有効に用いられ
るものについて以下に説明する。 （１）トリハロメチル基が置換した下記一般式（ＰＡＧ
１）で表されるオキサゾール誘導体または一般式（ＰＡ
Ｇ２）で表されるＳ−トリアジン誘導体。

【００８１】

【化２２】

【００８２】式中、Ｒ²⁰¹ は置換もしくは未置換のアリ
ール基、アルケニル基、Ｒ²⁰² は置換もしくは未置換の
アリール基、アルケニル基、アルキル基、−Ｃ（Ｙ）₃
をしめす。Ｙは塩素原子または臭素原子を示す。具体的
には以下の化合物を挙げることができるがこれらに限定
されるものではない。

【００８３】

【化２３】

【００８４】

【化２４】

【００８５】

【化２５】

【００８６】（２）下記の一般式（ＰＡＧ３）で表され
るヨードニウム塩、または一般式（ＰＡＧ４）で表され
るスルホニウム塩。

【００８７】

【化２６】

【００８８】ここで式Ａｒ¹、Ａｒ²は各々独立に置換も
しくは未置換のアリール基を示す。好ましい置換基とし
ては、アルキル基、ハロアルキル基、シクロアルキル
基、アリール基、アルコキシ基、ニトロ基、カルボキシ
ル基、アルコキシカルボニル基、ヒロドキシ基、メルカ
プト基およびハロゲン原子が挙げられる。

【００８９】Ｒ²⁰³ 、Ｒ²⁰⁴ 、Ｒ²⁰⁵ は各々独立に、置
換もしくは未置換のアルキル基、アリール基を示す。好
ましくは、炭素数６〜１４のアリール基、炭素数１〜８
のアルキル基およびそれらの置換誘導体である。好まし
い置換基としては、アリール基に対しては炭素数１〜８
のアルコキシ基、炭素数１〜８のアルキル基、ニトロ
基、カルボキシル基、ヒロドキシ基およびハロゲン原子
であり、アルキル基に対しては炭素数１〜８のアルコキ
シ基、カルボキシル基、アルコシキカルボニル基であ
る。

【００９０】Ｚ^-は対アニオンを示し、例えばＢＦ₄ ^-、
ＡｓＦ₆ ^-、ＰＦ₆ ^-、ＳｂＦ₆-、ＳｉＦ₆ ^2-、ＣｌＯ₄ ^-、
ＣＦ₃ＳＯ₃ ^-等のパーフルオロアルカンスルホン酸アニ
オン、ペンタフルオロベンゼンスルホン酸アニオン、ナ
フタレン−１−スルホン酸アニオン等の縮合多核芳香族
スルホン酸アニオン、アントラキノンスルホン酸 アニ
オン、スルホン酸基含有染料等を挙げることができるが
これらに限定されるものではない。

【００９１】またＲ²⁰³ 、Ｒ²⁰⁴ 、Ｒ²⁰⁵ のうちの２つ
およびＡｒ¹、Ａｒ²はそれぞれの単結合または置換基を
介して結合してもよい。

【００９２】具体例としては以下に示す化合物が挙げら
れるが、これらに限定されるものではない。

【００９３】

【化２７】

【００９４】

【化２８】

【００９５】

【化２９】

【００９６】

【化３０】

【００９７】

【化３１】

【００９８】

【化３２】

【００９９】

【化３３】

【０１００】

【化３４】

【０１０１】

【化３５】

【０１０２】

【化３６】

【０１０３】

【化３７】

【０１０４】一般式（ＰＡＧ３）、（ＰＡＧ４）で示さ
れる上記オニウム塩は公知であり、例えばJ.W.Knapczyk
etal,J.Am.Chem.Soc.,91,145(1969)、A.L.Maycok eta
l, J.Org.Chem.,35,2532,(1970)、E.Goethas etal ,Bul
l.Soc.Chem.Belg.,73,546,(1964) 、H.M.Leicester、J.A
me.Chem.Soc.,51,3587(1929)、J.V.Crivello etal,J.Po
lym.Chem.Ed.,18,2677(1980)、米国特許第2,807,648 号
および同4,247,473号、特開昭53-101,331号等に記載の
方法により合成することができる。

【０１０５】（３）下記一般式（ＰＡＧ５）で表される
ジスルホン誘導体または一般式（ＰＡＧ６）で表される
イミノスルホネート誘導体。

【０１０６】

【化３８】

【０１０７】式中、Ａｒ³、Ａｒ⁴は各々独立に置換もし
くは未置換のアリール基を示す。Ｒ ²⁰⁶ は置換もしくは
未置換のアルキル基、アリール基を示す。Ａは置換もし
くは未置換のアルキレン基、アルケニレン基、アリーレ
ン基を示す。具体例としては以下に示す化合物が挙げら
れるが、これらに限定されるものではない。

【０１０８】

【化３９】

【０１０９】

【化４０】

【０１１０】

【化４１】

【０１１１】

【化４２】

【０１１２】

【化４３】

【０１１３】

【化４４】

【０１１４】これらの活性光線または放射線の照射によ
り分解して酸を発生する化合物の添加量は、感光性組成
物の全重量（塗布溶媒を除く）を基準として通常０．０
０１〜４０重量％の範囲で用いられ、好ましくは０．０
１〜２０重量％、更に好ましくは０．１〜５重量％の範
囲で使用される。活性光線または放射線の照射により分
解して酸を発生する化合物の添加量が、０．００１重量
％より少ないと感度が低くなり、また添加量が４０重量
％より多いとレジストの光吸収が高くなりすぎ、プロフ
ァイルの悪化や、プロセス（特にベーク）マージンが狭
くなり好ましくない。

【０１１５】［５］本発明に使用されるその他の成分 本発明のポジ型感光性組成物には、必要に応じて更に酸
分解性溶解阻止化合物、染料、可塑剤、界面活性剤、光
増感剤、有機塩基性化合物、及び現像液に対する溶解性
を促進させる化合物等を含有させることができる。本発
明で使用される酸分解性溶解阻止化合物としては、例え
ば上記一般式（XIII）、（XIV)で示される酸分解性基を
少なくとも１個有する分子量３，０００以下の低分子化
合物である。特に２２０ｎｍ以下の透過性を低下させな
い為、Proceeding of SPIE, 2724, 355 (1996)に記載さ
れているコール酸誘導体の様な脂環族又は脂肪族化合物
が好ましい。本発明において、酸分解性溶解阻止化合物
を使用する場合、その添加量は感光性組成物の全重量
（溶媒を除く）を基準として３〜５０重量％であり、好
ましくは５〜４０重量％、より好ましくは１０〜３５重
量％の範囲である。

【０１１６】本発明で使用できる現像液に対する溶解促
進性化合物としては、フェノール性ＯＨ基を２個以上、
又はカルボキシ基を１個以上有する分子量１，０００以
下の低分子化合物である。カルボキシ基をを有する場合
は上記と同じ理由で脂環族又は脂肪族化合物が好まし
い。これら溶解促進性化合物の好ましい添加量は、本発
明の樹脂に対して２〜５０重量％であり、更に好ましく
は５〜３０重量％である。５０重量％を越えた添加量で
は、現像残渣が悪化し、また現像時にパターンが変形す
るという新たな欠点が発生して好ましくない。

【０１１７】このような分子量１０００以下のフェノー
ル化合物は、例えば、特開平４−１２２９３８、特開平
２−２８５３１、米国特許第４９１６２１０、欧州特許
第２１９２９４等に記載の方法を参考にして、当業者に
於て容易に合成することが出来る。フェノール化合物の
具体例を以下に示すが、本発明で使用できる化合物はこ
れらに限定されるものではない。

【０１１８】レゾルシン、フロログルシン、２，３，４
−トリヒドロキシベンゾフェノン、２，３，４，４′−
テトラヒドロキシベンゾフェノン、２，３，４，３′，
４′，５′−ヘキサヒドロキシベンゾフェノン、アセト
ン−ピロガロール縮合樹脂、フロログルコシド、２，
４，２′，４′−ビフェニルテトロール、４，４′−チ
オビス（１，３−ジヒドロキシ）ベンゼン、２，２′，
４，４′−テトラヒドロキシジフェニルエーテル、２，
２′，４，４′−テトラヒドロキシジフェニルスルフォ
キシド、２，２′，４，４′−テトラヒドロキシジフェ
ニルスルフォン、トリス（４−ヒドロキシフェニル）メ
タン、１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）シクロ
ヘキサン、４，４−（α−メチルベンジリデン）ビスフ
ェノール、α，α′，α″−トリス（４−ヒドロキシフ
ェニル）−１，３，５−トリイソプロピルベンゼン、
α，α′，α″−トリス（４−ヒドロキシフェニル）−
１−エチル−４−イソプロピルベンゼン、１，２，２−
トリス（ヒドロキシフェニル）プロパン、１，１，２−
トリス（３，５−ジメチル−４−ヒドロキシフェニル）
プロパン、２，２，５，５−テトラキス（４−ヒドロキ
シフェニル）ヘキサン、１，２−テトラキス（４−ヒド
ロキシフェニル）エタン、１，１，３−トリス（ヒドロ
キシフェニル）ブタン、パラ〔α，α，α′，α′−テ
トラキス（４−ヒドロキシフェニル）〕−キシレン等を
挙げることができる。

【０１１９】本発明で用いることのできる好ましい有機
塩基性化合物とは、フェノールよりも塩基性の強い化合
物である。中でも含窒素塩基性化合物が好ましい。好ま
しい化学的環境として、下記式（Ａ）〜（Ｅ）の構造を
挙げることができる。

【０１２０】

【化４５】

【０１２１】更に好ましい化合物は、一分子中に異なる
化学的環境の窒素原子を２個以上有する含窒素塩基性化
合物であり、特に好ましくは、置換もしくは未置換のア
ミノ基と窒素原子を含む環構造の両方を含む化合物もし
くはアルキルアミノ基を有する化合物である。好ましい
具体例としては、置換もしくは未置換のグアニジン、置
換もしくは未置換のアミノピリジン、置換もしくは未置
換のアミノアルキルピリジン、置換もしくは未置換のア
ミノピロリジン、置換もしくは未置換のインダーゾル、
置換もしくは未置換のピラゾール、置換もしくは未置換
のピラジン、置換もしくは未置換のピリミジン、置換も
しくは未置換のプリン、置換もしくは未置換のイミダゾ
リン、置換もしくは未置換のピラゾリン、置換もしくは
未置換のピペラジン、置換もしくは未置換のアミノモル
フォリン、置換もしくは未置換のアミノアルキルモルフ
ォリン等が挙げられる。好ましい置換基は、アミノ基、
アミノアルキル基、アルキルアミノ基、アミノアリール
基、アリールアミノ基、アルキル基、アルコキシ基、ア
シル基、アシロキシ基、アリール基、アリールオキシ
基、ニトロ基、水酸基、シアノ基である。特に好ましい
化合物として、グアニジン、１，１−ジメチルグアニジ
ン、１，１，３，３，−テトラメチルグアニジン、２−
アミノピリジン、３−アミノピリジン、４−アミノピリ
ジン、２−ジメチルアミノピリジン、４−ジメチルアミ
ノピリジン、２−ジエチルアミノピリジン、２−（アミ
ノメチル）ピリジン、２−アミノ−３−メチルピリジ
ン、２−アミノ−４−メチルピリジン、２−アミノ−５
−メチルピリジン、２−アミノ−６−メチルピリジン、
３−アミノエチルピリジン、４−アミノエチルピリジ
ン、３−アミノピロリジン、ピペラジン、Ｎ−（２−ア
ミノエチル）ピペラジン、Ｎ−（２−アミノエチル）ピ
ペリジン、４−アミノ−２，２，６，６−テトラメチル
ピペリジン、４−ピペリジノピペリジン、２−イミノピ
ペリジン、１−（２−アミノエチル）ピロリジン、ピラ
ゾール、３−アミノ−５−メチルピラゾール、５−アミ
ノ−３−メチル−１−ｐ−トリルピラゾール、ピラジ
ン、２−（アミノメチル）−５−メチルピラジン、ピリ
ミジン、２，４−ジアミノピリミジン、４，６−ジヒド
ロキシピリミジン、２−ピラゾリン、３−ピラゾリン、
Ｎ−アミノモルフォリン、Ｎ−（２−アミノエチル）モ
ルフォリンなどが挙げられるがこれに限定されるもので
はない。

【０１２２】これらの含窒素塩基性化合物は、単独であ
るいは２種以上一緒に用いられる。含窒素塩基性化合物
の使用量は、感光性樹脂組成物（溶媒を除く）１００重
量部に対し、通常、０．００１〜１０重量部、好ましく
は０．０１〜５重量部である。０．００１重量部未満で
は上記含窒素塩基性化合物の添加の効果が得られない。
一方、１０重量部を超えると感度の低下や非露光部の現
像性が悪化する傾向がある。

【０１２３】好適な染料としては油性染料及び塩基性染
料がある。具体的にはオイルイエロー＃１０１、オイル
イエロー＃１０３、オイルピンク＃３１２、オイルグリ
ーンＢＧ、オイルブルーＢＯＳ，オイルブルー＃６０
３、オイルブラックＢＹ、オイルブラックＢＳ、オイル
ブラックＴ−５０５（以上オリエント化学工業株式会社
製）、クリスタルバイオレット（ＣＩ４２５５５）、メ
チルバイオレット（ＣＩ４２５３５）、ローダミンＢ
（ＣＩ４５１７０Ｂ）、マラカイトグリーン（ＣＩ４２
０００）、メチレンブルー（ＣＩ５２０１５）等を挙げ
ることができる。

【０１２４】露光による酸発生率を向上させる為、さら
に下記に挙げるような光増感剤を添加することができ
る。好適な光増感剤としては、具体的にはベンゾフェノ
ン、ｐ，ｐ’−テトラメチルジアミノベンゾフェノン、
ｐ，ｐ’−テトラエチルエチルアミノベンゾフェノン、
２−クロロチオキサントン、アントロン、９−エトキシ
アントラセン、アントラセン、ピレン、ペリレン、フェ
ノチアジン、ベンジル、アクリジンオレンジ、ベンゾフ
ラビン、セトフラビン−Ｔ、９，１０−ジフェニルアン
トラセン、９−フルオレノン、アセトフェノン、フェナ
ントレン、２−ニトロフルオレン、５−ニトロアセナフ
テン、ベンゾキノン、２−クロロ−４−ニトロアニリ
ン、Ｎ−アセチル−ｐ−ニトロアニリン、ｐ−ニトロア
ニリン、、Ｎ−アセチル−４−ニトロ−１−ナフチルア
ミン、ピクラミド、アントラキノン、２−エチルアント
ラキノン、２−tert−ブチルアントラキノン１，２−ベ
ンズアンスラキノン、３−メチル−１，３−ジアザ−
１，９−ベンズアンスロン、ジベンザルアセトン、１，
２−ナフトキノン、３，３’−カルボニル−ビス（５，
７−ジメトキシカルボニルクマリン）及びコロネン等で
あるがこれらに限定されるものではない。また、これら
の光増感剤は、光源の遠紫外光の吸光剤としても使用可
能である。この場合、吸光剤は基板からの反射光を低減
し、レジスト膜内の多重反射の影響を少なくさせること
で、定在波改良の効果を発現する。

【０１２５】本発明の感光性組成物は、上記各成分を溶
解する溶媒に溶かして支持体上に塗布する。ここで使用
する溶媒としては、エチレンジクロライド、シクロヘキ
サノン、シクロペンタノン、２−ヘプタノン、γ−ブチ
ロラクトン、メチルエチルケトン、エチレングリコール
モノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエ
ーテル、２−メトキシエチルアセテート、エチレングリ
コールモノエチルエーテルアセテート、プロピレングリ
コールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノ
メチルエーテルアセテート、トルエン、酢酸エチル、乳
酸メチル、乳酸エチル、メトキシプロピオン酸メチル、
エトキシプロピオン酸エチル、ピルビン酸メチル、ピル
ビン酸エチル、ピルビン酸プロピル、Ｎ，Ｎ−ジメチル
ホルムアミド、ジメチルスルホキシド、Ｎ−メチルピロ
リドン、テトラヒドロフラン等が好ましく、これらの溶
媒を単独あるいは混合して使用する。

【０１２６】上記溶媒に界面活性剤を加えることもでき
る。具体的には、ポリオキシエチレンラウリルエーテ
ル、ポリオキシエチレンステアリルエーテル、ポリオキ
シエチレンセチルエーテル、ポリオキシエチレンオレイ
ルエーテル等のポリオキシエチレンアルキルエーテル
類、ポリオキシエチレンオクチルフェノールエーテル、
ポリオキシエチレンノニルフェノールエーテル等のポリ
オキシエチレンアルキルアリルエーテル類、ポリオキシ
エチレン・ポリオキシプロピレンブロックコポリマー
類、ソルビタンモノラウレート、ソルビタンモノパルミ
テート、ソルビタンモノステアレート、ソルビタンモノ
オレエート、ソルビタントリオレエート、ソルビタント
リステアレート等のソルビタン脂肪酸エステル類、ポリ
オキシエチレンソルビタンモノラウレート、ポリオキシ
エチレンソルビタンモノパルミテ−ト、ポリオキシエチ
レンソルビタンモノステアレート、ポリオキシエチレン
ソルビタントリオレエート、ポリオキシエチレンソルビ
タントリステアレート等のポリオキシエチレンソルビタ
ン脂肪酸エステル類等のノニオン系界面活性剤、エフト
ップＥＦ３０１，ＥＦ３０３，ＥＦ３５２（新秋田化成
（株）製）、メガファックＦ１７１，Ｆ１７３ （大日
本インキ（株）製）、フロラ−ドＦＣ４３０，ＦＣ４３
１（住友スリーエム（株）製）、アサヒガードＡＧ７１
０，サーフロンＳ−３８２，ＳＣ１０１，ＳＣ１０２，
ＳＣ１０３，ＳＣ１０４，ＳＣ１０５，ＳＣ１０６（旭
硝子（株）製）等のフッ素系界面活性剤、オルガノシロ
キサンポリマーＫＰ３４１（信越化学工業（株）製）や
アクリル酸系もしくはメタクリル酸系（共）重合ポリフ
ローＮｏ．７５，Ｎｏ．９５（共栄社油脂化学工業
（株）製）等を挙げることができる。これらの界面活性
剤の配合量は、本発明の組成物中の固形分１００重量部
当たり、通常、２重量部以下、好ましくは１重量部以下
である。これらの界面活性剤は単独で添加してもよい
し、また、いくつかの組み合わせで添加することもでき
る。

【０１２７】上記感光性組成物を精密集積回路素子の製
造に使用されるような基板（例：シリコン／二酸化シリ
コン被覆）上にスピナー、コーター等の適当な塗布方法
により塗布後、所定のマスクを通して露光し、ベークを
行い現像することにより良好なレジストパターンを得る
ことができる。ここで露光光としては、好ましくは２５
０ｎｍ以下、より好ましくは２２０ｎｍ以下の波長の遠
紫外線である。具体的には、ＫｒＦエキシマレーザー
（２４８ｎｍ）、ＡｒＦエキシマレーザー（１９３ｎ
ｍ）、Ｆ₂ エキシマレーザー（１５７ｎｍ）、Ｘ線、電
子ビーム等が挙げられる。

【０１２８】本発明の感光性組成物の現像液としては、
水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、炭酸ナトリウム、
ケイ酸ナトリウム、メタケイ酸ナトリウム、アンモニア
水等の無機アルカリ類、エチルアミン、ｎ−プロピルア
ミン等の第一アミン類、ジエチルアミン、ジ−ｎ−ブチ
ルアミン等の第二アミン類、トリエチルアミン、メチル
ジエチルアミン等の第三アミン類、ジメチルエタノール
アミン、トリエタノールアミン等のアルコールアミン
類、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド、テトラエ
チルアンモニウムヒドロキシド等の第四級アンモニウム
塩、ピロール、ピヘリジン等の環状アミン類等のアルカ
リ性水溶液を使用することができる。更に、上記アルカ
リ性水溶液にアルコール類、界面活性剤を適当量添加し
て使用することもできる。

【０１２９】

【実施例】以下、本発明を実施例により更に詳細に説明
するが、本発明の内容がこれにより限定されるものでは
ない。

【０１３０】［合成例１（構造例（a3）の原料モノマー
の合成）］無水アクリル酸１４．０ｇ（０．１０モ
ル）、２−ヒドロキシ−２−メチルブタン８．８ｇ
（０．１０モル）をＴＨＦ２００ｍｌに溶解した。この
溶液にＮ，Ｎ−ジメチルアミノピリジン１２．３ｇ
（０．１０モル）のＤＭＦ５０ｍｌ溶液を、室温にて撹
拌下添加した。更に撹拌下、５時間加熱環流させた。放
冷後、反応溶液をイオン交換水３Ｌに激しく撹拌しなが
ら投入し、酢酸エチル３００ｍｌにて抽出した。酢酸エ
チル溶液を水洗し硫酸マグネシウムで乾燥した後、減圧
下濃縮した。減圧蒸留にて精製し、無色液体１０．７ｇ
を得た。ＮＭＲ測定により、この液体が本発明の構造例
（a3）の原料モノマーであることを確認した。

【０１３１】［合成例２（構造例（a5）の原料モノマー
の合成）］無水メタクリル酸１５．４ｇ（０．１０モ
ル）、３−ヒドロキシ−３−メチルブテノール８．６ｇ
（０．１０モル）をＴＨＦ２００ｍｌに溶解した。この
溶液にＮ，Ｎ−ジメチルアミノピリジン１２．３ｇ
（０．１０モル）のＤＭＦ５０ｍｌ溶液を、室温にて撹
拌下添加した。更に撹拌下、５時間加熱環流させた。放
冷後、反応溶液をイオン交換水３Ｌに激しく撹拌しなが
ら投入し、酢酸エチル３００ｍｌにて抽出した。酢酸エ
チル溶液を水洗し硫酸マグネシウムで乾燥した後、減圧
下濃縮した。減圧蒸留にて精製し、無色液体１１．４ｇ
を得た。ＮＭＲ測定により、この液体が本発明の構造例
（a5）の原料モノマーであることを確認した。

【０１３２】［合成例３（構造例（a18)の原料モノマー
の合成）］メタクリル酸１７．２ｇ（０．２０モル）、
ジヒドロピラン２５．２ｇ（０．３０モル）をＴＨＦ２
００ｍｌに溶解した。この溶液に触媒として２−エチル
ヘキシルリン酸エステル０．１ｇを添加し、５０℃にて
８時間加熱撹拌させた。トリエチルアミンにて触媒を中
和した後、減圧蒸留にて精製し、無色液体２６．５ｇを
得た。ＮＭＲ測定により、この液体が本発明の構造例
（a18)の原料モノマーであることを確認した。

【０１３３】［合成例４（構造例（a21)の原料モノマー
の合成）］合成例３のジヒドロピランの代わりに、エチ
ルビニルエーテル２１．６（０．３０モル）を使用し、
その他は合成例３と同様にして無色液体２４．５ｇを得
た。ＮＭＲ測定により、この液体が本発明の構造例（a2
1)の原料モノマーであることを確認した。

【０１３４】［合成例５（構造例（a23 ）の原料モノマ
ーの合成）］メタクリル酸１７．２ｇ（０．２０モ
ル）、２−メトキシエトキシメチルクロリド２４．９ｇ
（０．２０モル）をＤＭＡｃ２００ｍｌに溶解した。ト
リエチルアミン２０．３ｇを添加し、９０℃にて７時間
加熱撹拌させた。放冷後、反応溶液をイオン交換水３Ｌ
に激しく撹拌しながら投入し、酢酸エチル３００ｍｌに
て抽出した。酢酸エチル溶液を水洗し硫酸マグネシウム
で乾燥した後、減圧下濃縮した。カラムクロマトグラフ
ィー（充填剤：シリカゲル、溶離液：ヘキサン／酢酸エ
チル＝３／１）にて精製し、無色液体１３．４ｇを得
た。ＮＭＲ測定により、この液体が本発明の構造例（a2
3 ）の原料モノマーであることを確認した。

【０１３５】［合成例６（構造例（b13)原料モノマーの
合成）］無水メタクリル酸１５．４ｇ（０．１０モ
ル）、下記化合物（ｉ）（９−ヒドロキシ−ビシクロ
［３．３．１］ノナン）１４．０ｇ（０．１０モル）を
ＴＨＦ２００ｍｌに溶解した。この溶液にＮ，Ｎ−ジメ
チルアミノピリジン１２．３ｇ（０．１０モル）のＤＭ
Ｆ５０ｍｌ溶液を、室温にて撹拌下添加した。更に撹拌
下、５時間加熱環流させた。放冷後、反応溶液をイオン
交換水３Ｌに激しく撹拌しながら投入し、酢酸エチル３
００ｍｌにて抽出した。酢酸エチル溶液を水洗し硫酸マ
グネシウムで乾燥した後、減圧下濃縮した。カラムクロ
マトグラフィー（充填剤：シリカゲル、溶離液：ヘキサ
ン／酢酸エチル＝４／１）にて精製し、無色液体１２．
８ｇを得た。ＮＭＲ測定により、この液体が本発明の構
造例（b13）の原料モノマーであることを確認した。 化合物（ｉ）

【０１３６】

【化４６】

【０１３７】［合成例７（構造例（b23 ）の原料モノマ
ーの合成）］無水メタクリル酸１５．４ｇ（０．１０モ
ル）、下記化合物（ii) ２８．５ｇ（０．１０モル）を
テトラヒドロフラン（ＴＨＦ）２００ｍｌに溶解した。
この溶液にＮ，Ｎ−ジメチルアミノピリジン１２．３ｇ
（０．１０モル）のＤＭＦ５０ｍｌ溶液を、室温にて撹
拌下添加した。更に撹拌下、５時間加熱環流させた。放
冷後、反応溶液をイオン交換水３Ｌに激しく撹拌しなが
ら投入し、酢酸エチル３００ｍｌにて抽出した。酢酸エ
チル溶液を水洗し硫酸マグネシウムで乾燥した後、減圧
下濃縮した。カラムクロマトグラフィー（充填剤：シリ
カゲル、溶離液：ヘキサン／酢酸エチル＝４／１）にて
精製し、無色液体２１．７ｇを得た。ＮＭＲ測定によ
り、この液体が本発明の構造例（b23 ）の原料モノマー
であることを確認した。 化合物（ii)

【０１３８】

【化４７】

【０１３９】［合成例８（構造例（b25 ）の原料モノマ
ーの合成）］合成例７の化合物（ii）の代わりに、下記
化合物（iii)（３β−コレスタロール）３８．８ｇ
（０．１０モル）を使用し、その他は合成例６と同様に
して無色液体２７．２ｇを得た。ＮＭＲ測定により、こ
の液体が本発明の構造例（b25 ）の原料モノマーである
ことを確認した。 化合物（iii)

【０１４０】

【化４８】

【０１４１】［合成例９（構造例（b27 ）の原料モノマ
ーの合成）］合成例７の化合物（ii）の代わりに、下記
化合物（iv）（デオキシコール酸）３７．７ｇ（０．１
０モル）を使用し、その他は合成例６と同様にして白色
粉体２５．４ｇを得た。ＮＭＲ測定により、この液体が
本発明の構造例（b27 ）の原料モノマーであることを確
認した。 化合物（iv）

【０１４２】

【化４９】

【０１４３】［合成例１０（構造例（a5) ／（a18 ）／
（b10 ）／アクリロニトリルから成る本発明の樹脂（Ｐ
−１）の合成）］上記合成例にて得られた構造例（a5）
／（a18 ）／（b10 ）の原料モノマーを各々２．３１ｇ
（０．０１５モル）／２．５５ｇ（０．０１５モル）／
１０．３ｇ（０．０５０モル）、更にアクリロニトリル
１．０６ｇ（０．０２０モル）を１−メトキシ−２−プ
ロパノール６０ｍｌに溶解し、窒素気流及び撹拌下、７
０℃にて重合開始剤２，２’−アゾビス（２，４−ジメ
チルバレロニトリル）（和光純薬工業（株）製；商品名
Ｖ−６５）５０ｍｇを添加した。反応開始２時間及び４
時間後に同開始剤各々５０ｍｇを追加した。更に３時間
反応後、９０℃に昇温し撹拌を１時間続けた。反応液を
放冷後、イオン交換水１Ｌに激しく撹拌しながら投入す
ることにより、ポリマーを析出させた。得られたポリマ
ーを減圧下、４０℃にて乾燥し、本発明の樹脂（ｐ−
１）１５ｇを得た。ＧＰＣにて分子量を測定したとこ
ろ、重量平均（Ｍｗ：ポリスチレン換算）で２８．７×
１０³ （分散度（Ｍｗ／Ｍｎ）２．６）であった。

【０１４４】［合成例１１（構造例（a3) ／(a21) ／
（b13 ）／(c2)から成る本発明の樹脂（Ｐ−２）の合
成）］上記合成例にて得られた構造例（a3 )／（a21)／
（b13)の原料モノマーを各々３．１２ｇ（０．０２モ
ル）／２．３７ｇ（０．０１５モル）／１０．４ｇ
（０．０５モル）、更にメタクリル酸１．２９ｇ（０．
０１５モル）を１−メトキシ−２−プロパノール６０ｍ
ｌに溶解し、以下合成例１０と同様に反応、後処理をし
て本発明の樹脂（ｐ−２）１６．１ｇを得た。ＧＰＣに
て分子量を測定したところ、重量平均（Ｍｗ：ポリスチ
レン換算）で３２．５×１０³ 、分散度（Ｍｗ／Ｍｎ）
２．８）であった。

【０１４５】［合成例１２（構造例（a5) ／（a21)／
（b25 ）／(c2)から成る本発明の樹脂（Ｐ−３）の合
成）］上記合成例にて得られた構造例（a5) ／（a21)／
（b25 ）／(c2)の原料モノマーを各々２．３１ｇ（０．
０１５モル）／３．１６ｇ（０．０２０モル），２２．
８ｇ（０．０５０モル）／１．２９ｇ（０．０１５モ
ル）を１−メトキシ−２−プロパノール６０ｍｌに溶解
し、以下合成例１０と同様に反応、後処理をして本発明
の樹脂（ｐ−３）２２．５ｇを得た。ＧＰＣにて分子量
を測定したところ、重量平均（Ｍｗ：ポリスチレン換
算）で３５．７×１０³ 、分散度（Ｍｗ／Ｍｎ）２．
８）であった。

【０１４６】［合成例１３〜１９（本発明の樹脂（Ｐ−
４）〜（Ｐ−１０）の合成）］以下合成例１０〜１２と
同様にして、下記表１に示す繰り返し構造単位の原料モ
ノマーを用い、本発明の樹脂を合成した。使用した構造
単位、その原料モノマー仕込みモル比、及び生成した樹
脂の重量平均分子量を合わせて表１に示す。なお、Ｐ−
９とＰ−１０は、比較例である。

【０１４７】

【表１】

【０１４８】実施例１（光学濃度の測定） 上記合成例で得られた２種の酸分解基を含有する繰り返
し単量体と多環型の脂環式基を含む繰り返し単量体とを
組み合わせて含有する本発明の樹脂（Ｐ−１〜Ｐ−９）
及び比較のためのポリヒドリキシスチレンについてそれ
ぞれ資料ポリマ−１．０ｇとトリフェニルスルホニウム
のトリフレート塩０．０３ｇをプロピレングリコールモ
ノメチルエーテルアセテート４．５ｇに溶解し、０．２
μｍのテフロンフィルターにより濾過した。スピンコー
ターにて石英ガラス基板上に均一に塗布し、１００℃で
９０秒間ホットプレート上で加熱乾燥を行い、１μｍの
レジスト膜を形成させた。得られた膜の光学吸収を紫外
線分光光度計にて測定したところ、１９３ｎｍの光学濃
度は表２に示す通りであった。

【０１４９】

【表２】

【０１５０】表２の結果から、本発明の樹脂の光学濃度
測定値は比較例のポリ（ヒドロキシスチレン）の値より
小さく、１９３ｎｍ光に対し十分な透過性を有すること
が判る（なお、混合比率を変えたのは次の実施例のため
であって光学濃度測定においては格別の意味はない）。

【０１５１】実施例２（耐ドライエッチング性の測定） 上記実施例に示したものと同じように樹脂及び光酸発生
剤などを混合して得た各レジスト組成物０．２μｍのテ
フロンフィルターにより濾過した。スピンコーターにて
シリコン基板上に均一に塗布し、１００℃で９０秒間ホ
ットプレート上で加熱乾燥を行い、０．７μｍのレジス
ト膜を形成させた。得られた膜をＵＬＶＡＣ製リアクテ
ィブイオンエッチング装置（ＣＳＥ−１１１０）を用い
て、ＣＦ ₄ ／Ｏ₂ （８／２）のガスに対するエッチング
速度を測定したところ、表３に示す通りであった（エッ
チング条件：Ｐｏｗｅｒ＝５００Ｗ、Ｐｒｅｓｓｕｒｅ
＝４．６Ｐａ、Ｇａｓ Ｆｌｏｗ Ｒａｔｅ＝１０ｓｃ
ｃｍ）。

【０１５２】

【表３】

【０１５３】表３の結果から、本発明の樹脂のエッチン
グ速度は比較例のポリ（メチルメタクリレート）及びポ
リマー（１）の値より十分小さく、十分な耐ドライエッ
チング性を有することが判る。

【０１５４】実施例３（画像評価） 上記実施例３のフォトレジスト組成物をスピンコーター
にてヘキサメチルジシラザン処理を施したシリコン基板
上に均一に塗布し、１００℃で９０秒間ホットプレート
上で加熱乾燥を行い、０．４μｍのレジスト膜を形成さ
せた。このレジスト膜上に、石英板上にクロムでパター
ンを描いたマスクを密着させ、ＡｒＦエキシマーレーザ
ー光（１９３ｎｍ）を照射した。露光後直ぐに１１０℃
で６０秒間ホットプレート上で加熱した。更に２．０％
テトラメチルアンモニウムヒドロオキサイド水溶液で２
３℃下６０秒間浸漬現像し、３０秒間純水にてリンスし
た。ここで、パターン形状は、得られたパターンを走査
型電子顕微鏡にて観察し、矩形なものを良好とした。こ
こで、感度は、０．３５μｍのマスクパターンを再現す
る露光量をもって定義した。解像度は、０．３５μｍの
マスクパターンを再現する露光量での限界解像力をもっ
て定義した。この結果、表４に示した感度、解像度に
て、レジスト膜の露光部のみが溶解除去された良好なポ
ジ型のパターンを形成した。

【０１５５】

【表４】

【０１５６】表４の結果から、本発明の酸分解基混合型
の樹脂を使用したレジストは、感度と解像度も良好であ
るが、特にパターン形状が良好であることが判る。

【０１５７】

【発明の効果】以上に示したことから明らかな様に、酸
分解基を有する繰り返し構造単位２種以上を多環型の脂
環式基を持つ構造単位と組み合わせて含有する樹脂を使
用したポジ型感光性組成物は、特に２２０ｎｍ以下の遠
紫外光に対し優れたパターンプロファイルを形成し、高
い透過性を有し、且つ耐ドライエッチング性が良好であ
る。特にＡｒＦエキシマーレーザー光を露光光源とする
場合、高感度、高解像度、且つ良好なパターンプロファ
イルを示し、半導体素子製造に必要な微細パターンの形
成に有効に用いることが可能である。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁶ 識別記号 ＦＩ Ｃ０８Ｌ 57/00 Ｃ０８Ｌ 57/00 Ｈ０１Ｌ 21/027 Ｈ０１Ｌ 21/30 ５０２Ｒ

Claims (7)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 （Ａ）活性光線又は放射線の照射により
   酸を発生する化合物、（Ｂ）（イ）多環型の脂環式基、
   （ロ）下記一般式（Ｉ）で表される酸の作用により分解
   してアルカリ現像液中での溶解性を増大させる基及び
   （ハ）下記一般式（II）で表される酸の作用により分解
   してアルカリ現像液中での溶解性を増大させる基をそれ
   ぞれ少なくとも１つ有する樹脂を含有することを特徴と
   するポジ型感光性組成物。 【化１】 一般式（Ｉ）及び（II) において、Ｒ₁ 〜Ｒ₅ は同じで
   も異なっていてもよく、水素原子、又は置換基を有して
   いてもよい、アルキル基、シクロアルキル基、アルケニ
   ル基、アシル基、もしくはアルコキシカルボニル基を表
   し、Ｒ₆ は置換基を有していてもよい、アルキル基、シ
   クロアルキル基、アルケニル基を表す。ただし、式
   （Ｉ）のＲ₁ 〜Ｒ₃ の内の２つ、又は式（II）のＲ₄ 〜
   Ｒ₆ の内の２つが結合して３〜８個の炭素原子又はヘテ
   ロ環原子からなる環構造を形成してもよい。
2. 【請求項２】 （Ｂ）の樹脂が、（イ）多環型の脂環式
   基を有する繰り返し構造単位、（ロ）下記一般式（II
   I)、(IV)及び（Ｖ）で表される繰り返し構造単位の少な
   くとも一つ及び（ハ）下記一般式（VI）、(VII）及び
   （VIII）で表される繰り返し構造単位の少なくとも一つ
   を有する樹脂であることを特徴とする請求項１に記載の
   ポジ型感光性組成物。 【化２】 式（III) 〜（VIII）中、Ｒ₇ 及びＲ₉ は、同じでも異
   なってもよく、水素原子、ハロゲン原子、シアノ基、ア
   ルキル基又はハロアルキル基を表し、Ｒ₈ は、シアノ
   基、−ＣＯ−ＯＲ₁₀，又は−ＣＯ−ＮＲ₁₁Ｒ₁₂を表す。
   Ｒ₁₀〜Ｒ₁₂は、同じでも異なってもよく、水素原子、置
   換基を有してもよい、アルキル基、シクロアルキル基、
   アルケニル基を表す。また、Ｒ₁₁とＲ₁₂が結合して環を
   形成してもよい。Ｘ₀ 〜Ｘ₂ は同じでも異なってもよ
   く、単結合であるか、置換基を有していてもよい２価の
   アルキレン基、アルケニレン基、シクロアルキレン基、
   −Ｏ−、−ＳＯ₂ −、−Ｏ−ＣＯ−Ｒ₁₃−、−ＣＯ−Ｏ
   −Ｒ₁₄−、又は−ＣＯ−ＮＲ₁₅−Ｒ₁₆−を表す。ここ
   に、Ｒ₁₃、Ｒ₁₄及びＲ₁₆は同じでも異なってもよく、単
   結合もしくは、２価のアルキレン基、アルケニレン基又
   はシクロアルキレン基を表し、更にこれらの基は、エー
   テル基、エステル基、アミド基、ウレタン基あるいはウ
   レイド基とともに２価の基を形成しても良い。また、Ｒ
   ₁₅は水素原子、置換基を有していても良い、アルキル
   基、シクロアルキル基又はアルケニル基を表す。Ｒ₁ 〜
   Ｒ₆ は請求項１に記載のものと同義である。
3. 【請求項３】 （Ｂ）の樹脂が、更にカルボキシル基を
   有することを特徴とする請求項１又は２に記載のポジ型
   感光性組成物。
4. 【請求項４】 （Ｂ）の樹脂が、更にカルボキシル基を
   有する下記一般式（IX) 、（Ｘ）又は（XI) で表される
   繰り返し構造単位の少なくとも一つを含有する樹脂であ
   ることを特徴とする請求項３に記載のポジ型感光性組成
   物。 【化３】 一般式（IX) 〜（XI) において、Ｒ₁₇、Ｒ₁₈、Ｒ₂₀〜Ｒ
   ₂₂は同じでも異なってもよく、水素原子、ハロゲン原
   子、シアノ基、アルキル基又はハロアルキル基を表す。
   Ｒ₁₉はシアノ基、カルボキシル基、−ＣＯ−ＯＲ₂₃又は
   −ＣＯ−ＮＲ₂₄Ｒ ₂₅を表す。Ｘ₃ 〜Ｘ₅ は同じでも異な
   ってもよく、単結合、置換基を有していてもよい、２価
   のアルキレン基、アルケニレン基もしくはシクロアルキ
   レン基、−Ｏ−、−ＳＯ₂ −、−Ｏ−ＣＯ−Ｒ₂₆−、−
   ＣＯ−Ｏ−Ｒ₂₇−又は−ＣＯ−ＮＲ₂₈−Ｒ₂₉−を表す。
   Ｒ₂₃は置換基を有していても良い、アルキル基、シクロ
   アルキル基、アルケニル基を表す。Ｒ₂₄、Ｒ₂₅、Ｒ₂₈は
   同じでも異なってもよく、水素原子、置換基を有してい
   てもよい、アルキル基、シクロアルキル基又はアルケニ
   ル基を表し、Ｒ₂₄とＲ₂₅が結合して環を形成してもよ
   い。Ｒ₂₆、Ｒ₂₇、Ｒ₂₉は同じでも異なってもよく、単結
   合あるいは、２価のアルキレン基、アルケニレン基、シ
   クロアルキレン基を表し、更にこれらの基は、エーテル
   基、エステル基、アミド基、ウレタン基又はウレイド基
   とともに２価の基を形成してもよい。
5. 【請求項５】 酸の作用により分解し得る基を有し、ア
   ルカリ現像液中での溶解性が酸の作用により増大する、
   分子量３，０００以下の低分子酸分解性溶解阻止化合物
   を含有することを特徴とする請求項１〜４のいずれかに
   記載のポジ型感光性組成物。
6. 【請求項６】 露光光源として、２５０ｎｍ以下の遠紫
   外光を使用することを特徴とする請求項１〜５のいずれ
   かに記載のポジ型感光性組成物。
7. 【請求項７】 露光光源として、２２０ｎｍ以下の遠紫
   外光を使用することを特徴とする請求項７に記載のポジ
   型感光性組成物。