JPH1059918A - 非対称アジン類 - Google Patents
非対称アジン類Info
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- JPH1059918A JPH1059918A JP8221212A JP22121296A JPH1059918A JP H1059918 A JPH1059918 A JP H1059918A JP 8221212 A JP8221212 A JP 8221212A JP 22121296 A JP22121296 A JP 22121296A JP H1059918 A JPH1059918 A JP H1059918A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 アジン系の新規Ｐ型液晶化合物、これを用い
た高速応答及び低電圧駆動可能な液晶組成物を提供す
る。 【解決手段】 一般式（Ｉ） 【化１】 （Ｒ：Ｃ１〜１２のアルキル、アルコキシル、Ｚ：Ｆ原
子、Ｃｌ原子、ＯＣＦ3、ＯＣＦ2Ｈ、ＣＦ3、ＯＣＨ2Ｃ
Ｆ3）で表される化合物及びこれを含有する液晶組成
物。
た高速応答及び低電圧駆動可能な液晶組成物を提供す
る。 【解決手段】 一般式（Ｉ） 【化１】 （Ｒ：Ｃ１〜１２のアルキル、アルコキシル、Ｚ：Ｆ原
子、Ｃｌ原子、ＯＣＦ3、ＯＣＦ2Ｈ、ＣＦ3、ＯＣＨ2Ｃ
Ｆ3）で表される化合物及びこれを含有する液晶組成
物。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は有機電子材料や医農
薬、特に電気光学的液晶表示用ネマチック液晶材料とし
て有用な非対称アジン類に関する。
薬、特に電気光学的液晶表示用ネマチック液晶材料とし
て有用な非対称アジン類に関する。
【０００２】
【従来の技術】液晶表示素子は、時計、電卓をはじめと
して、各種測定機器、自動車用パネル、ワードプロセッ
サー、電子手帳、プリンター、コンピューター、テレビ
等に用いられるようになっている。液晶表示方式として
は、その代表的なものにＴＮ（捩れネマチック）型、Ｓ
ＴＮ（超捩れネマチック）型、ＤＳ（動的光散乱）型、
ＧＨ（ゲスト・ホスト）型あるいはＦＬＣ（強誘電性液
晶）等があり、また駆動方式としても従来のスタティッ
ク駆動からマルチプレックス駆動が一般的になり、さら
に単純マトリックス方式、最近ではアクティブマトリッ
クス方式が実用化されている。これらの表示方式や駆動
方式に応じて、液晶材料としても種々の特性が要求され
ており、このためこれまでにも非常に多くの液晶化合物
が合成されている。
して、各種測定機器、自動車用パネル、ワードプロセッ
サー、電子手帳、プリンター、コンピューター、テレビ
等に用いられるようになっている。液晶表示方式として
は、その代表的なものにＴＮ（捩れネマチック）型、Ｓ
ＴＮ（超捩れネマチック）型、ＤＳ（動的光散乱）型、
ＧＨ（ゲスト・ホスト）型あるいはＦＬＣ（強誘電性液
晶）等があり、また駆動方式としても従来のスタティッ
ク駆動からマルチプレックス駆動が一般的になり、さら
に単純マトリックス方式、最近ではアクティブマトリッ
クス方式が実用化されている。これらの表示方式や駆動
方式に応じて、液晶材料としても種々の特性が要求され
ており、このためこれまでにも非常に多くの液晶化合物
が合成されている。
【０００３】こうした液晶化合物の中で、一般式（Ａ）
【０００４】
【化２】
【０００５】（式中、Ｒaはアルキル基を表す。）で表
されるアジン誘導体は比較的古くから知られており、
（ｉ）液晶相上限温度が高い、（ｉｉ）化学的に比較的
安定、（ｉｉｉ）製造が容易かつ安価である、等の特性
を有する優れた液晶材料である。しかも、本発明者らの
検討によると、現在汎用されている液晶組成物に添加す
ることにより、その応答時間を非常に改善できる効果を
有することが確認されている。
されるアジン誘導体は比較的古くから知られており、
（ｉ）液晶相上限温度が高い、（ｉｉ）化学的に比較的
安定、（ｉｉｉ）製造が容易かつ安価である、等の特性
を有する優れた液晶材料である。しかも、本発明者らの
検討によると、現在汎用されている液晶組成物に添加す
ることにより、その応答時間を非常に改善できる効果を
有することが確認されている。
【０００６】しかしながら、この（Ａ）の化合物はその
融点が高く、他の液晶化合物との相溶性が悪いという問
題点があった。この問題点を改善した化合物として、特
開昭５４−８７６８８号公報には一般式（Ｂ）
融点が高く、他の液晶化合物との相溶性が悪いという問
題点があった。この問題点を改善した化合物として、特
開昭５４−８７６８８号公報には一般式（Ｂ）
【０００７】
【化３】
【０００８】（式中、Ｒaはアルキル基を、ＲbはＲaと
異なるアルキル基を表す。）で表される非対称アジン類
が報告されている。この（Ｂ）の化合物は（Ａ）の化合
物と同程度に高い液晶相上限温度を示すのに加えて、
（Ａ）の化合物と比較して融点が低く他の液晶化合物と
の相溶性も良いといった優れた特徴を有する。
異なるアルキル基を表す。）で表される非対称アジン類
が報告されている。この（Ｂ）の化合物は（Ａ）の化合
物と同程度に高い液晶相上限温度を示すのに加えて、
（Ａ）の化合物と比較して融点が低く他の液晶化合物と
の相溶性も良いといった優れた特徴を有する。
【０００９】ただし、この（Ｂ）の化合物は誘電率異方
性が小さいいわゆるＮ型の液晶であり、液晶組成物の閾
値電圧を低減することはできない。上記の特開昭５４−
８７６８８号公報には、一般式（Ｃ）
性が小さいいわゆるＮ型の液晶であり、液晶組成物の閾
値電圧を低減することはできない。上記の特開昭５４−
８７６８８号公報には、一般式（Ｃ）
【００１０】
【化４】
【００１１】（式中、Ｒaはアルキル基を表す。）で表
されるシアノベンゼン誘導体である非対称アジン類が報
告されている。この（Ｃ）の化合物は誘電率異方性が大
きいいわゆるＰ型液晶であり、低い閾値電圧が要求され
る場合にも有効である。しかしながら（Ｃ）の化合物は
シアノ基が存在するために粘性が増大し応答性において
は（Ａ）や（Ｂ）の化合物には及ばない。従って、高速
応答性を必要とする用途やあるいは信頼性が重視される
用途には適していない。
されるシアノベンゼン誘導体である非対称アジン類が報
告されている。この（Ｃ）の化合物は誘電率異方性が大
きいいわゆるＰ型液晶であり、低い閾値電圧が要求され
る場合にも有効である。しかしながら（Ｃ）の化合物は
シアノ基が存在するために粘性が増大し応答性において
は（Ａ）や（Ｂ）の化合物には及ばない。従って、高速
応答性を必要とする用途やあるいは信頼性が重視される
用途には適していない。
【００１２】Ｐ型液晶でありながら粘性を低下させるた
めには、極性基としてフッ素等のハロゲン原子やトリフ
ルオロメトキシ基等のフッ素置換アルコキシル基やアル
キル基を用いることが効果的である。アジン系の液晶化
合物でこうした極性基を有する化合物としては唯一、上
記の特開昭５４−８７６８８号公報に式（Ｄ）の化合物
が記載されている。
めには、極性基としてフッ素等のハロゲン原子やトリフ
ルオロメトキシ基等のフッ素置換アルコキシル基やアル
キル基を用いることが効果的である。アジン系の液晶化
合物でこうした極性基を有する化合物としては唯一、上
記の特開昭５４−８７６８８号公報に式（Ｄ）の化合物
が記載されている。
【００１３】
【化５】
【００１４】しかしながら、この（Ｄ）の化合物はアジ
ン骨格中に存在するメチル分岐基のために、ネマチック
相の上限温度が７５℃と低く、６９℃以下ではスメクチ
ック相を発現してしまい、さらに粘性が上昇して高速応
答には適さない化合物となっている。
ン骨格中に存在するメチル分岐基のために、ネマチック
相の上限温度が７５℃と低く、６９℃以下ではスメクチ
ック相を発現してしまい、さらに粘性が上昇して高速応
答には適さない化合物となっている。
【００１５】従って、アジン系のＰ型液晶化合物であっ
て、粘性が低く、低電圧駆動と高速応答が可能であり、
かつネマチック相上限温度の高い液晶化合物が求められ
る。
て、粘性が低く、低電圧駆動と高速応答が可能であり、
かつネマチック相上限温度の高い液晶化合物が求められ
る。
【００１６】
【発明が解決しようとする課題】本発明が解決しようと
する課題は、上記の目的に応じるため、非対称アジン系
の新規Ｐ型液晶化合物を提供し、さらにこれを用いて高
速応答と低電圧駆動が可能な液晶組成物を提供する。
する課題は、上記の目的に応じるため、非対称アジン系
の新規Ｐ型液晶化合物を提供し、さらにこれを用いて高
速応答と低電圧駆動が可能な液晶組成物を提供する。
【００１７】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記課題を解
決するために、 １． 一般式（Ｉ）
決するために、 １． 一般式（Ｉ）
【００１８】
【化６】
【００１９】（式中、Ｒは炭素原子数１〜１２のアルキ
ル基又はアルコキシル基を表し、Ｚはフッ素原子、塩素
原子、−ＯＣＦ3、−ＯＣＦ2Ｈ、−ＣＦ3又は−ＯＣＨ2
ＣＦ3を表す。）で表される化合物。 ２． 一般式（Ｉ）において、Ｚがフッ素原子であると
ころの上記１記載の化合物。 ３． 一般式（Ｉ）において、Ｚが−ＯＣＦ3であると
ころの上記１記載の化合物。 ４． 一般式（Ｉ）において、Ｒが炭素原子数１〜７の
直鎖状アルキル基であるところの上記１、２又は３記載
の化合物。 ５． 上記１記載の一般式（Ｉ）の化合物を含有する液
晶組成物。を前記課題の解決手段として見出した。
ル基又はアルコキシル基を表し、Ｚはフッ素原子、塩素
原子、−ＯＣＦ3、−ＯＣＦ2Ｈ、−ＣＦ3又は−ＯＣＨ2
ＣＦ3を表す。）で表される化合物。 ２． 一般式（Ｉ）において、Ｚがフッ素原子であると
ころの上記１記載の化合物。 ３． 一般式（Ｉ）において、Ｚが−ＯＣＦ3であると
ころの上記１記載の化合物。 ４． 一般式（Ｉ）において、Ｒが炭素原子数１〜７の
直鎖状アルキル基であるところの上記１、２又は３記載
の化合物。 ５． 上記１記載の一般式（Ｉ）の化合物を含有する液
晶組成物。を前記課題の解決手段として見出した。
【００２０】
【発明の実施の形態】以下に本発明の一例について説明
する。一般式（Ｉ）において、Ｒは炭素原子数は１〜７
が好ましく、直鎖状アルキル基がさらに好ましい。Ｚは
フッ素原子又は−ＯＣＦ3が好ましい。
する。一般式（Ｉ）において、Ｒは炭素原子数は１〜７
が好ましく、直鎖状アルキル基がさらに好ましい。Ｚは
フッ素原子又は−ＯＣＦ3が好ましい。
【００２１】一般式（Ｉ）の化合物は以下のようにして
製造することができる。即ち、一般式（ＩＩ）
製造することができる。即ち、一般式（ＩＩ）
【００２２】
【化７】
【００２３】（式中、Ｒは一般式（Ｉ）におけるとおな
じ意味を表す。）で表されるヒドラゾンと一般式（ＩＩ
Ｉ）
じ意味を表す。）で表されるヒドラゾンと一般式（ＩＩ
Ｉ）
【００２４】
【化８】
【００２５】（式中、Ｚは一般式（Ｉ）におけるとおな
じ意味を表す。）で表されるベンズアルデヒド誘導体と
を反応させることにより容易に得ることができる。この
際に、式（ＩＶ）や式（Ｖ）等の対称系のアジン
じ意味を表す。）で表されるベンズアルデヒド誘導体と
を反応させることにより容易に得ることができる。この
際に、式（ＩＶ）や式（Ｖ）等の対称系のアジン
【００２６】
【化９】
【００２７】（式中、Ｒ及びＺは一般式（Ｉ）と同じ意
味を表す。）の生成を抑止するためにアミンの存在下に
反応させることが好ましい。アミン類としては２級アミ
ンあるいは３級アミンが好ましく、３級アミンが特に好
ましい。さらに３級アミンとしてはトリエチルアミン、
トリメチルアミン、トリブチルアミン等のトリアルキル
アミン、N,N-ジメチルアニリン、N,N-ジエチルアニリン
等の芳香族アミン、ピリジン等の環状アミン類等が用い
られるが、トリエチルアミン等のトリアルキルアミンが
特に好ましい。
味を表す。）の生成を抑止するためにアミンの存在下に
反応させることが好ましい。アミン類としては２級アミ
ンあるいは３級アミンが好ましく、３級アミンが特に好
ましい。さらに３級アミンとしてはトリエチルアミン、
トリメチルアミン、トリブチルアミン等のトリアルキル
アミン、N,N-ジメチルアニリン、N,N-ジエチルアニリン
等の芳香族アミン、ピリジン等の環状アミン類等が用い
られるが、トリエチルアミン等のトリアルキルアミンが
特に好ましい。
【００２８】アミンの使用量は（ＩＩ）のヒドラゾンに
対して0.1〜20モル量が好ましく、0.5〜10モル量がさら
に好ましい。これらアミン類は（ＩＩ）のヒドラゾンと
（ＩＩＩ）のベンズアルデヒドとを反応させる際に系内
に添加してもよいが、（ＩＩ）のヒドラゾンを調製する
際に、後処理の工程で加えておくことによりアミンを含
んだヒドラゾンと（ＩＩＩ）のベンズアルデヒドを反応
させても良い。即ち、一般式（ＶＩ）
対して0.1〜20モル量が好ましく、0.5〜10モル量がさら
に好ましい。これらアミン類は（ＩＩ）のヒドラゾンと
（ＩＩＩ）のベンズアルデヒドとを反応させる際に系内
に添加してもよいが、（ＩＩ）のヒドラゾンを調製する
際に、後処理の工程で加えておくことによりアミンを含
んだヒドラゾンと（ＩＩＩ）のベンズアルデヒドを反応
させても良い。即ち、一般式（ＶＩ）
【００２９】
【化１０】
【００３０】（式中、Ｒは一般式（Ｉ）におけると同じ
意味を表す。）で表されるベンズアルデヒド誘導体をエ
タノール等の溶媒中で大過剰のヒドラジンと反応させて
（ＩＩ）のヒドラゾンを調製し、反応終了後ジクロロメ
タン等の水に不溶の溶媒を加え、水洗を繰り返して過剰
のヒドラジンを除去する。溶媒の大半を溜去後、必要に
応じてアミンを追加し、エタノール等の溶媒中で（ＩＩ
Ｉ）のベンズアルデヒドを加え反応させる。この反応は
冷却下に、あるいは加熱下に行ってもよいが、通常は室
温付近で実施することが好ましい。反応終了後は同様に
ジクロロメタン等の水に不溶の溶媒を加え、水洗を繰り
返した後、溶媒を溜去し、メタノール等の溶媒から再結
晶して精製する。また、必要に応じて塩基性アルミナに
よるカラムクロマトグラフィーを用いて、精製すること
も好ましい。
意味を表す。）で表されるベンズアルデヒド誘導体をエ
タノール等の溶媒中で大過剰のヒドラジンと反応させて
（ＩＩ）のヒドラゾンを調製し、反応終了後ジクロロメ
タン等の水に不溶の溶媒を加え、水洗を繰り返して過剰
のヒドラジンを除去する。溶媒の大半を溜去後、必要に
応じてアミンを追加し、エタノール等の溶媒中で（ＩＩ
Ｉ）のベンズアルデヒドを加え反応させる。この反応は
冷却下に、あるいは加熱下に行ってもよいが、通常は室
温付近で実施することが好ましい。反応終了後は同様に
ジクロロメタン等の水に不溶の溶媒を加え、水洗を繰り
返した後、溶媒を溜去し、メタノール等の溶媒から再結
晶して精製する。また、必要に応じて塩基性アルミナに
よるカラムクロマトグラフィーを用いて、精製すること
も好ましい。
【００３１】斯くして製造された一般式（Ｉ）のアジン
誘導体の例をその相転移温度とともに第１表に掲げる。
誘導体の例をその相転移温度とともに第１表に掲げる。
【００３２】
【表１】
【００３３】表中、Ｃｒは結晶相を、Ｓは帰属不明のス
メクチック相を、ＳＡはスメクチックＡ相を、Ｎはネマ
チック相を、またＩは等方性液体相をそれぞれ表す。相
転移温度は「℃」を表す。
メクチック相を、ＳＡはスメクチックＡ相を、Ｎはネマ
チック相を、またＩは等方性液体相をそれぞれ表す。相
転移温度は「℃」を表す。
【００３４】第１表からわかるように、本発明の一般式
（Ｉ）の化合物はいずれも高いネマチック相上限温度を
示す。一般式（Ｉ）の化合物を従来の液晶組成物に添加
することにより得られる優れた効果は以下のように明ら
かである。
（Ｉ）の化合物はいずれも高いネマチック相上限温度を
示す。一般式（Ｉ）の化合物を従来の液晶組成物に添加
することにより得られる優れた効果は以下のように明ら
かである。
【００３５】ホスト液晶（Ｈ）
【００３６】
【化１１】
【００３７】（式中、「％」は『重量％』を表す。）を
調製した。このホスト液晶（Ｈ）は１１６．７℃以下で
ネマチック相を示し、その融点は１１℃である。これを
厚さ４．５μｍのＴＮセルに封入して液晶素子を作製
し、その応答時間を測定したところ２１．５ｍ秒であっ
た。ここで応答時間は立ち上がり時間と立ち下がり時間
が等しくなる電界印加時の測定値である。また、この素
子のしきい値電圧を測定したところ１．８８Ｖであっ
た。
調製した。このホスト液晶（Ｈ）は１１６．７℃以下で
ネマチック相を示し、その融点は１１℃である。これを
厚さ４．５μｍのＴＮセルに封入して液晶素子を作製
し、その応答時間を測定したところ２１．５ｍ秒であっ
た。ここで応答時間は立ち上がり時間と立ち下がり時間
が等しくなる電界印加時の測定値である。また、この素
子のしきい値電圧を測定したところ１．８８Ｖであっ
た。
【００３８】次に、ホスト液晶（Ｈ）８０重量％及び第
１表中のＮｏ．（Ｉ−２）
１表中のＮｏ．（Ｉ−２）
【００３９】
【化１２】
【００４０】の化合物２０重量％からなる液晶組成物
（Ｍ−２）を調製した。この（Ｍ−２）のネマチック相
上限温度（ＴN-I）は１０４℃であり、ホスト液晶
（Ｈ）よりわずかに低下した。また、この組成物を０℃
で２４時間放置したが、結晶の析出等は観察できなかっ
た。これを用いて同様にして素子を作成し、その応答時
間を測定したところ、１４ｍ秒と大幅に高速化すること
ができた。次に、その閾値電圧を測定したところ、２．
０７Ｖであり、ホスト液晶（Ｈ）よりやや高くなった。
（Ｍ−２）を調製した。この（Ｍ−２）のネマチック相
上限温度（ＴN-I）は１０４℃であり、ホスト液晶
（Ｈ）よりわずかに低下した。また、この組成物を０℃
で２４時間放置したが、結晶の析出等は観察できなかっ
た。これを用いて同様にして素子を作成し、その応答時
間を測定したところ、１４ｍ秒と大幅に高速化すること
ができた。次に、その閾値電圧を測定したところ、２．
０７Ｖであり、ホスト液晶（Ｈ）よりやや高くなった。
【００４１】これに対して、Ｎ型のアジン誘導体である
（Ｂ−１）
（Ｂ−１）
【００４２】
【化１３】
【００４３】２０重量％及びホスト液晶（Ｈ）８０重量
％からなる液晶組成物（Ｍ−Ｂ）を調製した。（Ｍ−
Ｂ）のネマチック相上限温度（ＴN-I）は１１５．６℃
で、ホスト液晶（Ｈ）と同程度であり、（Ｍ−２）より
わずかに高くなった。次に、同様にして液晶素子を作成
しその応答時間を測定したところ、１５．３ｍ秒と（Ｍ
−２）にはやや及ばないもののやはり、ホスト液晶
（Ｈ）よりかなり高速になった。ところが、この素子の
閾値電圧を測定したところ２．５４Ｖであり、ホスト液
晶（Ｈ）や（Ｍ−２）と比較して大幅に上昇してしまっ
た。
％からなる液晶組成物（Ｍ−Ｂ）を調製した。（Ｍ−
Ｂ）のネマチック相上限温度（ＴN-I）は１１５．６℃
で、ホスト液晶（Ｈ）と同程度であり、（Ｍ−２）より
わずかに高くなった。次に、同様にして液晶素子を作成
しその応答時間を測定したところ、１５．３ｍ秒と（Ｍ
−２）にはやや及ばないもののやはり、ホスト液晶
（Ｈ）よりかなり高速になった。ところが、この素子の
閾値電圧を測定したところ２．５４Ｖであり、ホスト液
晶（Ｈ）や（Ｍ−２）と比較して大幅に上昇してしまっ
た。
【００４４】以上から、本発明の化合物が、閾値電圧を
上昇させたり、その温度範囲を低下させることなく、そ
の応答時間を大幅に改善するうえにおいて、非常に有効
であることがわかる。
上昇させたり、その温度範囲を低下させることなく、そ
の応答時間を大幅に改善するうえにおいて、非常に有効
であることがわかる。
【００４５】
【実施例】以下に本発明の実施例を示し、本発明を更に
説明する。しかし、本発明はこれらの実施例に限定され
るものではない。
説明する。しかし、本発明はこれらの実施例に限定され
るものではない。
【００４６】化合物の構造は、核磁気共鳴スペクトル
（ＮＭＲ）、質量スペクトル（ＭＳ）及び赤外吸収スペ
クトル（ＩＲ）により確認し、相転移温度の測定は温度
調節ステージを備えた偏光顕微鏡と示差走査熱量計（Ｄ
ＳＣ）を併用して行った。また、組成物における「％」
は『重量％』を表す。 （実施例１） １−（４−フルオロベンジリデン）−２
−（４−プロピルベンジリデン）ヒドラジン（第１表中
Ｎｏ．（Ｉ−２）の化合物）の合成
（ＮＭＲ）、質量スペクトル（ＭＳ）及び赤外吸収スペ
クトル（ＩＲ）により確認し、相転移温度の測定は温度
調節ステージを備えた偏光顕微鏡と示差走査熱量計（Ｄ
ＳＣ）を併用して行った。また、組成物における「％」
は『重量％』を表す。 （実施例１） １−（４−フルオロベンジリデン）−２
−（４−プロピルベンジリデン）ヒドラジン（第１表中
Ｎｏ．（Ｉ−２）の化合物）の合成
【００４７】
【化１４】
【００４８】ヒドラジン１水和物１４０ｇに４−プロピ
ルベンズアルデヒド５０ｇをエタノール２５０ｍＬに溶
解して加え、室温で１時間攪拌した。ジクロロメタン４
００ｍＬを加えた後、３００ｍＬの飽和炭酸水素ナトリ
ウム水溶液で３回洗滌した。有機層にトリエチルアミン
１５ｍＬを加え、無水硫酸ナトリウムで脱水乾燥させ
た。減圧下に溶媒を溜去し、トリエチルアミン１５ｍＬ
を追加し、エタノール２５０ｍＬ及び４−フルオロベン
ズアルデヒド４３ｇを加え、室温でさらに６時間攪拌し
た。ジクロロメタン４００ｍＬを加え、３００ｍＬの飽
和炭酸水素ナトリウム水溶液で洗滌後、減圧下に溶媒を
溜去した。残渣をアルミナ（塩基性）カラムクロマトグ
ラフィー（ジクロロメタン）を用いて精製し、さらにメ
タノールから再結晶させて、１−（４−フルオロベンジ
リデン）−２−（４−プロピルベンジリデン）ヒドラジ
ン２６．９ｇを得た。この化合物の融点は７０．５℃で
あり、９６．５℃までネマチック相を示した。
ルベンズアルデヒド５０ｇをエタノール２５０ｍＬに溶
解して加え、室温で１時間攪拌した。ジクロロメタン４
００ｍＬを加えた後、３００ｍＬの飽和炭酸水素ナトリ
ウム水溶液で３回洗滌した。有機層にトリエチルアミン
１５ｍＬを加え、無水硫酸ナトリウムで脱水乾燥させ
た。減圧下に溶媒を溜去し、トリエチルアミン１５ｍＬ
を追加し、エタノール２５０ｍＬ及び４−フルオロベン
ズアルデヒド４３ｇを加え、室温でさらに６時間攪拌し
た。ジクロロメタン４００ｍＬを加え、３００ｍＬの飽
和炭酸水素ナトリウム水溶液で洗滌後、減圧下に溶媒を
溜去した。残渣をアルミナ（塩基性）カラムクロマトグ
ラフィー（ジクロロメタン）を用いて精製し、さらにメ
タノールから再結晶させて、１−（４−フルオロベンジ
リデン）−２−（４−プロピルベンジリデン）ヒドラジ
ン２６．９ｇを得た。この化合物の融点は７０．５℃で
あり、９６．５℃までネマチック相を示した。
【００４９】また、上記において、４−プロピルベンズ
アルデヒドに換えて、４−メチルベンズアルデヒド、４
−エチルベンズアルデヒド、４−ブチルベンズアルデヒ
ド、４−ペンチルベンズアルデヒド、４−ヘプチルベン
ズアルデヒド、又は４−メトキシベンズアルデヒドを用
いることにより、以下の化合物を得た。
アルデヒドに換えて、４−メチルベンズアルデヒド、４
−エチルベンズアルデヒド、４−ブチルベンズアルデヒ
ド、４−ペンチルベンズアルデヒド、４−ヘプチルベン
ズアルデヒド、又は４−メトキシベンズアルデヒドを用
いることにより、以下の化合物を得た。
【００５０】１−（４−フルオロベンジリデン）−２−
（４−メチルベンジリデン）ヒドラジン １−（４−フルオロベンジリデン）−２−（４−エチル
ベンジリデン）ヒドラジン（第１表中Ｎｏ．（Ｉ−１）
の化合物） １−（４−フルオロベンジリデン）−２−（４−ブチル
ベンジリデン）ヒドラジン（第１表中Ｎｏ．（Ｉ−３）
の化合物） １−（４−フルオロベンジリデン）−２−（４−ペンチ
ルベンジリデン）ヒドラジン １−（４−フルオロベンジリデン）−２−（４−ヘプチ
ルベンジリデン）ヒドラジン １−（４−フルオロベンジリデン）−２−（４−メトキ
シベンジリデン）ヒドラジン （実施例２） １−（４−トリフルオロメトキシベンジ
リデン）−２−（４−プロピルベンジリデン）ヒドラジ
ン（第１表中Ｎｏ．（Ｉ−４）の化合物）の合成
（４−メチルベンジリデン）ヒドラジン １−（４−フルオロベンジリデン）−２−（４−エチル
ベンジリデン）ヒドラジン（第１表中Ｎｏ．（Ｉ−１）
の化合物） １−（４−フルオロベンジリデン）−２−（４−ブチル
ベンジリデン）ヒドラジン（第１表中Ｎｏ．（Ｉ−３）
の化合物） １−（４−フルオロベンジリデン）−２−（４−ペンチ
ルベンジリデン）ヒドラジン １−（４−フルオロベンジリデン）−２−（４−ヘプチ
ルベンジリデン）ヒドラジン １−（４−フルオロベンジリデン）−２−（４−メトキ
シベンジリデン）ヒドラジン （実施例２） １−（４−トリフルオロメトキシベンジ
リデン）−２−（４−プロピルベンジリデン）ヒドラジ
ン（第１表中Ｎｏ．（Ｉ−４）の化合物）の合成
【００５１】
【化１５】
【００５２】実施例１において４−フルオロベンズアル
デヒドに換えて、４−トリフルオロメトキシベンゼンを
用いた以外は実施例１と同様にして、１−（４−トリフ
ルオロメトキシベンジリデン）−２−（４−プロピルベ
ンジリデン）ヒドラジンを得た。この化合物の相転移温
度は第１表にまとめて示した。
デヒドに換えて、４−トリフルオロメトキシベンゼンを
用いた以外は実施例１と同様にして、１−（４−トリフ
ルオロメトキシベンジリデン）−２−（４−プロピルベ
ンジリデン）ヒドラジンを得た。この化合物の相転移温
度は第１表にまとめて示した。
【００５３】同様にして以下の化合物を得た。 １−（４−トリフルオロメトキシベンジリデン）−２−
（４−メチルベンジリデン）ヒドラジン １−（４−トリフルオロメトキシベンジリデン）−２−
（４−エチルベンジリデン）ヒドラジン １−（４−トリフルオロメトキシベンジリデン）−２−
（４−ブチルベンジリデン）ヒドラジン １−（４−トリフルオロメトキシベンジリデン）−２−
（４−ペンチルベンジリデン）ヒドラジン １−（４−トリフルオロメトキシベンジリデン）−２−
（４−ヘプチルベンジリデン）ヒドラジン １−（４−トリフルオロメトキシベンジリデン）−２−
（４−メトキシベンジリデン）ヒドラジン １−（４−トリフルオロメチルベンジリデン）−２−
（４−メチルベンジリデン）ヒドラジン １−（４−トリフルオロメチルベンジリデン）−２−
（４−エチルベンジリデン）ヒドラジン １−（４−トリフルオロメチルベンジリデン）−２−
（４−プロピルベンジリデン）ヒドラジン １−（４−トリフルオロメチルベンジリデン）−２−
（４−ブチルベンジリデン）ヒドラジン １−（４−トリフルオロメチルベンジリデン）−２−
（４−ペンチルベンジリデン）ヒドラジン １−（４−トリフルオロメチルベンジリデン）−２−
（４−ヘプチルベンジリデン）ヒドラジン １−（４−トリフルオロメチルベンジリデン）−２−
（４−メトキシベンジリデン）ヒドラジン １−（４−ジフルオロメトキシベンジリデン）−２−
（４−メチルベンジリデン）ヒドラジン １−（４−ジフルオロメトキシベンジリデン）−２−
（４−エチルベンジリデン）ヒドラジン １−（４−ジフルオロメトキシベンジリデン）−２−
（４−プロピルベンジリデン）ヒドラジン １−（４−ジフルオロメトキシベンジリデン）−２−
（４−ブチルベンジリデン）ヒドラジン １−（４−ジフルオロメトキシベンジリデン）−２−
（４−ペンチルベンジリデン）ヒドラジン １−（４−ジフルオロメトキシベンジリデン）−２−
（４−ヘプチルベンジリデン）ヒドラジン １−（４−ジフルオロメトキシベンジリデン）−２−
（４−メトキシベンジリデン）ヒドラジン １−［４−（２，２，２−トリフルオロエトキシ）ベン
ジリデン］−２−（４−メチルベンジリデン）ヒドラジ
ン １−［４−（２，２，２−トリフルオロエトキシ）ベン
ジリデン］−２−（４−エチルベンジリデン）ヒドラジ
ン １−［４−（２，２，２−トリフルオロエトキシ）ベン
ジリデン］−２−（４−プロピルベンジリデン）ヒドラ
ジン １−［４−（２，２，２−トリフルオロエトキシ）ベン
ジリデン］−２−（４−ブチルベンジリデン）ヒドラジ
ン １−［４−（２，２，２−トリフルオロエトキシ）ベン
ジリデン］−２−（４−ペンチルベンジリデン）ヒドラ
ジン １−［４−（２，２，２−トリフルオロエトキシ）ベン
ジリデン］−２−（４−ヘプチルベンジリデン）ヒドラ
ジン １−［４−（２，２，２−トリフルオロエトキシ）ベン
ジリデン］−２−（４−メトキシベンジリデン）ヒドラ
ジン （実施例３） 液晶組成物の調製（１） ホスト液晶（Ｈ）
（４−メチルベンジリデン）ヒドラジン １−（４−トリフルオロメトキシベンジリデン）−２−
（４−エチルベンジリデン）ヒドラジン １−（４−トリフルオロメトキシベンジリデン）−２−
（４−ブチルベンジリデン）ヒドラジン １−（４−トリフルオロメトキシベンジリデン）−２−
（４−ペンチルベンジリデン）ヒドラジン １−（４−トリフルオロメトキシベンジリデン）−２−
（４−ヘプチルベンジリデン）ヒドラジン １−（４−トリフルオロメトキシベンジリデン）−２−
（４−メトキシベンジリデン）ヒドラジン １−（４−トリフルオロメチルベンジリデン）−２−
（４−メチルベンジリデン）ヒドラジン １−（４−トリフルオロメチルベンジリデン）−２−
（４−エチルベンジリデン）ヒドラジン １−（４−トリフルオロメチルベンジリデン）−２−
（４−プロピルベンジリデン）ヒドラジン １−（４−トリフルオロメチルベンジリデン）−２−
（４−ブチルベンジリデン）ヒドラジン １−（４−トリフルオロメチルベンジリデン）−２−
（４−ペンチルベンジリデン）ヒドラジン １−（４−トリフルオロメチルベンジリデン）−２−
（４−ヘプチルベンジリデン）ヒドラジン １−（４−トリフルオロメチルベンジリデン）−２−
（４−メトキシベンジリデン）ヒドラジン １−（４−ジフルオロメトキシベンジリデン）−２−
（４−メチルベンジリデン）ヒドラジン １−（４−ジフルオロメトキシベンジリデン）−２−
（４−エチルベンジリデン）ヒドラジン １−（４−ジフルオロメトキシベンジリデン）−２−
（４−プロピルベンジリデン）ヒドラジン １−（４−ジフルオロメトキシベンジリデン）−２−
（４−ブチルベンジリデン）ヒドラジン １−（４−ジフルオロメトキシベンジリデン）−２−
（４−ペンチルベンジリデン）ヒドラジン １−（４−ジフルオロメトキシベンジリデン）−２−
（４−ヘプチルベンジリデン）ヒドラジン １−（４−ジフルオロメトキシベンジリデン）−２−
（４−メトキシベンジリデン）ヒドラジン １−［４−（２，２，２−トリフルオロエトキシ）ベン
ジリデン］−２−（４−メチルベンジリデン）ヒドラジ
ン １−［４−（２，２，２−トリフルオロエトキシ）ベン
ジリデン］−２−（４−エチルベンジリデン）ヒドラジ
ン １−［４−（２，２，２−トリフルオロエトキシ）ベン
ジリデン］−２−（４−プロピルベンジリデン）ヒドラ
ジン １−［４−（２，２，２−トリフルオロエトキシ）ベン
ジリデン］−２−（４−ブチルベンジリデン）ヒドラジ
ン １−［４−（２，２，２−トリフルオロエトキシ）ベン
ジリデン］−２−（４−ペンチルベンジリデン）ヒドラ
ジン １−［４−（２，２，２−トリフルオロエトキシ）ベン
ジリデン］−２−（４−ヘプチルベンジリデン）ヒドラ
ジン １−［４−（２，２，２−トリフルオロエトキシ）ベン
ジリデン］−２−（４−メトキシベンジリデン）ヒドラ
ジン （実施例３） 液晶組成物の調製（１） ホスト液晶（Ｈ）
【００５４】
【化１６】
【００５５】は１１６．７℃以下でネマチック相を示
し、その融点は１１℃である。これを厚さ４．５μｍの
ＴＮセルに充填して液晶素子を作製し、測定した応答時
間は２１．５ｍ秒であった。（立ち下がり時間と立ち上
がり時間が等しくなる電圧印加時）また、この素子の閾
値電圧は１．８８Ｖであった。
し、その融点は１１℃である。これを厚さ４．５μｍの
ＴＮセルに充填して液晶素子を作製し、測定した応答時
間は２１．５ｍ秒であった。（立ち下がり時間と立ち上
がり時間が等しくなる電圧印加時）また、この素子の閾
値電圧は１．８８Ｖであった。
【００５６】このホスト液晶（Ｈ）８０％及び実施例１
で得た（Ｉ−２）の化合物２０％からなる液晶組成物
（Ｍ−２）を調製したところ、ネマチック相上限温度
（ＴN-I）は１０４℃であり、あまり低下しなかった。
同様にして液晶素子を作製し、その応答時間を測定した
ところ、１４．０ｍ秒と大幅に高速化されていることが
わかった。また、この素子の閾値電圧は２．０７Ｖであ
り、あまり上昇していなかった。
で得た（Ｉ−２）の化合物２０％からなる液晶組成物
（Ｍ−２）を調製したところ、ネマチック相上限温度
（ＴN-I）は１０４℃であり、あまり低下しなかった。
同様にして液晶素子を作製し、その応答時間を測定した
ところ、１４．０ｍ秒と大幅に高速化されていることが
わかった。また、この素子の閾値電圧は２．０７Ｖであ
り、あまり上昇していなかった。
【００５７】なお、この組成物を０℃で２４時間放置し
たが、結晶の析出は見られなかった。 （実施例４） 液晶組成物の調製（２） ホスト液晶（Ｈ）８０％及び実施例２で得た（Ｉ−４）
の化合物２０％からなる液晶組成物（Ｍ−４）を調製し
た。この（Ｍ−４）のネマチック相上限温度（ＴN-I）
は９８℃であり、（Ｍ−２）よりわずかに低くなった。
同様にして液晶素子を作製し、その応答時間を測定した
ところ１５．８ｍ秒であり、（Ｍ−２）よりもやや遅い
が、ホスト液晶（Ｈ）と比較するとやはり大幅に改善す
ることができた。また、同様にして素子を作製し閾値電
圧を測定したところ、１．８５Ｖであり、（Ｍ−２）よ
りも低減することができた。
たが、結晶の析出は見られなかった。 （実施例４） 液晶組成物の調製（２） ホスト液晶（Ｈ）８０％及び実施例２で得た（Ｉ−４）
の化合物２０％からなる液晶組成物（Ｍ−４）を調製し
た。この（Ｍ−４）のネマチック相上限温度（ＴN-I）
は９８℃であり、（Ｍ−２）よりわずかに低くなった。
同様にして液晶素子を作製し、その応答時間を測定した
ところ１５．８ｍ秒であり、（Ｍ−２）よりもやや遅い
が、ホスト液晶（Ｈ）と比較するとやはり大幅に改善す
ることができた。また、同様にして素子を作製し閾値電
圧を測定したところ、１．８５Ｖであり、（Ｍ−２）よ
りも低減することができた。
【００５８】なお、この組成物を０℃で２４時間放置し
たが、やはり結晶の析出は見られなかった。 （比較例）ホスト液晶（Ｈ）の８０％及びＮ型のアジン
誘導体である（Ｂ−１）
たが、やはり結晶の析出は見られなかった。 （比較例）ホスト液晶（Ｈ）の８０％及びＮ型のアジン
誘導体である（Ｂ−１）
【００５９】
【化１７】
【００６０】の化合物２０％からなる液晶組成物（Ｍ−
Ｂ）を調製した。（Ｍ−Ｂ）のネマチック相上限温度
（ＴN-I）は１１５．６℃で、ホスト液晶（Ｈ）と同程
度であり、（Ｍ−２）や（Ｍ−４）よりわずかに高くな
った。次に、同様にして液晶素子を作製しその応答時間
を測定したところ、１５．３ｍ秒であり、（Ｍ−２）に
はやや及ばないもののやはり、ホスト液晶（Ｈ）よりか
なり高速になった。ところが、この素子の閾値電圧を測
定したところ、２．５４Ｖと（Ｈ）や（Ｍ−２）あるい
は（Ｍ−４）と比較して大幅に上昇してしまった。
Ｂ）を調製した。（Ｍ−Ｂ）のネマチック相上限温度
（ＴN-I）は１１５．６℃で、ホスト液晶（Ｈ）と同程
度であり、（Ｍ−２）や（Ｍ−４）よりわずかに高くな
った。次に、同様にして液晶素子を作製しその応答時間
を測定したところ、１５．３ｍ秒であり、（Ｍ−２）に
はやや及ばないもののやはり、ホスト液晶（Ｈ）よりか
なり高速になった。ところが、この素子の閾値電圧を測
定したところ、２．５４Ｖと（Ｈ）や（Ｍ−２）あるい
は（Ｍ−４）と比較して大幅に上昇してしまった。
【００６１】以上から、本発明の化合物が、閾値電圧を
上昇させたり、その温度範囲を低下させることなく、そ
の応答時間を大幅に改善するうえにおいて、非常に有効
であることがわかる。
上昇させたり、その温度範囲を低下させることなく、そ
の応答時間を大幅に改善するうえにおいて、非常に有効
であることがわかる。
【００６２】
【発明の効果】本発明により提供される、一般式（Ｉ）
で表される非対称Ｐ型アジン誘導体である新規液晶化合
物は熱、光等に対し化学的に安定で、液晶性に優れ、し
かも工業的にも容易に製造することができる。得られた
一般式（Ｉ）の化合物は、従来の液晶化合物あるいは液
晶組成物との相溶性にも優れ、この添加により液晶組成
物の応答時間を大幅に改善することができる。しかもそ
の閾値電圧をほとんど上昇させることがない。
で表される非対称Ｐ型アジン誘導体である新規液晶化合
物は熱、光等に対し化学的に安定で、液晶性に優れ、し
かも工業的にも容易に製造することができる。得られた
一般式（Ｉ）の化合物は、従来の液晶化合物あるいは液
晶組成物との相溶性にも優れ、この添加により液晶組成
物の応答時間を大幅に改善することができる。しかもそ
の閾値電圧をほとんど上昇させることがない。
【００６３】従って、温度範囲が広く、低電圧駆動と高
速応答が可能な液晶表示素子用の液晶材料の構成成分と
して非常に実用的である。
速応答が可能な液晶表示素子用の液晶材料の構成成分と
して非常に実用的である。
Claims (5)
- 【請求項１】 一般式（Ｉ） 【化１】 （式中、Ｒは炭素原子数１〜１２のアルキル基又はアル
コキシル基を表し、Ｚはフッ素原子、塩素原子、−ＯＣ
Ｆ3、−ＯＣＦ2Ｈ、−ＣＦ3又は−ＯＣＨ2ＣＦ3を表
す。）で表される化合物。 - 【請求項２】 一般式（Ｉ）において、Ｚがフッ素原子
であるところの請求項１記載の化合物。 - 【請求項３】 一般式（Ｉ）において、Ｚが−ＯＣＦ3
であるところの請求項１記載の化合物。 - 【請求項４】 一般式（Ｉ）において、Ｒが炭素原子数
１〜７の直鎖状アルキル基であるところの請求項１、２
又は３記載の化合物。 - 【請求項５】 請求項１記載の一般式（Ｉ）の化合物を
含有する液晶組成物。
Priority Applications (8)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22121296A JP3882948B2 (ja) | 1996-08-22 | 1996-08-22 | 非対称アジン類 |
| SG1997003016A SG67415A1 (en) | 1996-08-22 | 1997-08-21 | Azine derivative process for the preparation thereof nematic liquid crystal composition and liquid crystal display system comprising same |
| DE69708231T DE69708231T2 (de) | 1996-08-22 | 1997-08-21 | Azin-Derivat, Verfahren zu seiner Herstellung, diese enthaltende nematische flüssigkristalline Zusammensetzung und diese enthaltende flüssigkristalline Anzeigevorrichtung |
| EP97114465A EP0825176B1 (en) | 1996-08-22 | 1997-08-21 | Azine derivative, process for the preparation thereof, nematic liquid crystal composition and liquid crystal display system comprising same |
| CNB971177104A CN1199938C (zh) | 1996-08-22 | 1997-08-21 | 吖嗪系化合物、其制造方法及其在向列液晶组合物及液晶显示装置中的应用 |
| US08/916,026 US6010642A (en) | 1996-08-22 | 1997-08-21 | Azine derivative, process for the preparation thereof, nematic liquid crystal composition and liquid crystal display system comprising same |
| TW086112162A TW402632B (en) | 1996-08-22 | 1997-08-22 | Azine derivative, process for the preparation thereof, nematic liquid crystal composition and liquid crystal display system comprising same |
| HK98110969.9A HK1010188B (en) | 1996-08-22 | 1998-09-25 | Azine derivative, process for preparation thereof, nematic liquid crystal composition and liquid crystal display system comprising same |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22121296A JP3882948B2 (ja) | 1996-08-22 | 1996-08-22 | 非対称アジン類 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1059918A true JPH1059918A (ja) | 1998-03-03 |
| JP3882948B2 JP3882948B2 (ja) | 2007-02-21 |
Family
ID=16763230
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22121296A Expired - Fee Related JP3882948B2 (ja) | 1996-08-22 | 1996-08-22 | 非対称アジン類 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3882948B2 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002212563A (ja) * | 2001-01-23 | 2002-07-31 | Dainippon Ink & Chem Inc | 液晶組成物及び液晶表示素子 |
| JP2005132998A (ja) * | 2003-10-31 | 2005-05-26 | Dainippon Ink & Chem Inc | 液晶組成物及び液晶表示素子 |
| JP2014009351A (ja) * | 2012-07-03 | 2014-01-20 | Dic Corp | ネマチック液晶組成物及びこれを用いた液晶表示素子 |
| CN113583684A (zh) * | 2021-09-07 | 2021-11-02 | 石家庄诚志永华显示材料有限公司 | 液晶组合物及液晶显示元器件 |
-
1996
- 1996-08-22 JP JP22121296A patent/JP3882948B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002212563A (ja) * | 2001-01-23 | 2002-07-31 | Dainippon Ink & Chem Inc | 液晶組成物及び液晶表示素子 |
| JP2005132998A (ja) * | 2003-10-31 | 2005-05-26 | Dainippon Ink & Chem Inc | 液晶組成物及び液晶表示素子 |
| JP2014009351A (ja) * | 2012-07-03 | 2014-01-20 | Dic Corp | ネマチック液晶組成物及びこれを用いた液晶表示素子 |
| CN113583684A (zh) * | 2021-09-07 | 2021-11-02 | 石家庄诚志永华显示材料有限公司 | 液晶组合物及液晶显示元器件 |
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3882948B2 (ja) | 2007-02-21 |
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