JPH1067971A - ダイシングテープ - Google Patents
ダイシングテープInfo
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- JPH1067971A JPH1067971A JP8225771A JP22577196A JPH1067971A JP H1067971 A JPH1067971 A JP H1067971A JP 8225771 A JP8225771 A JP 8225771A JP 22577196 A JP22577196 A JP 22577196A JP H1067971 A JPH1067971 A JP H1067971A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 半導体基板のダイシング工程において、ダイ
シングテープ表面に発生する局所的な静電気による半導
体デバイスの破壊及び特性劣化を防止する。 【解決手段】 ダイシングテープの粘着剤１２にＮｉ、
Ａｇ、カーボン等からなる粒径５μｍ以下の導電粒子１
３を含有せしめ、該粘着剤１２表面の表面抵抗値を１×
１０12Ω／ｓｑ以下となるように構成する。
シングテープ表面に発生する局所的な静電気による半導
体デバイスの破壊及び特性劣化を防止する。 【解決手段】 ダイシングテープの粘着剤１２にＮｉ、
Ａｇ、カーボン等からなる粒径５μｍ以下の導電粒子１
３を含有せしめ、該粘着剤１２表面の表面抵抗値を１×
１０12Ω／ｓｑ以下となるように構成する。
Description
【０００１】
【発明が属する技術分野】本発明は複数個の半導体デバ
イスを作り込んだ半導体基板をダイシングしてチップ化
する際に、該半導体基板に貼付して用いるダイシングテ
ープに関する。
イスを作り込んだ半導体基板をダイシングしてチップ化
する際に、該半導体基板に貼付して用いるダイシングテ
ープに関する。
【０００２】
【従来の技術】一般に、複数個の半導体デバイスを作り
込んだ半導体基板を、該基板上に形成されたパターンに
沿って切断し、チップ化するダイシング工程は次のよう
に行なわれる。
込んだ半導体基板を、該基板上に形成されたパターンに
沿って切断し、チップ化するダイシング工程は次のよう
に行なわれる。
【０００３】図４に示すように、複数個の半導体デバイ
スを作り込んだ半導体基板１の裏面に、絶縁性材質（表
面抵抗値＞１×１０12Ω）を用いたダイシングテープ２
を貼付し、該ダイシングテープ２をステンレス製リング
３に密着させる。尚、図４の（ｂ）は（ａ）に示すＡ−
Ａ’断面図である。次に図５に示すように、ダイシング
テープ２の裏面を基板保持装置４によって吸着し、顕微
鏡５等により位置合わせを行ない、切削砥石薄片６を回
転させ、基板保持装置４を移動させることにより半導体
基板１を切断する。
スを作り込んだ半導体基板１の裏面に、絶縁性材質（表
面抵抗値＞１×１０12Ω）を用いたダイシングテープ２
を貼付し、該ダイシングテープ２をステンレス製リング
３に密着させる。尚、図４の（ｂ）は（ａ）に示すＡ−
Ａ’断面図である。次に図５に示すように、ダイシング
テープ２の裏面を基板保持装置４によって吸着し、顕微
鏡５等により位置合わせを行ない、切削砥石薄片６を回
転させ、基板保持装置４を移動させることにより半導体
基板１を切断する。
【０００４】切断工程が終了した後、図６に示すよう
に、半導体基板１を固定していたリング３をスピンナー
テーブル７に合わせて置き、該テーブル７に吸着固定す
る。スピンナーテーブル７を回転させながら、高圧ジェ
ットノズル８から洗浄液９を半導体基板１に向けて吐出
することにより、切断後の半導体基板１を洗浄する。
に、半導体基板１を固定していたリング３をスピンナー
テーブル７に合わせて置き、該テーブル７に吸着固定す
る。スピンナーテーブル７を回転させながら、高圧ジェ
ットノズル８から洗浄液９を半導体基板１に向けて吐出
することにより、切断後の半導体基板１を洗浄する。
【０００５】次に、半導体基板１はダイシングテープ２
に貼り付けたまま、該ダイシングテープ２よりリング３
を外す。更に、図７に示すように、棒１０を利用して、
ダイシングテープ２を下側に引くことにより、半導体基
板１をダイシングテープ２から剥離させる。
に貼り付けたまま、該ダイシングテープ２よりリング３
を外す。更に、図７に示すように、棒１０を利用して、
ダイシングテープ２を下側に引くことにより、半導体基
板１をダイシングテープ２から剥離させる。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記し
た従来のダイシング工程においては以下のような問題点
があった。
た従来のダイシング工程においては以下のような問題点
があった。
【０００７】図５に示す半導体基板１の切断工程におけ
る切削砥石薄片６とダイシングテープ２との摩擦、及
び、図６に示す洗浄工程における高圧吐出された洗浄液
９とダイシングテープ２との摩擦、更には、図７に示す
剥離工程におけるチップのダイシングテープ２からの剥
離により、ダイシングテープ２の表面には局所的に電荷
がたまり、約数ｋＶの静電気が発生する。これにより、
ダイシングテープ２上に固定された半導体基板１に作り
込まれた半導体デバイスが破壊、或いは特性劣化を引き
起こすという問題を生じていた。
る切削砥石薄片６とダイシングテープ２との摩擦、及
び、図６に示す洗浄工程における高圧吐出された洗浄液
９とダイシングテープ２との摩擦、更には、図７に示す
剥離工程におけるチップのダイシングテープ２からの剥
離により、ダイシングテープ２の表面には局所的に電荷
がたまり、約数ｋＶの静電気が発生する。これにより、
ダイシングテープ２上に固定された半導体基板１に作り
込まれた半導体デバイスが破壊、或いは特性劣化を引き
起こすという問題を生じていた。
【０００８】本発明は、上記問題点を解決し、各工程に
おけるダイシングテープの静電気の発生を防止し、該静
電気による半導体デバイスの破壊及び特性劣化を防止す
ることを目的とするものであり、更に具体的には、各工
程において摩擦等を受けても電荷をためないダイシング
テープを提供するものである。
おけるダイシングテープの静電気の発生を防止し、該静
電気による半導体デバイスの破壊及び特性劣化を防止す
ることを目的とするものであり、更に具体的には、各工
程において摩擦等を受けても電荷をためないダイシング
テープを提供するものである。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明のダイシングテー
プは、母材上に粘着剤を有してなり、該粘着剤表面の表
面抵抗値が１×１０12Ω／ｓｑ以下であることを特徴と
する。即ち、本発明のダイシングテープは、その表面に
電気的拡散性を持たせることにより、摩擦等により発生
した電荷をダイシングテープ表面に拡散し、グランド電
位に落とすことが可能となり、上記局所的に発生した電
荷による半導体デバイスの破壊及び特性の劣化を防止す
るのである。
プは、母材上に粘着剤を有してなり、該粘着剤表面の表
面抵抗値が１×１０12Ω／ｓｑ以下であることを特徴と
する。即ち、本発明のダイシングテープは、その表面に
電気的拡散性を持たせることにより、摩擦等により発生
した電荷をダイシングテープ表面に拡散し、グランド電
位に落とすことが可能となり、上記局所的に発生した電
荷による半導体デバイスの破壊及び特性の劣化を防止す
るのである。
【００１０】
【発明の実施の形態】本発明のダイシングテープの実施
形態の断面図を図１〜３に示す。図中、１１は母材、１
２は粘着剤、１３は導電粒子、１４は陽イオン界面活性
剤である。
形態の断面図を図１〜３に示す。図中、１１は母材、１
２は粘着剤、１３は導電粒子、１４は陽イオン界面活性
剤である。
【００１１】本発明のダイシングテープは、基本的に母
材１１と粘着剤１２を有し、該粘着剤１２表面の表面抵
抗値を１×１０12Ω／ｓｑ以下になるように設定する。
具体的には、図１に示すように、粘着剤１２に導電粒子
１３を含有せしめる方法がある。
材１１と粘着剤１２を有し、該粘着剤１２表面の表面抵
抗値を１×１０12Ω／ｓｑ以下になるように設定する。
具体的には、図１に示すように、粘着剤１２に導電粒子
１３を含有せしめる方法がある。
【００１２】本発明において用いられる、上記母材１１
としては、通常のダイシングテープに用いられるもので
良く、例えば、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）
が好適に用いられる。また、粘着剤１２としても通常の
ダイシングテープに用いられるもので良く、例えばアク
リル系樹脂が好適に用いられる。
としては、通常のダイシングテープに用いられるもので
良く、例えば、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）
が好適に用いられる。また、粘着剤１２としても通常の
ダイシングテープに用いられるもので良く、例えばアク
リル系樹脂が好適に用いられる。
【００１３】また、上記粘着剤１２或いは母材１１に含
有せしめる導電粒子１３としては、Ｎｉ、Ａｇ、カーボ
ンからなる粒子を用いることができ、粒径は５μｍ以下
が好ましい。
有せしめる導電粒子１３としては、Ｎｉ、Ａｇ、カーボ
ンからなる粒子を用いることができ、粒径は５μｍ以下
が好ましい。
【００１４】また、本発明においては、図２に示すよう
に粘着剤１２の表面に陽イオン界面活性剤１４を塗布し
ても上記表面抵抗値を達成できる。該陽イオン界面活性
剤１４としては、第４アンモニウム塩であるジステアリ
ルジメチルアンモニウムクロライドなどを用いることが
できる。
に粘着剤１２の表面に陽イオン界面活性剤１４を塗布し
ても上記表面抵抗値を達成できる。該陽イオン界面活性
剤１４としては、第４アンモニウム塩であるジステアリ
ルジメチルアンモニウムクロライドなどを用いることが
できる。
【００１５】さらに本発明においては、母材１１の表面
抵抗値を１×１０12Ω／ｓｑ以下にすることにより、前
記摩擦等によって発生した電荷を該母材１１にも拡散し
てグランド電位に落とすことができ、また母材と切削砥
石薄片や洗浄液との摩擦による静電気も解消できるた
め、より良好に半導体デバイスの破壊、特性劣化を防止
することができる。該母材１１の表面抵抗値を所定の値
以下に設定する手段としては、母材自体に表面抵抗値の
低い素材、例えばＰＶＣ（ポリ塩化ビニル）を用いた
り、或いは、図３に示すように、粘着剤１２に含有させ
たものと同じ導電粒子１３を含有させれば良い。
抵抗値を１×１０12Ω／ｓｑ以下にすることにより、前
記摩擦等によって発生した電荷を該母材１１にも拡散し
てグランド電位に落とすことができ、また母材と切削砥
石薄片や洗浄液との摩擦による静電気も解消できるた
め、より良好に半導体デバイスの破壊、特性劣化を防止
することができる。該母材１１の表面抵抗値を所定の値
以下に設定する手段としては、母材自体に表面抵抗値の
低い素材、例えばＰＶＣ（ポリ塩化ビニル）を用いた
り、或いは、図３に示すように、粘着剤１２に含有させ
たものと同じ導電粒子１３を含有させれば良い。
【００１６】
［実施例１］本発明第１の実施例として、図１に示す構
成のダイシングテープを作製した。本実施例に用いたダ
イシングテープは、１００μｍ厚のＰＥＴフィルムを母
材とし、該フィルム上に３０μｍの膜厚で制御されたア
クリル系粘着剤層で構成されている。該アクリル系粘着
剤層中には粒径５μｍのカーボン粒子が混入されてい
る。
成のダイシングテープを作製した。本実施例に用いたダ
イシングテープは、１００μｍ厚のＰＥＴフィルムを母
材とし、該フィルム上に３０μｍの膜厚で制御されたア
クリル系粘着剤層で構成されている。該アクリル系粘着
剤層中には粒径５μｍのカーボン粒子が混入されてい
る。
【００１７】上記構成により、ダイシングテープの粘着
剤表面の表面抵抗値は２×１０6 Ω／ｓｑ以下であっ
た。
剤表面の表面抵抗値は２×１０6 Ω／ｓｑ以下であっ
た。
【００１８】上記ダイシングテープを用いて、図４〜図
７に示した従来と同じ半導体基板のダイシング工程を行
なった。その結果、従来ダイシングテープ表面の帯電位
が−２〜３ｋＶであったのに対して、本実施例のダイシ
ングテープは−１０Ｖであり大幅に低減されて半導体デ
バイスの破壊及び特性劣化は認められなかった。
７に示した従来と同じ半導体基板のダイシング工程を行
なった。その結果、従来ダイシングテープ表面の帯電位
が−２〜３ｋＶであったのに対して、本実施例のダイシ
ングテープは−１０Ｖであり大幅に低減されて半導体デ
バイスの破壊及び特性劣化は認められなかった。
【００１９】［実施例２］本発明第２の実施例として、
図２に示す構成のダイシングテープを作製した。本実施
例に用いたダイシングテープは、１００μｍ厚のＰＥＴ
フィルムを母材とし、該フィルム上に３０μｍ厚のアク
リル系粘着剤と数μｍ厚で陽イオン界面活性剤が積層さ
れた構成である。
図２に示す構成のダイシングテープを作製した。本実施
例に用いたダイシングテープは、１００μｍ厚のＰＥＴ
フィルムを母材とし、該フィルム上に３０μｍ厚のアク
リル系粘着剤と数μｍ厚で陽イオン界面活性剤が積層さ
れた構成である。
【００２０】また、陽イオン界面活性剤としてはジステ
アリルジメチルアンモニウムクロライドを用いた。上記
構成により、ダイシングテープの粘着剤表面の表面抵抗
値は１×１０8 Ω／ｓｑ以下であった。
アリルジメチルアンモニウムクロライドを用いた。上記
構成により、ダイシングテープの粘着剤表面の表面抵抗
値は１×１０8 Ω／ｓｑ以下であった。
【００２１】上記ダイシングテープを用いて、図４〜図
７に示した従来と同じ半導体基板のダイシング工程を行
なった。その結果、実施例１と同様にダイシングテープ
表面の帯電位は−１０Ｖであり大幅に低減されて半導体
デバイスの破壊及び特性劣化は認められなかった。
７に示した従来と同じ半導体基板のダイシング工程を行
なった。その結果、実施例１と同様にダイシングテープ
表面の帯電位は−１０Ｖであり大幅に低減されて半導体
デバイスの破壊及び特性劣化は認められなかった。
【００２２】［実施例３］本発明第３の実施例として、
図３に示す構成のダイシングテープを作製した。本実施
例に用いたダイシングテープは、母材として１００μｍ
厚のＰＶＣフィルムを用い、粘着剤には３０μｍ厚のア
クリル系粘着剤を用い、両者に５μｍ粒径のカーボン粒
子を混入した。
図３に示す構成のダイシングテープを作製した。本実施
例に用いたダイシングテープは、母材として１００μｍ
厚のＰＶＣフィルムを用い、粘着剤には３０μｍ厚のア
クリル系粘着剤を用い、両者に５μｍ粒径のカーボン粒
子を混入した。
【００２３】上記構成により、ダイシングテープの粘着
剤表面及び母材表面の表面抵抗値は、それぞれ、１×１
０11Ω／ｓｑ以下、２×１０6 Ω／ｓｑ以下であった。
剤表面及び母材表面の表面抵抗値は、それぞれ、１×１
０11Ω／ｓｑ以下、２×１０6 Ω／ｓｑ以下であった。
【００２４】上記ダイシングテープを用いて、図４〜図
７に示した従来と同じ半導体基板のダイシング工程を行
なった。その結果、実施例１と同様にダイシングテープ
表面の帯電位は−１０Ｖであり大幅に低減されて半導体
デバイスの破壊及び特性劣化は認められなかった。
７に示した従来と同じ半導体基板のダイシング工程を行
なった。その結果、実施例１と同様にダイシングテープ
表面の帯電位は−１０Ｖであり大幅に低減されて半導体
デバイスの破壊及び特性劣化は認められなかった。
【００２５】上記ダイシングテープを用いて、図４〜図
７に示した従来と同じ半導体基板のダイシング工程を行
なった。その結果、実施例１と同様にダイシングテープ
表面の帯電位は−１０Ｖであり大幅に低減されて半導体
デバイスの破壊及び特性劣化は認められなかった。
７に示した従来と同じ半導体基板のダイシング工程を行
なった。その結果、実施例１と同様にダイシングテープ
表面の帯電位は−１０Ｖであり大幅に低減されて半導体
デバイスの破壊及び特性劣化は認められなかった。
【００２６】
【発明の効果】本発明によると、ダイシング工程におけ
る摩擦等による半導体デバイスの表面の帯電位が大幅に
低減され、該帯電位による半導体デバイスの破壊及び特
性劣化が防止されて該工程における製造歩留、及び半導
体デバイスの信頼性が著しく向上する。
る摩擦等による半導体デバイスの表面の帯電位が大幅に
低減され、該帯電位による半導体デバイスの破壊及び特
性劣化が防止されて該工程における製造歩留、及び半導
体デバイスの信頼性が著しく向上する。
【００２７】さらに本発明においては、母材表面の表面
抵抗値も粘着剤表面と同様に１×１０12Ω／ｓｑ以下に
設定して構成することにより、より良好に半導体デバイ
ス表面の帯電位を低減することができ、また、切断の深
さが粘着剤層を超えて母材に達した場合に発生する静電
気についても同様に低減することができ、半導体デバイ
ス製造歩留、及び信頼性をより高めることができる。
抵抗値も粘着剤表面と同様に１×１０12Ω／ｓｑ以下に
設定して構成することにより、より良好に半導体デバイ
ス表面の帯電位を低減することができ、また、切断の深
さが粘着剤層を超えて母材に達した場合に発生する静電
気についても同様に低減することができ、半導体デバイ
ス製造歩留、及び信頼性をより高めることができる。
【図１】本発明のダイシングテープの一実施形態の断面
図である。
図である。
【図２】本発明のダイシングテープの異なる実施形態の
断面図である。
断面図である。
【図３】本発明のダイシングテープの第３の実施形態の
断面図である。
断面図である。
【図４】半導体基板のダイシング工程の説明図である。
【図５】半導体基板のダイシング工程の説明図である。
【図６】半導体基板のダイシング工程の説明図である。
【図７】半導体基板のダイシング工程の説明図である。
１ 半導体基板 ２ ダイシングテープ ３ リング ４ 基板保持装置 ５ 顕微鏡 ６ 切削砥石薄片 ７ スピンナーテーブル ８ 高圧ジェットノズル ９ 洗浄液 １０ 棒 １１ 母材 １２ 粘着剤 １３ 導電粒子 １４ 陽イオン界面活性剤
Claims (5)
- 【請求項１】 母材上に粘着剤を有してなり、該粘着剤
表面の表面抵抗値が１×１０12Ω／ｓｑ以下であること
を特徴とするダイシングテープ。 - 【請求項２】 上記粘着剤が導電粒子を含有する請求項
１記載のダイシングテープ。 - 【請求項３】 上記粘着剤表面に陽イオン界面活性剤が
塗布されている請求項１記載のダイシングテープ。 - 【請求項４】 上記母材の表面抵抗値が１×１０12Ω／
ｓｑ以下である請求項１〜３いずれかに記載のダイシン
グテープ。 - 【請求項５】 上記母材が導電粒子を含有する請求項４
記載のダイシングテープ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8225771A JPH1067971A (ja) | 1996-08-28 | 1996-08-28 | ダイシングテープ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8225771A JPH1067971A (ja) | 1996-08-28 | 1996-08-28 | ダイシングテープ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1067971A true JPH1067971A (ja) | 1998-03-10 |
Family
ID=16834546
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8225771A Withdrawn JPH1067971A (ja) | 1996-08-28 | 1996-08-28 | ダイシングテープ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH1067971A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH11166170A (ja) * | 1997-09-25 | 1999-06-22 | Brady Worldwide Inc | 静電気散逸ラベル |
| JP2002338907A (ja) * | 2001-05-14 | 2002-11-27 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | 半導体基板加工用粘着シート |
| JP2007216589A (ja) * | 2006-02-20 | 2007-08-30 | Fujicopian Co Ltd | 固定シート |
| JP2014135468A (ja) * | 2012-12-10 | 2014-07-24 | Nitto Denko Corp | ダイシングテープ一体型接着シート、及び、ダイシングテープ一体型接着シートを用いた半導体装置の製造方法 |
| JP2020015196A (ja) * | 2018-07-24 | 2020-01-30 | 信越化学工業株式会社 | 粘着性基材、粘着性基材を有する転写装置及び粘着性基材の製造方法 |
-
1996
- 1996-08-28 JP JP8225771A patent/JPH1067971A/ja not_active Withdrawn
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH11166170A (ja) * | 1997-09-25 | 1999-06-22 | Brady Worldwide Inc | 静電気散逸ラベル |
| JP2002338907A (ja) * | 2001-05-14 | 2002-11-27 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | 半導体基板加工用粘着シート |
| JP2007216589A (ja) * | 2006-02-20 | 2007-08-30 | Fujicopian Co Ltd | 固定シート |
| JP2014135468A (ja) * | 2012-12-10 | 2014-07-24 | Nitto Denko Corp | ダイシングテープ一体型接着シート、及び、ダイシングテープ一体型接着シートを用いた半導体装置の製造方法 |
| JP2020015196A (ja) * | 2018-07-24 | 2020-01-30 | 信越化学工業株式会社 | 粘着性基材、粘着性基材を有する転写装置及び粘着性基材の製造方法 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Application deemed to be withdrawn because no request for examination was validly filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20031104 |