JPH10329423A - 相変化型光記録媒体およびその製造方法 - Google Patents
相変化型光記録媒体およびその製造方法Info
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- JPH10329423A JPH10329423A JP9144955A JP14495597A JPH10329423A JP H10329423 A JPH10329423 A JP H10329423A JP 9144955 A JP9144955 A JP 9144955A JP 14495597 A JP14495597 A JP 14495597A JP H10329423 A JPH10329423 A JP H10329423A
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- 230000003287 optical effect Effects 0.000 title claims abstract description 33
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 5
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims abstract description 21
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims abstract description 16
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 claims abstract description 12
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims abstract description 9
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 16
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims description 13
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 10
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 claims description 7
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 6
- 230000014509 gene expression Effects 0.000 claims description 3
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000010408 film Substances 0.000 abstract description 2
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 57
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 15
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 15
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 5
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 5
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 4
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 4
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 238000005204 segregation Methods 0.000 description 3
- 229910005900 GeTe Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910001245 Sb alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 2
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 2
- 238000001552 radio frequency sputter deposition Methods 0.000 description 2
- 229910017150 AlTi Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052684 Cerium Inorganic materials 0.000 description 1
- -1 G d Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052779 Neodymium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052777 Praseodymium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052772 Samarium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052771 Terbium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005280 amorphization Methods 0.000 description 1
- 229910052793 cadmium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 230000002542 deteriorative effect Effects 0.000 description 1
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052746 lanthanum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052745 lead Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 1
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 1
- 238000012827 research and development Methods 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 229910052703 rhodium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052707 ruthenium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 1
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052714 tellurium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 description 1
Landscapes
- Thermal Transfer Or Thermal Recording In General (AREA)
- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】相変化型光記録媒体において、マークエッジ方
式で記録した場合の記録マーク前後端でのジッターを小
さくし、多数回のオーバーライトの繰り返しによって
も、記録特性が大きく低下しないようにする。 【解決手段】記録層を、Ｇｅ、Ｔｅ、Ｓｂ、Ａｕ、およ
びＮを含む組成の薄膜で構成する。この薄膜中のＧｅと
ＴｅとＳｂとＡｕとに関する組成は、ＧｅとＴｅとＳｂ
とＡｕを（１）式で示したときに、ｘが（２）式を、ｚ
が（３）式を、ｘｙが（４）式を、ｗが（５）式を同時
に満たすものとする。 〔（Ｇｅx Ｔｅ(1-x) ) y （Ｓｂz Ｔ
ｅ(1-z) ）(1-y) 〕(1-w) Ａｕw ‥‥（１），０．４５
≦ｘ≦０．５５‥‥（２），０．３５≦ｚ≦０．４５‥
‥（３），０．１≦ｘｙ≦０．３ ‥‥（４），０＜ｗ
≦０．１ ‥‥（５）
式で記録した場合の記録マーク前後端でのジッターを小
さくし、多数回のオーバーライトの繰り返しによって
も、記録特性が大きく低下しないようにする。 【解決手段】記録層を、Ｇｅ、Ｔｅ、Ｓｂ、Ａｕ、およ
びＮを含む組成の薄膜で構成する。この薄膜中のＧｅと
ＴｅとＳｂとＡｕとに関する組成は、ＧｅとＴｅとＳｂ
とＡｕを（１）式で示したときに、ｘが（２）式を、ｚ
が（３）式を、ｘｙが（４）式を、ｗが（５）式を同時
に満たすものとする。 〔（Ｇｅx Ｔｅ(1-x) ) y （Ｓｂz Ｔ
ｅ(1-z) ）(1-y) 〕(1-w) Ａｕw ‥‥（１），０．４５
≦ｘ≦０．５５‥‥（２），０．３５≦ｚ≦０．４５‥
‥（３），０．１≦ｘｙ≦０．３ ‥‥（４），０＜ｗ
≦０．１ ‥‥（５）
Description
【０００１】
【発明の属する技術的分野】本発明は、書き換え可能な
大容量ファイルとして用いられる光記録媒体の一種てあ
って、結晶状態と非晶質状態との間の相変化を利用して
光記録を行う相変化型光記録媒体に関するものである。
大容量ファイルとして用いられる光記録媒体の一種てあ
って、結晶状態と非晶質状態との間の相変化を利用して
光記録を行う相変化型光記録媒体に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】近年、膨大な量の情報を記録・再生・消
去する手段として、光記録媒体の研究開発が盛んに行わ
れている。特に、結晶状態と非晶質状態との２状態間で
可逆的に変化する材料を記録層として情報の記録・消去
を行う相変化型光記録媒体は、レーザ光のパワーを変化
させるだけで、古い情報を消去しながら同時に新しい情
報を記録すること（以下、「オーバーライト」と称す
る）ができるという利点を有していることから、特に有
望視されている。
去する手段として、光記録媒体の研究開発が盛んに行わ
れている。特に、結晶状態と非晶質状態との２状態間で
可逆的に変化する材料を記録層として情報の記録・消去
を行う相変化型光記録媒体は、レーザ光のパワーを変化
させるだけで、古い情報を消去しながら同時に新しい情
報を記録すること（以下、「オーバーライト」と称す
る）ができるという利点を有していることから、特に有
望視されている。
【０００３】相変化型光記録媒体の記録層材料として
は、例えば、特開昭６２−５３８８６号公報にＧｅ−Ｔ
ｅ−Ｓｂ合金が開示されている。また、特開昭６１−２
５８７８７号公報には、｛（Ｓｂx Ｔｅ(1-x) ）y Ｇｅ
(1-y) ｝(1-z) Ｍz （ｘは０．２〜０．７、ｙは０．４
〜０．８、ｚは０．０１〜０．５、Ｍは、Ａｌ、Ｓｉ、
Ｔｉ、Ｖ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｚ
ｎ、Ｙ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ａｇ、
Ｃｄ、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｇ
ｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｆ、Ｔａ、Ｗ、Ａｕ、Ｔｌ、Ｐｂ、
Ｂｉから選ばれる金属）が開示されている。
は、例えば、特開昭６２−５３８８６号公報にＧｅ−Ｔ
ｅ−Ｓｂ合金が開示されている。また、特開昭６１−２
５８７８７号公報には、｛（Ｓｂx Ｔｅ(1-x) ）y Ｇｅ
(1-y) ｝(1-z) Ｍz （ｘは０．２〜０．７、ｙは０．４
〜０．８、ｚは０．０１〜０．５、Ｍは、Ａｌ、Ｓｉ、
Ｔｉ、Ｖ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｚ
ｎ、Ｙ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ａｇ、
Ｃｄ、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｇ
ｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｆ、Ｔａ、Ｗ、Ａｕ、Ｔｌ、Ｐｂ、
Ｂｉから選ばれる金属）が開示されている。
【０００４】一方、近年では、光ディスクの大容量化に
伴い、記録方式として、従来のマークポジション記録に
代えてマークエッジ記録を採用することにより、記録密
度を高くすることが行われている。
伴い、記録方式として、従来のマークポジション記録に
代えてマークエッジ記録を採用することにより、記録密
度を高くすることが行われている。
【０００５】マークエッジ記録では、符号化規則により
記録情報から変換した符号列の例えば「１」の位置に記
録マークの両端を対応させることにより、符号列（情
報）を記録する。そのため、記録マークは、符号列の
「１」と「１」との間隔に応じた長さに形成される。こ
れに対して、マークポジション記録では、符号列の例え
ば「１」の位置に記録マークを形成する（記録マークは
同じ長さで、その中央に「１」を対応させる）ことによ
り、符号列（情報）を記録する。
記録情報から変換した符号列の例えば「１」の位置に記
録マークの両端を対応させることにより、符号列（情
報）を記録する。そのため、記録マークは、符号列の
「１」と「１」との間隔に応じた長さに形成される。こ
れに対して、マークポジション記録では、符号列の例え
ば「１」の位置に記録マークを形成する（記録マークは
同じ長さで、その中央に「１」を対応させる）ことによ
り、符号列（情報）を記録する。
【０００６】このように、マークエッジ記録は、マーク
ポジション記録よりも１つの記録マークに対応させる情
報量を多くすることができるため、原理的に記録密度を
高くすることができる。
ポジション記録よりも１つの記録マークに対応させる情
報量を多くすることができるため、原理的に記録密度を
高くすることができる。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】上記のように、記録マ
ークの両端を記録信号に対応させるマークエッジ記録で
は、記録マークの前端および後端の位置を厳密に制御す
る必要があるが、記録層の結晶化速度と記録の際の線速
度との関係が適切でないと、記録マークの両端位置をと
もに厳密に制御することは困難である。
ークの両端を記録信号に対応させるマークエッジ記録で
は、記録マークの前端および後端の位置を厳密に制御す
る必要があるが、記録層の結晶化速度と記録の際の線速
度との関係が適切でないと、記録マークの両端位置をと
もに厳密に制御することは困難である。
【０００８】すなわち、記録層の記録マークが形成され
る部分は、高パワーのレーザ光照射による溶融後に急冷
されて非晶質化されるが、記録層の結晶化速度が記録の
際の線速度よりも過度に速い場合には、記録マーク前端
に相当する溶融部分が冷却時に再結晶化され易いため、
記録マークの前端位置が厳密に制御されない。逆に、記
録層の結晶化速度が記録の際の線速度よりも過度に遅い
場合には、記録マークの後の消去部分（前回の記録で記
録マークが形成されていた部分）が結晶化され難くなる
ため、記録マークの後端位置が厳密に制御されない。
る部分は、高パワーのレーザ光照射による溶融後に急冷
されて非晶質化されるが、記録層の結晶化速度が記録の
際の線速度よりも過度に速い場合には、記録マーク前端
に相当する溶融部分が冷却時に再結晶化され易いため、
記録マークの前端位置が厳密に制御されない。逆に、記
録層の結晶化速度が記録の際の線速度よりも過度に遅い
場合には、記録マークの後の消去部分（前回の記録で記
録マークが形成されていた部分）が結晶化され難くなる
ため、記録マークの後端位置が厳密に制御されない。
【０００９】そのため、記録層の結晶化速度と記録の際
の線速度との関係が適切でないと、記録マーク前端およ
び後端の両方について、ジッター（再生信号の時間方向
のゆらぎ）を同時に小さくすることができない。そし
て、前記公報に記載の記録層材料の結晶化速度は、一般
的な記録の際の線速度（例えば６ｍ／ｓ）との関係にお
いて適切なものではなかった。
の線速度との関係が適切でないと、記録マーク前端およ
び後端の両方について、ジッター（再生信号の時間方向
のゆらぎ）を同時に小さくすることができない。そし
て、前記公報に記載の記録層材料の結晶化速度は、一般
的な記録の際の線速度（例えば６ｍ／ｓ）との関係にお
いて適切なものではなかった。
【００１０】すなわち、従来の相変化型光記録媒体に
は、マークエッジ記録で記録した場合の記録特性という
点で改善の余地がある。また、相変化型光記録媒体の記
録層は、多数回のオーバーライトで非晶質化と結晶化が
繰り返されることによって、流動や組成の偏析等が生じ
て書き換え特性が劣化することが知られている。
は、マークエッジ記録で記録した場合の記録特性という
点で改善の余地がある。また、相変化型光記録媒体の記
録層は、多数回のオーバーライトで非晶質化と結晶化が
繰り返されることによって、流動や組成の偏析等が生じ
て書き換え特性が劣化することが知られている。
【００１１】ここで、マークポジション記録では、比較
的短い記録マークが「１」の位置に同じ長さで形成され
るが、マークエッジ記録では、「１」と「１」の間隔に
応じた長さの比較的長い記録マークが記録されるため、
マークエッジ記録はマークポジション記録の場合より
も、オーバーライトによって前回と異なる状態に変更さ
れる記録層の面積が多い。
的短い記録マークが「１」の位置に同じ長さで形成され
るが、マークエッジ記録では、「１」と「１」の間隔に
応じた長さの比較的長い記録マークが記録されるため、
マークエッジ記録はマークポジション記録の場合より
も、オーバーライトによって前回と異なる状態に変更さ
れる記録層の面積が多い。
【００１２】そのため、マークエッジ記録はマークポジ
ション記録よりも、オーバーライトの繰り返しによって
記録層の流動や組成偏析が生じやすく、比較的少ない繰
り返し回数でジッター特性が劣化し始め、１万回程度の
オーバーライトでも書き換え特性の低下が認められるよ
うになるという問題がある。
ション記録よりも、オーバーライトの繰り返しによって
記録層の流動や組成偏析が生じやすく、比較的少ない繰
り返し回数でジッター特性が劣化し始め、１万回程度の
オーバーライトでも書き換え特性の低下が認められるよ
うになるという問題がある。
【００１３】本発明は、このような従来技術の問題点に
着目してなされたものであり、相変化型光記録媒体にお
いて、マークエッジ記録で記録した場合の記録特性を改
善し（記録マーク前後端でのジッターを小さくし）、多
数回のオーバーライトによっても、記録特性が大きく低
下しないようにすることを課題とする。
着目してなされたものであり、相変化型光記録媒体にお
いて、マークエッジ記録で記録した場合の記録特性を改
善し（記録マーク前後端でのジッターを小さくし）、多
数回のオーバーライトによっても、記録特性が大きく低
下しないようにすることを課題とする。
【００１４】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、請求項１に係る発明は、照射光の強度に応じて結晶
状態と非晶質状態との間の相変化が可逆的になされる記
録層を基板上に備えた相変化型光記録媒体において、前
記記録層は、Ｇｅ、Ｔｅ、Ｓｂ、Ａｕ、およびＮを含む
組成の薄膜で構成され、この薄膜中のＧｅとＴｅとＳｂ
とＡｕとに関する組成は、ＧｅとＴｅとＳｂとＡｕとを
下記の（１）式で示したときに、ｘ，ｙ，ｚ，ｗが下記
の（２）〜（５）式を同時に満たすものであることを特
徴とする相変化型光記録媒体を提供する。 〔（Ｇｅx Ｔｅ(1-x) ）y （Ｓｂz Ｔｅ(1-z) ）(1-y) 〕(1-w) Ａｕw ‥‥（１） ０．４５≦ｘ≦０．５５‥‥（２） ０．３５≦ｚ≦０．４５‥‥（３） ０．１≦ｘｙ≦０．３ ‥‥（４） ０＜ｗ≦０．１ ‥‥（５） ここで、Ｇｅ−Ｔｅ−Ｓｂ合金は、化合物であるＧｅＴ
ｅとＳｂ2 Ｔｅ3 とから成立すると考えることができ、
化合物ライン（ＧｅＴｅ）−（Ｓｂ2 Ｔｅ3 ）上の化合
物（（１）式でｘ＝０．５０且つｚ＝０．４０に相当す
る化合物）は結晶化速度が速いものとして知られてい
る。したがって、ｘ，ｚは、化合物ライン（ＧｅＴｅ）
−（Ｓｂ2 Ｔｅ3 ）を中心とする帯状の組成領域を特定
する数値を示す。
に、請求項１に係る発明は、照射光の強度に応じて結晶
状態と非晶質状態との間の相変化が可逆的になされる記
録層を基板上に備えた相変化型光記録媒体において、前
記記録層は、Ｇｅ、Ｔｅ、Ｓｂ、Ａｕ、およびＮを含む
組成の薄膜で構成され、この薄膜中のＧｅとＴｅとＳｂ
とＡｕとに関する組成は、ＧｅとＴｅとＳｂとＡｕとを
下記の（１）式で示したときに、ｘ，ｙ，ｚ，ｗが下記
の（２）〜（５）式を同時に満たすものであることを特
徴とする相変化型光記録媒体を提供する。 〔（Ｇｅx Ｔｅ(1-x) ）y （Ｓｂz Ｔｅ(1-z) ）(1-y) 〕(1-w) Ａｕw ‥‥（１） ０．４５≦ｘ≦０．５５‥‥（２） ０．３５≦ｚ≦０．４５‥‥（３） ０．１≦ｘｙ≦０．３ ‥‥（４） ０＜ｗ≦０．１ ‥‥（５） ここで、Ｇｅ−Ｔｅ−Ｓｂ合金は、化合物であるＧｅＴ
ｅとＳｂ2 Ｔｅ3 とから成立すると考えることができ、
化合物ライン（ＧｅＴｅ）−（Ｓｂ2 Ｔｅ3 ）上の化合
物（（１）式でｘ＝０．５０且つｚ＝０．４０に相当す
る化合物）は結晶化速度が速いものとして知られてい
る。したがって、ｘ，ｚは、化合物ライン（ＧｅＴｅ）
−（Ｓｂ2 Ｔｅ3 ）を中心とする帯状の組成領域を特定
する数値を示す。
【００１５】ｘが０．４５未満となるか０．５５を超え
ると、記録の際の線速度との関係において、記録層の結
晶化速度が遅すぎて、記録マーク後端の位置の厳密な制
御が困難となる。すなわち、ｘが前記（２）式を満たす
と、記録層の結晶化速度が記録の際の線速度（１〜１２
ｍ／ｓ）に対して適切になって、記録マーク後端の位置
の厳密な制御が可能となる。ｘのより好ましい範囲は
０．４８≦ｘ≦０．５２である。
ると、記録の際の線速度との関係において、記録層の結
晶化速度が遅すぎて、記録マーク後端の位置の厳密な制
御が困難となる。すなわち、ｘが前記（２）式を満たす
と、記録層の結晶化速度が記録の際の線速度（１〜１２
ｍ／ｓ）に対して適切になって、記録マーク後端の位置
の厳密な制御が可能となる。ｘのより好ましい範囲は
０．４８≦ｘ≦０．５２である。
【００１６】また、ｚが０．３５未満となるか０．４５
を超えると、記録の際の線速度との関係において、記録
層の結晶化速度が遅すぎて、記録マーク後端の位置の厳
密な制御が困難となる。すなわち、ｚが前記（３）式を
満たすと、記録層の結晶化速度が記録の際の線速度（１
〜１２ｍ／ｓ）に対して適切になって、記録マーク後端
の位置の厳密な制御が可能となる。ｚのより好ましい範
囲は０．３８≦ｚ≦０．４２である。
を超えると、記録の際の線速度との関係において、記録
層の結晶化速度が遅すぎて、記録マーク後端の位置の厳
密な制御が困難となる。すなわち、ｚが前記（３）式を
満たすと、記録層の結晶化速度が記録の際の線速度（１
〜１２ｍ／ｓ）に対して適切になって、記録マーク後端
の位置の厳密な制御が可能となる。ｚのより好ましい範
囲は０．３８≦ｚ≦０．４２である。
【００１７】また、ＧｅのＧｅ−Ｔｅ−Ｓｂ中の原子数
比を示すｘｙが０．１未満であると結晶化されやすい記
録層となり、再生レベルに近い低パワーの光照射によっ
ても非晶質部分（記録マーク）の結晶化が生じるため、
再生および高温環境下でのデータ安定性が低下する。こ
のｘｙが０．３を超えると、記録層の融点が高くなり過
ぎて非晶質化され難い記録層となり、記録の際に非常に
高いパワーの光を照射する必要があり、実用的な半導体
レーザによる記録が困難となる。そのため、ＧｅのＧｅ
−Ｔｅ−Ｓｂ中の原子数比を示すｘｙが前記（４）式を
満たすようにする。ｘｙのより好ましい範囲は０．１５
≦ｘｙ≦０．２５である。
比を示すｘｙが０．１未満であると結晶化されやすい記
録層となり、再生レベルに近い低パワーの光照射によっ
ても非晶質部分（記録マーク）の結晶化が生じるため、
再生および高温環境下でのデータ安定性が低下する。こ
のｘｙが０．３を超えると、記録層の融点が高くなり過
ぎて非晶質化され難い記録層となり、記録の際に非常に
高いパワーの光を照射する必要があり、実用的な半導体
レーザによる記録が困難となる。そのため、ＧｅのＧｅ
−Ｔｅ−Ｓｂ中の原子数比を示すｘｙが前記（４）式を
満たすようにする。ｘｙのより好ましい範囲は０．１５
≦ｘｙ≦０．２５である。
【００１８】一方、記録層をなす薄膜は、前記（５）式
を満たす範囲でＡｕを含有する組成であるが、このＡｕ
の存在により、多数回のオーバーライトによる記録層の
流動や組成偏析の程度が低く抑えられる。しかしなが
ら、過剰にＡｕを添加すると結晶化速度が遅くなって消
去特性が低下するため、ＡｕのＧｅ−Ｔｅ−Ｓｂに対す
る原子数比を示すｗを０．１以下とする。より好ましく
はｗを０．０５以下とする。
を満たす範囲でＡｕを含有する組成であるが、このＡｕ
の存在により、多数回のオーバーライトによる記録層の
流動や組成偏析の程度が低く抑えられる。しかしなが
ら、過剰にＡｕを添加すると結晶化速度が遅くなって消
去特性が低下するため、ＡｕのＧｅ−Ｔｅ−Ｓｂに対す
る原子数比を示すｗを０．１以下とする。より好ましく
はｗを０．０５以下とする。
【００１９】また、記録層は、ＧｅとＴｅとＳｂとＡｕ
に加えてＮを含む組成の薄膜で構成されている。この窒
素の存在により記録層の結晶粒が微細化されるため、記
録マーク両端での結晶粒の成長を未然に防ぎ、特に、結
晶化速度が記録の際の線速度よりも過度に速い場合であ
っても、記録マークの前端位置の変動を低く抑えること
ができる。
に加えてＮを含む組成の薄膜で構成されている。この窒
素の存在により記録層の結晶粒が微細化されるため、記
録マーク両端での結晶粒の成長を未然に防ぎ、特に、結
晶化速度が記録の際の線速度よりも過度に速い場合であ
っても、記録マークの前端位置の変動を低く抑えること
ができる。
【００２０】請求項２に係る発明は、照射光の強度に応
じて結晶状態と非晶質状態との間の相変化が可逆的にな
される記録層を基板上に備えた相変化型光記録媒体の製
造方法において、下記の（１）式で示されるＧｅとＴｅ
とＳｂとＡｕとを、ｘ，ｙ，ｚ，ｗが下記の（２）〜
（５）式を同時に満たすようにターゲットから供給し、 〔（Ｇｅx Ｔｅ(1-x) ）y （Ｓｂz Ｔｅ(1-z) ）(1-y) 〕(1-w) Ａｕw ‥‥（１） ０．４５≦ｘ≦０．５５‥‥（２） ０．３５≦ｚ≦０．４５‥‥（３） ０．１≦ｘｙ≦０．３ ‥‥（４） ０＜ｗ≦０．１ ‥‥（５） 窒素を分圧０．０１〜０．０５Ｐａで含有する雰囲気中
でスパッタリングを行うことにより、Ｇｅ、Ｔｅ、Ｓ
ｂ、Ａｕ、およびＮを含む組成の薄膜を記録層として形
成することを特徴とする相変化型光記録媒体の製造方法
を提供する。
じて結晶状態と非晶質状態との間の相変化が可逆的にな
される記録層を基板上に備えた相変化型光記録媒体の製
造方法において、下記の（１）式で示されるＧｅとＴｅ
とＳｂとＡｕとを、ｘ，ｙ，ｚ，ｗが下記の（２）〜
（５）式を同時に満たすようにターゲットから供給し、 〔（Ｇｅx Ｔｅ(1-x) ）y （Ｓｂz Ｔｅ(1-z) ）(1-y) 〕(1-w) Ａｕw ‥‥（１） ０．４５≦ｘ≦０．５５‥‥（２） ０．３５≦ｚ≦０．４５‥‥（３） ０．１≦ｘｙ≦０．３ ‥‥（４） ０＜ｗ≦０．１ ‥‥（５） 窒素を分圧０．０１〜０．０５Ｐａで含有する雰囲気中
でスパッタリングを行うことにより、Ｇｅ、Ｔｅ、Ｓ
ｂ、Ａｕ、およびＮを含む組成の薄膜を記録層として形
成することを特徴とする相変化型光記録媒体の製造方法
を提供する。
【００２１】スパッタリング雰囲気中の窒素分圧が０．
０１Ｐａ未満であると、窒素添加による結晶粒微細化の
効果が実質的に得られず、０．０５Ｐａを超えると、記
録層の光学特性（屈折率等）や結晶化速度等の記録・消
去に係わる基本的な特性に変化が生じる。
０１Ｐａ未満であると、窒素添加による結晶粒微細化の
効果が実質的に得られず、０．０５Ｐａを超えると、記
録層の光学特性（屈折率等）や結晶化速度等の記録・消
去に係わる基本的な特性に変化が生じる。
【００２２】
【発明の実施の形態】以下、本発明を実施例により具体
的に説明する。 ［実施例１］ポリカーボネート製であり、直径３．５イ
ンチ、厚さ０．６ｍｍの円板状であり、溝間距離１．４
μｍで溝幅０．７μｍのレーザ案内溝を設けた基板１上
に、ＺｎＳ−ＳｉＯ2 （ＳｉＯ2 ３０モル％含有）のタ
ーゲットからＲＦスパッタリング法により、膜厚２５０
ｎｍの第１の保護層２を形成した。
的に説明する。 ［実施例１］ポリカーボネート製であり、直径３．５イ
ンチ、厚さ０．６ｍｍの円板状であり、溝間距離１．４
μｍで溝幅０．７μｍのレーザ案内溝を設けた基板１上
に、ＺｎＳ−ＳｉＯ2 （ＳｉＯ2 ３０モル％含有）のタ
ーゲットからＲＦスパッタリング法により、膜厚２５０
ｎｍの第１の保護層２を形成した。
【００２３】次に、前記（１）式で示され、ＧｅＴｅＳ
ｂＡｕ合金よりなるターゲット（組成が原子比でＧｅ：
Ｔｅ：Ｓｂ：Ａｕ＝１６．１：５７．１：２４．３：
２．５であるもの）から、アルゴンと窒素の混合ガスを
用いて、ＤＣスパッタ法により膜厚２５ｎｍの記録層３
を形成した。このとき、スパッタリング雰囲気は、全圧
０．５Ｐａ、窒素分圧０．０１５Ｐａとした。得られた
記録層３の組成（ｘ，ｙ，ｚ，ｗ，ｘｙ）を下記の表１
に示す。この記録層３のｘ，ｚ，ｘｙ，ｗはいずれも本
発明の範囲を満たしている。
ｂＡｕ合金よりなるターゲット（組成が原子比でＧｅ：
Ｔｅ：Ｓｂ：Ａｕ＝１６．１：５７．１：２４．３：
２．５であるもの）から、アルゴンと窒素の混合ガスを
用いて、ＤＣスパッタ法により膜厚２５ｎｍの記録層３
を形成した。このとき、スパッタリング雰囲気は、全圧
０．５Ｐａ、窒素分圧０．０１５Ｐａとした。得られた
記録層３の組成（ｘ，ｙ，ｚ，ｗ，ｘｙ）を下記の表１
に示す。この記録層３のｘ，ｚ，ｘｙ，ｗはいずれも本
発明の範囲を満たしている。
【００２４】この記録層３の上に、ＺｎＳ−ＳｉＯ
2 （ＳｉＯ 2３０モル％含有）のターゲットからＲＦス
パッタリング法により膜厚１２ｎｍの第２の保護層４
を、さらにＡｌＴｉからなる反射層５をＤＣスパッタ法
により膜厚７０ｎｍで、順次形成した。その後、反射層
５の上にＵＶ硬化樹脂をスピンコート法により塗布し、
硬化させることにより保護コート層６を形成した。
2 （ＳｉＯ 2３０モル％含有）のターゲットからＲＦス
パッタリング法により膜厚１２ｎｍの第２の保護層４
を、さらにＡｌＴｉからなる反射層５をＤＣスパッタ法
により膜厚７０ｎｍで、順次形成した。その後、反射層
５の上にＵＶ硬化樹脂をスピンコート法により塗布し、
硬化させることにより保護コート層６を形成した。
【００２５】このようにして図１に示す層構成の相変化
型光ディスク（相変化型光記録媒体）を作製した。この
光ディスクを、レーザ波長６４２ｎｍ、ＮＡ＝０．６の
記録装置にかけ、ディスク回転線速度６ｍ／ｓで、８−
１６変調方式で符号化された情報を記録した。記録密度
は０．４１μｍ／ｂｉｔとして、マークエッジ方式によ
り記録を行った。この記録方式では、最短マーク（及び
スペース）長は０．６１５μｍとなり、次に短いマーク
（及びスペース）長は０．８２μｍとなる。すなわち、
０．２０５μｍ単位でマーク（及びスペース）長が変化
し、最長マーク（及びスペース）長は２．８７μｍとな
る。
型光ディスク（相変化型光記録媒体）を作製した。この
光ディスクを、レーザ波長６４２ｎｍ、ＮＡ＝０．６の
記録装置にかけ、ディスク回転線速度６ｍ／ｓで、８−
１６変調方式で符号化された情報を記録した。記録密度
は０．４１μｍ／ｂｉｔとして、マークエッジ方式によ
り記録を行った。この記録方式では、最短マーク（及び
スペース）長は０．６１５μｍとなり、次に短いマーク
（及びスペース）長は０．８２μｍとなる。すなわち、
０．２０５μｍ単位でマーク（及びスペース）長が変化
し、最長マーク（及びスペース）長は２．８７μｍとな
る。
【００２６】この光ディスクの１回〜１０万回オーバー
ライト後のジッターを、記録マーク前端および後端につ
いて測定した。その結果を下記の表１に示す。 ［実施例２］記録層３の形成の際に、異なる組成（原子
比でＧｅ：Ｔｅ：Ｓｂ：Ａｕ＝１６．６：５７．１：２
４．６：１．７であるもの）のＧｅＴｅＳｂＡｕ合金よ
りなるターゲットを用いた以外は、前記実施例１と同様
にして相変化型光ディスクを作製した。得られた記録層
３の組成（ｘ，ｙ，ｚ，ｗ，ｘｙ）を、下記の表１に示
す。この記録層３のｘ，ｚ，ｘｙ，ｗは、いずれも本発
明の範囲を満たしている。
ライト後のジッターを、記録マーク前端および後端につ
いて測定した。その結果を下記の表１に示す。 ［実施例２］記録層３の形成の際に、異なる組成（原子
比でＧｅ：Ｔｅ：Ｓｂ：Ａｕ＝１６．６：５７．１：２
４．６：１．７であるもの）のＧｅＴｅＳｂＡｕ合金よ
りなるターゲットを用いた以外は、前記実施例１と同様
にして相変化型光ディスクを作製した。得られた記録層
３の組成（ｘ，ｙ，ｚ，ｗ，ｘｙ）を、下記の表１に示
す。この記録層３のｘ，ｚ，ｘｙ，ｗは、いずれも本発
明の範囲を満たしている。
【００２７】この光ディスクに対して実施例１と同じ条
件でオーバーライトを行い、１回〜１０万回オーバーラ
イト後のジッターを、記録マーク前端および後端につい
て測定した。その結果を下記の表１に示す。 ［実施例３］記録層３の形成の際に、異なる組成（原子
比でＧｅ：Ｔｅ：Ｓｂ：Ａｕ＝１９．６：５６．３：２
２．４：１．７であるもの）のＧｅＴｅＳｂＡｕ合金よ
りなるターゲットを用いた以外は、前記実施例１と同様
にして相変化型光ディスクを作製した。得られた記録層
３の組成（ｘ，ｙ，ｚ，ｗ，ｘｙ）を、下記の表１に示
す。この記録層３のｘ，ｚ，ｘｙ，ｗは、いずれも本発
明の範囲を満たしている。
件でオーバーライトを行い、１回〜１０万回オーバーラ
イト後のジッターを、記録マーク前端および後端につい
て測定した。その結果を下記の表１に示す。 ［実施例３］記録層３の形成の際に、異なる組成（原子
比でＧｅ：Ｔｅ：Ｓｂ：Ａｕ＝１９．６：５６．３：２
２．４：１．７であるもの）のＧｅＴｅＳｂＡｕ合金よ
りなるターゲットを用いた以外は、前記実施例１と同様
にして相変化型光ディスクを作製した。得られた記録層
３の組成（ｘ，ｙ，ｚ，ｗ，ｘｙ）を、下記の表１に示
す。この記録層３のｘ，ｚ，ｘｙ，ｗは、いずれも本発
明の範囲を満たしている。
【００２８】この光ディスクに対して実施例１と同じ条
件でオーバーライトを行い、１回〜１０万回オーバーラ
イト後のジッターを、記録マーク前端および後端につい
て測定した。その結果を下記の表１に示す。 ［比較例１］記録層３の形成の際に、Ａｕを含まない
（ｗ＝０である）ＧｅＴｅＳｂ合金（組成が原子比でＧ
ｅ：Ｔｅ：Ｓｂ＝１７．９：５６．１：２５．９である
もの）よりなるターゲットを用いた以外は、前記実施例
１と同様にして相変化型光ディスクを作製した。得られ
た記録層３のｘ，ｙ，ｚ，ｘｙを下記の表１に示す。こ
の記録層３のｘ，ｚ，ｘｙは、いずれも本発明の範囲を
満たしている。
件でオーバーライトを行い、１回〜１０万回オーバーラ
イト後のジッターを、記録マーク前端および後端につい
て測定した。その結果を下記の表１に示す。 ［比較例１］記録層３の形成の際に、Ａｕを含まない
（ｗ＝０である）ＧｅＴｅＳｂ合金（組成が原子比でＧ
ｅ：Ｔｅ：Ｓｂ＝１７．９：５６．１：２５．９である
もの）よりなるターゲットを用いた以外は、前記実施例
１と同様にして相変化型光ディスクを作製した。得られ
た記録層３のｘ，ｙ，ｚ，ｘｙを下記の表１に示す。こ
の記録層３のｘ，ｚ，ｘｙは、いずれも本発明の範囲を
満たしている。
【００２９】この光ディスクに対して実施例１と同じ条
件でオーバーライトを行い、１回〜１０万回オーバーラ
イト後のジッターを、記録マーク前端および後端につい
て測定した。その結果を下記の表１に示す。 ［比較例２］記録層３の形成の際に、異なる組成（原子
比でＧｅ：Ｔｅ：Ｓｂ：Ａｕ＝１４．７：５８．１：２
３．７：３．５であるもの）のＧｅＴｅＳｂＡｕ合金よ
りなるターゲットを用いたこと、および窒素を添加せ
ず、アルゴンガスのみでスパッタリングを行った以外
は、前記実施例１と同様にして相変化型光ディスクを作
製した。得られた記録層３の組成（ｘ，ｙ，ｚ，ｗ，ｘ
ｙ）を下記の表１に示す。この記録層３のｘ，ｚ，ｘ
ｙ，ｗは、いずれも本発明の範囲を満たしている。
件でオーバーライトを行い、１回〜１０万回オーバーラ
イト後のジッターを、記録マーク前端および後端につい
て測定した。その結果を下記の表１に示す。 ［比較例２］記録層３の形成の際に、異なる組成（原子
比でＧｅ：Ｔｅ：Ｓｂ：Ａｕ＝１４．７：５８．１：２
３．７：３．５であるもの）のＧｅＴｅＳｂＡｕ合金よ
りなるターゲットを用いたこと、および窒素を添加せ
ず、アルゴンガスのみでスパッタリングを行った以外
は、前記実施例１と同様にして相変化型光ディスクを作
製した。得られた記録層３の組成（ｘ，ｙ，ｚ，ｗ，ｘ
ｙ）を下記の表１に示す。この記録層３のｘ，ｚ，ｘ
ｙ，ｗは、いずれも本発明の範囲を満たしている。
【００３０】この光ディスクに対して実施例１と同じ条
件でオーバーライトを行い、１回〜１０万回オーバーラ
イト後のジッターを、記録マーク前端および後端につい
て測定した。その結果を下記の表１に示す。
件でオーバーライトを行い、１回〜１０万回オーバーラ
イト後のジッターを、記録マーク前端および後端につい
て測定した。その結果を下記の表１に示す。
【００３１】
【表１】
【００３２】この表から分かるように、いずれの場合
も、記録マークの前端より後端のジッター値が高いが、
記録層にＡｕおよびＮの両方を含む実施例１〜３では、
オーバーライトの回数が１万回以下の場合の後端のジッ
ター値は１０％以下となり、１０万回でも１５％以下と
なって、良好な記録特性が得られた。
も、記録マークの前端より後端のジッター値が高いが、
記録層にＡｕおよびＮの両方を含む実施例１〜３では、
オーバーライトの回数が１万回以下の場合の後端のジッ
ター値は１０％以下となり、１０万回でも１５％以下と
なって、良好な記録特性が得られた。
【００３３】これに対して、記録層にＮは含むがＡｕは
含まない比較例１では、１万回以下の場合のジッター値
は実施例１〜３と同等であるが、１０万回では後端のジ
ッター値が１５％を超える値となっている。すなわち、
記録層にＡｕを含むことで、オーバーライトの繰り返し
による記録層の劣化を小さくすることができることが分
かる。
含まない比較例１では、１万回以下の場合のジッター値
は実施例１〜３と同等であるが、１０万回では後端のジ
ッター値が１５％を超える値となっている。すなわち、
記録層にＡｕを含むことで、オーバーライトの繰り返し
による記録層の劣化を小さくすることができることが分
かる。
【００３４】また、記録層にＡｕを含むがＮを含まない
比較例２では、初回のオーバーライトでのジッター値が
前端および後端ともに１２％以上と非常に大きく、記録
層にＮを含むことでジッター値を小さく抑えることがで
きることが分かる。
比較例２では、初回のオーバーライトでのジッター値が
前端および後端ともに１２％以上と非常に大きく、記録
層にＮを含むことでジッター値を小さく抑えることがで
きることが分かる。
【００３５】
【発明の効果】以上説明したように、請求項１の相変化
型光記録媒体および請求項２の方法で得られる相変化型
光記録媒体によれば、マークエッジ方式で記録した場合
の記録特性に優れるとともに、多数回のオーバーライト
の繰り返しによっても記録特性が大きく低下しないとい
う効果がある。
型光記録媒体および請求項２の方法で得られる相変化型
光記録媒体によれば、マークエッジ方式で記録した場合
の記録特性に優れるとともに、多数回のオーバーライト
の繰り返しによっても記録特性が大きく低下しないとい
う効果がある。
【図面の簡単な説明】
【図１】実施形態で作製した相変化型光記録媒体の層構
成を示す断面図である。
成を示す断面図である。
１ 基板 ２ 第１の保護層 ３ 記録層 ４ 第２の保護層 ５ 反射層 ６ 保護コート層
Claims (2)
- 【請求項１】 照射光の強度に応じて結晶状態と非晶質
状態との間の相変化が可逆的になされる記録層を基板上
に備えた相変化型光記録媒体において、 前記記録層は、Ｇｅ、Ｔｅ、Ｓｂ、Ａｕ、およびＮを含
む組成の薄膜で構成され、 この薄膜中のＧｅとＴｅとＳｂとＡｕとに関する組成
は、ＧｅとＴｅとＳｂとＡｕとを下記の（１）式で示し
たときに、ｘ，ｙ，ｚ，ｗが下記の（２）〜（５）式を
同時に満たすものであることを特徴とする相変化型光記
録媒体。 〔（Ｇｅx Ｔｅ(1-x) ）y （Ｓｂz Ｔｅ(1-z) ）(1-y) 〕(1-w) Ａｕw ‥‥（１） ０．４５≦ｘ≦０．５５‥‥（２） ０．３５≦ｚ≦０．４５‥‥（３） ０．１≦ｘｙ≦０．３ ‥‥（４） ０＜ｗ≦０．１ ‥‥（５） - 【請求項２】 照射光の強度に応じて結晶状態と非晶質
状態との間の相変化が可逆的になされる記録層を基板上
に備えた相変化型光記録媒体の製造方法において、 下記の（１）式で示されるＧｅとＴｅとＳｂとＡｕと
を、ｘ，ｙ，ｚ，ｗが下記の（２）〜（５）式を同時に
満たすようにターゲットから供給し、 〔（Ｇｅx Ｔｅ(1-x) ）y （Ｓｂz Ｔｅ(1-z) ）(1-y) 〕(1-w) Ａｕw ‥‥（１） ０．４５≦ｘ≦０．５５‥‥（２） ０．３５≦ｚ≦０．４５‥‥（３） ０．１≦ｘｙ≦０．３ ‥‥（４） ０＜ｗ≦０．１ ‥‥（５） 窒素を分圧０．０１〜０．０５Ｐａで含有する雰囲気中
でスパッタリングを行うことにより、Ｇｅ、Ｔｅ、Ｓ
ｂ、Ａｕ、およびＮを含む組成の薄膜を記録層として形
成することを特徴とする相変化型光記録媒体の製造方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9144955A JPH10329423A (ja) | 1997-06-03 | 1997-06-03 | 相変化型光記録媒体およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9144955A JPH10329423A (ja) | 1997-06-03 | 1997-06-03 | 相変化型光記録媒体およびその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10329423A true JPH10329423A (ja) | 1998-12-15 |
Family
ID=15374086
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9144955A Withdrawn JPH10329423A (ja) | 1997-06-03 | 1997-06-03 | 相変化型光記録媒体およびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10329423A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6707783B2 (en) * | 2001-03-06 | 2004-03-16 | Mitsubishi Chemical Corporation | Optical recording medium and recording/erasing method |
-
1997
- 1997-06-03 JP JP9144955A patent/JPH10329423A/ja not_active Withdrawn
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6707783B2 (en) * | 2001-03-06 | 2004-03-16 | Mitsubishi Chemical Corporation | Optical recording medium and recording/erasing method |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Application deemed to be withdrawn because no request for examination was validly filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20040803 |