JPH10340619A - 低温焼成金ペースト - Google Patents
低温焼成金ペーストInfo
- Publication number
- JPH10340619A JPH10340619A JP14738097A JP14738097A JPH10340619A JP H10340619 A JPH10340619 A JP H10340619A JP 14738097 A JP14738097 A JP 14738097A JP 14738097 A JP14738097 A JP 14738097A JP H10340619 A JPH10340619 A JP H10340619A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- gold
- gold particles
- glass substrate
- glass frit
- glass
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/02—Details
- H05K1/09—Use of materials for the conductive, e.g. metallic pattern
- H05K1/092—Dispersed materials, e.g. conductive pastes or inks
Landscapes
- Conductive Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 ガラス基板の耐熱温度以下の温度で焼成して
も、良好な金膜を形成する事が出来る低温焼成金ペース
トを提供しようとするものである。 【構成】 粒子径１．０μｍ以下の金粒子と、軟化点４
５０℃以下のガラスフリットと、有機ビヒクルとを混練
分散させたものとする。
も、良好な金膜を形成する事が出来る低温焼成金ペース
トを提供しようとするものである。 【構成】 粒子径１．０μｍ以下の金粒子と、軟化点４
５０℃以下のガラスフリットと、有機ビヒクルとを混練
分散させたものとする。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、ガラス基板上等に金
膜導電回路を形成させることができる低温焼成ペースト
に関する。
膜導電回路を形成させることができる低温焼成ペースト
に関する。
【０００２】
【従来の技術】一般に、プラズマディスプレイ用マトリ
ックス電極パネルやＣＣＤセンサ、イメージセンサ等の
部品は、無アルカリガラスやその他の各種のガラス基板
上に、蒸着法により電極形成をしていた。この様な蒸着
法においては、真空容器内に電極形成部材を収納して金
膜を蒸着するものであったので、装置が大がかりで高価
なものとなり、部材の出し入れがわずらわしく、真空引
き時間を要するなど作業性が良くないばかりか、部材の
マスキング工程やエッチング工程等を要し、かなりコス
ト高であった。
ックス電極パネルやＣＣＤセンサ、イメージセンサ等の
部品は、無アルカリガラスやその他の各種のガラス基板
上に、蒸着法により電極形成をしていた。この様な蒸着
法においては、真空容器内に電極形成部材を収納して金
膜を蒸着するものであったので、装置が大がかりで高価
なものとなり、部材の出し入れがわずらわしく、真空引
き時間を要するなど作業性が良くないばかりか、部材の
マスキング工程やエッチング工程等を要し、かなりコス
ト高であった。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】このため、ガラス基板
上に金ペーストを印刷し、焼成することにより、金膜電
極を形成することが望まれた。しかしながら、従来の金
ペーストをガラス基板の耐熱温度以下で焼成しても、ガ
ラス基板との密着が不良であるばかりか、ワイヤボンデ
ィング不着率が高く、導体抵抗値も高くなり、使いもの
にならなかった。
上に金ペーストを印刷し、焼成することにより、金膜電
極を形成することが望まれた。しかしながら、従来の金
ペーストをガラス基板の耐熱温度以下で焼成しても、ガ
ラス基板との密着が不良であるばかりか、ワイヤボンデ
ィング不着率が高く、導体抵抗値も高くなり、使いもの
にならなかった。
【０００４】そこでこの発明は、ガラス基板の耐熱温度
以下の温度で焼成しても良好な金膜を形成することがで
きる低温焼成金ペーストを提供することを目的とする。
以下の温度で焼成しても良好な金膜を形成することがで
きる低温焼成金ペーストを提供することを目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】この発明の目的は、粒径
１．０μｍ以下の金粒子と、軟化点４５０℃以下のガラ
スフリットと、有機ビヒクルとを混練分散せしめてなる
低温焼成金ペーストによって達成される。
１．０μｍ以下の金粒子と、軟化点４５０℃以下のガラ
スフリットと、有機ビヒクルとを混練分散せしめてなる
低温焼成金ペーストによって達成される。
【０００６】
【発明の実施の形態】この発明によれば、従来の様に蒸
着によって金膜電極を形成するのではなく、ガラス基板
上にペーストを施して乾燥後焼成して金膜電極を得る。
金粒子とガラスフリットと有機ビヒクルとの混練分散
は、三本ロールやブレンダー等の機械が用いられる。こ
の発明の様に、金粒子を１．０μｍ以下とすれば、従来
の金ペーストに常用されている金粒子の約１／２以下の
粒径となるため体積は約１／８以下となり、金粒子個々
の熱容量も格段に小さなものとなり、ガラス基板の耐熱
温度以下の温度で焼成しても、金粒子相互が良好に焼結
し、抵抗値が高くならない。ガラスフリットの軟化点を
４５０℃とする事により、５００℃〜６００℃の温度で
焼成すると、ガラス基板と金膜との間にガラスフリット
が良好に定着し、密着強度を高める。又、ガラスが金粒
子間の抵抗体として介在することも無くなる。
着によって金膜電極を形成するのではなく、ガラス基板
上にペーストを施して乾燥後焼成して金膜電極を得る。
金粒子とガラスフリットと有機ビヒクルとの混練分散
は、三本ロールやブレンダー等の機械が用いられる。こ
の発明の様に、金粒子を１．０μｍ以下とすれば、従来
の金ペーストに常用されている金粒子の約１／２以下の
粒径となるため体積は約１／８以下となり、金粒子個々
の熱容量も格段に小さなものとなり、ガラス基板の耐熱
温度以下の温度で焼成しても、金粒子相互が良好に焼結
し、抵抗値が高くならない。ガラスフリットの軟化点を
４５０℃とする事により、５００℃〜６００℃の温度で
焼成すると、ガラス基板と金膜との間にガラスフリット
が良好に定着し、密着強度を高める。又、ガラスが金粒
子間の抵抗体として介在することも無くなる。
【０００７】
【実施例１】金粒子の粒径１．０μｍのもの９１重量パ
ーセント、組成がＰｂＯ−Ｂ2Ｏ3−ＳｉＯ2からなる軟
化点４５０℃以下のガラスフリット３．０重量パーセン
ト、及びエチルセルロースをターピネオールに溶解させ
た有機ビヒクル６．０重量パーセントとを混合し、三本
ロールやブレンダー等を用いて混練分散化させて低温焼
成金ペーストを得た。ここで得た金ペーストを、３２５
メッシュのスクリーンを介して石灰ガラス基板上に印刷
してから、ピーク温度５５０℃、ピーク時間１０分で焼
成した。この様な工程で得たガラス基板上の金膜は、金
粒子相互間が完全に焼結した鏡面状金膜を形成し、１０
μｍ厚の金膜の導体抵抗値は４．３ｍΩ／□で、ワイヤ
ボンディング不着率は０パーセントと良好な結果が得ら
れた。
ーセント、組成がＰｂＯ−Ｂ2Ｏ3−ＳｉＯ2からなる軟
化点４５０℃以下のガラスフリット３．０重量パーセン
ト、及びエチルセルロースをターピネオールに溶解させ
た有機ビヒクル６．０重量パーセントとを混合し、三本
ロールやブレンダー等を用いて混練分散化させて低温焼
成金ペーストを得た。ここで得た金ペーストを、３２５
メッシュのスクリーンを介して石灰ガラス基板上に印刷
してから、ピーク温度５５０℃、ピーク時間１０分で焼
成した。この様な工程で得たガラス基板上の金膜は、金
粒子相互間が完全に焼結した鏡面状金膜を形成し、１０
μｍ厚の金膜の導体抵抗値は４．３ｍΩ／□で、ワイヤ
ボンディング不着率は０パーセントと良好な結果が得ら
れた。
【０００８】
【実施例２】粒子径０．６μｍの金粒子９１重量パーセ
ント、軟化点４５０℃以下のガラスフリット３．０重量
パーセント、有機ビヒクル６．０重量パーセントを混練
分散化させて低温焼成金ペーストを得た。この金ペース
トを用いて実施例１と同一条件でガラス基板上に金膜を
設けて評価した所、導体抵抗値は１０μｍ厚の金膜で
３．８ｍΩ／□、ワイヤボンディング不着率は０パーセ
ントであった。この実施例の場合、金粒子径が実施例１
の場合の半分近くであるので、金粒子の体積または熱容
量は約１／８近くとなり、金粒子間の焼結が一段と良好
になり、導体抵抗値の変化にも現れている。
ント、軟化点４５０℃以下のガラスフリット３．０重量
パーセント、有機ビヒクル６．０重量パーセントを混練
分散化させて低温焼成金ペーストを得た。この金ペース
トを用いて実施例１と同一条件でガラス基板上に金膜を
設けて評価した所、導体抵抗値は１０μｍ厚の金膜で
３．８ｍΩ／□、ワイヤボンディング不着率は０パーセ
ントであった。この実施例の場合、金粒子径が実施例１
の場合の半分近くであるので、金粒子の体積または熱容
量は約１／８近くとなり、金粒子間の焼結が一段と良好
になり、導体抵抗値の変化にも現れている。
【０００９】
【実施例３】粒子径０．２μｍの金粒子９１重量パーセ
ントと、軟化点４５０℃以下のガラスフリット３．０重
量パーセントと、有機ビヒクル６．０重量パーセントと
を混練分散化させて得た低温焼成金ペーストをガラス基
板上に５５０℃の温度で焼成固着させて評価した所、導
体抵抗値は１０μｍ厚の金膜で３．２ｍΩ／□、ワイヤ
ボンディング不着率は０パーセントと良好な結果を得
た。
ントと、軟化点４５０℃以下のガラスフリット３．０重
量パーセントと、有機ビヒクル６．０重量パーセントと
を混練分散化させて得た低温焼成金ペーストをガラス基
板上に５５０℃の温度で焼成固着させて評価した所、導
体抵抗値は１０μｍ厚の金膜で３．２ｍΩ／□、ワイヤ
ボンディング不着率は０パーセントと良好な結果を得
た。
【００１０】
【比較例１】粒子径２．０μｍの金粒子９１重量パーセ
ントと、軟化点４５０℃以下のガラスフリット３．０重
量パーセントと、有機ビヒクル６．０重量パーセントと
を混練した金ペーストを、３２５メッシュのスクリーン
を介してガラス基板上に印刷して５５０℃で焼成したも
のを評価した所、鏡面状の金膜は得られず、導体抵抗値
も１０μｍ厚で８．０ｍΩ／□と高く、ワイヤボンディ
ング不着率も１００パーセントで、使いものにならない
事が判明した。
ントと、軟化点４５０℃以下のガラスフリット３．０重
量パーセントと、有機ビヒクル６．０重量パーセントと
を混練した金ペーストを、３２５メッシュのスクリーン
を介してガラス基板上に印刷して５５０℃で焼成したも
のを評価した所、鏡面状の金膜は得られず、導体抵抗値
も１０μｍ厚で８．０ｍΩ／□と高く、ワイヤボンディ
ング不着率も１００パーセントで、使いものにならない
事が判明した。
【００１１】
【比較例２】粒子径１．４μｍの金粒子９１重量パーセ
ントと、軟化点４５０℃以下のガラスフリット３．０重
量パーセントと、有機ビヒクル６．０重量パーセントと
を混練した金ペーストを、同様に３２５メッシのスクリ
ーンを介してガラス基板上に印刷してから、５５０℃で
焼成した。これを評価した所、導体抵抗値は１０μｍ厚
で５．４ｍΩ／□、ワイヤボンディング不着率は４５パ
ーセントであり、実用できるものは得られなかった。
ントと、軟化点４５０℃以下のガラスフリット３．０重
量パーセントと、有機ビヒクル６．０重量パーセントと
を混練した金ペーストを、同様に３２５メッシのスクリ
ーンを介してガラス基板上に印刷してから、５５０℃で
焼成した。これを評価した所、導体抵抗値は１０μｍ厚
で５．４ｍΩ／□、ワイヤボンディング不着率は４５パ
ーセントであり、実用できるものは得られなかった。
【００１２】上記の比較例１と比較例２より明白な通
り、ガラスフリットとして軟化点４５０℃以下のものを
用いても、粒子径１．０μｍを超える金粒子を用いた場
合には、金粒子同志の焼結が部分的にかつ弱くしか行わ
れず、ピンホールの多い粗雑な焼結膜となり焼結膜の導
体抵抗値が高く、導体電極としては用いる事が不能であ
ることがわかる。また、これとは逆に、金粒子の粒子径
を１．０μｍ以下のものとしても、ガラスフリットの軟
化点を４５０℃を超えるものとした場合には、金粒子の
焼結膜が得られるものの、ガラス基板との密着強度が小
さいか、或いはガラスフリットが金粒子間に介在したま
ま融解しないために、導体抵抗値が高いものとなってし
まう為、使用に耐えないものとなる。この様に、この発
明によれば、粒径１．０μｍ以下の金粒子と軟化点４５
０℃以下のガラスフリットとを含有させた金ペーストと
する事により、５００℃から６００℃程度の低い焼成温
度でも良好な特性の金焼成膜を得ることができるものと
なる。
り、ガラスフリットとして軟化点４５０℃以下のものを
用いても、粒子径１．０μｍを超える金粒子を用いた場
合には、金粒子同志の焼結が部分的にかつ弱くしか行わ
れず、ピンホールの多い粗雑な焼結膜となり焼結膜の導
体抵抗値が高く、導体電極としては用いる事が不能であ
ることがわかる。また、これとは逆に、金粒子の粒子径
を１．０μｍ以下のものとしても、ガラスフリットの軟
化点を４５０℃を超えるものとした場合には、金粒子の
焼結膜が得られるものの、ガラス基板との密着強度が小
さいか、或いはガラスフリットが金粒子間に介在したま
ま融解しないために、導体抵抗値が高いものとなってし
まう為、使用に耐えないものとなる。この様に、この発
明によれば、粒径１．０μｍ以下の金粒子と軟化点４５
０℃以下のガラスフリットとを含有させた金ペーストと
する事により、５００℃から６００℃程度の低い焼成温
度でも良好な特性の金焼成膜を得ることができるものと
なる。
【００１３】
【発明の効果】以上の通りこの発明によれば、ガラス基
板の耐熱温度以下の温度での焼成でも良好な特性の焼結
金膜が得られるため、蒸着法の様な精密で高価な装置を
用いる必要が無く、部品を細かく分割処理して組み立て
る必要も無くなり、ガラス基板上に電極や導体回路或い
は専用ＬＳＩ等を一体形成させる事が可能となり、部品
の小型化と価格低下をもたらす効果が得られる。
板の耐熱温度以下の温度での焼成でも良好な特性の焼結
金膜が得られるため、蒸着法の様な精密で高価な装置を
用いる必要が無く、部品を細かく分割処理して組み立て
る必要も無くなり、ガラス基板上に電極や導体回路或い
は専用ＬＳＩ等を一体形成させる事が可能となり、部品
の小型化と価格低下をもたらす効果が得られる。
Claims (1)
- 【請求項１】 粒径１．０μｍ以下の金粒子と、軟化点
４５０℃以下のガラスフリットと、有機ビヒクルとを混
練分散せしめてなる低温焼成金ペースト。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14738097A JPH10340619A (ja) | 1997-06-05 | 1997-06-05 | 低温焼成金ペースト |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14738097A JPH10340619A (ja) | 1997-06-05 | 1997-06-05 | 低温焼成金ペースト |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10340619A true JPH10340619A (ja) | 1998-12-22 |
Family
ID=15428943
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14738097A Withdrawn JPH10340619A (ja) | 1997-06-05 | 1997-06-05 | 低温焼成金ペースト |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10340619A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6544145B2 (en) | 2000-08-11 | 2003-04-08 | Hakusan Corporation | Movable artificial wall and free-climbing apparatus |
| JP2007145947A (ja) * | 2005-11-25 | 2007-06-14 | Mitsuboshi Belting Ltd | 導電性インキ組成物とその製造方法 |
| WO2008038534A1 (fr) | 2006-09-26 | 2008-04-03 | Dowa Electronics Materials Co., Ltd. | Poudre de microparticules d'argent et son procédé de production |
-
1997
- 1997-06-05 JP JP14738097A patent/JPH10340619A/ja not_active Withdrawn
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6544145B2 (en) | 2000-08-11 | 2003-04-08 | Hakusan Corporation | Movable artificial wall and free-climbing apparatus |
| JP2007145947A (ja) * | 2005-11-25 | 2007-06-14 | Mitsuboshi Belting Ltd | 導電性インキ組成物とその製造方法 |
| WO2008038534A1 (fr) | 2006-09-26 | 2008-04-03 | Dowa Electronics Materials Co., Ltd. | Poudre de microparticules d'argent et son procédé de production |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Effective date: 20040114 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Effective date: 20050630 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20050705 |
|
| A761 | Written withdrawal of application |
Effective date: 20050802 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A761 |