JPH10340976A - 樹脂封止型半導体装置 - Google Patents
樹脂封止型半導体装置Info
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- JPH10340976A JPH10340976A JP10095878A JP9587898A JPH10340976A JP H10340976 A JPH10340976 A JP H10340976A JP 10095878 A JP10095878 A JP 10095878A JP 9587898 A JP9587898 A JP 9587898A JP H10340976 A JPH10340976 A JP H10340976A
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
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- H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
- H10W90/731—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of die-attach connectors
- H10W90/736—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of die-attach connectors between a chip and a stacked lead frame, conducting package substrate or heat sink
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- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
- Moulds For Moulding Plastics Or The Like (AREA)
- Injection Moulding Of Plastics Or The Like (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 半導体チップの上下にわたる溶融モールド樹
脂の流入速度の均一化を図り、ボイドや、ワイヤー流れ
や、パッドシフトなどを防止した樹脂封止型半導体装置
を提供する。 【解決手段】 本発明の樹脂封止型半導体装置は、中央
部に半導体チップ１２を搭載したリードフレーム１１の
周辺部を上金型１及び下金型２によって挟持し、上記上
下の金型の間に形成されるキャビティ３内にゲート４を
通して熱溶融状態のモールド樹脂１０を注入し固化させ
ることにより、上記半導体チップを樹脂封止する型のも
のであり、上記リードフレーム１１上の上記ゲート４に
近接する側に、このリードフレームの残りの部分に対し
て傾斜した案内板１４が形成されている。
脂の流入速度の均一化を図り、ボイドや、ワイヤー流れ
や、パッドシフトなどを防止した樹脂封止型半導体装置
を提供する。 【解決手段】 本発明の樹脂封止型半導体装置は、中央
部に半導体チップ１２を搭載したリードフレーム１１の
周辺部を上金型１及び下金型２によって挟持し、上記上
下の金型の間に形成されるキャビティ３内にゲート４を
通して熱溶融状態のモールド樹脂１０を注入し固化させ
ることにより、上記半導体チップを樹脂封止する型のも
のであり、上記リードフレーム１１上の上記ゲート４に
近接する側に、このリードフレームの残りの部分に対し
て傾斜した案内板１４が形成されている。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、樹脂を用いて半導
体チップを封止した樹脂封止型半導体装置に関する。
体チップを封止した樹脂封止型半導体装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】樹脂封止型半導体装置は、半導体チップ
を搭載したリードフレームの周辺部を上金型と下金型に
よって挟持し、上金型と下金型によって形成されるキャ
ビティ内に、加熱して溶融したモールド樹脂をゲートよ
り流し込み、固化することにより形成される。ところ
で、樹脂封止型半導体装置は、リードフレームの構造や
半導体チップの搭載位置などが変わると、モールド樹脂
封止工程において、キャビティ内へのモールド樹脂の流
入状況が変化する。すなわち、キャビティ内に流入した
モールド樹脂は、半導体チップの上側と下側に分かれて
キャビティの奥に流れ込む。したがって、半導体チップ
の搭載位置等が変わると、同じキャビティ内でも、半導
体チップの上側と下側とでは、モールド樹脂の流入速度
に差が生じる場合がある。このように、同一のキャビテ
ィ内の上側と下側とで、モールド樹脂の流入に差が生ず
ると、ボイドや、ワイヤー流れや、パッドシフトなどの
問題が生じる。
を搭載したリードフレームの周辺部を上金型と下金型に
よって挟持し、上金型と下金型によって形成されるキャ
ビティ内に、加熱して溶融したモールド樹脂をゲートよ
り流し込み、固化することにより形成される。ところ
で、樹脂封止型半導体装置は、リードフレームの構造や
半導体チップの搭載位置などが変わると、モールド樹脂
封止工程において、キャビティ内へのモールド樹脂の流
入状況が変化する。すなわち、キャビティ内に流入した
モールド樹脂は、半導体チップの上側と下側に分かれて
キャビティの奥に流れ込む。したがって、半導体チップ
の搭載位置等が変わると、同じキャビティ内でも、半導
体チップの上側と下側とでは、モールド樹脂の流入速度
に差が生じる場合がある。このように、同一のキャビテ
ィ内の上側と下側とで、モールド樹脂の流入に差が生ず
ると、ボイドや、ワイヤー流れや、パッドシフトなどの
問題が生じる。
【０００３】図３は、従来のリードフレームを用いてト
ランスファモールド法により樹脂封止したときの樹脂の
流入状態を示す概略断面図である。図３に示すような従
来のリードフレームを用いてトランスファモールド法に
より樹脂封止すると、半導体チップの下側のモールド樹
脂は、半導体チップの上側のモールド樹脂に比べて、流
入速度が速くなる。このように半導体チップの上下でモ
ールド樹脂の流入のバランスが悪いと、ボイドや、ワイ
ヤー流れや、パッドシフトなどの問題が生じる。
ランスファモールド法により樹脂封止したときの樹脂の
流入状態を示す概略断面図である。図３に示すような従
来のリードフレームを用いてトランスファモールド法に
より樹脂封止すると、半導体チップの下側のモールド樹
脂は、半導体チップの上側のモールド樹脂に比べて、流
入速度が速くなる。このように半導体チップの上下でモ
ールド樹脂の流入のバランスが悪いと、ボイドや、ワイ
ヤー流れや、パッドシフトなどの問題が生じる。
【０００４】このため、従来は、樹脂封止工程における
モールド樹脂の流入状況を考慮してパッケージの構造を
設計していた。たとえば、リードフレームの下側に半導
体チップを搭載する構造の場合、半導体チップがシュリ
ンクすると、半導体チップの体積が小さくなり、その結
果、キャビティの下側の空間が広くなり、キャビティ内
の上下の流動バランスが変わるので、注入条件を見直し
ていた。
モールド樹脂の流入状況を考慮してパッケージの構造を
設計していた。たとえば、リードフレームの下側に半導
体チップを搭載する構造の場合、半導体チップがシュリ
ンクすると、半導体チップの体積が小さくなり、その結
果、キャビティの下側の空間が広くなり、キャビティ内
の上下の流動バランスが変わるので、注入条件を見直し
ていた。
【０００５】しかしながら、近年パッケージの薄型化の
進展に伴って、上述した従来技術だけでは、半導体チッ
プの上側と下側のモールド樹脂の流入速度を同じにし
て、ボイドや、ワイヤー流れや、パッドシフトなどが発
生するのを防止することが困難になってきた。
進展に伴って、上述した従来技術だけでは、半導体チッ
プの上側と下側のモールド樹脂の流入速度を同じにし
て、ボイドや、ワイヤー流れや、パッドシフトなどが発
生するのを防止することが困難になってきた。
【０００６】また、特開平６−３７１３０号公報には、
キャビティ内に可動ピンを設け、モールド樹脂の注入の
進み具合に応じて、この可動ピンのキャビティ内への挿
入深さを変化させることにより、半導体チップの上下動
を防止すると共に、モールド樹脂の流動を制御する技術
が開示されている。
キャビティ内に可動ピンを設け、モールド樹脂の注入の
進み具合に応じて、この可動ピンのキャビティ内への挿
入深さを変化させることにより、半導体チップの上下動
を防止すると共に、モールド樹脂の流動を制御する技術
が開示されている。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記の
キャビティ内に可動ピンを設ける方法では、可動ピンと
これを嵌めるために金型に形成された貫通孔との隙間か
らモールド樹脂が外部へ漏れ出すのを防止するために、
金型や可動ピンの製作に高い寸法精度が要求され、製造
コストが嵩むという問題がある。さらに、マーキングす
る面にピンの跡が残るという問題がある。
キャビティ内に可動ピンを設ける方法では、可動ピンと
これを嵌めるために金型に形成された貫通孔との隙間か
らモールド樹脂が外部へ漏れ出すのを防止するために、
金型や可動ピンの製作に高い寸法精度が要求され、製造
コストが嵩むという問題がある。さらに、マーキングす
る面にピンの跡が残るという問題がある。
【０００８】本発明は上記事情に基づいてなされたもの
であり、簡易な構成により、モールド樹脂の流入を制御
することができる樹脂封止型半導体装置を提供すること
を目的とするものである。
であり、簡易な構成により、モールド樹脂の流入を制御
することができる樹脂封止型半導体装置を提供すること
を目的とするものである。
【０００９】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に本発明の樹脂封止型半導体装置は、半導体チップを搭
載したリードフレームの周辺部を上金型及び下金型によ
って、挟持し、前記上金型と前記下金型の間に形成され
るキャビティ内にゲートを通して溶融状態のモールド樹
脂を注入し、固化させることにより前記半導体チップを
樹脂封止する構造の樹脂封止型半導体装置において、前
記モールド樹脂によって封止される部分のリードフレー
ムであって、前記ゲートに近い側に、前記リードフレー
ムの他の部分に対して傾斜した部材が、少なくとも一つ
形成されていることを特徴とするものである。
に本発明の樹脂封止型半導体装置は、半導体チップを搭
載したリードフレームの周辺部を上金型及び下金型によ
って、挟持し、前記上金型と前記下金型の間に形成され
るキャビティ内にゲートを通して溶融状態のモールド樹
脂を注入し、固化させることにより前記半導体チップを
樹脂封止する構造の樹脂封止型半導体装置において、前
記モールド樹脂によって封止される部分のリードフレー
ムであって、前記ゲートに近い側に、前記リードフレー
ムの他の部分に対して傾斜した部材が、少なくとも一つ
形成されていることを特徴とするものである。
【００１０】また、上記課題を解決するために本発明の
リードフレームは、トランスファモールド法により樹脂
封止する際にモールド樹脂によって封止される部分であ
って、且つ、上金型と下金型の間に形成されるキャビテ
ィ内に前記モールド樹脂を流入させるためのゲートの近
傍に、他の部分に対して傾斜した部材が少なとも一つ形
成されていることを特徴とするものである。
リードフレームは、トランスファモールド法により樹脂
封止する際にモールド樹脂によって封止される部分であ
って、且つ、上金型と下金型の間に形成されるキャビテ
ィ内に前記モールド樹脂を流入させるためのゲートの近
傍に、他の部分に対して傾斜した部材が少なとも一つ形
成されていることを特徴とするものである。
【００１１】本発明によれば、リードフレーム上のゲー
トに近い側に、このリードフレームの他の部分に対して
傾斜した部材を形成したことにより、モールド樹脂封止
の工程で、モールド樹脂のキャビティ内における半導体
チップの上下への流入速度を略同じにすることができる
ので、ボイドや、ワイヤー流れや、パッドシフトなどの
問題の発生を抑えることができる。
トに近い側に、このリードフレームの他の部分に対して
傾斜した部材を形成したことにより、モールド樹脂封止
の工程で、モールド樹脂のキャビティ内における半導体
チップの上下への流入速度を略同じにすることができる
ので、ボイドや、ワイヤー流れや、パッドシフトなどの
問題の発生を抑えることができる。
【００１２】また、本発明によれば、半導体チップ等と
共に、傾斜した部材も樹脂封止するので、トランスファ
モールド法の金型として通常の寸法精度のものを用いて
も、溶融モールド樹脂が外部に漏れ出すことはない。
共に、傾斜した部材も樹脂封止するので、トランスファ
モールド法の金型として通常の寸法精度のものを用いて
も、溶融モールド樹脂が外部に漏れ出すことはない。
【００１３】
【発明の実施の形態】以下に本発明の一実施形態につい
て図１、図２、図４を参照して説明する。図２（Ａ）
は、本発明の一実施形態である樹脂封止型半導体装置の
樹脂封止前の構造を示す平面図である。図２（Ａ）で
は、リードフレーム１１の中央部分の裏側に、ポリイミ
ドテープ１３を介在させて半導体チップ１２が保持され
ている。また、リードフレーム１１の図２（Ａ）に示す
上側の枠部１１１には、二つの腕部１５，１６が形成さ
れ、更にその二つの腕部１５，１６の他方の先端部に
は、腕部１５，１６で支持される案内板１４が形成され
ている。この案内板１４は、モールド樹脂で封止する際
にゲートの近傍に位置するように形成され、且つ図２
（Ｂ）に示すように右側に案内板が見える方向からリー
ドフレームを見たときに、その案内板が時計方向に回転
してリードフレームの他の部分に対して傾斜するように
形成されている。
て図１、図２、図４を参照して説明する。図２（Ａ）
は、本発明の一実施形態である樹脂封止型半導体装置の
樹脂封止前の構造を示す平面図である。図２（Ａ）で
は、リードフレーム１１の中央部分の裏側に、ポリイミ
ドテープ１３を介在させて半導体チップ１２が保持され
ている。また、リードフレーム１１の図２（Ａ）に示す
上側の枠部１１１には、二つの腕部１５，１６が形成さ
れ、更にその二つの腕部１５，１６の他方の先端部に
は、腕部１５，１６で支持される案内板１４が形成され
ている。この案内板１４は、モールド樹脂で封止する際
にゲートの近傍に位置するように形成され、且つ図２
（Ｂ）に示すように右側に案内板が見える方向からリー
ドフレームを見たときに、その案内板が時計方向に回転
してリードフレームの他の部分に対して傾斜するように
形成されている。
【００１４】また、図１及び図４に示すように、本実施
形態で用いる金型は、上金型１と、下金型２からなり、
さらに図示しないプランジャーと対をなしてキャビティ
内へ溶融した樹脂を供給するポット２１と、溶融した樹
脂をキャビティに流し込むための通路となるランナ２２
と、溶融した樹脂をキャビティに注入するための注入口
であるゲート４とを備える。
形態で用いる金型は、上金型１と、下金型２からなり、
さらに図示しないプランジャーと対をなしてキャビティ
内へ溶融した樹脂を供給するポット２１と、溶融した樹
脂をキャビティに流し込むための通路となるランナ２２
と、溶融した樹脂をキャビティに注入するための注入口
であるゲート４とを備える。
【００１５】図１（Ａ）は、図２に示したモールド樹脂
封止前の構造体をトランスファモールド法の上金型１と
下金型２とによって挟持した状態の概略断面図を示して
おり、図２に示すモールド樹脂封止前の構造体における
Ａ−Ａ’断面に該当する。図１（Ａ）から分かるよう
に、本実施形態では、案内板１４が、ゲート４と、半導
体チップとの略中間の位置に形成されている。また案内
板１４は、その上面がゲート４側に向くように、リード
フレームの他の部分に対して傾斜している。本実施形態
の案内板は、リードフレーム形成用のプレス金型を用い
て、リードフレームと同時に形成することができる。こ
のように、本実施形態のリードフレームは、形成するた
めの特別の工程を必要としないので、容易に実施できる
という特徴を有する。なお、平面のリードフレームをエ
ッチング加工によって形成し、案内板１４をプレス加工
により形成することも可能である。
封止前の構造体をトランスファモールド法の上金型１と
下金型２とによって挟持した状態の概略断面図を示して
おり、図２に示すモールド樹脂封止前の構造体における
Ａ−Ａ’断面に該当する。図１（Ａ）から分かるよう
に、本実施形態では、案内板１４が、ゲート４と、半導
体チップとの略中間の位置に形成されている。また案内
板１４は、その上面がゲート４側に向くように、リード
フレームの他の部分に対して傾斜している。本実施形態
の案内板は、リードフレーム形成用のプレス金型を用い
て、リードフレームと同時に形成することができる。こ
のように、本実施形態のリードフレームは、形成するた
めの特別の工程を必要としないので、容易に実施できる
という特徴を有する。なお、平面のリードフレームをエ
ッチング加工によって形成し、案内板１４をプレス加工
により形成することも可能である。
【００１６】案内板１４を有する本実施形態のリードフ
レームを用いてトランスファモールド法により樹脂封止
すると、キャビティ内におけるモールド樹脂１０は、図
１（Ｂ）から（Ｄ）に示すように流入する。溶融したモ
ールド樹脂１０は、プランジャー及びポット２１により
ランナ２２及びゲート４を介してキャビティ内に注入さ
れる。図１（Ｂ）に示すように、ゲート４からキャビテ
ィ３内に流入した熱溶融状態のモールド樹脂１０は、案
内板１４に当たって、その流れが制御される。すなわ
ち、上面がゲート４の側に向けて傾斜して設けられた案
内板によって、半導体チップ１２の下側に流入しようと
するモールド樹脂の流れが抑制され、案内板が設けられ
ていないリードフレームに比べて、半導体チップの下側
への流入が抑えられる。したがって、この案内板の傾斜
角度や大きさなどを、搭載する半導体チップや、リード
フレームに応じて適切に設計することにより、図１
（Ｃ）、（Ｄ）に示すように、半導体チップの上側と下
側のモールド樹脂の流入速度を略同じにすることができ
る。このように本実施形態のリードフレームを用いて、
樹脂封止を行えば、半導体チップの上下におけるモール
ド樹脂の流入速度を容易に同じにすることができるの
で、ボイドや、ワイヤー流れや、パッドシフトなどの問
題が生じ難くなり、半導体装置の耐久性・信頼性が向上
する。なお、案内板を支持する腕部１５，１６は樹脂封
止後は不要となるので、他のリード部を切断する時に、
同時に樹脂の付け根から切断される。なお、本実施形態
では、パッケージの側面に腕部を切断したときの跡が残
る。しかしながら、通常、この側面にマーキングを行う
ことはないので、跡が残っても問題はない。
レームを用いてトランスファモールド法により樹脂封止
すると、キャビティ内におけるモールド樹脂１０は、図
１（Ｂ）から（Ｄ）に示すように流入する。溶融したモ
ールド樹脂１０は、プランジャー及びポット２１により
ランナ２２及びゲート４を介してキャビティ内に注入さ
れる。図１（Ｂ）に示すように、ゲート４からキャビテ
ィ３内に流入した熱溶融状態のモールド樹脂１０は、案
内板１４に当たって、その流れが制御される。すなわ
ち、上面がゲート４の側に向けて傾斜して設けられた案
内板によって、半導体チップ１２の下側に流入しようと
するモールド樹脂の流れが抑制され、案内板が設けられ
ていないリードフレームに比べて、半導体チップの下側
への流入が抑えられる。したがって、この案内板の傾斜
角度や大きさなどを、搭載する半導体チップや、リード
フレームに応じて適切に設計することにより、図１
（Ｃ）、（Ｄ）に示すように、半導体チップの上側と下
側のモールド樹脂の流入速度を略同じにすることができ
る。このように本実施形態のリードフレームを用いて、
樹脂封止を行えば、半導体チップの上下におけるモール
ド樹脂の流入速度を容易に同じにすることができるの
で、ボイドや、ワイヤー流れや、パッドシフトなどの問
題が生じ難くなり、半導体装置の耐久性・信頼性が向上
する。なお、案内板を支持する腕部１５，１６は樹脂封
止後は不要となるので、他のリード部を切断する時に、
同時に樹脂の付け根から切断される。なお、本実施形態
では、パッケージの側面に腕部を切断したときの跡が残
る。しかしながら、通常、この側面にマーキングを行う
ことはないので、跡が残っても問題はない。
【００１７】本発明は上記の各実施例に限定されるもの
ではなく、その要旨の範囲内において数々の変形が可能
である。例えば、上記の実施形態では、矩形状の案内板
を使用した場合について説明したが、案内板は、これに
限られるものではなく、例えば円形状、楕円形状などの
形状でもよい。
ではなく、その要旨の範囲内において数々の変形が可能
である。例えば、上記の実施形態では、矩形状の案内板
を使用した場合について説明したが、案内板は、これに
限られるものではなく、例えば円形状、楕円形状などの
形状でもよい。
【００１８】また、案内板は、平板状のものに限られる
ものではなく、断面が流線形の翼形状などの湾曲面を用
いた形状であってもよい。
ものではなく、断面が流線形の翼形状などの湾曲面を用
いた形状であってもよい。
【００１９】さらに、上記の実施形態では、案内板を２
本のＬ字状の腕部によって支持する場合について説明し
たが、剛性を高めるために、案内板を多数本の幅広の直
線状の腕部の先端に固定するようにしてもよい。
本のＬ字状の腕部によって支持する場合について説明し
たが、剛性を高めるために、案内板を多数本の幅広の直
線状の腕部の先端に固定するようにしてもよい。
【００２０】また、上記の実施形態では、案内板の上面
をゲートの側に向けて傾斜させた場合について説明し
た。しかしながら、キャビティの構造によっては、案内
板の上面を半導体チップの側に向けるように傾斜させて
もよい。また、案内板をリードフレームの他の部分に対
して垂直に立てるようにしてもよい。
をゲートの側に向けて傾斜させた場合について説明し
た。しかしながら、キャビティの構造によっては、案内
板の上面を半導体チップの側に向けるように傾斜させて
もよい。また、案内板をリードフレームの他の部分に対
して垂直に立てるようにしてもよい。
【００２１】加えて、上記の案内板の形状、寸法、リー
ドフレームの他の部分に対する傾斜角などは、リードフ
レームの構造や、半導体チップの搭載位置や、注入する
モールド樹脂の種類などや、モールド樹脂封止の試行結
果に応じて、適宜な値に設計する。以上、添付図面を参
照して好ましい具体例について説明してきたが、本発明
は、前述の各具体例そのものに限定されるものではな
く、特許請求の範囲に記載した発明の思想及び範囲から
逸脱することなく、当業者により、種々の変更及び修正
が可能である。
ドフレームの他の部分に対する傾斜角などは、リードフ
レームの構造や、半導体チップの搭載位置や、注入する
モールド樹脂の種類などや、モールド樹脂封止の試行結
果に応じて、適宜な値に設計する。以上、添付図面を参
照して好ましい具体例について説明してきたが、本発明
は、前述の各具体例そのものに限定されるものではな
く、特許請求の範囲に記載した発明の思想及び範囲から
逸脱することなく、当業者により、種々の変更及び修正
が可能である。
【００２２】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の樹脂封止
型半導体装置は、リードフレーム上のゲートに近い側
に、このリードフレームの他の部分に対して傾斜した案
内板を形成したことにより、モールド樹脂封止の工程
で、熱溶融状態のモールド樹脂のキャビティ内における
半導体チップの上下への流入速度を同じにすることがで
きるので、ボイドや、ワイヤー流れや、パッドシフトな
どの問題の発生を抑えることができる。
型半導体装置は、リードフレーム上のゲートに近い側
に、このリードフレームの他の部分に対して傾斜した案
内板を形成したことにより、モールド樹脂封止の工程
で、熱溶融状態のモールド樹脂のキャビティ内における
半導体チップの上下への流入速度を同じにすることがで
きるので、ボイドや、ワイヤー流れや、パッドシフトな
どの問題の発生を抑えることができる。
【００２３】また、本発明の樹脂封止型半導体装置で
は、半導体チップ等と共に、傾斜した案内板も樹脂封止
するので、トランスファモールド法の金型として通常の
寸法精度のものを用いても、溶融モールド樹脂が外部に
漏れ出すことはない。
は、半導体チップ等と共に、傾斜した案内板も樹脂封止
するので、トランスファモールド法の金型として通常の
寸法精度のものを用いても、溶融モールド樹脂が外部に
漏れ出すことはない。
【図１】本発明の一実施形態である樹脂封止型半導体装
置のモールド樹脂封止工程を説明するための概略断面図
である。
置のモールド樹脂封止工程を説明するための概略断面図
である。
【図２】（Ａ）は、本実施形態の樹脂封止型半導体装置
のモールド樹脂封止工程直前の構造を示す平面図、
（Ｂ）は図２（Ａ）のＡ−Ａ’矢視断面図である。
のモールド樹脂封止工程直前の構造を示す平面図、
（Ｂ）は図２（Ａ）のＡ−Ａ’矢視断面図である。
【図３】従来のリードフレームを用いてトランスファモ
ールド法により樹脂封止したときの樹脂の流入状態を示
す概略断面図である。
ールド法により樹脂封止したときの樹脂の流入状態を示
す概略断面図である。
【図４】モールド樹脂がキャビティ内に流入する様子を
示す概略平面図である。
示す概略平面図である。
１ 上金型 ２ 下金型 ３ キャビティ ４ ゲート １０ モールド樹脂 １１ リードフレーム １２ 半導体チップ １３ ポリイミドテープ １４ 案内板 １５，１６ 腕部 ２１ ポット ２２ ランナ １１１ 枠部
フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 ＦＩ Ｈ０１Ｌ 23/50 Ｈ０１Ｌ 23/50 Ｇ // Ｂ２９Ｌ 31:34
Claims (11)
- 【請求項１】 半導体チップを搭載したリードフレーム
の周辺部を上金型及び下金型によって、挟持し、前記上
金型と前記下金型の間に形成されるキャビティ内にゲー
トを通して溶融状態のモールド樹脂を注入し、固化させ
ることにより前記半導体チップを樹脂封止する構造の樹
脂封止型半導体装置において、 前記モールド樹脂によって封止される部分のリードフレ
ームであって、前記ゲートに近い側に、前記リードフレ
ームの他の部分に対して傾斜した部材が、少なくとも一
つ形成されていることを特徴とする樹脂封止型半導体装
置。 - 【請求項２】 前記部材と、前記リードフレームの他の
部分との傾斜角度は、変更可能であることを特徴とする
請求項１記載の樹脂封止型半導体装置。 - 【請求項３】 前記部材は、前記リードフレームの他の
部分から延長された２本の支持部材の先端の間に保持さ
れた平板状のものであることを特徴とする請求項１記載
の樹脂封止型半導体装置。 - 【請求項４】 トランスファモールド法により樹脂封止
する際にモールド樹脂によって封止される部分であっ
て、且つ、上金型と下金型の間に形成されるキャビティ
内に前記モールド樹脂を流入させるためのゲートの近傍
に、他の部分に対して傾斜した部材が少なくとも一つ形
成されていることを特徴とするリードフレーム。 - 【請求項５】 前記傾斜した部材は、他の部分と同様に
プレス金型を用いて形成されたものである請求項４記載
のリードフレーム。 - 【請求項６】 前記傾斜した部材は、他の部分に対し
て、その上面が前記ゲート側に向くように傾斜している
ことを特徴とする請求項４記載のリードフレーム。 - 【請求項７】 前記傾斜した部材は、前記ゲートと前記
半導体チップとの略中間位置に形成されていることを特
徴とする請求項４記載のリードフレーム。 - 【請求項８】 前記モールド樹脂は、熱可塑性樹脂であ
ることを特徴とする請求項４記載のリードフレーム。 - 【請求項９】 トランスファモールド法により樹脂封止
する際にモールド樹脂によって封止される部分に、前記
樹脂封止を行うときに、キャビティ内でのモールド樹脂
の流れを調整するための部材が少なくとも一つ形成され
ていることを特徴とするリードフレーム。 - 【請求項１０】 共通の水平面を形成する複数のリード
と、 前記水平面に対して傾斜して形成された少なくとも一つ
の部材と、 を具備することを特徴とするリードフレーム。 - 【請求項１１】 請求項１０記載のリードフレームを含
むことを特徴とする半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10095878A JPH10340976A (ja) | 1997-04-10 | 1998-04-08 | 樹脂封止型半導体装置 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9-106820 | 1997-04-10 | ||
| JP10682097 | 1997-04-10 | ||
| JP10095878A JPH10340976A (ja) | 1997-04-10 | 1998-04-08 | 樹脂封止型半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10340976A true JPH10340976A (ja) | 1998-12-22 |
Family
ID=26437037
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10095878A Pending JPH10340976A (ja) | 1997-04-10 | 1998-04-08 | 樹脂封止型半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10340976A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| SG89348A1 (en) * | 2000-08-29 | 2002-06-18 | Micron Technology Inc | U-shaped tape for boc fbga package to improve moldability |
| US6737735B2 (en) | 2002-02-27 | 2004-05-18 | Nec Electronics Corporation | Semiconductor device wiring lead frame having resin flow control plates |
| WO2007128449A1 (de) * | 2006-05-05 | 2007-11-15 | Wabco Gmbh | Induktiver sensor |
| JP2018157134A (ja) * | 2017-03-21 | 2018-10-04 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置の製造方法および半導体装置 |
| KR20200126736A (ko) * | 2019-04-30 | 2020-11-09 | 현대자동차주식회사 | 지그 및 모터를 이용한 전자 부품 몰딩 장치 |
-
1998
- 1998-04-08 JP JP10095878A patent/JPH10340976A/ja active Pending
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| SG89348A1 (en) * | 2000-08-29 | 2002-06-18 | Micron Technology Inc | U-shaped tape for boc fbga package to improve moldability |
| US6486536B1 (en) | 2000-08-29 | 2002-11-26 | Micron Technology, Inc. | U-shape tape for BOC FBGA package to improve moldability |
| US6737735B2 (en) | 2002-02-27 | 2004-05-18 | Nec Electronics Corporation | Semiconductor device wiring lead frame having resin flow control plates |
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