JPH1050525A - インピーダンス素子及びその製造方法 - Google Patents
インピーダンス素子及びその製造方法Info
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- JPH1050525A JPH1050525A JP8215342A JP21534296A JPH1050525A JP H1050525 A JPH1050525 A JP H1050525A JP 8215342 A JP8215342 A JP 8215342A JP 21534296 A JP21534296 A JP 21534296A JP H1050525 A JPH1050525 A JP H1050525A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- bobbin
- resistance
- impedance
- circuit
- inductance
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 特定の高周波領域でインピーダンスの値を目
的の値に容易に制御できるインピーダンス素子及びその
製造方法を提供すること。 【解決手段】 非磁性セラミックスを成形、焼成された
ボビン１に導線３を施したインダクタンス素子のボビン
の表面に抵抗素子を形成し、前記導線３と並列に前記抵
抗素子を半田４によって結線する。
的の値に容易に制御できるインピーダンス素子及びその
製造方法を提供すること。 【解決手段】 非磁性セラミックスを成形、焼成された
ボビン１に導線３を施したインダクタンス素子のボビン
の表面に抵抗素子を形成し、前記導線３と並列に前記抵
抗素子を半田４によって結線する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、信号回路内のノイ
ズ吸収を目的にし、信号波の歪みや遅延の少ない積層型
インピーダンス素子及びその製造方法に関する。
ズ吸収を目的にし、信号波の歪みや遅延の少ない積層型
インピーダンス素子及びその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、電子機器のＥＭＩ対策の手法とし
て、信号系にインピーダンス素子を直列に挿入しノイズ
を遮断することが一般的に行われている。
て、信号系にインピーダンス素子を直列に挿入しノイズ
を遮断することが一般的に行われている。
【０００３】また、パワーアンプ等の電源ライン系に対
しても、インピーダンス素子を直列に挿入してアクチブ
素子から信号系のノイズが電源ラインに漏洩することを
抑制することも行われている。
しても、インピーダンス素子を直列に挿入してアクチブ
素子から信号系のノイズが電源ラインに漏洩することを
抑制することも行われている。
【０００４】しかしながら、インピーダンス素子による
ＥＭＩ対策は、リアクタンス成分が信号波形に歪みを与
えたり、位相の遅れを生じさせるマイナスの効果も認め
られる。
ＥＭＩ対策は、リアクタンス成分が信号波形に歪みを与
えたり、位相の遅れを生じさせるマイナスの効果も認め
られる。
【０００５】インピーダンス素子のインピーダンスＺa
は、実数部の抵抗成分Ｒaと虚数部のリアクタンス成分
Ｘaの合成であり、Ｒa＋ｊＸaの式で表される。ノイズ
吸収に有効で、歪みや位相遅れを生じさせない理想的な
インピーダンス素子は、ノイズ成分を有する特定の高周
波領域で実数部の抵抗成分Ｒaと虚数部のリアクタンス
成分Ｘaは、小さな値を示す周波数特性を有するもので
ある。
は、実数部の抵抗成分Ｒaと虚数部のリアクタンス成分
Ｘaの合成であり、Ｒa＋ｊＸaの式で表される。ノイズ
吸収に有効で、歪みや位相遅れを生じさせない理想的な
インピーダンス素子は、ノイズ成分を有する特定の高周
波領域で実数部の抵抗成分Ｒaと虚数部のリアクタンス
成分Ｘaは、小さな値を示す周波数特性を有するもので
ある。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】ノイズ吸収に作用する
高周波領域での抵抗値は、また使用される回路によって
特定の値が要求される。今日、この目的で用いられてい
る素子は、所望の周波数特性に近づける手段としては、
磁性材料の持つ固有の損失の周波数特性及び形成される
スパイラルコイルの巻数の調整等によって実現されてい
るが、フェライトのような材料の持つ損失特性は自由度
が低く、また、これらの部品は、今日、殆どがＳＭＤ部
品化されており、形状寸法に関する制約が多いため、目
的の周波数特性が必ずしも得られないことが問題となっ
ている。
高周波領域での抵抗値は、また使用される回路によって
特定の値が要求される。今日、この目的で用いられてい
る素子は、所望の周波数特性に近づける手段としては、
磁性材料の持つ固有の損失の周波数特性及び形成される
スパイラルコイルの巻数の調整等によって実現されてい
るが、フェライトのような材料の持つ損失特性は自由度
が低く、また、これらの部品は、今日、殆どがＳＭＤ部
品化されており、形状寸法に関する制約が多いため、目
的の周波数特性が必ずしも得られないことが問題となっ
ている。
【０００７】本発明の課題は、特定の高周波領域でイン
ピーダンスの値を目的の値に容易に制御できるインピー
ダンス素子及びその製造方法を提供することにある。
ピーダンスの値を目的の値に容易に制御できるインピー
ダンス素子及びその製造方法を提供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明は、非磁性セラミ
ックスを成形、焼成してなるボビンに巻線を施してなる
インダクタンス素子において、前記ボビンの表面に形成
された導電性物質からなる皮膜と、前記巻線の両端と並
列に結線したことを特徴とするインピーダンス素子であ
る。
ックスを成形、焼成してなるボビンに巻線を施してなる
インダクタンス素子において、前記ボビンの表面に形成
された導電性物質からなる皮膜と、前記巻線の両端と並
列に結線したことを特徴とするインピーダンス素子であ
る。
【０００９】又、本発明は、上記皮膜の形成手段として
ボビンの表面を部分的に還元させて所定の導電率を有す
る層を形成することを特徴とするインピーダンス素子の
製造方法である。
ボビンの表面を部分的に還元させて所定の導電率を有す
る層を形成することを特徴とするインピーダンス素子の
製造方法である。
【００１０】
【発明の実施の形態】本発明の実施の形態について図面
を用いて説明する。
を用いて説明する。
【００１１】図１は、インダクタンスＬと抵抗Ｒの並列
回路を示している。この回路の端子間のインピーダンス
は、式で与えられる。
回路を示している。この回路の端子間のインピーダンス
は、式で与えられる。
【００１２】 Ｚ＝（ω2Ｌ2Ｒ＋ｊωＬＲ）／（Ｒ2＋ω2Ｌ2）・・・・・・・
【００１３】本発明のインピーダンス素子では、非磁性
セラミックを成形、焼成したボビンに巻線を施したイン
ダクタンス素子を形成し、前記ボビンの表面に抵抗素子
を形成して、前記巻線の両端と抵抗素子とを並列に結線
して複合素子とすることにより、目的の周波数特性を得
ることができる。
セラミックを成形、焼成したボビンに巻線を施したイン
ダクタンス素子を形成し、前記ボビンの表面に抵抗素子
を形成して、前記巻線の両端と抵抗素子とを並列に結線
して複合素子とすることにより、目的の周波数特性を得
ることができる。
【００１４】前記回路のインダクタンスＬの値を１μ
Ｈ、または２μＨとし、前記回路の抵抗Ｒを５００Ωと
した場合、両端子間のインピーダンスＺ1及びその実数
部の抵抗成分Ｒ1、虚数部のリアクタンス成分Ｘ1の周波
数特性を各々順にＡ1，Ｂ1，Ｃ1，Ｄ1，Ｅ1，Ｆ1の曲線
として図２に示す。
Ｈ、または２μＨとし、前記回路の抵抗Ｒを５００Ωと
した場合、両端子間のインピーダンスＺ1及びその実数
部の抵抗成分Ｒ1、虚数部のリアクタンス成分Ｘ1の周波
数特性を各々順にＡ1，Ｂ1，Ｃ1，Ｄ1，Ｅ1，Ｆ1の曲線
として図２に示す。
【００１５】Ａ1は、回路の抵抗Ｒが５００Ωで、回路
のインダクタンスＬが１μＨの時のインピーダンスＺ1
の周波数特性を示す。Ｂ1は、回路の抵抗Ｒが５００Ω
で、回路のインダクタンスＬが１μＨの時の実数部の抵
抗成分Ｒ1の周波数特性を示す。Ｃ1は、回路の抵抗Ｒが
５００Ωで、回路のインダクタンスＬが１μＨの時の虚
数部のリアクタンス成分Ｘ1の周波数特性を示す。Ｄ1
は、回路の抵抗Ｒが５００Ωで、回路のインダクタンス
Ｌが２μＨの時のインピーダンスＺ1の周波数特性を示
す。Ｅ1は、回路の抵抗Ｒが５００Ωで、回路のインダ
クタンスＬが２μＨの時の実数部の抵抗成分Ｒ1の周波
数特性を示す。Ｆ1は、回路の抵抗Ｒが５００Ωで、回
路のインダクタンスＬが２μＨの時の虚数部のリアクタ
ンス成分Ｘ1の周波数特性を示す。
のインダクタンスＬが１μＨの時のインピーダンスＺ1
の周波数特性を示す。Ｂ1は、回路の抵抗Ｒが５００Ω
で、回路のインダクタンスＬが１μＨの時の実数部の抵
抗成分Ｒ1の周波数特性を示す。Ｃ1は、回路の抵抗Ｒが
５００Ωで、回路のインダクタンスＬが１μＨの時の虚
数部のリアクタンス成分Ｘ1の周波数特性を示す。Ｄ1
は、回路の抵抗Ｒが５００Ωで、回路のインダクタンス
Ｌが２μＨの時のインピーダンスＺ1の周波数特性を示
す。Ｅ1は、回路の抵抗Ｒが５００Ωで、回路のインダ
クタンスＬが２μＨの時の実数部の抵抗成分Ｒ1の周波
数特性を示す。Ｆ1は、回路の抵抗Ｒが５００Ωで、回
路のインダクタンスＬが２μＨの時の虚数部のリアクタ
ンス成分Ｘ1の周波数特性を示す。
【００１６】前記回路のインダクタンスＬの値を１μ
Ｈ、または２μＨとし、前記回路の抵抗Ｒの値を３００
Ωにした時を、同様に順に、両端子間のインピーダンス
Ｚ2，実数部の抵抗成分Ｒ2，虚数部のリアクタンス成分
Ｘ2の周波数特性を各々順にＡ2，Ｂ2，Ｃ2，Ｄ2，Ｅ2，
Ｆ2の曲線として図３に示す。
Ｈ、または２μＨとし、前記回路の抵抗Ｒの値を３００
Ωにした時を、同様に順に、両端子間のインピーダンス
Ｚ2，実数部の抵抗成分Ｒ2，虚数部のリアクタンス成分
Ｘ2の周波数特性を各々順にＡ2，Ｂ2，Ｃ2，Ｄ2，Ｅ2，
Ｆ2の曲線として図３に示す。
【００１７】Ａ2は、回路の抵抗Ｒが３００Ωで、回路
のインダクタンスＬが１μＨの時のインピーダンスＺ2
の周波数特性を示す。Ｂ2は、回路の抵抗Ｒが３００Ω
で、インダクタンスＬが１μＨの時の実数部の抵抗成分
Ｒ2の周波数特性を示す。Ｃ2は、回路の抵抗Ｒが３００
Ωで、回路のインダクタンスＬが１μＨの時の虚数部の
リアクタンス成分Ｘ2の周波数特性を示す。Ｄ2は、回路
の抵抗Ｒが３００Ωで、回路のインダクタンスＬが２μ
Ｈの時のインピーダンスＺ2の周波数特性を示す。Ｅ2
は、回路の抵抗Ｒが３００Ωで、回路のインダクタンス
Ｌが２μＨの時の実数部の抵抗成分Ｒ2の周波数特性を
示す。Ｆ2は、回路の抵抗Ｒが３００Ωで、回路のイン
ダクタンスＬが２μＨの時の虚数部のリアクタンス成分
Ｘ2の周波数特性を示す。
のインダクタンスＬが１μＨの時のインピーダンスＺ2
の周波数特性を示す。Ｂ2は、回路の抵抗Ｒが３００Ω
で、インダクタンスＬが１μＨの時の実数部の抵抗成分
Ｒ2の周波数特性を示す。Ｃ2は、回路の抵抗Ｒが３００
Ωで、回路のインダクタンスＬが１μＨの時の虚数部の
リアクタンス成分Ｘ2の周波数特性を示す。Ｄ2は、回路
の抵抗Ｒが３００Ωで、回路のインダクタンスＬが２μ
Ｈの時のインピーダンスＺ2の周波数特性を示す。Ｅ2
は、回路の抵抗Ｒが３００Ωで、回路のインダクタンス
Ｌが２μＨの時の実数部の抵抗成分Ｒ2の周波数特性を
示す。Ｆ2は、回路の抵抗Ｒが３００Ωで、回路のイン
ダクタンスＬが２μＨの時の虚数部のリアクタンス成分
Ｘ2の周波数特性を示す。
【００１８】図２及び図３から明らかなように、低周波
領域では、インピーダンス値の低いコイル部分のインピ
ーダンス値が支配的となり、２端子間のインピーダンス
値を決めるが、高周波領域になり、インダクタンスのイ
ンピーダンス値が回路の抵抗を越えるようになってくる
と、２端子間のインピーダンス値は実数部の抵抗成分が
支配的となり、実数部の抵抗成分の値に収束してしま
う。
領域では、インピーダンス値の低いコイル部分のインピ
ーダンス値が支配的となり、２端子間のインピーダンス
値を決めるが、高周波領域になり、インダクタンスのイ
ンピーダンス値が回路の抵抗を越えるようになってくる
と、２端子間のインピーダンス値は実数部の抵抗成分が
支配的となり、実数部の抵抗成分の値に収束してしま
う。
【００１９】また、インダクタンス値によって、インピ
ーダンス値の周波数特性で、インピーダンス値の立ち上
がりに変化を与えることも可能である。
ーダンス値の周波数特性で、インピーダンス値の立ち上
がりに変化を与えることも可能である。
【００２０】ところで、インピーダンス素子をフェライ
トのような磁性材料をコアに用いて作製すると、周波数
の上昇に伴いリアクタンス成分は減少し、同時に損失が
増大する。
トのような磁性材料をコアに用いて作製すると、周波数
の上昇に伴いリアクタンス成分は減少し、同時に損失が
増大する。
【００２１】結果として、インピーダンス値の周波数特
性は、前述の純インダクタンスＬと抵抗Ｒの並列回路の
周波数特性に似た変化を示す。ところが、所望の周波数
特性を得る場合、周波数特性を制御するものは、材料の
損失特性が主で、他はスパイラルコイルの巻数、形状調
整によるインダクタンス値程度で自由度が少なく、必ず
しも目的の周波数特性が得られる訳ではない。
性は、前述の純インダクタンスＬと抵抗Ｒの並列回路の
周波数特性に似た変化を示す。ところが、所望の周波数
特性を得る場合、周波数特性を制御するものは、材料の
損失特性が主で、他はスパイラルコイルの巻数、形状調
整によるインダクタンス値程度で自由度が少なく、必ず
しも目的の周波数特性が得られる訳ではない。
【００２２】しかしながら、このインダクタンス素子と
して磁性材料を用いない、いわゆる空芯のインダクタン
スと並列に抵抗を結線した場合、高周波領域でのインピ
ーダンスの実数部の成分は、抵抗と並列に接続すること
による効果を示し、インピーダンスの実数部の成分を制
御することが可能で、高周波領域の抵抗値はきわめて容
易にコントロールすることが可能になる。
して磁性材料を用いない、いわゆる空芯のインダクタン
スと並列に抵抗を結線した場合、高周波領域でのインピ
ーダンスの実数部の成分は、抵抗と並列に接続すること
による効果を示し、インピーダンスの実数部の成分を制
御することが可能で、高周波領域の抵抗値はきわめて容
易にコントロールすることが可能になる。
【００２３】しかし、抵抗素子を新たに付加すること
は、部品の小型化や表面実装作業の場合、工数増加の点
で好ましくない。インダクタンス素子のボビンの表面に
抵抗素子を形成することが可能であれば、きわめて実用
性に富むインピーダンス素子の提供が可能になる。
は、部品の小型化や表面実装作業の場合、工数増加の点
で好ましくない。インダクタンス素子のボビンの表面に
抵抗素子を形成することが可能であれば、きわめて実用
性に富むインピーダンス素子の提供が可能になる。
【００２４】
【実施例】本発明の実施例について説明する。
【００２５】セラミック粉末として、チタニア系の粉末
を用意した。この粉末にポリビニルアルコール系のバイ
ンダを配合し、スプレードライヤーで造粒し、プレス成
型用の粉末を作製した。
を用意した。この粉末にポリビニルアルコール系のバイ
ンダを配合し、スプレードライヤーで造粒し、プレス成
型用の粉末を作製した。
【００２６】図４に示すように、これを機械式プレスで
断面がＩ型のセラミックのボビン１を成形し、この成形
体を１３５０℃、２時間の大気中焼成を行った。この焼
結体の両端に銀ペーストを塗布し、５００℃、３０分の
焼き付けを大気中で行い、銀焼き付けの端子２を形成し
た。次に、このボビン１に５０μｍ径の被覆導線３を１
００ターン巻き、導線３の両端を端子２に半田４を施し
たものを試料Ａとした。
断面がＩ型のセラミックのボビン１を成形し、この成形
体を１３５０℃、２時間の大気中焼成を行った。この焼
結体の両端に銀ペーストを塗布し、５００℃、３０分の
焼き付けを大気中で行い、銀焼き付けの端子２を形成し
た。次に、このボビン１に５０μｍ径の被覆導線３を１
００ターン巻き、導線３の両端を端子２に半田４を施し
たものを試料Ａとした。
【００２７】次に、ボビンの表面にタンタルの皮膜をス
パッタリングし導電性を持たせたものについて端子間の
電気抵抗を測定したところ、端子間で平均３００Ωの抵
抗を示した。このボビンに試料Ａと同様の巻線を施した
ものを試料Ｂとした。
パッタリングし導電性を持たせたものについて端子間の
電気抵抗を測定したところ、端子間で平均３００Ωの抵
抗を示した。このボビンに試料Ａと同様の巻線を施した
ものを試料Ｂとした。
【００２８】更に、銀焼き付け上がりのボビンを環状炉
内で窒素と数％の水素の混合ガスを数リットル／分の流
量で流しながら、８００℃で、３０分と１２０分、熱処
理を行った。
内で窒素と数％の水素の混合ガスを数リットル／分の流
量で流しながら、８００℃で、３０分と１２０分、熱処
理を行った。
【００２９】それぞれの両端の電気抵抗を測定したとこ
ろ、平均値が７８０Ωと５１０Ωの抵抗値をそれぞれ示
した。これらについても、試料Ａと同様に、巻線を施
し、試料ＣおよびＤとした。
ろ、平均値が７８０Ωと５１０Ωの抵抗値をそれぞれ示
した。これらについても、試料Ａと同様に、巻線を施
し、試料ＣおよびＤとした。
【００３０】各々について、インピーダンスブリッヂで
１００ｋＨｚのインダクタンスを測定したところ、ほぼ
同様に、０.９〜１.２μＨの値を示した。
１００ｋＨｚのインダクタンスを測定したところ、ほぼ
同様に、０.９〜１.２μＨの値を示した。
【００３１】上記のようにして作製した積層インダクタ
ーのインピーダンスの周波数特性を、ＹＨＰ製インピー
ダンスアナライザーＨＰ４１９１Ａを用いて評価した。
試料Ａ、試料Ｂ、試料Ｃ、試料Ｄの結果をそれぞれ図
５、図６、図７、および図８に示す。
ーのインピーダンスの周波数特性を、ＹＨＰ製インピー
ダンスアナライザーＨＰ４１９１Ａを用いて評価した。
試料Ａ、試料Ｂ、試料Ｃ、試料Ｄの結果をそれぞれ図
５、図６、図７、および図８に示す。
【００３２】図５に示すように、ＺAは、抵抗素子を付
加しない時の試料ＡのインピーダンスＺAの周波数特性
を示す。ＲAは、抵抗素子を付加しない時の試料Ａの実
数部の抵抗成分ＲAの周波数特性を示す。ＸAは、抵抗素
子を付加しない時の試料Ａの虚数部のリアクタンス成分
ＸAの周波数特性を示す。
加しない時の試料ＡのインピーダンスＺAの周波数特性
を示す。ＲAは、抵抗素子を付加しない時の試料Ａの実
数部の抵抗成分ＲAの周波数特性を示す。ＸAは、抵抗素
子を付加しない時の試料Ａの虚数部のリアクタンス成分
ＸAの周波数特性を示す。
【００３３】図６に示すよに、ＺBは、試料Ｂのインピ
ーダンスＺBの周波数特性を示す。ＲBは、試料Ｂの実数
部の抵抗成分ＲBの周波数特性を示す。ＸBは、試料Ｂの
虚数部のリアクタンス成分ＸBの周波数特性を示す。
ーダンスＺBの周波数特性を示す。ＲBは、試料Ｂの実数
部の抵抗成分ＲBの周波数特性を示す。ＸBは、試料Ｂの
虚数部のリアクタンス成分ＸBの周波数特性を示す。
【００３４】図７に示すよに、ＺCは、試料Ｃのインピ
ーダンスＺCの周波数特性を示す。ＲCは、試料Ｃの実数
部の抵抗成分ＲCの周波数特性を示す。ＸCは、試料Ｃの
虚数部のリアクタンス成分ＸCの周波数特性を示す。
ーダンスＺCの周波数特性を示す。ＲCは、試料Ｃの実数
部の抵抗成分ＲCの周波数特性を示す。ＸCは、試料Ｃの
虚数部のリアクタンス成分ＸCの周波数特性を示す。
【００３５】又、図８に示すよに、ＺDは、試料Ｄのイ
ンピーダンスＺDの周波数特性を示す。ＲDは、試料Ｄの
実数部の抵抗成分ＲDの周波数特性を示す。ＸDは、試料
Ｄの虚数部リアクタンス成分ＸDの周波数特性を示す。
ンピーダンスＺDの周波数特性を示す。ＲDは、試料Ｄの
実数部の抵抗成分ＲDの周波数特性を示す。ＸDは、試料
Ｄの虚数部リアクタンス成分ＸDの周波数特性を示す。
【００３６】図５において、抵抗素子を付加しないこと
に相当する試料Ａの高周波数領域（＞５０ＭＨｚ）での
インピーダンス値は、リアクタンス成分の比率が高く、
ノイズ吸収特性の面では好ましい周波数特性を示してい
ない。
に相当する試料Ａの高周波数領域（＞５０ＭＨｚ）での
インピーダンス値は、リアクタンス成分の比率が高く、
ノイズ吸収特性の面では好ましい周波数特性を示してい
ない。
【００３７】一方、図６、図７、図８に示す試料Ｂ、試
料Ｃ、および試料Ｄの場合、高周波数領域でのインピー
ダンス値は、ほぼ付加した抵抗素子の値に収束し、これ
らの値によって制御されている。
料Ｃ、および試料Ｄの場合、高周波数領域でのインピー
ダンス値は、ほぼ付加した抵抗素子の値に収束し、これ
らの値によって制御されている。
【００３８】また、インピーダンスの虚数部成分は、高
周波領域で著しく減衰し、ほぼ実数部の成分のみとな
り、ノイズ吸収及び信号への位相遅れまたは歪みの発生
に対して好ましい周波数特性を示している。
周波領域で著しく減衰し、ほぼ実数部の成分のみとな
り、ノイズ吸収及び信号への位相遅れまたは歪みの発生
に対して好ましい周波数特性を示している。
【００３９】このことから、作製上きわめて容易に高周
波領域でのインピーダンス値の周波数特性を制御できる
ことが証明された。更に、試料Ｃ、試料Ｄから還元雰囲
気中の熱処理によって素子表面に導電層が形成され、こ
れが抵抗素子として利用できること、更に熱処理の条件
によって抵抗値が制御できることも確認できた。
波領域でのインピーダンス値の周波数特性を制御できる
ことが証明された。更に、試料Ｃ、試料Ｄから還元雰囲
気中の熱処理によって素子表面に導電層が形成され、こ
れが抵抗素子として利用できること、更に熱処理の条件
によって抵抗値が制御できることも確認できた。
【００４０】
【発明の効果】以上、説明したとおり、本発明によれ
ば、形状寸法に関して制約の多いＳＭＤ部品であるイン
ピーダンス素子及びその製造方法について、特定の高周
波領域でインピーダンス値を目的の値に容易に制御でき
る素子及びその製造方法を提供することが可能になっ
た。
ば、形状寸法に関して制約の多いＳＭＤ部品であるイン
ピーダンス素子及びその製造方法について、特定の高周
波領域でインピーダンス値を目的の値に容易に制御でき
る素子及びその製造方法を提供することが可能になっ
た。
【図１】インダクタンスＬと抵抗Ｒからなる並列回路を
示す図。
示す図。
【図２】回路のインダクタンスＬの値を１μＨ、又は２
μＨとし、回路の抵抗Ｒの値を５００Ωとした場合、そ
の各々の両端子間のインピーダンスＺ1、及びその実数
部の抵抗成分Ｒ1、虚数部のリアクタンス成分Ｘ1の周波
数特性を示す図。
μＨとし、回路の抵抗Ｒの値を５００Ωとした場合、そ
の各々の両端子間のインピーダンスＺ1、及びその実数
部の抵抗成分Ｒ1、虚数部のリアクタンス成分Ｘ1の周波
数特性を示す図。
【図３】回路のインダクタンスＬの値を１μＨ、または
２μＨとし、回路の抵抗Ｒの値を３００Ωとした場合、
その各々の両端子間のインピーダンスＺ2、その実数部
の抵抗成分Ｒ2、虚数部のリアクタンス成分Ｘ2の周波数
特性を示す図。
２μＨとし、回路の抵抗Ｒの値を３００Ωとした場合、
その各々の両端子間のインピーダンスＺ2、その実数部
の抵抗成分Ｒ2、虚数部のリアクタンス成分Ｘ2の周波数
特性を示す図。
【図４】試料Ａを示す斜視図。
【図５】試料Ａの周波数特性を示す図。
【図６】試料Ｂの周波数特性を示す図。
【図７】試料Ｃの周波数特性を示す図。
【図８】試料Ｄの周波数特性を示す図。
１ ボビン ２ 端子 ３ 導線 ４ 半田
Claims (2)
- 【請求項１】 非磁性セラミックスを成形、焼成してな
るボビンに巻線を施してなるインダクタンス素子におい
て、前記ボビンの表面に形成された導電性物質からなる
皮膜と、前記巻線の両端と並列に結線したことを特徴と
するインピーダンス素子。 - 【請求項２】 請求項１記載の皮膜の形成手段としてボ
ビンの表面を部分的に還元させて、所定の導電率を有す
る層を形成することを特徴とするインピーダンス素子の
製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8215342A JPH1050525A (ja) | 1996-07-26 | 1996-07-26 | インピーダンス素子及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8215342A JPH1050525A (ja) | 1996-07-26 | 1996-07-26 | インピーダンス素子及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1050525A true JPH1050525A (ja) | 1998-02-20 |
Family
ID=16670722
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8215342A Pending JPH1050525A (ja) | 1996-07-26 | 1996-07-26 | インピーダンス素子及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH1050525A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0962946A3 (de) * | 1998-06-04 | 2000-03-08 | Siemens Aktiengesellschaft Österreich | Spule zur stehenden Montage auf Schaltungsträgern |
| JP2018057211A (ja) * | 2016-09-30 | 2018-04-05 | 北川工業株式会社 | 出力ノイズ低減装置 |
-
1996
- 1996-07-26 JP JP8215342A patent/JPH1050525A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0962946A3 (de) * | 1998-06-04 | 2000-03-08 | Siemens Aktiengesellschaft Österreich | Spule zur stehenden Montage auf Schaltungsträgern |
| JP2018057211A (ja) * | 2016-09-30 | 2018-04-05 | 北川工業株式会社 | 出力ノイズ低減装置 |
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