JPH1055933A - トリミングコンデンサ - Google Patents
トリミングコンデンサInfo
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- JPH1055933A JPH1055933A JP8227658A JP22765896A JPH1055933A JP H1055933 A JPH1055933 A JP H1055933A JP 8227658 A JP8227658 A JP 8227658A JP 22765896 A JP22765896 A JP 22765896A JP H1055933 A JPH1055933 A JP H1055933A
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Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E60/00—Enabling technologies; Technologies with a potential or indirect contribution to GHG emissions mitigation
- Y02E60/13—Energy storage using capacitors
Landscapes
- Laser Beam Processing (AREA)
- Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 電磁波を照射してトリミングする際に、トリ
ミングコンデンサの取得容量にバラツキを生じ易い。 【解決手段】 このコンデンサは微粒子を分散させた誘
電体層と、該誘電体層を介して対向する内部電極とを備
えた。微粒子としては炭素、銀、銅、パラジウム、白
金、金、ニッケル又はこれらの合金を用いてもよいし、
誘電体層を形成している誘電体磁器組成物から分離して
形成された分相粒子を用いてもよい。微粒子の平均粒子
径はトリミングのために照射する光の波長の１／４以上
が好ましい。また、微粒子の含有量は０．１体積％〜４
０体積％が好ましい。
ミングコンデンサの取得容量にバラツキを生じ易い。 【解決手段】 このコンデンサは微粒子を分散させた誘
電体層と、該誘電体層を介して対向する内部電極とを備
えた。微粒子としては炭素、銀、銅、パラジウム、白
金、金、ニッケル又はこれらの合金を用いてもよいし、
誘電体層を形成している誘電体磁器組成物から分離して
形成された分相粒子を用いてもよい。微粒子の平均粒子
径はトリミングのために照射する光の波長の１／４以上
が好ましい。また、微粒子の含有量は０．１体積％〜４
０体積％が好ましい。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、例えばハイブリ
ッドＩＣの基板上や基板内部に形成されたトリミングコ
ンデンサに関するものである。
ッドＩＣの基板上や基板内部に形成されたトリミングコ
ンデンサに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】ハイブリッドＩＣの基板上や基板内部に
形成されたトリミングコンデンサの取得容量の調整（ト
リミング）は、トリミングコンデンサの内部電極の一部
を機械的又は物理的に除去し、内部電極の有効面積を変
化させることによって行なわれている。ここで、トリミ
ングコンデンサの内部電極の一部を機械的又は物理的に
除去する手段としては、サンドブラスト、レーザーなど
が用いられている。
形成されたトリミングコンデンサの取得容量の調整（ト
リミング）は、トリミングコンデンサの内部電極の一部
を機械的又は物理的に除去し、内部電極の有効面積を変
化させることによって行なわれている。ここで、トリミ
ングコンデンサの内部電極の一部を機械的又は物理的に
除去する手段としては、サンドブラスト、レーザーなど
が用いられている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかし、このような従
来のトリミング方法では、トリミングコンデンサを形成
する内部電極の一部を機械的又は物理的に除去するた
め、除去された内部電極の一部が基板の表面に形成され
た配線や電極に付着してその部分の絶縁性を低下させた
り、マイグレーションを生じさせたりするなどの不都合
があった。
来のトリミング方法では、トリミングコンデンサを形成
する内部電極の一部を機械的又は物理的に除去するた
め、除去された内部電極の一部が基板の表面に形成され
た配線や電極に付着してその部分の絶縁性を低下させた
り、マイグレーションを生じさせたりするなどの不都合
があった。
【０００４】また、従来のトリミング方法では、トリミ
ングコンデンサを形成する内部電極の一部を機械的又は
物理的に除去するため、取得容量を減少させるトリミン
グはできるものの、取得容量を増加させるトリミングは
不可能であり、トリミングできる範囲が限定されてい
た。
ングコンデンサを形成する内部電極の一部を機械的又は
物理的に除去するため、取得容量を減少させるトリミン
グはできるものの、取得容量を増加させるトリミングは
不可能であり、トリミングできる範囲が限定されてい
た。
【０００５】また、従来のトリミング方法では、トリミ
ングを施すために、又はトリミングを施すことによりそ
の部分の電極がむき出しになっているので、トリミング
後にこの部分にカバーコートを施して信頼性を確保する
ようにしているが、このカバーコートを施すために工程
が複雑になっていた。
ングを施すために、又はトリミングを施すことによりそ
の部分の電極がむき出しになっているので、トリミング
後にこの部分にカバーコートを施して信頼性を確保する
ようにしているが、このカバーコートを施すために工程
が複雑になっていた。
【０００６】しかも、従来のトリミング方法では、内部
電極の上にカバーコートを施すことによって発生する浮
遊容量のために取得容量が変動してしまうので、この変
動分を考慮してトリミングしなければならず、正確なト
リミングが困難であった。
電極の上にカバーコートを施すことによって発生する浮
遊容量のために取得容量が変動してしまうので、この変
動分を考慮してトリミングしなければならず、正確なト
リミングが困難であった。
【０００７】また、トリミングコンデンサを形成する内
部電極の一部をその近傍の組織とともに機械的又は物理
的に除去するため、この除去された部分の周囲に大きな
ストレスが発生し、そのストレスが原因となってマイク
ロクラックが発生し、内部電極のマイグレーションなど
が起こり易くなり、信頼性が低下していた。しかも、マ
イクロクラックの発生は初期的に非破壊的に検知するこ
とが困難で、潜在的な劣化要因となっていた。
部電極の一部をその近傍の組織とともに機械的又は物理
的に除去するため、この除去された部分の周囲に大きな
ストレスが発生し、そのストレスが原因となってマイク
ロクラックが発生し、内部電極のマイグレーションなど
が起こり易くなり、信頼性が低下していた。しかも、マ
イクロクラックの発生は初期的に非破壊的に検知するこ
とが困難で、潜在的な劣化要因となっていた。
【０００８】更に、従来のトリミング方法では、内部電
極の一部をその近傍の組織とともに機械的又は物理的に
除去するため、トリミング部分を基板の表層近傍にしか
形成できず、回路設計の自由度が低かった。
極の一部をその近傍の組織とともに機械的又は物理的に
除去するため、トリミング部分を基板の表層近傍にしか
形成できず、回路設計の自由度が低かった。
【０００９】そこで、本件特許出願人はこれらの問題を
解決するものとして、基板上又は基板内部に形成したト
リミングコンデンサにレーザー光等の電磁波を照射して
誘電体層を加熱し、この熱によって結晶質と非晶質の間
でその結晶構造を変化させ、これによってその取得容量
をトリミングする方法を発明した。
解決するものとして、基板上又は基板内部に形成したト
リミングコンデンサにレーザー光等の電磁波を照射して
誘電体層を加熱し、この熱によって結晶質と非晶質の間
でその結晶構造を変化させ、これによってその取得容量
をトリミングする方法を発明した。
【００１０】この発明は、上記の発明を実施する際に、
トリミングコンデンサの取得容量にバラツキを生じさせ
ることなく容易にトリミングすることができるトリミン
グコンデンサを提供することを目的とする。
トリミングコンデンサの取得容量にバラツキを生じさせ
ることなく容易にトリミングすることができるトリミン
グコンデンサを提供することを目的とする。
【００１１】
【課題を解決するための手段】この発明に係るトリミン
グコンデンサは、微粒子を分散させた誘電体層と、該誘
電体層を介して対向する内部電極とを備えている。ここ
で、内部電極は、積層状態で対向していてもよいし、突
き合わせ状態で対向していてもよい。後者の内部電極は
誘電体層のレーザー光照射側、内部又は反対側のいずれ
に設けてあってもよい。
グコンデンサは、微粒子を分散させた誘電体層と、該誘
電体層を介して対向する内部電極とを備えている。ここ
で、内部電極は、積層状態で対向していてもよいし、突
き合わせ状態で対向していてもよい。後者の内部電極は
誘電体層のレーザー光照射側、内部又は反対側のいずれ
に設けてあってもよい。
【００１２】前記微粒子の材料としては、焼成過程で誘
電体中に溶け込んだり、分解したりして無くならないよ
うなもの、又は、トリミング前に微粒子として存在して
いるもので、トリミング過程で分解したり、誘電体中に
溶け込んでしまうものを使用することができる。
電体中に溶け込んだり、分解したりして無くならないよ
うなもの、又は、トリミング前に微粒子として存在して
いるもので、トリミング過程で分解したり、誘電体中に
溶け込んでしまうものを使用することができる。
【００１３】このような微粒子の材料としては、例え
ば、炭素、銀、銅、パラジウム、白金、金、ニッケル又
はこれらの合金を用いることができるが、誘電体層の特
性に悪い影響を与えないものであれば、これら以外のも
のを用いてもよい。また、外部から添加するものではな
く、誘電体層を形成している誘電体磁器組成物から析出
して形成されている分相粒子であってもよい。
ば、炭素、銀、銅、パラジウム、白金、金、ニッケル又
はこれらの合金を用いることができるが、誘電体層の特
性に悪い影響を与えないものであれば、これら以外のも
のを用いてもよい。また、外部から添加するものではな
く、誘電体層を形成している誘電体磁器組成物から析出
して形成されている分相粒子であってもよい。
【００１４】前記微粒子の平均粒子径はトリミングのた
めに照射する光の波長の１／４以上が好ましい。微粒子
の平均粒子径をこの程度にすると。照射した光の散乱や
反射が大きく、誘電体層を効果的に加熱できるからであ
る。ただし、微粒子の平均粒子径は１０μｍ以下が好ま
しい。これより大きくなると、グリーンシートを作成し
難くなるからである。
めに照射する光の波長の１／４以上が好ましい。微粒子
の平均粒子径をこの程度にすると。照射した光の散乱や
反射が大きく、誘電体層を効果的に加熱できるからであ
る。ただし、微粒子の平均粒子径は１０μｍ以下が好ま
しい。これより大きくなると、グリーンシートを作成し
難くなるからである。
【００１５】前記微粒子の含有量は０．１体積％〜４０
体積％が好ましい。０．１体積％未満では明らかな効果
が認められないからであり、４０体積％を越えると、ト
リミングしたときの変化率が小さくなり、実用的でない
からである。しかも、微粒子として金属粉体を使った場
合は、微粒子の含有量が多くなり過ぎると電極間が導通
してしまう恐れがあるからである。
体積％が好ましい。０．１体積％未満では明らかな効果
が認められないからであり、４０体積％を越えると、ト
リミングしたときの変化率が小さくなり、実用的でない
からである。しかも、微粒子として金属粉体を使った場
合は、微粒子の含有量が多くなり過ぎると電極間が導通
してしまう恐れがあるからである。
【００１６】
実施例１ （Ｂａ，Ｓｒ，Ｃａ）Ｏ−Ａｌ2 Ｏ3 −ＳｉＯ2 系ガラ
スを用いてトリミングコンデンサを多数有する多層基板
を作成した。多層基板に形成されたトリミングコンデン
サの誘電体層には照射された光を熱として効率よく吸収
させるための微粒子として１体積％の炭素微粒子を分散
させた。炭素微粒子の平均粒子径は約０．３μｍであ
る。内部電極は銀（Ａｇ）電極とした。この多層基板の
コンデンサ付近の内部構造は図１に示す通りとした。
スを用いてトリミングコンデンサを多数有する多層基板
を作成した。多層基板に形成されたトリミングコンデン
サの誘電体層には照射された光を熱として効率よく吸収
させるための微粒子として１体積％の炭素微粒子を分散
させた。炭素微粒子の平均粒子径は約０．３μｍであ
る。内部電極は銀（Ａｇ）電極とした。この多層基板の
コンデンサ付近の内部構造は図１に示す通りとした。
【００１７】同図において、１０は多層基板であり、多
層基板１０の一方の面側（同図では上側）にはコンデン
サ１２が内部に積層形成されている。コンデンサ１２は
対向する一対の内部電極１４，１４と、内部電極１４，
１４に挟まれた誘電体層１６とからなる。１８はコンデ
ンサ１２に向けて照射されているレーザー光である。
層基板１０の一方の面側（同図では上側）にはコンデン
サ１２が内部に積層形成されている。コンデンサ１２は
対向する一対の内部電極１４，１４と、内部電極１４，
１４に挟まれた誘電体層１６とからなる。１８はコンデ
ンサ１２に向けて照射されているレーザー光である。
【００１８】次に、コンデンサを備えた多層基板につい
て、コンデンサの電極交差部分に近い領域にレーザー光
を照射して取得容量のトリミングを行った。試料の数は
１００個とした。レーザーはＮｄ−ＹＡＧレーザー（発
振波長１．０６μｍ）を用いた。照射面の温度は９００
℃、照射時間は３０秒とした。
て、コンデンサの電極交差部分に近い領域にレーザー光
を照射して取得容量のトリミングを行った。試料の数は
１００個とした。レーザーはＮｄ−ＹＡＧレーザー（発
振波長１．０６μｍ）を用いた。照射面の温度は９００
℃、照射時間は３０秒とした。
【００１９】トリミング前後のコンデンサの取得容量の
バラツキを調べたところ、表１に示す通りとなった。試
料１から５は交差電極面積を変えて取得容量を変えた。
電極間隔はほゞ一定とした。レーザーは交差電極面積に
合わせて集光面積を変え、レーザーの出力を面積に比例
させて変化させ、単位面積当たりの照射エネルギーがほ
ゞ一定となるように調整した。
バラツキを調べたところ、表１に示す通りとなった。試
料１から５は交差電極面積を変えて取得容量を変えた。
電極間隔はほゞ一定とした。レーザーは交差電極面積に
合わせて集光面積を変え、レーザーの出力を面積に比例
させて変化させ、単位面積当たりの照射エネルギーがほ
ゞ一定となるように調整した。
【００２０】比較例１ 誘電体磁器組成物中に微粒子を分散させなかった他は、
実施例１と同様の条件でトリミングコンデンサを作成
し、実施例１と同様の条件てレーザー光を照射し、トリ
ミングされたコンデンサの取得容量のバラツキを調べた
ところ、表１に示す通りとなった。
実施例１と同様の条件でトリミングコンデンサを作成
し、実施例１と同様の条件てレーザー光を照射し、トリ
ミングされたコンデンサの取得容量のバラツキを調べた
ところ、表１に示す通りとなった。
【００２１】
【表１】
【００２２】表１の結果から解るように、微粒子を分散
させた誘電体磁器組成物を用いたコンデンサは、微粒子
を分散させなかった誘電体磁器組成物を用いたコンデン
サと比べて取得容量のバラツキが減少していることが解
る。
させた誘電体磁器組成物を用いたコンデンサは、微粒子
を分散させなかった誘電体磁器組成物を用いたコンデン
サと比べて取得容量のバラツキが減少していることが解
る。
【００２３】なお、実施例１では、図１の構造から解る
ように、レーザー光はトリミングすべき誘電体層を直接
加熱するのではなく、一度、内部電極を加熱し、加熱さ
れた内部電極の熱が誘電体層に伝わると考えられ、そこ
での炭素微粒子の働きは、内部電極から伝わった熱を逃
がさないように効率よく吸収する働きをしているものと
考えられる。
ように、レーザー光はトリミングすべき誘電体層を直接
加熱するのではなく、一度、内部電極を加熱し、加熱さ
れた内部電極の熱が誘電体層に伝わると考えられ、そこ
での炭素微粒子の働きは、内部電極から伝わった熱を逃
がさないように効率よく吸収する働きをしているものと
考えられる。
【００２４】実施例２ 実施例１と同じ基板を作成し、レーザー光の代わりに集
光させた赤外線でコンデンサを加熱した。その結果、レ
ーザー光の場合と比べ、加熱された領域がやや広がり、
目的とする領域の周辺部まで物性が変化してしまってい
るようだが、得られた特性変化はレーザー光の場合とほ
とんど同じであった。結果を表２に示す。
光させた赤外線でコンデンサを加熱した。その結果、レ
ーザー光の場合と比べ、加熱された領域がやや広がり、
目的とする領域の周辺部まで物性が変化してしまってい
るようだが、得られた特性変化はレーザー光の場合とほ
とんど同じであった。結果を表２に示す。
【００２５】
【表２】
【００２６】実施例３ 内部電極が図２に示すような突き合わせ状態になったト
リミングコンデンサにレーザー光を照射して、トリミン
グすべき誘電体層にレーザー光を直接照射した。レーザ
ー光の照射の条件は実施例１と同様とした。結果を表３
に示す。
リミングコンデンサにレーザー光を照射して、トリミン
グすべき誘電体層にレーザー光を直接照射した。レーザ
ー光の照射の条件は実施例１と同様とした。結果を表３
に示す。
【００２７】
【表３】
【００２８】内部電極の突き合わせ構造のため、実施例
１の場合より取得容量値が低いが、その他は実施例１と
ほゞ同様の結果が得られている。このことから、微粒子
にレーザー光を直接照射しても、トリミング時のバラツ
キを低減させる効果があることが解る。
１の場合より取得容量値が低いが、その他は実施例１と
ほゞ同様の結果が得られている。このことから、微粒子
にレーザー光を直接照射しても、トリミング時のバラツ
キを低減させる効果があることが解る。
【００２９】実施例４ 実施例３における誘電体中に分散した炭素微粒子の代わ
りに、金属銀微粒子を分散させた。銀微粒子の直径は
０．３μｍで、誘電体材料に対して５ｗｔ％添加した。
結果を表４に示す。炭素微粒子の代わりに金属微粒子を
分散させても同じような効果が得られることが解る。
りに、金属銀微粒子を分散させた。銀微粒子の直径は
０．３μｍで、誘電体材料に対して５ｗｔ％添加した。
結果を表４に示す。炭素微粒子の代わりに金属微粒子を
分散させても同じような効果が得られることが解る。
【００３０】
【表４】
【００３１】
【発明の効果】この発明によれば、誘電体層中に分散し
ている微粒子が供給されたエネルギーを効率的に受け取
って熱くなり、周囲の誘電体層を速やかに加熱するの
で、誘電体磁器組成物自体の熱吸収条件の変化に左右さ
れず、安定なトリミングを行うことができ、従って、ト
リミング後のコンデンサの取得容量のバラツキが少なく
なるという効果がある。
ている微粒子が供給されたエネルギーを効率的に受け取
って熱くなり、周囲の誘電体層を速やかに加熱するの
で、誘電体磁器組成物自体の熱吸収条件の変化に左右さ
れず、安定なトリミングを行うことができ、従って、ト
リミング後のコンデンサの取得容量のバラツキが少なく
なるという効果がある。
【００３２】また、この発明によれば、微粒子の分散量
を変化させることによって光等の吸収量を制御できるた
め、加熱不足や加熱過剰による不良の発生を防ぐことが
できるという効果がある。
を変化させることによって光等の吸収量を制御できるた
め、加熱不足や加熱過剰による不良の発生を防ぐことが
できるという効果がある。
【００３３】更に、この発明によれば、微粒子の大きさ
を変えることによって吸収する光等の最大波長を変える
ことができるため、同じ波長の光等を使って選択的にト
リミングすることができるという効果がある。
を変えることによって吸収する光等の最大波長を変える
ことができるため、同じ波長の光等を使って選択的にト
リミングすることができるという効果がある。
【図１】図１は実施例１に係る多層基板のコンデンサ付
近の内部構造を示す説明図である。
近の内部構造を示す説明図である。
【図２】図２は実施例３に係る多層基板のコンデンサ付
近の内部構造を示す説明図である。
近の内部構造を示す説明図である。
１０ 多層基板 １２ コンデンサ １４ 内部電極 １６ 誘電体層 １８ レーザー光
Claims (6)
- 【請求項１】 微粒子を分散させた誘電体層と、該誘電
体層を介して対向する内部電極とを備えたことを特徴と
するトリミングコンデンサ。 - 【請求項２】 前記内部電極が積層状態で又は突き合わ
せ状態で対向していることを特徴とする請求項１に記載
のトリミングコンデンサ。 - 【請求項３】 前記微粒子が炭素、銀、銅、パラジウ
ム、白金、金、ニッケル又はこれらの合金からなること
を特徴とする請求項１又は２に記載のトリミングコンデ
ンサ。 - 【請求項４】 前記微粒子が誘電体層を形成している誘
電体磁器組成物から分離して形成された分相粒子である
ことを特徴とする請求項１又は２に記載のトリミングコ
ンデンサ。 - 【請求項５】 前記微粒子の平均粒子径がトリミングの
ために照射する光の波長の１／４以上であることを特徴
とする請求項１〜４のいずれかに記載のトリミングコン
デンサ。 - 【請求項６】 前記微粒子の含有量が０．１体積％〜４
０体積％であることを特徴とする請求項１〜５のいずれ
かに記載のトリミングコンデンサ。
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|---|---|---|---|
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| WO2007086184A1 (ja) * | 2006-01-30 | 2007-08-02 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 多層セラミック基板の内蔵コンデンサの容量値調整方法、ならびに多層セラミック基板およびその製造方法 |
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-
1996
- 1996-08-10 JP JP22765896A patent/JP3494422B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2003054961A2 (en) | 2001-12-21 | 2003-07-03 | Marconi Communications Gmbh | Capacitor element and method for trimming a capacitor element |
| WO2003054961A3 (en) * | 2001-12-21 | 2003-11-20 | Marconi Comm Gmbh | Capacitor element and method for trimming a capacitor element |
| US7102873B2 (en) | 2001-12-21 | 2006-09-05 | Marconi Communications Gmbh | Capacitor element and method for trimming a capacitor element |
| CN100449760C (zh) * | 2001-12-21 | 2009-01-07 | 爱立信股份有限公司 | 电容元件以及电容元件的微调方法 |
| WO2007086184A1 (ja) * | 2006-01-30 | 2007-08-02 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 多層セラミック基板の内蔵コンデンサの容量値調整方法、ならびに多層セラミック基板およびその製造方法 |
| JPWO2007086184A1 (ja) * | 2006-01-30 | 2009-06-18 | 株式会社村田製作所 | 多層セラミック基板の内蔵コンデンサの容量値調整方法、ならびに多層セラミック基板およびその製造方法 |
| JP4720829B2 (ja) * | 2006-01-30 | 2011-07-13 | 株式会社村田製作所 | 多層セラミック基板の内蔵コンデンサの容量値調整方法、ならびに多層セラミック基板およびその製造方法 |
| US7996969B2 (en) | 2006-01-30 | 2011-08-16 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Method for adjusting capacitance value of built-in capacitor in multilayer ceramic substrate, and method for manufacturing a multilayer ceramic substrate |
| US8169772B2 (en) * | 2007-05-01 | 2012-05-01 | Avx Corporation | Precision laser adjustable thin film capacitors |
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