JPH1041114A - 高分子複合型希土類磁石用粉末の製造方法 - Google Patents
高分子複合型希土類磁石用粉末の製造方法Info
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- JPH1041114A JPH1041114A JP8208963A JP20896396A JPH1041114A JP H1041114 A JPH1041114 A JP H1041114A JP 8208963 A JP8208963 A JP 8208963A JP 20896396 A JP20896396 A JP 20896396A JP H1041114 A JPH1041114 A JP H1041114A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 Ｂｒ、（ＢＨ）maxが大きい、優れた磁石特
性を有する異方性の高分子複合型希土類磁石用粉末の製
造方法を提供すること。 【解決手段】 Ｒ−Ｔ−Ｂ系の高分子複合型希土類磁石
用粉末（ＲはＮｄを主成分とするＹを含む希土類元素
で、２.０＜Ｒ＜１３.５ａｔ％、ＴはＦｅ、Ｃｏを主成
分とする遷移金属で、７０.０＜Ｔ＜８９.０ａｔ％、Ｂ
は４.０＜Ｂ＜２０.０ａｔ％）を製造する際、Ｒ−Ｔ−
Ｂ系合金を液体急冷し、アモルファス粉末を得、該粉末
を６５０℃〜１０００℃で水素中熱処理し、更に、６５
０℃〜１０００℃で脱水素処理する。
性を有する異方性の高分子複合型希土類磁石用粉末の製
造方法を提供すること。 【解決手段】 Ｒ−Ｔ−Ｂ系の高分子複合型希土類磁石
用粉末（ＲはＮｄを主成分とするＹを含む希土類元素
で、２.０＜Ｒ＜１３.５ａｔ％、ＴはＦｅ、Ｃｏを主成
分とする遷移金属で、７０.０＜Ｔ＜８９.０ａｔ％、Ｂ
は４.０＜Ｂ＜２０.０ａｔ％）を製造する際、Ｒ−Ｔ−
Ｂ系合金を液体急冷し、アモルファス粉末を得、該粉末
を６５０℃〜１０００℃で水素中熱処理し、更に、６５
０℃〜１０００℃で脱水素処理する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、高分子複合型希土
類磁石用粉末の製造方法に関し、特に、ボンド磁石用Ｎ
ｄ−Ｆｅ−Ｂ系合金粉末の製造方法に関するものであ
る。
類磁石用粉末の製造方法に関し、特に、ボンド磁石用Ｎ
ｄ−Ｆｅ−Ｂ系合金粉末の製造方法に関するものであ
る。
【０００２】
【従来の技術】近年、Ｒ−Ｔ−Ｂ系合金粉末を用いたボ
ンド磁石（圧縮成形型、射出成形型）の開発が進み、様
々なユーザーに使用されている。こうしたボンド磁石用
Ｎｄ−Ｆｅ−Ｂ系合金粉末の製造方法には、合金インゴ
ットを液体急冷法により作製する方法がある。これによ
り、得られる粉末は、Ｎｄ2Ｆｅ14Ｂを主相とする等方
性の粉末である。
ンド磁石（圧縮成形型、射出成形型）の開発が進み、様
々なユーザーに使用されている。こうしたボンド磁石用
Ｎｄ−Ｆｅ−Ｂ系合金粉末の製造方法には、合金インゴ
ットを液体急冷法により作製する方法がある。これによ
り、得られる粉末は、Ｎｄ2Ｆｅ14Ｂを主相とする等方
性の粉末である。
【０００３】また、最近注目されているのは、Ｒの組成
値を低下させ、低ＲのＲ−Ｔ−Ｂ系合金インゴットを液
体急冷法により作製されたＦｅ3Ｂ、α−Ｆｅを主相と
する等方性の粉末である。この粉末は、スプリング磁石
に用いられる。Ｒ−Ｔ−Ｂ系スプリング磁石は、ソフト
磁性を有するＦｅ3Ｂ、α−Ｆｅと、ハード磁性を有す
るＮｄ2Ｆｅ14Ｂが同一組織内に共存するナノコンポジ
ットタイプの等方性ハード磁性材料である。その金属組
織は、平均結晶粒径２０ｎｍ程度の微細結晶集合体から
なり、各粒子は、強い粒子間相互作用で結合し、高い残
留磁束密度（Ｂｒ）を有し、減磁界中において、磁化が
可逆的にスプリングバックするという特異なリコイル挙
動を示す。
値を低下させ、低ＲのＲ−Ｔ−Ｂ系合金インゴットを液
体急冷法により作製されたＦｅ3Ｂ、α−Ｆｅを主相と
する等方性の粉末である。この粉末は、スプリング磁石
に用いられる。Ｒ−Ｔ−Ｂ系スプリング磁石は、ソフト
磁性を有するＦｅ3Ｂ、α−Ｆｅと、ハード磁性を有す
るＮｄ2Ｆｅ14Ｂが同一組織内に共存するナノコンポジ
ットタイプの等方性ハード磁性材料である。その金属組
織は、平均結晶粒径２０ｎｍ程度の微細結晶集合体から
なり、各粒子は、強い粒子間相互作用で結合し、高い残
留磁束密度（Ｂｒ）を有し、減磁界中において、磁化が
可逆的にスプリングバックするという特異なリコイル挙
動を示す。
【０００４】しかし、上記の製造方法により得られる粉
末は、アモルファス及び微細な結晶粒が磁気的にランダ
ムに配列しているため、等方性であり、Ｂｒが低い。こ
のため、最大エネルギー積［（ＢＨ）max］が低く、こ
れを用いて得られたボンド磁石では、工業的に有益な磁
石特性は得られていない。
末は、アモルファス及び微細な結晶粒が磁気的にランダ
ムに配列しているため、等方性であり、Ｂｒが低い。こ
のため、最大エネルギー積［（ＢＨ）max］が低く、こ
れを用いて得られたボンド磁石では、工業的に有益な磁
石特性は得られていない。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】そこで、本発明は、上
記の課題を解決し、Ｂｒ、（ＢＨ）maxが大きい、優れ
た磁石特性を有する異方性の高分子複合型希土類磁石用
粉末の製造方法を提供することにある。
記の課題を解決し、Ｂｒ、（ＢＨ）maxが大きい、優れ
た磁石特性を有する異方性の高分子複合型希土類磁石用
粉末の製造方法を提供することにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明者らは、上記の課
題に対し、種々検討を行った結果、Ｒ−Ｔ−Ｂ系合金イ
ンゴットを用いて液体急冷法により作製された粉末を、
水素中熱処理して水素吸蔵させた後、強制脱水素を行う
ことにより異方性粉末が得られることを見い出した。
題に対し、種々検討を行った結果、Ｒ−Ｔ−Ｂ系合金イ
ンゴットを用いて液体急冷法により作製された粉末を、
水素中熱処理して水素吸蔵させた後、強制脱水素を行う
ことにより異方性粉末が得られることを見い出した。
【０００７】即ち、Ｎｄ−Ｆｅ−Ｂ系合金インゴットを
水素中熱処理すると、６５０℃付近でＮｄ2Ｆｅ14Ｂが
ＮｄＨ2、α−Ｆｅ、Ｆｅ2Ｂ、Ｆｅ3Ｂに分解する。続
く脱水素処理工程でＮｄ2Ｆｅ14Ｂが再結晶する。これ
を粉砕することにより、異方性粉末が得られる。
水素中熱処理すると、６５０℃付近でＮｄ2Ｆｅ14Ｂが
ＮｄＨ2、α−Ｆｅ、Ｆｅ2Ｂ、Ｆｅ3Ｂに分解する。続
く脱水素処理工程でＮｄ2Ｆｅ14Ｂが再結晶する。これ
を粉砕することにより、異方性粉末が得られる。
【０００８】即ち、本発明は、Ｒ−Ｔ−Ｂ系の高分子
複合型希土類磁石用粉末（ＲはＮｄを主成分とするＹを
含む希土類元素で、２.０＜Ｒ＜１３.５ａｔ％、ＴはＦ
ｅ、Ｃｏを主成分とする遷移金属で、７０.０＜Ｔ＜８
９.０ａｔ％、Ｂは４.０＜Ｂ＜２０.０ａｔ％）の製造
方法において、Ｒ−Ｔ−Ｂ系合金を液体急冷し、アモル
ファス粉末を得、該粉末を６５０℃〜１０００℃で水素
中熱処理し、更に、６５０℃〜１０００℃で脱水素処理
することを特徴とする高分子複合型希土類磁石用粉末の
製造方法である。
複合型希土類磁石用粉末（ＲはＮｄを主成分とするＹを
含む希土類元素で、２.０＜Ｒ＜１３.５ａｔ％、ＴはＦ
ｅ、Ｃｏを主成分とする遷移金属で、７０.０＜Ｔ＜８
９.０ａｔ％、Ｂは４.０＜Ｂ＜２０.０ａｔ％）の製造
方法において、Ｒ−Ｔ−Ｂ系合金を液体急冷し、アモル
ファス粉末を得、該粉末を６５０℃〜１０００℃で水素
中熱処理し、更に、６５０℃〜１０００℃で脱水素処理
することを特徴とする高分子複合型希土類磁石用粉末の
製造方法である。
【０００９】また、本発明は、Ｒ−Ｔ−Ｂ−Ｍ系の高
分子複合型希土類磁石用粉末（ＲはＮｄを主成分とする
Ｙを含む希土類元素で、２.０＜Ｒ＜１３.５ａｔ％、Ｔ
はＦｅ、Ｃｏを主成分とする遷移金属で、７０.０＜Ｔ
＜８９.０ａｔ％、Ｂは４.０＜Ｂ＜２０.０ａｔ％、Ｍ
はＧａ、Ｚｒ、Ｓｉ、Ｃｒ、Ｔｉ、Ｖ、Ａｌのうち少な
くとも１種以上）の製造方法において、Ｒ−Ｔ−Ｂ−Ｍ
系合金を液体急冷し、アモルファス粉末を得、該粉末を
６５０℃〜１０００℃で水素中熱処理し、更に、６５０
℃〜１０００℃で脱水素処理することを特徴とする高分
子複合型希土類磁石用粉末の製造方法である。
分子複合型希土類磁石用粉末（ＲはＮｄを主成分とする
Ｙを含む希土類元素で、２.０＜Ｒ＜１３.５ａｔ％、Ｔ
はＦｅ、Ｃｏを主成分とする遷移金属で、７０.０＜Ｔ
＜８９.０ａｔ％、Ｂは４.０＜Ｂ＜２０.０ａｔ％、Ｍ
はＧａ、Ｚｒ、Ｓｉ、Ｃｒ、Ｔｉ、Ｖ、Ａｌのうち少な
くとも１種以上）の製造方法において、Ｒ−Ｔ−Ｂ−Ｍ
系合金を液体急冷し、アモルファス粉末を得、該粉末を
６５０℃〜１０００℃で水素中熱処理し、更に、６５０
℃〜１０００℃で脱水素処理することを特徴とする高分
子複合型希土類磁石用粉末の製造方法である。
【００１０】また、本発明は、上記またはの高分
子複合型希土類磁石用粉末の製造方法において、水素中
熱処理及び脱水素処理する工程を１００Ｏｅ以上の一方
向磁界中で行うことを特徴とする高分子複合型希土類磁
石用粉末の製造方法である。
子複合型希土類磁石用粉末の製造方法において、水素中
熱処理及び脱水素処理する工程を１００Ｏｅ以上の一方
向磁界中で行うことを特徴とする高分子複合型希土類磁
石用粉末の製造方法である。
【００１１】本発明において、Ｒの組成を２.０〜１３.
５ａｔ％としたのは、２.０ａｔ％未満では、保磁力が
ほとんどないためであり、１３.５ａｔ％を越えると、
Ｂｒが減少し、（ＢＨ）maxが低くなるためである。ま
た、７０.０＜Ｔ＜８９.０ａｔ％、４.０＜Ｂ＜２０.０
ａｔ％としたのは、この範囲を越えると、磁気特性が低
下するからである。
５ａｔ％としたのは、２.０ａｔ％未満では、保磁力が
ほとんどないためであり、１３.５ａｔ％を越えると、
Ｂｒが減少し、（ＢＨ）maxが低くなるためである。ま
た、７０.０＜Ｔ＜８９.０ａｔ％、４.０＜Ｂ＜２０.０
ａｔ％としたのは、この範囲を越えると、磁気特性が低
下するからである。
【００１２】また、水素中熱処理を行う温度を６５０℃
〜１０００℃としたのは、６５０℃未満では、Ｎｄ2Ｆ
ｅ14ＢがＮｄＨ2、α−Ｆｅ、Ｆｅ2Ｂに分解せずに、Ｎ
ｄ2Ｆｅ14ＢＨxとして残るためである。逆に、１０００
℃を越えると、Ｎｄ2Ｆｅ14ＢがＮｄＨ2、α−Ｆｅ、Ｆ
ｅ2Ｂに分解せずに、Ｎｄ2Ｆｅ14Ｂ＋Ｈ2↑となるため
である。
〜１０００℃としたのは、６５０℃未満では、Ｎｄ2Ｆ
ｅ14ＢがＮｄＨ2、α−Ｆｅ、Ｆｅ2Ｂに分解せずに、Ｎ
ｄ2Ｆｅ14ＢＨxとして残るためである。逆に、１０００
℃を越えると、Ｎｄ2Ｆｅ14ＢがＮｄＨ2、α−Ｆｅ、Ｆ
ｅ2Ｂに分解せずに、Ｎｄ2Ｆｅ14Ｂ＋Ｈ2↑となるため
である。
【００１３】また、脱水素処理を行う温度を６５０℃〜
１０００℃としたのは、この範囲以外であると、脱水素
処理の効果が得られないからである。
１０００℃としたのは、この範囲以外であると、脱水素
処理の効果が得られないからである。
【００１４】また、本発明において、水素吸蔵に伴い生
成するＦｅ、Ｆｅ−Ｃｏのキュリー温度は７７０℃以上
であるため、水素中熱処理、脱水素処理を行う際、磁界
を印加することにより、磁気的に結晶方位をそろえるこ
とが可能となる。
成するＦｅ、Ｆｅ−Ｃｏのキュリー温度は７７０℃以上
であるため、水素中熱処理、脱水素処理を行う際、磁界
を印加することにより、磁気的に結晶方位をそろえるこ
とが可能となる。
【００１５】また、水素中熱処理、脱水素処理を行う際
の印加磁場を１００Ｏｅ以上としたのは、１００Ｏｅ未
満では、粉末の磁気特性が磁場を印加しないで処理した
ものと著しい差がみられず、磁場を印加した効果がない
ためである。
の印加磁場を１００Ｏｅ以上としたのは、１００Ｏｅ未
満では、粉末の磁気特性が磁場を印加しないで処理した
ものと著しい差がみられず、磁場を印加した効果がない
ためである。
【００１６】
【実施例】以下に、本発明の実施例を説明する。
【００１７】（実施例１）純度９５ｗｔ％以上のＮｄ、
電解Ｆｅ、フェロボロンを用い、Ａｒ中高周波溶解し
て、３.５ａｔ％Ｎｄ−１８.５ａｔ％Ｂ−ｂａｌＦｅ等
の組成を有する合金インゴットを得た。次に、このイン
ゴットに、Ａｒ雰囲気中１０００℃で２４ｈｒ熱処理を
施した。このインゴットをＡｒ雰囲気中において再溶解
した後、高速回転する銅製ロール（ロール表面速度５ｍ
／ｓ〜５０ｍ／ｓ）に噴射し、アモルファス粉末を得
た。得られた粉末を、大気圧水素下で室温から８５０℃
まで加熱し、１時間保持した後、炉内を真空ポンプで１
０-6ｔｏｒｒまで強制排気し、１時間保持した後、Ａｒ
中で室温まで急冷した。
電解Ｆｅ、フェロボロンを用い、Ａｒ中高周波溶解し
て、３.５ａｔ％Ｎｄ−１８.５ａｔ％Ｂ−ｂａｌＦｅ等
の組成を有する合金インゴットを得た。次に、このイン
ゴットに、Ａｒ雰囲気中１０００℃で２４ｈｒ熱処理を
施した。このインゴットをＡｒ雰囲気中において再溶解
した後、高速回転する銅製ロール（ロール表面速度５ｍ
／ｓ〜５０ｍ／ｓ）に噴射し、アモルファス粉末を得
た。得られた粉末を、大気圧水素下で室温から８５０℃
まで加熱し、１時間保持した後、炉内を真空ポンプで１
０-6ｔｏｒｒまで強制排気し、１時間保持した後、Ａｒ
中で室温まで急冷した。
【００１８】次に、上記処理を行った急冷薄帯粉末を１
５０μｍ以下に粉砕し、この粉末を３０ｋＯｅの直流磁
界中で配向させ、パラフィンで固定した後、ＶＳＭを使
用して合金粉末の磁気特性を測定した。
５０μｍ以下に粉砕し、この粉末を３０ｋＯｅの直流磁
界中で配向させ、パラフィンで固定した後、ＶＳＭを使
用して合金粉末の磁気特性を測定した。
【００１９】（実施例２）純度９５ｗｔ％以上のＮｄ、
電解Ｆｅ、フェロボロンを用い、Ａｒ中高周波溶解し
て、１２.６ａｔ％Ｎｄ−６.０ａｔ％Ｂ−ｂａｌＦｅの
組成を有する合金インゴットを得た。次に、このインゴ
ットに、Ａｒ雰囲気中１０００℃で２４ｈｒ熱処理を施
した。このインゴットをＡｒ雰囲気中において再溶解し
た後、高速回転する銅製ロール（ロール表面速度５ｍ／
ｓ〜５０ｍ／ｓ）に噴射し、アモルファス粉末を得た。
得られた粉末を、大気圧水素下で室温から８５０℃まで
加熱し、１時間保持した後、炉内を真空ポンプで１０-6
ｔｏｒｒまで強制排気し、１時間保持した後、Ａｒ中で
室温まで急冷した。
電解Ｆｅ、フェロボロンを用い、Ａｒ中高周波溶解し
て、１２.６ａｔ％Ｎｄ−６.０ａｔ％Ｂ−ｂａｌＦｅの
組成を有する合金インゴットを得た。次に、このインゴ
ットに、Ａｒ雰囲気中１０００℃で２４ｈｒ熱処理を施
した。このインゴットをＡｒ雰囲気中において再溶解し
た後、高速回転する銅製ロール（ロール表面速度５ｍ／
ｓ〜５０ｍ／ｓ）に噴射し、アモルファス粉末を得た。
得られた粉末を、大気圧水素下で室温から８５０℃まで
加熱し、１時間保持した後、炉内を真空ポンプで１０-6
ｔｏｒｒまで強制排気し、１時間保持した後、Ａｒ中で
室温まで急冷した。
【００２０】次に、上記処理を行った急冷薄帯粉末を１
５０μｍ以下に粉砕し、この粉末を３０ｋＯｅの直流磁
界中で配向させ、パラフィンで固定した後、ＶＳＭを使
用して合金粉末の磁気特性を測定した。
５０μｍ以下に粉砕し、この粉末を３０ｋＯｅの直流磁
界中で配向させ、パラフィンで固定した後、ＶＳＭを使
用して合金粉末の磁気特性を測定した。
【００２１】（比較例１）３.５ａｔ％Ｎｄ−１８.５ａ
ｔ％Ｂ−ｂａｌＦｅの組成のインゴットをＡｒ雰囲気中
１０００℃で２４ｈｒの熱処理を施し、このインゴット
をＡｒ雰囲気中において再溶解した後、高速回転する銅
製ロール（ロール表面速度５ｍ／ｓ〜５０ｍ／ｓ）に噴
射し、アモルファス粉末を得た。この粉末を使用し、実
施例１と同様に磁気特性を測定した。
ｔ％Ｂ−ｂａｌＦｅの組成のインゴットをＡｒ雰囲気中
１０００℃で２４ｈｒの熱処理を施し、このインゴット
をＡｒ雰囲気中において再溶解した後、高速回転する銅
製ロール（ロール表面速度５ｍ／ｓ〜５０ｍ／ｓ）に噴
射し、アモルファス粉末を得た。この粉末を使用し、実
施例１と同様に磁気特性を測定した。
【００２２】（比較例２）１２.６ａｔ％Ｎｄ−６.０ａ
ｔ％Ｂ−ｂａｌＦｅの組成のインゴットをＡｒ雰囲気中
１０００℃で２４ｈｒの熱処理を施し、このインゴット
をＡｒ雰囲気中において再溶解した後、高速回転する銅
製ロール（ロール表面速度５ｍ／ｓ〜５０ｍ／ｓ）に噴
射し、アモルファス粉末を得た。この粉末を使用し、実
施例１と同様に磁気特性を測定した。
ｔ％Ｂ−ｂａｌＦｅの組成のインゴットをＡｒ雰囲気中
１０００℃で２４ｈｒの熱処理を施し、このインゴット
をＡｒ雰囲気中において再溶解した後、高速回転する銅
製ロール（ロール表面速度５ｍ／ｓ〜５０ｍ／ｓ）に噴
射し、アモルファス粉末を得た。この粉末を使用し、実
施例１と同様に磁気特性を測定した。
【００２３】（比較例３）１２.６ａｔ％Ｎｄ−６.０ａ
ｔ％Ｂ−ｂａｌＦｅの組成のインゴットをＡｒ雰囲気中
１０００℃で２４ｈｒの熱処理を施し、このインゴット
を大気圧水素下で室温から８５０℃まで加熱し、１時間
保持した後、炉内を真空ポンプで１０-6ｔｏｒｒまで強
制排気し、１時間保持した後、Ａｒ中で室温まで急冷
し、１５０μｍ以下に粉砕して粉末を得た。この粉末を
使用し、実施例１と同様に磁気特性を測定した。
ｔ％Ｂ−ｂａｌＦｅの組成のインゴットをＡｒ雰囲気中
１０００℃で２４ｈｒの熱処理を施し、このインゴット
を大気圧水素下で室温から８５０℃まで加熱し、１時間
保持した後、炉内を真空ポンプで１０-6ｔｏｒｒまで強
制排気し、１時間保持した後、Ａｒ中で室温まで急冷
し、１５０μｍ以下に粉砕して粉末を得た。この粉末を
使用し、実施例１と同様に磁気特性を測定した。
【００２４】実施例１、２、比較例１〜３の結果を表１
に示した。Ｂｒ、（ＢＨ）maxの値は、粉末試料の密度
を１００％に換算した値を示した。
に示した。Ｂｒ、（ＢＨ）maxの値は、粉末試料の密度
を１００％に換算した値を示した。
【００２５】
【表１】
【００２６】表１より、本発明では、急冷薄帯を水素中
熱処理、強制脱水素することにより、Ｂｒ、（ＢＨ）
maxが向上することがわかる。更にＧａ等の添加元素に
より、磁気特性が向上していることがわかる。
熱処理、強制脱水素することにより、Ｂｒ、（ＢＨ）
maxが向上することがわかる。更にＧａ等の添加元素に
より、磁気特性が向上していることがわかる。
【００２７】なお、本実施例において、添加元素は、Ｇ
ａ、Ｚｒ、Ｃｒ、Ｖ、Ａｌの単独添加のみについて述べ
ているが、それ以外にもＳｉ、Ｔｉ等が使用でき、これ
らを複合添加しても同様の効果が得られる。
ａ、Ｚｒ、Ｃｒ、Ｖ、Ａｌの単独添加のみについて述べ
ているが、それ以外にもＳｉ、Ｔｉ等が使用でき、これ
らを複合添加しても同様の効果が得られる。
【００２８】（実施例３）実施例１のＮｏ.１、Ｎｏ.３
及び実施例２のアモルファス粉末を用いて、一方向磁界
中で、水素中熱処理、脱水素処理した。
及び実施例２のアモルファス粉末を用いて、一方向磁界
中で、水素中熱処理、脱水素処理した。
【００２９】即ち、実施例１のＮｏ.１、Ｎｏ.３及び実
施例２のアモルファス粉末を、２０００Ｏｅの直流磁界
を一方向に印加した管状心内で、大気圧水素下で室温か
ら８５０℃まで加熱し、１時間保持した後、炉内を真空
ポンプで１０-6ｔｏｒｒまで強制排気し、１時間保持し
た後、Ａｒ中で室温まで急冷した。結果を表２に示し
た。また、比較として、磁界を印加しない場合も示し
た。
施例２のアモルファス粉末を、２０００Ｏｅの直流磁界
を一方向に印加した管状心内で、大気圧水素下で室温か
ら８５０℃まで加熱し、１時間保持した後、炉内を真空
ポンプで１０-6ｔｏｒｒまで強制排気し、１時間保持し
た後、Ａｒ中で室温まで急冷した。結果を表２に示し
た。また、比較として、磁界を印加しない場合も示し
た。
【００３０】（表２）
【００３１】表２より、磁界を一方向に印加しながら水
素中熱処理、脱水素処理を行った粉末は、磁界を印加し
ないで水素中熱処理、脱水素処理を行った粉末に比べ、
優れた磁気特性を示していることがわかる。
素中熱処理、脱水素処理を行った粉末は、磁界を印加し
ないで水素中熱処理、脱水素処理を行った粉末に比べ、
優れた磁気特性を示していることがわかる。
【００３２】
【発明の効果】本発明によれば、Ｂｒ、（ＢＨ）maxが
大きい、優れた磁石特性を有する異方性の高分子複合型
希土類磁石用粉末の製造方法を提供することができた。
大きい、優れた磁石特性を有する異方性の高分子複合型
希土類磁石用粉末の製造方法を提供することができた。
Claims (3)
- 【請求項１】 Ｒ−Ｔ−Ｂ系の高分子複合型希土類磁石
用粉末（ＲはＮｄを主成分とするＹを含む希土類元素
で、２.０＜Ｒ＜１３.５ａｔ％、ＴはＦｅ、Ｃｏを主成
分とする遷移金属で、７０.０＜Ｔ＜８９.０ａｔ％、Ｂ
は４.０＜Ｂ＜２０.０ａｔ％）の製造方法において、Ｒ
−Ｔ−Ｂ系合金を液体急冷し、アモルファス粉末を得、
該粉末を６５０℃〜１０００℃で水素中熱処理し、更
に、６５０℃〜１０００℃で脱水素処理することを特徴
とする高分子複合型希土類磁石用粉末の製造方法。 - 【請求項２】 Ｒ−Ｔ−Ｂ−Ｍ系の高分子複合型希土類
磁石用粉末（ＲはＮｄを主成分とするＹを含む希土類元
素で、２.０〈Ｒ〈１３.５ａｔ％、ＴはＦｅ、Ｃｏを主
成分とする遷移金属で、７０.０＜Ｔ＜８９.０ａｔ％、
Ｂは４.０＜Ｂ＜２０.０ａｔ％、ＭはＧａ、Ｚｒ、Ｓ
ｉ、Ｃｒ、Ｔｉ、Ｖ、Ａｌのうち少なくとも１種以上）
の製造方法において、Ｒ−Ｔ−Ｂ−Ｍ系合金を液体急冷
し、アモルファス粉末を得、該粉末を６５０℃〜１００
０℃で水素中熱処理し、更に、６５０℃〜１０００℃で
脱水素処理することを特徴とする高分子複合型希土類磁
石用粉末の製造方法。 - 【請求項３】 請求項１または２記載の高分子複合型希
土類磁石用粉末の製造方法において、水素中熱処理及び
脱水素処理する工程を１００Ｏｅ以上の一方向磁界中で
行うことを特徴とする高分子複合型希土類磁石用粉末の
製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8208963A JPH1041114A (ja) | 1996-07-19 | 1996-07-19 | 高分子複合型希土類磁石用粉末の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8208963A JPH1041114A (ja) | 1996-07-19 | 1996-07-19 | 高分子複合型希土類磁石用粉末の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1041114A true JPH1041114A (ja) | 1998-02-13 |
Family
ID=16565061
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8208963A Pending JPH1041114A (ja) | 1996-07-19 | 1996-07-19 | 高分子複合型希土類磁石用粉末の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH1041114A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6872326B2 (en) | 2000-07-31 | 2005-03-29 | Seiko Epson Corporation | Method of manufacturing magnetic powder, magnetic powder and bonded magnets |
| JP2014527289A (ja) * | 2011-07-20 | 2014-10-09 | ローベルト ボツシユ ゲゼルシヤフト ミツト ベシユレンクテル ハフツング | 磁性材料およびその製造法 |
-
1996
- 1996-07-19 JP JP8208963A patent/JPH1041114A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6872326B2 (en) | 2000-07-31 | 2005-03-29 | Seiko Epson Corporation | Method of manufacturing magnetic powder, magnetic powder and bonded magnets |
| JP2014527289A (ja) * | 2011-07-20 | 2014-10-09 | ローベルト ボツシユ ゲゼルシヤフト ミツト ベシユレンクテル ハフツング | 磁性材料およびその製造法 |
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