JPH1032202A - 電子装置およびその作製方法 - Google Patents
電子装置およびその作製方法Info
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- JPH1032202A JPH1032202A JP8205417A JP20541796A JPH1032202A JP H1032202 A JPH1032202 A JP H1032202A JP 8205417 A JP8205417 A JP 8205417A JP 20541796 A JP20541796 A JP 20541796A JP H1032202 A JPH1032202 A JP H1032202A
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
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- H10W20/40—Interconnections external to wafers or substrates, e.g. back-end-of-line [BEOL] metallisations or vias connecting to gate electrodes
- H10W20/41—Interconnections external to wafers or substrates, e.g. back-end-of-line [BEOL] metallisations or vias connecting to gate electrodes characterised by their conductive parts
- H10W20/44—Conductive materials thereof
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- H10W20/4405—Conductive materials thereof based on metals, e.g. alloys, metal silicides the principal metal being aluminium
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
- H10D86/00—Integrated devices formed in or on insulating or conducting substrates, e.g. formed in silicon-on-insulator [SOI] substrates or on stainless steel or glass substrates
- H10D86/40—Integrated devices formed in or on insulating or conducting substrates, e.g. formed in silicon-on-insulator [SOI] substrates or on stainless steel or glass substrates characterised by multiple TFTs
- H10D86/441—Interconnections, e.g. scanning lines
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- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
- G02F1/1362—Active matrix addressed cells
- G02F1/136286—Wiring, e.g. gate line, drain line
- G02F1/136295—Materials; Compositions; Manufacture processes
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- Thin Film Transistor (AREA)
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 アルミニウムを配線に用いた装置において、
ヒロックやウィスカーの発生による影響を防止する。 【構成】 アルミニウムゲイト１０６の上面に窒化珪素
膜１０７を設け、側面に陽極酸化膜１０８、１０９を設
ける。こうすることで、ヒロックやウィスカーの発生を
抑制するとともに、コンタクトの形成し易い構造とす
る。また、アルミニウム中の酸素、炭素、窒素の濃度を
所定の濃度以下とすることにより、ヒロックやウィスカ
ーの発生を抑制する。
ヒロックやウィスカーの発生による影響を防止する。 【構成】 アルミニウムゲイト１０６の上面に窒化珪素
膜１０７を設け、側面に陽極酸化膜１０８、１０９を設
ける。こうすることで、ヒロックやウィスカーの発生を
抑制するとともに、コンタクトの形成し易い構造とす
る。また、アルミニウム中の酸素、炭素、窒素の濃度を
所定の濃度以下とすることにより、ヒロックやウィスカ
ーの発生を抑制する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本明細書で開示する発明は、
アルミニウムまたはアルミニウムを主成分とする材料で
もって電極や配線を構成した半導体装置に関する。また
さらにその作製方法に関する。
アルミニウムまたはアルミニウムを主成分とする材料で
もって電極や配線を構成した半導体装置に関する。また
さらにその作製方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、大面積の画面を有したアクティブ
マトリクス型の液晶表示装置が注目されている。このア
クティブマトリクス型の液晶表示装置は、大面積化とと
もに微細化も要求されている。
マトリクス型の液晶表示装置が注目されている。このア
クティブマトリクス型の液晶表示装置は、大面積化とと
もに微細化も要求されている。
【０００３】このような要求事項を満足するためには、
低抵抗の配線材料を利用することが必要とされる。これ
は、１０インチ角以上というような大きさとなると、配
線を伝播する信号の遅延が問題となるからである。
低抵抗の配線材料を利用することが必要とされる。これ
は、１０インチ角以上というような大きさとなると、配
線を伝播する信号の遅延が問題となるからである。
【０００４】低抵抗の配線材料としては、アルミニウム
が最も好ましい材料である。しかし、アルミニウムを用
いた場合、作製工程における耐熱性に問題がある。（こ
の点に関しては、ディスプレイ・アンド・イメージング
1996 Vol.4,pp 199-206（サイエンス・コミュニケーシ
ョンズ・インターナショナル発行）に記載の解説論文参
照）
が最も好ましい材料である。しかし、アルミニウムを用
いた場合、作製工程における耐熱性に問題がある。（こ
の点に関しては、ディスプレイ・アンド・イメージング
1996 Vol.4,pp 199-206（サイエンス・コミュニケーシ
ョンズ・インターナショナル発行）に記載の解説論文参
照）
【０００５】具体的には、薄膜トランジスタの作製工程
における各種薄膜の成膜やアニール、さらにレーザー光
の照射や不純物イオンの注入工程において、アルミニウ
ムの異常成長が起こり、ヒロックやウィスカーと呼ばれ
る突起物が形成される問題がある。このヒロックやウィ
スカーは、アルミニウムの耐熱性に低さに起因すると考
えられている。
における各種薄膜の成膜やアニール、さらにレーザー光
の照射や不純物イオンの注入工程において、アルミニウ
ムの異常成長が起こり、ヒロックやウィスカーと呼ばれ
る突起物が形成される問題がある。このヒロックやウィ
スカーは、アルミニウムの耐熱性に低さに起因すると考
えられている。
【０００６】このヒロックやウィスカーと呼ばれる突起
物は、その成長距離が１μｍ以上まで達する場合があ
る。このような現象は、配線間のショートの原因とな
る。
物は、その成長距離が１μｍ以上まで達する場合があ
る。このような現象は、配線間のショートの原因とな
る。
【０００７】この問題を防止するために、アルミニウム
でなる配線の表面に陽極酸化膜を形成する技術がある。
（前述の解説記事参照）
でなる配線の表面に陽極酸化膜を形成する技術がある。
（前述の解説記事参照）
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】本出願人らによる研究
によれば、陽極酸化膜（Ａｌ2 Ｏ3 を主成分とすると考
えられる）の膜質は強固であり、ヒロックやウィスカー
の発生を防止するためには有効であるが、他方でその強
固さ故にアルミニウムでなる配線に対するコンタクトホ
ールの形成が困難であることが判明している。
によれば、陽極酸化膜（Ａｌ2 Ｏ3 を主成分とすると考
えられる）の膜質は強固であり、ヒロックやウィスカー
の発生を防止するためには有効であるが、他方でその強
固さ故にアルミニウムでなる配線に対するコンタクトホ
ールの形成が困難であることが判明している。
【０００９】本明細書で開示する発明は、上記アルミニ
ウムである配線の耐熱性の問題を解決するととともに、
かつ陽極酸化膜を形成した場合に問題となるコンタクト
の形成が困難である問題を解決することができる技術を
提供することを課題とする。
ウムである配線の耐熱性の問題を解決するととともに、
かつ陽極酸化膜を形成した場合に問題となるコンタクト
の形成が困難である問題を解決することができる技術を
提供することを課題とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本明細書で開示する発明
の一つは、アルミニウムまたはアルミニウムを主成分と
するパターンを有し、前記アルミニウムまたはアルミニ
ウムを主成分とする膜中における酸素原子の濃度が８×
１０18個cm-3以下であり、かつ炭素原子の濃度が５×１
０18個cm-3以下であり、かつ窒素原子の濃度が７×１０
17個cm-3以下であることを特徴とする。
の一つは、アルミニウムまたはアルミニウムを主成分と
するパターンを有し、前記アルミニウムまたはアルミニ
ウムを主成分とする膜中における酸素原子の濃度が８×
１０18個cm-3以下であり、かつ炭素原子の濃度が５×１
０18個cm-3以下であり、かつ窒素原子の濃度が７×１０
17個cm-3以下であることを特徴とする。
【００１１】上記構成を採用した場合、発生するヒロッ
クやウィスカー等の突起物の最大の高さを５００Å以下
とすることができる。
クやウィスカー等の突起物の最大の高さを５００Å以下
とすることができる。
【００１２】他の発明の構成は、アルミニウムまたはア
ルミニウムを主成分とするパターンを有する電子装置の
作製方法であって、前記アルミニウムまたはアルミニウ
ムを主成分とする膜中における酸素原子の濃度が８×１
０18個cm-3以下であり、かつ炭素原子の濃度が５×１０
18個cm-3以下であり、かつ窒素原子の濃度が７×１０17
個cm-3以下であり、作製工程中において前記パターンに
加えられるプロセス温度は４００℃以下であることを特
徴とする。
ルミニウムを主成分とするパターンを有する電子装置の
作製方法であって、前記アルミニウムまたはアルミニウ
ムを主成分とする膜中における酸素原子の濃度が８×１
０18個cm-3以下であり、かつ炭素原子の濃度が５×１０
18個cm-3以下であり、かつ窒素原子の濃度が７×１０17
個cm-3以下であり、作製工程中において前記パターンに
加えられるプロセス温度は４００℃以下であることを特
徴とする。
【００１３】プロセウ温度を４００℃以下とすることに
よって、酸素、炭素、窒素の各元素の濃度限定の効果を
最大限得ることができる。
よって、酸素、炭素、窒素の各元素の濃度限定の効果を
最大限得ることができる。
【００１４】
【発明の実施の形態】図１（Ｂ）に示すように、酸素原
子の濃度が８×１０18個cm-3以下であり、かつ炭素原子
の濃度が５×１０18個cm-3以下であり、かつ窒素原子の
濃度が７×１０17個cm-3以下であるアルミニウム膜でな
るパターン１０６の上面には窒化珪素膜１０７を設け、
その側面には陽極酸化膜（酸化物被膜）１０８と１０９
を設けた構成とする。
子の濃度が８×１０18個cm-3以下であり、かつ炭素原子
の濃度が５×１０18個cm-3以下であり、かつ窒素原子の
濃度が７×１０17個cm-3以下であるアルミニウム膜でな
るパターン１０６の上面には窒化珪素膜１０７を設け、
その側面には陽極酸化膜（酸化物被膜）１０８と１０９
を設けた構成とする。
【００１５】このような構成とすることで、ヒッロクや
ウィスカーといった突起物の形成を抑制することがで
き、かつコンタクトの形成しやすいものとすることがで
きる。
ウィスカーといった突起物の形成を抑制することがで
き、かつコンタクトの形成しやすいものとすることがで
きる。
【００１６】
〔実施例１〕図１以下に本実施例の作製工程の概略（断
面図）を示す。本実施例では、アクティブマトリクス型
の液晶表示における画素マトリクス部に配置される薄膜
トランジスタ（画素トランジスタと総称される）の作製
工程を示す。
面図）を示す。本実施例では、アクティブマトリクス型
の液晶表示における画素マトリクス部に配置される薄膜
トランジスタ（画素トランジスタと総称される）の作製
工程を示す。
【００１７】まず、図１（Ａ）に示されるようにガラス
基板１０１を用意し、その表面に図示しない下地膜を形
成する。ここでは、図示しない下地膜として３０００Å
厚の酸化珪素膜をスパッタ法によって成膜する。
基板１０１を用意し、その表面に図示しない下地膜を形
成する。ここでは、図示しない下地膜として３０００Å
厚の酸化珪素膜をスパッタ法によって成膜する。
【００１８】この下地膜は、ガラス基板からの不純物の
拡散やガラス基板表面の微小な凹凸の影響を緩和する機
能を有している。ここではガラス基板を利用する例を示
すが、他に石英基板を利用することもできる。
拡散やガラス基板表面の微小な凹凸の影響を緩和する機
能を有している。ここではガラス基板を利用する例を示
すが、他に石英基板を利用することもできる。
【００１９】ガラス基板１０１上に下地膜を成膜した
ら、次に薄膜トランジスタの活性層１０２を構成する半
導体膜（活性層を構成する）の出発膜となる非晶質珪素
膜（図示せず）をプラズマＣＶＤ法により、５００Åの
厚さに成膜する。
ら、次に薄膜トランジスタの活性層１０２を構成する半
導体膜（活性層を構成する）の出発膜となる非晶質珪素
膜（図示せず）をプラズマＣＶＤ法により、５００Åの
厚さに成膜する。
【００２０】非晶質珪素膜を成膜したら、レーザー光の
照射を行い図示しない結晶性珪素膜を得る。次にこの結
晶性珪素膜をパターニングすることにより、１０２で示
される活性層パターンを形成する。
照射を行い図示しない結晶性珪素膜を得る。次にこの結
晶性珪素膜をパターニングすることにより、１０２で示
される活性層パターンを形成する。
【００２１】さらにゲイト絶縁膜として機能する酸化珪
素膜１０３をプラズマＣＶＤ法でもって１０００Åの厚
さに成膜する。
素膜１０３をプラズマＣＶＤ法でもって１０００Åの厚
さに成膜する。
【００２２】酸化珪素膜１０３を成膜したら、アルミニ
ウム膜１０４を４０００Åの厚さにスパッタ法によって
成膜する。こうして図１（Ａ）に示す状態を得る。
ウム膜１０４を４０００Åの厚さにスパッタ法によって
成膜する。こうして図１（Ａ）に示す状態を得る。
【００２３】ここでは、このアルミニウム膜中にスカン
ジウムを0.18重量％含有させる。
ジウムを0.18重量％含有させる。
【００２４】アルミニウム膜中にスカンジウムを含有さ
せるのは、後の工程においてヒロックやウィスカーが発
生することを抑制するためである。スカンジウムがヒロ
ックやウィスカーの発生の抑制に効果があるのは、アル
ミニウムの異常成長を抑制する効果があるからである。
せるのは、後の工程においてヒロックやウィスカーが発
生することを抑制するためである。スカンジウムがヒロ
ックやウィスカーの発生の抑制に効果があるのは、アル
ミニウムの異常成長を抑制する効果があるからである。
【００２５】次にアルミニウム膜１０４と窒化珪素膜１
０５との積層膜をパターニングすることにより、１０６
で示されるアルミニウムパターンを得る。 また、１０
７で示されるのがゲイト電極１０６上に残存する窒化珪
素膜である。
０５との積層膜をパターニングすることにより、１０６
で示されるアルミニウムパターンを得る。 また、１０
７で示されるのがゲイト電極１０６上に残存する窒化珪
素膜である。
【００２６】このアルミニウムパターン１０６がゲイト
電極となる。またこのゲイト電極１０６から延在してゲ
イト線が配置される。
電極となる。またこのゲイト電極１０６から延在してゲ
イト線が配置される。
【００２７】画素マトリクス部においては、ゲイト電極
１０６から延在したゲイト線がソース線とともに格子状
に配置される。
１０６から延在したゲイト線がソース線とともに格子状
に配置される。
【００２８】次にゲイト電極１０６を陽極とした陽極酸
化を行うことにより、アルミニウム材料が露呈した側面
に陽極酸化膜１０８と１０９を形成する。これらの陽極
酸化膜の膜厚は５００Åとする。
化を行うことにより、アルミニウム材料が露呈した側面
に陽極酸化膜１０８と１０９を形成する。これらの陽極
酸化膜の膜厚は５００Åとする。
【００２９】この陽極酸化工程においては、電解溶液と
して、３％の酒石酸を含んだエチレングリコール溶液を
アンモニア水で中和したものを用いる。この電解溶液中
において、白金を陰極、アルミニウム膜を陽極として、
両電極間に電流を流すことによって陽極酸化膜が形成さ
れる。
して、３％の酒石酸を含んだエチレングリコール溶液を
アンモニア水で中和したものを用いる。この電解溶液中
において、白金を陰極、アルミニウム膜を陽極として、
両電極間に電流を流すことによって陽極酸化膜が形成さ
れる。
【００３０】この工程で形成される陽極酸化膜１０５
は、緻密で強固な膜質を有している。この陽極酸化工程
における膜厚の制御は、印加電圧のより行うことができ
る。
は、緻密で強固な膜質を有している。この陽極酸化工程
における膜厚の制御は、印加電圧のより行うことができ
る。
【００３１】上記工程においては、電解溶液がゲイト電
極１０６の側面のみに接触するので、その上面には陽極
酸化膜は形成されない。こうして図１（Ｂ）に示す状態
を得る。
極１０６の側面のみに接触するので、その上面には陽極
酸化膜は形成されない。こうして図１（Ｂ）に示す状態
を得る。
【００３２】次にＰ（リン）のドーピングを行うことに
より、ソース領域１１０、チャネル領域１１１、ドレイ
ン領域１１２の形成を行う。ここでは、ドーピング手段
としてプラズマドーピング法を用いる。こうして図１
（Ｃ）に示す状態を得る。
より、ソース領域１１０、チャネル領域１１１、ドレイ
ン領域１１２の形成を行う。ここでは、ドーピング手段
としてプラズマドーピング法を用いる。こうして図１
（Ｃ）に示す状態を得る。
【００３３】なお、Ｎチャネル型の薄膜トランジスタを
作製するためにＰのドーピングを行う例を示すが、Ｐチ
ャネル型の薄膜トランジスタを作製するのであれば、Ｂ
（ボロン）のドーピングを行う。
作製するためにＰのドーピングを行う例を示すが、Ｐチ
ャネル型の薄膜トランジスタを作製するのであれば、Ｂ
（ボロン）のドーピングを行う。
【００３４】なお、ドーピング工程において、試料を加
熱または不可避に加熱されてしまう状況が生じるが、ア
ルミニウムの耐熱性の観点から、試料温度を４００℃以
下とするように努めることが重要である。試料温度が４
００℃を超えた場合、ヒロック（及びウィイスカー（両
者区別は厳密なものではない））の発生が顕在化するの
で注意が必要である。
熱または不可避に加熱されてしまう状況が生じるが、ア
ルミニウムの耐熱性の観点から、試料温度を４００℃以
下とするように努めることが重要である。試料温度が４
００℃を超えた場合、ヒロック（及びウィイスカー（両
者区別は厳密なものではない））の発生が顕在化するの
で注意が必要である。
【００３５】ドーピング工程の終了後、レーザー光の照
射を行い、ドーパントの活性化とドーピングが行われた
領域の活性化とを同時に行う。
射を行い、ドーパントの活性化とドーピングが行われた
領域の活性化とを同時に行う。
【００３６】次に第１の層間絶縁膜として、窒化珪素膜
１１３をプラズマＣＶＤ法により２０００Åの厚さに成
膜する。（図２（Ａ）参照）
１１３をプラズマＣＶＤ法により２０００Åの厚さに成
膜する。（図２（Ａ）参照）
【００３７】さらに第２の層間絶縁膜としてポリイミド
でなる膜１１４をスピンコート法によって成膜する。層
間絶縁膜としてポリイミドを利用した場合、その表面を
平坦なものとすることができる。
でなる膜１１４をスピンコート法によって成膜する。層
間絶縁膜としてポリイミドを利用した場合、その表面を
平坦なものとすることができる。
【００３８】そしてソース及びドレイン領域に対しての
コンタクトホール１１５、１１６の形成を行う。こうし
て図２（Ａ）に示す状態を得る。
コンタクトホール１１５、１１６の形成を行う。こうし
て図２（Ａ）に示す状態を得る。
【００３９】さたにチタン膜とアルミニウム膜とチタン
膜との積層膜をスパッタ法で成膜し、これをパターニン
グすることにより、ソース電極１１７とドレイン電極１
１８を形成する。こうして図２（Ｂ）に示す状態を得
る。
膜との積層膜をスパッタ法で成膜し、これをパターニン
グすることにより、ソース電極１１７とドレイン電極１
１８を形成する。こうして図２（Ｂ）に示す状態を得
る。
【００４０】さらに第３の層間絶縁膜１１９をポリイミ
ドでもって形成する。そしてドレイン電極１１８に対す
るコンタクトホールの形成を行い、ＩＴＯでなる画素電
極１２０を形成する。こうして図２（Ｃ）に示す状態を
得る。
ドでもって形成する。そしてドレイン電極１１８に対す
るコンタクトホールの形成を行い、ＩＴＯでなる画素電
極１２０を形成する。こうして図２（Ｃ）に示す状態を
得る。
【００４１】最後に水素雰囲気中での加熱処理を施すこ
とにより、活性層中の欠陥の補償を行い、薄膜トランジ
スタを完成させる。
とにより、活性層中の欠陥の補償を行い、薄膜トランジ
スタを完成させる。
【００４２】〔実施例２〕本実施例は実施例１に示す作
製工程と同時に行われるもので、画素マトリクス部の周
辺に形成される周辺駆動回路に配置される薄膜トランジ
スタの作製工程を示す。本実施例においてもＮチャネル
型の薄膜トランジスタを作製する工程を示す。
製工程と同時に行われるもので、画素マトリクス部の周
辺に形成される周辺駆動回路に配置される薄膜トランジ
スタの作製工程を示す。本実施例においてもＮチャネル
型の薄膜トランジスタを作製する工程を示す。
【００４３】本実施例で示す薄膜トランジスタの作製工
程は、図１に示す工程まで実施例１に示すものと同じで
ある。（勿論、配線パターンの違いや活性層パターンの
寸法の違いは存在する）
程は、図１に示す工程まで実施例１に示すものと同じで
ある。（勿論、配線パターンの違いや活性層パターンの
寸法の違いは存在する）
【００４４】まず、実施例１に示す工程に従って、図１
（Ｃ）に示す状態を得る。次に図３（Ａ）に示すよう
に、第１の層間絶縁膜として窒化珪素膜１１３を成膜す
る。
（Ｃ）に示す状態を得る。次に図３（Ａ）に示すよう
に、第１の層間絶縁膜として窒化珪素膜１１３を成膜す
る。
【００４５】さらに第２の層間絶縁膜としてポリイミド
でなる層１１４を形成する。次にコンタクトホール３０
１、３０２、３０３の形成を行う。
でなる層１１４を形成する。次にコンタクトホール３０
１、３０２、３０３の形成を行う。
【００４６】この際、ゲイト電極１０６の上面には陽極
酸化膜が形成されていない（窒化珪素膜が成膜されてい
る）ので、３０２で示されるコンタクトホールの形成を
容易に行うことができる。
酸化膜が形成されていない（窒化珪素膜が成膜されてい
る）ので、３０２で示されるコンタクトホールの形成を
容易に行うことができる。
【００４７】本実施例に示す構成においては、ドライエ
ッチング法を用いて、３０１、３０２、３０３で示され
るコンタクトホールを同時に形成する。こうして図３
（Ａ）に示す状態を得る。
ッチング法を用いて、３０１、３０２、３０３で示され
るコンタクトホールを同時に形成する。こうして図３
（Ａ）に示す状態を得る。
【００４８】次にチタン膜とアルミニウム膜とチタン膜
とでなる３層膜をスパッタ法で成膜する。さらに、これ
をパターニングすることにより、ソース電極３０４、ゲ
イト引出し電極３０５、ドレイン電極３０６を形成す
る。こうして図３（Ｂ）に示す状態を得る。
とでなる３層膜をスパッタ法で成膜する。さらに、これ
をパターニングすることにより、ソース電極３０４、ゲ
イト引出し電極３０５、ドレイン電極３０６を形成す
る。こうして図３（Ｂ）に示す状態を得る。
【００４９】この後、実施例１の場合と同様に水素化工
程が施され、薄膜トランジスタを完成させる。
程が施され、薄膜トランジスタを完成させる。
【００５０】ここでは、Ｎチャネル型の薄膜トランジス
タを作製する工程を示した。一般に周辺駆動回路には、
Ｎチャネル型の薄膜トランジスタとＰチャネル型の薄膜
トラランジスタとが相補型に構成されたものが配置され
る。
タを作製する工程を示した。一般に周辺駆動回路には、
Ｎチャネル型の薄膜トランジスタとＰチャネル型の薄膜
トラランジスタとが相補型に構成されたものが配置され
る。
【００５１】〔実施例３〕本実施例は、チャネル領域と
ドレイン領域との間に抵濃度不純物領域を配置した薄膜
トランジスタの作製工程を示す。
ドレイン領域との間に抵濃度不純物領域を配置した薄膜
トランジスタの作製工程を示す。
【００５２】図４及び図５に本実施例の薄膜トランジス
タの作製工程を示す。まず、ガラス基板４０１上に図示
しない下地膜を成膜する。さらに非晶質珪素膜を成膜
し、レーザー光の照射により結晶化させる。こうして結
晶性珪素膜を得る。
タの作製工程を示す。まず、ガラス基板４０１上に図示
しない下地膜を成膜する。さらに非晶質珪素膜を成膜
し、レーザー光の照射により結晶化させる。こうして結
晶性珪素膜を得る。
【００５３】次に得られた結晶性珪素膜をパターニング
して、４０２で示される薄膜トランジスタの活性層を形
成する。
して、４０２で示される薄膜トランジスタの活性層を形
成する。
【００５４】さらにゲイト絶縁膜として機能する酸化珪
素膜４０３を成膜する。酸化珪素膜４０３を成膜した
後、アルミニウム膜４０４を成膜する。
素膜４０３を成膜する。酸化珪素膜４０３を成膜した
後、アルミニウム膜４０４を成膜する。
【００５５】次にアルミニウム膜上に窒化珪素膜４０５
を成膜する。こうして図４（Ａ）に示す状態を得る。
を成膜する。こうして図４（Ａ）に示す状態を得る。
【００５６】図４（Ａ）に示す状態を得たら、パターニ
ングを施すことにより、４０６で示されるアルミニウム
パターンを得る。このアルミニウムパターンが後に形成
されるゲイト電極の基のパターンとなる。
ングを施すことにより、４０６で示されるアルミニウム
パターンを得る。このアルミニウムパターンが後に形成
されるゲイト電極の基のパターンとなる。
【００５７】ここで、４０７が残存した窒化珪素膜パタ
ーンである。こうして図４（Ｂ）に示す状態を得る。
ーンである。こうして図４（Ｂ）に示す状態を得る。
【００５８】この状態において、アルミニウムパターン
４０６を陽極とした陽極酸化を行い、陽極酸化膜４０
９、４１０を形成する。
４０６を陽極とした陽極酸化を行い、陽極酸化膜４０
９、４１０を形成する。
【００５９】ここでは、電解溶液として、３％のシュウ
酸水溶液を用いる。この工程で形成される陽極酸化膜
は、多孔質状（ポーラス状）を有している。この陽極酸
化膜は、その成長距離を数μｍとすることができる。こ
の成長距離は陽極酸化時間によって制御することができ
る。こうして図４（Ｃ）に示す状態を得る。
酸水溶液を用いる。この工程で形成される陽極酸化膜
は、多孔質状（ポーラス状）を有している。この陽極酸
化膜は、その成長距離を数μｍとすることができる。こ
の成長距離は陽極酸化時間によって制御することができ
る。こうして図４（Ｃ）に示す状態を得る。
【００６０】この状態において、残存した４０８で示さ
れるパターンがゲイト電極となる。
れるパターンがゲイト電極となる。
【００６１】次に再度の陽極酸化を行う。ここでは、実
施例１で示した緻密な膜質を有する陽極酸化膜の形成条
件でもって陽極酸化を行う。こうして、図５（Ａ）の４
１１および４１２で示される緻密な膜質を有する陽極酸
化膜の形成が行われる。
施例１で示した緻密な膜質を有する陽極酸化膜の形成条
件でもって陽極酸化を行う。こうして、図５（Ａ）の４
１１および４１２で示される緻密な膜質を有する陽極酸
化膜の形成が行われる。
【００６２】ここでは、この緻密な膜質を有する陽極酸
化膜４１１と４１２の膜厚を５００Åとする。この緻密
な膜質を有する陽極酸化膜は、ゲイト電極４０８の側面
において選択的に形成される。これは、ゲイト電極４０
８の上面には窒化珪素膜４０７が存在しているからであ
る。また、多孔質の陽極酸化膜４０９と４１０の内部に
電解溶液が侵入するので、４１１、４１２で示されるよ
うな状態に緻密な膜質を有する陽極酸化膜が形成され
る。こうして図５（Ａ）に示す状態を得る。
化膜４１１と４１２の膜厚を５００Åとする。この緻密
な膜質を有する陽極酸化膜は、ゲイト電極４０８の側面
において選択的に形成される。これは、ゲイト電極４０
８の上面には窒化珪素膜４０７が存在しているからであ
る。また、多孔質の陽極酸化膜４０９と４１０の内部に
電解溶液が侵入するので、４１１、４１２で示されるよ
うな状態に緻密な膜質を有する陽極酸化膜が形成され
る。こうして図５（Ａ）に示す状態を得る。
【００６３】次にＰのドーピングを行う。ここでは、プ
ラズマドーピング法により、Ｐのドーピングを行う。こ
のドーピングを行うことにより、図５（Ｂ）に示すよう
に、ソース領域４１３、Ｉ型領域４１４、ドレイン領域
４１５が自己整合的に形成される。
ラズマドーピング法により、Ｐのドーピングを行う。こ
のドーピングを行うことにより、図５（Ｂ）に示すよう
に、ソース領域４１３、Ｉ型領域４１４、ドレイン領域
４１５が自己整合的に形成される。
【００６４】次に多孔質状の陽極酸化膜４０９、４１０
を選択的に除去する。この工程におては、図５（Ｃ）に
示すように除去される陽極酸化膜４０９、４１０の上部
に存在した窒化珪素膜４０７の一部も同時に除去され
る。
を選択的に除去する。この工程におては、図５（Ｃ）に
示すように除去される陽極酸化膜４０９、４１０の上部
に存在した窒化珪素膜４０７の一部も同時に除去され
る。
【００６５】そして、再度のＰのドーピングを行う。こ
の工程では、前回のドーピング工程における条件より低
ドーズ量でもってＰのドーピングを行う。この工程にお
いて、低濃度不純物領域４１６と４１８が自己整合的に
形成される。またチャネル形成領域４１７が自己整合的
に形成される。
の工程では、前回のドーピング工程における条件より低
ドーズ量でもってＰのドーピングを行う。この工程にお
いて、低濃度不純物領域４１６と４１８が自己整合的に
形成される。またチャネル形成領域４１７が自己整合的
に形成される。
【００６６】低濃度不純物領域４１６、４１８は、ソー
ス領域４１３やドレイン領域４１５に比較して、そこに
含まれるＰ（リン）元素の濃度は小さい。
ス領域４１３やドレイン領域４１５に比較して、そこに
含まれるＰ（リン）元素の濃度は小さい。
【００６７】一般に４１８で示されるドレイン領域側の
低濃度不純物領域が、ＬＤＤ（ライトドープドレイン）
領域と称されている。
低濃度不純物領域が、ＬＤＤ（ライトドープドレイン）
領域と称されている。
【００６８】図５（Ｃ）に示す状態を得たら、レーザー
光の照射を行うことにより、ドーピングがなされた領域
のアニールを行う。
光の照射を行うことにより、ドーピングがなされた領域
のアニールを行う。
【００６９】本実施例に示す構成においては、ゲイト電
極（およびそこから延在するゲイト線）の上面は窒化珪
素膜により覆われ、またその側面は緻密な膜質を有する
陽極酸化膜でもって覆われている。
極（およびそこから延在するゲイト線）の上面は窒化珪
素膜により覆われ、またその側面は緻密な膜質を有する
陽極酸化膜でもって覆われている。
【００７０】このような構成とすることにより、不純物
のドーピング工程やレーザー光の照射工程において、ゲ
イト電極の表面にヒロックやウィスカーが発生してしま
うことを抑制することができる。
のドーピング工程やレーザー光の照射工程において、ゲ
イト電極の表面にヒロックやウィスカーが発生してしま
うことを抑制することができる。
【００７１】また、ゲイト電極（またはゲイト線）に対
するコンタクトの形成が行いやすい構造とすることがで
きる。
するコンタクトの形成が行いやすい構造とすることがで
きる。
【００７２】〔実施例４〕本実施例は、ゲイト電極が活
性層と基板との間にあるボトムゲイト型と呼ばれる構成
の薄膜トランジスタに関する。
性層と基板との間にあるボトムゲイト型と呼ばれる構成
の薄膜トランジスタに関する。
【００７３】図６、図７に本実施例の作製工程を示す。
まず６０１で示されるガラス基板上にアルミニウム膜６
０２を３０００Åの厚さにスパッタ法で成膜する。この
アルミニウム膜が後にゲイト電極を構成することにな
る。
まず６０１で示されるガラス基板上にアルミニウム膜６
０２を３０００Åの厚さにスパッタ法で成膜する。この
アルミニウム膜が後にゲイト電極を構成することにな
る。
【００７４】アルミニウム膜６０２を成膜したら、その
上に窒化珪素膜６０３を５００Åの厚さにプラズマＣＶ
Ｄ法でもって成膜する。こうして図６（Ａ）に示す状態
を得る。
上に窒化珪素膜６０３を５００Åの厚さにプラズマＣＶ
Ｄ法でもって成膜する。こうして図６（Ａ）に示す状態
を得る。
【００７５】次にパターニングを施すことにより、ゲイ
ト電極６０４を得る。６０５で示されるのは、ゲイト電
極６０４上に残存した窒化珪素膜である。こうして図６
（Ｂ）に示す状態を得る。
ト電極６０４を得る。６０５で示されるのは、ゲイト電
極６０４上に残存した窒化珪素膜である。こうして図６
（Ｂ）に示す状態を得る。
【００７６】次にゲイト電極６０４を陽極とした陽極酸
化を行うことにより、６０６と６０７で示される緻密な
膜質を有する陽極酸化膜を５００Åの厚さに形成する。
化を行うことにより、６０６と６０７で示される緻密な
膜質を有する陽極酸化膜を５００Åの厚さに形成する。
【００７７】この工程においては、窒化珪素膜６０５が
存在する関係で、ゲイト電極６０４の側面においてのみ
陽極酸化膜が形成される。こうして図６（Ｃ）に示す状
態を得る。
存在する関係で、ゲイト電極６０４の側面においてのみ
陽極酸化膜が形成される。こうして図６（Ｃ）に示す状
態を得る。
【００７８】次にゲイト絶縁膜として機能する酸化珪素
膜６０８を１０００Åの厚さにプラズマＣＶＤ法でもっ
て成膜する。さらに活性層を構成するための図示しない
非晶質珪素膜をプラズマＣＶＤ法でもって５００Åの厚
さに成膜する。そしてこの非晶質珪素膜にレーザー光の
照射を行うことにより、図示しない結晶性珪素膜を得
る。
膜６０８を１０００Åの厚さにプラズマＣＶＤ法でもっ
て成膜する。さらに活性層を構成するための図示しない
非晶質珪素膜をプラズマＣＶＤ法でもって５００Åの厚
さに成膜する。そしてこの非晶質珪素膜にレーザー光の
照射を行うことにより、図示しない結晶性珪素膜を得
る。
【００７９】図示しない結晶性珪素膜を得たら、それを
パターニングすることにより、６０９、６１０、６１１
で示される領域でなる活性層パターンを形成する。
パターニングすることにより、６０９、６１０、６１１
で示される領域でなる活性層パターンを形成する。
【００８０】そしてゲイト電極６０４をマスクとして基
板６０１の裏面側から露光を行うことにより、６１２で
示されるレジストマスクを形成する。（図６（Ｄ）参
照）
板６０１の裏面側から露光を行うことにより、６１２で
示されるレジストマスクを形成する。（図６（Ｄ）参
照）
【００８１】この状態において、Ｐのドーピングをプラ
ズマドーピング法でもって行う。このドーピング工程に
おい、ソース領域６０９、ドレイン領域６１１、チャネ
ル領域６１０が自己整合的に形成される。こうして図６
（Ｄ）に示す状態を得る。
ズマドーピング法でもって行う。このドーピング工程に
おい、ソース領域６０９、ドレイン領域６１１、チャネ
ル領域６１０が自己整合的に形成される。こうして図６
（Ｄ）に示す状態を得る。
【００８２】上記ドーピング工程の終了後、レーザー光
の照射を行うことにより、ドーピングされた元素の活性
化と被ドーピング領域のアニールとを行う。
の照射を行うことにより、ドーピングされた元素の活性
化と被ドーピング領域のアニールとを行う。
【００８３】次に第１の層間絶縁膜６１２として窒化珪
素膜をプラズマＣＶＤ法でもって２０００Åの厚さに成
膜し、さらに第２の層間絶縁膜６１３をポリイミドでも
って形成する。こうして図７（Ａ）に示す状態を得る。
素膜をプラズマＣＶＤ法でもって２０００Åの厚さに成
膜し、さらに第２の層間絶縁膜６１３をポリイミドでも
って形成する。こうして図７（Ａ）に示す状態を得る。
【００８４】次にコンタクトホールの形成を行い、ソー
ス電極６１４、ドレイン電極６１５を形成する。そして
最後に水素化を行う。
ス電極６１４、ドレイン電極６１５を形成する。そして
最後に水素化を行う。
【００８５】また図示されていないが、他部において、
ゲイト電極６０４から延在した配線の上部にコンタクト
ホールを形成し、ゲイト電極６０４へのコンタクトが形
成される。こうして図７（Ｂ）に示す状態を得る。
ゲイト電極６０４から延在した配線の上部にコンタクト
ホールを形成し、ゲイト電極６０４へのコンタクトが形
成される。こうして図７（Ｂ）に示す状態を得る。
【００８６】本実施例に示す構成においても、ゲイト電
極６０４の側面には陽極酸化膜が形成されていることに
より、ヒロックやウィスカーの発生が防止され、その上
面は窒化珪素膜が形成されていることにより、ヒロック
やウィスカーの発生が防止される。そしてゲイト電極の
上面に窒化珪素膜が形成されていることにより、コンタ
クトホールの形成が容易なものとなっている。
極６０４の側面には陽極酸化膜が形成されていることに
より、ヒロックやウィスカーの発生が防止され、その上
面は窒化珪素膜が形成されていることにより、ヒロック
やウィスカーの発生が防止される。そしてゲイト電極の
上面に窒化珪素膜が形成されていることにより、コンタ
クトホールの形成が容易なものとなっている。
【００８７】〔実施例５〕本実施例では、スカンジウム
を0.18重量％含有したアルミニム膜中における不純物の
濃度と発生するヒロックとの関係を示す。表１に示すの
は、スパッタ法によって成膜された３０００Å厚のアル
ミニウム膜に対して、水素雰囲気中において３５０℃、
１時間の加熱処理を施し、その表面を観察した場合のヒ
ロックの高さと、膜中の不純物濃度との関係である。
を0.18重量％含有したアルミニム膜中における不純物の
濃度と発生するヒロックとの関係を示す。表１に示すの
は、スパッタ法によって成膜された３０００Å厚のアル
ミニウム膜に対して、水素雰囲気中において３５０℃、
１時間の加熱処理を施し、その表面を観察した場合のヒ
ロックの高さと、膜中の不純物濃度との関係である。
【００８８】
【表１】
【００８９】表１において、各サンプル間において、膜
における不純物濃度が異なるのは、スパッタリング時に
おける真空引きの時間、スパッタリング装置のチャンバ
ーのクリーニングの有無、排気ポンプのメンテナンス等
による違いを反映したものである。
における不純物濃度が異なるのは、スパッタリング時に
おける真空引きの時間、スパッタリング装置のチャンバ
ーのクリーニングの有無、排気ポンプのメンテナンス等
による違いを反映したものである。
【００９０】ここで、ヒロックの高さは、断面ＳＥＭ
（走査型電子顕微鏡）観察、ＡＦＭ（原子間力顕微鏡）
観察によって調べたものである。また、不純物濃度はＳ
ＩＭＳ（２次イオン分析方法）によって調べた最大値で
ある。
（走査型電子顕微鏡）観察、ＡＦＭ（原子間力顕微鏡）
観察によって調べたものである。また、不純物濃度はＳ
ＩＭＳ（２次イオン分析方法）によって調べた最大値で
ある。
【００９１】表１を見れば明らかなように、膜中の酸素
（Ｏ）、炭素（Ｃ）、窒素（Ｎ）の濃度を下げることに
よって、ヒロックの発生を抑制することができる。
（Ｏ）、炭素（Ｃ）、窒素（Ｎ）の濃度を下げることに
よって、ヒロックの発生を抑制することができる。
【００９２】層間絶縁膜の膜厚等を考慮すると、ヒロッ
クの高さが５００Å以下であれば、その存在を実用上許
容することができる。
クの高さが５００Å以下であれば、その存在を実用上許
容することができる。
【００９３】表１からはこの値を満足する条件として、
酸素濃度が７×1018cm-3以下であり、かつ炭素濃度が５
×1018cm-3以下であり、かつ窒素濃度が７×1017cm-3以
下であればよいことが結論される。
酸素濃度が７×1018cm-3以下であり、かつ炭素濃度が５
×1018cm-3以下であり、かつ窒素濃度が７×1017cm-3以
下であればよいことが結論される。
【００９４】なお、ＳＩＭＳ（２次イオン分析方法）
は、膜の界面付近で実際と異なる値が計測されることが
あるので注意が必要である。
は、膜の界面付近で実際と異なる値が計測されることが
あるので注意が必要である。
【００９５】〔装置の説明〕本明細書で開示する発明を
実施する場合に利用される装置について説明する。図８
に装置の概要を示す。図８に示す装置は、連続的に複数
の処理を試料を大気にさらさずに行うことができるマル
チチャンバー形式を有している。各チャンバーには、必
要とする排気装置が備えられており、気密性を保持でき
る構造となっている。
実施する場合に利用される装置について説明する。図８
に装置の概要を示す。図８に示す装置は、連続的に複数
の処理を試料を大気にさらさずに行うことができるマル
チチャンバー形式を有している。各チャンバーには、必
要とする排気装置が備えられており、気密性を保持でき
る構造となっている。
【００９６】図８に示す装置において、８０４が基板搬
入室、８０５が基板搬出室である。基板搬入室８０４に
は、カセット８１５の収納された複数の基板（試料）が
カセット毎外部から搬入される。処理の終了した基板は
カセット８１６に収納され、所定の枚数の処理が終了し
た時点でカセット８１６毎外部に取り出される。
入室、８０５が基板搬出室である。基板搬入室８０４に
は、カセット８１５の収納された複数の基板（試料）が
カセット毎外部から搬入される。処理の終了した基板は
カセット８１６に収納され、所定の枚数の処理が終了し
た時点でカセット８１６毎外部に取り出される。
【００９７】８０１は基板搬送室であり、ロボットアー
ム８１４によって基板８００を必要とするチャンバーに
搬送する機能を有している。
ム８１４によって基板８００を必要とするチャンバーに
搬送する機能を有している。
【００９８】８０３はアルミニウムを成膜するためのス
パッタリング機能を有するチャンバーである。このチャ
ンバーには、クライオポンプを配置し、成膜されるアル
ミニウム膜中の不純物濃度を所定の値以下にする構成と
する。
パッタリング機能を有するチャンバーである。このチャ
ンバーには、クライオポンプを配置し、成膜されるアル
ミニウム膜中の不純物濃度を所定の値以下にする構成と
する。
【００９９】８０２は、コンタクトを形成する際に良好
な電気的な接触を実現するために利用されるゲルマニウ
ム膜（または錫膜）を成膜するためのスパッタリング装
置である。このチャンバーにもクライオポンプを配置
し、不純物の混入を極力防ぐ構成とする。
な電気的な接触を実現するために利用されるゲルマニウ
ム膜（または錫膜）を成膜するためのスパッタリング装
置である。このチャンバーにもクライオポンプを配置
し、不純物の混入を極力防ぐ構成とする。
【０１００】８０７は加熱処理を行うためのチャンバー
である。ここでは、ランプ照射によって、加熱行う機能
を有している。
である。ここでは、ランプ照射によって、加熱行う機能
を有している。
【０１０１】８０６は、窒化珪素膜を成膜するためのプ
ラズマＣＶＤを行うための機能を有するチャンバーであ
る。
ラズマＣＶＤを行うための機能を有するチャンバーであ
る。
【０１０２】搬送室８０１と、各処理を行うための周辺
部のチャンバーとの間には、８１０、８０９、８０８、
８１３、８１２、８１１で示されるゲイトバルブ（開閉
式の隔壁または仕切り）が配置されている。
部のチャンバーとの間には、８１０、８０９、８０８、
８１３、８１２、８１１で示されるゲイトバルブ（開閉
式の隔壁または仕切り）が配置されている。
【０１０３】図８に示す装置を動作させる動作例を以下
に示す。ここでは、アルミニウム膜の成膜、ゲルマニウ
ム膜の成膜、加熱処理、窒化珪素膜の成膜を連続的に行
う工程を示す。
に示す。ここでは、アルミニウム膜の成膜、ゲルマニウ
ム膜の成膜、加熱処理、窒化珪素膜の成膜を連続的に行
う工程を示す。
【０１０４】以下において、試料が通過するゲイトバル
ブ以外は全て閉鎖するものとする。まず、アルミニウム
膜を成膜せんとする基板（試料）を複数枚カセット８１
５に収納して、基板搬入室８０４に搬入する。次にロボ
ットアーム８１４によって１枚の基板をチャンバー８０
３に搬送する。
ブ以外は全て閉鎖するものとする。まず、アルミニウム
膜を成膜せんとする基板（試料）を複数枚カセット８１
５に収納して、基板搬入室８０４に搬入する。次にロボ
ットアーム８１４によって１枚の基板をチャンバー８０
３に搬送する。
【０１０５】チャンバー８０３においてアルミニウム膜
の成膜が終了したら、基板をチャンバー８０６に搬送
し、窒化珪素膜の成膜を行う。そして、基板搬出室８０
５のカセット８１６に基板を収納して一連の工程が終了
する。
の成膜が終了したら、基板をチャンバー８０６に搬送
し、窒化珪素膜の成膜を行う。そして、基板搬出室８０
５のカセット８１６に基板を収納して一連の工程が終了
する。
【０１０６】また、コンタクトホールの形成後にコンタ
クト用のアルミニウム膜を成膜する際には、チャンバー
８０３におけるアルミニウム膜の形成後にチャンバー８
０２においてゲルマニウム膜を成膜し、さらに加熱室８
０７において加熱処理を施すことにより、リフローと呼
ばれるコンタクトを形成するためのアニールを行う。
クト用のアルミニウム膜を成膜する際には、チャンバー
８０３におけるアルミニウム膜の形成後にチャンバー８
０２においてゲルマニウム膜を成膜し、さらに加熱室８
０７において加熱処理を施すことにより、リフローと呼
ばれるコンタクトを形成するためのアニールを行う。
【０１０７】リフローは、アルミニウムとゲルマニウム
とが接触した部分で、融点が低下し、加熱処理によって
アルミニウム膜中にゲルマニウムが拡散し、アルミニウ
ムとコンタクトする電極（コンタクトホール底部に露呈
している）との電気的接触を良好なものとする作用を有
している。
とが接触した部分で、融点が低下し、加熱処理によって
アルミニウム膜中にゲルマニウムが拡散し、アルミニウ
ムとコンタクトする電極（コンタクトホール底部に露呈
している）との電気的接触を良好なものとする作用を有
している。
【０１０８】〔実施例６〕本実施例は、アルミニウムの
表面に酸化金属被膜を形成する方法として、陽極酸化で
はなく、プラズマ酸化を利用する場合の例を示す。プラ
ズマ酸化は、酸化性の減圧雰囲気中において、高周波放
電を行うことによって形成することができる。
表面に酸化金属被膜を形成する方法として、陽極酸化で
はなく、プラズマ酸化を利用する場合の例を示す。プラ
ズマ酸化は、酸化性の減圧雰囲気中において、高周波放
電を行うことによって形成することができる。
【０１０９】〔実施例７〕本明細書で開示する発明は、
アクティブマトリクス型の構成を有した電気光学装置に
応用することが可能である。電気光学装置としては、液
晶表示装置、ＥＬ（エレクトロルミネッセンス）表示装
置、ＥＣ（エレクトロクロミックス）表示装置などが挙
げられる。
アクティブマトリクス型の構成を有した電気光学装置に
応用することが可能である。電気光学装置としては、液
晶表示装置、ＥＬ（エレクトロルミネッセンス）表示装
置、ＥＣ（エレクトロクロミックス）表示装置などが挙
げられる。
【０１１０】また、応用商品としてはＴＶカメラ、パー
ソナルコンピュータ、カーナビゲーション、ＴＶプロジ
ェクション、ビデオカメラ等が挙げられる。それら応用
用途の簡単な説明を図９を用いて行う。
ソナルコンピュータ、カーナビゲーション、ＴＶプロジ
ェクション、ビデオカメラ等が挙げられる。それら応用
用途の簡単な説明を図９を用いて行う。
【０１１１】図９（Ａ）はＴＶカメラであり、本体２０
０１、カメラ部２００２、表示装置２００３、操作スイ
ッチ２００４で構成される。表示装置２００３はビュー
ファインダーとして利用される。
０１、カメラ部２００２、表示装置２００３、操作スイ
ッチ２００４で構成される。表示装置２００３はビュー
ファインダーとして利用される。
【０１１２】図９（Ｂ）はパーソナルコンピュータであ
り、本体２１０１、カバー部２１０２、キーボード２１
０３、表示装置２１０４で構成される。表示装置２１０
４はモニターとして利用され、対角十数インチもサイズ
が要求される。
り、本体２１０１、カバー部２１０２、キーボード２１
０３、表示装置２１０４で構成される。表示装置２１０
４はモニターとして利用され、対角十数インチもサイズ
が要求される。
【０１１３】図９（Ｃ）はカーナビゲーションであり、
本体２２０１、表示装置２２０２、操作スイッチ２２０
３、アンテナ２２０４で構成される。表示装置２２０２
はモニターとして利用されるが、地図の表示が主な目的
なので解像度の許容範囲は比較的広いと言える。
本体２２０１、表示装置２２０２、操作スイッチ２２０
３、アンテナ２２０４で構成される。表示装置２２０２
はモニターとして利用されるが、地図の表示が主な目的
なので解像度の許容範囲は比較的広いと言える。
【０１１４】図９（Ｄ）はＴＶプロジェクションであ
り、本体２３０１、光源２３０２、表示装置２３０３、
ミラー２３０４、２３０５、スクリーン２３０６で構成
される。表示装置２３０３に映し出された画像がスクリ
ーン２３０６に投影されるので、表示装置２３０３は高
い解像度が要求される。
り、本体２３０１、光源２３０２、表示装置２３０３、
ミラー２３０４、２３０５、スクリーン２３０６で構成
される。表示装置２３０３に映し出された画像がスクリ
ーン２３０６に投影されるので、表示装置２３０３は高
い解像度が要求される。
【０１１５】図９（Ｅ）はビデオカメラであり、本体２
４０１、表示装置２４０２、接眼部２４０３、操作スイ
ッチ２４０４、テープホルダー２４０５で構成される。
表示装置２４０２に映し出された撮影画像は接眼部２４
０３を通してリアルタイムに見ることができるので、使
用者は画像を見ながらの撮影が可能となる。
４０１、表示装置２４０２、接眼部２４０３、操作スイ
ッチ２４０４、テープホルダー２４０５で構成される。
表示装置２４０２に映し出された撮影画像は接眼部２４
０３を通してリアルタイムに見ることができるので、使
用者は画像を見ながらの撮影が可能となる。
【０１１６】
【発明の効果】本明細書で開示する発明を利用すること
により、アルミニウムである配線の耐熱性の問題を解決
するととともに、かつ陽極酸化膜を形成した場合に問題
となるコンタクトの形成を容易なものとすることができ
る。
により、アルミニウムである配線の耐熱性の問題を解決
するととともに、かつ陽極酸化膜を形成した場合に問題
となるコンタクトの形成を容易なものとすることができ
る。
【図１】 薄膜トランジスタの作製工程を示す図。
【図２】 薄膜トランジスタの作製工程を示す図。
【図３】 薄膜トランジスタの作製工程を示す図。
【図４】 薄膜トランジスタの作製工程を示す図。
【図５】 薄膜トランジスタの作製工程を示す図。
【図６】 薄膜トランジスタの作製工程を示す図。
【図７】 薄膜トランジスタの作製工程を示す図。
【図８】 成膜装置の概要を示す図。
【図９】 液晶パネルを利用した装置の概要を示す図。
１０１ ガラス基板 １０２ 活性層（結晶性珪素膜） １０３ ゲイト絶縁膜（酸化珪素膜） １０４ アルミニウム膜 １０５ 窒化珪素膜 １０６ ゲイト電極 １０７ 残存した窒化珪素膜 １０８ 陽極酸化膜 １０９ 陽極酸化膜 １１０ ソース領域 １１１ チャネル領域 １１２ ドレイン領域 １１３ 第１の層間絶縁膜（窒化珪素膜） １１４ 第２の層間絶縁膜（ポリイミドでなる
層） １１５ ソース領域へのコンタクトホール １１６ ドレイン領域へのコンタクトホール １１７ ソース電極 １１８ ドレイン電極 １１９ 第３の層間絶縁膜（ポリイミドでなる
層） １２０ 画素電極（ＩＴＯ電極）
層） １１５ ソース領域へのコンタクトホール １１６ ドレイン領域へのコンタクトホール １１７ ソース電極 １１８ ドレイン電極 １１９ 第３の層間絶縁膜（ポリイミドでなる
層） １２０ 画素電極（ＩＴＯ電極）
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 29/78 ６１７Ｗ ６２７Ｂ ６２７Ｅ
Claims (8)
- 【請求項１】アルミニウムまたはアルミニウムを主成分
とするパターンを有し、 前記アルミニウムまたはアルミニウムを主成分とする膜
中における酸素原子の濃度が８×１０18個cm-3以下であ
り、かつ炭素原子の濃度が５×１０18個cm-3以下であ
り、かつ窒素原子の濃度が７×１０17個cm-3以下である
ことを特徴とする電子装置。 - 【請求項２】請求項１において、パターンの側面には酸
化物被膜が形成されており、パターンの上面には窒化珪
素膜が形成されていることを特徴とする電子装置。 - 【請求項３】請求項１において、パターンの側面に接し
て酸化物被膜が形成されていることを特徴とする電子装
置。 - 【請求項４】請求項１において、パターンの上面に接し
て窒化珪素膜が形成されており、該窒化珪素膜に形成さ
れた開孔を介してパターンへのコンタクトが形成されて
いることを特徴とする電子装置。 - 【請求項５】請求項１において、パターンの表面には突
起物が形成されており、その最大の高さは５００Å以下
であることを特徴とする電子装置。 - 【請求項６】アルミニウムまたはアルミニウムを主成分
とするパターンを有する電子装置の作製方法であって、 前記アルミニウムまたはアルミニウムを主成分とする膜
中における酸素原子の濃度が８×１０18個cm-3以下であ
り、かつ炭素原子の濃度が５×１０18個cm-3以下であ
り、かつ窒素原子の濃度が７×１０17個cm-3以下であ
り、 作製工程中において前記パターンに加えられるプロセス
温度は４００℃以下であることを特徴とする電子装置の
作製方法。 - 【請求項７】請求項６において、 パターンの上面に接して成膜された窒化珪素膜にコンタ
クトホールを形成する工程を有することを特徴とする電
子装置の作製方法。 - 【請求項８】請求項６において、パターンの側面に陽極
酸化工程によって酸化物被膜を形成する工程を有するこ
とを特徴とする電子装置の作製方法。
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