JPH1056237A - 接合した部品を有するダイオードレーザモジュールおよびその接合方法 - Google Patents
接合した部品を有するダイオードレーザモジュールおよびその接合方法Info
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- JPH1056237A JPH1056237A JP9083041A JP8304197A JPH1056237A JP H1056237 A JPH1056237 A JP H1056237A JP 9083041 A JP9083041 A JP 9083041A JP 8304197 A JP8304197 A JP 8304197A JP H1056237 A JPH1056237 A JP H1056237A
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- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/30—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistors
- H05K3/32—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistors electrically connecting electric components or wires to printed circuits
- H05K3/34—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistors electrically connecting electric components or wires to printed circuits by soldering
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- Thermistors And Varistors (AREA)
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Abstract
(57)【要約】
【課題】接合した部品を有するダイオードレーザモジュ
ールおよびその接合方法を提供する。 【解決手段】熱により硬化または軟化される接合媒体を
介して部品（１４）を基体（１８）に接合させる方法に
おいて、部品の接合の際に接合媒体を加熱するためにＰ
ＴＣまたはＮＴＣ−サーミスタ（２４）を用いる。開示
した一例では、ダイオードレーザモジュール（１０）の
半導体レーザ（１２）と整列させて、半田（４０）を介
して光ファイバを基体に接合する。
ールおよびその接合方法を提供する。 【解決手段】熱により硬化または軟化される接合媒体を
介して部品（１４）を基体（１８）に接合させる方法に
おいて、部品の接合の際に接合媒体を加熱するためにＰ
ＴＣまたはＮＴＣ−サーミスタ（２４）を用いる。開示
した一例では、ダイオードレーザモジュール（１０）の
半導体レーザ（１２）と整列させて、半田（４０）を介
して光ファイバを基体に接合する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、一般に、ダイオー
ドレーザモジュールにおける部品を組み立てる方法に関
する。この発明は、特に、接合媒体を介して基体に接合
された部品と、接合媒体を加熱するための加熱部材とを
備えたダイオードレーザまたは半導体レーザモジュール
に関し、さらに部品の接合の際に加熱部材によって接合
媒体を加熱することにより部品を基体に接合させる方法
に関する。
ドレーザモジュールにおける部品を組み立てる方法に関
する。この発明は、特に、接合媒体を介して基体に接合
された部品と、接合媒体を加熱するための加熱部材とを
備えたダイオードレーザまたは半導体レーザモジュール
に関し、さらに部品の接合の際に加熱部材によって接合
媒体を加熱することにより部品を基体に接合させる方法
に関する。
【０００２】
【従来の技術】モジュールおよびこの種の接合方法は、
ヨーロッパ特許公報ＥＰ ０ １９６８７５号に開示さ
れている。この従来技術によるプロセスによれば、光フ
ァイバの形態の光学部品が、基体上の半田付け部位上に
半田付けされる。半田は、予め基体に接合された加熱部
材によって溶解される。加熱部材はチップ抵抗器の形態
である。この従来技術によるプロセスでは、チップ抵抗
器によって半田付け部位が加熱される温度を制御するの
が困難であり、チップ抵抗器の表面に渡って温度が相当
変動するという欠点がある。さらに、この従来技術の方
法によって大量生産規模で信頼性良く半田付けを行うた
めには、半田付け部位を、半田の溶解点よりも十分に高
い温度に加熱しなければならない。このため、半田付け
される部品が損傷を受ける可能性があり、また半田付け
部位に対して、冷却後に高度に応力がかかるようにな
り、部品の整列の誤りや脱落に至ることがある。
ヨーロッパ特許公報ＥＰ ０ １９６８７５号に開示さ
れている。この従来技術によるプロセスによれば、光フ
ァイバの形態の光学部品が、基体上の半田付け部位上に
半田付けされる。半田は、予め基体に接合された加熱部
材によって溶解される。加熱部材はチップ抵抗器の形態
である。この従来技術によるプロセスでは、チップ抵抗
器によって半田付け部位が加熱される温度を制御するの
が困難であり、チップ抵抗器の表面に渡って温度が相当
変動するという欠点がある。さらに、この従来技術の方
法によって大量生産規模で信頼性良く半田付けを行うた
めには、半田付け部位を、半田の溶解点よりも十分に高
い温度に加熱しなければならない。このため、半田付け
される部品が損傷を受ける可能性があり、また半田付け
部位に対して、冷却後に高度に応力がかかるようにな
り、部品の整列の誤りや脱落に至ることがある。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、前述した従
来技術の方法の欠点を克服する、接合した部品を有する
ダイオードレーザモジュールおよびその接合方法を提供
することを課題とする。
来技術の方法の欠点を克服する、接合した部品を有する
ダイオードレーザモジュールおよびその接合方法を提供
することを課題とする。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明の課題は、接合手
順の際に接合媒体を加熱することにより、基体上に部品
を接合させる方法によって解決される。本発明方法は、
部品の接合の際に本質的に一定の電位（電圧）を印加す
る、正の温度係数（positive temperature coefficien
t）の抵抗器またはサーミスタ（ＰＴＣ−サーミスタ）
によって接合媒体を加熱するか、または接合手順の際に
本質的に一定の電流を供給する、負の温度係数（negati
ve temperature coefficient）のサーミスタ（ＮＴＣ−
サーミスタ）によって接合媒体を加熱することを特徴と
する。
順の際に接合媒体を加熱することにより、基体上に部品
を接合させる方法によって解決される。本発明方法は、
部品の接合の際に本質的に一定の電位（電圧）を印加す
る、正の温度係数（positive temperature coefficien
t）の抵抗器またはサーミスタ（ＰＴＣ−サーミスタ）
によって接合媒体を加熱するか、または接合手順の際に
本質的に一定の電流を供給する、負の温度係数（negati
ve temperature coefficient）のサーミスタ（ＮＴＣ−
サーミスタ）によって接合媒体を加熱することを特徴と
する。
【０００５】本発明方法の有意義な利点は、特定の本質
的に一定の電圧をＰＴＣ−サーミスタに印加した場合、
または特定の本質的に一定の電流をＮＴＣ−サーミスタ
に供給した場合は、ＰＴＣ−サーミスタおよびＮＴＣ−
サーミスタは、狭い温度範囲内に維持される公称動作温
度を呈し、従来技術の方法において使用された抵抗によ
る加熱部材の温度制御に用いられる温度測定や制御シス
テムに対する必要性を伴わないというものである。
的に一定の電圧をＰＴＣ−サーミスタに印加した場合、
または特定の本質的に一定の電流をＮＴＣ−サーミスタ
に供給した場合は、ＰＴＣ−サーミスタおよびＮＴＣ−
サーミスタは、狭い温度範囲内に維持される公称動作温
度を呈し、従来技術の方法において使用された抵抗によ
る加熱部材の温度制御に用いられる温度測定や制御シス
テムに対する必要性を伴わないというものである。
【０００６】さらに、ＰＴＣ−抵抗器およびＮＴＣ−サ
ーミスタの表面上の温度分布は、ＰＴＣおよびＮＴＣ−
サーミスタの本質的な温度自己制御特性による結果とし
て極めて均一である。このため、従来技術の方法とは異
なり、接合に実際に必要な温度を遥かに超える温度に、
接合媒体を加熱する必要がない。これは、接合される部
品が損傷から保護されるように作用し、また接合媒体の
冷却の際に生ずる応力が十分に低くなり、接合媒体の冷
却の際に部品の整列の誤りが起こることは殆どなくな
る。
ーミスタの表面上の温度分布は、ＰＴＣおよびＮＴＣ−
サーミスタの本質的な温度自己制御特性による結果とし
て極めて均一である。このため、従来技術の方法とは異
なり、接合に実際に必要な温度を遥かに超える温度に、
接合媒体を加熱する必要がない。これは、接合される部
品が損傷から保護されるように作用し、また接合媒体の
冷却の際に生ずる応力が十分に低くなり、接合媒体の冷
却の際に部品の整列の誤りが起こることは殆どなくな
る。
【０００７】
【発明の実施の形態】ＰＴＣ−サーミスタ（代替的にＰ
ＴＣ−抵抗器として言及する場合も多い）の特性曲線、
すなわち抵抗対温度の曲線において、温度の上昇と共に
抵抗が急峻に増加する狭い温度領域がある。この狭い範
囲の下部境界部における温度は、通常、参照温度または
スイッチ温度として定義される。空気に囲まれたＰＴＣ
−サーミスタに対して、例えば、電圧制御された電源に
よって、本質的に一定の公称電位（これは典型的には、
ＰＴＣ−サーミスタの製造業者によって提供されるデー
タシートに特定されている）が印加された場合、ＰＴＣ
−サーミスタは、特性曲線の急峻な部分の略中央部、す
なわち狭い温度領域の中央部の温度を呈する。この温度
は、以下では、ＰＴＣ−サーミスタの公称温度または公
称動作温度として言及するものとし、これはスイッチ温
度より数度（例えば、約２０℃まで）高いものである。
幾分かの熱がＰＴＣ−サーミスタによって放散される
と、ＰＴＣ−サーミスタは、僅かに高いか低い温度をそ
れぞれ呈し、ＰＴＣ−サーミスタを流れる電流はそれぞ
れ上昇するか下降する一方、これに印加される電位は本
質的に一定のままとされる。ＰＴＣ−サーミスタがその
特性曲線の急峻な部分において作動されている限り、そ
の温度変化は、印加される電圧および熱放散の比較的広
い範囲に渡って僅かであり、例えば、ＰＴＣ−サーミス
タの種類により、±５℃〜±２０℃である。温度が印加
電位に僅かしか依存しないことを利用して、特定の印加
電位を選択することによって、ＰＴＣ−サーミスタの動
作温度を接合手順に必要な温度に正確に合致させること
ができる。
ＴＣ−抵抗器として言及する場合も多い）の特性曲線、
すなわち抵抗対温度の曲線において、温度の上昇と共に
抵抗が急峻に増加する狭い温度領域がある。この狭い範
囲の下部境界部における温度は、通常、参照温度または
スイッチ温度として定義される。空気に囲まれたＰＴＣ
−サーミスタに対して、例えば、電圧制御された電源に
よって、本質的に一定の公称電位（これは典型的には、
ＰＴＣ−サーミスタの製造業者によって提供されるデー
タシートに特定されている）が印加された場合、ＰＴＣ
−サーミスタは、特性曲線の急峻な部分の略中央部、す
なわち狭い温度領域の中央部の温度を呈する。この温度
は、以下では、ＰＴＣ−サーミスタの公称温度または公
称動作温度として言及するものとし、これはスイッチ温
度より数度（例えば、約２０℃まで）高いものである。
幾分かの熱がＰＴＣ−サーミスタによって放散される
と、ＰＴＣ−サーミスタは、僅かに高いか低い温度をそ
れぞれ呈し、ＰＴＣ−サーミスタを流れる電流はそれぞ
れ上昇するか下降する一方、これに印加される電位は本
質的に一定のままとされる。ＰＴＣ−サーミスタがその
特性曲線の急峻な部分において作動されている限り、そ
の温度変化は、印加される電圧および熱放散の比較的広
い範囲に渡って僅かであり、例えば、ＰＴＣ−サーミス
タの種類により、±５℃〜±２０℃である。温度が印加
電位に僅かしか依存しないことを利用して、特定の印加
電位を選択することによって、ＰＴＣ−サーミスタの動
作温度を接合手順に必要な温度に正確に合致させること
ができる。
【０００８】ＮＴＣ−サーミスタの場合は、その特性曲
線、すなわち抵抗対温度の曲線（公称温度）の領域があ
り、そこでは温度に対して抵抗が急峻に降下する。例え
ば、電流制御された電源から本質的に一定の電流が供給
されるこの種のＮＴＣ−サーミスタに外部熱負荷が加え
られると、ＮＴＣ−サーミスタの抵抗が降下し、放散さ
れる電力がより小さくなり、これによりＮＴＣ−サーミ
スタは、本質的に一定の温度に維持される。この明細書
および添付する特許請求の範囲の文脈において、ＰＴＣ
−サーミスタおよびＮＴＣ−サーミスタは、前述した動
作特性の観点から、（温度）自己制御性サーミスタとし
て概括的に定義することができる。「本質的に一定」と
いう用語は、印加電圧および供給電流に対して適用され
るように、市販の電流制御または電圧制御電源の制御公
差に対して矛盾のない定常性を意味する。
線、すなわち抵抗対温度の曲線（公称温度）の領域があ
り、そこでは温度に対して抵抗が急峻に降下する。例え
ば、電流制御された電源から本質的に一定の電流が供給
されるこの種のＮＴＣ−サーミスタに外部熱負荷が加え
られると、ＮＴＣ−サーミスタの抵抗が降下し、放散さ
れる電力がより小さくなり、これによりＮＴＣ−サーミ
スタは、本質的に一定の温度に維持される。この明細書
および添付する特許請求の範囲の文脈において、ＰＴＣ
−サーミスタおよびＮＴＣ−サーミスタは、前述した動
作特性の観点から、（温度）自己制御性サーミスタとし
て概括的に定義することができる。「本質的に一定」と
いう用語は、印加電圧および供給電流に対して適用され
るように、市販の電流制御または電圧制御電源の制御公
差に対して矛盾のない定常性を意味する。
【０００９】ＰＴＣ−サーミスタは、市販品を容易に入
手可能であり、例えば、米国ペンシルベニア州セント・
メリースのＡＴＰ（アドバンスド・サーマル・プロダク
ツ）社（Advanced Thermal Products Corporation, of
St. Mary's, Pennsylvania,USA ）およびドイツ国ミュ
ンヒェンのシーメンス（Siemens of Munich, Germany）
から容易に入手可能である。これらは、種々の抵抗値お
よび種々の形状で、比較的広い範囲のスイッチ温度、例
えば、約５０℃〜約１９０℃のものを入手可能である。
ＮＴＣ−サーミスタは、フランス国セント・アポリナー
レのトムソン・シーエスエフ（Thomson-CSF, of St App
olinaire, France）から入手可能である。ＰＴＣ−およ
びＮＴＣ−サーミスタは、米国マサチューセッツ州ミル
フォードのフェンワル・エレクトロニクス社（Fenwal E
lectronics Inc., of Milford, Massachusetts, USA ）
から入手可能である。
手可能であり、例えば、米国ペンシルベニア州セント・
メリースのＡＴＰ（アドバンスド・サーマル・プロダク
ツ）社（Advanced Thermal Products Corporation, of
St. Mary's, Pennsylvania,USA ）およびドイツ国ミュ
ンヒェンのシーメンス（Siemens of Munich, Germany）
から容易に入手可能である。これらは、種々の抵抗値お
よび種々の形状で、比較的広い範囲のスイッチ温度、例
えば、約５０℃〜約１９０℃のものを入手可能である。
ＮＴＣ−サーミスタは、フランス国セント・アポリナー
レのトムソン・シーエスエフ（Thomson-CSF, of St App
olinaire, France）から入手可能である。ＰＴＣ−およ
びＮＴＣ−サーミスタは、米国マサチューセッツ州ミル
フォードのフェンワル・エレクトロニクス社（Fenwal E
lectronics Inc., of Milford, Massachusetts, USA ）
から入手可能である。
【００１０】接合のために使用する媒体は半田とするこ
とができる。この場合、半田の融点より数度（例えば、
約１℃〜４０℃）高い公称温度を有するＰＴＣ−サーミ
スタまたはＮＴＣ−サーミスタを使用する。このように
して、不必要な高い温度に部品を加熱する必要なく、半
田を信頼性良く溶解させることができる。
とができる。この場合、半田の融点より数度（例えば、
約１℃〜４０℃）高い公称温度を有するＰＴＣ−サーミ
スタまたはＮＴＣ−サーミスタを使用する。このように
して、不必要な高い温度に部品を加熱する必要なく、半
田を信頼性良く溶解させることができる。
【００１１】接合媒体は、熱硬化性接着剤、例えば１ま
たは２成分のエポキシ樹脂とすることもできる。この種
の接着剤は、最適には特定の温度で硬化、すなわち固化
する。この場合、接着剤の最適硬化温度に近い、例えば
約２０℃以内の公称温度を有するＰＴＣ−サーミスタま
たはＮＴＣ−サーミスタを選択し得る。
たは２成分のエポキシ樹脂とすることもできる。この種
の接着剤は、最適には特定の温度で硬化、すなわち固化
する。この場合、接着剤の最適硬化温度に近い、例えば
約２０℃以内の公称温度を有するＰＴＣ−サーミスタま
たはＮＴＣ−サーミスタを選択し得る。
【００１２】接合媒体として熱可塑性材料を使用するこ
ともできる。例として、これは、基体と、これに接合さ
せる部品との間に載置したこの種の材料の薄いシートの
形態とすることができる。この場合、熱可塑性材料の融
点より数度（例えば、約１℃〜４０℃）高い公称温度を
有するＰＴＣ−サーミスタまたはＮＴＣ−サーミスタを
選択する。接合手順に際しては、熱可塑性材料を溶解さ
せ、冷却されつつある基体に対して部品を接着する。
ともできる。例として、これは、基体と、これに接合さ
せる部品との間に載置したこの種の材料の薄いシートの
形態とすることができる。この場合、熱可塑性材料の融
点より数度（例えば、約１℃〜４０℃）高い公称温度を
有するＰＴＣ−サーミスタまたはＮＴＣ−サーミスタを
選択する。接合手順に際しては、熱可塑性材料を溶解さ
せ、冷却されつつある基体に対して部品を接着する。
【００１３】本発明方法において、「部品を基体に接合
させる」という一般的な表現は、この明細書および添付
する特許請求の範囲で使用するように、接合媒体を使用
して部品を基体に直接接合させること、および中間層ま
たは中間部品を介して部品を基体に接合させることを含
む。ある一定の構成では、接合媒体は、接合させる部品
とは接触しておらず、１または複数の中間部品と接触す
る。このことは、後記論ずる基体上のＰＴＣ−サーミス
タおよび部品の例示的な構成の説明を考慮することによ
って理解することができる。電源を適切に選択すること
により、これらの構成は、ＰＴＣ−サーミスタに代えて
ＮＴＣ−サーミスタを使用する場合であっても、同等に
適用可能であることは勿論である。不必要な繰り返しを
避けるために、以下では、主としてＰＴＣ−サーミスタ
のみに言及して説明を行う。
させる」という一般的な表現は、この明細書および添付
する特許請求の範囲で使用するように、接合媒体を使用
して部品を基体に直接接合させること、および中間層ま
たは中間部品を介して部品を基体に接合させることを含
む。ある一定の構成では、接合媒体は、接合させる部品
とは接触しておらず、１または複数の中間部品と接触す
る。このことは、後記論ずる基体上のＰＴＣ−サーミス
タおよび部品の例示的な構成の説明を考慮することによ
って理解することができる。電源を適切に選択すること
により、これらの構成は、ＰＴＣ−サーミスタに代えて
ＮＴＣ−サーミスタを使用する場合であっても、同等に
適用可能であることは勿論である。不必要な繰り返しを
避けるために、以下では、主としてＰＴＣ−サーミスタ
のみに言及して説明を行う。
【００１４】１つの構成では、ＰＴＣ−抵抗器は、例え
ば、（硬質または軟質の半田を用いた）半田付けによっ
て、熱可塑性材料によって、接着によって、ネジ止めに
よって、またはクランプすることによって基体に直接取
り付けることができる。その後、基体から最も遠い地点
で、ＰＴＣ−抵抗器の側部で部品を接合させる。ＰＴＣ
−抵抗器を基体の下面側に取り付け、部品を基体の上面
側に接合させることもでき、接合媒体を加熱するのに必
要な熱は、ＰＴＣ−抵抗器から基体を介して伝導される
ようにする。
ば、（硬質または軟質の半田を用いた）半田付けによっ
て、熱可塑性材料によって、接着によって、ネジ止めに
よって、またはクランプすることによって基体に直接取
り付けることができる。その後、基体から最も遠い地点
で、ＰＴＣ−抵抗器の側部で部品を接合させる。ＰＴＣ
−抵抗器を基体の下面側に取り付け、部品を基体の上面
側に接合させることもでき、接合媒体を加熱するのに必
要な熱は、ＰＴＣ−抵抗器から基体を介して伝導される
ようにする。
【００１５】さらに他の構成では、基体から最も遠い地
点で部品の側部にＰＴＣ−抵抗器を固定することによ
り、接合媒体を介して、直接または中間層（例えば、半
田付け性を向上させるため）を用いて、部品を基体に接
合させることができる。この場合は、接合媒体を加熱す
るのに必要な熱は、ＰＴＣ−抵抗器から部品を介して伝
導される。
点で部品の側部にＰＴＣ−抵抗器を固定することによ
り、接合媒体を介して、直接または中間層（例えば、半
田付け性を向上させるため）を用いて、部品を基体に接
合させることができる。この場合は、接合媒体を加熱す
るのに必要な熱は、ＰＴＣ−抵抗器から部品を介して伝
導される。
【００１６】ＰＴＣ−抵抗器を部品上に取り付ける代わ
りに、ＰＴＣ−抵抗器を部品に隣接して基体に取り付け
ることもできる。部品の周囲に幾つかのＰＴＣ−抵抗器
を配置することができ、または内部に孔部を有するＰＴ
Ｃ−抵抗器を使用し、部品を孔部に配置することもでき
る。この場合は、接合媒体を加熱するのに必要な熱は、
基体を介してＰＴＣ−抵抗器から横方向に伝導される。
りに、ＰＴＣ−抵抗器を部品に隣接して基体に取り付け
ることもできる。部品の周囲に幾つかのＰＴＣ−抵抗器
を配置することができ、または内部に孔部を有するＰＴ
Ｃ−抵抗器を使用し、部品を孔部に配置することもでき
る。この場合は、接合媒体を加熱するのに必要な熱は、
基体を介してＰＴＣ−抵抗器から横方向に伝導される。
【００１７】例えば、部品を接合させるために選択され
た半田より高い融点を有する半田を用いてＰＴＣ−抵抗
器を基体に固定することにより、接合プロセスを実施す
る前にＰＴＣ−抵抗器を基体に取り付けることができ
る。このようにして、接合プロセスの際に、ＰＴＣ−抵
抗器が基体から外れることを確実に防止することができ
る。
た半田より高い融点を有する半田を用いてＰＴＣ−抵抗
器を基体に固定することにより、接合プロセスを実施す
る前にＰＴＣ−抵抗器を基体に取り付けることができ
る。このようにして、接合プロセスの際に、ＰＴＣ−抵
抗器が基体から外れることを確実に防止することができ
る。
【００１８】代替的に、半田付け、接着または熱可塑性
材料を介した接合によって、１つの操作で、ＰＴＣ−抵
抗器および部品を基体に取り付けることができる。両者
の接合部位（例えば、基体上のＰＴＣ−抵抗器およびＰ
ＴＣ−抵抗器上の部品）に必要な熱は、ＰＴＣ−抵抗器
によって提供される。
材料を介した接合によって、１つの操作で、ＰＴＣ−抵
抗器および部品を基体に取り付けることができる。両者
の接合部位（例えば、基体上のＰＴＣ−抵抗器およびＰ
ＴＣ−抵抗器上の部品）に必要な熱は、ＰＴＣ−抵抗器
によって提供される。
【００１９】前記した構成の全てにおいて、１つのＰＴ
Ｃ−抵抗器を用いて幾つかの部品を同時に接合させるこ
とができ、または例えば、極めて大きい部品の場合は、
幾つかのＰＴＣ−抵抗器を用いて１つの部品を接合させ
ることができる。前記した構成の全ては、ＰＴＣまたは
ＮＴＣ−サーミスタが、接合媒体と熱的に直接的または
間接的に連通する、すなわち接合媒体とＰＴＣまたはＮ
ＴＣ−抵抗器との間に熱が流れる通路が設けられている
という共通の特徴を有している。
Ｃ−抵抗器を用いて幾つかの部品を同時に接合させるこ
とができ、または例えば、極めて大きい部品の場合は、
幾つかのＰＴＣ−抵抗器を用いて１つの部品を接合させ
ることができる。前記した構成の全ては、ＰＴＣまたは
ＮＴＣ−サーミスタが、接合媒体と熱的に直接的または
間接的に連通する、すなわち接合媒体とＰＴＣまたはＮ
ＴＣ−抵抗器との間に熱が流れる通路が設けられている
という共通の特徴を有している。
【００２０】永久的に取り付けたワイヤまたは母線（bu
sbars ）を介して、電圧制御電源をＰＴＣ−サーミスタ
に接続することができ（または電流制御電源をＮＴＣ−
サーミスタに接続することができ）、または、例えばコ
ンタクトプローブ（contact-probes）またはクリップに
よって一時的な接続を行うことができる。
sbars ）を介して、電圧制御電源をＰＴＣ−サーミスタ
に接続することができ（または電流制御電源をＮＴＣ−
サーミスタに接続することができ）、または、例えばコ
ンタクトプローブ（contact-probes）またはクリップに
よって一時的な接続を行うことができる。
【００２１】取り付けることのできる部品には、例え
ば、機械構成部品、電気構成部品、電子構成部品または
光学構成部品が含まれる。光学構成部品の例には、鏡、
レンズ、光ファイバ、シャッタ、プリズム、偏光子、レ
ーザクリスタル、および非線形クリスタルがある。
ば、機械構成部品、電気構成部品、電子構成部品または
光学構成部品が含まれる。光学構成部品の例には、鏡、
レンズ、光ファイバ、シャッタ、プリズム、偏光子、レ
ーザクリスタル、および非線形クリスタルがある。
【００２２】
【実施例】添付図面は、明細書に組み入れられその一部
を構成するものであり、本発明の好適な態様を概略的に
説明するものであって、前記した一般的な説明および以
下に示す好適な態様の詳細な説明と併せて、この発明の
原理を説明するために使用するものとする。
を構成するものであり、本発明の好適な態様を概略的に
説明するものであって、前記した一般的な説明および以
下に示す好適な態様の詳細な説明と併せて、この発明の
原理を説明するために使用するものとする。
【００２３】ここで、同一の部材は同一の参照番号で示
すものとして図面を参照する。図１には、ダイオードレ
ーザモジュール１０が示されている。これは、ここでは
接合される部品である光ファイバ１４に対して、半導体
（ダイオード）レーザ１２の出力を整列させるように働
くものである。半導体レーザ１２は、ヒートシンク１６
に取り付けられており、これは次に平坦な基体１８に取
り付けられている。基体１８は、例えばセラミック材料
から形成することができる。熱的に隔離する目的のため
のセラミック板２０は、ヒートシンク１６に隣接して基
体１８に接着剤２２によって接合されている。ＰＴＣ−
サーミスタ２４は、接着剤２２によってセラミック板２
０に取り付けられている。ＰＴＣ−サーミスタ２４は、
その右側においてセラミック板２０を超えて延在してお
り、ＰＴＣ−抵抗器２４の上部表面２６および下部表面
２８、電気リードワイヤ３０、３２をそれぞれ半田付け
できるようになっている。ＰＴＣ−抵抗器２４の上部表
面２６には、第１の支持板３４が接着されている。ＰＴ
Ｃ−サーミスタ２４に臨む第１の支持板３４の表面に
は、半田付け可能な金属被覆層（metallization layer
）３６が設けられている。第２の支持板３８は、半田
４０によって金属被覆層３６に接合されている。第２の
支持板３８の半田に臨む表面には、半田付け可能な金属
被覆層４２が設けられている。光ファイバ１４は、エポ
キシ接着剤４４によって、第２の支持板３８の上部表面
に接合されている。
すものとして図面を参照する。図１には、ダイオードレ
ーザモジュール１０が示されている。これは、ここでは
接合される部品である光ファイバ１４に対して、半導体
（ダイオード）レーザ１２の出力を整列させるように働
くものである。半導体レーザ１２は、ヒートシンク１６
に取り付けられており、これは次に平坦な基体１８に取
り付けられている。基体１８は、例えばセラミック材料
から形成することができる。熱的に隔離する目的のため
のセラミック板２０は、ヒートシンク１６に隣接して基
体１８に接着剤２２によって接合されている。ＰＴＣ−
サーミスタ２４は、接着剤２２によってセラミック板２
０に取り付けられている。ＰＴＣ−サーミスタ２４は、
その右側においてセラミック板２０を超えて延在してお
り、ＰＴＣ−抵抗器２４の上部表面２６および下部表面
２８、電気リードワイヤ３０、３２をそれぞれ半田付け
できるようになっている。ＰＴＣ−抵抗器２４の上部表
面２６には、第１の支持板３４が接着されている。ＰＴ
Ｃ−サーミスタ２４に臨む第１の支持板３４の表面に
は、半田付け可能な金属被覆層（metallization layer
）３６が設けられている。第２の支持板３８は、半田
４０によって金属被覆層３６に接合されている。第２の
支持板３８の半田に臨む表面には、半田付け可能な金属
被覆層４２が設けられている。光ファイバ１４は、エポ
キシ接着剤４４によって、第２の支持板３８の上部表面
に接合されている。
【００２４】エポキシ接着剤４４は、いわゆるガラス温
度を有しており、これを超えると軟質になる。ファイバ
の接合の際に、エポキシ接着剤４４のガラス温度を超え
た場合は、光ファイバ１４は、第２の支持板３８上で動
かすことができ、さらにこれから取り外すことができる
ようになる。特定の軟質半田の融点は、エポキシ接着剤
４４のガラス温度より約１０℃〜４０℃低い。この場
合、部品を接合するための加熱部材としてＰＴＣ−サー
ミスタ２４を使用することにより、最も低い半田付け温
度を正確に維持することが可能となる。
度を有しており、これを超えると軟質になる。ファイバ
の接合の際に、エポキシ接着剤４４のガラス温度を超え
た場合は、光ファイバ１４は、第２の支持板３８上で動
かすことができ、さらにこれから取り外すことができる
ようになる。特定の軟質半田の融点は、エポキシ接着剤
４４のガラス温度より約１０℃〜４０℃低い。この場
合、部品を接合するための加熱部材としてＰＴＣ−サー
ミスタ２４を使用することにより、最も低い半田付け温
度を正確に維持することが可能となる。
【００２５】光ファイバ１４を接合する前においては、
構成部品１２、１６、１８、２０、２４、３０、３２、
３４および３６が、第１のユニットとして予備的に組み
立てられている。構成部品１４、３８、４２および４４
は、別の第２のユニットとして予備的に組み立てられて
いる。半導体レーザ１２と整列させて光ファイバ１４を
接合するためには、第１および第２のユニットを次のよ
うに互いに接合させる。ＰＴＣ−サーミスタ２４を、ワ
イヤ３０、３２を介して電源４６に接続する。前述した
ように、ＰＴＣ−サーミスタ２４の場合は、電源４６
は、公称一定電圧を印加するための電圧制御電源とす
る。ＮＴＣ−サーミスタの場合は、電源４６は、公称一
定電流を供給するための電流制御電源とすることができ
る。短い予熱時間の後、ＰＴＣ−サーミスタ２４はその
公称温度に到達し、第１の支持板３４の金属被覆層３６
に半田４０を施す。半田４０は溶解し、金属被覆層３６
上で流動する。接着層４４によって光ファイバ１４を取
り付けた第２の支持板３８を流体の半田４０の上に載置
する。その後、光ァイバ１４へと繋がった光を測定する
ことにより、光ファイバ１４を半導体レーザ１２に対し
て光学的に整列させる。その後、電位源４６をＰＴＣ−
サーミスタ２４から取り外せば、冷却が進んで半田４０
が固化する。
構成部品１２、１６、１８、２０、２４、３０、３２、
３４および３６が、第１のユニットとして予備的に組み
立てられている。構成部品１４、３８、４２および４４
は、別の第２のユニットとして予備的に組み立てられて
いる。半導体レーザ１２と整列させて光ファイバ１４を
接合するためには、第１および第２のユニットを次のよ
うに互いに接合させる。ＰＴＣ−サーミスタ２４を、ワ
イヤ３０、３２を介して電源４６に接続する。前述した
ように、ＰＴＣ−サーミスタ２４の場合は、電源４６
は、公称一定電圧を印加するための電圧制御電源とす
る。ＮＴＣ−サーミスタの場合は、電源４６は、公称一
定電流を供給するための電流制御電源とすることができ
る。短い予熱時間の後、ＰＴＣ−サーミスタ２４はその
公称温度に到達し、第１の支持板３４の金属被覆層３６
に半田４０を施す。半田４０は溶解し、金属被覆層３６
上で流動する。接着層４４によって光ファイバ１４を取
り付けた第２の支持板３８を流体の半田４０の上に載置
する。その後、光ァイバ１４へと繋がった光を測定する
ことにより、光ファイバ１４を半導体レーザ１２に対し
て光学的に整列させる。その後、電位源４６をＰＴＣ−
サーミスタ２４から取り外せば、冷却が進んで半田４０
が固化する。
【００２６】前述した方法によってファイバを接合させ
る１つの例においては、ＰＴＣ−サーミスタ２４は、ド
イツ国ミュンヒェンのシーメンス社によって製造された
タイプＱ６３１００−Ｐ３９０−Ｒ２００とした。この
タイプのＰＴＣ−サーミスタ２４は、約１２０℃の公称
温度に対応する２４ボルトの公称電圧を有し、予熱時間
は約１０秒である。
る１つの例においては、ＰＴＣ−サーミスタ２４は、ド
イツ国ミュンヒェンのシーメンス社によって製造された
タイプＱ６３１００−Ｐ３９０−Ｒ２００とした。この
タイプのＰＴＣ−サーミスタ２４は、約１２０℃の公称
温度に対応する２４ボルトの公称電圧を有し、予熱時間
は約１０秒である。
【００２７】単一の光ファイバ１４に代えて、対応する
ダイオードレーザ列と繋ぐために、本発明方法の前記し
た態様によって、ファイバ列（並んで配置された幾つか
のファイバ）を接合することも可能である。これを図２
の平面図に示す。同図において、モジュール１１は、ダ
イオードレーザ１２の列５０に対して整列した光ファイ
バ１４の列４８を備える。
ダイオードレーザ列と繋ぐために、本発明方法の前記し
た態様によって、ファイバ列（並んで配置された幾つか
のファイバ）を接合することも可能である。これを図２
の平面図に示す。同図において、モジュール１１は、ダ
イオードレーザ１２の列５０に対して整列した光ファイ
バ１４の列４８を備える。
【００２８】図３は、ＰＴＣ−サーミスタ２４および部
品１４（ここでは、いずれかの一般的な電気部品、電子
部品、光学部品または機械部品として示す）が、基体１
８の対向する側１７、１９に配置された構成１３を示
す。ＰＴＣ−サーミスタ２４は、例えば接着剤２２によ
って、基体１８の下面側１９に取り付けられている。部
品１４は、半田４０によって、基体１８の上面側１７に
半田付けされている。半田付けに必要な熱は、ＰＴＣ−
サーミスタ２４から基体１８を介して浸透する。
品１４（ここでは、いずれかの一般的な電気部品、電子
部品、光学部品または機械部品として示す）が、基体１
８の対向する側１７、１９に配置された構成１３を示
す。ＰＴＣ−サーミスタ２４は、例えば接着剤２２によ
って、基体１８の下面側１９に取り付けられている。部
品１４は、半田４０によって、基体１８の上面側１７に
半田付けされている。半田付けに必要な熱は、ＰＴＣ−
サーミスタ２４から基体１８を介して浸透する。
【００２９】図４は、ＰＴＣ−サーミスタ２４が、例え
ば接着剤２２によって、部品１４に取り付けられている
更なる構成１５を示す。部品１４は、ＰＴＣ−サーミス
タ２４の反対側で、半田４０によって基体１８の上面側
１７に取り付けられている。半田付けに必要なＰＴＣ−
サーミスタ２４からの熱は、基体１８を介して、半田４
０によって代表される半田付け部位へと達する。
ば接着剤２２によって、部品１４に取り付けられている
更なる構成１５を示す。部品１４は、ＰＴＣ−サーミス
タ２４の反対側で、半田４０によって基体１８の上面側
１７に取り付けられている。半田付けに必要なＰＴＣ−
サーミスタ２４からの熱は、基体１８を介して、半田４
０によって代表される半田付け部位へと達する。
【００３０】図５に、更なる構成２１を平面図で示す。
同図において、部品１４（ここでは、単一の大きな電気
部品、電子部品、光学部品または機械部品を示す）は、
その上の半田付け部位（半田４０は図示していない）に
おいて、基体１８に接合されている。部品１４の周りに
隣接して、４つのＰＴＣ−サーミスタ２４が基体１８に
取り付けられている。半田付けに必要な熱は、ＰＴＣ−
サーミスタ２４から基体１８を介して横方向に浸透す
る。
同図において、部品１４（ここでは、単一の大きな電気
部品、電子部品、光学部品または機械部品を示す）は、
その上の半田付け部位（半田４０は図示していない）に
おいて、基体１８に接合されている。部品１４の周りに
隣接して、４つのＰＴＣ−サーミスタ２４が基体１８に
取り付けられている。半田付けに必要な熱は、ＰＴＣ−
サーミスタ２４から基体１８を介して横方向に浸透す
る。
【００３１】図３、図４および図５に示した構成は、１
つの部品のみを接合する場合を参照して説明した。しか
しながら、図２を参照して前述したように、本発明に関
連する当業者であれば、これらの構成は、２以上の部品
を接合するために使用することもできることが認識され
よう。
つの部品のみを接合する場合を参照して説明した。しか
しながら、図２を参照して前述したように、本発明に関
連する当業者であれば、これらの構成は、２以上の部品
を接合するために使用することもできることが認識され
よう。
【００３２】以上、好適な態様および他の態様として、
本発明を説明して示した。しかしながら、本発明は、説
明して示したこれらの態様に限定されるものではない。
寧ろ、本発明は、ここに添付する特許請求の範囲によっ
てのみ限定されるものである。
本発明を説明して示した。しかしながら、本発明は、説
明して示したこれらの態様に限定されるものではない。
寧ろ、本発明は、ここに添付する特許請求の範囲によっ
てのみ限定されるものである。
【図１】本発明方法によって基体に接合された光ファイ
バを備えたダイオードレーザモジュールの一部を概略的
に示す立面図である。
バを備えたダイオードレーザモジュールの一部を概略的
に示す立面図である。
【図２】本発明方法によって基体に接合された、並んだ
配列の光ファイバを備えたダイオードレーザモジュール
の一部を概略的に示す平面図である。
配列の光ファイバを備えたダイオードレーザモジュール
の一部を概略的に示す平面図である。
【図３】基体の上面側の部品および基体の下面側のＰＴ
Ｃ−抵抗器の構成を概略的に示す立面図である。
Ｃ−抵抗器の構成を概略的に示す立面図である。
【図４】基体上の部品および部品上のＰＴＣ−抵抗器の
構成を概略的に示す立面図である。
構成を概略的に示す立面図である。
【図５】基体上の部品に隣接する複数のＰＴＣ−抵抗器
の構成を概略的に示す、上方から見た平面図である。
の構成を概略的に示す、上方から見た平面図である。
１０…ダイオードレーザモジュール １１…モジュール １２…レーザ １４…光ファイバ １６…ヒートシンク １８…基体 ２０…セラミック板 ２２…接着剤 ２４…ＰＴＣ−サーミスタ ２６…上部表面 ２８…下部表面 ３０、３２…リードワイヤ ３４…第１の支持板 ３６…金属被覆層 ３８…第２の支持板 ４０…半田 ４２…金属被覆層 ４４…エポキシ接着剤 ４６…電源 ４８…光ファイバの列 ５０…ダイオードレーザの列
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 ドクトル ジョーク ローレンツ−シュト ルツ ドイツ連邦共和国、デ−23701 スーゼル −ザルネカウ、アム ベンケン 20 (72)発明者 ヘリー ウイルヘルム ドイツ連邦共和国、デ−23552 レーベッ ク、グローゼ キーザウ ５、ハウス ２ (72)発明者 カイ−ペーター シュタルナー ドイツ連邦共和国、デ−23552 レーベッ ク、モルケルケシュトラーセ 13
Claims (23)
- 【請求項１】接合媒体を介して部品を基体に接合させる
方法であって、部品の接合の際に接合媒体を加熱するこ
とからなり、 自己制御性サーミスタによって接合媒体の加熱を行い、
前記自己制御性サーミスタが、公称動作温度を有するＰ
ＴＣ−サーミスタおよびＮＴＣ−サーミスタの中の１つ
であり、 ＰＴＣ−サーミスタによって接合媒体の加熱を行う場合
は、前記ＰＴＣ−サーミスタは、部品の接合の際に印加
される電位が本質的に一定のものであり、ＮＴＣ−サー
ミスタによって接合媒体の加熱を行う場合は、前記ＮＴ
Ｃ−サーミスタは、部品の接合の際に本質的に一定の電
流を供給されるものであることを特徴とする、接合媒体
を介した部品の基体への接合方法。 - 【請求項２】請求項１記載の接合方法において、接合媒
体が、溶解温度を有する半田であり、前記自己制御性サ
ーミスタの前記公称温度が、前記溶解温度より約１℃〜
４０℃高いことを特徴とする接合方法。 - 【請求項３】請求項１記載の接合方法において、接合媒
体が、最適硬化温度を有する温度硬化性接着性材料であ
り、前記自己制御性サーミスタの前記公称温度が、前記
最適硬化温度と略等しいことを特徴とする接合方法。 - 【請求項４】請求項１記載の接合方法において、接合媒
体が、溶解温度を有する熱可塑性材料であり、前記自己
制御性サーミスタの前記公称温度が、前記溶解温度より
約１℃〜４０℃高いことを特徴とする接合方法。 - 【請求項５】請求項１記載の接合方法において、自己制
御性サーミスタが、基体に取り付けられ、部品が、接合
媒体によって前記自己制御性サーミスタに接合されるこ
とを特徴とする接合方法。 - 【請求項６】請求項１記載の接合方法において、基体
が、下面側と反対側の上面側とを有し、前記自己制御性
サーミスタが、下面側で基体に取り付けられ、部品が、
接合媒体によって上面側で基体に接合されることを特徴
とする接合方法。 - 【請求項７】請求項１記載の接合方法において、部品
が、接合媒体によって基体に接合され、前記自己制御性
サーミスタが、部品上に配置されることを特徴とする接
合方法。 - 【請求項８】請求項１記載の接合方法において、部品
が、接合媒体によって基体に接合され、前記自己制御性
サーミスタが、部品に隣接して配置されることを特徴と
する接合方法。 - 【請求項９】部品の接合の際に接合媒体を加熱すること
により、接合媒体を介して複数の部品を基体に接合させ
る方法であって、 自己制御性サーミスタによって接合媒体の加熱を行い、
前記自己制御性サーミスタが、ＰＴＣ−サーミスタおよ
びＮＴＣ−サーミスタの中の１つであり、 ＰＴＣ−サーミスタによって接合媒体の加熱を行う場合
は、前記ＰＴＣ−サーミスタは、部品の接合の際に印加
される電位が本質的に一定のものであり、ＮＴＣ−サー
ミスタによって接合媒体の加熱を行う場合は、前記ＮＴ
Ｃ−サーミスタは、部品の接合の際に本質的に一定の電
流を供給されるものであることを特徴とする、接合媒体
を介した複数の部品の基体への接合方法。 - 【請求項１０】部品の接合の際に接合媒体を加熱するこ
とにより、接合媒体を介して部品を基体に接合させる方
法であって、 部品を囲繞するように基体上に配置された複数の自己制
御性サーミスタによって接合媒体の加熱を行い、前記自
己制御性サーミスタのそれぞれが、ＰＴＣ−サーミスタ
およびＮＴＣ−サーミスタの中の１つであり、 前記自己制御性サーミスタがＰＴＣ−サーミスタである
場合は、そのＰＴＣ−サーミスタは、部品の接合の際に
印加される電位が本質的に一定のものであり、前記自己
制御性サーミスタがＮＴＣ−サーミスタである場合は、
そのＮＴＣ−サーミスタは、部品の接合の際に本質的に
一定の電流を供給されるものであることを特徴とする、
接合媒体を介した部品の基体への接合方法。 - 【請求項１１】接合媒体を介して部品を基体に接合させ
る方法であって、 (a) 部品の接合の際に接合媒体を加熱するためのＰＴＣ
−サーミスタを設け、前記ＰＴＣ−サーミスタは、公称
動作温度を有するものとし、 (b) 部品の接合の際に前記ＰＴＣ−サーミスタに本質的
に一定の電位を印加し、これにより前記ＰＴＣ−サーミ
スタの温度を、接合媒体の加熱の際に、ほぼ前記公称動
作温度に維持する工程からなることを特徴とする接合媒
体を介した部品の基体への接合方法。 - 【請求項１２】接合媒体を介して部品を基体に接合させ
る方法であって、 (a) 部品の接合の際に接合媒体を加熱するためのＮＴＣ
−サーミスタを設け、前記ＮＴＣ−サーミスタは、公称
動作温度を有するものとし、 (b) 部品の接合の際に前記ＮＴＣ−サーミスタに本質的
に一定の電流を供給し、これにより前記ＮＴＣ−サーミ
スタの温度を、接合媒体の加熱の際に、ほぼ前記公称動
作温度に維持する工程からなることを特徴とする接合媒
体を介した部品の基体への接合方法。 - 【請求項１３】モジュールであって、 接合媒体を介して接合された部品を有する基体と、 接合媒体と熱的に連通した自己制御性サーミスタであっ
て、前記自己制御性サーミスタはＰＴＣ−サーミスタお
よびＮＴＣ−サーミスタの中の１つであり、部品の基体
への接合の際に接合媒体を加熱するために既に使用され
た前記自己制御性サーミスタと、 を備えることを特徴とするモジュール。 - 【請求項１４】請求項１３記載のモジュールにおいて、
自己制御性サーミスタが、公称動作温度を有し、接合媒
体が、溶解温度を有する半田であり、前記自己制御性サ
ーミスタの前記公称温度が、前記溶解温度より約１℃〜
４０℃高いことを特徴とするモジュール。 - 【請求項１５】請求項１３記載のモジュールにおいて、
前記自己制御性サーミスタが、公称動作温度を有し、接
合媒体が、最適硬化温度を有する温度硬化性接着性材料
であり、前記自己制御性サーミスタの前記公称動作温度
が、前記最適硬化温度と略等しいことを特徴とするモジ
ュール。 - 【請求項１６】請求項１３記載のモジュールにおいて、
前記自己制御性サーミスタが、公称動作温度を有し、接
合媒体が、溶解温度を有する熱可塑性材料であり、前記
自己制御性サーミスタの前記公称動作温度が、前記溶解
温度より約１℃〜４０℃高いことを特徴とするモジュー
ル。 - 【請求項１７】請求項１３記載のモジュールにおいて、
自己制御性サーミスタが、基体に取り付けられ、部品
が、接合媒体によって前記自己制御性サーミスタに接合
されていることを特徴とするモジュール。 - 【請求項１８】請求項１３記載のモジュールにおいて、
基体が、下面側と反対側の上面側とを有し、前記自己制
御性サーミスタが、下面側で基体に取り付けられ、部品
が、接合媒体によって上面側で基体に接合されているこ
とを特徴とするモジュール。 - 【請求項１９】請求項１３記載のモジュールにおいて、
部品が、接合媒体によって基体に接合され、前記自己制
御性サーミスタが、部品上に配置されていることを特徴
とするモジュール。 - 【請求項２０】請求項１３記載のモジュールにおいて、
部品が、接合媒体によって基体に接合され、前記自己制
御性サーミスタが、部品に隣接して配置されていること
を特徴とするモジュール。 - 【請求項２１】請求項１３記載のモジュールにおいて、
部品が、光学部品であることを特徴とするモジュール。 - 【請求項２２】モジュールであって、 接合媒体を介して接合された複数の部品を有する基体
と、 接合媒体と熱的に連通した自己制御性サーミスタであっ
て、前記自己制御性サーミスタはＰＴＣ−サーミスタお
よびＮＴＣ−サーミスタの中の１つであり、複数の部品
の基体への接合の際に接合媒体を加熱するために既に使
用された前記自己制御性サーミスタと、 を備えることを特徴とするモジュール。 - 【請求項２３】モジュールであって、 接合媒体を介して接合された部品を有する基体と、 接合媒体と熱的に連通した複数の自己制御性サーミスタ
であって、前記自己制御性サーミスタのそれぞれは、Ｐ
ＴＣ−サーミスタおよびＮＴＣ−サーミスタの中の１つ
であり、部品の基体への接合の際に接合媒体を加熱する
ために既に使用された前記複数の自己制御性サーミスタ
と、 を備えることを特徴とするモジュール。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE19613236:3 | 1996-04-02 | ||
| DE19613236A DE19613236A1 (de) | 1996-04-02 | 1996-04-02 | Modul mit befestigter Komponente und Verfahren zum Befestigen einer Komponente |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1056237A true JPH1056237A (ja) | 1998-02-24 |
Family
ID=7790311
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9083041A Pending JPH1056237A (ja) | 1996-04-02 | 1997-04-01 | 接合した部品を有するダイオードレーザモジュールおよびその接合方法 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5930600A (ja) |
| EP (1) | EP0800102A1 (ja) |
| JP (1) | JPH1056237A (ja) |
| DE (1) | DE19613236A1 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008508556A (ja) * | 2004-07-27 | 2008-03-21 | ルミテックス， インコーポレイテッド | 平坦な光ファイバの発光体 |
| JP2022534488A (ja) * | 2019-05-29 | 2022-08-01 | アルコン インコーポレイティド | 光学部品取付システム |
Families Citing this family (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB2330289A (en) * | 1997-10-13 | 1999-04-14 | Ericsson Omc Limited | Heated printed circuit board |
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