JPH103665A

JPH103665A - 光ディスク装置

Info

Publication number: JPH103665A
Application number: JP15381796A
Authority: JP
Inventors: Satoshi Fukuhisa; 聡福久
Original assignee: NEC Corp
Current assignee: NEC Corp
Priority date: 1996-06-14
Filing date: 1996-06-14
Publication date: 1998-01-06

Abstract

(57)【要約】【課題】従来は、線速度が速くなるに従って記録変調
度を高くするように制御しているため、線速度に依存し
て再生Ｃ／Ｎが大きく変化してしまう。また、最大記録
パワーを必要以上に増大させ、光源の負荷を増大させて
いる。【解決手段】記録パワーＰ_W及びバイアスパワーＰ_Bの
うち、記録パワーＰ_Wを最低線速度Ｖ₁の位置から最高線
速度Ｖ₂までの光ディスク上の記録区間において、従来
装置と同様に、実線１１で示すように線速度に比例して
高くなるように設定する。一方、バイアスパワーＰ
_Bは、この実施の形態では従来装置とは異なり、１２で
示すように、線速度に比例して高くなるように設定す
る。ただし、その変化率は記録変調度が線速度に無関係
に一定値になるように設定される。光ディスク上の線速
度が遅い領域において従来装置よりも再生Ｃ／Ｎ特性を
良好にできると共に、光源にかかる負荷を低減できる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は光ディスク装置に係
り、特に光を利用して記録媒体に対して情報の記録再生
を行う光ディスク装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来より、光源からの出射光を収束光学
系によって微小スポットとして記録媒体である光ディス
ク面上に集光し、微小スポットの光強度を、記録アンプ
からの記録する情報信号で変調して記録を行い、光ディ
スクに記録された情報により光強度等が変化する反射光
を光検出器に導いて光電変換させた後再生アンプに供給
して記録情報信号を再生させる光ディスク装置が知られ
ている。

【０００３】図４はこの従来の光ディスク装置の一例の
ブロック図を示す。同図において、矢印方向に一定の角
速度ω（線速度Ｖはスポットのディスク半径位置ｒに応
じて変化する）で回転している光ディスク４１の媒体面
上に、光ヘッド装置４２内の光源から出射した光が収束
光学系により集光されて微小スポットを形成する。記録
時には、記録情報信号が光ヘッドドライブ周辺回路４３
内の変調器４４で変調された後記録アンプ４５に入力さ
れる。

【０００４】ここで、記録アンプ４５は入力信号を電力
増幅し、かつ、電流に変換する増幅部と、外部から入力
される後述のトラックアドレスを解析し、予め定めた手
順に従い増幅部の利得を可変制御する制御部とから構成
されている。記録アンプ４５で電力増幅され、かつ、電
流に変換された記録情報信号は、光ヘッド装置４２内の
レーザダイオード等の光源を駆動し、その出射光の光強
度を記録情報信号により変調する。

【０００５】すなわち、記録時において、出射光により
光ディスク４１の媒体面上に形成される微小スポット
は、記録アンプ４５によって、光強度の強弱、すなわ
ち、記録時の光パワーの上限値（記録パワー）と下限値
（バイアスパワー）として変調される。図５は変調され
て光パワーとして発生する記録パワーとバイアスパワー
の変調状態の一例を示す。同図において、Ｐ_maxは許容
最大光パワー、Ｐ_Wは記録パワー、Ｐ_Bはバイアスパワー
を示す。

【０００６】光ヘッド装置４２内の収束光学系を透過し
た光は、光ディスク４１の媒体面上に微小スポットとし
て収束され、記録マークを形成する。ここで、光ディス
ク４１は例えば光磁気ディスクで、磁化方向が媒体表面
の垂直方向に、かつ、同一方向に整列された磁性膜から
なり、その磁性膜に図示しない磁界印加手段により一定
方向に磁界が印加されている。

【０００７】この状態において、上記の微小スポットが
磁性膜に形成されると、そのスポット形成媒体部分が光
の熱エネルギーにより局所的に加熱されてキュリー温度
付近まで上昇し、上記の磁界により磁性膜の磁化方向を
反転させることができ、加熱をその後に停止してもその
磁化方向を保持できる。しかし、上記のバイアスパワー
ではキュリー温度付近まで温度が上昇しないので、磁化
反転は生じない。このようにして、磁化方向の反転の有
無により情報信号が記録される。

【０００８】一方、再生時においては、光ヘッド装置４
２から光ディスク４１に上記の磁化反転を生じさせない
一定光強度で光が照射され、その反射光が記録マークに
従って光強度あるいは偏光面が変調される。この反射光
は光ヘッド装置４２内の光検出器に入射されて上記の光
強度あるいは偏光面の変化に対応した電気信号に変換さ
れる。この電気信号は、光ヘッドドライブ周辺回路４３
内の再生アンプ４６により増幅された後、復調器４７に
供給されて再生データに変換される。

【０００９】ここで、光ディスク４１には予め媒体面上
の位置を示すアドレス（例えばトラックアドレス）が特
定の記録領域に記録されており、再生時は勿論のこと記
録時にもこの特定領域走査期間中は再生モードに切り換
わって、この特定の記録領域から記録位置を示すアドレ
スが再生されるようになされている。

【００１０】従って、記録時は上記のアドレス情報がト
ラックアドレスカウンタ４８に供給される。トラックア
ドレスカウンタ４８は、入力されたアドレス情報をカウ
ントして記録アンプ４５に供給する。記録アンプ４５内
の前記制御部はこの入力アドレス情報に基づいて、微小
スポットによる記録位置を判別し、その記録位置に応じ
て、記録アンプ４５内の増幅部の記録パワーとバイアス
パワーの設定値（利得）を制御する。記録アンプ４５内
の増幅部はこの設定値に基づいた記録パワーとバイアス
パワーが光ヘッド装置４２から出力されるように、変調
器４４からの信号を記録電流に変換増幅して光ヘッド装
置４２内の光源を駆動する。

【００１１】図６は上記のようにして制御された従来の
光ディスク装置の光パワーの線速度依存性を示す。同図
において、記録パワーＰ_W及びバイアスパワーＰ_Bのう
ち、記録パワーＰ_Wは最低線速度Ｖ₁の位置から最高線速
度Ｖ₂までの光ディスク上の記録区間において、実線６
１で示すように線速度に比例して高くなるように設定さ
れる。これは、線速度が遅い領域では、記録マークを形
成するための加熱期間が長いので、比較的弱い記録パワ
ーでも磁化反転に必要な加熱温度が得られるのに対し、
線速度が速い領域では、記録マークを形成するための加
熱期間が短いのでそのままの記録パワーでは磁化反転に
必要な加熱温度が得られないこともあるので、記録パワ
ーを大きくして磁化反転に必要な加熱温度を得るためで
ある。

【００１２】一方、バイアスパワーＰ_Bは、同図に６２
で示すように、線速度に無関係に一定値に制御される。
なお、図６中、Ｐ_m1は許容最大光パワーＰ_maxと最高の
記録パワーＰ_Wとの差の光パワーマージンを示す。

【００１３】図７は上記のようにして制御された従来の
光ディスク装置の記録変調度の線速度依存性を示す。記
録変調度ｍは（Ｐ_W−Ｐ_B）／（Ｐ_W＋Ｐ_B）で表され、ま
た記録パワーＰ_Wは前記したように線速度に比例して高
くされるから、線速度が上記のＶ₁のときの記録変調度
ｍ₁は、線速度が上記のＶ₂（Ｖ₁＜Ｖ₂）のときの記録変
調度ｍ₂に比し小である。従って、図７に実線で示すよ
うに、記録変調度は線速度に比例して変化する。

【００１４】図８は光ディスク装置の一例の再生Ｃ／Ｎ
対線速度特性図を示す。同図において、再生Ｃ／Ｎ対線
速度特性８１、８２は、それぞれ光ディスクの線速度に
関係なく、記録パワー及びバイアスパワーを固定し、記
録変調度を前記ｍ₂、ｍ₁（ｍ₁＜ｍ₂）でそれぞれ記録し
たときの再生Ｃ／Ｎ対線速度特性を示す。この特性８１
及び８２からわかるように、同一の線速度の条件におい
ては、記録変調度が大きいほど再生搬送波電力対雑音電
力比（Ｃ／Ｎ）は良好である。また、記録変調度が同一
の条件においては、線速度が速いほど再生Ｃ／Ｎは良好
である。

【００１５】

【発明が解決しようとする課題】しかるに、従来の光デ
ィスク装置では、図７に示したように、線速度が速くな
るに従って記録変調度を高くするように制御しているた
め、再生Ｃ／Ｎ対線速度特性は図８に８３で示すように
変化する。このため、線速度が比較的遅いときは記録変
調度が低いために再生Ｃ／Ｎが比較的悪く、線速度が比
較的速いときは記録変調度が高いために再生Ｃ／Ｎが比
較的良好となり、図８に８３で示すように線速度に依存
して再生Ｃ／Ｎが大きく変化してしまう。

【００１６】また、従来の光ディスク装置は、線速度が
速いときは記録パワーを大きくする必要があるため、最
大記録パワーを必要以上に増大させ、光源の負荷を増大
させているという問題もある。

【００１７】本発明は以上の点に鑑みなされたもので、
線速度に依存する再生Ｃ／Ｎの変化を小さくして良好な
記録再生特性が得られる光ディスク装置を提供すること
を目的とする。

【００１８】また、本発明の他の目的は、光源にかかる
負荷を減少し得る光ディスク装置を提供することにあ
る。

【００１９】

【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
め、本発明は記録アンプから情報信号に応じて変調した
記録電流を取り出して光源を駆動し、光源から出射した
光を、収束光学系を通して回転数一定の光ディスクの媒
体面上に照射して微小スポットを形成することにより、
情報信号を記録するに際し、微小スポットの光パワーの
強弱を、記録アンプにおいて記録時の光パワーの上限値
である記録パワーと下限値であるバイアスパワーにする
ように制御して記録を行う光ディスク装置において、光
ディスクの媒体面上の微小スポットの位置を検出し、そ
の検出位置における光ディスクの線速度に比例して記録
パワーとバイアスパワーをそれぞれ可変制御するように
したものである。

【００２０】この発明では、記録パワーとバイアスパワ
ーがそれぞれ線速度に比例するように可変制御されるた
め、記録パワーをＰ_W、バイアスパワーをＰ_Bとしたと
き、（Ｐ_W−Ｐ_B）／（Ｐ_W＋Ｐ_B）により表される記録変
調度を、線速度が大きく変化してもバイアスパワーが常
に一定である従来装置に比しあまり変化しないようにで
きる。

【００２１】また、本発明は検出位置における光ディス
クの線速度に無関係に一定に設定するよう、記録パワー
とバイアスパワーをそれぞれ可変制御することを特徴と
する。

【００２２】

【発明の実施の形態】次に、本発明の実施の形態につい
て図面と共に説明する。

【００２３】図１は本発明になる光ディスク装置の一実
施の形態の光パワー対線速度特性図を示す。同図に示す
ように、この実施の形態は、記録パワーＰ_W及びバイア
スパワーＰ_Bのうち、記録パワーＰ_Wを最低線速度Ｖ₁の
位置から最高線速度Ｖ₂までの光ディスク上の記録区間
において、従来装置と同様に、実線１１で示すように線
速度に比例して高くなるように設定する。一方、バイア
スパワーＰ_Bは、この実施の形態では従来装置とは異な
り、図１に１２で示すように、線速度に比例して高くな
るように設定する。

【００２４】ただし、その変化率は図２に実線２２で示
すように、記録変調度が線速度に無関係に一定値ｍ₀に
なるように設定される。なお、図１中、Ｐ_m2は許容最大
光パワーＰ_maxと最高の記録パワーＰ_Wとの差の光パワー
マージンを示す。また、図２中、破線２１は、従来の記
録変調度対線速度特性（図７と同一）を示す。

【００２５】これにより、それぞれの線速度において記
録動作に十分な記録パワーＰ_Wを確保しながらも、線速
度につれて増大する光パワーの最大値はバイアスパワー
Ｐ_Bの増大の助けがあるため、従来よりも低下し、許容
最大光パワーＰ_maxからのマージンは従来のＰ_m1に対し
てＰ_m2（Ｐ_m2＞Ｐ_m1）と増大する。このため、従来に比
べて光源にかかる負荷を軽減できる。

【００２６】図３は本発明の光ディスク装置の一実施の
形態の再生Ｃ／Ｎ特性の線速度依存性説明図を示す。同
図において、再生Ｃ／Ｎ対線速度特性３１、３３は、そ
れぞれ光ディスクの線速度に関係なく、記録パワー及び
バイアスパワーを固定し、記録変調度を前記ｍ₂、ｍ
₁（ｍ₁＜ｍ₂）でそれぞれ記録したときの再生Ｃ／Ｎ対
線速度特性で、図８に示した特性８１、８２と同一特性
を示す。この特性３１及び３３からわかるように、同一
の線速度の条件においては、記録変調度が大きいほど再
生搬送波電力対雑音電力比（Ｃ／Ｎ）は良好である。ま
た、記録変調度が同一の条件においては、線速度が速い
ほど再生Ｃ／Ｎは良好である。

【００２７】一方、図３において、再生Ｃ／Ｎ対線速度
特性３２は本発明の一実施の形態の特性で、記録変調度
が線速度に無関係に一定値ｍ₀（ただし、ｍ₁＜ｍ₀＜
ｍ₂）になるように設定されているので、上記の特性３
１及び３３と同様の変化特性を示す。

【００２８】これにより、この実施の形態では、線速度
Ｖ₁とＶ₂の中間速度付近よりも遅い線速度領域では、線
速度が遅くなるほど再生Ｃ／Ｎが従来装置よりも向上す
る。また、上記中間速度付近よりも高い線速度領域では
線速度が速くなるほど再生Ｃ／Ｎが従来装置よりも劣化
するが、この実施の形態の線速度が遅いときの再生Ｃ／
Ｎよりも良好な再生Ｃ／Ｎを得ることができる。

【００２９】なお、本実施の形態のブロック構成は図４
に示した構成と同一であり、トラックアドレスカウンタ
４８からの再生トラックアドレス情報に基づいて記録ア
ンプ４５内の増幅部の利得を制御する制御部の制御プロ
グラムが従来装置と異なる。

【００３０】なお、本発明は以上の実施の形態に限定さ
れるものではなく、例えば本発明は図１に示したように
記録パワーとバイアスパワーをそれぞれ線速度に比例し
て可変制御したものであり、図２に示した線速度に無関
係に記録変調度を一定にする場合に限らず、ほぼ一定で
あってもよい（記録変調度の変化は極めて緩やかでもよ
い）。

【００３１】

【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
記録パワーとバイアスパワーをそれぞれ線速度に比例す
るように可変制御し、記録パワーをＰ_W、バイアスパワ
ーをＰ_Bとしたとき、（Ｐ_W−Ｐ_B）／（Ｐ_W＋Ｐ_B）によ
り表される記録変調度を、線速度が大きく変化しても、
バイアスパワーが常に一定である従来装置に比しあまり
変化しないようにしたため、光ディスク上の線速度が遅
い領域において従来装置よりも再生Ｃ／Ｎ特性を良好に
できると共に、光パワーの最大値はバイアスパワーの増
大の助けがあることから従来よりも低下でき、許容最大
光パワーからのマージンは従来よりも増大できるため、
光源にかかる負荷を低減できる。

【００３２】特に、検出位置における光ディスクの線速
度に無関係に一定に設定するよう、記録パワーとバイア
スパワーをそれぞれ可変制御するようにした場合は、よ
り一層上記の特長が得られ、記録媒体全面にわたって全
体として従来に比べて良好な記録再生特性が得られると
共に、光パワーの上限値（記録パワー）の抑制により光
源にかかる負荷を低減することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明装置の一実施の形態の光パワー対線速度
特性図である。

【図２】本発明装置の一実施の形態と従来装置の記録変
調度対線速度特性図である。

【図３】本発明装置の一実施の形態の再生Ｃ／Ｎ特性の
線速度依存性を示す図である。

【図４】光ディスク装置の一例のブロック図である。

【図５】記録パワーとバイアスパワーの一例を示す図で
ある。

【図６】従来装置の一例の光パワー対線速度特性図であ
る。

【図７】従来装置の一例の記録変調度対線速度特性図で
ある。

【図８】従来装置の一例の再生Ｃ／Ｎの線速度依存性説
明図である。

【符号の説明】

１１記録パワーの光パワー対線速度特性１２バイアスパワーの光パワー対線速度特性２１従来の記録変調度対線速度特性２２本発明の一実施の形態の記録変調度対線速度特性３１、３２、３３記録変調度がｍ_2、ｍ₀、ｍ₁のときの
再生Ｃ／Ｎ対線速度特性４１光ディスク４２光ヘッド装置４３光ヘッドドライブ周辺回路４４記録アンプ４５再生アンプ４６復調器４７変調器４８トラックアドレスカウンタＰ_max 許容最大光パワーＰ_W 記録パワーＰ_B バイアスパワーＰ_m1、Ｐ_m2 光パワーマージン

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】記録アンプから情報信号に応じて変調し
た記録電流を取り出して光源を駆動し、該光源から出射
した光を、収束光学系を通して回転数一定の光ディスク
の媒体面上に照射して微小スポットを形成することによ
り、前記情報信号を記録するに際し、前記微小スポット
の光パワーの強弱を、前記記録アンプにおいて記録時の
光パワーの上限値である記録パワーと下限値であるバイ
アスパワーにするように制御して記録を行う光ディスク
装置において、前記光ディスクの媒体面上の微小スポットの位置を検出
し、その検出位置における該光ディスクの線速度に比例
して前記記録パワーとバイアスパワーをそれぞれ可変制
御することを特徴とする光ディスク装置。
【請求項２】前記記録パワーをＰ_W、前記バイアスパ
ワーをＰ_Bとしたとき、（Ｐ_W−Ｐ_B）／（Ｐ_W＋Ｐ_B）に
より表される記録変調度を、前記検出位置における前記
光ディスクの線速度に無関係に一定に設定するよう、前
記記録パワーとバイアスパワーをそれぞれ可変制御する
ことを特徴とする請求項１記載の光ディスク装置。
【請求項３】前記光ディスクは予めトラックアドレス
が特定領域に記録された光磁気ディスクであり、前記光
ディスクの媒体面上の微小スポットの位置は、該トラッ
クアドレス再生信号から検出することを特徴とする請求
項１又は２記載の光ディスク装置。