JPH1032276A

JPH1032276A - 電力用半導体装置のパッケ−ジング方法

Info

Publication number: JPH1032276A
Application number: JP8186270A
Authority: JP
Inventors: Takakimi Chiba; 孝公千葉
Original assignee: NEC Corp
Current assignee: NEC Corp
Priority date: 1996-07-16
Filing date: 1996-07-16
Publication date: 1998-02-03

Abstract

(57)【要約】【課題】製品特性に障害となる“ウエルドスプラッシ
ュのキャビテイ内部への侵入”を防止する電力用半導体
装置のパッケ−ジング方法を提供すること。【解決手段】ＤＯスタッド１(又はＴＯヘッダ−)の外
周部の溶接メタル部１１内側の所定位置にウエルドスプ
ラッシュストッパ−(凸状の突起)３を形成したＤＯスタ
ッド１(又はＴＯヘッダ−)を用い、前記溶接メタル部１
１と金属キャップ７のフランジ部(リングプロジェクシ
ョン)９とを加圧し、電気抵抗溶接により金属ハ−メチ
ックシ−ルを行う。このストッパ−３を設けることで、
製品特性に障害となる“ウエルドスプラッシュのキャビ
テイ内部への侵入”が設計構造上完全に阻止されるた
め、従来技術におけるＰＩＮＤ試験及び樹脂キャップ被
着が不要となる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、電力用半導体装置
のパッケ−ジング方法に関し、特に、ＤＯ−４，ＴＯ−
３等の中央部にダイマウント用のテラス部を設けたＤＯ
パッケ−ジまたはＴＯパッケ−ジを用いた電力用半導体
装置の金属ハ−メチックシ−ル方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来の電力用半導体装置のパッケ−ジン
グ方法に関する一例(以下“従来法１”という)につい
て、図６，図７を参照して説明する。なお、図６は、従
来法１を示す金属ハ−メチックシ−ル構造の断面図であ
り、図７は、図６中のＡ部分の溶接前における拡大部分
詳細図である。

【０００３】従来法１では、図６，図７に示すように、
中央部にダイマウントテラス２を設けたＤＯスタッド１
であって、このダイマウントテラス２の部分を囲み、金
属キャップ７のフランジ９の接合部に対応して、溶接メ
タル部１１を設けたＤＯスタッド１を用いている。

【０００４】そして図６に示すように、前記ダイマウン
トテラス２に半導体チップ５を、Ｍｏ板４を介してダイ
マウントし、ワイヤ−ボンデイング６による配線を行
う。続いて、図７に示すように、フランジ９及びプロジ
ェクション１０（前記溶接メタル部１１と溶接接合を行
うためのもの）を有する金属キャップ７を被着させ、電
気抵抗溶接機を用いて、金属キャップ７のフランジ９と
前記ＤＯスタッド１の溶接メタル部１１とをプレス加圧
し、電気溶接によりフランジ９のプロジェクション１０
を溶融させ封着を行う。その後、キャビテイ内部に侵入
したウエルドスプラッシュのある製品をＰＩＮＤ試験
［後記図１０( Ａ)参照］で除去するというパッケ−ジ
ング方法である。

【０００５】この従来法１について、図１０(Ａ)に基づ
いて更に説明する。なお、図１０(Ａ)は、従来法１のパ
ッケ−ジング方法における製造フロ−を示す図である。
従来法１は、該図に示すように、「チップマウント」→
「ワイヤ−ボンデイング」→「キャップ被着」→「封
着」→「ＰＩＮＤ試験」→「洗浄，乾燥」→「特性チェ
ック」というフロ−からなる。

【０００６】前記従来法１以外に例えば実開平4−10954
0号公報に開示されているＴＯパッケ−ジ方法(以下“従
来法２”という)も知られている。この従来法２につい
て、図８，図９を参照して説明する。なお、図８は、従
来法２を示すシ−ル構造の断面図であり、図９は、図８
中のＢ部分の拡大詳細図である。

【０００７】従来法２は、図８，図９に示すように、ワ
イヤ−ボンデイング６をしたＴＯヘッダ−１８の半導体
チップ５の上面を覆って、金属キャップ７の内側に納ま
る樹脂キャップ１９を被着する。続いて、金属キャップ
７で被着し、前記ＴＯヘッダ−１８の周辺部と金属キャ
ップ７のフランジ９とを接合封着するパッケ−ジング方
法である。

【０００８】この従来法２について、図１１(Ａ)に基づ
いて更に説明する。なお、図１１(Ａ)は、従来法２のパ
ッケ−ジング方法における製造フロ−を示す図である。
従来法２は、該図に示すように、「チップマウント」→
「ワイヤ−ボンデイング」→「樹脂キャップ被着」→
「ベ−ク」→「金属キャップ被着」→「封着」→「特性
チェック」というフロ−からなる。

【０００９】

【発明が解決しようとする課題】ところで、前記した従
来技術において、例えば前記従来法１では“ＰＩＮＤ試
験関連の作業工程［前掲の図１０(Ａ)参照］”を必要と
し、また、前記従来法２では“樹脂キャップ被着作業工
程［前掲の図１１(Ａ)参照］”を必要とし、いずれもこ
れら作業工程(工数)に伴う製造コストアップを含む種々
の問題点を有している。

【００１０】即ち、従来法１では、金属キャップを直接
被着し封着する方法であって、この封着時に「ウェルド
スプラッシュのキャビテイ内部への飛散」を防止するこ
とができず、そのためＰＩＮＤ試験の実施が不可欠であ
る。また、従来法２では、樹脂キャップで被着すること
で、従来法１の「ウェルドスプラッシュの侵入」を防止
するようにしたものであるが、このため、樹脂キャップ
の費用およびこの樹脂キャップ被着作業工程を必要とす
るという問題点を有している。

【００１１】更に、従来法２では、ＤＯパッケ−ジへの
適用及び高信頼度製品への適用ができないと云う問題点
を有している。その理由は、ＤＯパッケ−ジにおいて
は、半導体チップの上部電極面より上方向へ金属パッケ
−ジを貫く引出し電極が必要であり、樹脂キャップの被
着が困難であり、また、高信頼度製品では、信頼性上金
属キャビテイ内部への有機物質使用が不可であるからで
ある。

【００１２】本発明は、従来技術(従来法１，２)の上記
諸問題点に鑑み成されたものであって、その目的とする
ところは、該問題点を解消する点にある。即ち、本発明
は、製品特性に障害となる“ウエルドスプラッシュのキ
ャビテイ内部への侵入”を防止する電力用半導体装置の
パッケ−ジング方法を提供することにあり、そのため、
樹脂キャップの被着を必要としない、また、ＰＩＮＤ試
験によるウェルドスプラッシュのある製品の除去作業を
必要としないものであり、製造コストが安価で、しか
も、ＤＯパッケ−ジ，ＴＯパッケ−ジ、更には、高信頼
度製品にも適用可能なパッケ−ジング方法を提供するこ
とにある。

【００１３】

【課題を解決するための手段】そして、本発明は、前記
目的を達成するため、・ＤＯスタッド又はＴＯヘッダ−の外周部の溶接メタル
部内側の所定位置にウエルドスプラッシュストッパ−
(凸状の突起)を形成したＤＯスタッド又はＴＯヘッダ−
を用い、・前記溶接メタル部と金属キャップのフランジ部(リン
グプロジェクション)とを加圧し、電気抵抗溶接により
金属ハ−メチックシ−ルを行う、ことを特徴とする。

【００１４】即ち、本発明は、「電力半導体用ＤＯパッ
ケ−ジまたはＴＯパッケ−ジのＤＯスタッドまたはＴＯ
ヘッダ−の外周部に溶接メタル部を形成し、かつ、該溶
接メタル部の内側にウエルドスプラッシュストッパ−を
形成したＤＯスタッドまたはＴＯヘッダ−であって、前
記ＤＯスタッドまたはＴＯヘッダ−に被着する金属キャ
ップのフランジ円弧と前記ストッパ−の外周テ−パ面と
の最小距離が、ダイチップの電極間最小寸法より小さく
なる位置に前記ストッパ−を形成してなるＤＯスタッド
またはＴＯヘッダ−を用い、前記溶接メタル部と金属キ
ャップのフランジ部とを加圧し、溶接により金属ハ−メ
チックシ−ルを行うことを特徴とする電力用半導体装置
のパッケ−ジング方法。」(請求項１)を要旨とする。

【００１５】

【作用】本発明に係るパッケ−ジング方法によれば、・ＤＯスタッドまたはＴＯヘッダ−の溶接メタル部に
“ウェルドスプラッシュストッパ−”を有するので、即
ち、・上記溶接メタル部と接合する「金属キャップのフラン
ジ部に設けたプロジェクション」と「ダイテラスマウン
ト部」との間に“ウェルドスプラッシュストッパ−”を
有するので、抵抗溶接時に発生する“ウェルドスプラッ
シュ”がキャビテイ内へ飛散するのを前記ストッパ−で
遮り、更に、・金属キャップのフランジ円弧と前記ストッパ−の外周
面との距離が、ダイチップの電極間最小寸法より小さい
ので、このダイチップの電極間最小寸法より大きい“ウ
ェルドスプラッシュ”は、キャビテイ内のダイテラスマ
ウント部への侵入が遮断される作用が生じる。

【００１６】

【発明の実施の形態】以下、本発明に係るパッケ−ジン
グ方法について、図１〜図３(後記実施例１参照)に基づ
き具体的に説明する。

【００１７】本発明に係るパッケ−ジング方法は、図１
〜図３に示すように、具体的には、ＤＯスタッド１(ま
たはＴＯヘッダ−)の外周部に設けた溶接メタル部１１
の内側に、ウェルドスプラッシュのストッパ−４とし
て、高さ0.1〜2.5ｍｍ程度の凸状の突起を、このＤＯス
タッド１(またはＴＯヘッダ−)に被着する金属キャップ
７のフランジ円弧１３と、このストッパ−４の外周テ−
パ面１２(テ−パ角度2〜30度)との最大距離がダイチッ
プの電極間最小寸法(10〜200μｍ)より小さくなる位置
に形成し、このＤＯスタッド１(またはＴＯヘッダ−)を
用いて、電気抵抗溶接により金属ハ−メチックシ−ルを
行う方法である。そして、前記ストッパ−４は、ウェル
ドスプラッシュのストッパ−としての機能を有するもの
である。

【００１８】本発明の実施の形態について、図１〜図３
を参照して更に詳細に説明する。図１に示すように、Ｄ
Ｏスタッド１は、ダイマウントテラス２の外周にウェル
ドスプラッシュストッパ−３が設けられている。このＤ
Ｏスタッド１のダイマウントテラス２にＭｏ板４を敷
き、半導体チップ５をダイマウント後ワイヤ−ボンデイ
ング６を行い、金属キャップ７を被着し、更にピンチウ
エルドを行って引出し電極８を形成する構造となってい
る。

【００１９】次に、図２を参照して説明する。なお、図
２は、図１のＡ部分の拡大詳細図であって、封着前にお
けるキャップ被着時の拡大部分詳細図である。図２に示
すように、ＤＯスタッド１のダイマウントテラス２及び
Ｍｏ板４を囲むように、かつ、金属キャップ７のフラン
ジ９に設けられたプロジェクション１０が接合される溶
接メタル部１１の内側に、ウェルドスプラッシュストッ
パ−３(以降、単に“ストッパ− ３”と記す)が形成さ
れている。このストッパ−３の外周部には、テ−パ加工
が施され、ストッパ−テ−パ面１２が形成されてお
り、金属キャップ７による封着時に、キャップ内面のフ
ランジ円弧１３との距離が出来るだけ小さくなる構造と
なっている。

【００２０】なお、このストッパ−３は、ダイマウント
テラス２(以降、単に“テラス２”と記す)及び溶接メタ
ル部１１と同一面側に設けられ、ＤＯスタッド１の製造
加工において、プラス金型の変更のみで容易に加工する
ことができ、従来のＤＯスタッドとコスト的には、ほぼ
同じになる。

【００２１】次に、本発明の実施形態の動作について、
図３を参照して説明する。なお、図３は、図１のＡ部分
の拡大詳細図であって、封着後の拡大部分詳細図であ
る。図３に示すように、ＤＯスタッド１と金属キャップ
７の理想的な嵌合は、キャップ内壁面１４がストッパ−
３のテ−パ加工起点１５の外周と一致する状態での封着
であり、このときストッパ−３のテ−パ面１２と金属キ
ャップ７のフランジ円弧１３の面との距離“ａ”は最小
となる。

【００２２】封着時のウェルドスプラッシュの発生につ
いて考えると、金属キャップ７のフランジ９とＤＯスタ
ッド１の溶接メタル部１１をつき合わせる状態で、電気
抵抗溶接機を用いてプレス加圧し、フランジ９に設けた
プロジェクション１０(図２参照)を潰すと同時にこの部
分に所定の電圧印加を行い、溶接電流を流してプロジェ
クション１０を溶融させ、フランジ９の外周側と溶接メ
タル１１とを接合させる。

【００２３】このとき、プロジェクション１０の潰れ状
態が一定とならず、過渡的に接合溶融部１６に過溶融が
部分的に起こり、ウェルドスプラッシュ１７が飛散す
る。このウェルドスプラッシュ１７は、ストッパ−３で
遮られ、ストッパ−テ−パ面１２と接合溶融部１６との
隙間に閉じ込められる。更には、封着以降の製造，検
査，実使用での機械的ストレスにおいて、半導体チップ
５がマウントされているダイマウントテラス２方向への
「ウェルドスプラッシュのキャビテイ内部への侵入」
は、前記ストッパ−３のストッパ−テ−パ面１２とフラ
ンジ円弧１３との最小距離“ａ”で阻止される。

【００２４】ここで、図１０(Ａ)，同(Ｂ)を参照して、
前記従来法１と本発明の方法との製造フロ−を対比して
説明する。なお、図１０の(Ａ)は、従来法１による製造
フロ−を示す図であり、(Ｂ)は、この従来法１との対比
による本発明の方法の製造フロ−を示す図である。

【００２５】従来法１では、図１０(Ａ)に示すように、
「チップマウント」→「ワイヤ−ボンデイング」→「キ
ャップ被着」→「封着」→「ＰＩＮＤ試験」→「洗浄，
乾燥」→「特性チェック」というフロ−からなる。これ
に対して、本発明に係る方法では、図１０(Ｂ)に示すよ
うに、上記従来法１における“「ＰＩＮＤ試験」→「洗
浄，乾燥」”の工程を省略することができるものであ
る。

【００２６】また、図１１(Ａ)，同(Ｂ)を参照して、前
記従来法２と本発明の方法との製造フロ−を対比して説
明する。なお、図１１の(Ａ)は、従来法２による製造フ
ロ−を示す図であり、(Ｂ)は、この従来法２との対比に
よる本発明の方法の製造フロ−を示す図である。

【００２７】従来法２では、図１１(Ａ)に示すように、
「チップマウント」→「ワイヤ−ボンデイング」→「樹
脂キャップ被着」→「ベ−ク」→「金属キャップ被着」
→「封着」→「特性チェック」というフロ−からなる。
これに対して、本発明に係る方法では、図１１(Ｂ)に示
すように、上記従来法２における“「樹脂キャップ被
着」→「ベ−ク」”の工程を伴わないものである。

【００２８】

【実施例】次に、本発明の実施例について図面を参照し
て詳細に説明するが、本発明は、以下の実施例によって
限定されるものではなく、前記した本発明の要旨を逸脱
しない範囲で種々の変更，変形が可能である。

【００２９】（実施例１：本発明の第１の実施形態）図
１は、本発明の第１の実施形態(実施例１)を示す電力用
ダイオ−ドのＤＯ−４型パッケ−ジ構造を示す断面図で
ある。また、図２，図３は、図１中のＡ部分の拡大詳細
図であって、図２は封着前の、図３は封着後の各拡大部
分詳細図である。

【００３０】本実施例１では、銅素材より、ダイマウン
トテラス２，ストッパ−３，電極を兼ねた実装用のネジ
２０を、それぞれプレス加工または切削加工してＤＯス
タッド１の素材を作製する。このＤＯスタッド１の素材
上に、抵抗溶接のため電気抵抗が銅よりも高いキュ−プ
ニッケルを用いて溶接メタル１１を形成し、更に、Ｓｉ
素材からなる半導体チップ５と熱膨張率が近いＭｏ板４
を、ダイマウントテラス２に銀ロウ等により貼り付け加
工し、ＤＯスタッド(ＤＯ−１４用スタッド)１を作製す
る。

【００３１】得られたＤＯスタッド１を用い、半導体チ
ップ５を、ＡｇＰｂＳｎ等のソルダ−を使用してＭｏ板
４の上面にマウントする。次に、半導体チップ５の上部
電極(引出し電極８)にＡｌワイヤ−等でボンデイング６
の配線を行う。

【００３２】その後、図２に示すように、金属キャップ
７を、そのフランジ９とプロジェクション１０とがスト
ッパ−３の外周部に設けられている溶接メタル１１の位
置に合致するように被着し、続いて、電気抵抗溶接機に
よりフランジ９と溶接メタル１１に対して所定のプレス
加圧を行い、プロジェクション１０を潰すと同時に所定
の電圧印加を行い、プロジェクション１０に溶接電流を
流すことで、プロジェクション１０を溶融させ、ＤＯス
タッド１と金属キャップ７を気密封止する。

【００３３】この実施例１によるストッパ−３は、次の
ように形成される。即ち、図３に示すように、ＤＯスタ
ッド１のダイマウントテラス２の外周に、金属キャップ
７の内壁面１４とストッパ−３の外周部テ−パ加工起点
１５とが鉛直方向に一致するような位置で、しかも、金
属キャップ７のフランジ円弧１３とストッパ−テ−パ面
１２との最大距離“ａ”が、半導体チップ５の電極間最
小寸法“ｂ”(電力用半導体チップ20〜400μｍ)より小
さくなるように、高さ0.1〜2.5ｍｍ程度，テ−パ角2〜3
0度，上記最大距離“ａ”の寸法10〜100μｍの凸状の突
起を設けることで、ストッパ−３が形成される。

【００３４】次に、本実施例１の機能について、図３を
参照して詳細に説明する。図３を参照すると、ストッパ
−３のテ−パ面１２と金属キャップ７のフランジ円弧１
３との最大距離“ａ”(10〜100μｍ)がチップ電極間の
最小寸法“ｂ”(20〜400μｍ)より小さくなるように、
金属キャップ７の内壁面１４とストッパ−３のテ−パ面
１２が嵌合され、封着が起こなわれているため、電気抵
抗溶接時に発生する上記最大距離“ａ”の寸法より大き
なウエルドスプラッシュ１７のキャビテイ内部への侵入
が阻止される。

【００３５】なお、ストッパ−３のテ−パ角が２度未満
では、金属キャップ７の嵌合許容寸法が厳しく自動機に
よる被着が困難となり、逆に、この角が３０度より大き
い場合、ストッパ−３の幅が大きくなり、パッケ−ジ寸
法が大きくなるという不都合が生じるので好ましくな
い。

【００３６】（実施例２：本発明の第２の実施形態）図
４は、本発明の第２の実施形態(実施例２)を示す電力用
トランジスタのＴＯ−３型パッケ−ジング構造を示す断
面図であり、図５は、図４中のＢ部分(溶接部)の拡大詳
細図である。

【００３７】本実施例２では、図４，図５に示すよう
に、ＴＯ−３用ヘッダ−１８のダイマウントテラス２の
面であって、半導体チップ５及びワイヤ−ボンデイング
６を囲む外周部に、ストッパ−３が設けられている。こ
のＴＯ−３用ヘッダ−１８を用い、中央部に半導体チッ
プ５をＡｇＰｂＳｎ等のソルダ−でマウントした後、半
導体チップ５の上部電極と引出し電極８間をワイヤ−ボ
ンデイング６による配線を行い、更に、金属キャップ７
を用い、電気抵抗溶接により気密封着している。

【００３８】この実施例２による機能に関しては、前記
実施例１と同様である。即ち、図５に示すように、スト
ッパ−３は、金属キャップ７のフランジ９とヘッダ−１
８との電気抵抗溶接で生じるウエルドスプラッシュのキ
ャビテイ内部への侵入を阻止する機能を有している。

【００３９】

【発明の効果】本発明は、以上詳記したとおり、・ＤＯスタッド又はＴＯヘッダ−の外周部の溶接メタル
部内側の所定位置にウエルドスプラッシュストッパ−
(凸状の突起)を形成したＤＯスタッド(又はＴＯヘッダ
−)を用い、・前記溶接メタル部と金属キャップのフランジ部(リン
グプロジェクション)を加圧し、電気抵抗溶接により金
属ハ−メチックシ−ルを行う、ことを特徴とし、これに
より、従来のパッケ−ジングにおいて行われていた“Ｐ
ＩＮＤ試験関連作業(前記従来法１参照)”が不要とな
り、また、“樹脂キャップ被着(前記従来法２参照)”が
不要となり、製造コストの低減が可能となる効果が生じ
る。その理由は、ウエルドスプラッシュストッパ−を設
けることで、製品特性に障害となるウエルドスプラッシ
ュのキャビテイ内部への侵入が設計構造上完全に阻止さ
れるため、ＰＩＮＤ試験及び樹脂キャップ被着が不要と
なるからである。

【００４０】また、本発明によれば、ＤＯパッケ−ジ及
び高信頼度製品においても、適用が可能となり、そのた
め、高範囲な製品に対して、パッケ−ジング構造上のウ
エルドスプラッシュ対策が可能となる効果が生じる。そ
の理由は、本発明によるウエルドスプラッシュストッパ
−は、パッケ−ジ内のフランジ周辺部に設けられている
ことによる。また、スタッド又はヘッダ−母材で形成さ
れるため、パッケ−ジ構造及び製品用途の制限を受けな
いからである。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１の実施形態(実施例１)を示す電力
用ダイオ−ドのＤＯ−４型パッケ−ジ構造を示す断面図
である。

【図２】図１のＡ部分の拡大詳細図であって、封着前の
拡大部分詳細図である。

【図３】図１のＡ部分の拡大詳細図であって、封着後の
拡大部分詳細図である。

【図４】本発明の第２の実施形態(実施例２)を示す電力
用トランジスタのＴＯ−３型パッケ−ジング構造を示す
断面図である。

【図５】図４中のＢ部分(溶接部)の拡大詳細図である。

【図６】従来法１を示す金属ハ−メチックシ−ル構造の
断面図である。

【図７】図６中のＡ部分の溶接前における拡大部分詳細
図である。

【図８】従来法２を示すシ−ル構造の断面図である。

【図９】図８中のＢ部の拡大詳細図である。

【図１０】従来法１と本発明の方法との製造フロ−を対
比して示した図であって、そのうち(Ａ)は、従来法１に
よる製造フロ−を示す図であり、(Ｂ)は、この従来法１
との対比による本発明の方法の製造フロ−を示す図であ
る。

【図１１】従来法２と本発明の方法との製造フロ−を対
比して示した図であって、そのうち(Ａ)は、従来法２に
よる製造フロ−を示す図であり、(Ｂ)は、この従来法２
との対比による本発明の方法の製造フロ−を示す図であ
る。

【符号の説明】

１ＤＯスタッド２ダイマウントテラス３ウエルドスプラッシュストッパ− ４Ｍｏ板５半導体チップ６ワイヤ−ボンデイング７金属キャップ８引出し電極９フランジ１０プロジェクション１１溶接メタル部１２ストッパ−テ−パ面１３フランジ円弧１４金属キャップ内壁面１５テ−パ加工起点１６接合溶融部１７ウェルドスプラッシュ１８ＴＯヘッダ− １９樹脂キャップ２０ネジ

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】電力半導体用ＤＯパッケ−ジまたはＴＯ
パッケ−ジのＤＯスタッドまたはＴＯヘッダ−の外周部
に溶接メタル部を形成し、かつ、該溶接メタル部の内側
にウエルドスプラッシュストッパ−を形成したＤＯスタ
ッドまたはＴＯヘッダ−であって、前記ＤＯスタッドま
たはＴＯヘッダ−に被着する金属キャップのフランジ円
弧と前記ストッパ−の外周テ−パ面との最小距離が、ダ
イチップの電極間最小寸法より小さくなる位置に前記ス
トッパ−を形成してなるＤＯスタッドまたはＴＯヘッダ
−を用い、前記溶接メタル部と金属キャップのフランジ
部とを加圧し、溶接により金属ハ−メチックシ−ルを行
うことを特徴とする電力用半導体装置のパッケ−ジング
方法。
【請求項２】前記ウエルドスプラッシュストッパ−と
して、該ストッパ−の外周面のテ−パ角度が２〜３０度
であることを特徴とする請求項１に記載の電力用半導体
装置のパッケ−ジング方法。
【請求項３】前記ウエルドスプラッシュストッパ−と
して、該ストッパ−の外周テ−パ面と金属キャップのフ
ランジ円弧面との距離が１０〜１００μｍであることを
特徴とする請求項１または２に記載の電力用半導体装置
のパッケ−ジング方法。