JPH10312937A - 電気二重層キャパシタ用炭素材の製造方法並びに炭素電極および電気二重層キャパシタ - Google Patents
電気二重層キャパシタ用炭素材の製造方法並びに炭素電極および電気二重層キャパシタInfo
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 電気化学的エネルギーの貯蔵容量が大きく、
静電容量、急速放電性能を高めた電気二重層キャパシタ
用の炭素材の提供。 【解決手段】 乾留炭をハロゲンガスに接触させてハロ
ゲン化乾留炭を得るハロゲン化処理と、該ハロゲン化処
理炭に結合剤を加えて成形体を得る成型処理と、成型体
中のハロゲンの一部または全部を脱離させる脱ハロゲン
処理とを備えたことを特徴とする電気二重層キャパシタ
用炭素材の製造方法、その方法で得られ硫酸を含浸した
電気二重層キャパシタ用炭素電極、および該電極を有す
る電気二重層キャパシタである。
静電容量、急速放電性能を高めた電気二重層キャパシタ
用の炭素材の提供。 【解決手段】 乾留炭をハロゲンガスに接触させてハロ
ゲン化乾留炭を得るハロゲン化処理と、該ハロゲン化処
理炭に結合剤を加えて成形体を得る成型処理と、成型体
中のハロゲンの一部または全部を脱離させる脱ハロゲン
処理とを備えたことを特徴とする電気二重層キャパシタ
用炭素材の製造方法、その方法で得られ硫酸を含浸した
電気二重層キャパシタ用炭素電極、および該電極を有す
る電気二重層キャパシタである。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、電気二重層キャパ
シタの電極に使用される炭素材に関する。本発明は、硫
酸イオンなどの電解質イオンが電気二重層を好適に形成
できるミクロ孔及び/又はサブミクロ孔構造を有する炭
素材および炭素電極の製造方法に関する。
シタの電極に使用される炭素材に関する。本発明は、硫
酸イオンなどの電解質イオンが電気二重層を好適に形成
できるミクロ孔及び/又はサブミクロ孔構造を有する炭
素材および炭素電極の製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】電気二重層キャパシタは、パソコンなど
の電子機器のバックアップ用電源として実用化されてお
り、また自動車の補助バッテリーなど急速放電または大
電流放電用電源としても開発が進められている。電気二
重層キャパシタの電極は分極性電極とも称され、導電性
のある活性炭が使用されている。電気二重層キャパシタ
は、微小な電流で長時間使用する場合、短時間に大電流
を使用する場合、またはその中間的使用など種々の使い
方がある。
の電子機器のバックアップ用電源として実用化されてお
り、また自動車の補助バッテリーなど急速放電または大
電流放電用電源としても開発が進められている。電気二
重層キャパシタの電極は分極性電極とも称され、導電性
のある活性炭が使用されている。電気二重層キャパシタ
は、微小な電流で長時間使用する場合、短時間に大電流
を使用する場合、またはその中間的使用など種々の使い
方がある。
【0003】(炭素材の原料)電極用炭素材の原料とし
ては、石炭、コークス、やし殻炭、などの動植物質が炭
化したもの、フェノール樹脂、フラン樹脂、塩化ビニリ
デン樹脂などの各種樹脂を不活性ガス雰囲気下で加熱
(乾留)したもの、などが利用されている。本発明で
は、これらの原料を総称して炭素化合物、炭素化合物を
乾留して得たものを乾留炭と呼称する。
ては、石炭、コークス、やし殻炭、などの動植物質が炭
化したもの、フェノール樹脂、フラン樹脂、塩化ビニリ
デン樹脂などの各種樹脂を不活性ガス雰囲気下で加熱
(乾留)したもの、などが利用されている。本発明で
は、これらの原料を総称して炭素化合物、炭素化合物を
乾留して得たものを乾留炭と呼称する。
【0004】(活性炭の製法;賦活処理)活性炭を得る
慣用的な方法としては、水蒸気、炭酸ガス、空気、など
の酸化性ガスで賦活処理する方法が知られている。水蒸
気賦活の例としては特開平1−242409号公報、炭
酸ガス賦活の例としては特開平5−132377号公
報、水蒸気および/または炭酸ガス賦活と空気(酸素)
賦活を組み合わせた方法としては特公平5−49606
号公報、また、ナトリウムやカリウムの水酸化物による
賦活の例としては、特開平2−97414号(特公平5
−82324号)公報が知られている。しかし、通常の
賦活処理では賦活収率が40〜80%程度であり、炭素
の損失が20〜60%にも及ぶ。また細孔径が均一な細
孔を形成することはできない。ここで、賦活収率は、処
理前の炭素化合物の重量を100としたときの処理後の
重量を表す。
慣用的な方法としては、水蒸気、炭酸ガス、空気、など
の酸化性ガスで賦活処理する方法が知られている。水蒸
気賦活の例としては特開平1−242409号公報、炭
酸ガス賦活の例としては特開平5−132377号公
報、水蒸気および/または炭酸ガス賦活と空気(酸素)
賦活を組み合わせた方法としては特公平5−49606
号公報、また、ナトリウムやカリウムの水酸化物による
賦活の例としては、特開平2−97414号(特公平5
−82324号)公報が知られている。しかし、通常の
賦活処理では賦活収率が40〜80%程度であり、炭素
の損失が20〜60%にも及ぶ。また細孔径が均一な細
孔を形成することはできない。ここで、賦活収率は、処
理前の炭素化合物の重量を100としたときの処理後の
重量を表す。
【0005】(電気二重層キャパシタ)炭素材を電極と
する電気二重層キャパシタとしては、特開平1−321
620号公報(カーボンペースト電極)、特開平3−1
80013号公報(電気二重層コンデンサ)、特公平6
−56827号公報(分極性電極およびその製造方
法)、特公平4−44407号公報(電気二重層キャパ
シタ)、特公平4−70770号公報(電気二重層キャ
パシタ)などが知られている。
する電気二重層キャパシタとしては、特開平1−321
620号公報(カーボンペースト電極)、特開平3−1
80013号公報(電気二重層コンデンサ)、特公平6
−56827号公報(分極性電極およびその製造方
法)、特公平4−44407号公報(電気二重層キャパ
シタ)、特公平4−70770号公報(電気二重層キャ
パシタ)などが知られている。
【0006】特公平4−44407号公報は、フェノー
ル樹脂とポリビニルアルコールとでん粉とからフェノー
ル樹脂発泡体を作製し、これを賦活処理して得た活性炭
を分極性電極とする電気二重層キャパシタを開示してい
る。比表面積が2000m2/g以上の多孔性活性炭が
得られるため、大容量の電気二重層キャパシタ用の炭素
電極とすることができるとしている。特公平4−707
70号公報は、活性炭の平均細孔径を15Å以上とする
と温度特性の良い炭素電極となることを開示している。
特開平3−180013号公報は、粉末活性炭の酸素含
有量を20〜35重量%にすることにより、単位体積当
たりの静電容量を増加できることを開示している。
ル樹脂とポリビニルアルコールとでん粉とからフェノー
ル樹脂発泡体を作製し、これを賦活処理して得た活性炭
を分極性電極とする電気二重層キャパシタを開示してい
る。比表面積が2000m2/g以上の多孔性活性炭が
得られるため、大容量の電気二重層キャパシタ用の炭素
電極とすることができるとしている。特公平4−707
70号公報は、活性炭の平均細孔径を15Å以上とする
と温度特性の良い炭素電極となることを開示している。
特開平3−180013号公報は、粉末活性炭の酸素含
有量を20〜35重量%にすることにより、単位体積当
たりの静電容量を増加できることを開示している。
【0007】従来、電気二重層キャパシタの電極は、粉
末の活性炭基材を硫酸溶液と混合してペースト状として
用いられているが、活性炭粒子間の接触抵抗が大きく、
大きな電流を流せなかった。繊維状活性炭を使用する場
合も同様に、繊維間の接触抵抗が大きく単位体積当りの
活性炭密度が小さく、大電流を得ることができなかっ
た。
末の活性炭基材を硫酸溶液と混合してペースト状として
用いられているが、活性炭粒子間の接触抵抗が大きく、
大きな電流を流せなかった。繊維状活性炭を使用する場
合も同様に、繊維間の接触抵抗が大きく単位体積当りの
活性炭密度が小さく、大電流を得ることができなかっ
た。
【0008】(炭素材の構造)炭素材の構造は、原料に
より、また製造方法により、種々の構造をとり得る。チ
ャーやこれを賦活して得た活性炭は、微晶質炭素(結晶
子)、鎖状構造をとる炭素、などから成り立っている。
難黒鉛化性炭素の場合は、結晶子が乱雑に積層した構造
をとっており、これら結晶子の間隙にはミクロ孔からマ
クロ孔まで広範囲の細孔が形成されている。結晶子は、
数層の平行な炭素六員環の網面が積み重なったものであ
り、炭素六員環を構成するグラファイト炭素は、SP2
混成軌道を利用して結合している。炭素六員環からなる
網面を基底面という。易黒鉛化性炭素は、高温度で加熱
することにより結晶子が成長し、最終的には黒鉛(グラ
ファイト)になる。
より、また製造方法により、種々の構造をとり得る。チ
ャーやこれを賦活して得た活性炭は、微晶質炭素(結晶
子)、鎖状構造をとる炭素、などから成り立っている。
難黒鉛化性炭素の場合は、結晶子が乱雑に積層した構造
をとっており、これら結晶子の間隙にはミクロ孔からマ
クロ孔まで広範囲の細孔が形成されている。結晶子は、
数層の平行な炭素六員環の網面が積み重なったものであ
り、炭素六員環を構成するグラファイト炭素は、SP2
混成軌道を利用して結合している。炭素六員環からなる
網面を基底面という。易黒鉛化性炭素は、高温度で加熱
することにより結晶子が成長し、最終的には黒鉛(グラ
ファイト)になる。
【0009】難黒鉛化性炭素には、通常、未組織炭素が
含まれている。未組織炭素とは、グラファイト炭素との
み化学結合しているグラファイト炭素以外の炭素であ
り、鎖状構造を有する炭素、炭素六員環の周辺に付着し
ている炭素、炭素六員環の最外縁(プリズム面)にある
炭素、炭素六員環(結晶子)どうしの架橋構造にあずか
っている炭素、などをいう。未組織炭素には、C−H、
C−OH、C−OOH、C=Oなどの形で水素原子、酸
素原子などと結合しているものや、炭素二重結合(−C
=C−)などがある。
含まれている。未組織炭素とは、グラファイト炭素との
み化学結合しているグラファイト炭素以外の炭素であ
り、鎖状構造を有する炭素、炭素六員環の周辺に付着し
ている炭素、炭素六員環の最外縁(プリズム面)にある
炭素、炭素六員環(結晶子)どうしの架橋構造にあずか
っている炭素、などをいう。未組織炭素には、C−H、
C−OH、C−OOH、C=Oなどの形で水素原子、酸
素原子などと結合しているものや、炭素二重結合(−C
=C−)などがある。
【0010】細孔径が8nm以下のものをサブミクロ
孔、細孔径が8〜20nmの範囲のものをミクロ孔とい
う。これらの領域の細孔径は、電解質イオンの径とほぼ
同一のオーダーであり、電気二重層の形成に関与してい
ると考えられている細孔である。現在の測定技術ではサ
ブミクロ孔領域の細孔構造を直接観察することができな
いため、一般的理論として確立されていないのが現状で
ある。
孔、細孔径が8〜20nmの範囲のものをミクロ孔とい
う。これらの領域の細孔径は、電解質イオンの径とほぼ
同一のオーダーであり、電気二重層の形成に関与してい
ると考えられている細孔である。現在の測定技術ではサ
ブミクロ孔領域の細孔構造を直接観察することができな
いため、一般的理論として確立されていないのが現状で
ある。
【0011】
【発明が解決しようとする課題】従来の電気二重層キャ
パシタ用の炭素材の製造方法においては、ミクロ孔およ
び/またはサブミクロ孔が充分に発達していないため、
電気化学的エネルギーの貯蔵容量が小さく、静電容量が
不十分であった。また、急速放電における性能も不十分
であった。本発明は、電気化学的エネルギーの貯蔵容量
が大きく、静電容量、急速放電性能の高い電気二重層キ
ャパシタ用炭素材の提供を課題としている。
パシタ用の炭素材の製造方法においては、ミクロ孔およ
び/またはサブミクロ孔が充分に発達していないため、
電気化学的エネルギーの貯蔵容量が小さく、静電容量が
不十分であった。また、急速放電における性能も不十分
であった。本発明は、電気化学的エネルギーの貯蔵容量
が大きく、静電容量、急速放電性能の高い電気二重層キ
ャパシタ用炭素材の提供を課題としている。
【0012】
【課題を解決するための手段】本発明の請求項1に係わ
る発明は、乾留炭をハロゲンガスに接触させてハロゲン
化乾留炭を得るハロゲン化処理と、該ハロゲン化処理炭
に結合剤を加えて成形体を得る成型処理と、成型体中の
ハロゲンの一部または全部を脱離させる脱ハロゲン処理
とを備えたことを特徴とする電気二重層キャパシタ用炭
素材の製造方法である。請求項2に係わる発明は、前記
ハロゲンガスが塩素と臭素の少なくとも一方であること
を特徴とする請求項1記載の電気二重層キャパシタ用炭
素材の製造方法である。請求項3に係わる発明は、前記
ハロゲン化処理が、不活性ガスで希釈したハロゲンガス
中350〜1000℃の温度で行う加熱処理であること
を特徴とする請求項1記載の電気二重層キャパシタ用炭
素材の製造方法である。請求項4に係わる発明は、前記
脱ハロゲン処理が、不活性ガスで希釈した水蒸気または
水素化合物ガス中600〜850℃の温度で行う加熱処
理であることを特徴とする請求項1記載の電気二重層キ
ャパシタ用炭素材の製造方法である。請求項5に係わる
発明は、前記脱ハロゲン処理が、不活性ガスで希釈した
水素ガス中600〜1100℃の温度で行う加熱処理で
あることを特徴とする請求項1記載の電気二重層キャパ
シタ用炭素材の製造方法である。請求項6に係わる発明
は、前記脱ハロゲン処理が、減圧下または不活性ガス中
600〜1100℃の温度で行う加熱処理であることを
特徴とする請求項1記載の電気二重層キャパシタ用炭素
材の製造方法である。請求項7に係わる発明は、前記脱
ハロゲン処理の昇温速度が20〜500℃/h(時間)
であることを特徴とする請求項4、5または6のいずれ
か一項記載の電気二重層キャパシタ用炭素の製造方法で
ある。請求項8に係わる発明は、前記乾留炭が、やし
殻、フェノール樹脂、フラン樹脂、または塩化ビニリデ
ン樹脂から得られた乾留炭であることを特徴とする請求
項1記載の電気二重層キャパシタ用炭素材の製造方法で
ある。請求項9に係わる発明は、前記結合剤が、フェノ
ール樹脂粉末、有機溶剤および親油性溶剤からなる組成
物であることを特徴とする請求項1の電気二重層キャパ
シタ用炭素材の製造方法である。請求項10に係わる発
明は、請求項1記載のキャパシタ用炭素材に硫酸を含浸
したことを特徴とする電気二重層キャパシタ用炭素電極
である。請求項11に係わる発明は、請求項10記載の
電気二重層キャパシタ用炭素電極において、電解質イオ
ンが硫酸イオンであり、急速放電時の静電容量が、30
〜50F/cm3であることを特徴とする電気二重層キ
ャパシタ用炭素電極である。請求項12に係わる発明
は、請求項11記載の炭素電極を有する電気二重層キャ
パシタである。
る発明は、乾留炭をハロゲンガスに接触させてハロゲン
化乾留炭を得るハロゲン化処理と、該ハロゲン化処理炭
に結合剤を加えて成形体を得る成型処理と、成型体中の
ハロゲンの一部または全部を脱離させる脱ハロゲン処理
とを備えたことを特徴とする電気二重層キャパシタ用炭
素材の製造方法である。請求項2に係わる発明は、前記
ハロゲンガスが塩素と臭素の少なくとも一方であること
を特徴とする請求項1記載の電気二重層キャパシタ用炭
素材の製造方法である。請求項3に係わる発明は、前記
ハロゲン化処理が、不活性ガスで希釈したハロゲンガス
中350〜1000℃の温度で行う加熱処理であること
を特徴とする請求項1記載の電気二重層キャパシタ用炭
素材の製造方法である。請求項4に係わる発明は、前記
脱ハロゲン処理が、不活性ガスで希釈した水蒸気または
水素化合物ガス中600〜850℃の温度で行う加熱処
理であることを特徴とする請求項1記載の電気二重層キ
ャパシタ用炭素材の製造方法である。請求項5に係わる
発明は、前記脱ハロゲン処理が、不活性ガスで希釈した
水素ガス中600〜1100℃の温度で行う加熱処理で
あることを特徴とする請求項1記載の電気二重層キャパ
シタ用炭素材の製造方法である。請求項6に係わる発明
は、前記脱ハロゲン処理が、減圧下または不活性ガス中
600〜1100℃の温度で行う加熱処理であることを
特徴とする請求項1記載の電気二重層キャパシタ用炭素
材の製造方法である。請求項7に係わる発明は、前記脱
ハロゲン処理の昇温速度が20〜500℃/h(時間)
であることを特徴とする請求項4、5または6のいずれ
か一項記載の電気二重層キャパシタ用炭素の製造方法で
ある。請求項8に係わる発明は、前記乾留炭が、やし
殻、フェノール樹脂、フラン樹脂、または塩化ビニリデ
ン樹脂から得られた乾留炭であることを特徴とする請求
項1記載の電気二重層キャパシタ用炭素材の製造方法で
ある。請求項9に係わる発明は、前記結合剤が、フェノ
ール樹脂粉末、有機溶剤および親油性溶剤からなる組成
物であることを特徴とする請求項1の電気二重層キャパ
シタ用炭素材の製造方法である。請求項10に係わる発
明は、請求項1記載のキャパシタ用炭素材に硫酸を含浸
したことを特徴とする電気二重層キャパシタ用炭素電極
である。請求項11に係わる発明は、請求項10記載の
電気二重層キャパシタ用炭素電極において、電解質イオ
ンが硫酸イオンであり、急速放電時の静電容量が、30
〜50F/cm3であることを特徴とする電気二重層キ
ャパシタ用炭素電極である。請求項12に係わる発明
は、請求項11記載の炭素電極を有する電気二重層キャ
パシタである。
【0013】
(発明の構成)本発明の一つの実施の形態である電気二
重層キャパシタ用成型体炭素材および電極の製造工程の
概要を図1、2に示す。本発明の電気二重層キャパシタ
用の炭素材の製造方法は、まず乾留炭にハロゲン化処理
を施す。得られたハロゲン化処理炭が粉末状であればそ
のまま結合剤を加えて成型し、ハロゲン化処理炭が塊状
であれば粉砕して結合剤を加えて成型し、得られた成型
体中のハロゲンの一部または全部を離脱させる脱ハロゲ
ン処理とを備えた処理である。
重層キャパシタ用成型体炭素材および電極の製造工程の
概要を図1、2に示す。本発明の電気二重層キャパシタ
用の炭素材の製造方法は、まず乾留炭にハロゲン化処理
を施す。得られたハロゲン化処理炭が粉末状であればそ
のまま結合剤を加えて成型し、ハロゲン化処理炭が塊状
であれば粉砕して結合剤を加えて成型し、得られた成型
体中のハロゲンの一部または全部を離脱させる脱ハロゲ
ン処理とを備えた処理である。
【0014】ハロゲン化乾留炭のハロゲン化の程度は、
ハロゲン(X)と炭素(C)の原子数比(X/C)で表
される。当該原子数比は、ハロゲン化処理においては、
ハロゲン化処理前の乾留炭の重量を炭素の重量とし、ハ
ロゲン化処理における重量増加を塩素の重量として、原
子数比に換算したものである。また、脱ハロゲン処理に
おいては、脱ハロゲン処理による重量減少をハロゲンの
減量として原子数に換算して、これをハロゲン化乾留炭
のハロゲン原子数から減じて求めたものである。実際の
ハロゲン処理においては、炭化の進行に伴う乾留作用や
水蒸気の賦活作用(炭素のガス化)があるため、前記定
義による原子数比が負の値になることがある。
ハロゲン(X)と炭素(C)の原子数比(X/C)で表
される。当該原子数比は、ハロゲン化処理においては、
ハロゲン化処理前の乾留炭の重量を炭素の重量とし、ハ
ロゲン化処理における重量増加を塩素の重量として、原
子数比に換算したものである。また、脱ハロゲン処理に
おいては、脱ハロゲン処理による重量減少をハロゲンの
減量として原子数に換算して、これをハロゲン化乾留炭
のハロゲン原子数から減じて求めたものである。実際の
ハロゲン処理においては、炭化の進行に伴う乾留作用や
水蒸気の賦活作用(炭素のガス化)があるため、前記定
義による原子数比が負の値になることがある。
【0015】(ハロゲン化処理)塩素化処理は、乾留炭
を窒素などの不活性ガスで希釈した塩素ガス中350〜
1000℃、好ましくは400〜800℃の温度で加熱
処理を施すことを特徴としている。臭素化処理において
も同様である。塩素化処理の加熱の温度が1000℃を
超える場合、乾留が進行して水素原子の量が低下するた
め、塩素化の程度が小さくなり、好ましくない。また、
塩素化処理の加熱の温度が350℃未満の場合、塩素と
未組織炭素の反応速度が遅すぎるので、塩素化処理に長
時間を要し、好ましくない。臭素化処理においても同様
である。
を窒素などの不活性ガスで希釈した塩素ガス中350〜
1000℃、好ましくは400〜800℃の温度で加熱
処理を施すことを特徴としている。臭素化処理において
も同様である。塩素化処理の加熱の温度が1000℃を
超える場合、乾留が進行して水素原子の量が低下するた
め、塩素化の程度が小さくなり、好ましくない。また、
塩素化処理の加熱の温度が350℃未満の場合、塩素と
未組織炭素の反応速度が遅すぎるので、塩素化処理に長
時間を要し、好ましくない。臭素化処理においても同様
である。
【0016】塩素化処理において、塩素ガスの供給速度
は、塩素の濃度が約10容量パーセントのとき、空塔速
度で0.05〜0.3L/(min・cm2)程度であ
る(Lはほぼ大気圧、室温でのガスの体積である(以下
同じ))。塩素化処理の時間は、当該温度範囲の高温域
の場合は30分程度であるが、400℃に近い低温域の
場合は120分程度必要である。臭素化処理においては
180分間程度必要である。塩素化処理においては、主
として、乾留炭中の水素原子が塩素原子に置換されるの
で、排ガス中に塩化水素(HCl)が検出される。臭素
化処理においては主として臭化水素が発生する。
は、塩素の濃度が約10容量パーセントのとき、空塔速
度で0.05〜0.3L/(min・cm2)程度であ
る(Lはほぼ大気圧、室温でのガスの体積である(以下
同じ))。塩素化処理の時間は、当該温度範囲の高温域
の場合は30分程度であるが、400℃に近い低温域の
場合は120分程度必要である。臭素化処理においては
180分間程度必要である。塩素化処理においては、主
として、乾留炭中の水素原子が塩素原子に置換されるの
で、排ガス中に塩化水素(HCl)が検出される。臭素
化処理においては主として臭化水素が発生する。
【0017】上記塩素化処理により、塩素(Cl)と炭
素の原子数比(Cl/C)が好ましくは0.03以上、
より好ましくは0.07以上の塩素化乾留炭が得られ
る。なお、この原子数比が0.03未満の場合、ミクロ
孔形成への寄与が小さいので好ましくない。また、上記
原子数比の上限は、乾留炭中の水素原子の量、すなわ
ち、乾留温度により決まるが、0.315以下であれば
本発明の所望の効果が得られることが判っている。臭素
化処理においては、臭素(Br)の炭素に対する原子数
比(Br/C)が0.01程度であっても本発明の効果
が得られる。
素の原子数比(Cl/C)が好ましくは0.03以上、
より好ましくは0.07以上の塩素化乾留炭が得られ
る。なお、この原子数比が0.03未満の場合、ミクロ
孔形成への寄与が小さいので好ましくない。また、上記
原子数比の上限は、乾留炭中の水素原子の量、すなわ
ち、乾留温度により決まるが、0.315以下であれば
本発明の所望の効果が得られることが判っている。臭素
化処理においては、臭素(Br)の炭素に対する原子数
比(Br/C)が0.01程度であっても本発明の効果
が得られる。
【0018】(脱ハロゲン処理)脱塩素処理における残
存する塩素の程度、すなわち塩素の炭素に対する原子数
比(Cl/C)が0.02以下であることが好ましい
が、必ずしも完全に脱塩素させる必要はない。同じく、
脱臭素処理における残存する臭素の程度、すなわち臭素
の炭素に対する比(Br/C)が0.01以下であるこ
とが好ましいが、必ずしも完全に脱臭素させる必要はな
い。脱塩素処理においては乾留炭中の塩素は、主とし
て、塩化水素として脱離するので、排ガス中に塩化水素
が検出され、脱臭素処理においては臭化水素が検出され
る。
存する塩素の程度、すなわち塩素の炭素に対する原子数
比(Cl/C)が0.02以下であることが好ましい
が、必ずしも完全に脱塩素させる必要はない。同じく、
脱臭素処理における残存する臭素の程度、すなわち臭素
の炭素に対する比(Br/C)が0.01以下であるこ
とが好ましいが、必ずしも完全に脱臭素させる必要はな
い。脱塩素処理においては乾留炭中の塩素は、主とし
て、塩化水素として脱離するので、排ガス中に塩化水素
が検出され、脱臭素処理においては臭化水素が検出され
る。
【0019】高温脱ハロゲン処理は、不活性ガス中また
は真空排気下600〜1100℃、好ましくは、700
〜1000℃の温度で行う加熱処理であることを特徴と
している。真空排気の程度は特に限定されないが、真空
度が10Torrの真空排気であれば良い。加熱処理の時間
は、20〜30分程度で充分である。
は真空排気下600〜1100℃、好ましくは、700
〜1000℃の温度で行う加熱処理であることを特徴と
している。真空排気の程度は特に限定されないが、真空
度が10Torrの真空排気であれば良い。加熱処理の時間
は、20〜30分程度で充分である。
【0020】不活性ガス中で行う高温脱ハロゲン処理を
1100℃を超える処理温度で行った場合、熱収縮によ
り細孔入り口が小さくなりすぎて、電解質イオンが細孔
内に入ることができなくなるため、所望の静電容量が得
られないことがある。また、高温脱ハロゲン処理を60
0℃未満の処理温度で行った場合、充分に脱ハロゲンを
行うことができない。
1100℃を超える処理温度で行った場合、熱収縮によ
り細孔入り口が小さくなりすぎて、電解質イオンが細孔
内に入ることができなくなるため、所望の静電容量が得
られないことがある。また、高温脱ハロゲン処理を60
0℃未満の処理温度で行った場合、充分に脱ハロゲンを
行うことができない。
【0021】低温脱ハロゲン処理は、水素化合物ガス中
または不活性ガスで希釈した水素化合物ガス中での加熱
処理であることを特徴としている。加熱処理の時間は、
20〜30分程度で充分である。水素化合物が水蒸気ま
たは低級炭化水素である場合には加熱処理の温度は、6
00〜850℃、好ましくは650〜800℃である。
水素化合物が水素ガスである場合は加熱処理の温度は、
600〜1100℃、好ましくは650〜1100℃で
ある。前記水素化合物が水蒸気である場合、850℃を
超える温度で加熱処理すると、水蒸気による賦活作用が
進行しすぎるため、ミクロ孔の形成が阻害され、炭素収
率が低下する上、本発明の効果が低下する。なお、前記
水素化合物が水素ガスである場合は、賦活作用がないの
で、上記の上限温度は1100℃で良い。また、低温脱
ハロゲン処理を600℃未満の温度で行うと脱ハロゲン
の速度が遅いので効率が良くない。
または不活性ガスで希釈した水素化合物ガス中での加熱
処理であることを特徴としている。加熱処理の時間は、
20〜30分程度で充分である。水素化合物が水蒸気ま
たは低級炭化水素である場合には加熱処理の温度は、6
00〜850℃、好ましくは650〜800℃である。
水素化合物が水素ガスである場合は加熱処理の温度は、
600〜1100℃、好ましくは650〜1100℃で
ある。前記水素化合物が水蒸気である場合、850℃を
超える温度で加熱処理すると、水蒸気による賦活作用が
進行しすぎるため、ミクロ孔の形成が阻害され、炭素収
率が低下する上、本発明の効果が低下する。なお、前記
水素化合物が水素ガスである場合は、賦活作用がないの
で、上記の上限温度は1100℃で良い。また、低温脱
ハロゲン処理を600℃未満の温度で行うと脱ハロゲン
の速度が遅いので効率が良くない。
【0022】ここで水素化合物ガスとは、水蒸気(H2
O)、水素、もしくはメタン(CH4)、エタン(C2H
6)、エチレン(C2H4)、プロパン(C3H8)、プロ
ピレン(C3H6)、ブタン(C4H10)、ブチレン(C4
H8)などの低級炭化水素、およびこれらの混合ガスで
ある。不活性ガス中の水素化合物としては、LPG(液
化石油ガス)が不完全燃焼したときの排ガスを、工業的
に好適に利用することができる。前記排ガスの組成は、
例えば、水蒸気13〜17容量%、炭酸ガス9〜12容
量%、一酸化炭素0.01〜1容量%、窒素68〜74
容量%、未燃分低級炭化水素0.01〜3容量%程度で
ある。前記水素化合物が水蒸気である場合、水蒸気の濃
度は特に限定されないが、空塔速度が0.05〜0.1
5L/(min・cm2)のとき、3容量%程度であれ
ば充分である。
O)、水素、もしくはメタン(CH4)、エタン(C2H
6)、エチレン(C2H4)、プロパン(C3H8)、プロ
ピレン(C3H6)、ブタン(C4H10)、ブチレン(C4
H8)などの低級炭化水素、およびこれらの混合ガスで
ある。不活性ガス中の水素化合物としては、LPG(液
化石油ガス)が不完全燃焼したときの排ガスを、工業的
に好適に利用することができる。前記排ガスの組成は、
例えば、水蒸気13〜17容量%、炭酸ガス9〜12容
量%、一酸化炭素0.01〜1容量%、窒素68〜74
容量%、未燃分低級炭化水素0.01〜3容量%程度で
ある。前記水素化合物が水蒸気である場合、水蒸気の濃
度は特に限定されないが、空塔速度が0.05〜0.1
5L/(min・cm2)のとき、3容量%程度であれ
ば充分である。
【0023】脱ハロゲンのための処理方法としては、高
温脱ハロゲンのみの処理を行う方法と、低温脱ハロゲン
のみの処理を行う方法と、それらを組み合わせた方法と
して、高温脱ハロゲン処理と低温脱ハロゲン処理とを順
次行う処理、低温脱ハロゲン処理と高温脱ハロゲン処理
とを順次行う処理、高温脱ハロゲン処理と低温脱ハロゲ
ン処理と高温脱ハロゲン処理とを順次行う処理、の五つ
がある。以上説明した脱ハロゲンの処理方法のうち、高
温脱ハロゲン処理と低温脱ハロゲン処理とを順次行う処
理を採用し、水素化合物が水蒸気または水蒸気と低級炭
化水素の混合ガスであるとき、本発明の効果がもっとも
よく発現する。
温脱ハロゲンのみの処理を行う方法と、低温脱ハロゲン
のみの処理を行う方法と、それらを組み合わせた方法と
して、高温脱ハロゲン処理と低温脱ハロゲン処理とを順
次行う処理、低温脱ハロゲン処理と高温脱ハロゲン処理
とを順次行う処理、高温脱ハロゲン処理と低温脱ハロゲ
ン処理と高温脱ハロゲン処理とを順次行う処理、の五つ
がある。以上説明した脱ハロゲンの処理方法のうち、高
温脱ハロゲン処理と低温脱ハロゲン処理とを順次行う処
理を採用し、水素化合物が水蒸気または水蒸気と低級炭
化水素の混合ガスであるとき、本発明の効果がもっとも
よく発現する。
【0024】(成型処理)乾留炭または塩素化乾留炭の
粉砕は、通常使用される装置で行うことができる。粉砕
された粒子の平均径は数〜十数μmでよい。なお、塩素
化処理は粉末状の乾留炭に対して施すことが好ましい場
合があるが、このようにして得られる塩素化乾留炭が粉
末状である場合には、当然粉砕工程は省略できる。成型
のための結合剤としては、フェノール樹脂粉末をアルコ
ール類や、アセトンなどのケトン類、等の有機溶剤とク
レオソート油、コールタール、アントラセン油、灯油、
流動パラフィン、エチレングリコール、グリセリンなど
の親油性溶剤に溶解したものが使用できる。成型は通常
の技術で使用される装置が使用できる。
粉砕は、通常使用される装置で行うことができる。粉砕
された粒子の平均径は数〜十数μmでよい。なお、塩素
化処理は粉末状の乾留炭に対して施すことが好ましい場
合があるが、このようにして得られる塩素化乾留炭が粉
末状である場合には、当然粉砕工程は省略できる。成型
のための結合剤としては、フェノール樹脂粉末をアルコ
ール類や、アセトンなどのケトン類、等の有機溶剤とク
レオソート油、コールタール、アントラセン油、灯油、
流動パラフィン、エチレングリコール、グリセリンなど
の親油性溶剤に溶解したものが使用できる。成型は通常
の技術で使用される装置が使用できる。
【0025】成型処理された成型品に脱ハロゲン処理を
施すために加熱する場合の昇温速度(加熱速度)は、2
0〜500℃/hであり、好ましくは50〜400℃/
hである。20℃/h未満の昇温速度であると処理時間
が長くなり効率が悪く、500℃/hを越える昇温速度
では成型体炭素に変形(膨らみ・反り)や破損(割れ・
亀裂・剥離)が発生して良好な形状が得られない。本発
明で成型体炭素材とは、前記結合剤が炭素化され、基材
の炭素と一体化された炭素構造の状態である炭素材をい
う。
施すために加熱する場合の昇温速度(加熱速度)は、2
0〜500℃/hであり、好ましくは50〜400℃/
hである。20℃/h未満の昇温速度であると処理時間
が長くなり効率が悪く、500℃/hを越える昇温速度
では成型体炭素に変形(膨らみ・反り)や破損(割れ・
亀裂・剥離)が発生して良好な形状が得られない。本発
明で成型体炭素材とは、前記結合剤が炭素化され、基材
の炭素と一体化された炭素構造の状態である炭素材をい
う。
【0026】上記電極用炭素材の製造方法は、種々の乾
留炭に適用することができるが、特に、やし殻、フェノ
ール樹脂、フラン樹脂または塩化ビニリデン樹脂を乾留
して得た乾留炭を原料とするのが最適である。本発明の
方法により得られる炭素材は、細孔容積が0.15〜
0.40cm3/g、密度が0.7〜1.0g/cm3で
あることを特徴とする。
留炭に適用することができるが、特に、やし殻、フェノ
ール樹脂、フラン樹脂または塩化ビニリデン樹脂を乾留
して得た乾留炭を原料とするのが最適である。本発明の
方法により得られる炭素材は、細孔容積が0.15〜
0.40cm3/g、密度が0.7〜1.0g/cm3で
あることを特徴とする。
【0027】(電極の作製)ハロゲン処理された成型体
炭素材は、所望の形状に切断したものを電解質溶液に浸
漬して電極にすることができるが、真空または減圧にし
ながら、電解質溶液を炭素材の内部まで浸透させること
により炭素電極を作製するのが好ましい。電解液として
は、硫酸H2SO4、水酸化カリウムKOH、塩酸HC
l、硫酸ナトリウムNa2SO4 などの水溶液が用いら
れる。また、ポリプロピレンカーボネイト、γ−ブチル
ラクトン、アセトニトリル、ジメチルホルムアミド、
1,2−ジメトキシエタン、スルホランあるいはニトロ
メタンなどの溶媒に、過塩素酸テトラエチルアンモニウ
ム、テトラフルオロホウ酸テトラエチルアンモニウム、
過塩素酸リチウム、アルカリ金属塩、アミン塩、テトラ
アルキルアンモニウム塩、またはテトラアルキルホスホ
ニウム塩などを溶解させたものが用いられる。本発明
は、ハロゲン処理した成型体炭素材を電極とし、電解質
イオンが硫酸イオンである場合、急速放電において30
〜50F/cm3の静電容量であることを特徴としてい
る。ここで、Fはファラッド(Farad)を、cm3は炭素
電極(正極と負極の合計)の体積を表す。次に、本発明
の作用について説明する。
炭素材は、所望の形状に切断したものを電解質溶液に浸
漬して電極にすることができるが、真空または減圧にし
ながら、電解質溶液を炭素材の内部まで浸透させること
により炭素電極を作製するのが好ましい。電解液として
は、硫酸H2SO4、水酸化カリウムKOH、塩酸HC
l、硫酸ナトリウムNa2SO4 などの水溶液が用いら
れる。また、ポリプロピレンカーボネイト、γ−ブチル
ラクトン、アセトニトリル、ジメチルホルムアミド、
1,2−ジメトキシエタン、スルホランあるいはニトロ
メタンなどの溶媒に、過塩素酸テトラエチルアンモニウ
ム、テトラフルオロホウ酸テトラエチルアンモニウム、
過塩素酸リチウム、アルカリ金属塩、アミン塩、テトラ
アルキルアンモニウム塩、またはテトラアルキルホスホ
ニウム塩などを溶解させたものが用いられる。本発明
は、ハロゲン処理した成型体炭素材を電極とし、電解質
イオンが硫酸イオンである場合、急速放電において30
〜50F/cm3の静電容量であることを特徴としてい
る。ここで、Fはファラッド(Farad)を、cm3は炭素
電極(正極と負極の合計)の体積を表す。次に、本発明
の作用について説明する。
【0028】(ハロゲン処理)難黒鉛化性炭素には、通
常、未組織炭素が含まれている。未組織炭素とは、グラ
ファイト炭素とのみ化学結合しているグラファイト炭素
以外の炭素であり、鎖状構造を有する炭素、炭素六員環
の周辺に付着している炭素、炭素六員環の最外縁(プリ
ズム面)にある炭素、炭素六員環(結晶子)どうしの架
橋構造にあずかっている炭素などをいう。
常、未組織炭素が含まれている。未組織炭素とは、グラ
ファイト炭素とのみ化学結合しているグラファイト炭素
以外の炭素であり、鎖状構造を有する炭素、炭素六員環
の周辺に付着している炭素、炭素六員環の最外縁(プリ
ズム面)にある炭素、炭素六員環(結晶子)どうしの架
橋構造にあずかっている炭素などをいう。
【0029】ハロゲンとして塩素を例に説明すれば、乾
留炭に塩素ガスを接触させると、塩素は未組織炭素と反
応する。これらの反応には、炭素二重結合への塩素付加
反応、未組織炭素に結合している水素原子と塩素原子の
交換反応(塩素と等モルの塩化水素が発生する)、表面
の脱水素化反応(塩素の二倍の塩化水素が発生する)、
などがある。前記塩素化反応のとき、および脱塩素反応
のとき、次式に示す反応が起きて、新たな炭素原子−炭
素原子結合(以下、炭素結合)が形成されていると推測
される。C□は未組織炭素であることを示す。 C□−Cl + C□−H → C−C + HCl この新たな炭素結合の形成により、炭素網面または結晶
子のグラファイト構造の欠陥を修復する作用、結晶子の
成長作用、結晶子の集合状態を変える作用、等の作用を
果たすと考えられるが、詳細は不明である。しかしなが
ら、これらの作用により、硫酸イオンなどの電解質イオ
ンが電気二重層を好適に形成できるミクロ孔および/ま
たはサブミクロ孔構造が多数形成されるものと推定され
る。臭素、その他のハロゲンも以上説明した作用を持つ
と推定される。
留炭に塩素ガスを接触させると、塩素は未組織炭素と反
応する。これらの反応には、炭素二重結合への塩素付加
反応、未組織炭素に結合している水素原子と塩素原子の
交換反応(塩素と等モルの塩化水素が発生する)、表面
の脱水素化反応(塩素の二倍の塩化水素が発生する)、
などがある。前記塩素化反応のとき、および脱塩素反応
のとき、次式に示す反応が起きて、新たな炭素原子−炭
素原子結合(以下、炭素結合)が形成されていると推測
される。C□は未組織炭素であることを示す。 C□−Cl + C□−H → C−C + HCl この新たな炭素結合の形成により、炭素網面または結晶
子のグラファイト構造の欠陥を修復する作用、結晶子の
成長作用、結晶子の集合状態を変える作用、等の作用を
果たすと考えられるが、詳細は不明である。しかしなが
ら、これらの作用により、硫酸イオンなどの電解質イオ
ンが電気二重層を好適に形成できるミクロ孔および/ま
たはサブミクロ孔構造が多数形成されるものと推定され
る。臭素、その他のハロゲンも以上説明した作用を持つ
と推定される。
【0030】(成型体)脱ハロゲン処理において成型体
を加熱するときに、成型処理において添加した結合剤が
炭素化されてガス化成分が発生し、成型体の内部から外
部へと移動する。したがって、昇温速度が早すぎると、
ガスの発生速度が早く、成型体の変形や破損の発生の原
因となるので、昇温速度は早すぎないことが好ましい。
また、ハロゲン化炭素中のハロゲンの一部は、ハロゲン
の状態で脱離し、このハロゲンは、結合剤が炭素化され
た炭素と反応し、すなわち、結合剤から生成した炭素を
ハロゲン化し、引き続く脱ハロゲン処理において脱ハロ
ゲンされることにより、結合剤から生成した炭素も本発
明のハロゲン処理の作用効果を生じると考えられる。本
発明においては、結合剤は炭化されている上にハロゲン
処理が施されているので、成型体全体が充放電に寄与で
き、抵抗も小さいので急速放電においても大きな静電容
量が得られる。
を加熱するときに、成型処理において添加した結合剤が
炭素化されてガス化成分が発生し、成型体の内部から外
部へと移動する。したがって、昇温速度が早すぎると、
ガスの発生速度が早く、成型体の変形や破損の発生の原
因となるので、昇温速度は早すぎないことが好ましい。
また、ハロゲン化炭素中のハロゲンの一部は、ハロゲン
の状態で脱離し、このハロゲンは、結合剤が炭素化され
た炭素と反応し、すなわち、結合剤から生成した炭素を
ハロゲン化し、引き続く脱ハロゲン処理において脱ハロ
ゲンされることにより、結合剤から生成した炭素も本発
明のハロゲン処理の作用効果を生じると考えられる。本
発明においては、結合剤は炭化されている上にハロゲン
処理が施されているので、成型体全体が充放電に寄与で
き、抵抗も小さいので急速放電においても大きな静電容
量が得られる。
【0031】
【実施例】以下に、本発明を実施例および比較例に基づ
き、具体的且つ詳細に説明する。 (原料乾留炭)本実施例では、原料乾留炭およびその製
造方法を次の記号で示す。 乾留炭A; フェノール樹脂(群栄化学工業(株)製PG
A−4560商品名レヂトップ)を160℃で硬化さ
せ、窒素ガス気流下、550℃の温度で乾留し、微粉砕
(粉砕機:中央化工機(株)製、MB−1型)した後、
レヂトップをバインダーとして、2mmφ×5〜6mm
のペレット(小円柱)に成形(成形機:不二パウダル
(株)製、PV−5型)し、窒素ガス気流下、600℃
で乾留したもの。 乾留炭B; フィリピン産やし殻炭を微粉砕し、コールタ
ールをバインダーとして2mmφ×5〜6mmのペレッ
ト(小円柱)に成形し、窒素ガス気流下、600℃で乾
留したもの。 乾留炭C; フラン樹脂(日立化成工業(株)製、VF−
302)に硬化剤を加えて硬化させた後、550℃で乾
留し、微粉砕した後、コールタールをバインダーとして
2mmφ×5〜6mmのペレット(小円柱)に成形し、
窒素ガス気流下、550℃で乾留したもの。 乾留炭D;塩化ビニリデン樹脂(市販のラップ)を窒素
ガス気流下、550℃の温度で乾留し、微粉砕した後、
レヂトップをバインダーとして2mmφ×5〜6mmの
ペレット(小円柱)に成形し、窒素ガス気流下、550
℃で乾留したもの。
き、具体的且つ詳細に説明する。 (原料乾留炭)本実施例では、原料乾留炭およびその製
造方法を次の記号で示す。 乾留炭A; フェノール樹脂(群栄化学工業(株)製PG
A−4560商品名レヂトップ)を160℃で硬化さ
せ、窒素ガス気流下、550℃の温度で乾留し、微粉砕
(粉砕機:中央化工機(株)製、MB−1型)した後、
レヂトップをバインダーとして、2mmφ×5〜6mm
のペレット(小円柱)に成形(成形機:不二パウダル
(株)製、PV−5型)し、窒素ガス気流下、600℃
で乾留したもの。 乾留炭B; フィリピン産やし殻炭を微粉砕し、コールタ
ールをバインダーとして2mmφ×5〜6mmのペレッ
ト(小円柱)に成形し、窒素ガス気流下、600℃で乾
留したもの。 乾留炭C; フラン樹脂(日立化成工業(株)製、VF−
302)に硬化剤を加えて硬化させた後、550℃で乾
留し、微粉砕した後、コールタールをバインダーとして
2mmφ×5〜6mmのペレット(小円柱)に成形し、
窒素ガス気流下、550℃で乾留したもの。 乾留炭D;塩化ビニリデン樹脂(市販のラップ)を窒素
ガス気流下、550℃の温度で乾留し、微粉砕した後、
レヂトップをバインダーとして2mmφ×5〜6mmの
ペレット(小円柱)に成形し、窒素ガス気流下、550
℃で乾留したもの。
【0032】(成型処理)ハロゲン化処理した乾留炭を
振動ボールミル(日陶化学(株)製、NB−0)で、約
60分間粉砕する。得られる炭素粉末の平均粒径はおよ
そ8μmである。粉砕された乾留炭粉末100重量部に
対し、結合剤としてフェノール樹脂15重量部、エタノ
ール8重量部、およびクレオソート20重量部を加えて
混練し、圧力500kgf/cm2 でプレスして、50
×50×1(mm)の板状に成型する。成型品の重量は
1枚がおよそ2.5〜3gである。
振動ボールミル(日陶化学(株)製、NB−0)で、約
60分間粉砕する。得られる炭素粉末の平均粒径はおよ
そ8μmである。粉砕された乾留炭粉末100重量部に
対し、結合剤としてフェノール樹脂15重量部、エタノ
ール8重量部、およびクレオソート20重量部を加えて
混練し、圧力500kgf/cm2 でプレスして、50
×50×1(mm)の板状に成型する。成型品の重量は
1枚がおよそ2.5〜3gである。
【0033】(ハロゲン処理設備)本発明を実施するた
めのハロゲン処理設備の概要を図3に示す。図3中で符
号1は温度制御機能付き管状電気炉(管状炉:(株)吉
田製作所製、温度制御装置:(株)チノー製 MODEL S
U、熱電対 JIS R)、2は石英管、3は炭素材容器(ガ
ス透過性)、4は炭素材、5は窒素ガス供給管、6は塩
素、臭素、水蒸気、またはメタン等の供給管、7はガス
排出管、8はゴム栓である。各ガスの供給圧力はほぼ大
気圧である。ハロゲン化処理では管5から窒素ガスと管
6から塩素ガスまたは臭素ガスを所定量流す。高温脱ハ
ロゲン処理では管6から窒素ガスを所定量流す。低温脱
ハロゲン処理では管5から窒素ガスと管6から水蒸気、
メタンなどを含む窒素ガスを所定量流す。流量は、フロ
ート形面積流量計(塩素ガス:流体工業(株)製PGF
−N型(臭素ガスの場合には補正して使用)、その他ガ
ス:日本フローセル(株)製ST−4型)で測定した。
めのハロゲン処理設備の概要を図3に示す。図3中で符
号1は温度制御機能付き管状電気炉(管状炉:(株)吉
田製作所製、温度制御装置:(株)チノー製 MODEL S
U、熱電対 JIS R)、2は石英管、3は炭素材容器(ガ
ス透過性)、4は炭素材、5は窒素ガス供給管、6は塩
素、臭素、水蒸気、またはメタン等の供給管、7はガス
排出管、8はゴム栓である。各ガスの供給圧力はほぼ大
気圧である。ハロゲン化処理では管5から窒素ガスと管
6から塩素ガスまたは臭素ガスを所定量流す。高温脱ハ
ロゲン処理では管6から窒素ガスを所定量流す。低温脱
ハロゲン処理では管5から窒素ガスと管6から水蒸気、
メタンなどを含む窒素ガスを所定量流す。流量は、フロ
ート形面積流量計(塩素ガス:流体工業(株)製PGF
−N型(臭素ガスの場合には補正して使用)、その他ガ
ス:日本フローセル(株)製ST−4型)で測定した。
【0034】(比表面積、細孔容積の測定)比表面積
は、―196℃(液体窒素の沸点)の温度における窒素
ガスの吸着量を測定し、Brunauer-Emmett-Teller の吸
着式から求めた。機器は(株)島津製作所製アキュソー
ブ2100―02型を用いた。細孔容積は、炭素材1g
当たりのベンゼンの吸着量(g)を液体ベンゼンの密度
(0.879g/cm3)で除した値として求めた。
は、―196℃(液体窒素の沸点)の温度における窒素
ガスの吸着量を測定し、Brunauer-Emmett-Teller の吸
着式から求めた。機器は(株)島津製作所製アキュソー
ブ2100―02型を用いた。細孔容積は、炭素材1g
当たりのベンゼンの吸着量(g)を液体ベンゼンの密度
(0.879g/cm3)で除した値として求めた。
【0035】(静電容量の測定)成型体炭素から電極を
作製するには、塩素処理を施した良好な成型体炭素か
ら、直径14mm、厚さ1mmの円板を2枚切り出し、
減圧下で30wt%硫酸溶液を含浸させる。硫酸溶液を
含浸させたものを炭素電極と呼ぶ。それに対し炭素電極
に加工する前の粉末状または成型体の炭素を電気二重層
キャパシタ用炭素材と呼ぶ。これら2枚の電極をポリプ
ロピレン製セパレータをはさんで向かい合わせに重ね、
両側から白金製の集電極で挟み込み、図4に示す測定用
セルを作製し、静電容量を求める。図4中、符号11は
炭素電極、12はガスケット、13は集電極、14はセ
パレータである。静電容量C(単位、ファラッド:F)
は一般に、ある電圧で充電した後、一定電流I(A)で
放電し、電圧がV1からV2(V)まで低下する時間Δt
(s)を測定し、C=I×Δt/(V1−V2)から計算
することができる。放電電流Iが小さい場合を緩速放電
と言い、静電容量の値は大きな値になる。放電電流Iが
大きい場合を急速放電と言い、静電容量は小さな値にな
る。放電電流が300mA/cm2の場合は急速放電で
ある。cm2は炭素電極の断面積である。以下の比較
例、実施例では、900mVで24時間充電した後、I
=300mA/cm2(急速放電)の定電流で放電し、
V1=540mVから、V2=360mVまで降下すると
きの時間を測定して静電容量を求めた。
作製するには、塩素処理を施した良好な成型体炭素か
ら、直径14mm、厚さ1mmの円板を2枚切り出し、
減圧下で30wt%硫酸溶液を含浸させる。硫酸溶液を
含浸させたものを炭素電極と呼ぶ。それに対し炭素電極
に加工する前の粉末状または成型体の炭素を電気二重層
キャパシタ用炭素材と呼ぶ。これら2枚の電極をポリプ
ロピレン製セパレータをはさんで向かい合わせに重ね、
両側から白金製の集電極で挟み込み、図4に示す測定用
セルを作製し、静電容量を求める。図4中、符号11は
炭素電極、12はガスケット、13は集電極、14はセ
パレータである。静電容量C(単位、ファラッド:F)
は一般に、ある電圧で充電した後、一定電流I(A)で
放電し、電圧がV1からV2(V)まで低下する時間Δt
(s)を測定し、C=I×Δt/(V1−V2)から計算
することができる。放電電流Iが小さい場合を緩速放電
と言い、静電容量の値は大きな値になる。放電電流Iが
大きい場合を急速放電と言い、静電容量は小さな値にな
る。放電電流が300mA/cm2の場合は急速放電で
ある。cm2は炭素電極の断面積である。以下の比較
例、実施例では、900mVで24時間充電した後、I
=300mA/cm2(急速放電)の定電流で放電し、
V1=540mVから、V2=360mVまで降下すると
きの時間を測定して静電容量を求めた。
【0036】(比較例1;乾留炭A、ハロゲン処理な
し)乾留炭Aを平均粒径がおよそ9μmになる様に粉砕
した。これに有機結合剤を加えて成形した。これを、窒
素ガス気流(2L/min)下、100℃/hの昇温速
度で加熱し、試料は600℃、は800℃、は1
000℃の温度で60分間加熱処理した。得られた成形
体の形状は良好であった。これらから電極を作製し、静
電容量を測定した。それぞれの試料の静電容量は、
9.5F/cm 3、21.4F/cm3、19.5F
/cm3であった。成型体の細孔容積は、0.17c
m3/g、0.15cm3/g、0.14cm3/g
であった。密度は、0.76g/cm3、0.86
g/cm3、0.87g/cm3であった。昇温速度を
550℃/hとすると、得られた成形体に変形が生じる
場合があったが、昇温速度を500℃/h以下にすると
良好な形状であった。
し)乾留炭Aを平均粒径がおよそ9μmになる様に粉砕
した。これに有機結合剤を加えて成形した。これを、窒
素ガス気流(2L/min)下、100℃/hの昇温速
度で加熱し、試料は600℃、は800℃、は1
000℃の温度で60分間加熱処理した。得られた成形
体の形状は良好であった。これらから電極を作製し、静
電容量を測定した。それぞれの試料の静電容量は、
9.5F/cm 3、21.4F/cm3、19.5F
/cm3であった。成型体の細孔容積は、0.17c
m3/g、0.15cm3/g、0.14cm3/g
であった。密度は、0.76g/cm3、0.86
g/cm3、0.87g/cm3であった。昇温速度を
550℃/hとすると、得られた成形体に変形が生じる
場合があったが、昇温速度を500℃/h以下にすると
良好な形状であった。
【0037】(比較例2;乾留炭A、炭酸ガス2段賦
活)乾留炭Aを窒素ガス中900℃で30分間熱処理し
て炭化した。引き続き、炭酸ガス中900℃で1時間熱
処理して1次賦活し、比表面積650m2/gの粒状活
性炭を得た。1次賦活収率(=賦活後の重量/賦活前の
重量)は92%であった。この粒状活性炭基材を粉砕し
て平均9μmの粉末とし、有機結合剤を加えて成形し
た。得られた成形体を窒素ガス気流(2L/min)
下、100℃/hの昇温速度で加熱し、900℃の温度
で30分間保持し炭素化した。引き続き炭酸ガス中80
0℃で試料は10時間、は20時間、は30時間
処理して2次賦活した。その時の賦活収率は、93
%、84%、76%であった。従って総合収率は、
86%、77%、72%となる。得られた成形体
の形状は良好であった。これらから電極を作製し、静電
容量を測定した。静電容量は、28.7F/cm3、
27.8F/cm3、27.3F/cm3であった。
成型体の細孔容積は、0.29cm3/g、0.3
1cm3/g、0.37cm3/gであった。BET比
表面積は、740m2/g、1080m2/g、1
370m2/gであった。
活)乾留炭Aを窒素ガス中900℃で30分間熱処理し
て炭化した。引き続き、炭酸ガス中900℃で1時間熱
処理して1次賦活し、比表面積650m2/gの粒状活
性炭を得た。1次賦活収率(=賦活後の重量/賦活前の
重量)は92%であった。この粒状活性炭基材を粉砕し
て平均9μmの粉末とし、有機結合剤を加えて成形し
た。得られた成形体を窒素ガス気流(2L/min)
下、100℃/hの昇温速度で加熱し、900℃の温度
で30分間保持し炭素化した。引き続き炭酸ガス中80
0℃で試料は10時間、は20時間、は30時間
処理して2次賦活した。その時の賦活収率は、93
%、84%、76%であった。従って総合収率は、
86%、77%、72%となる。得られた成形体
の形状は良好であった。これらから電極を作製し、静電
容量を測定した。静電容量は、28.7F/cm3、
27.8F/cm3、27.3F/cm3であった。
成型体の細孔容積は、0.29cm3/g、0.3
1cm3/g、0.37cm3/gであった。BET比
表面積は、740m2/g、1080m2/g、1
370m2/gであった。
【0038】(比較例3;乾留炭B、炭酸ガス2段賦
活)乾留炭Bを窒素ガス中900℃で30分間熱処理し
て炭化した。引き続き、炭酸ガス中900℃で1時間熱
処理して1次賦活し粒状活性炭を得た。1次賦活収率は
94%であった。この粒状活性炭基材を粉砕して平均9
μmの粉末とし、有機結合剤を加えて成形した。得られ
た成形体を窒素ガス気流(2L/min)下、100℃
/hの昇温速度で加熱し、900℃の温度で30分間保
持し炭素化した。引き続き炭酸ガス中800℃で10時
間2次賦活した。その時の賦活収率は93%であった。
従って総合収率は87%となる。得られた成形体の形状
は良好であった。これらから電極を作製し、静電容量を
測定した。静電容量は24.2F/cm3であった。
活)乾留炭Bを窒素ガス中900℃で30分間熱処理し
て炭化した。引き続き、炭酸ガス中900℃で1時間熱
処理して1次賦活し粒状活性炭を得た。1次賦活収率は
94%であった。この粒状活性炭基材を粉砕して平均9
μmの粉末とし、有機結合剤を加えて成形した。得られ
た成形体を窒素ガス気流(2L/min)下、100℃
/hの昇温速度で加熱し、900℃の温度で30分間保
持し炭素化した。引き続き炭酸ガス中800℃で10時
間2次賦活した。その時の賦活収率は93%であった。
従って総合収率は87%となる。得られた成形体の形状
は良好であった。これらから電極を作製し、静電容量を
測定した。静電容量は24.2F/cm3であった。
【0039】(比較例4;乾留炭C、炭酸ガス2段賦
活)乾留炭Cを窒素ガス中900℃で30分間熱処理し
て炭化した。引き続き、炭酸ガス中900℃で1時間熱
処理して1次賦活し粒状活性炭を得た。1次賦活収率は
91%であった。この粒状活性炭基材を粉砕して平均9
μmの粉末とし、有機結合剤を加えて成形した。得られ
た成形体を窒素ガス気流(2L/min)下、100℃
/hの昇温速度で加熱し、900℃の温度で30分間保
持し炭素化した。引き続き炭酸ガス中800℃で10時
間2次賦活した。その時の賦活収率は92%であった。
従って総合収率は84%となる。得られた成形体の形状
は良好であった。これらから電極を作製し、静電容量を
測定した。静電容量は26.8F/cm3であった。
活)乾留炭Cを窒素ガス中900℃で30分間熱処理し
て炭化した。引き続き、炭酸ガス中900℃で1時間熱
処理して1次賦活し粒状活性炭を得た。1次賦活収率は
91%であった。この粒状活性炭基材を粉砕して平均9
μmの粉末とし、有機結合剤を加えて成形した。得られ
た成形体を窒素ガス気流(2L/min)下、100℃
/hの昇温速度で加熱し、900℃の温度で30分間保
持し炭素化した。引き続き炭酸ガス中800℃で10時
間2次賦活した。その時の賦活収率は92%であった。
従って総合収率は84%となる。得られた成形体の形状
は良好であった。これらから電極を作製し、静電容量を
測定した。静電容量は26.8F/cm3であった。
【0040】(比較例5;乾留炭D、板状、炭酸ガス2
段賦活)乾留炭Dを窒素ガス中900℃で30分間熱処
理して炭化した。引き続き、炭酸ガス中900℃で1時
間熱処理して1次賦活し粒状活性炭を得た。1次賦活収
率は93%であった。この粒状活性炭基材を粉砕して平
均9μmの粉末とし、有機結合剤を加えて成形した。得
られた成形体を窒素ガス気流(2L/min)下、10
0℃/hの昇温速度で加熱し、900℃の温度で30分
間保持し炭素化した。引き続き炭酸ガス中800℃で1
0時間2次賦活した。その時の賦活収率は93%であっ
た。従って総合収率は86%となる。得られた成形体の
形状は良好であった。これらから電極を作製し、静電容
量を測定した。静電容量は28.1F/cm3であっ
た。
段賦活)乾留炭Dを窒素ガス中900℃で30分間熱処
理して炭化した。引き続き、炭酸ガス中900℃で1時
間熱処理して1次賦活し粒状活性炭を得た。1次賦活収
率は93%であった。この粒状活性炭基材を粉砕して平
均9μmの粉末とし、有機結合剤を加えて成形した。得
られた成形体を窒素ガス気流(2L/min)下、10
0℃/hの昇温速度で加熱し、900℃の温度で30分
間保持し炭素化した。引き続き炭酸ガス中800℃で1
0時間2次賦活した。その時の賦活収率は93%であっ
た。従って総合収率は86%となる。得られた成形体の
形状は良好であった。これらから電極を作製し、静電容
量を測定した。静電容量は28.1F/cm3であっ
た。
【0041】(実施例1;乾留炭A、塩素化温度の影
響)乾留炭Aを700℃の温度で再乾留したものを原料
とした。各15gの原料乾留炭を、10容量%の塩素ガ
スを含む窒素ガス気流(1L/min)下で、試料は
350℃、は500℃、は650℃、は800
℃、は1000℃の温度で、それぞれ60分間加熱し
て塩素化処理を行った。原料乾留炭の重量を基準とし
て、塩素化処理後の試料の重量増加は、44wt%、
41wt%、21wt%、13wt%、6wt
%であった。次に、得られた塩素化処理乾留炭を平均粒
径が9μmになるように粉砕し、有機結合剤を加え成形
した。つぎに、窒素ガス気流(2L/min)下で、1
00℃/hの昇温速度で加熱し、800℃の温度で30
分間保持(高温脱塩素処理)した。更に25℃の飽和水
蒸気を含む窒素ガス気流(1L/min)下で700℃
の温度で15分間加熱して脱塩素(低温脱塩素処理)し
た。得られた成形体の形状は良好であった。これらから
電極を作製し、静電容量を測定した。それぞれの試料の
静電容量は、40.0F/cm3、42.5F/c
m3、41.3F/cm3、35.2F/cm3、
32.1F/cm3であった。成型体の細孔容積は、
0.27cm3/g、0.26cm3/g、0.23
cm3/g、0.20cm3/g、0.19cm3/
gであった。
響)乾留炭Aを700℃の温度で再乾留したものを原料
とした。各15gの原料乾留炭を、10容量%の塩素ガ
スを含む窒素ガス気流(1L/min)下で、試料は
350℃、は500℃、は650℃、は800
℃、は1000℃の温度で、それぞれ60分間加熱し
て塩素化処理を行った。原料乾留炭の重量を基準とし
て、塩素化処理後の試料の重量増加は、44wt%、
41wt%、21wt%、13wt%、6wt
%であった。次に、得られた塩素化処理乾留炭を平均粒
径が9μmになるように粉砕し、有機結合剤を加え成形
した。つぎに、窒素ガス気流(2L/min)下で、1
00℃/hの昇温速度で加熱し、800℃の温度で30
分間保持(高温脱塩素処理)した。更に25℃の飽和水
蒸気を含む窒素ガス気流(1L/min)下で700℃
の温度で15分間加熱して脱塩素(低温脱塩素処理)し
た。得られた成形体の形状は良好であった。これらから
電極を作製し、静電容量を測定した。それぞれの試料の
静電容量は、40.0F/cm3、42.5F/c
m3、41.3F/cm3、35.2F/cm3、
32.1F/cm3であった。成型体の細孔容積は、
0.27cm3/g、0.26cm3/g、0.23
cm3/g、0.20cm3/g、0.19cm3/
gであった。
【0042】(実施例2;乾留炭A、窒素ガス気流下の
加熱温度の影響)乾留炭Aを700℃の温度で再乾留し
たものを原料とした。原料乾留炭を、10容量%の塩素
ガスを含む窒素ガス気流(1L/min)下で600℃
の温度で60分間加熱して塩素化処理を行った。原料乾
留炭の重量を基準として、塩素化処理後の試料の重量増
加は26wt%であった。次に、得られた塩素化処理乾
留炭を平均粒径が9μmになるように粉砕し、有機結合
剤を加え成形した。つぎに、窒素ガス気流(2L/mi
n)下で100℃/hの昇温速度で加熱し、試料は6
00℃、は700℃、は900℃、は1100℃
の各温度で30分間保持(高温脱塩素処理)した。更に
各試料を25℃の飽和水蒸気を含む窒素ガス気流(1L
/min)下で700℃の温度で15分間加熱して脱塩
素(低温脱塩素処理)した。得られた成形体の形状は良
好であった。これらから電極を作製し、静電容量を測定
した。それぞれの試料の静電容量は、31.7F/c
m3、41.3F/cm3、41.3F/cm3、
30.2F/cm3であった。成型体の細孔容積は、
0.23cm3/g、0.25cm3/g、0.25
cm3/g、0.23cm3/gであった。密度は、
0.81g/cm3、0.81g/cm3、0.83
g/cm3、0.84g/cm3であった。
加熱温度の影響)乾留炭Aを700℃の温度で再乾留し
たものを原料とした。原料乾留炭を、10容量%の塩素
ガスを含む窒素ガス気流(1L/min)下で600℃
の温度で60分間加熱して塩素化処理を行った。原料乾
留炭の重量を基準として、塩素化処理後の試料の重量増
加は26wt%であった。次に、得られた塩素化処理乾
留炭を平均粒径が9μmになるように粉砕し、有機結合
剤を加え成形した。つぎに、窒素ガス気流(2L/mi
n)下で100℃/hの昇温速度で加熱し、試料は6
00℃、は700℃、は900℃、は1100℃
の各温度で30分間保持(高温脱塩素処理)した。更に
各試料を25℃の飽和水蒸気を含む窒素ガス気流(1L
/min)下で700℃の温度で15分間加熱して脱塩
素(低温脱塩素処理)した。得られた成形体の形状は良
好であった。これらから電極を作製し、静電容量を測定
した。それぞれの試料の静電容量は、31.7F/c
m3、41.3F/cm3、41.3F/cm3、
30.2F/cm3であった。成型体の細孔容積は、
0.23cm3/g、0.25cm3/g、0.25
cm3/g、0.23cm3/gであった。密度は、
0.81g/cm3、0.81g/cm3、0.83
g/cm3、0.84g/cm3であった。
【0043】(実施例3;乾留炭A、低温脱塩素の影
響)乾留炭Aを700℃の温度で再乾留したものを原料
とした。原料乾留炭を、10容量%の塩素ガスを含む窒
素ガス気流(1L/min)下、600℃の温度で60
分間加熱して塩素化処理を行った。次に、得られた塩素
化処理乾留炭を平均粒径が9μmになるように粉砕し、
有機結合剤を加え成形した。つぎに、窒素ガス気流(2
L/min)下、100℃/hの昇温速度で加熱し、9
00℃の温度で30分間保持(高温脱塩素処理)した。
更に25℃の飽和水蒸気を含む窒素ガス気流(1L/m
in)下で、試料は600℃、は700℃、は8
00℃の温度で15分間加熱して脱塩素(低温脱塩素処
理)した。試料は、50容量%の水素ガスを含む窒素
ガス気流(1L/min)下で1000℃の温度で加熱
(低温脱塩素処理)した。得られた成形体の形状は良好
であった。これらから電極を作製し、静電容量を測定し
た。それぞれの試料の静電容量は、37.7F/cm
3、42.1F/cm3、44.2F/cm3、3
3.0F/cm3であった。成型体の細孔容積は、
0.23cm3/g、0.24cm3/g、0.26
cm3/gであった。密度は、0.84g/cm3、
0.83g/cm3、0.78g/cm3であった。
響)乾留炭Aを700℃の温度で再乾留したものを原料
とした。原料乾留炭を、10容量%の塩素ガスを含む窒
素ガス気流(1L/min)下、600℃の温度で60
分間加熱して塩素化処理を行った。次に、得られた塩素
化処理乾留炭を平均粒径が9μmになるように粉砕し、
有機結合剤を加え成形した。つぎに、窒素ガス気流(2
L/min)下、100℃/hの昇温速度で加熱し、9
00℃の温度で30分間保持(高温脱塩素処理)した。
更に25℃の飽和水蒸気を含む窒素ガス気流(1L/m
in)下で、試料は600℃、は700℃、は8
00℃の温度で15分間加熱して脱塩素(低温脱塩素処
理)した。試料は、50容量%の水素ガスを含む窒素
ガス気流(1L/min)下で1000℃の温度で加熱
(低温脱塩素処理)した。得られた成形体の形状は良好
であった。これらから電極を作製し、静電容量を測定し
た。それぞれの試料の静電容量は、37.7F/cm
3、42.1F/cm3、44.2F/cm3、3
3.0F/cm3であった。成型体の細孔容積は、
0.23cm3/g、0.24cm3/g、0.26
cm3/gであった。密度は、0.84g/cm3、
0.83g/cm3、0.78g/cm3であった。
【0044】(実施例4;乾留炭A、脱塩素の方法)乾
留炭Aを700℃の温度で再乾留したものを原料とし
た。原料乾留炭を、10容量%の塩素ガスを含む窒素ガ
ス気流(1L/min)下、600℃の温度で60分間
加熱して塩素化処理を行った。次に、得られた塩素化処
理乾留炭を平均粒径が9μmになるように粉砕し、有機
結合剤を加え成形した。試料は、窒素ガス気流(2L
/min)下、100℃/hの昇温速度で加熱し、90
0℃の温度で30分間保持した。試料は25℃の飽和
水蒸気を含む窒素ガス気流(1L/min)下で、10
0℃/hの昇温速度で加熱し700℃の温度に15分間
保持した。試料は25℃の飽和水蒸気を含む窒素ガス
気流(1L/min)下、100℃/hの昇温速度で加
熱し650℃の温度で15分間保持し、さらに窒素ガス
気流(2L/min)下で900℃の温度に30分間保
持した。試料は25℃の飽和水蒸気を含む窒素ガス気
流(1L/min)下、100℃/hの昇温速度で加熱
し750℃の温度で15分間保持し、さらに窒素ガス気
流(2L/min)下で700℃の温度に30分間保持
した。得られた4種類の成型体の形状は良好であった。
これらから電極を作製し、静電容量を測定した。それぞ
れの試料の静電容量は、32.6F/cm3、3
8.1F/cm3、41.2F/cm3、40.5F
/cm3であった。いずれの脱塩素の方法でも良好な性
能を示した。
留炭Aを700℃の温度で再乾留したものを原料とし
た。原料乾留炭を、10容量%の塩素ガスを含む窒素ガ
ス気流(1L/min)下、600℃の温度で60分間
加熱して塩素化処理を行った。次に、得られた塩素化処
理乾留炭を平均粒径が9μmになるように粉砕し、有機
結合剤を加え成形した。試料は、窒素ガス気流(2L
/min)下、100℃/hの昇温速度で加熱し、90
0℃の温度で30分間保持した。試料は25℃の飽和
水蒸気を含む窒素ガス気流(1L/min)下で、10
0℃/hの昇温速度で加熱し700℃の温度に15分間
保持した。試料は25℃の飽和水蒸気を含む窒素ガス
気流(1L/min)下、100℃/hの昇温速度で加
熱し650℃の温度で15分間保持し、さらに窒素ガス
気流(2L/min)下で900℃の温度に30分間保
持した。試料は25℃の飽和水蒸気を含む窒素ガス気
流(1L/min)下、100℃/hの昇温速度で加熱
し750℃の温度で15分間保持し、さらに窒素ガス気
流(2L/min)下で700℃の温度に30分間保持
した。得られた4種類の成型体の形状は良好であった。
これらから電極を作製し、静電容量を測定した。それぞ
れの試料の静電容量は、32.6F/cm3、3
8.1F/cm3、41.2F/cm3、40.5F
/cm3であった。いずれの脱塩素の方法でも良好な性
能を示した。
【0045】(実施例5;乾留炭B)乾留炭Bを700
℃の温度で再乾留したものを原料とした。原料乾留炭
(15g)を、10容量%の塩素ガスを含む窒素ガス気
流(1L/min)下、600℃の温度で60分間加熱
して塩素化処理を行った。原料乾留炭の重量を基準とし
て、塩素化処理後の試料の重量増加は、26wt%であ
った。次に、得られた塩素化処理乾留炭を平均粒径が9
μmになるように粉砕し、有機結合剤を加え成形した。
つぎに、窒素ガス気流(2L/min)下、200℃/
hの昇温速度で加熱し、900℃の温度で30分間保持
した。更に25℃の飽和水蒸気を含む窒素ガス気流(1
L/min)下、700℃の温度で15分間加熱した。
得られた成型体の形状は良好であった。これらから電極
を作製し、静電容量を測定した。静電容量は、37.0
F/cm3であった。
℃の温度で再乾留したものを原料とした。原料乾留炭
(15g)を、10容量%の塩素ガスを含む窒素ガス気
流(1L/min)下、600℃の温度で60分間加熱
して塩素化処理を行った。原料乾留炭の重量を基準とし
て、塩素化処理後の試料の重量増加は、26wt%であ
った。次に、得られた塩素化処理乾留炭を平均粒径が9
μmになるように粉砕し、有機結合剤を加え成形した。
つぎに、窒素ガス気流(2L/min)下、200℃/
hの昇温速度で加熱し、900℃の温度で30分間保持
した。更に25℃の飽和水蒸気を含む窒素ガス気流(1
L/min)下、700℃の温度で15分間加熱した。
得られた成型体の形状は良好であった。これらから電極
を作製し、静電容量を測定した。静電容量は、37.0
F/cm3であった。
【0046】(実施例6;乾留炭C)乾留炭Cを700
℃の温度で再乾留したものを原料とした。原料乾留炭
(15g)を、10容量%の塩素ガスを含む窒素ガス気
流(1L/min)下、600℃の温度で60分間加熱
して塩素化処理を行った。原料乾留炭の重量を基準とし
て、塩素化処理後の試料の重量増加は、21wt%であ
った。次に、得られた塩素化処理乾留炭を平均粒径が9
μmになるように粉砕し、有機結合剤を加え成形した。
つぎに、窒素ガス気流(2L/min)下、200℃/
hの昇温速度で加熱し、900℃の温度で30分間保持
した。更に25℃の飽和水蒸気を含む窒素ガス気流(1
L/min)下、700℃の温度で15分間加熱した。
得られた成型体の形状は良好であった。これらから電極
を作製し、静電容量を測定した。静電容量は、42.1
F/cm3であった。
℃の温度で再乾留したものを原料とした。原料乾留炭
(15g)を、10容量%の塩素ガスを含む窒素ガス気
流(1L/min)下、600℃の温度で60分間加熱
して塩素化処理を行った。原料乾留炭の重量を基準とし
て、塩素化処理後の試料の重量増加は、21wt%であ
った。次に、得られた塩素化処理乾留炭を平均粒径が9
μmになるように粉砕し、有機結合剤を加え成形した。
つぎに、窒素ガス気流(2L/min)下、200℃/
hの昇温速度で加熱し、900℃の温度で30分間保持
した。更に25℃の飽和水蒸気を含む窒素ガス気流(1
L/min)下、700℃の温度で15分間加熱した。
得られた成型体の形状は良好であった。これらから電極
を作製し、静電容量を測定した。静電容量は、42.1
F/cm3であった。
【0047】(実施例7;乾留炭D)乾留炭Dを700
℃の温度で再乾留したものを原料とした。原料乾留炭
(15g)を、10容量%の塩素ガスを含む窒素ガス気
流(1L/min)下、600℃の温度で60分間加熱
して塩素化処理を行った。原料乾留炭の重量を基準とし
て、塩素化処理後の試料の重量増加は、23wt%であ
った。次に、得られた塩素化処理乾留炭を平均粒径が9
μmになるように粉砕し、有機結合剤を加え成形した。
つぎに、窒素ガス気流(2L/min)下、200℃/
hの昇温速度で加熱し、900℃の温度で30分間保持
した。更に25℃の飽和水蒸気を含む窒素ガス気流(1
L/min)下、700℃の温度で15分間加熱した。
得られた成型体の形状は良好であった。これらから電極
を作製し、静電容量を測定した。静電容量は、39.8
F/cm3であった。
℃の温度で再乾留したものを原料とした。原料乾留炭
(15g)を、10容量%の塩素ガスを含む窒素ガス気
流(1L/min)下、600℃の温度で60分間加熱
して塩素化処理を行った。原料乾留炭の重量を基準とし
て、塩素化処理後の試料の重量増加は、23wt%であ
った。次に、得られた塩素化処理乾留炭を平均粒径が9
μmになるように粉砕し、有機結合剤を加え成形した。
つぎに、窒素ガス気流(2L/min)下、200℃/
hの昇温速度で加熱し、900℃の温度で30分間保持
した。更に25℃の飽和水蒸気を含む窒素ガス気流(1
L/min)下、700℃の温度で15分間加熱した。
得られた成型体の形状は良好であった。これらから電極
を作製し、静電容量を測定した。静電容量は、39.8
F/cm3であった。
【0048】(実施例8;臭素処理、乾留炭A)乾留炭
A(15g)を、8容量%の臭素ガスを含む窒素ガス気
流(1L/min)下、試料は500℃、は600
℃、は700℃の温度で180分間加熱して臭素化処
理を行った。原料乾留炭の重量を基準として、臭素化処
理後の試料の重量増加は、56wt%、20wt
%、9wt%であった。次に、これらを平均粒径が9
μmになるように粉砕し、有機結合剤を加え成形した。
つぎに、窒素ガス気流(2L/min)下、200℃/
hの昇温速度で加熱し、900℃の温度で30分間保持
した。更に25℃の飽和水蒸気を含む窒素ガス気流(1
L/min)下、700℃の温度で15分間加熱した。
得られた成形体の形状は良好であった。これらから電極
を作製し、静電容量を測定した。静電容量は、38.
1F/cm3、37.3F/cm3、33.1F/c
m3であった。成型体の細孔容積は、0.21cm3/
g、0.18cm3/g、0.16cm3/gであっ
た。臭素処理によっても良好な性能が得られた。
A(15g)を、8容量%の臭素ガスを含む窒素ガス気
流(1L/min)下、試料は500℃、は600
℃、は700℃の温度で180分間加熱して臭素化処
理を行った。原料乾留炭の重量を基準として、臭素化処
理後の試料の重量増加は、56wt%、20wt
%、9wt%であった。次に、これらを平均粒径が9
μmになるように粉砕し、有機結合剤を加え成形した。
つぎに、窒素ガス気流(2L/min)下、200℃/
hの昇温速度で加熱し、900℃の温度で30分間保持
した。更に25℃の飽和水蒸気を含む窒素ガス気流(1
L/min)下、700℃の温度で15分間加熱した。
得られた成形体の形状は良好であった。これらから電極
を作製し、静電容量を測定した。静電容量は、38.
1F/cm3、37.3F/cm3、33.1F/c
m3であった。成型体の細孔容積は、0.21cm3/
g、0.18cm3/g、0.16cm3/gであっ
た。臭素処理によっても良好な性能が得られた。
【0049】(実施例9;臭素処理、乾留炭B)乾留炭
B(15g)を、8容量%の臭素ガスを含む窒素ガス気
流(1L/min)下、600℃の温度で180分間加
熱して臭素化処理を行った。原料乾留炭の重量を基準と
して、臭素化処理後の試料の重量増加は21wt%であ
った。次に、これらを平均粒径が9μmになるように粉
砕し、有機結合剤を加え成形した。つぎに、窒素ガス気
流(2L/min)下、200℃/hの昇温速度で加熱
し、900℃の温度で30分間保持した。更に25℃の
飽和水蒸気を含む窒素ガス気流(1L/min)下、7
00℃の温度で15分間加熱した。得られた成形体の形
状は良好であった。これらから電極を作製し、静電容量
を測定した。静電容量は32.2F/cm3であった。
B(15g)を、8容量%の臭素ガスを含む窒素ガス気
流(1L/min)下、600℃の温度で180分間加
熱して臭素化処理を行った。原料乾留炭の重量を基準と
して、臭素化処理後の試料の重量増加は21wt%であ
った。次に、これらを平均粒径が9μmになるように粉
砕し、有機結合剤を加え成形した。つぎに、窒素ガス気
流(2L/min)下、200℃/hの昇温速度で加熱
し、900℃の温度で30分間保持した。更に25℃の
飽和水蒸気を含む窒素ガス気流(1L/min)下、7
00℃の温度で15分間加熱した。得られた成形体の形
状は良好であった。これらから電極を作製し、静電容量
を測定した。静電容量は32.2F/cm3であった。
【0050】(実施例10;臭素処理、乾留炭C)乾留
炭Cを700℃の温度で再乾留したものを原料とした。
原料乾留炭(15g)を、8容量%の臭素ガスを含む窒
素ガス気流(1L/min)下、600℃の温度で18
0分間加熱して臭素化処理を行った。原料乾留炭の重量
を基準として、臭素化処理後の試料の重量増加は17w
t%であった。次に、これらを平均粒径が9μmになる
ように粉砕し、有機結合剤を加え成形した。つぎに、窒
素ガス気流(2L/min)下、200℃/hの昇温速
度で加熱し、900℃の温度で30分間保持した。更に
25℃の飽和水蒸気を含む窒素ガス気流(1L/mi
n)下、700℃の温度で15分間加熱した。得られた
成形体の形状は良好であった。これらから電極を作製
し、静電容量を測定した。静電容量は36.5F/cm
3であった。
炭Cを700℃の温度で再乾留したものを原料とした。
原料乾留炭(15g)を、8容量%の臭素ガスを含む窒
素ガス気流(1L/min)下、600℃の温度で18
0分間加熱して臭素化処理を行った。原料乾留炭の重量
を基準として、臭素化処理後の試料の重量増加は17w
t%であった。次に、これらを平均粒径が9μmになる
ように粉砕し、有機結合剤を加え成形した。つぎに、窒
素ガス気流(2L/min)下、200℃/hの昇温速
度で加熱し、900℃の温度で30分間保持した。更に
25℃の飽和水蒸気を含む窒素ガス気流(1L/mi
n)下、700℃の温度で15分間加熱した。得られた
成形体の形状は良好であった。これらから電極を作製
し、静電容量を測定した。静電容量は36.5F/cm
3であった。
【0051】比較例1〜5、実施例1〜10の結果を表
1に示す。また、これら比較例と実施例の静電容量を対
比するグラフを図5に示す。
1に示す。また、これら比較例と実施例の静電容量を対
比するグラフを図5に示す。
【表1】 表中の記号 [1]比較例または実施例の番号 [2]原料乾留炭の種類 [3]試料の番号 [4]ハロゲン化処理のハロゲンの種類、Cl:塩素ガス、B
r:臭素ガス [5]ハロゲン化処理の温度、℃ [6]窒素ガス気流下での加熱(高温脱ハロゲン処理)の
温度、℃ [7]水素化合物の種類 [8]水素化合物雰囲気下での加熱(低温脱ハロゲン処
理)の温度、℃ [9]放電電流が300mA/cm2のときの静電容量、F
/cm3 [10]細孔容積、cm3/g [11]密度、g/cm3 [12]比表面積、m2/g [13]その他 HTのみ:高温脱塩素処理のみ施す LTのみ:低温脱塩素処理のみ施す LT→HT:低温脱塩素処理の後に高温脱塩素処理を施す (実施例4以外は高温脱ハロゲン処理の後に低温脱ハロ
ゲン処理を施す)
r:臭素ガス [5]ハロゲン化処理の温度、℃ [6]窒素ガス気流下での加熱(高温脱ハロゲン処理)の
温度、℃ [7]水素化合物の種類 [8]水素化合物雰囲気下での加熱(低温脱ハロゲン処
理)の温度、℃ [9]放電電流が300mA/cm2のときの静電容量、F
/cm3 [10]細孔容積、cm3/g [11]密度、g/cm3 [12]比表面積、m2/g [13]その他 HTのみ:高温脱塩素処理のみ施す LTのみ:低温脱塩素処理のみ施す LT→HT:低温脱塩素処理の後に高温脱塩素処理を施す (実施例4以外は高温脱ハロゲン処理の後に低温脱ハロ
ゲン処理を施す)
【0052】300mA/cm2(急速放電)における
静電容量は、比較例1〜5では最大が28.7F/cm
3であり、概略9〜29F/cm3の範囲にあった。それ
に対し実施例では最大44.2F/cm3であり、概略
31〜44F/cm3の範囲にあった。すなわち、実施
例は比較例に比べて、放電電流が300mA/cm2の
急速放電における静電容量が大きい。本発明によれば、
特に急速放電に優れた電気二重層キャパシタ用炭素材を
得ることができる。実施例で得られた成型体炭素の細孔
容積は0.16〜0.27cm3/g、密度は0.78
〜0.84g/cm3であった。
静電容量は、比較例1〜5では最大が28.7F/cm
3であり、概略9〜29F/cm3の範囲にあった。それ
に対し実施例では最大44.2F/cm3であり、概略
31〜44F/cm3の範囲にあった。すなわち、実施
例は比較例に比べて、放電電流が300mA/cm2の
急速放電における静電容量が大きい。本発明によれば、
特に急速放電に優れた電気二重層キャパシタ用炭素材を
得ることができる。実施例で得られた成型体炭素の細孔
容積は0.16〜0.27cm3/g、密度は0.78
〜0.84g/cm3であった。
【0053】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば乾
留炭をハロゲン化し、成型体とし、脱ハロゲン処理を施
すことにより、急速放電において優れた静電容量を有す
る電気二重層キャパシタ用炭素電極に好適な炭素材が得
られる。
留炭をハロゲン化し、成型体とし、脱ハロゲン処理を施
すことにより、急速放電において優れた静電容量を有す
る電気二重層キャパシタ用炭素電極に好適な炭素材が得
られる。
【図1】 本発明の電気二重層キャパシタ用炭素および
電極の製造方法の工程図。
電極の製造方法の工程図。
【図2】 本発明のもう一つの電気二重層キャパシタ用
炭素および電極の製造方法の工程図。
炭素および電極の製造方法の工程図。
【図3】 ハロゲン処理設備の概略図。
【図4】 静電容量測定セルの概略断面図。
【図5】 表1に示した比較例と実施例の静電容量を対
比するグラフ。
比するグラフ。
【符号の説明】 1 管状炉 2 石英管 3 炭素材容器 4 炭素材 5、6 ガス供給管 7 ガス排出管 8 ゴム栓 11 炭素電極 12 ガスケット 13 集電極 14 セパレータ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 宮川 俊哉 東京都港区西新橋1丁目16番7号 日本酸 素株式会社内 (72)発明者 巽 泰郎 東京都港区西新橋1丁目16番7号 日本酸 素株式会社内
Claims (12)
- 【請求項1】 乾留炭をハロゲンガスに接触させてハロ
ゲン化乾留炭を得るハロゲン化処理と、該ハロゲン化処
理炭に結合剤を加えて成形体を得る成型処理と、成型体
中のハロゲンの一部または全部を脱離させる脱ハロゲン
処理とを備えたことを特徴とする電気二重層キャパシタ
用炭素材の製造方法。 - 【請求項2】 前記ハロゲンガスが塩素と臭素の少なく
とも一方であることを特徴とする請求項1記載の電気二
重層キャパシタ用炭素材の製造方法。 - 【請求項3】 前記ハロゲン化処理が、不活性ガスで希
釈したハロゲンガス中350〜1000℃の温度で行う
加熱処理であることを特徴とする請求項1記載の電気二
重層キャパシタ用炭素材の製造方法。 - 【請求項4】 前記脱ハロゲン処理が、不活性ガスで希
釈した水蒸気または水素化合物ガス中600〜850℃
の温度で行う加熱処理であることを特徴とする請求項1
記載の電気二重層キャパシタ用炭素材の製造方法。 - 【請求項5】 前記脱ハロゲン処理が、不活性ガスで希
釈した水素ガス中600〜1100℃の温度で行う加熱
処理であることを特徴とする請求項1記載の電気二重層
キャパシタ用炭素材の製造方法。 - 【請求項6】 前記脱ハロゲン処理が、減圧下または不
活性ガス中600〜1100℃の温度で行う加熱処理で
あることを特徴とする請求項1記載の電気二重層キャパ
シタ用炭素材の製造方法。 - 【請求項7】 前記脱ハロゲン処理の昇温速度が20〜
500℃/hであることを特徴とする請求項4から6の
いずれか一項記載の電気二重層キャパシタ用炭素の製造
方法。 - 【請求項8】 前記乾留炭が、やし殻、フェノール樹
脂、フラン樹脂、または塩化ビニリデン樹脂から得られ
た乾留炭であることを特徴とする請求項1記載の電気二
重層キャパシタ用炭素材の製造方法。 - 【請求項9】 前記結合剤が、フェノール樹脂粉末、有
機溶剤および親油性溶剤からなる組成物であることを特
徴とする請求項1記載の電気二重層キャパシタ用炭素材
の製造方法。 - 【請求項10】 請求項1記載のキャパシタ用炭素材に
硫酸を含浸したことを特徴とする電気二重層キャパシタ
用炭素電極。 - 【請求項11】 請求項10記載の電気二重層キャパシ
タ用炭素電極において、電解質イオンが硫酸イオンであ
り、急速放電時の静電容量が30〜50F/cm3であ
ることを特徴とする電気二重層キャパシタ用炭素電極。 - 【請求項12】 請求項11記載の電気二重層キャパシ
タ用炭素電極を有する電気二重層キャパシタ。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9122561A JPH10312937A (ja) | 1997-05-13 | 1997-05-13 | 電気二重層キャパシタ用炭素材の製造方法並びに炭素電極および電気二重層キャパシタ |
| US09/075,225 US6013208A (en) | 1997-05-13 | 1998-05-11 | Manufacturing method for carbon material for electrical double layer capacitor |
| CA002237442A CA2237442A1 (en) | 1997-05-13 | 1998-05-12 | Carbon electrode, electrical double layer capacitor, and manufacturing method for carbon material for electrical double layer capacitor |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9122561A JPH10312937A (ja) | 1997-05-13 | 1997-05-13 | 電気二重層キャパシタ用炭素材の製造方法並びに炭素電極および電気二重層キャパシタ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10312937A true JPH10312937A (ja) | 1998-11-24 |
Family
ID=14838947
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9122561A Pending JPH10312937A (ja) | 1997-05-13 | 1997-05-13 | 電気二重層キャパシタ用炭素材の製造方法並びに炭素電極および電気二重層キャパシタ |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6013208A (ja) |
| JP (1) | JPH10312937A (ja) |
| CA (1) | CA2237442A1 (ja) |
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| WO2017199686A1 (ja) * | 2016-05-18 | 2017-11-23 | 株式会社クラレ | 炭素質材料、ならびに該炭素質材料を含有する電気二重層キャパシタ用電極材料、電気二重層キャパシタ用電極および電気二重層キャパシタ |
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| US8842417B2 (en) | 2011-09-23 | 2014-09-23 | Corning Incorporated | High voltage electro-chemical double layer capacitor |
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| JP2666848B2 (ja) * | 1988-06-22 | 1997-10-22 | 日本電気株式会社 | カーボンペースト電極 |
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