JPH1034992A

JPH1034992A - サーマルヘッド

Info

Publication number: JPH1034992A
Application number: JP19602296A
Authority: JP
Inventors: Minoru Ogawa; 実小川; Mitsuharu Endo; 光治遠藤; Shinichi Mizushima; 眞一水島
Original assignee: TEC CORP
Current assignee: TEC CORP
Priority date: 1996-07-25
Filing date: 1996-07-25
Publication date: 1998-02-10

Abstract

(57)【要約】【課題】共通電極の電流容量を確保して、高品位な印字
品質を得る。【解決手段】基板１１の端面１３から裏面１５にわたっ
て下地電極層１５を形成し、この下地電極層１５の形成
後、電極層１９を形成したもの。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】この発明は、用紙に発熱作用
によりインクを転写等をするためのサーマルヘッドに係
り、特に平板状の直方体基板の一端の角に形成された面
取り状の傾斜面上に形成された曲面を有する絶縁層上
に、前記傾斜面の傾斜方向に予め設定された距離だけ隔
てた一対の電極を複数組配置し、この各一対の電極間に
形成された発熱抵抗体からなるサーマルヘッドに関す
る。

【０００２】

【従来の技術】平板状の直方体基板の一端の角に面取り
状の傾斜面を形成し、この傾斜面に発熱抵抗体素子を形
成したエッジ型サーマルヘッドとしては、例えば実開昭
５７−９３４５２号、特開昭６３−１５３１６５号、特
開平２−１０６３５７号、特開平４−８３６５２号等に
記載されている。

【０００３】図８は、前述の実開昭５７−９３４５２号
に記載されているエッジ型サーマルヘッド示す断面図で
ある。基板１０１は、アルミナ等のセラミック材料から
形成された平板状直方体基板である。ただし、その一端
は研削等により除々に薄くなるようにテーパ状の傾斜面
１０２が形成され、この傾斜面上にグレーズ層１０３が
形成される。このグレーズ層１０３の厚さは例えば１０
〜２００μｍ程度であり、その表面は選択的にエッチン
グされ、凸部が形成されている。

【０００４】このグレーズ層１０３上には複数個の発熱
用抵抗層１０４( 各１個が１つの印字素子となる )が配
列され、各発熱抵抗層１０４に電気的に接続するよう
に、一対の通電層１０５，１０６が重ねられて形成さ
れ、これらの通電層１０５，１０６は、基板１０１の主
面及び主裏面に形成されたリード層１０７，１０８と電
気的に接続する。さらに、グレーズ層１０３上には、耐
摩耗層１０９が傾斜面全域にわたって形成されている。

【０００５】図９は、前述の特開昭６３−１５３１６５
号に記載されているエッジ型サーマルヘッド示す断面図
である。基板１１１は、アルミナ等のセラミック材料か
ら形成された平板状直方体基板の主面１１２と端面１１
３との間の角に傾斜面１１４が主面１１２に対して３０
°の角度をなすように形成されている。この傾斜面１１
４の幅ｔは０．２ｍｍで、その表面に１０〜６０μｍ(
好ましくは１０〜２０μｍ )の厚さになるようにガラス
グレーズ層１１５が形成されている。なお、ガラスグレ
ーズ層１１５の他の部分( 傾斜面上以外の部分、主面１
１２上の部分、端面１１３上の部分 )における厚さは、
１０〜１５０μｍでも良い。ガラスグレーズ層１１５の
表面の発熱部をなすべき部分には、Ｓi Ｏ2 などからな
るアンダーコート膜１１６が蒸着マスクを用いてイオン
プレーティングにより被着されている。このアンダーコ
ート膜１１６の表面には、スパッタリングによりＴa2Ｎ
からなる発熱抵抗体１１７が形成されている。またこの
発熱抵抗体１１７の端部に接して、主面１１２側及び端
面１１３側へ引伸ばされたＣr-Ａu 等からなる配線層１
１８，１１９が蒸着等を行った後、フォトエッチングを
行うことにより所定の回路パターン形状に形成されてい
る。さらに、その表面には、耐摩耗性に優れ、酸化防止
のためのＳi Ｏ2 等からなる保護層１２０がイオンプレ
ーティングにより形成されている。

【０００６】図１０は、前述の特開平２−１０６３５７
号に記載されているエッジ型サーマルヘッド示す断面図
である。なお、この特開平２−１０６３５７号のエッジ
型サーマルヘッドは、前述の特開昭６３−１５３１６５
号のエッジ型サーマルヘッドを改良したものである。

【０００７】基板１１１の主面１１２と端面１１３との
間の角に傾斜面１１４を形成した後、主面１１２から傾
斜面１１４、さらに端面１１３にわたってガラスグレー
ズ層１１５を形成すると、主面１１２と傾斜面１１４と
の稜線部分( 境界 )１１２-1及び傾斜面１１４と端面１
１３との稜線部分( 境界 )１１３-1において、ガラスグ
レーズ層１１５が肉薄となり、その平滑性が損なわれが
ちになり、場合によっては基板１１１自体が露出してし
まうことさえあり、印字むらが生じ、基板製造において
歩留まりを低下させる要因となる。

【０００８】このガラスグレーズ層１１５が稜線部分１
１２-1，１１３-1で肉薄になる原因については記載され
ていないが、ガラスグレーズ層１１５を形成するとき
に、ガラスグレーズ層１１５が固化する前の表面張力に
より、主面１１２、傾斜面１１４、端面１１３において
ガラスグレーズ材料がそれぞれの各面の中央に凝集し
て、稜線部分１１２-1，１１３-1のガラスグレーズ材料
が両側に引っ張られるためであると考えられる。

【０００９】この稜線部分１１２-1，１１３-1のガラス
グレーズ層１１５の厚さを保つ方法として、特開昭６３
−１５３１６５号では、稜線部分１１２-1，１１３-1を
ルビー砥石等により面取りすることが記載されている。

【００１０】図１１は、前述の特開平４−８３６５２号
に記載されているエッジ型サーマルヘッド示す断面図で
ある。

【００１１】基板１３１の主面１３２と端面１３３との
間の角に傾斜面１３４を形成し、この主面１３２と傾斜
面１３４との稜線部分１３２-1及び、傾斜面１３４と端
面１３３との稜線部分１３３-1を面取り加工もしくは弧
状に丸める加工を行うことが記載されている。なお、こ
の加工の後、ガラスグレーズ層１３５を主面１３２から
傾斜面１３４、端面にわたって形成するものである。

【００１２】ガラスグレーズ層の上に形成される電極パ
ターンは、ガラスグレーズ層の上に電極層を形成し、さ
らにその上にフォトレジスト膜をスピンナー法、ディッ
プ法、スピンナー法とディップ法とを組み合わせた方法
等により形成し、フォトリソグラフィ工程( の露光 )で
電極パターンを形成する。スピンナー法では、電極層ま
で形成したサーマルヘッドを円周軌道上にセットし、こ
のサーマルヘッドを円周上で高速回転させ、その遠心力
を使用してレジスト材料を塗布するものであり、一方、
ディップ法はフォトレジスト材料を満たした容器内に電
極層まで形成したサーマルヘッドを浸し、非常にゆっく
りと引上げることにより均一にフォトレジスト膜を形成
するものである。レジストの塗布方法としては、それ以
外にもロールコータ法等の各種方法もあるが、ここでは
それらの説明は省略する。

【００１３】フォトリソグラフィ工程では、まず、露光
機にレジスト形成基板ををセットし、サーマルヘッドの
主面と露光マスクを平行に接触させて、所定時間露光を
行って現像する。次に、現像後のレジストを硬化させ、
ウエットエッチング又はドライエッチングにより、パタ
ーニング( 電極パターンを形成 )を行う。その後、不要
になったレジストを除去する。

【００１４】

【発明が解決しようとする課題】例えば、サーマルヘッ
ドに用いる基板の製造では、大きい( 広い )セラミック
の板材を製造し、基板の形状( 大きさ )に合うように切
断する。その切断面、すなわち基板の端面及び側面( 主
面と裏面を除く面 )は、その表面が粗く、この端面上に
電極層( 通電層 )を形成し、電極パターンを形成するた
めのレジストを塗布すると、端面でのレジストの厚さが
不均一になり、しかも端面と裏面との間の角でレジスト
の膜厚が薄くなり、露光・現像・エッチングを行うと、
端面及び端面と裏面との間の角で部分的な断線( ピンホ
ール的欠落も含む )が発生し、端面から裏面にわたて形
成される共通電極の抵抗値上昇を引起こす虞がある。こ
のような共通電極の抵抗値上昇、すなわち電流容量の減
少は、印字品質の低下を招き、サーマルヘッドとして不
良になるという問題があった。

【００１５】そこでこの発明は、共通電極の電流容量を
確保することができ、高品位な印字品質を得ることがで
きるサーマルヘッドを提供することを目的とする。

【００１６】

【課題を解決するための手段】請求項１対応の発明は、
平板状の直方体基板の一端の角に形成された面取り状の
傾斜面上に形成された曲面を有する絶縁層上に、傾斜面
の傾斜方向に予め設定された距離だけ隔てた一対の電極
を複数組配置し、この各一対の電極間に形成された発熱
抵抗体からなるサーマルヘッドにおいて、直方体基板の
傾斜面が形成された側の端面を研磨加工したものであ
る。

【００１７】請求項２対応の発明は、平板状の直方体基
板の一端の角に形成された面取り状の傾斜面上に形成さ
れた曲面を有する絶縁層上に、傾斜面の傾斜方向に予め
設定された距離だけ隔てた一対の電極を複数組配置し、
この各一対の電極間に形成された発熱抵抗体からなるサ
ーマルヘッドにおいて、電極の層を形成する前に、電極
の共通電極の補助回路として、端面に下地電極層を形成
したものである。

【００１８】請求項３対応の発明は、平板状の直方体基
板の一端の角に形成された面取り状の傾斜面上に形成さ
れた曲面を有する絶縁層上に、傾斜面の傾斜方向に予め
設定された距離だけ隔てた一対の電極を複数組配置し、
この各一対の電極間に形成された発熱抵抗体からなるサ
ーマルヘッドにおいて、電極の層を形成する前に、電極
の共通電極の補助回路として、直方体基板の傾斜面が形
成される側の主面に対する裏面から傾斜面が形成される
側の端面にわたって、下地電極層を形成したものであ
る。

【００１９】請求項４対応の発明は、請求項２及び請求
項３のいずれか１項対応の発明において、下地電極層を
形成する前に、主面と傾斜面との間の稜線部分、傾斜面
と端面との間の稜線部分及び端面と裏面との間の角を面
取処理及び曲面処理するものである。請求項５対応の発
明は、請求項２及び請求項３のいずれか１項対応の発明
において、下地電極層を形成した後で、しかも電極を形
成する前に、主面と傾斜面との間の稜線部分及び傾斜面
と端面との間の稜線部分を面取処理及び曲面処理するも
のである。

【００２０】

【発明の実施の形態】以下、この発明の第１の実施の形
態を図１乃至図４を参照して説明する。図１は、この発
明を適用したサーマルヘッドを示す側面断面図であり、
図２は、このサーマルヘッドを示す上面図である。平板
状の直方体の基板１は、アルミナ等のセラミックス材料
から形成された絶縁性基板である。

【００２１】この基板１の端面３は研磨処理( 面粗さＲ
ａ＝０．１μｍ以下 )を施し、前記基板１の一端の角、
すなわち、この基板１の主面２と端面３とで形成する角
( 稜線部分 )には、面取り状の傾斜面４が研磨加工によ
り形成される。この傾斜面４の前記主面２に対する傾斜
角度は約２５°で、その幅は３００μｍである。前記主
面２と前記傾斜面４との間の稜線部分及び前記傾斜面４
と前記端面３との間の稜線部分、さらに前記端面３と前
記基板１の裏面５とで形成する角( 稜線部分 )には、図
３に示すように面取加工又は図４に示すように曲面( 丸
み )加工を施す。

【００２２】このようにして形成された前記傾斜面４の
幅全域にわたってガラスペーストを塗布し、焼成( 焼結
)することにより、ガラスペーストが溶融し、表面張力
により前記傾斜面４の中央に凝集して、上側に凸形状に
湾曲し、その頂線が傾斜面の長手方向に沿って形成され
たガラスグレーズ層６を形成する。なお、ガラスグレー
ズ層６の表面粗さはＲａ＝０．００３μｍ程度の非常に
滑らかな面となる。

【００２３】このガラスグレーズ層６が形成された基板
１を洗浄した後、スパッタ装置、蒸着装置等の薄膜形成
装置にセットして、Ｔa-Ｓi Ｏ2 等の抵抗体膜７、Ａl
等の電極膜８を成膜する。なお、特に電極膜８は、前記
主面２から前記ガラスグレーズ層６、前記端面３及び前
記裏面５にわたって成膜する。すなわち、この後で形成
される電極膜８の電極パターンは、ガラスグレーズ層６
に関して、前記主面２から前記傾斜面４( ガラスグレー
ズ層６ )にわたる個別電極８-1と、前記傾斜面４から前
記端面３、さらに前記裏面５にわたる共通電極８-2とを
備えている。なお、図２中の破線は前記主面２と前記傾
斜面４との間の稜線部分を示す。

【００２４】次に、この電極膜８を形成した基板１のほ
ぼ全体にレジストをレジスト粒子を帯電させ、電極膜８
をグラウンド( ０ [Ｖ] )に接続してレジスト粒子を噴
射付着するスプレー法により塗布する。この塗布を終了
すると、形成されたレジスト膜を９０℃で２５分間加熱
( ベーク、溶剤除去のため )した後、電極パターンを形
成するためのフォトリソグラフィ工程を行う。

【００２５】まず、露光機にレジスト形成基板をセット
し、前記基板１の主面２と露光マスク１１とを平行に接
触させ、前記傾斜面４上のレジスト膜の露光の光路にお
ける膜厚に対応した、電極パターン以外のレジストを現
像で除去するのに最適な露光時間で露光を行う。この露
光が終了すると現像を行う。この現像( 現像液 )によ
り、露光された部分のレジスト膜が溶融して除去され、
露光されなかった部分のレジスト膜はほとんど溶融しな
いでそのまま残る。

【００２６】この現像が終了すると、１２０℃で２５分
間加熱・硬化( キュアー )させる。この加熱・硬化を終
了すると、酢酸又は燐酸系のエッチング液によりウエッ
トエッチングを行い、電極パターン( Ａl の電極膜８ )
のパターニング( パターンの形成 )を行い、さらにＣＦ
4 ＋Ｏ2 系のエッチングガスによりドライエッチングを
行い、Ｔa-Ｓi Ｏ2 の抵抗体膜７のパターニングを行
う。この電極パターンを形成するためのフォトリソグラ
フィ工程の最後として、レジスト剥離剤あるいはＯ2 ア
ッシャー( 噴射機 )により、残るレジスト膜を除去す
る。

【００２７】次に、発熱抵抗体を露出させるためのフォ
トリソグラフィ工程を行う。この発熱抵抗体を露出させ
るために特別にフォトリソグラフィ工程を行う理由は、
発熱抵抗体をガラスグレーズ層６の頂線( 最初に用紙に
接触する部分 )に対して高精度に位置決めしなければな
らないからである。まず、レジストを塗布し、発熱抵抗
体を露出させるための露光マスクと前記傾斜面４とを平
行接触させて、この傾斜面４上のレジスト膜の膜厚に対
応した最適な露光時間で露光を行って現像する。この現
像( 現像液 )により、発熱抵抗体を露出させる部分のレ
ジスト膜のみが溶融してなくなり、それ以外の部分のレ
ジスト膜はそのまま残る。

【００２８】この現像を終了すると、エッチング液によ
りウエットエッチングを行い、発熱抵抗体を露出させる
部分の電極膜を溶融して取除く。この電極膜が取り除か
れて発熱抵抗体( 抵抗体膜７ )が露出した部分が発熱素
子１０となる。このウエットエッチングを終了すると、
レジスト剥離剤あるいはＯ2 アッシャーにより、残るレ
ジスト膜を除去する。

【００２９】この発熱抵抗体を露出させるためのフォト
リソグラフィ工程を終了すると、スパッタ装置等の薄膜
形成装置を使用して、電極膜８のボンディングパット部
( 電気的接続のためのワイヤがハンダ付けされる部分 )
を除いて、Ｓi Ｏ2 、Ｓi ＯＮ等の( マスクスパッタ )
保護膜９を成膜する。この基板１を、図示しないが、放
熱板に固定し、駆動ＩＣ、回路基板と電気的に接続して
サーマルヘッドの完成となる。

【００３０】このようにこの第１の実施の形態によれ
ば、基板１の端面３に研磨処理を施し、主面２と傾斜面
４との間の稜線部分、傾斜面４と端面３との間の稜線部
分、さらに端面３と裏面５とで形成する角( 稜線部分 )
には、面取加工又は曲面( 丸み)加工を施すことによ
り、端面３上に電極膜８を膜厚が均一にしかも表面粗さ
が滑らかに形成することができ、従ってこの端面３上に
レジスト膜を膜厚が均一にしかも表面粗さが滑らかに形
成することができる。一方、各稜線部分でも電極膜８等
を膜厚が均一に形成でき、従って各稜線部分でレジスト
膜の膜厚が薄くなるのを抑えることができる。以上の結
果により、個別電極８-1及び共通電極８-2における部分
的な断線( ピンホール的欠落も含む )の発生を防止し
て、個別電極のパターン及び共通電極の電流容量を確保
することができ、高品位な印字品質を得ることができ
る。

【００３１】この発明の第２の実施の形態を図５を参照
して説明する。図５は、この発明を適用したサーマルヘ
ッドを示す側面断面図である。平板状の直方体の基板１
１の主面１２と端面１３とで形成する角( 稜線部分 )
に、面取り状の傾斜面１４が研磨加工により形成され、
前記主面１２と前記傾斜面１４との間の稜線部分及び前
記傾斜面１４と前記端面１３との間の稜線部分、さらに
前記端面１３と前記基板１１の裏面１５で形成する角に
は、面取加工又は曲面( 丸み )加工を施す。

【００３２】前記傾斜面４の幅全域にわたってガラスグ
レーズ層１６を形成し、前記裏面１５から前記端面１３
及び前記ガラスグレーズ層１６の一部( 端部 )にわたっ
て下地電極層１７を形成する。なお、この第１の実施の
形態では、前記裏面１５から前記ガラスグレーズ層１６
の一部にわたって下地電極層１７を形成するようになっ
ているが、この発明はこれに限定されるものではなく、
端面１３にだけ下地電極層を形成しても良いものであ
る。その場合でも後述するこの発明の効果を得ることが
できる。

【００３３】この下地電極層１７は、洗浄後、厚膜印刷
法、又はディップ法、又は転写法等により金ペーストに
より形成され、その膜厚は後述する共通電極( 電極パタ
ーン)を形成する電極層の膜厚１μｍに対して約１０μ
ｍ程度となる。この膜厚は、前記ガラスグレーズ層１６
の一部にかかる部分が顕著に突出せず、前記傾斜面１４
と前記端面との間の稜線部分で盛り上がらない程度にな
るべく厚く形成した。前記下地電極層１７の材料として
金材料を選択した理由は、後述する共通電極(電極パタ
ーン )を形成する電極層の材料とは異なるもので、電極
パターンのエッチング液に対して溶融しにくいものとい
う条件に適合するものだからである。

【００３４】なお、ここでは、電流容量を十分に確保す
る目的で、なるべく厚く形成したが、電流容量を必要な
程度に確保するならば、後述する共通電極を形成する電
極層を形成する薄膜形成装置を使用してこの下地電極層
を形成しても良いものである。この下地電極層１７の
形成の次に、Ｔa-Ｓi Ｏ2 等の抵抗体膜１８、Ａl 等の
電極膜１９を成膜する。これ以降の工程は前述の第１の
実施の形態と同様なので、その説明は省略する。なお、
２０は保護膜である。

【００３５】このようにこの第２の実施の形態によれ
ば、基板１１の端面１３から裏面１５にわたって下地電
極層１５を形成したことにより、電極膜１９による電極
パターンの共通電極に部分的な断線( ピンホール的欠落
を含む )が発生しても、下地電極層１５により電流容量
を必要な程度以上確保することができ、より高品位な印
字品質を得ることができる。

【００３６】この発明の第３の実施の形態を図６を参照
して説明する。前述の第２の実施の形態において、下地
電極層１７をガラスグレーズ層１６の形成後に形成して
いたのに対して、この第３の実施の形態では、図６に示
すように、下地電極層１７を先に基板１１に形成した
後、ガラスグレーズ層１６を形成するものである。この
とき、ガラスグレーズ層１６の下( ガラスグレーズ層１
６と傾斜面１４との間 )になるべく下地電極層１７が入
り込まないように、傾斜面１４上での下地電極層１７の
形成を最小限にする。下地電極層１７が傾斜面１４上に
広がって形成されると、ガラスグレーズ層１６の形成に
おいてその形状精度が低下する虞がある。

【００３７】なお、この場合にはガラスグレーズ層１６
を形成するガラスペーストの焼成温度と下地電極層１７
を形成する金属ペーストの焼成温度との関係である。一
般的にガラスペーストの焼成温度は、金属ペーストの焼
成温度より高いため、前述の第２の実施の形態では問題
がなく、この第２の実施の形態では金属ペーストとして
金を使用したが、この第３の実施の形態では、ガラスグ
レーズ層１６を下地電極層１７を形成した後で形成する
ので、ガラスペーストの焼成温度に対して金属ペースト
の焼成温度が高くなければならない。従って、ガラスペ
ーストとして焼成温度が金属ペーストより低いものを使
用し、金属ペーストとして焼成温度が高いものを使用す
る必要がある。焼成温度が高い金属ペーストとしては例
えば白金がある。

【００３８】このようにこの第３の実施の形態によれ
ば、前述の第２の実施の形態と同様な効果を得ることが
できる。さらに、下地電極層１７がガラスグレーズ層１
６の表面にはみ出さないので、レジスト膜を精度高く均
一に形成することができるという効果を得ることがで
き、電極パターンを正確に形成することができ、より高
品位な印字品質を得ることができる。

【００３９】この発明の第４の実施の形態を図７を参照
して説明する。この第４の実施の形態は、傾斜面１４を
形成する前に下地電極層１７を形成しておくもので、こ
のようにすることにより、下地電極層１７はガラスグレ
ーズ層１６の下( ガラスグレーズ層１６と傾斜面１４と
間 )に入り込むことがない。すなわち、図７( ａ )に示
すように、傾斜面１４を形成する前の基板１１に対し
て、図７( ｂ )に示すように、その端面１３から裏面１
５にわたって下地電極層１７を形成する。次に、図７(
ｃ )に示すように、主面１２と端面１３との角に傾斜面
１４を形成する。ここで、主面１２と傾斜面１４との間
の稜線部分等を面取り加工又は曲面( 丸み )加工を施
し、図７( ｄ )に示すように、ガラスグレーズ層１６を
形成するものである。

【００４０】このようにこの第４の実施の形態によれ
ば、前述の第３の実施の形態と同様な効果を得ることが
できる。さらに、下地電極層１７も傾斜面１４の研磨加
工により研磨されるので、傾斜面１４と端面１３上の下
地電極層１７との間の稜線部分から端面１３上の下地電
極層１７、端面１３上の下地電極層１７と裏面１５上の
下地電極層１７との間の角( 稜線部分 )、裏面１５上の
下地電極層にわたって、その表面形状及び表面粗さが滑
らかになり、電極パターンをより正確に形成することが
でき、より高品位な印字品質を得ることができる。

【００４１】

【発明の効果】以上詳述したようにこの発明によれば、
共通電極の電流容量を確保することができ、高品位な印
字品質を得ることができるサーマルヘッドを提供でき
る。

【図面の簡単な説明】

【図１】この発明の第１の実施の形態のサーマルヘッド
を示す側面断面図。

【図２】同実施の形態のサーマルヘッドを示す上面図。

【図３】同実施の形態のサーマルヘッドの製造工程中の
稜線部分の面取加工を示す側面図。

【図４】同実施の形態のサーマルヘッドの製造工程中の
稜線部分の曲面加工を示す側面図。

【図５】第２の実施の形態のサーマルヘッドを示す側面
断面図。

【図６】第３の実施の形態のサーマルヘッドの要部( 製
造工程中 )を示す側面断面図。

【図７】第４の実施の形態のサーマルヘッドのガラスグ
レーズ層を形成するまでの製造工程を示す側面断面図。

【図８】第１の従来例のエッジ型サーマルヘッドを示す
断面図。

【図９】第２の従来例のエッジ型サーマルヘッドを示す
断面図。

【図１０】第３の従来例のエッジ型サーマルヘッドを示
す断面図。

【図１１】第４の従来例のエッジ型サーマルヘッドを示
す断面図。

【符号の説明】

１，１１…基板、２，１２…主面、３，１３…端面、４，１４…傾斜面、５，１５…裏面、６，１６…ガラスグレーズ層、７，１８…抵抗体膜、８，１９…電極膜、１７…下地電極層。

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】平板状の直方体基板の一端の角に形成さ
れた面取り状の傾斜面上に形成され曲面を有する絶縁層
上に、前記傾斜面の傾斜方向に予め設定された距離だけ
隔てた一対の電極を複数組配置し、この各一対の電極間
に形成された発熱抵抗体からなるサーマルヘッドにおい
て、前記直方体基板の前記傾斜面が形成された側の端面を研
磨加工したことを特徴とするサーマルヘッド。
【請求項２】平板状の直方体基板の一端の角に形成さ
れた面取り状の傾斜面上に形成され曲面を有する絶縁層
上に、前記傾斜面の傾斜方向に予め設定された距離だけ
隔てた一対の電極を複数組配置し、この各一対の電極間
に形成された発熱抵抗体からなるサーマルヘッドにおい
て、前記電極の層を形成する前に、前記電極の共通電極の補
助回路として、前記直方体基板の傾斜面が形成される側
の端面に下地電極層を形成したことを特徴とするサーマ
ルヘッド。
【請求項３】平板状の直方体基板の一端の角に形成さ
れた面取り状の傾斜面上に形成され曲面を有する絶縁層
上に、前記傾斜面の傾斜方向に予め設定された距離だけ
隔てた一対の電極を複数組配置し、この各一対の電極間
に形成された発熱抵抗体からなるサーマルヘッドにおい
て、前記電極の層を形成する前に、前記電極の共通電極の補
助回路として、前記直方体基板の傾斜面が形成される側
の主面に対する裏面から前記傾斜面が形成される側の端
面にわたって、下地電極層を形成したことを特徴とする
サーマルヘッド。
【請求項４】前記下地電極層を形成する前に、前記直
方体基板の傾斜面が形成される側の主面と前記傾斜面と
の間の稜線部分、前記傾斜面と前記端面との間の稜線部
分及び前記端面と前記裏面との間の角を面取処理及び曲
面処理することを特徴とする請求項２及び請求項３のい
ずれか１項記載のサーマルヘッド。
【請求項５】前記下地電極層を形成した後で、しかも
電極を形成する前に、前記主面と前記傾斜面との間の稜
線部分及び前記傾斜面と前記端面との間の稜線部分を面
取処理及び曲面処理することを特徴とする請求項２及び
請求項３のいずれか１項記載のサーマルヘッド。