JPS6267834A - レ−ザ処理方法 - Google Patents
レ−ザ処理方法Info
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- JPS6267834A JPS6267834A JP60206471A JP20647185A JPS6267834A JP S6267834 A JPS6267834 A JP S6267834A JP 60206471 A JP60206471 A JP 60206471A JP 20647185 A JP20647185 A JP 20647185A JP S6267834 A JPS6267834 A JP S6267834A
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- For Increasing The Reliability Of Semiconductor Memories (AREA)
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- Static Random-Access Memory (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は半導体集積回路にレーザ処理を行う方法に係り
、特に大容量半導体メモリの冗長化技術に適用するに好
適なレーザ処理方法に関する。
、特に大容量半導体メモリの冗長化技術に適用するに好
適なレーザ処理方法に関する。
半導体集積回路内の配線の一部を切断することにより、
製作筒の集積回路チップにプログラム（回路変更）を行
うことができる。最近では特に半導体メモリ素子の欠陥
セルを救済するために利用されている。この配線切断に
はレーザが使用される。この技術については、例えば「
プロシーディング・オプ・ナシ１ナル・エレクトロン・
コンファレンス（Ｐｒｏｃｅｅｄｉｎｇ ｏｆ Ｎａｔ
ｉｏｎａｌＥｌｅｃｔｒｏｎ Ｃｏｎｆｅｒｅｎｃｅ
）第５６号（１９８２年発行）第３８５〜５８９頁」に
報告されている。
製作筒の集積回路チップにプログラム（回路変更）を行
うことができる。最近では特に半導体メモリ素子の欠陥
セルを救済するために利用されている。この配線切断に
はレーザが使用される。この技術については、例えば「
プロシーディング・オプ・ナシ１ナル・エレクトロン・
コンファレンス（Ｐｒｏｃｅｅｄｉｎｇ ｏｆ Ｎａｔ
ｉｏｎａｌＥｌｅｃｔｒｏｎ Ｃｏｎｆｅｒｅｎｃｅ
）第５６号（１９８２年発行）第３８５〜５８９頁」に
報告されている。
即ち第６図（α）に示す様に、Ｓｉ基板１上にＳｉｎ。
膜２を介して絶縁されたｐｏｌｙ−８ｉ配線６が形成さ
れ、リンガラス層４で絶縁され、ｐｏｌｙ−８ｉ配線３
の両端がＡＪ配線５に接続した構造のリンク部に対して
、ＮｄドープＹＡＧレーザ（波長ｔ０６４μ扉）のパル
ス光６を照射する。この時、第６図（ｂ）に・示す様に
レーザ光６はリンガラス層４は透過するがｐｏｌｙ−８
ｉ ５により吸収され、ｐｏｌｙ−３ｉ３は急激に加熱
され爆発的に飛散し、切断される。そのため、切断部の
上のリンガラス４も同時に飛散除去される。そして開口
部からの汚染の侵入を防ぐために、第６図（Ｃ）に示す
様にＳｉＮ膜７を形成する。レーザとしてＹＡＧレーザ
の第２高調波を使用することも行なわれている。
れ、リンガラス層４で絶縁され、ｐｏｌｙ−８ｉ配線３
の両端がＡＪ配線５に接続した構造のリンク部に対して
、ＮｄドープＹＡＧレーザ（波長ｔ０６４μ扉）のパル
ス光６を照射する。この時、第６図（ｂ）に・示す様に
レーザ光６はリンガラス層４は透過するがｐｏｌｙ−８
ｉ ５により吸収され、ｐｏｌｙ−３ｉ３は急激に加熱
され爆発的に飛散し、切断される。そのため、切断部の
上のリンガラス４も同時に飛散除去される。そして開口
部からの汚染の侵入を防ぐために、第６図（Ｃ）に示す
様にＳｉＮ膜７を形成する。レーザとしてＹＡＧレーザ
の第２高調波を使用することも行なわれている。
しかし、この方法ではウニハエ程の途中でレーザ処理を
行うため、レーザにより飛散したｐｏｌｙ−！９ｉやリ
ンガラスの粒子が周辺に付着するし、レーザ処理に先立
って、プローバによる針あて・テスタによる検査が行な
われるため、最後のＳｉＮ膜形成時に針あての跡が悪影
響を及ぼし、完成したチップの信頼性を低下させる欠点
がある。
行うため、レーザにより飛散したｐｏｌｙ−！９ｉやリ
ンガラスの粒子が周辺に付着するし、レーザ処理に先立
って、プローバによる針あて・テスタによる検査が行な
われるため、最後のＳｉＮ膜形成時に針あての跡が悪影
響を及ぼし、完成したチップの信頼性を低下させる欠点
がある。
一方、第６図（α）に示す状態でレーザ処理を行なわず
、ＳｉＮ膜を形成してからレーザな照射する可能性のあ
る部分のＳｉＮ膜に窓あけを行って、検査結果に基づい
て必要な部分にレーザを照射する方法もとられている。
、ＳｉＮ膜を形成してからレーザな照射する可能性のあ
る部分のＳｉＮ膜に窓あけを行って、検査結果に基づい
て必要な部分にレーザを照射する方法もとられている。
しかしこの方法では、レーザ処理が不必要なリンクも全
て、窓あけされたままであるため、水分の浸入による断
線、あるいは汚染の侵入等による信頼性に問題が残る。
て、窓あけされたままであるため、水分の浸入による断
線、あるいは汚染の侵入等による信頼性に問題が残る。
そこで、改めて処理後、ＳｉＮ膜を形成する方法もある
が、この場合には余分な工程を必要トシ、コストを上昇
させてしまう問題点があつた。
が、この場合には余分な工程を必要トシ、コストを上昇
させてしまう問題点があつた。
さらに、第７図（α）に示す様にＳｉＮ膜７を形成した
後に窓あげを行なわずに、レーザ６ （ＹＡＧレーザお
よびその第２高調波）を照射してｐｏｌｙ−８ｉ配線３
の切断を試みたが、第７図（ｂ）に示す様に、レーザ照
射部周辺のＳｉＮ膜が大きく剥離したり、クラック８が
入ったりして、チップの信頼性上大きな問題が生じるこ
とがわかった。
後に窓あげを行なわずに、レーザ６ （ＹＡＧレーザお
よびその第２高調波）を照射してｐｏｌｙ−８ｉ配線３
の切断を試みたが、第７図（ｂ）に示す様に、レーザ照
射部周辺のＳｉＮ膜が大きく剥離したり、クラック８が
入ったりして、チップの信頼性上大きな問題が生じるこ
とがわかった。
これは、パシベーシヨン膜厚が厚いことと、最上層のＳ
ｉＮ膜７が機械的強度の大きな材質であるからと推定さ
れる。なお、パシベーション膜としてリンガラス（ＰＳ
Ｇ）を使用する場合には、十分な厚さが必要であるが、
昭和５９年春季第６１回応用物理学関係連合講演会予稿
集第４６１頁に記載されてる様に、ＰＳＧが厚いとｐｏ
ｌｙ−８ｔの切断歩留りが低下するという問題も生じる
。
ｉＮ膜７が機械的強度の大きな材質であるからと推定さ
れる。なお、パシベーション膜としてリンガラス（ＰＳ
Ｇ）を使用する場合には、十分な厚さが必要であるが、
昭和５９年春季第６１回応用物理学関係連合講演会予稿
集第４６１頁に記載されてる様に、ＰＳＧが厚いとｐｏ
ｌｙ−８ｔの切断歩留りが低下するという問題も生じる
。
本発明の目的は、上記従来技術の問題点に鑑み、工数を
増加することなく信頼性の高い半導体メモリを製造する
ための冗長化技術に適用可能なレーザ処理方法を提供す
ることにある。
増加することなく信頼性の高い半導体メモリを製造する
ための冗長化技術に適用可能なレーザ処理方法を提供す
ることにある。
即ち、本発明は、上記目的を達成するために、レーザ処
理に用いるレーザ光としてパシベーション膜で吸収され
る波長を選択し、パシベーション表面から順次、除去加
工を行い最後に配線を切断することにより、クラックの
生じない切断を可能にし、しかもレーザ処理が不要なチ
ップ（完全良品）の配線部（リンク）は全てパシベーシ
ヨンで保護されており、十分な信頼性が確保できる上、
余分な工程は全く必要しないことを特徴とするものであ
る。
理に用いるレーザ光としてパシベーション膜で吸収され
る波長を選択し、パシベーション表面から順次、除去加
工を行い最後に配線を切断することにより、クラックの
生じない切断を可能にし、しかもレーザ処理が不要なチ
ップ（完全良品）の配線部（リンク）は全てパシベーシ
ヨンで保護されており、十分な信頼性が確保できる上、
余分な工程は全く必要しないことを特徴とするものであ
る。
以下、本発明の詳細を図に従って説明する。
まず、本発明を実施するに好適な装置の光学系の構成を
第５図に示す。レーザ発振器１１から発振された赤外レ
ーザ光１２（Ｚは第３高調波発生器１６により、波長か
Ｔの紫外レーザ光１２ｂ（波長０．３５５μｒＩＬ）に
変換され、ミラー１４．ダイクロイックミラー１５によ
り、参照光１６と結合される。参。
第５図に示す。レーザ発振器１１から発振された赤外レ
ーザ光１２（Ｚは第３高調波発生器１６により、波長か
Ｔの紫外レーザ光１２ｂ（波長０．３５５μｒＩＬ）に
変換され、ミラー１４．ダイクロイックミラー１５によ
り、参照光１６と結合される。参。
照光１６は光源１７からの光を干渉フィルタ１８により
特定の可視波長く選択される。参照光１６は矩形開口ス
リット１９により、任意の寸法の矩形に成形され、ミラ
ー２０により曲げられ、対物レンズ２１により集光・結
像されＸ−Ｙ−Ｚ−〇に移動可能なステージ２２に載置
されたウェハ２３上に照射される。
特定の可視波長く選択される。参照光１６は矩形開口ス
リット１９により、任意の寸法の矩形に成形され、ミラ
ー２０により曲げられ、対物レンズ２１により集光・結
像されＸ−Ｙ−Ｚ−〇に移動可能なステージ２２に載置
されたウェハ２３上に照射される。
この時、ウェハ２３は矩形開口スリット１９の像が対物
レンズ２１により対物レンズ倍率の逆数、即ち倍率をＭ
とするとＭに縮少投影される位置に置かれる。手動の場
合には作業者は観察光源２４、接眼レンズ２５等よりな
る観察光学系により参照光１６によるスリット像とウエ
ノ・面を同時に観察しながら、あるいは自動の場合には
ノくターン認識を応用して切断すべき配線部とスリット
像の位置合せを行い、しかる後、紫外レーザ光１２ｂを
発振する。この時、レーザ光１２ｂは参照光１６による
スリット像と同一の位置１寸法に集光され加工が行なわ
れる。
レンズ２１により対物レンズ倍率の逆数、即ち倍率をＭ
とするとＭに縮少投影される位置に置かれる。手動の場
合には作業者は観察光源２４、接眼レンズ２５等よりな
る観察光学系により参照光１６によるスリット像とウエ
ノ・面を同時に観察しながら、あるいは自動の場合には
ノくターン認識を応用して切断すべき配線部とスリット
像の位置合せを行い、しかる後、紫外レーザ光１２ｂを
発振する。この時、レーザ光１２ｂは参照光１６による
スリット像と同一の位置１寸法に集光され加工が行なわ
れる。
ここで、レーザが照射されるリンク部は第７図（α）に
示した様に、最終的パシベーシヨンであるＳｉＮ膜７が
形成されている。ＳｉＮ膜７は成膜プロセスにより吸収
端が異なるが、例えば第５図に示す様に分光透過特性を
持つ。実線（曲線２７）、破線（曲線２８）、鎖線（曲
線２９）はそれぞれ吸収端が２０００Ｘ 、 ｚｓｏｏ
Ａ 、 ２７００人の場合である。
示した様に、最終的パシベーシヨンであるＳｉＮ膜７が
形成されている。ＳｉＮ膜７は成膜プロセスにより吸収
端が異なるが、例えば第５図に示す様に分光透過特性を
持つ。実線（曲線２７）、破線（曲線２８）、鎖線（曲
線２９）はそれぞれ吸収端が２０００Ｘ 、 ｚｓｏｏ
Ａ 、 ２７００人の場合である。
ここで、曲線２９の特性を示すＳｉＮ膜７が形成されて
いるチップにＹＡＧレーザの第３高調波１２ｂを照射す
ると、第１図（α）に示す様に紫外レーザ光はＳｉＮ膜
７で吸収され上から順に除去加工が進み、第１図（ｂ）
に示す様にレーザが照射された部分のみ、５ｉＮ７が完
全に除去される。さらにレーザ光１２ｂを照射するとリ
ンガラス層４はレーザ光を透過するが、ｐｏｌｙ−８ｉ
層５で吸収され、。
いるチップにＹＡＧレーザの第３高調波１２ｂを照射す
ると、第１図（α）に示す様に紫外レーザ光はＳｉＮ膜
７で吸収され上から順に除去加工が進み、第１図（ｂ）
に示す様にレーザが照射された部分のみ、５ｉＮ７が完
全に除去される。さらにレーザ光１２ｂを照射するとリ
ンガラス層４はレーザ光を透過するが、ｐｏｌｙ−８ｉ
層５で吸収され、。
爆発的に飛散し、同時にリンガラス層４も除去される。
厚さｚｏｏｏＡ、巾２−のｐｏｌｙ −Ｓ ｉ配線３上
に５ｉｆｔ。
に５ｉｆｔ。
膜４がｚｓｏｏＸ 、その上にＳｉＮ膜が１μｍ形成さ
れているサンプルに対して矩形スリットにより５μｍ口
の照射領域を設定し、８ Ｘ １０” Ｗ／ｃｄのパワ
ー密度となる様に調整されたＹＡＧレーザの第３高調波
（パルス巾１５ｎｓのパルス光）を照射した。１パルス
目でＳｉＮ膜に５μｍ口の溝が形成され、２パルス目で
深さが増し、３パルス目でＳｉＮ膜がほぼ完全に除去で
き、４パルス目でｐｏｌｙ−８ｉ配線が切断できた。そ
の切断は極めて良好で、周辺のＳｉＮ膜へのクラック発
生も見られず、また下層の５ｉＯ１膜、Ｓｉ基板へのダ
メージも見られなかった。
れているサンプルに対して矩形スリットにより５μｍ口
の照射領域を設定し、８ Ｘ １０” Ｗ／ｃｄのパワ
ー密度となる様に調整されたＹＡＧレーザの第３高調波
（パルス巾１５ｎｓのパルス光）を照射した。１パルス
目でＳｉＮ膜に５μｍ口の溝が形成され、２パルス目で
深さが増し、３パルス目でＳｉＮ膜がほぼ完全に除去で
き、４パルス目でｐｏｌｙ−８ｉ配線が切断できた。そ
の切断は極めて良好で、周辺のＳｉＮ膜へのクラック発
生も見られず、また下層の５ｉＯ１膜、Ｓｉ基板へのダ
メージも見られなかった。
また、同じサンプルに対して５μｍ口の照射領域を設定
し、４ Ｘ １０’ Ｗ／−のパワー密度となる様に調
整されたＹＡＧレーザの第３高調波（パルス巾１５ｎｓ
のパルス光）を照射した。その結果、レーザ出力のバラ
ツキに起因する加工速度のバラツキのため、５〜７パル
スでＳｉＮ膜が除去され、次の１パルスでｐｏｌｙ−８
ｉ配線が切断し、さらに２〜４パルス（計１０パルス）
照射しても、何ら下層あるいは周辺へのダメージのない
良好な切断が得られた。
し、４ Ｘ １０’ Ｗ／−のパワー密度となる様に調
整されたＹＡＧレーザの第３高調波（パルス巾１５ｎｓ
のパルス光）を照射した。その結果、レーザ出力のバラ
ツキに起因する加工速度のバラツキのため、５〜７パル
スでＳｉＮ膜が除去され、次の１パルスでｐｏｌｙ−８
ｉ配線が切断し、さらに２〜４パルス（計１０パルス）
照射しても、何ら下層あるいは周辺へのダメージのない
良好な切断が得られた。
また、同じサンプルに対して１０μｍ口の照射領域を設
定し、同じ＜ ＹＡＧレーザの第３高調波パルス光（パ
ルス巾１５ｎｓ）をパワー密度がｌＸ１０’Ｖ−となる
様に調整してｐｏｌｙ −Ｓ ｉ配線上のＳｉＮ膜に２
パルス照射した。これにより、１０μ虎口の領域のＳｉ
Ｎ膜がほぼ完全に除去できた。これはフォトエツチング
技術により、ＳｉＮ膜に窓あけを行なった場合と同一の
形状であった。これに、照射領域を５μｍ口に設定しな
おし、パワー密度を４ Ｘ １０’ Ｗ／−に調整して
照射した結果、良好な切断が得られた。また、ＹＡＧレ
ーザの第３高調波で１０μ７１１０．１ｘ１ｏ’Ｗ／ｙ
、 ２バＡ／スでＳｉＮ膜に窓あけを行った後、ＹＡ
Ｇレーザの基本波（波長１．０６μｍ）のパルス光（パ
ルス巾４０ｎｓ）をガウス皇のスポットに集光して１パ
ルスで切断を行りた。スポット径（加工径）６μ扉、ノ
くルスエネルギ２μＪで良好な切断を得た。
定し、同じ＜ ＹＡＧレーザの第３高調波パルス光（パ
ルス巾１５ｎｓ）をパワー密度がｌＸ１０’Ｖ−となる
様に調整してｐｏｌｙ −Ｓ ｉ配線上のＳｉＮ膜に２
パルス照射した。これにより、１０μ虎口の領域のＳｉ
Ｎ膜がほぼ完全に除去できた。これはフォトエツチング
技術により、ＳｉＮ膜に窓あけを行なった場合と同一の
形状であった。これに、照射領域を５μｍ口に設定しな
おし、パワー密度を４ Ｘ １０’ Ｗ／−に調整して
照射した結果、良好な切断が得られた。また、ＹＡＧレ
ーザの第３高調波で１０μ７１１０．１ｘ１ｏ’Ｗ／ｙ
、 ２バＡ／スでＳｉＮ膜に窓あけを行った後、ＹＡ
Ｇレーザの基本波（波長１．０６μｍ）のパルス光（パ
ルス巾４０ｎｓ）をガウス皇のスポットに集光して１パ
ルスで切断を行りた。スポット径（加工径）６μ扉、ノ
くルスエネルギ２μＪで良好な切断を得た。
次に別な実施例を示す。実施するに好適な装置の光学系
を第４図に示す。ＹＡＧレーザ発振器１１より発振され
、第５高調波発生器１６により紫２外レーザ１２ｂに変
換されて対物レンズ５１によりｘ−ｙ−ｚ−θステージ
２２に載置されたウェハ２３に集光・照射される。この
時、ウェハ２６は対物レンズ５１の焦点に一致する位置
関係に置かれる。この場合、集光されたレーザ光は、焦
点においてガウス型のパワー密度分布を持つため、第２
図に示す様に中心部が深く周辺は浅い除去加工がなされ
る。パルスごとに深さが増し第２図（ｂ）に示す様にＳ
ｉＮ膜７の除去部からＳ ｔＱｔ膜４が露出する状態に
なると、次のパルスでｐｏｌｙ−８ｉ配線３は爆発的に
飛散し、同時に３ｉ０．４も除去され、第２図（Ｃ）に
示す様に、良好な切断が得られろ。
を第４図に示す。ＹＡＧレーザ発振器１１より発振され
、第５高調波発生器１６により紫２外レーザ１２ｂに変
換されて対物レンズ５１によりｘ−ｙ−ｚ−θステージ
２２に載置されたウェハ２３に集光・照射される。この
時、ウェハ２６は対物レンズ５１の焦点に一致する位置
関係に置かれる。この場合、集光されたレーザ光は、焦
点においてガウス型のパワー密度分布を持つため、第２
図に示す様に中心部が深く周辺は浅い除去加工がなされ
る。パルスごとに深さが増し第２図（ｂ）に示す様にＳ
ｉＮ膜７の除去部からＳ ｔＱｔ膜４が露出する状態に
なると、次のパルスでｐｏｌｙ−８ｉ配線３は爆発的に
飛散し、同時に３ｉ０．４も除去され、第２図（Ｃ）に
示す様に、良好な切断が得られろ。
前に述べた試料に対してスポット径５μｍφが得られる
対物レンズを用〜・、パルス・エネルギが２μＪになる
様に調整したＹＡＧレーザの第３高調波を照射した。そ
の結果、３パルスでＳｉＮ膜が除去され、４パルス目で
ｐｏｌｙ −Ｓｉ配線が切断できた。ＳｉＮ膜は円形に
除去され、その側面はほぼ垂直で、周辺のＳｉＮ膜への
クラック発生も見られず、下層の５ｉＯｘｉ・Ｓｉ基板
へのダメージも見られなかった。
対物レンズを用〜・、パルス・エネルギが２μＪになる
様に調整したＹＡＧレーザの第３高調波を照射した。そ
の結果、３パルスでＳｉＮ膜が除去され、４パルス目で
ｐｏｌｙ −Ｓｉ配線が切断できた。ＳｉＮ膜は円形に
除去され、その側面はほぼ垂直で、周辺のＳｉＮ膜への
クラック発生も見られず、下層の５ｉＯｘｉ・Ｓｉ基板
へのダメージも見られなかった。
なお、本発明の詳細な説明において、ノくシベーシッン
膜としてＳｉＮ膜を対象に、ＹＡＧレーザの第３高調波
を用いて、その下層のｐｏｌｙ −Ｓｉ配線を切断する
場合について述べて来た。しかし、本発明はこれに限定
されるものではない。
膜としてＳｉＮ膜を対象に、ＹＡＧレーザの第３高調波
を用いて、その下層のｐｏｌｙ −Ｓｉ配線を切断する
場合について述べて来た。しかし、本発明はこれに限定
されるものではない。
例えばより吸収端波長の短いＳｉＮ膜に対してはＮ、レ
ーザ（波長３３７騨） 、 ＹＡＧレーザの第４高調波
（２６６ｎｍ ） 、 ＸｅＣ１−１−キシマレーザ（
３０８Ｍ） 。
ーザ（波長３３７騨） 、 ＹＡＧレーザの第４高調波
（２６６ｎｍ ） 、 ＸｅＣ１−１−キシマレーザ（
３０８Ｍ） 。
ＫｒＦ エキシマレーザ（２４９ｎｕ ） ＊ ＫｒＣ
ｌエキシマレーザ（２２２ｎｍ ） ＊ ＡｒＦエキシ
マレーザ（１９５編）を用いることにより、レーザ照射
部のみＳｉＮ膜を除去しその下層の配線を切断すること
ができる。また、パシベーション膜として、リンガラス
等のＳｉ０ｇ系の材料が用いられる場合に゛ゆ、ＹＡＧ
Ｖ−ザ。第。高調波（２６６ｎ、） 、 ＫｒＦｘｖ
−’／−ｚＶ−ｆ（２４９ｎｍ） 、Ｋｒ（Ｊエキシマ
レーザ（２２２ｎｍ→ｌ ＡｒＦエキシマレーザ（１９
５３ｍ）を用いることにより、レーザ照射部のみノ（シ
ペーシＮ）膜を除去しその下層の配線を切断することが
できる。
ｌエキシマレーザ（２２２ｎｍ ） ＊ ＡｒＦエキシ
マレーザ（１９５編）を用いることにより、レーザ照射
部のみＳｉＮ膜を除去しその下層の配線を切断すること
ができる。また、パシベーション膜として、リンガラス
等のＳｉ０ｇ系の材料が用いられる場合に゛ゆ、ＹＡＧ
Ｖ−ザ。第。高調波（２６６ｎ、） 、 ＫｒＦｘｖ
−’／−ｚＶ−ｆ（２４９ｎｍ） 、Ｋｒ（Ｊエキシマ
レーザ（２２２ｎｍ→ｌ ＡｒＦエキシマレーザ（１９
５３ｍ）を用いることにより、レーザ照射部のみノ（シ
ペーシＮ）膜を除去しその下層の配線を切断することが
できる。
また、切断対象となる配線についてもｐｏｌｙ −８ｉ
配線について説明して来たが、ＭｏＳｉ 、ＷＳｉ 。
配線について説明して来たが、ＭｏＳｉ 、ＷＳｉ 。
Ｍｏ、Ｗ、ＡＡ！等の金属、金属シリサイド、あるいは
それらの複数の層からなる配線についても、本発明を適
用することができることは明らかである。
それらの複数の層からなる配線についても、本発明を適
用することができることは明らかである。
さらに、本発明を実施するに好適な装置として第３図お
よび第４図にその光学系の構成を示したが、これらに限
定されるものではない。実施例においては対物レンズと
して、透過・屈折型のレンズで示したが反射型の対物レ
ンズを使用することも可能である。また、レーザ照射位
置の調整についてはＸ−Ｙ−Ｚ−〇ステージを使用す！
る様に示したが、対物レンズを含めた光学系の移動、ガ
ルバノミラ−等による走査、あるいはそれらの組合せを
使用できることは明らかである。
よび第４図にその光学系の構成を示したが、これらに限
定されるものではない。実施例においては対物レンズと
して、透過・屈折型のレンズで示したが反射型の対物レ
ンズを使用することも可能である。また、レーザ照射位
置の調整についてはＸ−Ｙ−Ｚ−〇ステージを使用す！
る様に示したが、対物レンズを含めた光学系の移動、ガ
ルバノミラ−等による走査、あるいはそれらの組合せを
使用できることは明らかである。
以上、本発明について実施例、に基づいて説明してきた
が、要約すると以下の通りである。
が、要約すると以下の通りである。
切断すべき配線上に最終的パシベーション膜としてＳｉ
Ｎが形成されて（・る場合、ＹＡＧレーザの第５高調波
（３５５ｎｍ ）あるいはこれより短い波長のパルスレ
ーザをＳｉＮ表面に集光照射して、ＳｉＮの除去加工を
行う。パルス幅は１００３８より短い方が周辺への熱影
響の観点から望ましい。
Ｎが形成されて（・る場合、ＹＡＧレーザの第５高調波
（３５５ｎｍ ）あるいはこれより短い波長のパルスレ
ーザをＳｉＮ表面に集光照射して、ＳｉＮの除去加工を
行う。パルス幅は１００３８より短い方が周辺への熱影
響の観点から望ましい。
照射するレーザ・パワー密度としてはＳｉＮ膜厚波長に
対する吸収率により異なるが概ねｌＸ１０”嵌−以上で
、複数のパルスを照射して除去することが望ましい。除
去加工を行える値、例えば１ｘ １ｏ’ ｗ／ｉで、処
理速度の観点からパルス数として１〜数１０パルスで照
射することが望ましいが、特にこれらに限定されるもの
ではない。
対する吸収率により異なるが概ねｌＸ１０”嵌−以上で
、複数のパルスを照射して除去することが望ましい。除
去加工を行える値、例えば１ｘ １ｏ’ ｗ／ｉで、処
理速度の観点からパルス数として１〜数１０パルスで照
射することが望ましいが、特にこれらに限定されるもの
ではない。
また、最終的パシベーション膜として５ｉＯｔが形成さ
れている場合には、ＹＡＧレーザの第４高調波（２６６
ｎｍ→あるいはこれより短い波長の）（ルスレーザを使
用する。
れている場合には、ＹＡＧレーザの第４高調波（２６６
ｎｍ→あるいはこれより短い波長の）（ルスレーザを使
用する。
最終パシベーション膜、あるいは配線層のすぐ上の層ま
で除去した後、さらにレーザ光を照射して配線を切断す
る。この場合は、レーザとして配線で吸収される波長で
あれば良く、一般的には赤外・可視・紫外のいずれでも
可能である。
で除去した後、さらにレーザ光を照射して配線を切断す
る。この場合は、レーザとして配線で吸収される波長で
あれば良く、一般的には赤外・可視・紫外のいずれでも
可能である。
ただし、複数の波長のレーザな使用する場合は、光学系
（特に反射ミラーの特性、対物レンズの色収差、レーザ
出力の調整等）が複雑になるため、実用上の観点から考
えてパシベーション膜の除去に使用したレーザをそのま
ま使用するのが最も適切であり、１パルスの照射で切断
するのが望ましい。
（特に反射ミラーの特性、対物レンズの色収差、レーザ
出力の調整等）が複雑になるため、実用上の観点から考
えてパシベーション膜の除去に使用したレーザをそのま
ま使用するのが最も適切であり、１パルスの照射で切断
するのが望ましい。
以上述べて来た様に、本発明は最終パシベーション膜が
形成されたウェハに対して、窓あけ等の余分な工程を必
要とせず、切断を必要とする配線を周辺へのダメージな
く処理（切断）でき、しかも切断の不要なチップについ
ては十分な信頼性が確保できる効果を有する。
形成されたウェハに対して、窓あけ等の余分な工程を必
要とせず、切断を必要とする配線を周辺へのダメージな
く処理（切断）でき、しかも切断の不要なチップについ
ては十分な信頼性が確保できる効果を有する。
以上説明したように本発明によれば、ウエノ・製造工程
の終了したウエノ・を処理でき、しかも必要最小限の部
分のみの処理を行えば良いため信頼性の高い半導体メモ
リを、製造工程数を増すことなく、得ることができる効
果がある。
の終了したウエノ・を処理でき、しかも必要最小限の部
分のみの処理を行えば良いため信頼性の高い半導体メモ
リを、製造工程数を増すことなく、得ることができる効
果がある。
第１図および第２図は各々本発明に処理方法による被処
理部を示す断面図、第３図および第先図は各々本発明を
実施するに好適な装置の光学系の構成図、第５図は本発
明に係るＳｉＮの分光透過特性図、第を図および第７図
は従来技術による被処理部を示す断面図である。 １・・・Ｓｉ基板、 ２・・・５ｉｆｔ膜、５
・・・ｐｏｌｙ−８ｉ配線、 ４・・・リンガラス膜
、５・・・Ｍ配線、 ６・・・レーザ光、７
−＝ ＳｉＮ Ｍ、 １１・・・ＹＡＧレー
ザ発振器、１３・・・第３高調波発生器、１９・・・矩
形開口スリット、２１・・・対物レンズ、２３・・・ウ
エノ翫。 叉−ｍ−
理部を示す断面図、第３図および第先図は各々本発明を
実施するに好適な装置の光学系の構成図、第５図は本発
明に係るＳｉＮの分光透過特性図、第を図および第７図
は従来技術による被処理部を示す断面図である。 １・・・Ｓｉ基板、 ２・・・５ｉｆｔ膜、５
・・・ｐｏｌｙ−８ｉ配線、 ４・・・リンガラス膜
、５・・・Ｍ配線、 ６・・・レーザ光、７
−＝ ＳｉＮ Ｍ、 １１・・・ＹＡＧレー
ザ発振器、１３・・・第３高調波発生器、１９・・・矩
形開口スリット、２１・・・対物レンズ、２３・・・ウ
エノ翫。 叉−ｍ−
Claims (1)
- １、最終的なパシベーション膜が形成された半導体装置
内の配線の所望部分に、上記パシベーション膜で吸収さ
れる波長のレーザ光を照射して上記パシベーション膜を
除去し、次いで上記パシベーション膜の下に形成されて
いる配線を切断することを特徴とするレーザ処理方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60206471A JPH0821623B2 (ja) | 1985-09-20 | 1985-09-20 | レ−ザ処理方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60206471A JPH0821623B2 (ja) | 1985-09-20 | 1985-09-20 | レ−ザ処理方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6267834A true JPS6267834A (ja) | 1987-03-27 |
| JPH0821623B2 JPH0821623B2 (ja) | 1996-03-04 |
Family
ID=16523923
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60206471A Expired - Fee Related JPH0821623B2 (ja) | 1985-09-20 | 1985-09-20 | レ−ザ処理方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0821623B2 (ja) |
Cited By (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6452243U (ja) * | 1987-09-28 | 1989-03-31 | ||
| JPH10508798A (ja) * | 1994-07-18 | 1998-09-02 | エレクトロ サイエンティフィック インダストリーズ インコーポレイテッド | 紫外線レーザ装置及び多層ターゲットに孔を形成する方法 |
| US6057180A (en) * | 1998-06-05 | 2000-05-02 | Electro Scientific Industries, Inc. | Method of severing electrically conductive links with ultraviolet laser output |
| JP2003519933A (ja) * | 2000-01-10 | 2003-06-24 | エレクトロ サイエンティフィック インダストリーズ インコーポレーテッド | レーザシステム及び超短パルスのパルスレーザからなるバーストを用いたメモリリンクの加工方法 |
| WO2008069307A1 (ja) * | 2006-12-08 | 2008-06-12 | Cyber Laser Inc. | レーザによる集積回路の修正方法および装置 |
| JP2008270780A (ja) * | 2007-03-23 | 2008-11-06 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 結晶性半導体膜の作製方法及び薄膜トランジスタの作製方法 |
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| JP2016041448A (ja) * | 2015-11-18 | 2016-03-31 | 株式会社ディスコ | パシベーション膜が積層された基板のアブレーション加工方法 |
| CN115008020A (zh) * | 2021-03-05 | 2022-09-06 | 上海艾为电子技术股份有限公司 | 一种晶圆中切割槽的形成方法及晶圆的制作方法 |
| CN117047304A (zh) * | 2023-08-07 | 2023-11-14 | 马鞍山市槟城电子有限公司 | 一种半导体器件的划片方法及系统 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5856355A (ja) * | 1981-09-30 | 1983-04-04 | Hitachi Ltd | 半導体集積回路装置 |
| JPS59104141A (ja) * | 1982-12-07 | 1984-06-15 | Fujitsu Ltd | 半導体装置の製造方法 |
| JPS60176250A (ja) * | 1984-02-23 | 1985-09-10 | Toshiba Corp | 半導体装置の製造方法 |
-
1985
- 1985-09-20 JP JP60206471A patent/JPH0821623B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| CN117047304A (zh) * | 2023-08-07 | 2023-11-14 | 马鞍山市槟城电子有限公司 | 一种半导体器件的划片方法及系统 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0821623B2 (ja) | 1996-03-04 |
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