JPH1040532A - 磁気記録媒体 - Google Patents
磁気記録媒体Info
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- JPH1040532A JPH1040532A JP8197914A JP19791496A JPH1040532A JP H1040532 A JPH1040532 A JP H1040532A JP 8197914 A JP8197914 A JP 8197914A JP 19791496 A JP19791496 A JP 19791496A JP H1040532 A JPH1040532 A JP H1040532A
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- Japan
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- back coat
- coat layer
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- magnetic
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- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- Magnetic Record Carriers (AREA)
- Manufacturing Of Magnetic Record Carriers (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 走行安定性とその持続性に優れた磁気記録媒
体を提供する。 【解決手段】 支持体の磁性層蒸着面と反対側の面にバ
ックコート層を形成し、該バックコート層上にフッ素含
有炭素薄膜を形成する。
体を提供する。 【解決手段】 支持体の磁性層蒸着面と反対側の面にバ
ックコート層を形成し、該バックコート層上にフッ素含
有炭素薄膜を形成する。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は磁気記録媒体に関
し、詳しくは、バックコート層上、もしくはバックコー
ト層と磁性層上にフッ素を含有する炭素薄膜が形成され
たタイプの磁気記録媒体に関する。
し、詳しくは、バックコート層上、もしくはバックコー
ト層と磁性層上にフッ素を含有する炭素薄膜が形成され
たタイプの磁気記録媒体に関する。
【0002】
【従来の技術】磁気記録媒体、例えば磁気テープには、
支持体であるフィルム上に磁性粉をバインダーに分散さ
せた磁性塗料を塗布してなる塗布型テープと、フィルム
上に真空中で金属を蒸着してなるバインダーを全く含ま
ない蒸着型テープとがある。蒸着型テープは、磁性層に
バインダーを含まないことから磁性材料の密度を高める
ことができ、高密度記録に有望であるとされている。
支持体であるフィルム上に磁性粉をバインダーに分散さ
せた磁性塗料を塗布してなる塗布型テープと、フィルム
上に真空中で金属を蒸着してなるバインダーを全く含ま
ない蒸着型テープとがある。蒸着型テープは、磁性層に
バインダーを含まないことから磁性材料の密度を高める
ことができ、高密度記録に有望であるとされている。
【0003】現在販売又は開発されている蒸着型テープ
の基本的な構成は、PET(ポリエチレンテレフタレー
ト)、ポリイミド、アラミド等の支持体上に、真空蒸着
法を用いて磁性金属を蒸着させた磁性層を有している。
更に、磁性層を保護し、また記録・再生用ヘッドとの接
触をスムーズにするための潤滑剤としての働きを持たせ
るためにトップコート層が形成されたり、走行性を向上
させるために支持体の磁性層面とは反対側の面にバック
コート層が形成されたりしている。
の基本的な構成は、PET(ポリエチレンテレフタレー
ト)、ポリイミド、アラミド等の支持体上に、真空蒸着
法を用いて磁性金属を蒸着させた磁性層を有している。
更に、磁性層を保護し、また記録・再生用ヘッドとの接
触をスムーズにするための潤滑剤としての働きを持たせ
るためにトップコート層が形成されたり、走行性を向上
させるために支持体の磁性層面とは反対側の面にバック
コート層が形成されたりしている。
【0004】バックコート層は、従来、真空中で支持体
に磁性層を蒸着した後、支持体を大気中に取出してか
ら、該支持体の磁性層面とは反対側の面に、カーボンブ
ラックやセラミックス粉末等をバインダー(塩ビ系、ウ
レタン系、硝化綿系などを単独又は混合して用いる)中
に分散させ、グラビア法、リバース法又はダイ塗工方式
で、乾燥後の厚さが0.4〜1.0μmになるように塗
布して、形成されている。また最近では、Al、Cu等
の金属やこれらの合金を蒸着により支持体に付着させて
金属薄膜からなるバックコート層を形成することが行わ
れている。
に磁性層を蒸着した後、支持体を大気中に取出してか
ら、該支持体の磁性層面とは反対側の面に、カーボンブ
ラックやセラミックス粉末等をバインダー(塩ビ系、ウ
レタン系、硝化綿系などを単独又は混合して用いる)中
に分散させ、グラビア法、リバース法又はダイ塗工方式
で、乾燥後の厚さが0.4〜1.0μmになるように塗
布して、形成されている。また最近では、Al、Cu等
の金属やこれらの合金を蒸着により支持体に付着させて
金属薄膜からなるバックコート層を形成することが行わ
れている。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】上記のように従来は、
磁気記録媒体のバックコート層は、主としてバインダー
とカーボンブラックやセラミックス等の無機粒子とを含
有する塗料を支持体に塗布して形成されているが、無機
粒子とバインダーを主成分とするバックコート層は、動
摩擦係数(μ)が大きくなり、走行性が不十分となる傾
向を示す。また、蒸着により形成された金属薄膜型のバ
ックコート層は、金属が剥き出しになったままなので、
通常はバックコート層上に適当な潤滑剤が塗布される
が、塗布ムラや使用による潤滑剤の脱離等が生じるた
め、長期に渡って安定な走行性を得ることが困難であっ
た。
磁気記録媒体のバックコート層は、主としてバインダー
とカーボンブラックやセラミックス等の無機粒子とを含
有する塗料を支持体に塗布して形成されているが、無機
粒子とバインダーを主成分とするバックコート層は、動
摩擦係数(μ)が大きくなり、走行性が不十分となる傾
向を示す。また、蒸着により形成された金属薄膜型のバ
ックコート層は、金属が剥き出しになったままなので、
通常はバックコート層上に適当な潤滑剤が塗布される
が、塗布ムラや使用による潤滑剤の脱離等が生じるた
め、長期に渡って安定な走行性を得ることが困難であっ
た。
【0006】
【課題を解決するための手段】本発明者らは、上記の問
題に鑑み鋭意研究した結果、フッ素含有炭素薄膜の層
を、バックコート層上もしくはバックコート層上と磁性
層上に形成することにより、適度な表面性のバックコー
ト層が形成でき、磁気記録媒体の走行性が向上すること
を見出し、本発明を完成するに至った。
題に鑑み鋭意研究した結果、フッ素含有炭素薄膜の層
を、バックコート層上もしくはバックコート層上と磁性
層上に形成することにより、適度な表面性のバックコー
ト層が形成でき、磁気記録媒体の走行性が向上すること
を見出し、本発明を完成するに至った。
【0007】すなわち本発明は、支持体と、該支持体上
に形成された磁性層と、前記支持体の前記磁性層が形成
されている面と反対の面に形成されたバックコート層と
を有する磁気記録媒体において、前記バックコート層上
又は前記バックコート層上と前記磁性層上に、フッ素含
有炭素薄膜の層が形成されていることを特徴とする磁気
記録媒体を提供するものである。
に形成された磁性層と、前記支持体の前記磁性層が形成
されている面と反対の面に形成されたバックコート層と
を有する磁気記録媒体において、前記バックコート層上
又は前記バックコート層上と前記磁性層上に、フッ素含
有炭素薄膜の層が形成されていることを特徴とする磁気
記録媒体を提供するものである。
【0008】本発明において、バックコート層上もしく
はバックコート層上と磁性層上に形成されるフッ素含有
炭素薄膜の層は、ダイヤモンドライクカーボン(DL
C)の如き炭素薄膜を形成する公知の方法に準じて形成
することができる。具体的には、高周波スパッタリン
グ、プラズマCVD法等により成膜される。その際、炭
素源となるメタンガス、エタンガス等の他に、フッ素源
としてテトラフルオロメタン(CF4 )等のようなフッ
素を含む炭化水素のガスを供給する必要がある。
はバックコート層上と磁性層上に形成されるフッ素含有
炭素薄膜の層は、ダイヤモンドライクカーボン(DL
C)の如き炭素薄膜を形成する公知の方法に準じて形成
することができる。具体的には、高周波スパッタリン
グ、プラズマCVD法等により成膜される。その際、炭
素源となるメタンガス、エタンガス等の他に、フッ素源
としてテトラフルオロメタン(CF4 )等のようなフッ
素を含む炭化水素のガスを供給する必要がある。
【0009】本発明においては、フッ素含有炭素薄膜の
ラマンスペクトルが、1550±60cm-1にブロード
なピーク強度と、1550±40cm-1にシャープなピ
ーク強度とを有することが特に望ましい。ここで、「ブ
ロードなピーク強度」とは半値幅100cm-1以上のピ
ーク強度であり、また「シャープなピーク強度」とは、
半値幅60cm-1未満のピーク強度である。
ラマンスペクトルが、1550±60cm-1にブロード
なピーク強度と、1550±40cm-1にシャープなピ
ーク強度とを有することが特に望ましい。ここで、「ブ
ロードなピーク強度」とは半値幅100cm-1以上のピ
ーク強度であり、また「シャープなピーク強度」とは、
半値幅60cm-1未満のピーク強度である。
【0010】本発明において、フッ素含有炭素薄膜のピ
ーク強度は、ブランク補正により得られた正味のラマン
スペクトルからバックグランドを除去して得られたスペ
クトル図により観察される。つまり、本発明でブランク
補正という場合、ブランクレベルとバックグランド傾斜
の両方を差し引くことを意味する。ブランク補正は、ラ
マン分光計に試料をセットしない状態で測定したスペク
トルを、実際に試料をセットして測定して得られたスペ
クトルからブランクレベルを差し引くことによって行
う。これは、室内照明、または分光器内の回折格子や鏡
表面などでの乱反射に由来する迷光その他によるノイズ
成分を除去し、分光装置の種類や感度などに依存しな
い、正味のラマンスペクトルを得るためである。
ーク強度は、ブランク補正により得られた正味のラマン
スペクトルからバックグランドを除去して得られたスペ
クトル図により観察される。つまり、本発明でブランク
補正という場合、ブランクレベルとバックグランド傾斜
の両方を差し引くことを意味する。ブランク補正は、ラ
マン分光計に試料をセットしない状態で測定したスペク
トルを、実際に試料をセットして測定して得られたスペ
クトルからブランクレベルを差し引くことによって行
う。これは、室内照明、または分光器内の回折格子や鏡
表面などでの乱反射に由来する迷光その他によるノイズ
成分を除去し、分光装置の種類や感度などに依存しな
い、正味のラマンスペクトルを得るためである。
【0011】正味のラマンスペクトルを得た後、バック
グランドの傾斜を差し引いてスペクトルを得、ピーク強
度を観察し、1550±60cm-1に半値幅100cm
-1以上のブロードなピークと、1550±40cm-1に
半値幅60cm-1未満のシャープなピークが認められる
ものが望ましい。例を図1に示す。図1の(a)は補正
前のラマンスペクトルとブランクレベルを共に示してい
る。この補正前のラマンスペクトルからブランクレベル
を差し引き、更にバックグランドの傾斜を除去したもの
が図1の(b)である。
グランドの傾斜を差し引いてスペクトルを得、ピーク強
度を観察し、1550±60cm-1に半値幅100cm
-1以上のブロードなピークと、1550±40cm-1に
半値幅60cm-1未満のシャープなピークが認められる
ものが望ましい。例を図1に示す。図1の(a)は補正
前のラマンスペクトルとブランクレベルを共に示してい
る。この補正前のラマンスペクトルからブランクレベル
を差し引き、更にバックグランドの傾斜を除去したもの
が図1の(b)である。
【0012】フッ素含有炭素薄膜は、少なくともバック
コート層上に形成されるが、バックコート層と磁性層の
両方の上に形成してもよい。フッ素含有炭素薄膜の厚さ
は限定されないが、バックコート層上、もしくはバック
コート層上と磁性層上の何れに形成する場合も10〜2
00Å程度の範囲とすることができる。
コート層上に形成されるが、バックコート層と磁性層の
両方の上に形成してもよい。フッ素含有炭素薄膜の厚さ
は限定されないが、バックコート層上、もしくはバック
コート層上と磁性層上の何れに形成する場合も10〜2
00Å程度の範囲とすることができる。
【0013】
【発明の実施の形態】本発明の磁気記録媒体は、上記の
如きフッ素含有炭素薄膜以外に、磁性層、バックコート
層、潤滑剤層などを有する。特に、本発明は、磁性層と
して、蒸着、スパッタ等の方法で形成された、いわゆる
金属薄膜型の磁性層を有する磁気記録媒体に好適であ
る。磁性層となる金属薄膜は、通常の蒸着やスパッタ等
の方法により形成される。金属薄膜型の磁性層を形成す
る磁性材料としては、通常の金属薄膜型の磁気記録媒体
の製造に用いられる強磁性金属材料が挙げられ、例えば
Co、Ni、Fe等の強磁性金属、また、Fe−Co、
Fe−Ni、Co−Ni、Fe−Co−Ni、Fe−C
u、Co−Cu、Co−Au、Co−Y、Co−La、
Co−Pr、Co−Gd、Co−Sm、Co−Pt、N
i−Cu、Mn−Bi、Mn−Sb、Mn−Al、Fe
−Cr、Co−Cr、Ni−Cr、Fe−Co−Cr、
Ni−Co−Cr等の強磁性合金が挙げられる。また、
鉄の蒸着時に窒素イオン、酸素イオン、炭素イオン等の
イオンを供給する、いわゆるイオンアシスト蒸着法によ
り形成されたFe−N系、Fe−C系、Fe−N−O
系、Fe−C−O系、Fe−N−C−O系の磁性層であ
ってもよい。
如きフッ素含有炭素薄膜以外に、磁性層、バックコート
層、潤滑剤層などを有する。特に、本発明は、磁性層と
して、蒸着、スパッタ等の方法で形成された、いわゆる
金属薄膜型の磁性層を有する磁気記録媒体に好適であ
る。磁性層となる金属薄膜は、通常の蒸着やスパッタ等
の方法により形成される。金属薄膜型の磁性層を形成す
る磁性材料としては、通常の金属薄膜型の磁気記録媒体
の製造に用いられる強磁性金属材料が挙げられ、例えば
Co、Ni、Fe等の強磁性金属、また、Fe−Co、
Fe−Ni、Co−Ni、Fe−Co−Ni、Fe−C
u、Co−Cu、Co−Au、Co−Y、Co−La、
Co−Pr、Co−Gd、Co−Sm、Co−Pt、N
i−Cu、Mn−Bi、Mn−Sb、Mn−Al、Fe
−Cr、Co−Cr、Ni−Cr、Fe−Co−Cr、
Ni−Co−Cr等の強磁性合金が挙げられる。また、
鉄の蒸着時に窒素イオン、酸素イオン、炭素イオン等の
イオンを供給する、いわゆるイオンアシスト蒸着法によ
り形成されたFe−N系、Fe−C系、Fe−N−O
系、Fe−C−O系、Fe−N−C−O系の磁性層であ
ってもよい。
【0014】高密度記録のためには磁気記録媒体の磁性
層は、斜め蒸着により基材上に形成することが好まし
い。斜め蒸着の方法は特に限定されず、従来公知の方法
に準ずる。蒸着の際の真空度は10-4〜10-7Torr
程度である。蒸着による磁性層は単層構造でも多層構造
の何れでも良く、特に、酸化性ガスを導入して磁性層表
面に酸化物を形成することにより、耐久性の向上を図る
ことができる。金属薄膜型の磁性層の厚さは限定されな
いが、500〜3000Åが好ましく、特に500〜2
000Åが好ましい。また金属薄膜型の磁性層は一層で
も多層構造でもよい。
層は、斜め蒸着により基材上に形成することが好まし
い。斜め蒸着の方法は特に限定されず、従来公知の方法
に準ずる。蒸着の際の真空度は10-4〜10-7Torr
程度である。蒸着による磁性層は単層構造でも多層構造
の何れでも良く、特に、酸化性ガスを導入して磁性層表
面に酸化物を形成することにより、耐久性の向上を図る
ことができる。金属薄膜型の磁性層の厚さは限定されな
いが、500〜3000Åが好ましく、特に500〜2
000Åが好ましい。また金属薄膜型の磁性層は一層で
も多層構造でもよい。
【0015】また、本発明の磁気記録媒体は、支持体の
磁性層を形成する面と反対の面にバックコート層を有す
る。バックコート層はカーボンブラック及び/又はセラ
ミックス微粒子等と結合剤とを分散させた塗料を0.3
〜1.0μm程度の厚さ(乾燥後)となるように塗布し
て形成してもよいし、蒸着等により金属又は半金属を支
持体に付着させて形成してもよい。好ましくは、蒸着等
により形成された金属薄膜型のバックコート層である。
金属薄膜型のバックコート層を形成する場合に用いられ
る金属としては、いろいろ考えられるが、Al,Cu,
Zn,Sn,Ni,Agなど及びこれらの合金が用いら
れ、Cu−Al合金が好適である。更に蒸着時に酸化、
炭化並びに窒化などをさせることにより、酸化膜、炭化
膜、窒化膜及びそれらの複合物等のようにセラミックス
化したものは特に好適である。また、バックコート層を
形成する半金属としては、Si,Ge,As,Sc,S
bなどが用いられ、Siが好適である。金属薄膜型のバ
ックコート層の厚さは、0.05〜1.0μm程度であ
る。
磁性層を形成する面と反対の面にバックコート層を有す
る。バックコート層はカーボンブラック及び/又はセラ
ミックス微粒子等と結合剤とを分散させた塗料を0.3
〜1.0μm程度の厚さ(乾燥後)となるように塗布し
て形成してもよいし、蒸着等により金属又は半金属を支
持体に付着させて形成してもよい。好ましくは、蒸着等
により形成された金属薄膜型のバックコート層である。
金属薄膜型のバックコート層を形成する場合に用いられ
る金属としては、いろいろ考えられるが、Al,Cu,
Zn,Sn,Ni,Agなど及びこれらの合金が用いら
れ、Cu−Al合金が好適である。更に蒸着時に酸化、
炭化並びに窒化などをさせることにより、酸化膜、炭化
膜、窒化膜及びそれらの複合物等のようにセラミックス
化したものは特に好適である。また、バックコート層を
形成する半金属としては、Si,Ge,As,Sc,S
bなどが用いられ、Siが好適である。金属薄膜型のバ
ックコート層の厚さは、0.05〜1.0μm程度であ
る。
【0016】更に、本発明では磁性層にフッ素含有炭素
薄膜を形成しない場合は、磁性層上に適当な潤滑剤から
なる潤滑剤層を形成してもよい。潤滑剤層は潤滑剤を適
当な溶剤に溶解させたものを塗布して形成してもよい
し、真空中で潤滑剤を噴霧する方法により形成してもよ
い。潤滑剤を噴霧により形成する場合、超音波発振器を
備えた噴霧器(以下、超音波噴霧器という)により支持
体上に形成された磁性層上に噴霧するのが好ましい。潤
滑剤としては、塗布或いは噴霧いずれの場合も、パーフ
ルオロポリエーテル等のフッ素系潤滑剤が好ましく、具
体的には、パーフルオロポリエーテルとしては、分子量
2000〜5000のものが好適であり、例えば「FO
MBLIN Z DIAC」〔カルボキシル基変性、モ
ンテカチーニ (株) 製〕、「FOMBLIN Z DO
L」〔アルコール変性、モンテカチーニ (株) 製〕の商
品名で市販されているものが使用できる。潤滑剤の噴霧
量は、磁気記録媒体の用途や潤滑剤の種類等を考慮して
適宜決定すればよいが、形成された潤滑剤層の厚さは1
0〜200Å程度である。
薄膜を形成しない場合は、磁性層上に適当な潤滑剤から
なる潤滑剤層を形成してもよい。潤滑剤層は潤滑剤を適
当な溶剤に溶解させたものを塗布して形成してもよい
し、真空中で潤滑剤を噴霧する方法により形成してもよ
い。潤滑剤を噴霧により形成する場合、超音波発振器を
備えた噴霧器(以下、超音波噴霧器という)により支持
体上に形成された磁性層上に噴霧するのが好ましい。潤
滑剤としては、塗布或いは噴霧いずれの場合も、パーフ
ルオロポリエーテル等のフッ素系潤滑剤が好ましく、具
体的には、パーフルオロポリエーテルとしては、分子量
2000〜5000のものが好適であり、例えば「FO
MBLIN Z DIAC」〔カルボキシル基変性、モ
ンテカチーニ (株) 製〕、「FOMBLIN Z DO
L」〔アルコール変性、モンテカチーニ (株) 製〕の商
品名で市販されているものが使用できる。潤滑剤の噴霧
量は、磁気記録媒体の用途や潤滑剤の種類等を考慮して
適宜決定すればよいが、形成された潤滑剤層の厚さは1
0〜200Å程度である。
【0017】また、本発明の磁気記録媒体に用いられる
支持体は、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレン
ナフタレートのようなポリエステル;ポリエチレン、ポ
リプロピレン等のポリオレフィン; セルローストリアセ
テート、セルロースジアセテート等のセルロース誘導
体;ポリカーボネート;ポリ塩化ビニル;ポリイミド;
芳香族ポリアミド等のプラスチック等が使用される。こ
れらの支持体の厚さは3〜50μm程度である。
支持体は、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレン
ナフタレートのようなポリエステル;ポリエチレン、ポ
リプロピレン等のポリオレフィン; セルローストリアセ
テート、セルロースジアセテート等のセルロース誘導
体;ポリカーボネート;ポリ塩化ビニル;ポリイミド;
芳香族ポリアミド等のプラスチック等が使用される。こ
れらの支持体の厚さは3〜50μm程度である。
【0018】
【実施例】以下実施例により本発明をより詳細に説明す
るが、本発明はこれらの実施例に限定されるものではな
い。
るが、本発明はこれらの実施例に限定されるものではな
い。
【0019】実施例1 先ず、厚さ6μmのPETフィルム上にCoを蒸着して
厚さ2000Åの磁性層を形成した。また、該フィルム
の磁性層形成面とは反対の面にAl−Cu合金からなる
バックコート層を蒸着により2000Åの厚さで形成し
た。更に、ECRプラズマCVD法により、前記バック
コート層上に厚さ120Åのフッ素含有炭素薄膜を形成
した。ここで、ECRプラズマCVD法は、反応ガスと
してCH4 (流量16SCCM)及びCF4 (流量20
SCCM)、マイクロ波出力300Wの条件で行った。
これにより、磁性層、バックコート層、バックコート層
上のフッ素含有炭素薄膜を有するフィルムを形成した。
なお、本例で作製したフッ素含有炭素薄膜のラマン分光
分析によるスペクトルを図2、図3に示す。図2はブラ
ンク補正前のラマンスペクトルであり、図3はこの補正
前のラマンスペクトルからブランクレベルを差し引き、
バックグランドの傾斜を差し引いた後の正味のラマンス
ペクトルである。図3から、本例で形成したフッ素含有
炭素薄膜は、1520cm-1付近に半値幅160cm-1
程度のブロードなピーク強度と、1570cm-1付近に
半値幅25cm-1程度のシャープなピーク強度とを有す
ることがわかる。
厚さ2000Åの磁性層を形成した。また、該フィルム
の磁性層形成面とは反対の面にAl−Cu合金からなる
バックコート層を蒸着により2000Åの厚さで形成し
た。更に、ECRプラズマCVD法により、前記バック
コート層上に厚さ120Åのフッ素含有炭素薄膜を形成
した。ここで、ECRプラズマCVD法は、反応ガスと
してCH4 (流量16SCCM)及びCF4 (流量20
SCCM)、マイクロ波出力300Wの条件で行った。
これにより、磁性層、バックコート層、バックコート層
上のフッ素含有炭素薄膜を有するフィルムを形成した。
なお、本例で作製したフッ素含有炭素薄膜のラマン分光
分析によるスペクトルを図2、図3に示す。図2はブラ
ンク補正前のラマンスペクトルであり、図3はこの補正
前のラマンスペクトルからブランクレベルを差し引き、
バックグランドの傾斜を差し引いた後の正味のラマンス
ペクトルである。図3から、本例で形成したフッ素含有
炭素薄膜は、1520cm-1付近に半値幅160cm-1
程度のブロードなピーク強度と、1570cm-1付近に
半値幅25cm-1程度のシャープなピーク強度とを有す
ることがわかる。
【0020】実施例2 先ず、厚さ6μmのPETフィルム上にCoを蒸着して
厚さ2000Åの磁性層を形成した。また、該フィルム
の磁性層形成面とは反対の面にAl−Cu合金からなる
バックコート層を蒸着により2000Åの厚さで形成し
た。更に、ECRプラズマCVD法により、前記磁性層
上に厚さ120Åのフッ素含有炭素薄膜を形成した。こ
こで、ECRプラズマCVD法は、反応ガスとしてCH
4 (流量16SCCM)及びCF4 (流量20SCC
M)、マイクロ波出力300Wの条件で行った。また、
同様な条件のECRプラズマCVD法により、前記バッ
クコート層上に厚さ120Åのフッ素含有炭素薄膜を形
成した。これにより、磁性層、バックコート層、バック
コート層上のフッ素含有炭素薄膜を有するフィルムを形
成した。なお、本例で作製したフッ素含有炭素薄膜にフ
ッ素が含有されていることをオージェプロファイルによ
り確認した。フッ素含有炭素薄膜うち、磁性層上に形成
したもののオージェプロファイルを図4に示す。図4
中、(a)はオージェプロファイルの全体図、(b)は
表面近傍の拡大図である。
厚さ2000Åの磁性層を形成した。また、該フィルム
の磁性層形成面とは反対の面にAl−Cu合金からなる
バックコート層を蒸着により2000Åの厚さで形成し
た。更に、ECRプラズマCVD法により、前記磁性層
上に厚さ120Åのフッ素含有炭素薄膜を形成した。こ
こで、ECRプラズマCVD法は、反応ガスとしてCH
4 (流量16SCCM)及びCF4 (流量20SCC
M)、マイクロ波出力300Wの条件で行った。また、
同様な条件のECRプラズマCVD法により、前記バッ
クコート層上に厚さ120Åのフッ素含有炭素薄膜を形
成した。これにより、磁性層、バックコート層、バック
コート層上のフッ素含有炭素薄膜を有するフィルムを形
成した。なお、本例で作製したフッ素含有炭素薄膜にフ
ッ素が含有されていることをオージェプロファイルによ
り確認した。フッ素含有炭素薄膜うち、磁性層上に形成
したもののオージェプロファイルを図4に示す。図4
中、(a)はオージェプロファイルの全体図、(b)は
表面近傍の拡大図である。
【0021】比較例1 実施例1において、バックコート層を下記の配合による
バックコート用塗料を、フィルムに乾燥厚さが0.5μ
mとなるように塗布して形成した。それ以外は実施例1
と同様にして磁気フィルムを作製した。 <バックコート用塗料> ・カーボンブラック 100重量部 ・ニトロセルロース 50重量部 ・ポリウレタン樹脂 50重量部 ・シクロヘキサノン 800重量部。
バックコート用塗料を、フィルムに乾燥厚さが0.5μ
mとなるように塗布して形成した。それ以外は実施例1
と同様にして磁気フィルムを作製した。 <バックコート用塗料> ・カーボンブラック 100重量部 ・ニトロセルロース 50重量部 ・ポリウレタン樹脂 50重量部 ・シクロヘキサノン 800重量部。
【0022】比較例2 実施例1において、バックコート層上のフッ素含有炭素
薄膜を形成しなかった。それ以外は実施例1と同様にし
て磁気フィルムを作製した。
薄膜を形成しなかった。それ以外は実施例1と同様にし
て磁気フィルムを作製した。
【0023】<性能評価>上記実施例1及び比較例1〜
2により得られた磁気フィルムを8mm幅に裁断し、下
記の方法で動摩擦係数(μ)及びジッタを評価した。そ
の結果を表1に示す。 動摩擦係数 20℃/50%(温度/湿度)の条件下で摩擦体(直径
5mm、ステンレススチール製、表面粗さ0.2S)に
対し14.3mm/秒の速度で115°の抱き角となる
ようにし、20gのテンションをテープにかけたときの
値を摩擦係数測定機で測定した。 ジッタ 市販のHi−8VTRを改造し、これにジッタメーター
を接続し、ジッタを測定した。ジッタの測定はいわゆる
ハイエイト(Hi−8)モードで行った。
2により得られた磁気フィルムを8mm幅に裁断し、下
記の方法で動摩擦係数(μ)及びジッタを評価した。そ
の結果を表1に示す。 動摩擦係数 20℃/50%(温度/湿度)の条件下で摩擦体(直径
5mm、ステンレススチール製、表面粗さ0.2S)に
対し14.3mm/秒の速度で115°の抱き角となる
ようにし、20gのテンションをテープにかけたときの
値を摩擦係数測定機で測定した。 ジッタ 市販のHi−8VTRを改造し、これにジッタメーター
を接続し、ジッタを測定した。ジッタの測定はいわゆる
ハイエイト(Hi−8)モードで行った。
【0024】
【表1】
【0025】また、磁気テープを10時間市販のVT
Rでスチル走行させた後の動摩擦係数とジッタを上記と
同様に評価した。その結果を表2に示す。
Rでスチル走行させた後の動摩擦係数とジッタを上記と
同様に評価した。その結果を表2に示す。
【0026】
【表2】
【0027】
【発明の効果】本発明によれば、適度な動摩擦係数
(μ)を有し、走行安定性に優れ、またこの走行安定性
の持続性にも優れた磁気記録媒体が得られる。
(μ)を有し、走行安定性に優れ、またこの走行安定性
の持続性にも優れた磁気記録媒体が得られる。
【図1】ラマンスペクトルのブランク補正について説明
するためのグラフであり、(a)は補正前のスペクトル
とブランクレベルを、(b)はブランクレベル及びバッ
クグランドの傾斜を差し引いたスペクトルを示す。
するためのグラフであり、(a)は補正前のスペクトル
とブランクレベルを、(b)はブランクレベル及びバッ
クグランドの傾斜を差し引いたスペクトルを示す。
【図2】実施例1により得られたフッ素含有炭素薄膜の
ブランク補正前のラマンスペクトルを示すグラフであ
る。
ブランク補正前のラマンスペクトルを示すグラフであ
る。
【図3】実施例1により得られたフッ素含有炭素薄膜の
ブランク補正後のラマンスペクトルを示すグラフであ
る。
ブランク補正後のラマンスペクトルを示すグラフであ
る。
【図4】実施例2により得られたフッ素含有炭素薄膜
(磁性層上のもの)のオージェプロファイルである。
(磁性層上のもの)のオージェプロファイルである。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 FI 技術表示箇所 G11B 5/84 G11B 5/84 B // C01B 31/02 101 C01B 31/02 101Z (72)発明者 吉田 修 栃木県芳賀郡市貝町赤羽2606 花王株式会 社研究所内 (72)発明者 水野谷 博英 栃木県芳賀郡市貝町赤羽2606 花王株式会 社研究所内
Claims (3)
- 【請求項1】 支持体と、該支持体上に形成された磁性
層と、前記支持体の前記磁性層が形成されている面と反
対の面に形成されたバックコート層とを有する磁気記録
媒体において、前記バックコート層上又は前記バックコ
ート層上と前記磁性層上に、フッ素含有炭素薄膜の層が
形成されていることを特徴とする磁気記録媒体。 - 【請求項2】 前記フッ素含有炭素薄膜のラマンスペク
トルが、ブランク補正を行った後、1550±60cm
-1にブロードなピーク強度と、1550±40cm-1に
シャープなピーク強度とを有する請求項1記載の磁気記
録媒体。 - 【請求項3】 前記バックコート層が金属薄膜型のバッ
クコート層である請求項1又は2記載の磁気記録媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8197914A JPH1040532A (ja) | 1996-07-26 | 1996-07-26 | 磁気記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8197914A JPH1040532A (ja) | 1996-07-26 | 1996-07-26 | 磁気記録媒体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1040532A true JPH1040532A (ja) | 1998-02-13 |
Family
ID=16382379
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8197914A Pending JPH1040532A (ja) | 1996-07-26 | 1996-07-26 | 磁気記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH1040532A (ja) |
-
1996
- 1996-07-26 JP JP8197914A patent/JPH1040532A/ja active Pending
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