JPH1053860A - スパッタリング装置及び磁気記録媒体の製造方法 - Google Patents
スパッタリング装置及び磁気記録媒体の製造方法Info
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- JPH1053860A JPH1053860A JP20990996A JP20990996A JPH1053860A JP H1053860 A JPH1053860 A JP H1053860A JP 20990996 A JP20990996 A JP 20990996A JP 20990996 A JP20990996 A JP 20990996A JP H1053860 A JPH1053860 A JP H1053860A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 炭素質保護層の成膜工程での異常放電を防止
する。 【解決手段】 カーボンターゲット１の板面が上下方向
となるように配置されたスパッタリング装置において、
カーボンターゲット１の上方から下方に雰囲気ガスを流
す。このスパッタリング装置を用いて基板上に炭素質保
護層を形成して磁気記録媒体を製造する。 【効果】 ガス供給方向を従来の水平方向から上下方向
に変更することにより、異常放電の発生を大幅に低減で
きる。長期に亘り異常放電を引き起こすことなく、高品
質の磁気記録媒体を高生産性にて製造することができ
る。
する。 【解決手段】 カーボンターゲット１の板面が上下方向
となるように配置されたスパッタリング装置において、
カーボンターゲット１の上方から下方に雰囲気ガスを流
す。このスパッタリング装置を用いて基板上に炭素質保
護層を形成して磁気記録媒体を製造する。 【効果】 ガス供給方向を従来の水平方向から上下方向
に変更することにより、異常放電の発生を大幅に低減で
きる。長期に亘り異常放電を引き起こすことなく、高品
質の磁気記録媒体を高生産性にて製造することができ
る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明はスパッタリング装置
及び磁気記録媒体の製造方法に係り、特に、炭素質薄膜
成膜時における異常放電の発生頻度を低減して生産性を
高めたスパッタリング装置及びこのようなスパッタリン
グ装置を用いた磁気記録媒体の製造方法に関する。
及び磁気記録媒体の製造方法に係り、特に、炭素質薄膜
成膜時における異常放電の発生頻度を低減して生産性を
高めたスパッタリング装置及びこのようなスパッタリン
グ装置を用いた磁気記録媒体の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、コンピュータ等の情報処理技術の
発達に伴い、その外部記憶装置として磁気ディスク等の
磁気記録媒体が広く利用されている。
発達に伴い、その外部記憶装置として磁気ディスク等の
磁気記録媒体が広く利用されている。
【０００３】従来、磁気記録媒体としては、一般に、ア
ルミニウム合金やガラス等からなる基板にアルマイト処
理やＮｉ−Ｐメッキ等の非磁性メッキ処理を施した後、
Ｃｒ等の下地層を形成し、次いでＣｏ系合金の磁性層を
形成し、更に炭素質の保護層を形成した磁気ディスクが
使用されている。
ルミニウム合金やガラス等からなる基板にアルマイト処
理やＮｉ−Ｐメッキ等の非磁性メッキ処理を施した後、
Ｃｒ等の下地層を形成し、次いでＣｏ系合金の磁性層を
形成し、更に炭素質の保護層を形成した磁気ディスクが
使用されている。
【０００４】このような磁気ディスクにおいては、その
高記録密度化に伴い、記録再生時の磁気ディスクと磁気
ヘッドとの間隔、即ち磁気ヘッドの浮上量は益々小さく
なっており、最近では０．１５μｍ以下程度となってい
る。
高記録密度化に伴い、記録再生時の磁気ディスクと磁気
ヘッドとの間隔、即ち磁気ヘッドの浮上量は益々小さく
なっており、最近では０．１５μｍ以下程度となってい
る。
【０００５】このように磁気ヘッドの浮上量が著しく小
さいことから、磁気ディスク表面に歪みがあるとヘッド
クラッシュを招き、磁気ディスク表面が傷付くことがあ
る。また、ヘッドクラッシュに至らないような微小なう
ねりでも、情報の読み書きの際の種々のエラーの原因と
なり易い。このため、表面に欠陥のない高品質な磁気デ
ィスクが要求されている。
さいことから、磁気ディスク表面に歪みがあるとヘッド
クラッシュを招き、磁気ディスク表面が傷付くことがあ
る。また、ヘッドクラッシュに至らないような微小なう
ねりでも、情報の読み書きの際の種々のエラーの原因と
なり易い。このため、表面に欠陥のない高品質な磁気デ
ィスクが要求されている。
【０００６】ところで、磁気ディスクの炭素質保護層
は、一般に、通過式のスパッタリング装置を用い、ディ
スク状基板をトレイに装着して搬送装置によって順次搬
送しながら成膜される。このようなスパッタリング装置
では、成膜回数が増加するにつれて、スパッタリング装
置内の非スパッタ領域やトレイ等の搬送装置にスパッタ
成膜時に生成した成膜成分が付着して堆積するが、炭素
質薄膜においては特に堆積した成膜成分が絶縁破壊を起
こして異常放電を起こすようになり、スパークを発し、
放電が不安定になる。
は、一般に、通過式のスパッタリング装置を用い、ディ
スク状基板をトレイに装着して搬送装置によって順次搬
送しながら成膜される。このようなスパッタリング装置
では、成膜回数が増加するにつれて、スパッタリング装
置内の非スパッタ領域やトレイ等の搬送装置にスパッタ
成膜時に生成した成膜成分が付着して堆積するが、炭素
質薄膜においては特に堆積した成膜成分が絶縁破壊を起
こして異常放電を起こすようになり、スパークを発し、
放電が不安定になる。
【０００７】また、この堆積物が絶縁破壊を起こす際
に、破壊部分に過電流が流れ、溶融物質の塊が飛散し、
これが基板側の成膜部に付着して欠陥（異常突起）を増
加させる原因となる。更に、堆積物が剥離して飛散し、
これが基板側の成膜部に付着することによっても欠陥が
発生する。
に、破壊部分に過電流が流れ、溶融物質の塊が飛散し、
これが基板側の成膜部に付着して欠陥（異常突起）を増
加させる原因となる。更に、堆積物が剥離して飛散し、
これが基板側の成膜部に付着することによっても欠陥が
発生する。
【０００８】従って、従来の方法においては、成膜時に
異常放電が増加してきた場合には、成膜を中断し、スパ
ッタリング装置内の非スパッタ領域やトレイ等の搬送装
置に付着した絶縁性の堆積膜を定期的に除去する必要が
ある。
異常放電が増加してきた場合には、成膜を中断し、スパ
ッタリング装置内の非スパッタ領域やトレイ等の搬送装
置に付着した絶縁性の堆積膜を定期的に除去する必要が
ある。
【０００９】なお、従来のスパッタリング装置では、炭
素質保護層形成用のカーボンターゲットは、図３に示す
如く、その板面が上下方向となるように配置されてお
り、アルゴン等の雰囲気ガスは、このカーボンターゲッ
ト１の両側辺部に設けられたガス供給管２Ａ，２Ｂか
ら、カーボンターゲット１の板面に沿って、矢印Ｘの如
く、ほぼ水平方向に供給されている。
素質保護層形成用のカーボンターゲットは、図３に示す
如く、その板面が上下方向となるように配置されてお
り、アルゴン等の雰囲気ガスは、このカーボンターゲッ
ト１の両側辺部に設けられたガス供給管２Ａ，２Ｂか
ら、カーボンターゲット１の板面に沿って、矢印Ｘの如
く、ほぼ水平方向に供給されている。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うに成膜装置内の非スパッタ領域やトレイ等の搬送装置
に付着した絶縁性の堆積物の除去のためには、スパッタ
成膜を中断して成膜装置内の減圧を解除する必要がある
ことから、生産性が著しく低下する。
うに成膜装置内の非スパッタ領域やトレイ等の搬送装置
に付着した絶縁性の堆積物の除去のためには、スパッタ
成膜を中断して成膜装置内の減圧を解除する必要がある
ことから、生産性が著しく低下する。
【００１１】本発明は上記従来の問題点を解決し、炭素
質保護層の成膜工程での異常放電を防止して、高品質の
磁気記録媒体を歩留り良く製造することができるスパッ
タリング装置及びこのスパッタリング装置を用いた磁気
記録媒体の製造方法を提供することを目的とする。
質保護層の成膜工程での異常放電を防止して、高品質の
磁気記録媒体を歩留り良く製造することができるスパッ
タリング装置及びこのスパッタリング装置を用いた磁気
記録媒体の製造方法を提供することを目的とする。
【００１２】
【課題を解決するための手段】本発明のスパッタリング
装置は、基板上に炭素質層を形成するためのスパッタリ
ング装置であって、板面が上下方向となるように配置さ
れたターゲットと、該ターゲットの板面に雰囲気ガスを
供給するためのガス供給手段とを備えるスパッタリング
装置において、該ガス供給手段は、ガスをターゲットの
上方から下方に流すものであることを特徴とする。
装置は、基板上に炭素質層を形成するためのスパッタリ
ング装置であって、板面が上下方向となるように配置さ
れたターゲットと、該ターゲットの板面に雰囲気ガスを
供給するためのガス供給手段とを備えるスパッタリング
装置において、該ガス供給手段は、ガスをターゲットの
上方から下方に流すものであることを特徴とする。
【００１３】本発明の磁気記録媒体の製造方法は、基板
上に炭素質保護層をスパッタリングにより形成する工程
を有する磁気記録媒体の製造方法において、上記本発明
のスパッタリング装置を用いて該炭素質保護層を形成す
ることを特徴とする。
上に炭素質保護層をスパッタリングにより形成する工程
を有する磁気記録媒体の製造方法において、上記本発明
のスパッタリング装置を用いて該炭素質保護層を形成す
ることを特徴とする。
【００１４】即ち、本発明者らは、炭素質保護層の成膜
工程における異常放電を防止するべく検討を行った結
果、ガス供給方向を変更することにより、異常放電の発
生を大幅に低減できることを見出した。
工程における異常放電を防止するべく検討を行った結
果、ガス供給方向を変更することにより、異常放電の発
生を大幅に低減できることを見出した。
【００１５】本発明に従って、雰囲気ガスをターゲット
の上方から下方に流すことにより、成膜工程での異常放
電を大幅に低減することができる。
の上方から下方に流すことにより、成膜工程での異常放
電を大幅に低減することができる。
【００１６】
【発明の実施の形態】以下に図面を参照して本発明の実
施の形態を詳細に説明する。
施の形態を詳細に説明する。
【００１７】本発明のスパッタリング装置は、図１（斜
視図）及び図２（正面図）に示す如く、板面が上下方向
に配置されたカーボンターゲット１の雰囲気ガス供給管
３を、該カーボンターゲット１を囲むチムニー５の上端
辺に沿って設け、アルゴン等の雰囲気ガスを矢印Ｙの如
く、カーボンターゲット１の板面に沿って上方から下方
に流すようにしたものである。なお、図２においてはア
ースシールド４等は図示を省略してある。
視図）及び図２（正面図）に示す如く、板面が上下方向
に配置されたカーボンターゲット１の雰囲気ガス供給管
３を、該カーボンターゲット１を囲むチムニー５の上端
辺に沿って設け、アルゴン等の雰囲気ガスを矢印Ｙの如
く、カーボンターゲット１の板面に沿って上方から下方
に流すようにしたものである。なお、図２においてはア
ースシールド４等は図示を省略してある。
【００１８】このガス供給管３の管径やガス噴出孔径、
ガス噴出孔の配置間隔（ピッチ）等は、カーボンターゲ
ットの大きさ等によっても異なるが、通常の場合、板面
の大きさが１０〜３０ｃｍ×２０〜７０ｃｍ程度のカー
ボンターゲットであれば、水平部の長さが２０〜６０ｃ
ｍで、この水平部に孔径０．０５〜０．２ｃｍ程度のガ
ス噴出孔が３〜８ｃｍの間隔で設けられたものを用いる
のが好ましい。
ガス噴出孔の配置間隔（ピッチ）等は、カーボンターゲ
ットの大きさ等によっても異なるが、通常の場合、板面
の大きさが１０〜３０ｃｍ×２０〜７０ｃｍ程度のカー
ボンターゲットであれば、水平部の長さが２０〜６０ｃ
ｍで、この水平部に孔径０．０５〜０．２ｃｍ程度のガ
ス噴出孔が３〜８ｃｍの間隔で設けられたものを用いる
のが好ましい。
【００１９】本発明のスパッタリング装置は、カーボン
ターゲット１に対する雰囲気ガスの供給方向を上記のよ
うに変更したこと以外は、従来のスパッタリング装置と
同様の構成を採用することができる。
ターゲット１に対する雰囲気ガスの供給方向を上記のよ
うに変更したこと以外は、従来のスパッタリング装置と
同様の構成を採用することができる。
【００２０】このようなスパッタリング装置を用いて磁
気記録媒体を製造する場合、基板としては、一般に、ア
ルミニウム合金やガラス等からなるディスク状基板が用
いられ、通常、該基板を所定の厚さに加工した後、その
表面を必要に応じて鏡面加工してから非磁性金属、例え
ばＮｉ−Ｐ合金、又はＮｉ−Ｃｕ−Ｐ合金等の下地層を
無電解メッキ処理等により約５〜２０μｍの膜厚に形成
する。次いで、上記基板の下地層上にテキスチャ加工処
理を施し、該基板表面に微細な溝又は凹凸を形成する。
このテキスチャ加工により磁気ヘッドと基板との吸着が
防止でき、且つＣＳＳ特性が改善され、更に磁気異方性
が良好となる。
気記録媒体を製造する場合、基板としては、一般に、ア
ルミニウム合金やガラス等からなるディスク状基板が用
いられ、通常、該基板を所定の厚さに加工した後、その
表面を必要に応じて鏡面加工してから非磁性金属、例え
ばＮｉ−Ｐ合金、又はＮｉ−Ｃｕ−Ｐ合金等の下地層を
無電解メッキ処理等により約５〜２０μｍの膜厚に形成
する。次いで、上記基板の下地層上にテキスチャ加工処
理を施し、該基板表面に微細な溝又は凹凸を形成する。
このテキスチャ加工により磁気ヘッドと基板との吸着が
防止でき、且つＣＳＳ特性が改善され、更に磁気異方性
が良好となる。
【００２１】次いで、上記基板上に第２次下地層として
Ｃｒ層をスパッタリングにより形成した後、磁性層及び
保護層を順次形成する。該Ｃｒ下地層の膜厚は通常５０
〜２０００Åの範囲である。
Ｃｒ層をスパッタリングにより形成した後、磁性層及び
保護層を順次形成する。該Ｃｒ下地層の膜厚は通常５０
〜２０００Åの範囲である。
【００２２】このような基板のＣｒ下地層上に形成され
る磁性層としては、Ｃｏ−Ｃｒ、Ｃｏ−Ｎｉ、Ｃｏ−Ｃ
ｒ−Ｘ、Ｃｏ−Ｎｉ−Ｘ、Ｃｏ−Ｗ−Ｘ等で表わされる
Ｃｏ系合金の磁性金属薄膜層が好適である。ここでＸと
してはＬｉ，Ｓｉ，Ｃａ，Ｔｉ，Ｖ，Ｃｒ，Ｎｉ，Ａ
ｓ，Ｙ，Ｚｒ，Ｎｂ，Ｍｏ，Ｒｕ，Ｒｈ，Ａｇ，Ｓｂ，
Ｈｆ，Ｔａ，Ｗ，Ｒｅ，Ｏｓ，Ｉｒ，Ｐｔ，Ａｕ，Ｌ
ａ，Ｃｅ，Ｐｒ，Ｎｄ，Ｐｍ，Ｓｍ及びＥｕよりなる群
から選ばれる１種又は２種以上の元素が挙げられる。
る磁性層としては、Ｃｏ−Ｃｒ、Ｃｏ−Ｎｉ、Ｃｏ−Ｃ
ｒ−Ｘ、Ｃｏ−Ｎｉ−Ｘ、Ｃｏ−Ｗ−Ｘ等で表わされる
Ｃｏ系合金の磁性金属薄膜層が好適である。ここでＸと
してはＬｉ，Ｓｉ，Ｃａ，Ｔｉ，Ｖ，Ｃｒ，Ｎｉ，Ａ
ｓ，Ｙ，Ｚｒ，Ｎｂ，Ｍｏ，Ｒｕ，Ｒｈ，Ａｇ，Ｓｂ，
Ｈｆ，Ｔａ，Ｗ，Ｒｅ，Ｏｓ，Ｉｒ，Ｐｔ，Ａｕ，Ｌ
ａ，Ｃｅ，Ｐｒ，Ｎｄ，Ｐｍ，Ｓｍ及びＥｕよりなる群
から選ばれる１種又は２種以上の元素が挙げられる。
【００２３】このようなＣｏ系合金からなる磁性層は、
通常、スパッタ法等によって基板の下地層上に被着形成
される。該磁性層の膜厚は通常２００〜２５００Åの範
囲とされる。
通常、スパッタ法等によって基板の下地層上に被着形成
される。該磁性層の膜厚は通常２００〜２５００Åの範
囲とされる。
【００２４】下地層及び磁性層を形成した後は、保護層
として炭素質保護層を形成する。炭素質保護層は、一般
に、アルゴン、ヘリウム等の希ガス雰囲気中でダイヤモ
ンド状、グラファイト状又はアモルファス状のカーボン
をターゲットとするスパッタ法により磁性層上に被着形
成される。また、スパッタ雰囲気中に水素、窒素、空気
等を混入することにより水素化カーボン膜、窒素化カー
ボン膜を形成しても良い。このようにして形成される保
護層の膜厚は、通常１００〜１０００Åの範囲とされ
る。
として炭素質保護層を形成する。炭素質保護層は、一般
に、アルゴン、ヘリウム等の希ガス雰囲気中でダイヤモ
ンド状、グラファイト状又はアモルファス状のカーボン
をターゲットとするスパッタ法により磁性層上に被着形
成される。また、スパッタ雰囲気中に水素、窒素、空気
等を混入することにより水素化カーボン膜、窒素化カー
ボン膜を形成しても良い。このようにして形成される保
護層の膜厚は、通常１００〜１０００Åの範囲とされ
る。
【００２５】保護層形成後は、常法に従ってテープクリ
ーニングを行い、このテープクリーニング工程終了後
は、通常の場合、保護層の表面に潤滑剤層を設けて製品
とされる。この場合、潤滑剤としては、例えば、フッ素
系液体潤滑剤が使用され、潤滑剤層は、通常、ディップ
コート法、スピンコート法、スプレーコート法等により
保護層上に約１５〜５０Åの厚さに形成される。
ーニングを行い、このテープクリーニング工程終了後
は、通常の場合、保護層の表面に潤滑剤層を設けて製品
とされる。この場合、潤滑剤としては、例えば、フッ素
系液体潤滑剤が使用され、潤滑剤層は、通常、ディップ
コート法、スピンコート法、スプレーコート法等により
保護層上に約１５〜５０Åの厚さに形成される。
【００２６】
【実施例】以下に実施例を挙げて本発明をより具体的に
説明する。
説明する。
【００２７】実施例１ 図１，２に示す如く、カーボンターゲットの上辺縁部に
沿って設けたガス供給管から、カーボンターゲットの板
面に沿って上方から下方にアルゴンガスを流すように構
成した通過型スパッタリング装置を用い、炭素質層を連
続的に成膜した。
沿って設けたガス供給管から、カーボンターゲットの板
面に沿って上方から下方にアルゴンガスを流すように構
成した通過型スパッタリング装置を用い、炭素質層を連
続的に成膜した。
【００２８】なお、用いたカーボンターゲットは板面の
大きさが２３ｃｍ×６４ｃｍのものであり、ガス供給管
は、水平部が管径１．７ｃｍ、長さ３００ｍｍで、孔径
０．５ｃｍのガス噴出孔が５０ｃｍのピッチで６個設け
られたＳＵＳ３０４製のものである。
大きさが２３ｃｍ×６４ｃｍのものであり、ガス供給管
は、水平部が管径１．７ｃｍ、長さ３００ｍｍで、孔径
０．５ｃｍのガス噴出孔が５０ｃｍのピッチで６個設け
られたＳＵＳ３０４製のものである。
【００２９】このようにガス供給管を変更し、同様の条
件で炭素質層のスパッタ成膜を行ったところ、図３に示
す従来構成のスパッタリング装置においては、５０〜３
００回／時間程度発生していた異常放電回数は１〜１０
回／時間と激減し、約２０日間運転を中断することなく
スパッタ成膜を行えた。
件で炭素質層のスパッタ成膜を行ったところ、図３に示
す従来構成のスパッタリング装置においては、５０〜３
００回／時間程度発生していた異常放電回数は１〜１０
回／時間と激減し、約２０日間運転を中断することなく
スパッタ成膜を行えた。
【００３０】
【発明の効果】以上詳述した通り、本発明のスパッタリ
ング装置によれば、炭素質層のスパッタ成膜における異
常放電を大幅に低減して、生産効率を高めることができ
る。また、このようなスパッタリング装置を用いる本発
明の磁気記録媒体の製造方法によれば、カーボン保護層
の成膜工程での異常放電を防止して、高品質の磁気記録
媒体を高い生産性にて歩留り良く製造することができ
る。
ング装置によれば、炭素質層のスパッタ成膜における異
常放電を大幅に低減して、生産効率を高めることができ
る。また、このようなスパッタリング装置を用いる本発
明の磁気記録媒体の製造方法によれば、カーボン保護層
の成膜工程での異常放電を防止して、高品質の磁気記録
媒体を高い生産性にて歩留り良く製造することができ
る。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明のスパッタリング装置の実施の形態に係
るカーボンターゲットとガス供給管を示す斜視図であ
る。
るカーボンターゲットとガス供給管を示す斜視図であ
る。
【図２】本発明のスパッタリング装置の実施の形態に係
るカーボンターゲットとガス供給管を示す正面図であ
る。
るカーボンターゲットとガス供給管を示す正面図であ
る。
【図３】従来例を示す正面図である。
１ カーボンターゲット ３ ガス供給管 ４ アースシールド ５ チムニー
Claims (2)
- 【請求項１】 基板上に炭素質層を形成するためのスパ
ッタリング装置であって、板面が上下方向となるように
配置されたターゲットと、該ターゲットの板面に雰囲気
ガスを供給するためのガス供給手段とを備えるスパッタ
リング装置において、 該ガス供給手段は、ガスをターゲットの上方から下方に
流すものであることを特徴とするスパッタリング装置。 - 【請求項２】 基板上に炭素質保護層をスパッタリング
により形成する工程を有する磁気記録媒体の製造方法に
おいて、 請求項１のスパッタリング装置を用いて該炭素質保護層
を形成することを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20990996A JPH1053860A (ja) | 1996-08-08 | 1996-08-08 | スパッタリング装置及び磁気記録媒体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20990996A JPH1053860A (ja) | 1996-08-08 | 1996-08-08 | スパッタリング装置及び磁気記録媒体の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1053860A true JPH1053860A (ja) | 1998-02-24 |
Family
ID=16580667
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20990996A Pending JPH1053860A (ja) | 1996-08-08 | 1996-08-08 | スパッタリング装置及び磁気記録媒体の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH1053860A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002332570A (ja) * | 2001-05-08 | 2002-11-22 | Anelva Corp | 基板処理装置 |
-
1996
- 1996-08-08 JP JP20990996A patent/JPH1053860A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002332570A (ja) * | 2001-05-08 | 2002-11-22 | Anelva Corp | 基板処理装置 |
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