JPH10327317A

JPH10327317A - 撮像装置及び撮像方法

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Publication number: JPH10327317A
Application number: JP9135083A
Authority: JP
Inventors: Noriyuki Umibe; 紀之海部; Isao Kobayashi; 功小林; Toshio Kameshima; 登志男亀島; Yutaka Endo; 豊遠藤; Takashi Ogura; 隆小倉; Hideki Nonaka; 秀樹野中
Original assignee: Canon Inc
Current assignee: Canon Inc
Priority date: 1997-05-26
Filing date: 1997-05-26
Publication date: 1998-12-08
Anticipated expiration: 2017-05-26
Also published as: US6333963B1; EP0881828A2; KR19980087371A; DE69840182D1; EP0881828A3; EP1521454B1; JP4164134B2; EP1521454A1; KR100278188B1

Abstract

(57)【要約】【課題】光電変換装置を用いた撮像装置において、補
正に使うデータを得たときの条件と実際に撮影したとき
の条件が異なるため、撮影出力に含まれる誤差が、完全
に補正されないという問題を解決し、高Ｓ／Ｎの像情報
を得る。【解決手段】一次元もしくは二次元に配列した複数の
光電変換素子を含む撮像手段２０を有する撮像装置にお
いて、撮影モード時の撮影出力を記憶しておく手段５０
と、該撮影モード時の撮影条件を記憶しておく手段４０
と、前記記憶しておいた撮影条件を用いて動作させる補
正モード時の補正出力を得る手段７０，３０，４０，５
１と、前記補正出力を用いて前記撮影出力を補正する手
段６０と、を有することを特徴とする撮像装置。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、可視光もしくは放
射線により像を形成する撮像装置及び撮像方法に係り、
たとえばファクシミリ、デジタル複写機、スチールカメ
ラあるいは放射線撮像装置等の一次元もしくは二次元の
撮像装置及び撮像方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来、ＣＣＤ型センサ、ＭＯＳ型センサ
で代表されるＳｉ単結晶センサや、水素化アモルファス
シリコン（以下、ａ−Ｓｉと記す）のＰＩＮ型センサを
用いた撮像素子を、一次元、もしくは二次元に並べた大
型センサを用いた撮像装置が各種生産されている。

【０００３】これらの撮像装置は、可視光の像を形成す
るのみならず、原子力開発、放射線医療機器および非破
壊検査の発達にともない放射線像を電気信号に変換する
撮像装置も開発されている。

【０００４】しかしながら、それらＳ／Ｎは２〜３桁の
ものが多く、それ以上のＳ／Ｎは求められていなかっ
た。これは、高Ｓ／Ｎの出力を高精度でデジタル化する
のに適したＡ／Ｄ変換器がなかったり、また変換後のデ
ータ量が大量になりメモリの制限や通信の制限を受け使
い勝手が悪く、結果、高Ｓ／Ｎの撮像装置の必要性が小
さかったためである。

【０００５】ところが近年、大容量のメモリや高速な通
信の開発がめざましく、これにともない、４〜５桁の高
Ｓ／Ｎを持つ撮像装置の要求が高まっている。

【０００６】しかしながら、通常、生産工程のばらつき
により固定パターンや感度ばらつきによるＳ／Ｎの低下
は避けられず、これを防ぐため、工場出荷時に固定パタ
ーンや感度ばらつきをメモリに記憶させて、実際に使う
場合に撮影出力とこのメモリとの情報で補正する手法が
とられている。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来例では補正に使うデータが撮影より前にとられている
ため、以下のような欠点があった。

【０００８】通常、撮像装置を使う場合に、使用者は被
写体や周りの環境、撮影の目的等で撮像装置の動作条件
を選択する。また、撮像装置に使われている構成部品は
温度により特性が異なっている。さらに、撮像中は簡単
に失敗のない最適な像を得るために自動露出や自動ゲイ
ン調整をはじめ各種の自動制御が働く。つまり、撮像を
実際に行った条件と補正に使用するデータを作った条件
とは異なっているのである。Ｓ／Ｎの低下の原因となる
固定パターンや感度ばらつきはこれら条件で微妙に異な
るため、撮影出力に含まれる誤差は完全に補正されな
い。このように補正に使うデータを得たときの条件と実
際に撮影したときの条件が異なることは、高Ｓ／Ｎの像
情報を得るのに重大な問題となる。

【０００９】［発明の目的］本発明の目的は、補正に使
うデータを得たときの条件と実際に撮影したときの条件
が異なるため、撮影出力に含まれる誤差が、完全に補正
されないという問題を解決し、高Ｓ／Ｎの像情報を得ら
れる撮像装置を提供することにある。

【００１０】

【課題を解決するための手段および作用】

［手段］本発明は、前述した課題を解決するための手段
として、一次元もしくは二次元に配列した複数の光電変
換素子を含む撮像手段を有する撮像装置において、撮影
モード時の撮影出力を記憶しておく手段と、該撮影モー
ド時の撮影条件を記憶しておく手段と、前記記憶してお
いた撮影条件を用いて動作させる補正モード時の補正出
力を得る手段と、前記補正出力を用いて前記撮影出力を
補正する手段と、を有することを特徴とする撮像装置を
有するものである。

【００１１】また、前記補正出力を得る手段が、前記記
憶しておいた撮影条件を用いて、前記光電変換素子に光
が入射しない状態で動作させる補正モード１の補正出力
を得る手段であることを特徴とする撮像装置でもある。

【００１２】また、前記補正出力を得る手段が、前記記
憶しておいた撮影条件を用いて、被写体が無い状態の基
準光を前記光電変換素子に入射させて動作させる補正モ
ード２の補正出力を得る手段であることを特徴とする撮
像装置でもある。

【００１３】また、更に、前記補正モード１と、前記補
正モード２の両モード時の補正出力を用いて、前記撮影
出力を補正する手段を有することを特徴とする撮像装置
でもある。

【００１４】また、一次元もしくは二次元に配列した複
数の光電変換素子を含む撮像手段を含む撮像装置におい
て、前記光電変換素子に像情報光の入射を制御可能な像
情報入射手段、撮影条件を自動制御および設定制御可能
な撮影条件制御手段および前記撮影条件制御手段が自動
制御された条件を記憶する条件記憶手段を有し、先ず、
自動制御で所望の撮影出力が得られるよう前記撮影条件
制御手段を動作させながら前記像情報入射手段により像
情報光を前記撮像手段に入射させ、このときの撮影出力
を撮影出力記憶手段に記憶させると同時に前記撮影条件
制御手段が選択した設定値を前記条件記憶手段に記憶さ
せ、その後、前記条件記憶手段に記憶された設定値によ
り前記撮影条件制御手段を設定動作させ、このときの出
力を補正出力とし、これと前記撮影出力記憶手段に記憶
された撮影出力により演算処理回路で処理し撮像手段の
誤差を取り除かれた出力とするシステム制御回路および
補正回路を有することを特徴とする。

【００１５】また、前記像情報入射手段はパルス状の像
情報光及び／又は基準光をセンサに入射可能でそのパル
ス幅は撮影条件制御手段で自動ならびに設定制御可能な
ことを特徴とし、さらに、撮像装置はゲイン調整回路を
含みそのゲインは前記撮影条件制御手段で自動ならびに
設定制御可能なことを特徴とし、さらにまた、前記ゲイ
ン調整回路は複数のアナログ−ディジタル変換器を含み
撮像手段の出力はその値により適切な変換器が選択可能
で、またその選択は撮影条件制御手段で自動ならびに設
定制御可能なことを特徴とし、またさらに、前記光電変
換素子は蓄積型であり、その蓄積時間は撮影条件制御手
段で自動ならびに設定制御可能なことを特徴とすること
も可能でる。

【００１６】また、前記像情報入射手段とは放射線源お
よび蛍光体から構成され、前記放射線源と前記蛍光体と
の間に被写体が設置可能なことを特徴とすることもで
き、これによりＸ線フィルムの代わりに胸部レントゲン
検診や乳ガン検診に使用できる。

【００１７】［作用］すなわち本発明によれば、各種自
動制御された条件で、先ず撮影を行い、撮影出力を得
て、この撮影出力と、撮影条件を記憶しておき、この撮
影時に記憶しておいた撮影条件と、得たい補正出力によ
り、条件を設定して再度動作させることにより補正出力
を得ているため、補正に使うデータを得たときの条件と
実際に撮影したときの条件を、実質的に同条件とするこ
とができる。

【００１８】このため、この補正出力を用いて、記憶し
ておいた撮影出力を補正することにより、より誤差の少
ない撮影出力を得ることが可能となり、高Ｓ／Ｎの像情
報を得ることができる。

【００１９】また、本発明によれば、各種自動制御を行
っても、撮影時と同じ条件で補正出力を得ることができ
るため、使いやすく、楽に最適に近い条件で撮影ができ
る高性能な撮像装置が提供できる。

【００２０】また、前記光電変換素子に光が入射しない
状態で動作させる補正モード１の補正出力を用いること
により、光電変換素子の暗時出力の補正を行なうことが
できる。

【００２１】また、被写体が無い状態の基準光を前記光
電変換素子に入射させて動作させる補正モード２の補正
出力を用いることにより、ゲインばらつきによる誤差を
取り除くことができる。

【００２２】

【発明の実施の形態】

［第１の実施例］以下、本発明の第１の実施例を図面に
基づいて詳細に説明する。図１は本発明の第１の実施例
に係る撮像装置の全体システムブロック図である。本実
施例では医療用Ｘ線診断を目的とする放射線撮像装置が
構成されている。

【００２３】図１において、１０はＸ線１３をパルス状
に発することができるＸ線源であり、撮影条件制御手段
として働くＡＥコントローラ３０によりＸ線パルスのオ
ン、オフやＸ線源内の管球の管電圧、管電流が制御され
る。Ｘ線源１０で発したＸ線１３は診断対象となる患者
である被写体１１を透過しＸ線を可視光に変換するＣｓ
Ｉ、Ｇｄ₂ Ｏ₂ Ｓ等で構成される蛍光体１２に入射す
る。このとき被写体１１を透過するＸ線は被写体１１の
内部の骨や内蔵の大きさや形、病巣の有無により透過量
が異なりそれらの像情報が含まれている。このＸ線１３
は蛍光体１２により可視光に変換され像情報光１４とし
て撮像手段として働く二次元エリアセンサ２０に入射す
る。二次元エリアセンサ２０は二次元に配列した複数の
光電変換素子とそれらを駆動する駆動回路からなり、像
情報光１４を二次元情報を含む電気信号に変換して出力
する。

【００２４】二次元エリアセンサ２０は、ＡＥコントロ
ーラ３０により蓄積時間や駆動スピードが制御される。
二次元エリアセンサ２０の出力はゲイン調整回路２１に
入力されるとともにＡＥコントローラ３０にも撮影条件
を制御するための情報として入力される。

【００２５】ＡＥコントローラ３０には、撮影条件を制
御するために制御パネル３２や温度センサ３３およびフ
ォトタイマ３１の出力も入力されている。制御パネル３
２は医師もしくは技師が患者の症状、体格、年齢や得た
い情報を考慮し撮影露光の度に最適な撮影出力が得られ
るように条件をパネル操作で入力し、電気信号に変換さ
れＡＥコントローラ３０に入力される。

【００２６】温度センサ３３は撮影露光時における部屋
の温度や管球の温度および二次元エリアセンサ２０等
の、温度により特性が変化し最適な動作条件が変化する
構成部品の温度を検出しＡＥコントローラ３０に入力さ
れる。これら検出される温度はまさに撮影露光されてい
る時点の温度であることが好ましい。

【００２７】フォトタイマ３１は、被写体１１と二次元
エリアセンサ２０との間におかれ撮影露光中に被写体１
１の基準部分（例えば肺胞部）を透過するＸ線の量を検
知しＡＥコントローラ３０に入力される。フォトタイマ
３１でのＸ線の吸収は微少なため撮影露光にほとんど悪
影響しない。

【００２８】ＡＥコントローラ３０は、これら入力の撮
影露光の直前の値もしくは撮影露光中の値をもとにＸ線
源１０のＸ線パルス幅や二次元エリアセンサ２０の蓄積
時間・駆動スピードおよびゲイン調整回路２１の増幅率
を自動制御および設定制御できる。これら制御によりゲ
イン調整回路２１の出力を適切な撮影出力にすることが
可能である。

【００２９】また、このときＡＥコントローラ３０が撮
影露光時に制御・設定した条件は条件記憶手段として働
く条件メモリ回路４０に条件値として記憶しておくこと
が可能である。この条件メモリ回路４０は条件を記憶で
きると同時に、逆に記憶した条件値をＡＥコントローラ
３０に入力することも可能である。このときＡＥコント
ローラ３０は条件メモリ回路４０から入力された条件値
をもとにＸ線源１０、二次元エリアセンサ２０およびゲ
イン調整回路２１を制御・設定し動作させることができ
る。つまり、過去の撮影露光条件と同じ制御・設定で再
び撮影露光することが可能となっている。このとき一部
の条件や制御・設定を異ならすことにより補正露光とし
ゲイン調整回路２１の出力を補正出力とすることができ
る。つまり、Ｘ線パルスを発せずに他は前回の撮影露光
時と同じにしシステムを動作させれば、二次元エリアセ
ンサ２０の暗時出力の補正出力が得られる。

【００３０】図１中、８０の破線内は補正回路であり、
撮影露光時に得られる撮影出力はスイッチ５１を介し撮
影出力記憶手段であるフレームメモリ５０に一度記録で
き、補正露光時に得られる補正出力Ｂとフレームメモリ
５０に記憶された撮影出力Ａにより演算処理回路６０で
処理し撮影時の誤差を取り除いた像情報出力Ｏとするこ
とができる。この像情報出力Ｏは画像処理システム等に
電送される。

【００３１】７０はシステム制御回路であり撮影露光開
始ボタン７１が押されたことを検知し、図示はしていな
いがＡＥコントローラ３０を介してＸ線源１０、二次元
エリアセンサ２０、ゲイン調整回路２１を制御し撮影露
光や補正露光を行ない、また、スイッチ５１、フレーム
メモリ５０および演算処理回路６０を制御し補正回路８
０として動作させる。

【００３２】すなわち、図１に示す構成は、一次元もし
くは二次元に配列した複数の光電変換素子を含む撮像手
段２０と、前記光電変換素子に像情報光の入射を制御可
能な像情報入射手段１０と、撮影条件を自動制御および
設定制御可能な撮影条件制御手段３０と、および前記撮
影条件制御手段が自動制御された条件を記憶する条件記
憶手段４０とを有する撮像装置において、先ず、自動制
御で所望の撮影出力が得られるよう前記撮影条件制御手
段３０を動作させながら前記像情報入射手段３１により
像情報光を前記撮像手段２０に入射させ、このときの撮
影出力を撮影出力記憶手段５０に記憶させると同時に前
記撮影条件制御手段３０が選択した設定値を前記条件記
憶手段４０に記憶させ、その後、前記条件記憶手段４０
に記憶された設定値により前記撮影条件制御手段３０を
設定動作させ、このときの出力を補正出力とし、これと
前記撮影出力記憶手段５０に記憶された撮影出力により
演算処理回路６０で処理し、撮像手段２０の誤差を取り
除いた出力とすることを特徴とする撮像装置、及び撮像
方法である。

【００３３】図２は、二次元エリアセンサ２０の構成を
示す全体回路図、図３（ａ）（ｂ）は二次元エリアセン
サ２０中の１画素に相当する各構成素子の平面図
（ａ）、および断面図（ｂ）である。なお、図１と同一
機能の部分には同一符号を付している。

【００３４】図２において、Ｓ１１〜Ｓ３３は光電変換
素子で下部電極側をＧ、上部電極側をＤで示している。
Ｃ１１〜Ｃ３３は蓄積用コンデンサ、Ｔ１１〜Ｔ３３は
転送用ＴＦＴである。Ｖｓは読み出し用電源、Ｖｇはリ
フレッシュ用電源であり、それぞれスイッチＳＷｓ、Ｓ
Ｗｇを介して全光電変換素子Ｓ１１〜Ｓ３３のＧ電極に
接続されている。スイッチＳＷｓはインバータを介し
て、スイッチＳＷｇは直接にリフレッシュ制御回路ＲＦ
に接続されており、リフレッシュ期間はＳＷｇがｏｎ、
その他の期間はＳＷｓがｏｎするよう制御されている。
１画素は１個の光電変換素子とコンデンサ、およびＴＦ
Ｔで構成され、その信号出力は信号配線ＳＩＧにより検
出用集積回路ＩＣに接続されている。本実施例の二次元
エリアセンサは計９個の画素を３つのブロックに分け１
ブッロクあたり３画素の出力を同時に転送しこの信号配
線を通して検出用集積回路によって順次出力に変換され
出力される。また１ブロック内の３画素を横方向に配置
し、３ブロックを順に縦に配置することにより各画素を
二次元的に配置している。

【００３５】図中破線で囲んだ部分は大面積の同一絶縁
基板上に形成されているが、このうち第１画素に相当す
る部分の平面図を図３（ａ）に示す。Ｓ１１は光電変換
素子、Ｔ１１はＴＦＴ、Ｃ１１はコンデンサ、およびＳ
ＩＧは信号配線である。本実施例においてはコンデンサ
Ｃ１１と光電変換素子Ｓ１１とは特別に素子を分離して
おらず光電変換素子Ｓ１１の電極の面積を大きくするこ
とによりコンデンサＣ１１を形成している。これは本実
施例の光電変換素子とコンデンサが同じ層構成であるか
ら可能で本実施例の特徴でもある。また図中破線Ａ−Ｂ
で示した部分の断面図を図３（ｂ）に示す。画素上部に
はパッシベーション用窒化シリコン膜ＳｉＮ₈ とＣｓ
Ｉ、Ｇｄ₂ Ｏ₂ Ｓ等の蛍光体１２が形成されている。上
方より像情報の含まれるＸ線１３が入射すると蛍光体１
２により像情報光１４に変換され、この光が光電変換素
子に入射される。

【００３６】ここで図３により各素子の形成方法につい
て順に説明する。

【００３７】まず、絶縁材料であるガラス基板１上にス
パッタ等により下部メタル層２としてＣｒを約５００オ
ングストローム堆積させ、その後フォトリソによりパタ
ーニングし不必要なエリアをエッチングする。これによ
り光電変換素子Ｓ１１の下部電極、ＴＦＴ・Ｔ１１のゲ
ート電極、およびコンデンサＣ１１の下部電極が形成さ
れる。

【００３８】次に、ＣＶＤにより同一真空内でＳｉＮ
（７）／ｉ（４）／ｎ（５）層をそれぞれ約２０００／
５０００／５００オングストローム堆積する。これら各
層は光電変換素子Ｓ１１の絶縁層／光電変換半導体層／
ホール注入阻止層、ＴＦＴ・Ｔ１１のゲート絶縁膜／半
導体層／オーミックコンタクト層、およびコンデンサＣ
１１の中間層となる。また、信号配線のクロス部絶縁層
としても使われる。各層の厚さはこれに限らず二次元エ
リアセンサとして使用する電圧、電流、電荷、入射光量
等により最適に設計するが、少なくともＳｉＮは電子と
ホールが通過できず、また、ＴＦＴのゲート絶縁膜とし
て機能ができる５００オングストローム以上が必要であ
る。

【００３９】各層堆積後、上部メタル層６としてＡｌを
スパッタ等で約１００００オングストローム堆積させ
る。さらにフォトリソによりパターニングし不必要なエ
リアをエッチングし光電変換素子Ｓ１１の上部電極、Ｔ
ＦＴ・Ｔ１１の主電極であるソース電極並びにドレイン
電極、コンデンサＣ１１の上部電極、および信号配線Ｓ
ＩＧが形成される。

【００４０】またさらにＴＦＴ・Ｔ１１のチャネル部の
みｎ層をＲＩＥでエッチングし、その後不必要なＳｉＮ
（７）／ｉ（４）／ｎ（５）層をエッチングし各素子が
分離される。これで光電変換素子Ｓ１１、ＴＦＴ・Ｔ１
１およびコンデンサＣ１１が完成する。以上、第一画素
目について説明したが他の画素についても同時に形成さ
れることは言うまでもない。

【００４１】また、耐久性を向上させるため通常各素子
の上部をＳｉＮ等のパッシベーション膜８で覆い、さら
にＣｓＩ、Ｇｄ₂ Ｏ₂ Ｓ等の蛍光体１２が形成される。

【００４２】以上の説明の通り本実施例では光電変換素
子、ＴＦＴ、コンデンサ、および信号配線ＳＩＧとが同
時に堆積された共通の下部メタル層２、ＳｉＮ（７）／
ｉ（４）／ｎ（５）層、および上部メタル層６と各層の
エッチングのみで形成することができる。また光電変換
素子Ｓ１１内に注入素子層が１カ所しかなく、かつ、同
一真空内で形成できる。さらにＴＦＴの特性上重要なゲ
ート絶縁膜／ｉ層界面も同一真空内で形成できる。また
さらにコンデンサＣ１１の中間層が熱によるリークの少
ない絶縁層を含んでいるため良好な特性のコンデンサが
形成される。

【００４３】ここで本実施例で使用している光電変換素
子Ｓ１１〜Ｓ３３の動作について説明する。図４
（ａ）、（ｂ）はそれぞれ本実施例のリフレッシュモー
ドおよび光電変換モードの動作を示す光電変換素子のエ
ネルギバンド図で図３（ｂ）の各層の厚さ方向の状態を
表している。２はＣｒで形成された下部電極（以下Ｇ電
極と記す）である。７は電子、ホール共に通過を阻止す
るＳｉＮで形成された絶縁層であり、その厚さはトンネ
ル効果により電子、ホールが移動できないほどの厚さで
ある５００オングストローム以上に設定される。４は水
素化アモルファスシリコンａ−Ｓｉの真性半導体ｉ層で
形成された光電変換半導体層、５は光電変換半導体層４
にホールの注入を阻止するａ−Ｓｉのｎ層の注入阻止
層、６はＡｌで形成される上部電極（以下Ｄ電極と記
す）である。本実施例ではＤ電極はｎ層を完全には覆っ
ていないがＤ電極とｎ層との間は電子の移動が自由に行
われるためＤ電極とｎ層の電位は常に同電位であり以下
説明ではそれを前提としている。本光電変換素子にはＤ
電極、Ｇ電極の電圧の印可の仕方によりリフレッシュモ
ードと光電変換モードという２種類の動作がある。

【００４４】リフレッシュモード（ａ）においてＤ電極
はＧ電極に対して負の電位が与えられており、ｉ層４中
の黒丸で示されたホールは電界によりＤ電極に導かれ
る。同時に白丸で示された電子はｉ層４に注入される。
このとき一部のホールと電子はｎ層５、ｉ層４において
再結合して消滅する。十分に長い時間この状態が続けば
ｉ層４内のホールはｉ層４から掃き出される。

【００４５】この状態から光電変換モード（ｂ）にする
には、Ｄ電極はＧ電極に対して正の電位を与える。する
とｉ層４中の電子は瞬時にＤ電極に導かれる。しかしホ
ールはｎ層５が注入阻止層として働くためｉ層４に導か
れることはない。この状態でｉ層４内に光が入射する
と、光は吸収され電子・ホール対が発生する。この電子
は電界によりＤ電極に導かれ、ホールはｉ層４内を移動
しｉ層４と絶縁層７の界面に達する。しかし、絶縁層７
内には移動できないため、ｉ層４内に留まることにな
る。このとき電子はＤ電極に移動し、ホールはｉ層４内
の絶縁層７界面に移動するため、素子内の電気的中性を
保つため電流がＧ電極から電流が流れる。この電流は光
により発生した電子・ホール対に対応するため、入射し
た光に比例する。

【００４６】ある期間光電変換モード（ｂ）を保った
後、再びリフレッシュモード（ａ）の状態になると、ｉ
層４に留まっていたホールは前述のようにＤ電極に導か
れ、同時にこのホールに対応した電流が流れる。このホ
ールの量は光電変換モード期間に入射した光の総量に対
応する。この時ｉ層４内に注入される電子の量に対応し
た電流も流れるが、この量はおよそ一定なため差し引い
て検出すればよい。つまり、本実施例においての光電変
換素子Ｓ１１〜Ｓ３３はリアルタイムに入射する光の量
を出力すると同時に、ある期間に入射した光の総量を出
力することもできる。このことは本実施例の光電変換素
子の大きな特徴といえる。

【００４７】しかしながら、何らかの理由により光電変
換モードの期間が長くなったり、入射する光の照度が強
い場合、Ｄのように光の入射があるにもかかわらず電流
が流れないことがある。これは図４（ｃ）のように、ｉ
層４内にホールが多数留まり、このホールのためｉ層４
内の電界が小さくなり、発生した電子がＤ電極に導かれ
なくなりｉ層４内のホールと再結合してしまうからであ
る。この状態で光の入射の状態が変化すると、電流が不
安定に流れることもあるが、再びリフレッシュモードに
すればｉ層４内のホールは掃き出され次の光電変換モー
ドでは再び光に比例した電流が得られる。

【００４８】また、前述の説明において、リフレッシュ
モードでｉ層４内のホールを掃き出す場合、全てのホー
ルを掃き出すのが理想であるが、一部のホールを掃き出
すだけでも効果はあり、前述と等しい電流が得られ、問
題はない。つまり、次の光電変換モードでの検出機会に
おいて図４（ｃ）の状態になっていなければよく、リフ
レッシュモードでのＤ電極のＧ電極に対する電位、リフ
レッシュモードの期間およびｎ層５の注入阻止層の特性
を決めればよい。また、さらにリフレッシュモードにお
いてｉ層４への電子の注入は必要条件でなく、Ｄ電極の
Ｇ電極に対する電位は負に限定されるものでもない。ホ
ールが多数ｉ層４に留まっている場合には例えＤ電極の
Ｇ電極に対する電位が正の電位であってもｉ層内の電界
はホールをＤ電極に導く方向に加わるからである。ｎ層
５の注入阻止層の特性も同様に電子をｉ層４に注入でき
ることが必要条件ではない。

【００４９】次に図１、図２および図５によって本実施
例の放射線撮像装置の動作について説明する。前述の説
明のように本実施例においての光電変換素子は定期的に
リフレッシュすれば光電変換モードにおいては入射した
光に比例した光電流を出力する光センサとして動作す
る。図５は本実施例の動作を示すタイミングチャートで
ある。

【００５０】まず、医師または技師は診断対象である患
者、つまり被写体１１をＸ線源１０と二次元エリアセン
サ２０の間に置き診断したい部位が観察できるように被
写体にポーズさせる。同時に前もって問診等で得た患者
の症状、体格、年齢や得たい情報を考慮し最適な撮影出
力が得られるように条件を制御パネル３２に入力する。
この信号は電気信号でＡＥコントローラ３０に電送され
る。同時に条件メモリ回路４０にこれら条件が記憶され
る。

【００５１】この状態で医師または技師が撮影露光開始
ボタン７１を押すと撮影モードが開始される。まずシス
テム制御回路７０は二次元エリアセンサ２０をリフレッ
シュ動作させる。ここでリフレッシュ動作を説明する。
まずシフトレジスタＳＲ１およびＳＲ２により制御配線
ｇ１〜ｇ３、ｓ１〜ｓ２にＨｉが印可される。すると転
送用ＴＦＴ・Ｔ１１〜Ｔ３３とスイッチＭ１〜Ｍ３がｏ
ｎし導通し、全光電変換素子Ｓ１１〜Ｓ３３のＤ電極は
ＧＮＤ電位になる（積分検出器Ａｍｐの入力端子はＧＮ
Ｄ電位に設計されているため）。同時にリフレッシュ制
御回路ＲＦがＨｉを出力しスイッチＳＷｇがｏｎし全光
電変換素子Ｓ１１〜Ｓ３３のＧ電極はリフレッシュ用電
源Ｖｇにより正電位になる。すると全光電変換素子Ｓ１
１〜Ｓ３３はリフレシュモードになりリフレッシュされ
る。つぎにリフレッシュ制御回路ＲＦがＬｏを出力しス
イッチＳＷｓがｏｎし全光電変換素子Ｓ１１〜Ｓ３３の
Ｇ電極は読み取り用電源Ｖｓにより負電位になる。する
と全光電変換素子Ｓ１１〜Ｓ３３は光電変換モードにな
り同時にコンデンサＣ１１〜Ｃ３３は初期化される。こ
の状態でシフトレジスタＳＲ１およびＳＲ２により制御
配線ｇ１〜ｇ３、ｓ１〜ｓ２にＬｏが印可される。する
と転送用ＴＦＴ・Ｔ１１〜Ｔ３３とスイッチＭ１〜Ｍ３
がｏｆｆし、全光電変換素子Ｓ１１〜Ｓ３３のＤ電極は
ＤＣ的にはオープンになるがコンデンサＣ１１〜Ｃ１３
によって電位は保持される。しかしこの時点ではＸ線は
入射されていないため全光電変換素子Ｓ１１〜Ｓ３３に
は光は入射されず光電流は流れない。これでリフレッシ
ュ動作は終了する。

【００５２】この時点で温度センサ３３は撮影露光時に
おける部屋の温度や管球の温度および二次元エリアセン
サ２０等の、温度により特性が変化し最適な動作条件が
変化する構成部品の温度を検出しＡＥコントローラ３０
に入力される。これら検出される温度はまさに撮影露光
される直前の温度である。同時に条件メモリ回路４０に
これら温度が条件として記憶される。

【００５３】ここでＡＥコントローラは制御パネル３２
からの情報と温度センサ３３からの情報で撮影露光時に
おける初期条件を決定する。同時に条件メモリ回路４０
にこれら初期条件が記憶される。初期条件の内容はＸ線
源１０の管球の電圧、電流および最大パルス幅や二次元
エリアセンサ２０の駆動スピードである。例えば、制御
パネル３２で胸部が設定されていればＸ線源１０の管球
の電圧は高く、腹部の場合は低く条件を設定する。ま
た、制御パネル３２で患者が子どもや妊婦が指示されて
いれば、フォトタイマ３１による終了条件を短く設定
し、最大パルス幅も短く設定される。二次元エリアセン
サ２０の温度が高い場合は光電変換素子の暗電流が高い
がＴＦＴの能力が高いため駆動スピードを速くし暗電流
の蓄積を抑えＳ／Ｎの低下を防ぐ最適条件にしたり、逆
に温度が低いときはＴＦＴの能力が低いが光電変換素子
の暗電流も低いため駆動スピードを低くしＴＦＴの電荷
の転送の低下による画像の歪みを抑える。

【００５４】この初期条件でＸ線が出射され被写体１１
を通過し蛍光体１２に入射すると光に変換され、その光
がそれぞれの光電変換素子Ｓ１１〜Ｓ３３に入射する。
同時に被写体１１と二次元エリアセンサ２０との間にお
かれたフォトタイマ３１にも入射する。これら光は人体
等の内部構造の情報が含まれている。フォトタイマ３１
の出力は随時ＡＥコントローラ３０に入力され、この値
の積分が初期条件で決められた一定値を越えるとＡＥコ
ントローラ３０はＸ線をストップさせる。これにより撮
影露光において最適な露光量が得られる。また、もし初
期条件で決められた最大パルス幅になった場合はフォト
センサ３１にかかわらずＡＥコントローラ３０はＸ線を
ストップさせる。このとき、条件メモリ回路４０にはこ
れら実際に出射されたパルス幅を露光時間として記憶さ
れる。

【００５５】ある一定量この光により流れた光電流は電
荷としてそれぞれのコンデンサＣ１１〜Ｃ３３に蓄積さ
れＸ線の入射終了後も保持される。つぎに二次元エリア
センサ２０は読み出し動作をする。シフトレジスタＳＲ
１により制御配線ｇ１にＨｉの制御パルスが印可され、
シフトレジスタＳＲ２の制御配線ｓ１〜ｓ３への制御パ
ルス印可によって転送用ＴＦＴ・Ｔ１１〜Ｔ１３、スイ
ッチＭ１〜Ｍ３を通してｖ１〜ｖ３が順次出力される。
同様にシフトレジスタＳＲ１、ＳＲ２の制御により他の
光信号も出力される。これにより人体等の内部構造の二
次元情報がｖ１〜ｖ９として得られる。

【００５６】これら出力はゲイン調整回路２１に入力さ
れると共にＡＥコントローラ３０にも入力される。ＡＥ
コントローラ３０ではこれら出力を適切な値にするため
のゲインを随時判断し、その値を条件メモリ回路４０に
記憶させると同時にゲイン調整回路２１に指示する。こ
れによりゲイン調整回路２１の出力は後にそれらを処理
するのに最適な撮影出力となる。この撮影出力はシステ
ム制御回路７０によって制御されたスイッチ５１を介し
撮影出力記憶手段であるフレームメモリ５０に一度記録
される。

【００５７】以上の説明のとおり、ＡＥコントローラ３
０は制御パネル３２、温度センサ３３、フォトタイマ３
１および二次元エリアセンサ２０の設定や出力によりＸ
線源１０や二次元エリアセンサ２０やゲイン調整回路２
１をほぼリアルタイムに自動制御し、その結果、最適に
近い各種条件で撮影出力を得ることができる。これで撮
影モードは終了する。

【００５８】次に、システム制御回路７０は補正モード
に入り再び二次元エリアセンサ２０をリフレッシュ動作
させる。リフレッシュ終了後、撮影露光時に条件メモリ
回路４０に記憶された各種条件をＡＥコントローラ３０
に呼び出す。そして、Ｘ線源１０以外は撮影モード時と
全く同じ条件で動作させる。つまり、温度センサ３３や
フォトタイマ３１の出力は使わずに条件メモリ回路４０
に記憶された値に基づき動作させる。Ｘ線源１０は補正
モードでは動作させず、Ｘ線は出射しない。ただし、Ｘ
線源１０を動かさなくとも撮影モード時の露光時間に相
当する時間を待ってから二次元エリアセンサ２０は読み
出し動作を行う。駆動スピードやゲイン調整回路２１の
ゲインは撮影モードと同じ条件で動作させる。この時の
ゲイン調整回路２１の出力を補正出力とする。つまり、
Ｘ線源１０や二次元エリアセンサ２０やゲイン調整回路
２１を条件メモリ回路４０の記憶された値に設定制御し
補正出力を得ることができる。

【００５９】この補正出力は各画素のダーク時の電流
や、転送時の固定パターンノイズや、二次元エリアセン
サ２０の内部のアンプやゲイン調整回路２１のオフセッ
ト電圧などを反映した出力である。この補正出力は撮影
モード時と同じ蓄積時間であるからダーク時の電流の蓄
積による影響量も同じである。また、この補正出力は駆
動スピードも同じであるからクロックリーク等の影響に
よる固定パターンの影響量も同じである。さらにゲイン
も同じためオフセット電圧の影響量も同じである。つま
り、条件メモリ回路４０により撮影モードと補正モード
でＸ線源以外全く同じ動作であるから先に述べた影響量
のみならずＸ線の出射、非出射以外の撮影にとって好ま
しくない影響量が全て同じになる。したがって、補正出
力は撮影出力中の好ましくない誤差だけが同じ量含まれ
ていることになる。

【００６０】よって、フレームメモリ５０に記憶されて
いる撮影出力をＡとし、補正モードで得られた補正出力
をＢとし、演算処理回路６０で減算処理し、Ｏ＝Ａ−Ｂとすると、撮影モード時に得られた撮影出力の固定パタ
ーン等の誤差を取り除いた良好な像情報出力Ｏとするこ
とができる。ここでは、説明の簡単化のため単純な式
（Ｏ＝Ａ−Ｂ）で説明したが、実際には良好な画質を得
るためもっと複雑な演算とすることが好ましい。

【００６１】本実施例の二次元エリアセンサでは９個の
画素を３×３に二次元配置し３画素ずつ同時に、３回に
分割して転送・出力したがこれに限らず、例えば縦横１
ｍｍあたり５×５個の画素を２０００×２０００個の画
素を二次元的に配置すれば４０ｃｍ×４０ｃｍの二次元
エリアセンサが得られ、医療用Ｘ線診断を目的とする放
射線撮像装置が構成できる。するとフィルムと異なり瞬
時にその出力をＣＲＴで映し出すことが可能で、さらに
出力をディジタルに変換しコンピュータで画像処理して
目的に合わせた出力に変換することも可能である。また
光磁気ディスクに保管もでき、過去の画像を瞬時に検索
することもできる。また感度もフィルムより良く人体に
影響の少ない微弱なＸ線で鮮明な画像を得ることもでき
る。

【００６２】［第２の実施例］つぎに本発明における第
２の実施例を説明する。第１の実施例に比較して第２の
実施例の異なる大きな点は、図１においてのシステム制
御回路７０、ＡＥコントローラ３０および演算処理回路
６０の構成と動作である。他は第１の実施例とほぼ同じ
ため図１に基づき異なる部分のみ説明する。

【００６３】第２の実施例の特徴は補正出力を得る場合
の動作の時、システム制御回路７０は患者、つまり被写
体１１を移動させるところにある。例えば移動を促すラ
ンプと移動の確認を行うセンサを設けたり、患者を支持
する台の移動機構と制御回路を設けてもよい。補正出力
を得るには被写体１１を撮像装置から移動後に条件メモ
リ回路４０により他は前回の撮影露光時と同じにしＡＥ
コントローラ３０を制御しシステムを動作させれば、二
次元エリアセンサ２０には被写体１１が無い状態での基
準光が入射され、このときの補正出力はＸ線源１０と蛍
光体１２と二次元エリアセンサ２０に至る空間を含めた
像情報入射手段や、二次元エリアセンサ２０やゲイン調
整回路２１におけるゲインばらつきを補正可能な補正出
力が得られる。ここで、基準光とは、被写体が無い状態
で、その他の条件は、撮影露光時と同じ状態で二次元エ
リアセンサ２０に入射される光である。つまり、像情報
光１４から被写体の情報のみが差し引かれた情報を含ん
でおり、像情報入射手段におけるＳ／Ｎを低化させる要
因になる不要なばらつきや、誤差等の情報を含んでい
る。

【００６４】演算処理回路６０は、先に得たフレームメ
モリ６０に記憶された撮影出力と被写体１１がない状態
での基準光での補正出力によりＸ線源１０と蛍光体１２
と二次元エリアセンサ２０に至る空間を含めた像情報入
射手段や、二次元エリアセンサ２０やゲイン調整回路２
１におけるゲインばらつきによる撮影時の誤差を取り除
いた像情報出力Ｏとすることができる。この像情報出力
Ｏは画像処理システム等に電送される。

【００６５】ここで本実施例の放射線撮像装置の動作に
ついて説明する。撮影モードの動作については第１の実
施例の動作と同じである。撮影モードの動作後、システ
ム制御回路７０は補正モードに入り再び二次元エリアセ
ンサ２０をリフレッシュ動作させる。リフレッシュ終了
後、撮影露光時に条件メモリ回路４０に記憶された各種
条件をＡＥコントローラ３０に呼び出す。そして、被写
体１１がＸ線源１０と二次元エリアセンサ２０の間にい
ない以外は撮影モード時と全く同じ条件で動作させる。
つまり、温度センサ３３やフォトタイマ３１の出力は使
わずに条件メモリ回路４０に記憶された値に基づき動作
させる。駆動スピードやゲイン調整回路２１のゲインは
撮影モードと同じ条件で動作させる。この時のゲイン調
整回路２１の出力を補正出力とする。このときの補正出
力はＸ線源１０と蛍光体１２と二次元エリアセンサ２０
に至る空間を含めた像情報入射手段内の感度やゲインの
ばらつきや、二次元エリアセンサ２０やゲイン調整回路
２１における感度やゲインばらつきを反映した出力であ
る。よって、フレームメモリ５０に記憶されている撮影
出力をＡとし、補正モードで得られた補正出力をＢと
し、演算処理回路６０で、各画素単位で除算処理し、Ｏ＝Ａ÷Ｂとすると、撮影モード時に得られた撮影出力の感度やゲ
インばらつきによる誤差を取り除いた良好な像情報出力
Ｏとすることができる。ここでは、説明の簡単化のため
単純な式（Ｏ＝Ａ÷Ｂ）で説明したが、実際には良好な
画質を得るためもっと複雑な演算とすることが好まし
い。

【００６６】［第３の実施例］図６に本発明の第３の実
施例における補正回路８１のブロック図を示す。補正回
路８１以外のシステムは第１および第２の実施例で示し
た構成を兼ね備えている。本実施例の補正回路８１が図
１内の補正回路８０と異なる点はスイッチがＡスイッチ
５２とＢスイッチ５３と２個あることとフレームメモリ
がＡフレームメモリ５４とＢフレームメモリ５５と２個
あることである。また、演算処理回路６１の入力がＡ，
Ｂ，Ｃと３入力あることも異なっている。

【００６７】ここで第３の実施例における動作について
説明する。本実施例においての動作には「撮影モー
ド」、「補正モード１」および「補正モード２」があ
る。

【００６８】「撮影モード」の動作は第１および第２の
実施例の撮影モードとほぼ同じである。異なる点は撮影
出力はＡスイッチ５２を介してＡフレームメモリ５４に
撮影出力Ａとして記憶されるよう制御される。このとき
Ｂスイッチ５３は開いていてＢフレームメモリ５５は変
化しない。

【００６９】「補正モード１」の動作は第１の実施例の
補正モードとほぼ同じである。異なる点は補正出力は演
算処理回路では処理されず、Ｂスイッチ５３を介してＢ
フレームメモリ５５に補正出力Ｂとして記憶されるよう
制御されていることである。このときＡスイッチ５２は
開いていてＡフレームメモリは変化しない。

【００７０】「補正モード２」の動作は第２の実施例の
補正モードとほぼ同じである。異なる点は演算処理回路
６１には撮影モード時に得られた撮影出力ＡがＡフレー
ムメモリ５４から、また補正モード１時に得られた補正
出力ＢがＢフレームメモリ５５から、さらに補正モード
２の補正出力を補正出力Ｃとして、入力させる。演算処
理回路６１ではこれら入力を、減算ならびに除算処理
し、Ｏ＝（Ａ−Ｂ）÷Ｃとすると、撮影モード時に得られた撮影出力の固定パタ
ーン等の誤差や感度やゲインばらつきによる誤差を取り
除いた良好な像情報出力Ｏとすることができる。ここで
は、説明の簡単化のため単純な式、（Ｏ＝（Ａ−Ｂ）÷
Ｃ）で説明したが、実際には良好な画質を得るためもっ
と複雑な演算とすることが好ましい。

【００７１】本実施例ではフレームメモリを２個にした
がこれに限定せず例えば３個にして補正モードをもう１
つ増やして、例えばＸ線源１０の管電流を１／２にし被
写体１１なしで補正出力を追加して得れば、２次元エリ
アセンサ２０の非線形性の補正もできる。

【００７２】以上、３つの実施例について説明したが、
本発明はこれらに限定するものではない。例えば、像情
報入射装置としてストロボと被写体とレンズにすればＡ
Ｅ機能を持つスチールカメラとなる。また、ストロボが
なくても自然光と被写体とレンズでもよく、この場合、
光電変換素子を蓄積型とし蓄積時間を自動制御してもよ
い。

【００７３】また、光電変換素子は、可視光に感度があ
るものに限定されるものでなく、赤外光、紫外光、もし
くは放射線に感度があるものでもよく、例えば、Ｘ線に
感度がある素子を用いれば、第一の実施例において蛍光
体１２がなくとも同一効果の撮像装置が得られる。この
場合、像情報光とは、像の情報をもつＸ線となる。

【００７４】また、ゲイン調整回路は複数のアナログ−
ディジタル変換器を含み撮像手段の出力はその値により
適切な変換器が選択可能で、またその選択は撮影条件制
御手段で自動ならびに設定制御可能なことを特徴とすれ
ば、つまり、ゲインの異なるＡｍｐと低精度のＡ／Ｄの
複数の組み合わせで、その中からｂｉｔごと適切なも
の、つまりオーバーフローをしておらず、かつ、なるべ
くゲインの高いＡｍｐの組み合わせを自動選択し撮影出
力とし、この選択データをｂｉｔごと記憶しておき補正
モードで同じ選択データにより固定パターンやゲインば
らつきデータを得、補正することで低価格で高精度の撮
像装置を提供できる。つまりこれらｂｉｔごとの選択デ
ータは撮影モード前では得られず、従来の撮像装置では
撮影出力を得たＡｍｐで補正データは作れないため高精
度の補正ができないわけである。本発明はこれを可能と
している。

【００７５】また撮像手段であるセンサは２次元に並ん
でいなくとも１次元に並ぶ、つまり１次元ラインセンサ
でもよく同様の効果が得られるのは明白である。

【００７６】

【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
補正に使うデータを得たときの条件と実際に撮影したと
きの条件を、実質的に同条件とすることができる。この
ため、この補正出力を用いて、記憶しておいた撮影出力
を補正することにより、より誤差の少ない撮影出力を得
ることが可能となり、高Ｓ／Ｎの像情報を得ることがで
きる。

【００７７】また、本発明によれば、各種自動制御を行
っても、撮影時と同じ条件で補正出力を得ることができ
るため、使いやすく、楽に最適に近い条件で撮影ができ
る高性能な撮像装置が提供できる。

【００７８】すなわち、撮影条件制御手段と条件記憶手
段を持つことにより、各種自動制御が働いている中で撮
影出力を得た後、同じ条件で補正出力を得ることがで
き、簡単に、失敗のない、高精度で補正エラーの少ない
高Ｓ／Ｎの像情報が得られる低価格の撮像装置を提供す
ることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明に係る第１の実施例のシステムブロック
図である。

【図２】二次元エリアセンサの構成を示す全体回路図で
ある。

【図３】二次元エリアセンサ中の各構成素子の平面図
（ａ）、および断面図（ｂ）である。

【図４】光電変換素子の各動作モードにおけるエネルギ
バンド図である。

【図５】第１の実施例の動作を示すタイミングチャート
である。

【図６】本発明に係る第３の実施例における補正回路の
ブロック図である。

【符号の説明】

１０Ｘ線源１１被写体１２蛍光体１３Ｘ線１４像情報光２０二次元エリアセンサ２１ゲイン調整回路３０ＡＥコントローラ３１フォトタイマ３２制御パネル３３温度センサ４０条件メモリ回路５０フレームメモリ５１スイッチ６０演算処理回路７０システム制御回路７１撮影露光開始ボタンＳ１１〜Ｓ３３光電変換素子Ｔ１１〜Ｔ３３転送用ＴＦＴＣ１１〜Ｃ３３コンデンサＳＲ１、ＳＲ２シフトレジスタＩＣ検出用集積回路

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁶ 識別記号ＦＩＨ０４Ｎ 5/225 Ｈ０１Ｌ 27/14 Ｃ 5/32 Ｋ (72)発明者遠藤豊東京都大田区下丸子３丁目30番２号キヤノン株式会社内 (72)発明者小倉隆東京都大田区下丸子３丁目30番２号キヤノン株式会社内 (72)発明者野中秀樹東京都大田区下丸子３丁目30番２号キヤノン株式会社内

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】一次元もしくは二次元に配列した複数の
光電変換素子を含む撮像手段を有する撮像装置におい
て、撮影モード時の撮影出力を記憶しておく手段と、該撮影モード時の撮影条件を記憶しておく手段と、前記記憶しておいた撮影条件を用いて動作させる補正モ
ード時の補正出力を得る手段と、前記補正出力を用いて前記撮影出力を補正する手段と、
を有することを特徴とする撮像装置。
【請求項２】前記補正出力を得る手段が、前記記憶し
ておいた撮影条件を用いて、前記光電変換素子に光が入
射しない状態で動作させる補正モード１の補正出力を得
る手段であることを特徴とする請求項１記載の撮像装
置。
【請求項３】前記補正出力を得る手段が、前記記憶し
ておいた撮影条件を用いて、被写体が無い状態の基準光
を前記光電変換素子に入射させて動作させる補正モード
２の補正出力を得る手段であることを特徴とする請求項
１記載の撮像装置。
【請求項４】前記補正モード１と、前記補正モード２
の両モード時の補正出力を用いて、前記撮影出力を補正
する手段を有することを特徴とする請求項２又は３記載
の撮像装置。
【請求項５】一次元もしくは二次元に配列した複数の
光電変換素子を含む撮像手段と、前記光電変換素子に像情報光の入射を制御する像情報入
射手段と、撮影条件を自動制御および設定制御する撮影条件制御手
段と、前記撮影条件制御手段が自動制御された時の設定値を記
憶する条件記憶手段と、前記自動制御で撮影された時の撮影出力を記憶する撮影
出力記憶手段と、前記条件記憶手段に記憶された設定値により前記撮影条
件制御手段を設定動作させて補正出力を得る手段と、前記補正出力を用いて前記撮影出力記憶手段に記憶され
た撮影出力を補正する演算処理回路と、前記各手段を制御するシステム制御手段と、を有するこ
とを特徴とする撮像装置。
【請求項６】前記像情報入射手段は、パルス状の像情報
光及び／又は基準光を前記光電変換素子に入射可能であ
り、そのパルス幅は、前記撮影条件制御手段で自動なら
びに設定制御可能なことを特徴とする請求項５記載の撮
像装置。
【請求項７】前記撮像手段は、ゲイン調整回路を有
し、そのゲインは前記撮影条件制御手段で、自動ならび
に設定制御可能なことを特徴とする請求項５又は６記載
の撮像装置。
【請求項８】前記ゲイン調整回路は、複数のアナログ
−ディジタル変換器を含み、前記撮像手段の出力は、そ
の値により適切な該変換器が選択可能であり、かつ、そ
の選択は、前記撮影条件制御手段で、自動ならびに設定
制御可能なことを特徴とする請求項７記載の撮像装置。
【請求項９】前記光電変換素子は、蓄積型であり、そ
の蓄積時間は、前記撮影条件制御手段で、自動ならびに
設定制御可能なことを特徴とする請求項１〜８のいずれ
か１項記載の撮像装置。
【請求項１０】前記像情報入射手段は、Ｘ線源および
蛍光体から構成され、前記Ｘ線源と前記蛍光体との間に
被写体を設置可能なことを特徴とする請求項１〜９のい
ずれか１項記載の撮像装置。
【請求項１１】一次元もしくは二次元に配列した複数
の光電変換素子を含む撮像手段と、前記光電変換素子に像情報光の入射を制御可能な像情報
入射手段と、撮影条件を自動制御および設定制御可能な撮影条件制御
手段と、撮影出力を記憶する撮影出力記憶手段と、前記撮影条件制御手段が自動制御された条件を記憶する
条件記憶手段と、を有する撮像装置の撮像方法におい
て、先ず、自動制御で所望の撮影出力が得られるよう前記撮
影条件制御手段を動作させながら前記像情報入射手段に
より像情報光を前記撮像手段に入射させ、このときの撮
影出力を前記撮影出力記憶手段に記憶させると同時に前
記撮影条件制御手段が選択した設定値を前記条件記憶手
段に記憶させ、その後、前記条件記憶手段に記憶された設定値により前
記撮影条件制御手段を設定動作させ、このときの出力を
補正出力とし、該補正出力と前記撮影出力記憶手段に記
憶された撮影出力とを、演算処理回路で処理し、前記撮
像手段の誤差を取り除いた撮影出力とすることを特徴と
する撮像方法。